JPH10261785A - 量子箱半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
量子箱半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH10261785A JPH10261785A JP6411897A JP6411897A JPH10261785A JP H10261785 A JPH10261785 A JP H10261785A JP 6411897 A JP6411897 A JP 6411897A JP 6411897 A JP6411897 A JP 6411897A JP H10261785 A JPH10261785 A JP H10261785A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 量子箱半導体装置及びその製造方法に関し、
フォノンボトルネック現象を抑制して、キャリア緩和速
度を速くする。 【解決手段】 量子箱４の３次元量子閉じ込めポテンシ
ャル６を調和振動子型、或いは、調和振動子型からのず
れに起因して縮退が解けた各準位８〜１０のエネルギー
間隔が量子箱４を構成する結晶中の縦光学フォノンエネ
ルギーの揺らぎと、縦音響フォノンエネルギー幅を合計
したエネルギー幅を越えない準調和振動子型とする。
フォノンボトルネック現象を抑制して、キャリア緩和速
度を速くする。 【解決手段】 量子箱４の３次元量子閉じ込めポテンシ
ャル６を調和振動子型、或いは、調和振動子型からのず
れに起因して縮退が解けた各準位８〜１０のエネルギー
間隔が量子箱４を構成する結晶中の縦光学フォノンエネ
ルギーの揺らぎと、縦音響フォノンエネルギー幅を合計
したエネルギー幅を越えない準調和振動子型とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は量子箱半導体装置及
びその製造方法に関するものであり、特に、量子箱の量
子閉じ込めポテンシャルを調和振動子型或いはそれに近
い準調和振動子型にすることによってフォノンボトルネ
ック現象を抑制した量子箱半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
びその製造方法に関するものであり、特に、量子箱の量
子閉じ込めポテンシャルを調和振動子型或いはそれに近
い準調和振動子型にすることによってフォノンボトルネ
ック現象を抑制した量子箱半導体装置及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体プロセスの進歩に伴い、ナ
ノスケールの成長技術・微細加工技術が半導体装置の作
製に利用されるようになり、このナノスケールの成長技
術・微細加工技術によって半導体装置の集積度の向上は
もとより、量子力学的効果を利用した半導体装置、例え
ば、ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）や歪
量子井戸半導体レーザ等が実用化されている。
ノスケールの成長技術・微細加工技術が半導体装置の作
製に利用されるようになり、このナノスケールの成長技
術・微細加工技術によって半導体装置の集積度の向上は
もとより、量子力学的効果を利用した半導体装置、例え
ば、ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）や歪
量子井戸半導体レーザ等が実用化されている。
【０００３】この様な量子力学的効果を利用した半導体
装置においても多くの電子が移動するために生ずる発熱
による集積度の限界が指摘されており、この問題を解決
するための方法の一つとして３次元量子井戸構造である
量子箱（ＱＷＢ：Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｂｏｘ）
の採用が提案されている。
装置においても多くの電子が移動するために生ずる発熱
による集積度の限界が指摘されており、この問題を解決
するための方法の一つとして３次元量子井戸構造である
量子箱（ＱＷＢ：Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ Ｂｏｘ）
の採用が提案されている。
【０００４】この量子箱は、キャリアに３次元的な量子
閉じ込めを与えるほど極微細なポテンシャルの箱であ
り、この量子箱においてはキャリアの状態関数密度はデ
ルタ関数的に離散化し、その基底準位には２個のキャリ
ア、例えば、伝導帯においては２個の電子しか存在する
ことができず、また、励起準位にはその準位の次数に応
じて複数個の電子が存在することができる。
閉じ込めを与えるほど極微細なポテンシャルの箱であ
り、この量子箱においてはキャリアの状態関数密度はデ
ルタ関数的に離散化し、その基底準位には２個のキャリ
ア、例えば、伝導帯においては２個の電子しか存在する
ことができず、また、励起準位にはその準位の次数に応
じて複数個の電子が存在することができる。
【０００５】この量子箱の持つ原子レベルの小さなサイ
ズは、電子デバイスの微細化を極限まで推し進めるもの
であり、そこで実現される量子箱固有の量子力学的効果
は、新しい機能素子の開発を促し得るものであり、光学
素子においても、電子・正孔と光との相互作用を極限ま
で効率化できるメリットがあり、次世代素子技術として
の期待が大きいものである。
ズは、電子デバイスの微細化を極限まで推し進めるもの
であり、そこで実現される量子箱固有の量子力学的効果
は、新しい機能素子の開発を促し得るものであり、光学
素子においても、電子・正孔と光との相互作用を極限ま
で効率化できるメリットがあり、次世代素子技術として
の期待が大きいものである。
【０００６】この様な量子箱構造を作製するために、各
種の技術が提案されており、まず、微細加工技術開発の
延長線上にある人為的に加工精度を向上させたものとし
ては、電子線を用いたリソグラフィーによる方法、マス
クパターンを利用して選択成長させたピラミッド型の結
晶の頂部を量子箱構造とする方法、マスクパターンを利
用したエッチングによって形成された正４面体状の凹部
の底に量子箱構造を作製する方法（必要ならば、特願平
７−６５４９２号参照）、微傾斜基板上における成長初
期の横方向成長を利用する方法、或いは、ＳＴＭ（Ｓｃ
ａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）技
術を応用した原子マニュピレーションの方法がある。
種の技術が提案されており、まず、微細加工技術開発の
延長線上にある人為的に加工精度を向上させたものとし
ては、電子線を用いたリソグラフィーによる方法、マス
クパターンを利用して選択成長させたピラミッド型の結
晶の頂部を量子箱構造とする方法、マスクパターンを利
用したエッチングによって形成された正４面体状の凹部
の底に量子箱構造を作製する方法（必要ならば、特願平
７−６５４９２号参照）、微傾斜基板上における成長初
期の横方向成長を利用する方法、或いは、ＳＴＭ（Ｓｃ
ａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）技
術を応用した原子マニュピレーションの方法がある。
【０００７】これらの方法は、人為的に加工するという
共通の特徴の故に、量子箱の大きさ（サイズ）やその形
成位置を任意に制御できるという利点を有している。
共通の特徴の故に、量子箱の大きさ（サイズ）やその形
成位置を任意に制御できるという利点を有している。
【０００８】また、量子箱構造を自己形成的に作製する
方法としては、本発明者等により、下地半導体層との格
子不整合が結晶の弾性限界を越える数十ｎｍ程度の量子
スケールの厚さの半導体層を気相エピタキシャル成長さ
せることにより量子箱を形成することが提案（特願平７
−２１７４６６号参照）されているので、この従来の自
己形成型の量子箱半導体装置を図６及び図７を参照して
説明する。
方法としては、本発明者等により、下地半導体層との格
子不整合が結晶の弾性限界を越える数十ｎｍ程度の量子
スケールの厚さの半導体層を気相エピタキシャル成長さ
せることにより量子箱を形成することが提案（特願平７
−２１７４６６号参照）されているので、この従来の自
己形成型の量子箱半導体装置を図６及び図７を参照して
説明する。
【０００９】図６参照 まず、ＧａＡｓ基板３１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金属
気相成長法）を用いて厚さ１００ｎｍのＧａＡｓバッフ
ァ層３２を形成したのち、Ｈ2 、トリメチルインジウム
ジメチルエチルアミンアダクト〔Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｉ
ｎｄｉｕｍ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ ａｄｄｕｃ
ｔ（ＴＭＩＤＭＥＡ）、分子式：Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 Ｎ
（ＣＨ3 ）3 （Ｃ2 Ｈ5 ）〕、トリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）、及び、ＡｓＨ3 を交互に１２回供給するＡＬＥ
法（原子層エピタキシャル成長法）によって厚さ７ｎｍ
のＩｎＧａＡｓ層３３を形成し、次いで、再び、トリメ
チルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇ）、及び、ＰＨ3 を用いたＭＯＶＰＥ法によってＩｎ
ＧａＰ層３５を成長させる。
気相成長法）を用いて厚さ１００ｎｍのＧａＡｓバッフ
ァ層３２を形成したのち、Ｈ2 、トリメチルインジウム
ジメチルエチルアミンアダクト〔Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｉ
ｎｄｉｕｍ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ ａｄｄｕｃ
ｔ（ＴＭＩＤＭＥＡ）、分子式：Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 Ｎ
（ＣＨ3 ）3 （Ｃ2 Ｈ5 ）〕、トリメチルガリウム（Ｔ
ＭＧ）、及び、ＡｓＨ3 を交互に１２回供給するＡＬＥ
法（原子層エピタキシャル成長法）によって厚さ７ｎｍ
のＩｎＧａＡｓ層３３を形成し、次いで、再び、トリメ
チルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥ
Ｇ）、及び、ＰＨ3 を用いたＭＯＶＰＥ法によってＩｎ
ＧａＰ層３５を成長させる。
【００１０】この場合、ＩｎＧａＡｓ層３３の成長工程
において、Ｈ2 ガスでバブリングしたＴＭＩＤＭＥＡの
供給量２００ｓｃｃｍで１．０秒、Ｈ2 ガスでバブリン
グしたＴＭＧの供給量を３５ｓｃｃｍで０．１秒、Ａｓ
Ｈ3 とＨ2 の混合ガスを４００ｓｃｃｍで１０秒とする
ことによって、ＩｎＧａＡｓ層３３の中にＩｎ組成比が
０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 ＡｓからなるＩｎＧａＡｓ量
子箱３４が形成され、また、ＩｎＧａＡｓ量子箱３４以
外の領域のＩｎＧａＡｓ層３３のＩｎ組成比は約０．１
となる。
において、Ｈ2 ガスでバブリングしたＴＭＩＤＭＥＡの
供給量２００ｓｃｃｍで１．０秒、Ｈ2 ガスでバブリン
グしたＴＭＧの供給量を３５ｓｃｃｍで０．１秒、Ａｓ
Ｈ3 とＨ2 の混合ガスを４００ｓｃｃｍで１０秒とする
ことによって、ＩｎＧａＡｓ層３３の中にＩｎ組成比が
０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 ＡｓからなるＩｎＧａＡｓ量
子箱３４が形成され、また、ＩｎＧａＡｓ量子箱３４以
外の領域のＩｎＧａＡｓ層３３のＩｎ組成比は約０．１
となる。
【００１１】これは、ＩｎＧａＡｓ層３３を成長させる
ための下地層となるＧａＡｓバッファ層３２とＩｎＧａ
Ａｓ層３３との格子不整合が大きいため、ＩｎＧａＡｓ
層３３の厚さが結晶の弾性限界を越える臨界厚以上に成
長させた場合、歪の大きなＩｎＧａＡｓ量子箱３４を局
所的に発生させることによってＩｎＧａＡｓ層３３全体
としてはＩｎＧａＡｓ層３３の全面に歪が発生する場合
よりも低歪エネルギーとなり、結晶学的に安定した成長
になるためと考えられる。なお、歪の大きなＩｎＧａＡ
ｓ量子箱３４が形成された結果、ＩｎＧａＡｓ量子箱３
４以外のＩｎＧａＡｓ層３３は、結果として弾性限界を
越えていない状態となる。
ための下地層となるＧａＡｓバッファ層３２とＩｎＧａ
Ａｓ層３３との格子不整合が大きいため、ＩｎＧａＡｓ
層３３の厚さが結晶の弾性限界を越える臨界厚以上に成
長させた場合、歪の大きなＩｎＧａＡｓ量子箱３４を局
所的に発生させることによってＩｎＧａＡｓ層３３全体
としてはＩｎＧａＡｓ層３３の全面に歪が発生する場合
よりも低歪エネルギーとなり、結晶学的に安定した成長
になるためと考えられる。なお、歪の大きなＩｎＧａＡ
ｓ量子箱３４が形成された結果、ＩｎＧａＡｓ量子箱３
４以外のＩｎＧａＡｓ層３３は、結果として弾性限界を
越えていない状態となる。
【００１２】また、このＩｎＧａＡｓ量子箱３４が球状
に近いほど歪エネルギーが低くなるものと考えられるの
で、得られたＩｎＧａＡｓ量子箱は偏平球状となり、ま
た、その均一性も５〜１０％と非常に良好であり、且
つ、密度も高密度に形成される。
に近いほど歪エネルギーが低くなるものと考えられるの
で、得られたＩｎＧａＡｓ量子箱は偏平球状となり、ま
た、その均一性も５〜１０％と非常に良好であり、且
つ、密度も高密度に形成される。
【００１３】図７（ａ）参照 図７（ａ）は、ＩｎＧａＡｓ量子箱３４における量子閉
じ込めポテンシャルが調和振動子型の理想的ポテンシャ
ル３６であると仮定した場合の図であり、この様な調和
振動子型の場合には、量子箱中における励起子の相対運
動部分と重心運動部分のエネルギー準位間隔が一致し、
準位の縮退度が上がることが知られている（必要なら
ば、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖｏｌ．Ｂ５
１，１９９５，ｐ．１０７４３参照）。
じ込めポテンシャルが調和振動子型の理想的ポテンシャ
ル３６であると仮定した場合の図であり、この様な調和
振動子型の場合には、量子箱中における励起子の相対運
動部分と重心運動部分のエネルギー準位間隔が一致し、
準位の縮退度が上がることが知られている（必要なら
ば、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖｏｌ．Ｂ５
１，１９９５，ｐ．１０７４３参照）。
【００１４】この様な準位が縮退している調和振動子型
ポテンシャルの場合、或いは、調和振動子型からのずれ
に起因して縮退が解けた各準位のエネルギー間隔、例え
ば、図においては第２量子準位３８乃至第４量子準位４
０等の各量子準位の同次数の量子準位における準位間の
エネルギー間隔が結晶中のＬＯフォノンエネルギーの揺
らぎと縦音響（ＬＡ）フォノンエネルギー幅を合計した
エネルギー幅を越えないようなほぼ調和振動子型に近い
準調和振動子型のポテンシャルの場合、この縮退或いは
ほぼ縮退している複数の準位が協調した効率的なキャリ
ア緩和が実現されるため、緩和速度は速くなる。
ポテンシャルの場合、或いは、調和振動子型からのずれ
に起因して縮退が解けた各準位のエネルギー間隔、例え
ば、図においては第２量子準位３８乃至第４量子準位４
０等の各量子準位の同次数の量子準位における準位間の
エネルギー間隔が結晶中のＬＯフォノンエネルギーの揺
らぎと縦音響（ＬＡ）フォノンエネルギー幅を合計した
エネルギー幅を越えないようなほぼ調和振動子型に近い
準調和振動子型のポテンシャルの場合、この縮退或いは
ほぼ縮退している複数の準位が協調した効率的なキャリ
ア緩和が実現されるため、緩和速度は速くなる。
【００１５】この様な量子閉じ込めポテンシャル形状が
調和振動子型或いは準調和振動子型の量子箱構造を半導
体レーザに応用した場合、キャリアの温度分布が急激に
変化するため、微分利得が向上して温度特性が改善され
るものと期待される。
調和振動子型或いは準調和振動子型の量子箱構造を半導
体レーザに応用した場合、キャリアの温度分布が急激に
変化するため、微分利得が向上して温度特性が改善され
るものと期待される。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の量子箱
半導体装置においては、フォノンボトルネック現象のた
めに、縦光学フォノン（ＬＯフォノン）の放出が抑制さ
れて準位間のキャリアの遷移による緩和時間が長くな
り、所期の特性が得られないという問題がある。
半導体装置においては、フォノンボトルネック現象のた
めに、縦光学フォノン（ＬＯフォノン）の放出が抑制さ
れて準位間のキャリアの遷移による緩和時間が長くな
り、所期の特性が得られないという問題がある。
【００１７】即ち、半導体の伝導帯の電子の状態密度を
考えたとき、バルクや１次量子井戸では、電子の状態密
度は全てのエネルギーについて存在し連続と言えるもの
であり、より詳しく言うと、バルクにおける状態密度関
数はＥ1/2 であり、１次量子井戸ではエネルギー値に対
するステップ関数となる。
考えたとき、バルクや１次量子井戸では、電子の状態密
度は全てのエネルギーについて存在し連続と言えるもの
であり、より詳しく言うと、バルクにおける状態密度関
数はＥ1/2 であり、１次量子井戸ではエネルギー値に対
するステップ関数となる。
【００１８】これに対して、量子細線（２次元量子井
戸）や量子箱（３次元量子井戸）のように、キャリアに
対する閉じ込めの次元を上げていくと状態関数密度は離
散化するようになり、理想的な量子箱ではデルタ関数的
に完全に離散化する。
戸）や量子箱（３次元量子井戸）のように、キャリアに
対する閉じ込めの次元を上げていくと状態関数密度は離
散化するようになり、理想的な量子箱ではデルタ関数的
に完全に離散化する。
【００１９】この様な量子箱における電子と正孔の再結
合を考えると、伝導帯のエネルギー最小点（直接遷移に
おいてはｋ＝０の点）にある電子が正孔（同じくｋ＝０
の点のもの）と再結合することになるが、再結合によっ
て失われた電子の状態は、より高いエネルギーの励起準
位にある電子が緩和することによって補給されるもので
あり、この緩和（遷移）に際しては主に縦型フォノン
（ＬＯ，ＬＡフォノン）の放出を伴うことになる。
合を考えると、伝導帯のエネルギー最小点（直接遷移に
おいてはｋ＝０の点）にある電子が正孔（同じくｋ＝０
の点のもの）と再結合することになるが、再結合によっ
て失われた電子の状態は、より高いエネルギーの励起準
位にある電子が緩和することによって補給されるもので
あり、この緩和（遷移）に際しては主に縦型フォノン
（ＬＯ，ＬＡフォノン）の放出を伴うことになる。
【００２０】この場合、バルクや１次元量子井戸の場合
には、縦型フォノンを放出したのちの状態は、状態密度
が連続的に存在するために遷移後の量子準位は必ず存在
し、遷移はいつでも起こり得るものであるのに対して、
量子箱の場合には準位が３次元量子化によって離散して
おり、しかもエネルギー幅が大きいので、丁度縦型フォ
ノンのエネルギー分だけ低い位置に準位がなければ遷移
ができないことになる。
には、縦型フォノンを放出したのちの状態は、状態密度
が連続的に存在するために遷移後の量子準位は必ず存在
し、遷移はいつでも起こり得るものであるのに対して、
量子箱の場合には準位が３次元量子化によって離散して
おり、しかもエネルギー幅が大きいので、丁度縦型フォ
ノンのエネルギー分だけ低い位置に準位がなければ遷移
ができないことになる。
【００２１】この様に、量子箱の様にキャリアに対する
閉じ込めの次元が高い場合に、電子の遷移、或いは、エ
ネルギー緩和がフォノンの放出の確率低下のために抑制
されることになる現象をフォノンボトルネック現象とい
う。
閉じ込めの次元が高い場合に、電子の遷移、或いは、エ
ネルギー緩和がフォノンの放出の確率低下のために抑制
されることになる現象をフォノンボトルネック現象とい
う。
【００２２】なお、このフォノンボトルネック現象によ
る影響はまだ理論的な予測の段階であり、実際のフォノ
ンボトルネック現象がどの程度量子箱半導体装置の特性
を阻害するかは議論の最中であるが、最近、１次元量子
井戸に比べてキャリアが基底準位に注入されにくいこと
を示す実験結果も得られ始めており（必要ならば、Ｐｈ
ｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖｏｌ．Ｂ５４，１９９
６，ｐ．Ｒ５２４３参照）、量子箱半導体装置の特性向
上のためにはできるだけフォノンボトルネック現象を抑
制することが必要なことは明らかである。
る影響はまだ理論的な予測の段階であり、実際のフォノ
ンボトルネック現象がどの程度量子箱半導体装置の特性
を阻害するかは議論の最中であるが、最近、１次元量子
井戸に比べてキャリアが基底準位に注入されにくいこと
を示す実験結果も得られ始めており（必要ならば、Ｐｈ
ｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ，Ｖｏｌ．Ｂ５４，１９９
６，ｐ．Ｒ５２４３参照）、量子箱半導体装置の特性向
上のためにはできるだけフォノンボトルネック現象を抑
制することが必要なことは明らかである。
【００２３】図７（ｂ）参照 そして、実際の量子箱における量子閉じ込めポテンシャ
ルは、破線のポテンシャル４２で示すように非調和振動
子型になっており、準位の縮退が大きく解けているため
高次の励起準位からのキャリア緩和は個々の準位での物
理現象となり、理想的な調和振動子型の場合のように縮
退による協調緩和が行われないためにフォノンボトルネ
ック現象が強く作用し緩和速度が遅くなる。
ルは、破線のポテンシャル４２で示すように非調和振動
子型になっており、準位の縮退が大きく解けているため
高次の励起準位からのキャリア緩和は個々の準位での物
理現象となり、理想的な調和振動子型の場合のように縮
退による協調緩和が行われないためにフォノンボトルネ
ック現象が強く作用し緩和速度が遅くなる。
【００２４】したがって、本発明は、フォノンボトルネ
ック現象を抑制して量子箱におけるキャリア緩和速度を
速くし、量子箱半導体装置の特性を向上させることを目
的とする。
ック現象を抑制して量子箱におけるキャリア緩和速度を
速くし、量子箱半導体装置の特性を向上させることを目
的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、量子箱半導体装置において、量子箱４
の３次元量子閉じ込めポテンシャル６が調和振動子型、
或いは、調和振動子型からのずれに起因して縮退が解け
た各準位８〜１０のエネルギー間隔が量子箱４を構成す
る結晶中の縦光学フォノンエネルギーの揺らぎと、縦音
響フォノンエネルギー幅を合計したエネルギー幅を越え
ない準調和振動子型であることを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、量子箱半導体装置において、量子箱４
の３次元量子閉じ込めポテンシャル６が調和振動子型、
或いは、調和振動子型からのずれに起因して縮退が解け
た各準位８〜１０のエネルギー間隔が量子箱４を構成す
る結晶中の縦光学フォノンエネルギーの揺らぎと、縦音
響フォノンエネルギー幅を合計したエネルギー幅を越え
ない準調和振動子型であることを特徴とする。
【００２６】この様に、量子箱４の３次元量子閉じ込め
ポテンシャル６が調和振動子型、或いは、準調和振動子
型である場合、準位８〜１０は縮退或いはほぼ縮退した
状態にあるので、この縮退している或いはほぼ縮退して
いる複数の準位８〜１０が協調したキャリア緩和が実現
されるため緩和速度は速くなり、フォノンボトルネック
現象の影響が少なくなり、量子箱半導体装置の所期の特
性を発揮することができる。
ポテンシャル６が調和振動子型、或いは、準調和振動子
型である場合、準位８〜１０は縮退或いはほぼ縮退した
状態にあるので、この縮退している或いはほぼ縮退して
いる複数の準位８〜１０が協調したキャリア緩和が実現
されるため緩和速度は速くなり、フォノンボトルネック
現象の影響が少なくなり、量子箱半導体装置の所期の特
性を発揮することができる。
【００２７】なお、この様な量子箱４の形成方法は特定
の方法に限られるものではなく、例えば、通常のリソグ
ラフィー法によって形成したものでも良いし、或いは、
下記に示す自己形成法によって形成したものでも良い。
の方法に限られるものではなく、例えば、通常のリソグ
ラフィー法によって形成したものでも良いし、或いは、
下記に示す自己形成法によって形成したものでも良い。
【００２８】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、量子箱４が、下地半導体層２に設けられた下地半導
体層２と格子定数の異なる格子不整合系の半導体層３の
中に散点状に含まれることを特徴とする。
て、量子箱４が、下地半導体層２に設けられた下地半導
体層２と格子定数の異なる格子不整合系の半導体層３の
中に散点状に含まれることを特徴とする。
【００２９】この様に、量子箱４として、下地半導体層
２上にこの下地半導体層２に対する格子不整合条件で格
子不整合系の半導体層３をエピタキシャル成長させるこ
とによって、格子不整合系の半導体層３の中に散点状に
自己形成された量子箱４を用いることにより、量子箱４
のサイズを均一に、且つ、高密度に形成することができ
る。
２上にこの下地半導体層２に対する格子不整合条件で格
子不整合系の半導体層３をエピタキシャル成長させるこ
とによって、格子不整合系の半導体層３の中に散点状に
自己形成された量子箱４を用いることにより、量子箱４
のサイズを均一に、且つ、高密度に形成することができ
る。
【００３０】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、量子箱４が、下地半導体層２に設けられた下地半導
体層２と格子定数の異なる格子不整合系の半導体層３の
上に散点状に配置され、格子不整合系の半導体層３より
高歪の格子定数を有することことを特徴とする。
て、量子箱４が、下地半導体層２に設けられた下地半導
体層２と格子定数の異なる格子不整合系の半導体層３の
上に散点状に配置され、格子不整合系の半導体層３より
高歪の格子定数を有することことを特徴とする。
【００３１】この様に、量子箱４としては、下地半導体
層２上にこの下地半導体層２に対する格子不整合条件で
格子不整合系の半導体層３をエピタキシャル成長させる
ことによって、濡れ層となる薄い格子不整合系の半導体
層３の上に散点状に自己形成された量子箱４を用いても
良い。
層２上にこの下地半導体層２に対する格子不整合条件で
格子不整合系の半導体層３をエピタキシャル成長させる
ことによって、濡れ層となる薄い格子不整合系の半導体
層３の上に散点状に自己形成された量子箱４を用いても
良い。
【００３２】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、量子箱４が半導体レーザの
活性領域を構成することを特徴とする。
（３）のいずれかにおいて、量子箱４が半導体レーザの
活性領域を構成することを特徴とする。
【００３３】この様な構成の量子箱４を半導体レーザに
応用した場合には、キャリアの温度分布が急激に変化す
るため、微分利得が向上して温度特性が改善される。
応用した場合には、キャリアの温度分布が急激に変化す
るため、微分利得が向上して温度特性が改善される。
【００３４】（５）また、本発明は、量子箱半導体装置
の製造方法において、量子箱４を形成した後、量子箱４
の形成温度より高温で熱処理することにより、量子箱４
中の励起準位８〜１０のエネルギーをシフトさせ、量子
箱４の３次元量子閉じ込めポテンシャル６を調和振動子
型、或いは、調和振動子型からのずれに起因して縮退が
解けた各励起準位８〜１０のエネルギー間隔が量子箱４
を構成する結晶中の縦光学フォノンエネルギーの揺らぎ
と、縦音響フォノンエネルギー幅を合計したエネルギー
幅を越えない準調和振動子型にすることを特徴とする。
の製造方法において、量子箱４を形成した後、量子箱４
の形成温度より高温で熱処理することにより、量子箱４
中の励起準位８〜１０のエネルギーをシフトさせ、量子
箱４の３次元量子閉じ込めポテンシャル６を調和振動子
型、或いは、調和振動子型からのずれに起因して縮退が
解けた各励起準位８〜１０のエネルギー間隔が量子箱４
を構成する結晶中の縦光学フォノンエネルギーの揺らぎ
と、縦音響フォノンエネルギー幅を合計したエネルギー
幅を越えない準調和振動子型にすることを特徴とする。
【００３５】この様に、一旦形成した量子箱４を高温で
熱処理することによって、量子箱４の３次元量子閉じ込
めポテンシャル６を調和振動子型、或いは、準調和振動
子型にすることができる。
熱処理することによって、量子箱４の３次元量子閉じ込
めポテンシャル６を調和振動子型、或いは、準調和振動
子型にすることができる。
【００３６】（６）また、本発明は、上記（５）におい
て、量子箱４中の励起準位８〜１０のエネルギーのシフ
トが、基底準位７のエネルギーのシフトより大きいこと
を特徴とする。
て、量子箱４中の励起準位８〜１０のエネルギーのシフ
トが、基底準位７のエネルギーのシフトより大きいこと
を特徴とする。
【００３７】この場合の熱処理の温度条件は、量子箱４
中の励起準位８〜１０のエネルギーのシフトが、基底準
位７のエネルギーのシフトより大きくなる条件に設定す
ることが必要になり、温度が低すぎると熱処理の効果が
なく、また、高すぎると、一旦形成された調和振動子型
ポテンシャルが崩れて上述の図７（ｂ）の実線４１で示
すように非調和振動子型になり、緩和速度が低下する。
中の励起準位８〜１０のエネルギーのシフトが、基底準
位７のエネルギーのシフトより大きくなる条件に設定す
ることが必要になり、温度が低すぎると熱処理の効果が
なく、また、高すぎると、一旦形成された調和振動子型
ポテンシャルが崩れて上述の図７（ｂ）の実線４１で示
すように非調和振動子型になり、緩和速度が低下する。
【００３８】（７）また、本発明は、上記（５）または
（６）において、格子不整合系の半導体層３を格子不整
合系の半導体層３と格子定数の異なる下地半導体層２上
に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタキシャル成長さ
せることによって、量子箱４を格子不整合系の半導体層
３の中に散点状に形成したことを特徴とする。
（６）において、格子不整合系の半導体層３を格子不整
合系の半導体層３と格子定数の異なる下地半導体層２上
に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタキシャル成長さ
せることによって、量子箱４を格子不整合系の半導体層
３の中に散点状に形成したことを特徴とする。
【００３９】この様に、格子不整合系の半導体層３を下
地半導体層２上に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタ
キシャル成長させることによって、量子箱４をリソグラ
フィー技術を用いずに自己形成的に再現性良く形成する
ことができる。なお、この場合、量子箱４が自己形成さ
れることによって、格子不整合系の半導体層３の量子箱
４以外の部分は、結果としては弾性限界を越えないこと
になる。
地半導体層２上に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタ
キシャル成長させることによって、量子箱４をリソグラ
フィー技術を用いずに自己形成的に再現性良く形成する
ことができる。なお、この場合、量子箱４が自己形成さ
れることによって、格子不整合系の半導体層３の量子箱
４以外の部分は、結果としては弾性限界を越えないこと
になる。
【００４０】（８）また、本発明は、上記（５）または
（６）において、格子不整合系の半導体層３を格子不整
合系の半導体層３と格子定数の異なる下地半導体層２上
に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタキシャル成長さ
せることによって、結晶の弾性限界を越えない厚さの格
子不整合系の半導体層３及びその上に散点状に配置され
た量子箱４を自己形成したことを特徴とする。
（６）において、格子不整合系の半導体層３を格子不整
合系の半導体層３と格子定数の異なる下地半導体層２上
に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタキシャル成長さ
せることによって、結晶の弾性限界を越えない厚さの格
子不整合系の半導体層３及びその上に散点状に配置され
た量子箱４を自己形成したことを特徴とする。
【００４１】この様に、格子不整合系の半導体層３を下
地半導体層２上に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタ
キシャル成長させることによって、厚さが弾性限界を越
えない時点までは薄い濡れ層が形成され、弾性限界を越
えた時点から三次元的成長が始まり量子箱４が形成され
るので、量子箱４をリソグラフィー技術を用いずに自己
形成的に再現性良く形成することができる。
地半導体層２上に結晶の弾性限界を越える厚さにエピタ
キシャル成長させることによって、厚さが弾性限界を越
えない時点までは薄い濡れ層が形成され、弾性限界を越
えた時点から三次元的成長が始まり量子箱４が形成され
るので、量子箱４をリソグラフィー技術を用いずに自己
形成的に再現性良く形成することができる。
【００４２】（９）また、本発明は、上記（７）または
（８）において、量子箱４及び格子不整合系の半導体層
３がIII-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のいずれかであることを特徴とする。
（８）において、量子箱４及び格子不整合系の半導体層
３がIII-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のいずれかであることを特徴とする。
【００４３】この様に、量子箱４及び格子不整合系の半
導体層３としてIII-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を用いることにより、特性の優れた半導
体レーザ等の光半導体装置を形成することができる。
導体層３としてIII-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体を用いることにより、特性の優れた半導
体レーザ等の光半導体装置を形成することができる。
【００４４】（１０）また、本発明は、上記（９）にお
いて、量子箱４及び格子不整合系の半導体層３がＩｎx
Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）であることを特徴とする。
いて、量子箱４及び格子不整合系の半導体層３がＩｎx
Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）であることを特徴とする。
【００４５】この様に、量子箱４及び格子不整合系の半
導体層３としてＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）を用
いることによって、温度特性の優れた１μｍ帯の半導体
レーザを形成することができる。
導体層３としてＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０≦ｘ≦１）を用
いることによって、温度特性の優れた１μｍ帯の半導体
レーザを形成することができる。
【００４６】（１１）また、本発明は、上記（９）にお
いて、量子箱４及び格子不整合系の半導体層３がＩｎx
Ｇａ1-x Ａｓy Ｎ1-y （０≦ｘ≦１，０≦ｙ＜１）であ
ることを特徴とする。
いて、量子箱４及び格子不整合系の半導体層３がＩｎx
Ｇａ1-x Ａｓy Ｎ1-y （０≦ｘ≦１，０≦ｙ＜１）であ
ることを特徴とする。
【００４７】この様に、量子箱４及び格子不整合系の半
導体層３としてＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ y Ｎ1-y （０≦ｘ≦
１，０≦ｙ＜１）を用いることによって、バルクのＩｎ
x Ｇａ1-x Ａｓy Ｎ1-y を用いた場合より温度特性の優
れた可視半導体レーザを形成することができる。
導体層３としてＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ y Ｎ1-y （０≦ｘ≦
１，０≦ｙ＜１）を用いることによって、バルクのＩｎ
x Ｇａ1-x Ａｓy Ｎ1-y を用いた場合より温度特性の優
れた可視半導体レーザを形成することができる。
【００４８】（１２）また、本発明は、上記（９）乃至
（１１）のいずれかにおいて、量子箱４及び格子不整合
系の半導体層３を成長させる半導体基板１として、Ｇａ
Ａｓ、ＩｎＰ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ≦１）、あ
るいは、ＳｉＣのいずれかを用いたことを特徴とする。
（１１）のいずれかにおいて、量子箱４及び格子不整合
系の半導体層３を成長させる半導体基板１として、Ｇａ
Ａｓ、ＩｎＰ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ≦１）、あ
るいは、ＳｉＣのいずれかを用いたことを特徴とする。
【００４９】この様なＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ、Ｉｎx Ｇａ
1-x Ａｓy Ｎ1-y 等のIII-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体を成長させる半導体基板１として
は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ≦
１）、或いは、ＳｉＣのいずれかが適当である。
1-x Ａｓy Ｎ1-y 等のIII-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体を成長させる半導体基板１として
は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ≦
１）、或いは、ＳｉＣのいずれかが適当である。
【００５０】（１３）また、本発明は、上記（７）また
は（８）において、量子箱４及び格子不整合系の半導体
層３がＳｉ1-x Ｇｅx （０≦ｘ≦１）であることを特徴
とする。
は（８）において、量子箱４及び格子不整合系の半導体
層３がＳｉ1-x Ｇｅx （０≦ｘ≦１）であることを特徴
とする。
【００５１】この様に、量子箱４及び格子不整合系の半
導体層３としてＳｉ1-x Ｇｅx （０≦ｘ≦１）を用いる
ことにより、ＳＥＴ（単一電子トランジスタ）等の量子
箱半導体装置を形成することができると共に、通常のＳ
ｉデバイスとの集積化も可能になる。
導体層３としてＳｉ1-x Ｇｅx （０≦ｘ≦１）を用いる
ことにより、ＳＥＴ（単一電子トランジスタ）等の量子
箱半導体装置を形成することができると共に、通常のＳ
ｉデバイスとの集積化も可能になる。
【００５２】（１４）また、本発明は、上記（１３）に
おいて、量子箱４及び格子不整合系の半導体層３を成長
させる半導体基板１として、ＳｉまたはＧｅを用いたこ
とを特徴とする。
おいて、量子箱４及び格子不整合系の半導体層３を成長
させる半導体基板１として、ＳｉまたはＧｅを用いたこ
とを特徴とする。
【００５３】この様なＳｉ1-x Ｇｅx を成長させる半導
体基板１としては、ＳｉまたはＧｅが適当であり、特に
Ｓｉを用いた場合には通常のＳｉデバイスと集積化する
ことができる。
体基板１としては、ＳｉまたはＧｅが適当であり、特に
Ｓｉを用いた場合には通常のＳｉデバイスと集積化する
ことができる。
【００５４】
【発明の実施の形態】まず、本発明の実施の形態を図２
及び図４を参照して説明する。 図２（ａ）参照 まず、図６において説明した従来例と同様に、ＧａＡｓ
基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて厚さ５００ｎｍの
ＧａＡｓバッファ層１２を形成したのち、Ｈ2、ＴＭＩ
ＤＭＥＡ、ＴＭＧ、及び、ＡｓＨ3 を交互に２４回供給
するＡＬＥ法によって４６０℃の成長温度においてＩｎ
ＧａＡｓ層１３及びＩｎＧａＡｓ量子箱１４を形成し、
次いで、再び、ＭＯＶＰＥ法によって厚さ１００ｎｍの
ＧａＡｓ層１５を成長させる。
及び図４を参照して説明する。 図２（ａ）参照 まず、図６において説明した従来例と同様に、ＧａＡｓ
基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて厚さ５００ｎｍの
ＧａＡｓバッファ層１２を形成したのち、Ｈ2、ＴＭＩ
ＤＭＥＡ、ＴＭＧ、及び、ＡｓＨ3 を交互に２４回供給
するＡＬＥ法によって４６０℃の成長温度においてＩｎ
ＧａＡｓ層１３及びＩｎＧａＡｓ量子箱１４を形成し、
次いで、再び、ＭＯＶＰＥ法によって厚さ１００ｎｍの
ＧａＡｓ層１５を成長させる。
【００５５】この場合も、ＩｎＧａＡｓ層１３の成長工
程において、Ｈ2 ガスでバブリングしたＴＭＩＤＭＥＡ
の供給量２００ｓｃｃｍで１．０秒、Ｈ2 ガスでバブリ
ングしたＴＭＧの供給量を３５ｓｃｃｍで０．１秒、Ａ
ｓＨ3 とＨ2 の混合ガスを４００ｓｃｃｍで１０秒とす
ることによって、ＩｎＧａＡｓ層１３の中にＩｎ組成比
が０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 ＡｓからなるＩｎＧａＡｓ
量子箱１４が散点状に形成され、また、ＩｎＧａＡｓ量
子箱１４以外の領域のＩｎＧａＡｓ層１３のＩｎ組成比
は約０．１となる。
程において、Ｈ2 ガスでバブリングしたＴＭＩＤＭＥＡ
の供給量２００ｓｃｃｍで１．０秒、Ｈ2 ガスでバブリ
ングしたＴＭＧの供給量を３５ｓｃｃｍで０．１秒、Ａ
ｓＨ3 とＨ2 の混合ガスを４００ｓｃｃｍで１０秒とす
ることによって、ＩｎＧａＡｓ層１３の中にＩｎ組成比
が０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 ＡｓからなるＩｎＧａＡｓ
量子箱１４が散点状に形成され、また、ＩｎＧａＡｓ量
子箱１４以外の領域のＩｎＧａＡｓ層１３のＩｎ組成比
は約０．１となる。
【００５６】図２（ｂ）及び（ｃ）参照 得られたＩｎＧａＡｓ量子箱１４は、直径Ｒ≒３０ｎ
ｍ、高さＨ≒１５ｎｍの偏平球状であり、その形状の均
一性は５〜１０％のズレ程度であり、また、密度も高密
度に形成される。
ｍ、高さＨ≒１５ｎｍの偏平球状であり、その形状の均
一性は５〜１０％のズレ程度であり、また、密度も高密
度に形成される。
【００５７】次いで、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４の形成温
度より高い温度における熱処理を３０分間行うことによ
りＩｎＧａＡｓ量子箱１４の３次元閉じ込めポテンシャ
ルを調和振動子型、或いは、準調和振動子型にする。
度より高い温度における熱処理を３０分間行うことによ
りＩｎＧａＡｓ量子箱１４の３次元閉じ込めポテンシャ
ルを調和振動子型、或いは、準調和振動子型にする。
【００５８】この場合、３次元閉じ込めポテンシャルの
形状は調和振動子型である方が望ましいが、調和振動子
型からのずれに起因して縮退が解けた各準位のエネルギ
ー間隔が量子箱を構成する結晶中の縦光学フォノンエネ
ルギーの揺らぎと、縦音響フォノンエネルギー幅を合計
したエネルギー幅を越えない準調和振動子型であっても
良いものである。
形状は調和振動子型である方が望ましいが、調和振動子
型からのずれに起因して縮退が解けた各準位のエネルギ
ー間隔が量子箱を構成する結晶中の縦光学フォノンエネ
ルギーの揺らぎと、縦音響フォノンエネルギー幅を合計
したエネルギー幅を越えない準調和振動子型であっても
良いものである。
【００５９】なお、結晶中の縦光学フォノンエネルギー
の揺らぎとは、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４の結晶組成の揺
らぎ、即ち、結晶中の組成の不均一性に起因する量子準
位の揺らぎに基づくものであり、また、縦音響フォノン
エネルギー幅とは、ボーズ・アインシュタイン分布に従
う統計的な幅ある。
の揺らぎとは、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４の結晶組成の揺
らぎ、即ち、結晶中の組成の不均一性に起因する量子準
位の揺らぎに基づくものであり、また、縦音響フォノン
エネルギー幅とは、ボーズ・アインシュタイン分布に従
う統計的な幅ある。
【００６０】図３（ａ）参照 図３（ａ）は、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４における第１量
子準位（１ｓｔ）、即ち、基底準位と第２量子準位（２
ｎｄ）のエネルギーシフト、及び、ＰＬ（フォトルミネ
ッセンス）強度の熱処理温度依存性を示す図であり、エ
ネルギーシフトの始まる初期の温度においては基底準位
より第２量子準位のシフト量が大きく、温度の上昇とと
もにその差が縮まる。
子準位（１ｓｔ）、即ち、基底準位と第２量子準位（２
ｎｄ）のエネルギーシフト、及び、ＰＬ（フォトルミネ
ッセンス）強度の熱処理温度依存性を示す図であり、エ
ネルギーシフトの始まる初期の温度においては基底準位
より第２量子準位のシフト量が大きく、温度の上昇とと
もにその差が縮まる。
【００６１】図３（ｂ）参照 これは、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４の形成直後（ａｓ−ｇ
ｒｏｗｎ）の量子閉じ込めポテンシャル１６は中心付近
が比較的穏やかな非調和振動子型のポテンシャルを形成
しているのに対して、熱処理による相互拡散の拡散長Ｄ
t とした場合、Ｄt 1/2 が１ｎｍ程度の熱処理温度が比
較的低い状態の場合には、基底準位より第２量子準位等
の高次の量子準位のエネルギーシフトが大きくなり、ポ
テンシャルの側壁がだれてきて放物線状のポテンシャル
形状、即ち、調和振動子型のポテンシャル形状へと移行
する。
ｒｏｗｎ）の量子閉じ込めポテンシャル１６は中心付近
が比較的穏やかな非調和振動子型のポテンシャルを形成
しているのに対して、熱処理による相互拡散の拡散長Ｄ
t とした場合、Ｄt 1/2 が１ｎｍ程度の熱処理温度が比
較的低い状態の場合には、基底準位より第２量子準位等
の高次の量子準位のエネルギーシフトが大きくなり、ポ
テンシャルの側壁がだれてきて放物線状のポテンシャル
形状、即ち、調和振動子型のポテンシャル形状へと移行
する。
【００６２】熱処理温度を次第に高くすることによっ
て、Ｄt 1/2 が２ｎｍ、５ｎｍになるにしたがって基底
準位のエネルギーシフトも大きくなって量子準位間隔が
狭まり、ポテンシャルの底上が生じると共に左右の形が
いびつになり、非放物線状のポテンシャル形状、即ち、
非調和振動子型のポテンシャル形状へと移行する。
て、Ｄt 1/2 が２ｎｍ、５ｎｍになるにしたがって基底
準位のエネルギーシフトも大きくなって量子準位間隔が
狭まり、ポテンシャルの底上が生じると共に左右の形が
いびつになり、非放物線状のポテンシャル形状、即ち、
非調和振動子型のポテンシャル形状へと移行する。
【００６３】したがって、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４の量
子閉じ込めポテンシャル１６の形状を調和振動子型或い
は準調和振動子型にするためには、所定の温度範囲で熱
処理を行う必要がある。
子閉じ込めポテンシャル１６の形状を調和振動子型或い
は準調和振動子型にするためには、所定の温度範囲で熱
処理を行う必要がある。
【００６４】再び、図３（ａ）参照 また、ＰＬ強度は熱処理温度の上昇とともに一旦上昇し
その後低下するが、これは、ＰＬ強度が熱処理によって
結晶中の欠陥がアニールアウトされる過程と、逆に熱に
より欠陥が生成・増殖する過程とのトレードオフによっ
て決まることを表していると考えられる。
その後低下するが、これは、ＰＬ強度が熱処理によって
結晶中の欠陥がアニールアウトされる過程と、逆に熱に
より欠陥が生成・増殖する過程とのトレードオフによっ
て決まることを表していると考えられる。
【００６５】即ち、ＰＬ強度の低下は結晶性の低下を意
味するので、特に、半導体レーザ等の光半導体装置を製
造する場合には、熱処理をＰＬ強度の低下が生じない温
度範囲で行う必要がある。
味するので、特に、半導体レーザ等の光半導体装置を製
造する場合には、熱処理をＰＬ強度の低下が生じない温
度範囲で行う必要がある。
【００６６】図４（ａ）参照 図４（ａ）は、ＩｎＧａＡｓ量子箱１４を、第２量子準
位が基底準位より大きくシフトする６１５℃で６０分間
熱処理を行った場合のキャリアの緩和時間（Ｒｅｌａｘ
ａｔｉｏｎ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）を時間分解ＰＬ測定に
よって測定した場合の緩和時間の測定温度依存性を表す
ものであり、熱処理によってキャリアの緩和時間が１／
２乃至１／３程度短くなったことが判る。
位が基底準位より大きくシフトする６１５℃で６０分間
熱処理を行った場合のキャリアの緩和時間（Ｒｅｌａｘ
ａｔｉｏｎ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）を時間分解ＰＬ測定に
よって測定した場合の緩和時間の測定温度依存性を表す
ものであり、熱処理によってキャリアの緩和時間が１／
２乃至１／３程度短くなったことが判る。
【００６７】この場合の調和振動子型からのずれに起因
して縮退が解けた各量子準位の同次数の量子準位におけ
る準位間のエネルギー間隔は５ｍｅＶ以下と予測され、
この値はＬＯフォノンエネルギーの揺らぎと、ＡＬフォ
ノンエネルギー幅の和よりも小さい。
して縮退が解けた各量子準位の同次数の量子準位におけ
る準位間のエネルギー間隔は５ｍｅＶ以下と予測され、
この値はＬＯフォノンエネルギーの揺らぎと、ＡＬフォ
ノンエネルギー幅の和よりも小さい。
【００６８】図４（ｂ）参照 図４（ｂ）はキャリアの再結合時間（Ｒｅｃｏｍｂｉｎ
ａｔｉｏｎ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）の測定温度依存性を示
す図であり、この図４（ｂ）を参照してフォノンボトル
ネック現象が抑制されているか否かを説明する。
ａｔｉｏｎ Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）の測定温度依存性を示
す図であり、この図４（ｂ）を参照してフォノンボトル
ネック現象が抑制されているか否かを説明する。
【００６９】フォノンボトルネック現象を議論するため
には、キャリアの再結合時間と緩和時間との差を調べる
必要があるが、キャリアの再結合時間は熱処理前後でほ
とんど変化しておらず、したがって、熱処理によってキ
ャリアの再結合時間と緩和時間との差が大きくなってい
るので、フォノンボトルネック現象が抑制されているの
が判る。
には、キャリアの再結合時間と緩和時間との差を調べる
必要があるが、キャリアの再結合時間は熱処理前後でほ
とんど変化しておらず、したがって、熱処理によってキ
ャリアの再結合時間と緩和時間との差が大きくなってい
るので、フォノンボトルネック現象が抑制されているの
が判る。
【００７０】この様に、熱処理時間を適当な温度範囲で
行うことによって量子箱の量子閉じ込めポテンシャルの
形状を調和振動子型或いは準調和振動子型にすることが
でき、それによって縮退或いはほぼ縮退している複数の
量子準位が協調したキャリア緩和が実現されるため緩和
速度は速くなり、フォノンボトルネック現象が抑制され
る。
行うことによって量子箱の量子閉じ込めポテンシャルの
形状を調和振動子型或いは準調和振動子型にすることが
でき、それによって縮退或いはほぼ縮退している複数の
量子準位が協調したキャリア緩和が実現されるため緩和
速度は速くなり、フォノンボトルネック現象が抑制され
る。
【００７１】この場合の適当な温度範囲及び処理時間
は、量子箱の組成、サイズ等により異なるので適宜実験
的に決定する必要がある。
は、量子箱の組成、サイズ等により異なるので適宜実験
的に決定する必要がある。
【００７２】次に、図５を参照して本発明の実施の形態
の具体的応用例である量子箱半導体レーザを説明する。 図５参照 まず、ＭＯＶＰＥ法を用いてｎ型ＧａＡｓ基板２１上
に、厚さ５００ｎｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、厚
さ１０００ｎｍのｎ型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐクラッド層２
３、及び、厚さ１００ｎｍの下地半導体層となるＧａＡ
ｓ層２４を順次成長させる。
の具体的応用例である量子箱半導体レーザを説明する。 図５参照 まず、ＭＯＶＰＥ法を用いてｎ型ＧａＡｓ基板２１上
に、厚さ５００ｎｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、厚
さ１０００ｎｍのｎ型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐクラッド層２
３、及び、厚さ１００ｎｍの下地半導体層となるＧａＡ
ｓ層２４を順次成長させる。
【００７３】次いで、Ｈ2 、ＴＭＩＤＭＥＡ、ＴＭＧ、
及び、ＡｓＨ3 を交互に２４回供給するＡＬＥ法によっ
て４６０℃の成長温度においてＩｎＧａＡｓ層２５を形
成し、次いで、再び、ＭＯＶＰＥ法によって厚さ１００
ｎｍのＧａＡｓ層２７、厚さ１０００ｎｍのｐ型Ｉｎ
0.5 Ｇａ0.5 Ｐクラッド層２８を成長させる。
及び、ＡｓＨ3 を交互に２４回供給するＡＬＥ法によっ
て４６０℃の成長温度においてＩｎＧａＡｓ層２５を形
成し、次いで、再び、ＭＯＶＰＥ法によって厚さ１００
ｎｍのＧａＡｓ層２７、厚さ１０００ｎｍのｐ型Ｉｎ
0.5 Ｇａ0.5 Ｐクラッド層２８を成長させる。
【００７４】この場合も、ＩｎＧａＡｓ層２５の成長工
程において、Ｈ2 ガスでバブリングしたＴＭＩＤＭＥＡ
の供給量２００ｓｃｃｍで１．０秒、Ｈ2 ガスでバブリ
ングしたＴＭＧの供給量を３５ｓｃｃｍで０．１秒、Ａ
ｓＨ3 とＨ2 の混合ガスを４００ｓｃｃｍで１０秒とす
ることによって、ＩｎＧａＡｓ層２５の中にＩｎ組成比
が０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる直径Ｒ≒３０
ｎｍ、高さＨ≒１５ｎｍの偏平球状のＩｎＧａＡｓ量子
箱２６が散点状に形成され、また、ＩｎＧａＡｓ量子箱
２６以外の領域のＩｎＧａＡｓ層２５のＩｎ組成比は約
０．１となる。
程において、Ｈ2 ガスでバブリングしたＴＭＩＤＭＥＡ
の供給量２００ｓｃｃｍで１．０秒、Ｈ2 ガスでバブリ
ングしたＴＭＧの供給量を３５ｓｃｃｍで０．１秒、Ａ
ｓＨ3 とＨ2 の混合ガスを４００ｓｃｃｍで１０秒とす
ることによって、ＩｎＧａＡｓ層２５の中にＩｎ組成比
が０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓからなる直径Ｒ≒３０
ｎｍ、高さＨ≒１５ｎｍの偏平球状のＩｎＧａＡｓ量子
箱２６が散点状に形成され、また、ＩｎＧａＡｓ量子箱
２６以外の領域のＩｎＧａＡｓ層２５のＩｎ組成比は約
０．１となる。
【００７５】次いで、ＩｎＧａＡｓ量子箱２７の形成温
度より高い６１５℃において６０分間の熱処理を行うこ
とによって、ＩｎＧａＡｓ量子箱２７の３次元閉じ込め
ポテンシャル形状を調和振動子型乃至準調和振動子型に
する。
度より高い６１５℃において６０分間の熱処理を行うこ
とによって、ＩｎＧａＡｓ量子箱２７の３次元閉じ込め
ポテンシャル形状を調和振動子型乃至準調和振動子型に
する。
【００７６】次いで、図示しないものの、ｎ型ＧａＡｓ
基板２１の裏面にｎ側電極を設けると共に、ｐ型Ｉｎ
0.3 Ｇａ0.7 Ｐクラッド層３０にｐ側電極を設けること
によって量子箱半導体レーザが完成する。
基板２１の裏面にｎ側電極を設けると共に、ｐ型Ｉｎ
0.3 Ｇａ0.7 Ｐクラッド層３０にｐ側電極を設けること
によって量子箱半導体レーザが完成する。
【００７７】この様な量子箱半導体レーザにおいては、
量子閉じ込めポテンシャルの形状が調和振動子型乃至準
調和振動子型になっているのでフォノンボトルネック現
象が抑制され、量子化効果による所期の温度特性の改善
が可能になり、高性能な半導体レーザが実現された。
量子閉じ込めポテンシャルの形状が調和振動子型乃至準
調和振動子型になっているのでフォノンボトルネック現
象が抑制され、量子化効果による所期の温度特性の改善
が可能になり、高性能な半導体レーザが実現された。
【００７８】なお、上記の量子箱半導体レーザにおいて
は、１μｍ帯半導体レーザを形成するために活性層、即
ち、量子箱を構成するための格子不整合系の半導体層と
してＩｎ組成比が０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ組成の
ＩｎＧａＡｓ量子箱が形成される様にガスの流量比を制
御しているが、Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ組成のＩｎＧａＡ
ｓ量子箱に限られるものではなく、Ｉｎ組成比が０．２
〜０．７範囲であれば良く、その場合のＩｎＧａＡｓ量
子箱が内部に形成されたＩｎＧａＡｓ層のＩｎ組成比は
ＩｎＧａＡｓ量子箱のＩｎ組成比より０．２以上小さく
なる。
は、１μｍ帯半導体レーザを形成するために活性層、即
ち、量子箱を構成するための格子不整合系の半導体層と
してＩｎ組成比が０．５のＩｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ組成の
ＩｎＧａＡｓ量子箱が形成される様にガスの流量比を制
御しているが、Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ａｓ組成のＩｎＧａＡ
ｓ量子箱に限られるものではなく、Ｉｎ組成比が０．２
〜０．７範囲であれば良く、その場合のＩｎＧａＡｓ量
子箱が内部に形成されたＩｎＧａＡｓ層のＩｎ組成比は
ＩｎＧａＡｓ量子箱のＩｎ組成比より０．２以上小さく
なる。
【００７９】また、量子箱はＩｎＧａＡｓ量子箱に限ら
れるものでなく、Ｎを含むＩｎＧａＡｓＮ量子箱であっ
ても良く、この場合には、発振が困難であった青色半導
体レーザ等の可視半導体レーザを量子箱の量子効果によ
って発振を容易にすることが期待できる。
れるものでなく、Ｎを含むＩｎＧａＡｓＮ量子箱であっ
ても良く、この場合には、発振が困難であった青色半導
体レーザ等の可視半導体レーザを量子箱の量子効果によ
って発振を容易にすることが期待できる。
【００８０】例えば、サファイア基板上に、ＧａＮバッ
ファ層、ｎ型ＧａＮバッファ層、及び、ｎ型Ｉｎ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎ層を介してｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
及びｎ型ＧａＮ光ガイド層を成長させる。
ファ層、ｎ型ＧａＮバッファ層、及び、ｎ型Ｉｎ0.1 Ｇ
ａ0.9 Ｎ層を介してｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層
及びｎ型ＧａＮ光ガイド層を成長させる。
【００８１】次いで、ＴＭＩ、ＴＥＧ、及び、ＮＨ3 を
供給してＩｎＧａＮ層を成長させることによって、薄い
ＩｎＧａＮ層上にＩｎＧａＮ量子箱を形成する。
供給してＩｎＧａＮ層を成長させることによって、薄い
ＩｎＧａＮ層上にＩｎＧａＮ量子箱を形成する。
【００８２】即ち、この場合には、ＩｎＧａＮ層の厚さ
が結晶の弾性限界を越えない厚さまでは、薄いＩｎＧａ
Ｎ層が濡れ層として二次元的に成長し、厚さが結晶の弾
性限界に達した時点で三次元的成長が始まり、濡れ層と
同じ組成のＩｎＧａＮ量子箱が濡れ層の上に散点状に形
成されることになる。
が結晶の弾性限界を越えない厚さまでは、薄いＩｎＧａ
Ｎ層が濡れ層として二次元的に成長し、厚さが結晶の弾
性限界に達した時点で三次元的成長が始まり、濡れ層と
同じ組成のＩｎＧａＮ量子箱が濡れ層の上に散点状に形
成されることになる。
【００８３】次いで、ｐ型ＧａＮ光ガイド層、ｐ型Ａｌ
0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層、及び、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層を設け、最後に、ｎ側電極及びｐ側電極を設けて可
視半導体レーザを構成する。
0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層、及び、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層を設け、最後に、ｎ側電極及びｐ側電極を設けて可
視半導体レーザを構成する。
【００８４】この場合の活性層、即ち、量子箱はＩｎＧ
ａＮに限られるものではなく、ＩｎＧａＡｓＮであって
も良く、所望する波長に応じて組成比を変えれば良く、
その組成比の変化に応じて光ガイド層及びクラッド層の
組成比を変えれば良い。
ａＮに限られるものではなく、ＩｎＧａＡｓＮであって
も良く、所望する波長に応じて組成比を変えれば良く、
その組成比の変化に応じて光ガイド層及びクラッド層の
組成比を変えれば良い。
【００８５】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、実施の形態で説明した構造及び材料に限られるもの
ではなく、各種の半導体に適用されるものであり、ま
た、量子箱の構造は、格子不整合系の半導体層中に散点
状に形成される量子箱はＩｎＧａＡｓ系で典型的に生ず
るものであるが、格子不整合系の半導体層上に散点状に
形成される量子箱はその他の半導体系において多く見ら
れる構造である。
が、実施の形態で説明した構造及び材料に限られるもの
ではなく、各種の半導体に適用されるものであり、ま
た、量子箱の構造は、格子不整合系の半導体層中に散点
状に形成される量子箱はＩｎＧａＡｓ系で典型的に生ず
るものであるが、格子不整合系の半導体層上に散点状に
形成される量子箱はその他の半導体系において多く見ら
れる構造である。
【００８６】例えば、上記の図５に示した量子箱半導体
レーザにおいては、量子箱を自己形成するための下地半
導体層としてＧａＡｓ層を用いているが、量子箱を構成
するための格子不整合系の半導体層の組成に応じて、そ
の半導体層と大きな格子定数の差がある半導体を用いれ
ば良く、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、或いは、ＩｎＧａ
Ａｓが好適であり、また、その成長基板としては、例え
ば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、或いは、ＳｉＣ
等が好適である。
レーザにおいては、量子箱を自己形成するための下地半
導体層としてＧａＡｓ層を用いているが、量子箱を構成
するための格子不整合系の半導体層の組成に応じて、そ
の半導体層と大きな格子定数の差がある半導体を用いれ
ば良く、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、或いは、ＩｎＧａ
Ａｓが好適であり、また、その成長基板としては、例え
ば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、或いは、ＳｉＣ
等が好適である。
【００８７】また、量子箱を構成する半導体は、ＩｎＧ
ａＡｓ等のIII-Ｖ族化合物半導体に限られるものでな
く、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いても良く、この場
合には、広い禁制帯幅を利用した可視発光半導体装置を
構成することができ、この場合にも、半導体基板として
はＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、或いは、ＳｉＣ等が好適であ
る。
ａＡｓ等のIII-Ｖ族化合物半導体に限られるものでな
く、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いても良く、この場
合には、広い禁制帯幅を利用した可視発光半導体装置を
構成することができ、この場合にも、半導体基板として
はＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、或いは、ＳｉＣ等が好適であ
る。
【００８８】また、量子箱を構成する半導体は、Ｓｉ
1-x Ｇｅx であっても良く、この場合には、下地半導体
層或いは成長基板としてＳｉまたはＧｅを用いることに
よって量子箱を自己形成することができ、ＳＥＴ等の量
子電子デバイスの基本構造として重要になる。
1-x Ｇｅx であっても良く、この場合には、下地半導体
層或いは成長基板としてＳｉまたはＧｅを用いることに
よって量子箱を自己形成することができ、ＳＥＴ等の量
子電子デバイスの基本構造として重要になる。
【００８９】また、本発明の実施の形態においては、量
子箱を下地半導体層を用いて自己形成しているが、量子
箱の形成方法はこの様な自己形成法に限られるものでは
なく、上記において説明した微細加工技術を用いて形成
した量子箱を熱処理するようにしても良い。
子箱を下地半導体層を用いて自己形成しているが、量子
箱の形成方法はこの様な自己形成法に限られるものでは
なく、上記において説明した微細加工技術を用いて形成
した量子箱を熱処理するようにしても良い。
【００９０】
【発明の効果】本発明によれば、一旦形成した量子箱
を、量子箱の形成温度より高温で熱処理することによっ
て量子閉じ込めポテンシャルの形状を調和振動子型乃至
準調和振動子型にしているので、量子箱構造中における
準位間のキャリアの緩和速度が速くなり、半導体装置の
性能向上に寄与するところが大きい。
を、量子箱の形成温度より高温で熱処理することによっ
て量子閉じ込めポテンシャルの形状を調和振動子型乃至
準調和振動子型にしているので、量子箱構造中における
準位間のキャリアの緩和速度が速くなり、半導体装置の
性能向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態における量子箱構造の熱処
理依存性の説明図である。
理依存性の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態における緩和時間及び再結
合時間の説明図である。
合時間の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態の具体的応用例の説明図で
ある。
ある。
【図６】従来の量子箱半導体装置の説明図である。
【図７】従来の量子箱半導体装置の特性の説明図であ
る。
る。
１ 半導体基板 ２ 下地半導体層 ３ 格子不整合系の半導体層 ４ 量子箱 ５ 半導体層 ６ 量子閉じ込めポテンシャル ７ 基底準位 ８ 第２量子準位 ９ 第３量子準位 １０ 第４量子準位 １１ ＧａＡｓ基板 １２ ＧａＡｓバッファ層 １３ ＩｎＧａＡｓ層 １４ ＩｎＧａＡｓ量子箱 １５ ＧａＡｓ層 １６ 量子閉じ込めポテンシャル ２１ ＧａＡｓ基板 ２２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 ２３ ｎ型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐクラッド層 ２４ ＧａＡｓ層 ２５ ＩｎＧａＡｓ層 ２６ ＩｎＧａＡｓ量子箱 ２７ ＧａＡｓ層 ２８ ｐ型Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐクラッド層 ３１ ＧａＡｓ基板 ３２ ＧａＡｓバッファ層 ３３ ＩｎＧａＡｓ層 ３４ ＩｎＧａＡｓ量子箱 ３５ ＧａＡｓ層 ３６ 理想的ポテンシャル ３７ 基底準位 ３８ 第２量子準位 ３９ 第３量子準位 ４０ 第４量子準位 ４１ ポテンシャル ４２ ポテンシャル
Claims (14)
- 【請求項１】 量子箱の３次元量子閉じ込めポテンシャ
ルが調和振動子型、或いは、調和振動子型からのずれに
起因して縮退が解けた各準位のエネルギー間隔が量子箱
を構成する結晶中の縦光学フォノンエネルギーの揺らぎ
と、縦音響フォノンエネルギー幅を合計したエネルギー
幅を越えない準調和振動子型であることを特徴とする量
子箱半導体装置。 - 【請求項２】 上記量子箱が、下地半導体層上に設けら
れた下地半導体層と格子定数の異なる格子不整合系の半
導体層の中に散点状に含まれることを特徴とする請求項
１記載の量子箱半導体装置。 - 【請求項３】 上記量子箱が、下地半導体層上に設けら
れた下地半導体層と格子定数の異なる格子不整合系の半
導体層上に散点状に配置され、且つ、前記格子不整合系
の半導体層より高歪の格子定数を有することを特徴とす
る請求項１記載の量子箱半導体装置。 - 【請求項４】 上記量子箱が半導体レーザの活性領域を
構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１
項に記載の量子箱半導体装置。 - 【請求項５】 量子箱を形成した後、前記量子箱の形成
温度より高温で熱処理することにより、前記量子箱中の
励起準位のエネルギーをシフトさせ、前記量子箱の３次
元量子閉じ込めポテンシャルを調和振動子型、或いは、
調和振動子型からのずれに起因して縮退が解けた各励起
準位のエネルギー間隔が前記量子箱を構成する結晶中の
縦光学フォノンエネルギーの揺らぎと、縦音響フォノン
エネルギー幅を合計したエネルギー幅を越えない準調和
振動子型にすることを特徴とする量子箱半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 上記量子箱中の励起準位のエネルギーの
シフトが、基底準位のエネルギーのシフトより大きいこ
とを特徴とする請求項５記載の量子箱半導体装置の製造
方法。 - 【請求項７】 格子不整合系の半導体層を格子不整合系
の半導体層と格子定数の異なる下地半導体層上に結晶の
弾性限界を越える厚さにエピタキシャル成長させること
によって、上記量子箱を前記格子不整合系の半導体層の
中に散点状に自己形成したことを特徴とする請求項５ま
たは６に記載の量子箱半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 格子不整合系の半導体層を格子不整合系
の半導体層と格子定数の異なる下地半導体層上に結晶の
弾性限界を越える厚さにエピタキシャル成長させること
によって、結晶の弾性限界を越えない厚さの前記格子不
整合系の半導体層及びその上に散点状に配置された上記
量子箱を自己形成したことを特徴とする請求項５または
６に記載の量子箱半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 上記量子箱及び格子不整合系の半導体層
が、III-Ｖ族化合物半導体或いはＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体のいずれかであることを特徴とする請求項７または
８に記載の量子箱半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 上記量子箱及び格子不整合系の半導体
層が、Ｉｎx Ｇａ1- x Ａｓ（０≦ｘ≦１）であることを
特徴とする請求項９記載の量子箱半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 上記量子箱及び格子不整合系の半導体
層が、Ｉｎx Ｇａ1- x Ａｓy Ｎ1-y （０≦ｘ≦１，０≦
ｙ＜１）であることを特徴とする請求項９記載の量子箱
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 上記量子箱及び格子不整合系の半導体
層を成長させる半導体基板として、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、
Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ（０＜ｘ≦１）、或いは、ＳｉＣの
いずれかを用いたことを特徴とする請求項９乃至１１の
いずれか１項に記載の量子箱半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 上記量子箱及び格子不整合系の半導体
層が、Ｓｉ1-x Ｇｅ x （０≦ｘ≦１）であることを特徴
とする請求項７または８に記載の量子箱半導体装置の製
造方法。 - 【請求項１４】 上記量子箱及び格子不整合系の半導体
層を成長させる半導体基板として、ＳｉまたはＧｅを用
いたことを特徴とする請求項１３記載の量子箱半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6411897A JPH10261785A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 量子箱半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6411897A JPH10261785A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 量子箱半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261785A true JPH10261785A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13248841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6411897A Pending JPH10261785A (ja) | 1997-03-18 | 1997-03-18 | 量子箱半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10261785A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5991535A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | デイジタルコ−ド設定スイツチ |
| WO2003007445A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Nec Corporation | Semiconductor quantum dot⋅device |
| JP2014209609A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-11-06 | 京セラ株式会社 | 半導体レーザ |
-
1997
- 1997-03-18 JP JP6411897A patent/JPH10261785A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5991535A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | デイジタルコ−ド設定スイツチ |
| WO2003007445A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Nec Corporation | Semiconductor quantum dot⋅device |
| US7189986B2 (en) | 2001-07-10 | 2007-03-13 | Nec Corporation | Semiconductor quantum dot device |
| US8106378B2 (en) | 2001-07-10 | 2012-01-31 | Nec Corporation | Semiconductor quantum dot device |
| JP2014209609A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-11-06 | 京セラ株式会社 | 半導体レーザ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070130 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070529 |