JPH10261676A - 半導体のウエハテスト方法 - Google Patents
半導体のウエハテスト方法Info
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- JPH10261676A JPH10261676A JP6361697A JP6361697A JPH10261676A JP H10261676 A JPH10261676 A JP H10261676A JP 6361697 A JP6361697 A JP 6361697A JP 6361697 A JP6361697 A JP 6361697A JP H10261676 A JPH10261676 A JP H10261676A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- auxiliary jig
- test
- loader
- test method
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 割れた不定形ウエハにおいても、定型ウエハ
と同様に連続的に自動処理できるようにした半導体のウ
エハテスト方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ１を板状の補助治具１０で保持し
た状態で、キャリヤ２、９へのセット、ローダ２および
アンローダ８での搬送、およびテスタ部４でのテストを
各々行うようにし、割れて不定形となったウエハ１でも
定型ウエハと同様に連続的な自動処理でウエハテストを
行えるようにした方法である。
と同様に連続的に自動処理できるようにした半導体のウ
エハテスト方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ１を板状の補助治具１０で保持し
た状態で、キャリヤ２、９へのセット、ローダ２および
アンローダ８での搬送、およびテスタ部４でのテストを
各々行うようにし、割れて不定形となったウエハ１でも
定型ウエハと同様に連続的な自動処理でウエハテストを
行えるようにした方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体のウエハテ
スト方法に関し、特に、ＬＥＤ（発光ダイオード）ウエ
ハの輝度、順方向電圧、逆方向電圧等の測定を行うウエ
ハテスト方法に関する。
スト方法に関し、特に、ＬＥＤ（発光ダイオード）ウエ
ハの輝度、順方向電圧、逆方向電圧等の測定を行うウエ
ハテスト方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ処理の最終工程において、ウエハ
（ＬＥＤウエハ）の輝度測定、順方向電圧測定、逆方向
電圧測定等のウエハテストが行われる。図５は、ウエハ
が定型の場合のウエハテスト工程を示している。
（ＬＥＤウエハ）の輝度測定、順方向電圧測定、逆方向
電圧測定等のウエハテストが行われる。図５は、ウエハ
が定型の場合のウエハテスト工程を示している。
【０００３】供給側のキャリヤ（定型のキャリヤ、以下
同じ）２に複数枚のウエハ１をセットし、ゴムベルト等
のローダ３でセットされているウエハ１を順次取り出し
てテストステージ５に搭載し、テスタ部４に搬送する。
同じ）２に複数枚のウエハ１をセットし、ゴムベルト等
のローダ３でセットされているウエハ１を順次取り出し
てテストステージ５に搭載し、テスタ部４に搬送する。
【０００４】テスタ部４において、受光素子６や測定針
７によりウエハテストを行ったあと、アンローダ８でウ
エハ１を搬出側のキャリヤ９に搬出する。このようにし
て、１つのキャリヤ２に収容された枚数（通常２０数
枚）のウエハ１を連続的に処理する。
７によりウエハテストを行ったあと、アンローダ８でウ
エハ１を搬出側のキャリヤ９に搬出する。このようにし
て、１つのキャリヤ２に収容された枚数（通常２０数
枚）のウエハ１を連続的に処理する。
【０００５】上記のような定型のキャリヤ２、９、ロー
ダ３、およびアンローダ８による自動ウエハテスト方式
は、ウエハ１が割れていない定型ウエハの場合には支障
はない。しかしながら、割れたウエハの場合は、形状お
よび大きさが不定であるため、定型のキャリヤ２、９に
セットできず、また、ローダ３、アンローダ８で安全な
搬送ができず、上記の方式は適用できない。
ダ３、およびアンローダ８による自動ウエハテスト方式
は、ウエハ１が割れていない定型ウエハの場合には支障
はない。しかしながら、割れたウエハの場合は、形状お
よび大きさが不定であるため、定型のキャリヤ２、９に
セットできず、また、ローダ３、アンローダ８で安全な
搬送ができず、上記の方式は適用できない。
【０００６】そのため、割れた不定型ウエハの場合は、
図６に示すように、作業者がウエハ１を１枚づつピンセ
ット２４等でテストステージ５にセットし、位置調整
（アライメント）後、テスタ部４でテストし、テスト終
了後、作業者がウエハ１を手作業で取り出す。このよう
な作業を手作業で繰り返すことにより処理している。
図６に示すように、作業者がウエハ１を１枚づつピンセ
ット２４等でテストステージ５にセットし、位置調整
（アライメント）後、テスタ部４でテストし、テスト終
了後、作業者がウエハ１を手作業で取り出す。このよう
な作業を手作業で繰り返すことにより処理している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、１枚
のウエハ処理で、より多くの素子（ＬＥＤチップ）が得
られるように半導体ウエハの大口径化が進んでおり、化
合物半導体の分野にあるＬＥＤ用ウエハにおいても同様
に大口径化している。現在、主としてＬＥＤ用として使
用されているウエハは、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓ等の化合物半導体で、そ
の口径も５ｃｍ（２インチ）から７．５ｃｍ（３イン
チ）と拡大してきている。
のウエハ処理で、より多くの素子（ＬＥＤチップ）が得
られるように半導体ウエハの大口径化が進んでおり、化
合物半導体の分野にあるＬＥＤ用ウエハにおいても同様
に大口径化している。現在、主としてＬＥＤ用として使
用されているウエハは、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓ等の化合物半導体で、そ
の口径も５ｃｍ（２インチ）から７．５ｃｍ（３イン
チ）と拡大してきている。
【０００８】これにより、１枚のウエハ処理で、より多
くの素子が得られることになるが、その反面、ウエハの
大口径化により処理中でのウエハ割れが増加している。
このウエハ割れ対策としてウエハの厚みを厚くすること
も考えられる。しかしながら、ＬＥＤウエハは、図７に
示すように、光を出すＰ／Ｎ接合部２３をウエハ内部に
有しており、そのため、Ｐ極（＋電極）２１とＮ極（−
電極）２２は、ウエハ１の表と裏の位置関係になり、ウ
エハ１の厚みがＬＥＤの抵抗成分となる。その結果、ウ
エハが厚くなると抵抗成分が大きくなり、通電電流によ
る発熱量が増大し、素子の信頼性が低下する。
くの素子が得られることになるが、その反面、ウエハの
大口径化により処理中でのウエハ割れが増加している。
このウエハ割れ対策としてウエハの厚みを厚くすること
も考えられる。しかしながら、ＬＥＤウエハは、図７に
示すように、光を出すＰ／Ｎ接合部２３をウエハ内部に
有しており、そのため、Ｐ極（＋電極）２１とＮ極（−
電極）２２は、ウエハ１の表と裏の位置関係になり、ウ
エハ１の厚みがＬＥＤの抵抗成分となる。その結果、ウ
エハが厚くなると抵抗成分が大きくなり、通電電流によ
る発熱量が増大し、素子の信頼性が低下する。
【０００９】このため、ＬＥＤウエハはあまり厚くする
ことができず、結果的にウエハ処理の最終工程にあたる
ウエハテスト工程では、割れているウエハが相当数存在
している。
ことができず、結果的にウエハ処理の最終工程にあたる
ウエハテスト工程では、割れているウエハが相当数存在
している。
【００１０】割れたウエハ１がある場合は、上述の理由
で自動化が困難で、手作業によるしかなく、このような
不定形ウエハのテスト工程の自動化が望まれていた。本
発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、特に、割れた不定形ウエ
ハにおいても、定型ウエハと同様に連続的に自動処理で
きるようにした半導体のウエハテスト方法を提供するこ
とである。
で自動化が困難で、手作業によるしかなく、このような
不定形ウエハのテスト工程の自動化が望まれていた。本
発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、特に、割れた不定形ウエ
ハにおいても、定型ウエハと同様に連続的に自動処理で
きるようにした半導体のウエハテスト方法を提供するこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成すべく、
本発明に係る半導体のウエハテスト方法は、キャリヤに
セットされたウエハをローダによりテスタ部に搬送し、
テスト終了後アンローダにより搬送するものであって、
前記ウエハを板状の補助治具で保持した状態で、前記キ
ャリヤへのセット、前記ローダおよびアンローダでの搬
送、および前記テスタ部でのテストを各々行うことを特
徴としている。
本発明に係る半導体のウエハテスト方法は、キャリヤに
セットされたウエハをローダによりテスタ部に搬送し、
テスト終了後アンローダにより搬送するものであって、
前記ウエハを板状の補助治具で保持した状態で、前記キ
ャリヤへのセット、前記ローダおよびアンローダでの搬
送、および前記テスタ部でのテストを各々行うことを特
徴としている。
【００１２】そして、半導体のウエハテスト方法の具体
的な態様としては、前記補助治具は、板状の本体部に前
記ウエハが収容される凹部または前記ウエハの外周を保
持する凸部が形成されていることを特徴としている。
的な態様としては、前記補助治具は、板状の本体部に前
記ウエハが収容される凹部または前記ウエハの外周を保
持する凸部が形成されていることを特徴としている。
【００１３】また、前記補助治具は、前記ウエハを吸引
する貫通孔が形成され、前記テスタ部には補助治具を吸
引する吸引孔が形成され、該吸引孔より前記補助治具お
よびウエハを真空吸引して補助治具をテストステージ
に、かつウエハを補助治具に吸着するようにしたことを
特徴としている。また、前記補助治具は、少なくとも前
記ウエハが接触する部分に導電性メッキが施されている
ことを特徴としている。
する貫通孔が形成され、前記テスタ部には補助治具を吸
引する吸引孔が形成され、該吸引孔より前記補助治具お
よびウエハを真空吸引して補助治具をテストステージ
に、かつウエハを補助治具に吸着するようにしたことを
特徴としている。また、前記補助治具は、少なくとも前
記ウエハが接触する部分に導電性メッキが施されている
ことを特徴としている。
【００１４】前述の如く構成された本発明に係る半導体
のウエハテスト方法において、ウエハを定型の補助治具
で保持した状態で、キャリヤへのセット、ローダおよび
アンローダでの搬送、前記テスタ部でのテストの全ての
処理が行われるので、割れた不定形ウエハであっても、
見かけ上定型と見なすことが可能となり、定型ウエハと
同様の処理方式で自動的にウエハテストが行われる。
のウエハテスト方法において、ウエハを定型の補助治具
で保持した状態で、キャリヤへのセット、ローダおよび
アンローダでの搬送、前記テスタ部でのテストの全ての
処理が行われるので、割れた不定形ウエハであっても、
見かけ上定型と見なすことが可能となり、定型ウエハと
同様の処理方式で自動的にウエハテストが行われる。
【００１５】補助治具は、乗せたウエハが落下しないよ
うに、凹部または凸部でウエハを保持し、また、テスト
中は補助治具の貫通孔から真空吸引することにより、ウ
エハは固定される。補助治具の導電性メッキは、ウエハ
と補助治具間の接触抵抗を小さくし、正確で安定したウ
エハテストを可能にしている。
うに、凹部または凸部でウエハを保持し、また、テスト
中は補助治具の貫通孔から真空吸引することにより、ウ
エハは固定される。補助治具の導電性メッキは、ウエハ
と補助治具間の接触抵抗を小さくし、正確で安定したウ
エハテストを可能にしている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、図５ないし図７と同一部材
または同一機能のものは同一符号で示している。図１
は、本発明の一実施の形態に係る半導体のウエハテスト
方法の一例を示している。工程〔１〕において、ウエハ
１は後述するような補助治具１０に１枚づつ乗せた状態
で、補助治具１０ごと定型のキャリヤ２内に複数個セッ
トする。
に基づいて説明する。なお、図５ないし図７と同一部材
または同一機能のものは同一符号で示している。図１
は、本発明の一実施の形態に係る半導体のウエハテスト
方法の一例を示している。工程〔１〕において、ウエハ
１は後述するような補助治具１０に１枚づつ乗せた状態
で、補助治具１０ごと定型のキャリヤ２内に複数個セッ
トする。
【００１７】工程〔２〕において、ゴムベルト等のロー
ダ３でウエハ１が乗っている補助治具１０を順次１枚づ
つ取り出してテストステージ５に搭載し、画像処理装置
１１で画像処理を行う。画像処理装置１１によりウエハ
１の形状および位置の情報を得ておくことにより、次の
工程〔３〕におけるテスト開始位置、テスト中にウエハ
１を移動させる方向、あるいはウエハのない位置はテス
トしない、等の制御が可能となる。
ダ３でウエハ１が乗っている補助治具１０を順次１枚づ
つ取り出してテストステージ５に搭載し、画像処理装置
１１で画像処理を行う。画像処理装置１１によりウエハ
１の形状および位置の情報を得ておくことにより、次の
工程〔３〕におけるテスト開始位置、テスト中にウエハ
１を移動させる方向、あるいはウエハのない位置はテス
トしない、等の制御が可能となる。
【００１８】次いで、ウエハ１が乗った補助治具１０が
搭載されたテストステージ５はローダ３でテスタ部４に
搬送され、工程〔３〕において、受光素子６や測定針７
により、輝度測定、順方向電圧測定、逆方向電圧測定等
のウエハテストを行う。テスト終了後、ウエハ１を補助
治具１０ごと、アンローダ８で搬出側のキャリヤ９に搬
出する（工程〔４〕）。
搭載されたテストステージ５はローダ３でテスタ部４に
搬送され、工程〔３〕において、受光素子６や測定針７
により、輝度測定、順方向電圧測定、逆方向電圧測定等
のウエハテストを行う。テスト終了後、ウエハ１を補助
治具１０ごと、アンローダ８で搬出側のキャリヤ９に搬
出する（工程〔４〕）。
【００１９】上記工程〔１〕〜〔４〕を繰り返すことに
より、１キャリヤ分の枚数（通常２０数枚）のウエハ１
を連続的に処理する。補助治具１０は定型であるので、
割れた不定形ウエハであっても、見かけ上定型とみなす
ことができ、キャリヤ２、９、ローダ３およびアンロー
ダ８は一般的な定型用の構成のものが使用できる。した
がって、割れた不定形ウエハにおいても、定型ウエハと
同様に連続的に自動処理できる。
より、１キャリヤ分の枚数（通常２０数枚）のウエハ１
を連続的に処理する。補助治具１０は定型であるので、
割れた不定形ウエハであっても、見かけ上定型とみなす
ことができ、キャリヤ２、９、ローダ３およびアンロー
ダ８は一般的な定型用の構成のものが使用できる。した
がって、割れた不定形ウエハにおいても、定型ウエハと
同様に連続的に自動処理できる。
【００２０】前記補助治具１０の構造例を図２（ａ）〜
（ｄ）および図３（ａ）および（ｂ）に示している。図
２（ａ）に示す補助治具１０は、円板状の本体部１１の
中央に定型のウエハ１が入る大きさの凹部１２が形成さ
れたものである。
（ｄ）および図３（ａ）および（ｂ）に示している。図
２（ａ）に示す補助治具１０は、円板状の本体部１１の
中央に定型のウエハ１が入る大きさの凹部１２が形成さ
れたものである。
【００２１】図２（ｂ）に示す補助治具１０は、図２
（ａ）の凹部１２に代えて３箇所のピン、突起等の凸部
１３を設け、この凸部１３の間にウエハ１を挿入するよ
うにしたものである。
（ａ）の凹部１２に代えて３箇所のピン、突起等の凸部
１３を設け、この凸部１３の間にウエハ１を挿入するよ
うにしたものである。
【００２２】図２（ｃ）に示す補助治具１０は、図２
（ａ）の円板状の本体部１１の一側部に、補助治具１０
の方向性を決めるための切欠部１４が形成されたもので
ある。なお、方向性を決めるためには、図２（ａ）およ
び（ｂ）の本体部１１を角形にすることによっても達成
できる。
（ａ）の円板状の本体部１１の一側部に、補助治具１０
の方向性を決めるための切欠部１４が形成されたもので
ある。なお、方向性を決めるためには、図２（ａ）およ
び（ｂ）の本体部１１を角形にすることによっても達成
できる。
【００２３】図２（ｄ）に示す補助治具１０は、角板状
の本体部１１の中央に定型のウエハ１が入る大きさの凹
部１２が形成され、この本体部１１の一側縁に切欠溝１
５が形成されたものである。この切欠溝１５をテストス
テージ５に設けた位置決めピン（図示せず）等に合わせ
ることにより、補助治具１０の位置決めが正確に行われ
る。図３（ａ）および（ｂ）に示す補助治具１０は、ウ
エハテスト時の電気的導通性を確保するように工夫した
ものである。
の本体部１１の中央に定型のウエハ１が入る大きさの凹
部１２が形成され、この本体部１１の一側縁に切欠溝１
５が形成されたものである。この切欠溝１５をテストス
テージ５に設けた位置決めピン（図示せず）等に合わせ
ることにより、補助治具１０の位置決めが正確に行われ
る。図３（ａ）および（ｂ）に示す補助治具１０は、ウ
エハテスト時の電気的導通性を確保するように工夫した
ものである。
【００２４】図３（ａ）は、補助治具１０がアルミニュ
ウム板のような導電体で構成されている場合の例で、凹
部１２の面に導電性メッキ１６を施したものである。ウ
エハ１はＮ極２２を導電性メッキ１６に接触させた状態
で凹部１２に入れられ、テスタ部４において補助治具１
０の裏面に電池１７の負極を接続し、ウエハ１のＰ極２
１に測定針７を接触させて測定する。
ウム板のような導電体で構成されている場合の例で、凹
部１２の面に導電性メッキ１６を施したものである。ウ
エハ１はＮ極２２を導電性メッキ１６に接触させた状態
で凹部１２に入れられ、テスタ部４において補助治具１
０の裏面に電池１７の負極を接続し、ウエハ１のＰ極２
１に測定針７を接触させて測定する。
【００２５】また、図３（ｂ）は、補助治具１０が樹脂
板のような絶縁体で構成されている場合の例で、凹部１
２および本体部１１の表面全体に導電性メッキ１６を施
したものである。ウエハ１はＮ極２２を導電性メッキ１
６に接触させた状態で凹部に１２に入れられ、テスタ部
４において導電性メッキ１６に電池１７の負極を接続
し、ウエハ１のＰ極２１に測定針７を接触させて測定す
る。
板のような絶縁体で構成されている場合の例で、凹部１
２および本体部１１の表面全体に導電性メッキ１６を施
したものである。ウエハ１はＮ極２２を導電性メッキ１
６に接触させた状態で凹部に１２に入れられ、テスタ部
４において導電性メッキ１６に電池１７の負極を接続
し、ウエハ１のＰ極２１に測定針７を接触させて測定す
る。
【００２６】上記導電メッキ１６としては、導電性が高
く、接触抵抗が低い材質のものであればよく、例えば金
または金合金等が好適に使用される。図４は、ウエハ１
の真空吸引手段を補助治具１０およびテストステージ５
に設けた例である。すなわち、補助治具１０の凹部１２
には貫通孔１８を形成している。また、テストステージ
５の中心部に凹部１９を形成し、この凹部１９およびそ
の周辺の表面に貫通する吸引孔２０を形成している。
く、接触抵抗が低い材質のものであればよく、例えば金
または金合金等が好適に使用される。図４は、ウエハ１
の真空吸引手段を補助治具１０およびテストステージ５
に設けた例である。すなわち、補助治具１０の凹部１２
には貫通孔１８を形成している。また、テストステージ
５の中心部に凹部１９を形成し、この凹部１９およびそ
の周辺の表面に貫通する吸引孔２０を形成している。
【００２７】ウエハ１が乗った補助治具１０をテストス
テージ５に搭載し、テスタ部４でテスト中において、吸
引孔２０より真空吸引することにより、補助治具１０が
テストステージ５に吸着されると共に、ウエハ１も補助
治具１０の凹部１２に吸着され、ウエハ１は測定時に動
かないように確実に固定される。
テージ５に搭載し、テスタ部４でテスト中において、吸
引孔２０より真空吸引することにより、補助治具１０が
テストステージ５に吸着されると共に、ウエハ１も補助
治具１０の凹部１２に吸着され、ウエハ１は測定時に動
かないように確実に固定される。
【００２８】以上、本発明の一実施の形態について詳述
したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるもので
はなく、設計において、特許請求の範囲に記載された本
発明の精神を逸脱することなしに種々の変更を行うこと
ができる。
したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるもので
はなく、設計において、特許請求の範囲に記載された本
発明の精神を逸脱することなしに種々の変更を行うこと
ができる。
【００２９】例えば、ウエハ１はＬＥＤ以外の半導体ウ
エハにも適用でき、また、補助治具１０も割れた不定形
ウエハを載置、保持できる構造のものであれば周知のも
のを用いてよく、図示の構造のものに限定されない。
エハにも適用でき、また、補助治具１０も割れた不定形
ウエハを載置、保持できる構造のものであれば周知のも
のを用いてよく、図示の構造のものに限定されない。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明の半導体のウエハテスト方法は、ウエハを定型の補助
治具で保持した状態で、キャリヤへのセット、ローダお
よびアンローダでの搬送、テスタ部でのテストの全ての
処理が行われので、割れた不定形ウエハであっても、見
かけ上定型と見なすことが可能となり、定型ウエハと同
様の処理方式で自動的にウエハテストが行われ、ウエハ
テストの作業効率が向上すると共に、補助治具を使用す
るのみで、テスト工程を変える必要がないため、低コス
トで実現できる。
明の半導体のウエハテスト方法は、ウエハを定型の補助
治具で保持した状態で、キャリヤへのセット、ローダお
よびアンローダでの搬送、テスタ部でのテストの全ての
処理が行われので、割れた不定形ウエハであっても、見
かけ上定型と見なすことが可能となり、定型ウエハと同
様の処理方式で自動的にウエハテストが行われ、ウエハ
テストの作業効率が向上すると共に、補助治具を使用す
るのみで、テスト工程を変える必要がないため、低コス
トで実現できる。
【図１】本発明に係る半導体のウエハテスト方法の一実
施の形態を示す工程説明図である。
施の形態を示す工程説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は補助治具の構造例を示す斜視
図である。
図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は導電性メッキを施した補
助治具の例を示す縦断側面図である。
助治具の例を示す縦断側面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）はウエハの吸引手段を有す
る補助治具の例を示す斜視図および断面図である。
る補助治具の例を示す斜視図および断面図である。
【図５】従来の半導体のウエハテスト方法の自動処理例
を示す工程説明図である。
を示す工程説明図である。
【図６】従来の半導体のウエハテスト方法の手動処理例
を示す工程説明図である。
を示す工程説明図である。
【図７】ＬＥＤウエハの構成を示す縦断側面図である。
１ ウエハ ２ キャリヤ（供給側） ３ ローダ ４ テスタ部 ５ テストステージ ８ アンローダ ９ キャリヤ（搬入側） １０ 補助治具 １１ 本体部 １２ 凹部 １３ 凸部 １６ 導電性メッキ １８ 貫通孔 １９ 吸引孔 ２２ Ｎ極
Claims (5)
- 【請求項１】 キャリヤにセットされたウエハをローダ
によりテスタ部に搬送し、テスト終了後アンローダによ
り搬送する半導体のウエハテスト方法において、 前記ウエハを板状の補助治具で保持した状態で、前記キ
ャリヤへのセット、前記ローダおよびアンローダでの搬
送、および前記テスタ部でのテストを各々行うことを特
徴とする半導体のウエハテスト方法。 - 【請求項２】 前記補助治具は、板状の本体部に前記ウ
エハが収容される凹部が形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体のウエハテスト方法。 - 【請求項３】 前記補助治具は、板状の本体部に前記ウ
エハの外周を保持する凸部が形成されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体のウエハテスト方法。 - 【請求項４】 前記補助治具は、前記ウエハを吸引する
貫通孔が形成され、前記テスタ部には補助治具を吸引す
る吸引孔が形成され、該吸引孔より前記補助治具および
ウエハを真空吸引して補助治具をテストステージに、か
つウエハを補助治具に各々吸着するようにしたことを特
徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の半導体の
ウエハテスト方法 - 【請求項５】 前記補助治具は、少なくとも前記ウエハ
のＮ極が接触する部分に導電性メッキが施されているこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の半
導体のウエハテスト方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6361697A JPH10261676A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体のウエハテスト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6361697A JPH10261676A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体のウエハテスト方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261676A true JPH10261676A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13234435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6361697A Pending JPH10261676A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体のウエハテスト方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261676A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500854A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | リーハイトン エレクトロニクス インコーポレイテツド | シート状材料の試験方法および装置 |
| US7108471B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-09-19 | Tokyo Electron Limited | Transporting tool for object to be tested, and object-to-be-tested transporting system |
| JP2008053469A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体ウェハケース |
| JP2010129741A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Lintec Corp | 半導体ウエハ収納キャリア |
| JP2011097043A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Kyocera Corp | 吸着用部材およびこれを用いた吸着装置、並びに光照射装置および荷電粒子線装置 |
| CN107696311A (zh) * | 2017-09-25 | 2018-02-16 | 青岛金汇源电子有限公司 | 一种自动裂片技术 |
| CN110040471A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-07-23 | 苏州超樊电子有限公司 | 二极管通断电测机 |
| KR102217741B1 (ko) * | 2019-12-26 | 2021-02-22 | 주식회사 에스에프에이 | 패턴 복제 인쇄장치 |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP6361697A patent/JPH10261676A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003500854A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | リーハイトン エレクトロニクス インコーポレイテツド | シート状材料の試験方法および装置 |
| JP4931280B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2012-05-16 | リーハイトン エレクトロニクス インコーポレイテツド | シート状材料の試験方法および装置 |
| US7108471B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-09-19 | Tokyo Electron Limited | Transporting tool for object to be tested, and object-to-be-tested transporting system |
| JP2008053469A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Seiko Instruments Inc | 半導体ウェハケース |
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| JP2011097043A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Kyocera Corp | 吸着用部材およびこれを用いた吸着装置、並びに光照射装置および荷電粒子線装置 |
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| KR102217741B1 (ko) * | 2019-12-26 | 2021-02-22 | 주식회사 에스에프에이 | 패턴 복제 인쇄장치 |
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