JPH10265202A - 水素製造装置 - Google Patents

水素製造装置

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JPH10265202A
JPH10265202A JP9088709A JP8870997A JPH10265202A JP H10265202 A JPH10265202 A JP H10265202A JP 9088709 A JP9088709 A JP 9088709A JP 8870997 A JP8870997 A JP 8870997A JP H10265202 A JPH10265202 A JP H10265202A
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JP
Japan
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hydrogen
chamber
gas
shift reaction
reforming
Prior art date
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Application number
JP9088709A
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English (en)
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Minoru Koga
実 古賀
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IHI Corp
Original Assignee
Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
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Publication date
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Priority to US09/046,576 priority patent/US6033634A/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単でコンパクトな構成で純水素を製造でき
るようにする。 【解決手段】 高温シフト触媒８を充填したシフト反応
室７と伝熱促進用の充填物１０を充填した冷却室９を、
金属製隔壁６を介して積層した高温シフトコンバータの
シフト反応室７に、水素のみを透過するパラジウム膜１
３を多孔質板１４にコーティング又はメッキしてなる隔
壁１２を介在させて水素ガス室１１を配設する。シフト
反応室７に導入した改質ガスをシフト反応させて水素を
生成すると、パラジウム膜１３を利用して水素のみを透
過させて純水素を製造する。プレート型であるためコン
パクトにできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は天然ガス、メタノー
ル等の炭化水素を改質した後に高純度の水素を精製する
ための水素製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】天然ガスを水蒸気改質して得た水素リッ
チなガスから高純度の水素を精製する従来の技術とし
て、ＰＳＡ（Pressure Swing Adsorption ）が工業的に
主力となっている。このＰＳＡは、吸収塔内に導入した
水素リッチなガスの圧力を変化させて吸着剤への吸着と
脱着を繰り返すことにより目的のガスを分離精製する方
法で、上記吸着剤としては、カーボンモレキュラーシー
ブ、合成ゼオライトが分離対象ガスに応じて使用され、
これら吸着剤に吸着するガスの性質が異なることを利用
して目的のガス分離を行うものであり、圧力が高いほど
単位吸着剤に対する吸着量が多く、逆に圧力が低いほど
吸着量が少ない特徴を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ＰＳＡ
による水素製造方法の場合は、６００Nm3 /Hr の水素製
造装置では、吸収塔を３乃至４基設置する必要があると
共に、払出しタンクの設置も必要となって設備が大型化
し、コンパクトで安価に水素を製造する設備とすること
ができず、したがって、水素製造装置として狭いスペー
スに設置して水素を燃料とするシステムに適用すること
に難点がある。
【０００４】そこで、本発明は、コンパクトな構成で高
純度の水素を製造することができるものを提供しようと
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、高温シフト触媒を充填して改質ガスを流
すようにしたシフト反応室と伝熱促進用の充填物を充填
して冷却ガスを流すようにした冷却室とを金属製隔壁を
介して積層したプレート型高温シフトコンバータの上記
シフト反応室に、水素ガスのみを透過する膜を多孔質板
にコーティング又はメッキしてなるプレート型の隔壁を
介して水素ガス室を配設し、改質ガスをシフト反応室で
シフト反応して生成された水素のみを、上記水素透過膜
を透過させて水素ガス室に流出させるようにしてなるも
のを、単層又は多層に積層した構成とする。
【０００６】又、高温シフト触媒を充填して改質ガスを
流すようにしたシフト反応室と伝熱促進用の充填物を充
填して冷却ガスを流すようにした冷却室とを金属製隔壁
を介して積層させたプレート型高温シフトコンバータの
シフト反応室同士を対向させ、両シフト反応室間に水素
ガスを流すようにした水素ガス室を、それぞれ水素ガス
のみを透過させる膜を多孔質板の両面にコーティング又
はメッキしてなるプレート型の隔壁を介して積層させ、
両シフト反応室で改質ガスをシフト反応させて生成した
水素のみを水素透過膜を透過させて１つの水素ガス室へ
流出させるようにした構成とする。
【０００７】改質ガスがシフト反応室に導入されると、
発熱反応でシフト反応が行われ、水素のみがシフト反応
室から水素透過膜を透過して分離される。
【０００８】水素透過膜としてパラジウム膜を使用する
と、パラジウム膜の使用温度である３００〜５００℃
が、高温シフトコンバータの作動温度と一致しているの
で、高温シフトコンバータにパラジウム膜を用いて水素
を製造させるようにすると、高温シフトコンバータは通
常の作動温度で運転できて、パラジウム膜を劣化させる
ことがなく、且つ改質器の作動温度をパラジウム膜の使
用温度に無関係に決定できる。
【０００９】又、改質器の改質室に水素透過膜を設置す
ると、天然ガスを改質して生成した水素を直ちに水素透
過膜を通して純水素を製造できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
【００１１】図１、図２は本発明の実施の一形態を示す
もので、改質器Ｉで天然ガスＮＧを水蒸気改質して得ら
れた水素リッチなガスを高温シフトコンバータIIでシフ
ト反応した後、水素のみを分離させるようにしたもので
ある。
【００１２】すなわち、図１に示す如く、改質触媒２を
充填して天然ガスを流すようにした改質室１と伝熱促進
用の充填物４としてアルミナボールを充填して燃焼ガス
を流すようにした加熱室３とを金属製隔壁５を介して積
層してなるプレート型改質器Ｉのほかに、図２に詳細を
示す如く、表裏両面に交互に凹凸となるようにプレス加
工された金属製の隔壁６を挟んで、片側に伝熱促進用の
充填物１０としてアルミナボールを充填した冷却室９
と、上記隔壁６の反対側に高温シフト触媒８を充填して
シフト反応させるようにしたシフト反応室７と、凹凸に
より流路を形成したプレート型の水素ガス室１１とを積
層し、該水素ガス室１１と上記シフト反応室７との間
に、水素のみを選択的に通過させるようにする水素透過
膜としてパラジウム膜１３を図３に拡大して示すように
ポーラス状になっている多孔質板１４の片面にコーティ
ングするか又はメッキしてなる隔壁１２を、パラジウム
膜１３がシフト反応室７側となるようにして積層してな
るプレート型の高温シフトコンバータIIを構成する。上
記パラジウム膜１３を使用する場合、該パラジウム膜１
３は水素存在下で３００℃以下では脆化するので、使用
温度は３００〜５００℃とされている。
【００１３】上記高温シフトコンバータIIの冷却室９に
は天然ガスライン１５より天然ガスＮＧを導入するよう
にして発熱反応であるシフト反応時の冷却に使用するよ
うにし、該冷却室９を出た天然ガスＮＧは天然ガスライ
ン１５にて改質器Ｉの改質室１に導入させるようにする
と共に、該改質器Ｉの改質室１で改質された水素リッチ
なガスＲＧが改質ガスライン１６より熱交換器１７に導
かれて高温シフトコンバータIIの作動温度である３００
〜５００℃に調整されてから高温シフトコンバータIIの
シフト反応室７に導入されるようにし、該シフト反応室
７でのシフト反応により生じた水素のみをパラジウム膜
１３を表面に有する多孔質状の隔壁１２を通して水素ガ
ス室１１に流出させ、該水素ガス室１１から高純度の水
素が得られるようにする。
【００１４】なお、空気Ａはブロワ１８から空気予熱器
１９へ導かれて予熱された後、燃焼器２０へ導入され
て、ここで上記シフト反応室７で水素が分離された残り
の改質ガスＲＧとともに燃焼させられ、その燃焼ガス２
１を改質器Ｉの加熱室３に供給して、改質器Ｉで吸熱に
より改質作用が行われるようにし、該改質器Ｉの加熱室
３を出た燃焼ガス２１が空気予熱器１９及び蒸気発生器
２２へ導かれた後、大気へ放出されるようにする。水Ｗ
は蒸気発生器２２で水蒸気２３となり、熱交換器１７を
経て天然ガスライン１５で天然ガスＮＧに混合されるよ
うにしてある。
【００１５】なお、高温シフトコンバータIIのシフト反
応室７、冷却室９、水素ガス室１１の各周辺の境界部は
ガス漏洩がないようにシール材２４でシールされてい
る。２５は最も外側に位置する部分に充填した絶縁材で
ある。
【００１６】天然ガスＮＧは天然ガスライン１５により
一旦高温シフトコンバータIIの冷却室９へ導入されて、
発熱反応である高温シフト反応ガスを冷却するように
し、しかる後、改質器Ｉの改質室１に供給される。改質
室１では、加熱室３に導入された高温（７５０℃）の燃
焼ガス２１の熱を隔壁５を通し吸熱して、ＣＨ4 ＋Ｈ2
Ｏ→ＣＯ＋３Ｈ2の反応が行われて、一酸化炭素と水素
が生成される。この改質ガスＲＧの温度は７００℃位あ
るが、高温シフトコンバータIIの作動温度は、３００〜
５００℃であるので、上記改質ガスＲＧを熱交換器１７
にて５００℃位まで冷却させるようにする。水素透過膜
としてのパラジウム膜１３の使用温度範囲は前記したよ
うに３００〜５００℃であるが、高温シフトコンバータ
IIの作動温度と一致しているので、高温シフトコンバー
タIIは本来の作動温度で運転できてパラジウム膜１３を
劣化させることがない。シフト反応室７では、冷却室９
を流れる天然ガスＮＧにより冷却されながら発熱反応に
より、 ＣＯ＋Ｈ2 Ｏ→ＣＯ2 ＋Ｈ2 の反応が行われ、一酸化炭素が除去されて炭酸ガスと水
素が得られるが、同時に隔壁１２表面のパラジウム膜１
３を利用して水素のみの分離が行われ、多孔質板１４を
通り高純度の水素Ｈ2 が水素ガス室１１に流出する。
【００１７】高温シフトコンバータIIのシフト反応室７
で水素分離された残りの改質ガスは、Ｈ2 、ＣＯ2 が含
まれるので、燃焼器２０で燃焼して改質器Ｉの熱源とし
て活用されることになる。
【００１８】上記シフト反応室７でのシフト反応で生じ
た水素のみがパラジウム膜１３を透過して分離される原
理は、次のようになっている。 水素分子がパラジウム膜に吸着する。 吸着水素分子が水素原子に解離する。 水素原子がイオン化し、プロトンとエレクトロンに分
かれる。 プロトンがパラジウムの表面から裏面へ拡散する。 裏面へ到達したプロトンがパラジウム膜面でエレクト
ロンと再結合して水素原子となる。 水素原子が結合して水素分子となる。 水素分子がパラジウム膜より離脱する。
【００１９】このようにプロトン状態となり得る水素の
みがパラジウム膜１３を透過するものであり、このよう
な状態となり得ない不純物はパラジウム膜１３を透過す
ることはないので、純度の高い水素を精製することがで
きる。
【００２０】又、パラジウム膜１３の水素透過速度Ｑ
は、次式で表される。
【００２１】Ｑ＝Ａｔ-mΔＰn e -B/RT ここに、Ａ：パラジウム合金の定数 ｔ：パラジウム膜厚 ｍ：定数（ほぼ＝１） ΔＰ：パラジウム膜の差圧 ｎ：０．５〜０．８ Ｂ：活性化エネルギー Ｒ：ガス定数 Ｔ：温度 本発明においては、高温シフトコンバータIIのシフト反
応室７に、パラジウム膜１３をコーティング又はメッキ
した多孔質板１４よりなる隔壁１２を介して水素ガス室
１１を積層させ、パラジウム膜１３の使用温度（３００
〜５００℃）と一致する作動温度域でシフト反応させて
水素のみを隔壁１２を透過させて水素ガス室１１へと流
出させるようにするので、改質器Ｉでは、本来の作動温
度（７００℃以上）で改質を行うことができる。又、プ
レート型の隔壁１２にパラジウム膜１３が設置されてい
る構成としてあるため、管状のものに比して透過面積を
大きくとることができる。
【００２２】次に、図４は本発明の実施の他の形態を示
すもので、図２に示した実施の形態において、冷却室
９、シフト反応室７、水素ガス室１１を同じ方向に積層
したことに代えて、１つの水素ガス室１１を挟んで上下
にシフト反応室７と冷却室９を相対向するように積層し
て、両シフト反応室７と１つの水素ガス室１１との間
に、多孔質板１４にパラジウム膜１３をコーティング又
はメッキしてなる隔壁１２を、パラジウム膜１３が各々
シフト反応室７側となるように介在させた構成としたも
のである。
【００２３】この実施の形態によれば、１つの水素ガス
室１１を兼用して２つのシフト反応室７でのシフト反応
で得られた水素を順次パラジウム膜１３を通し多孔質板
１４を通過させて共通の水素ガス室１１へ移し、高純度
の水素を製造することができる。
【００２４】又、図５及び図６は本発明の更に他の実施
の形態を示すもので、改質室１に、パラジウム膜１３を
多孔質板１４にコーティング又はメッキしてなる隔壁１
２を介して水素ガス室１１を積層したプレート型改質器
Ｉとして、改質器Ｉで生成される水素を直ちにパラジウ
ム膜１３を透過させて分離するようにしたものである。
【００２５】すなわち、表裏両面に凹凸を形成するよう
プレス加工した金属製の隔壁５を挟んで、片側に改質触
媒２を充填した改質室１と、反対側に伝熱促進用の充填
物４としてアルミナボールを充填した加熱室３とを構成
して、改質室１側に、凹凸によって水素の流路を形成し
たプレート型の水素ガス室１１を水素透過膜としてのパ
ラジウム膜１３を多孔質板１４にコーティング又はメッ
キしてなる隔壁１２を介して積層し、更に、加熱室３、
改質室１、水素ガス室１１を複数層に積層してプレート
型改質器Ｉを構成し、天然ガスＮＧを水蒸気２３と共に
熱交換器２６で予熱した後に改質室１に供給するように
し、改質室１から排出された改質ガスＲＧを上記熱交換
器２６で天然ガスＮＧの予熱に供した後、燃焼器２７で
空気Ａとともに燃焼して、燃焼ガス２１を改質器Ｉの加
熱室３に導入し、該加熱室３から排出された燃焼ガスを
空気予熱器１９、蒸気発生器２２に導いて大気へ放出さ
せるようにする。
【００２６】なお、図５、図６において図１、図２に示
すものと同一のものには同一符号が付してある。
【００２７】この実施の形態によれば、天然ガスＮＧが
水蒸気２３とともに熱交換器２６で水素透過膜としての
パラジウム膜１３の使用温度に適する３５０℃以上に予
熱された後に改質器Ｉの改質室１に供給されるので、改
質室１では加熱室３に導入される燃焼ガス２１の熱を隔
壁５を介して吸熱して、 ＣＨ4 ＋Ｈ2 Ｏ→ＣＯ＋３Ｈ2 の反応が行われて改質される。この場合、改質器Ｉの作
動温度はパラジウム膜１３の使用温度範囲で運転される
が、改質された水素は圧力が高いので、パラジウム膜１
３を透過し、多孔質板１４からなる隔壁１２を通って水
素ガス室１１へ入る。これにより改質室１で生成された
水素は、直ちに改質室１から水素ガス室１１へ流出する
ので、改質反応は、平衡温度より低い温度で所定のメタ
ン改質率が得られることになる。
【００２８】改質室１で水素分離された残りの改質ガス
ＲＧは５００℃の温度で排出されるが、Ｈ2 、ＣＯガス
が含まれているので、燃焼器２７で燃焼し、５５０℃の
燃焼ガス２１として改質器Ｉの加熱室１へ導入して改質
器Ｉの熱源とするようにする。
【００２９】なお、パラジウム膜１３を使用した水素分
離機構の作動圧力は、以下の条件から概略決定される。
【００３０】 Ｐｉ：改質ガス全圧 atm Ｐｏ：透過側全圧 atm ａ：改質ガス水素モル分率 ｂ：透過側水素モル分率 ｅ：水素分解効率 天然ガスの水蒸気改質ガスで高温シフトコンバータII出
口の水素モル分率は約０．６４である。透過側は純水素
として１atm 、水素分離効率を０．７とすると、改質ガ
ス全圧Ｐｉは、 Ｐｉ＝５．２１atm となる。
【００３１】パラジウム膜１３は、水素透過速度を向上
させるためには数１０ミクロンの膜厚が必要であり、パ
ラジウム膜１３に作用する差圧は多孔質板１４で強度の
バックアップがなされる。
【００３２】水素分離効率を上記のように７０％とする
のは、天然ガスの水蒸気改質にエネルギーが必要であ
り、パラジウム膜で分離されない水素やＣＯガスは改質
器Ｉの熱源に使用されるからである。
【００３３】又、上記各実施の形態において、水素ガス
室１１内にパージガスを流すことができるので、改質ガ
ス水素モル分率及び水素分離効率を一定にして、水素ガ
ス室１１にパージガスを流すことにより透過側水素の分
圧を下げれば、上記改質ガス全圧Ｐｉを下げることがで
きる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明の水素製造装置
によれば、改質器で改質されたガスをシフト反応させる
プレート型高温シフトコンバータのシフト反応室に、パ
ラジウムの如き水素のみを透過させる金属膜を多孔質板
にコーティング又はメッキにて取り付けてなるプレート
型の隔壁を介して水素ガス室を配設したものを単層又は
複数層積層させるか、あるいは１つの水素ガス室を挟ん
で両側にシフト反応室を上記隔壁を介して積層させ、改
質器で改質されたガスを高温シフトコンバータのシフト
反応室にてシフト反応させて得られた水素を水素透過膜
を透過させて水素ガス室へ流出させるようにして水素を
製造するようにし、又、プレート型の改質器の改質室に
上記隔壁を介して水素ガス室を配設した構成として、改
質室で生成された水素を直ちに水素透過膜を通して水素
ガス室へ流出させて水素を製造するようにしてあるの
で、次の如き優れた効果を奏し得る。 プレート型の高温シフトコンバータや改質器で純水素
を容易に製造することができて、高温シフトコンバータ
や改質器を水素製造装置として小スペースに設置するこ
とができ、特に自動車用の固体高分子型燃料電池の燃料
用として好適である。 多孔質板に水素透過膜を設置してなるプレート型の隔
壁を用いているので、水素の透過面積を大きくとること
ができる。 水素透過膜としてパラジウム膜を用いる場合は、使用
温度範囲が３００〜５００℃であるので、高温シフトコ
ンバータの作動温度領域と一致するため、パラジウム膜
が劣化を起こすことなく水素を分離できる。 高温シフトコンバータを設置することにより、改質器
の作動温度をパラジウム膜の使用温度に無関係に決定で
きるので、改質器で高い改質率が得られる。 高温シフトコンバータで水素を製造させることによ
り、改質ガスの水素分圧を高めることができて、パラジ
ウム膜の水素透過速度を高めることができる。 水素ガス室を挟んで両側にシフト反応室を配する構成
とすることにより、よりコンパクト化が図れ、設置スペ
ースを小さくできる。 改質器で改質された水素を直ちに分離して水素ガス室
へ流出させることにより、システム構成が簡略化され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態を示すシステム構成図で
ある。
【図２】図１における高温シフトコンバータの拡大断面
図である。
【図３】パラジウム膜を設置した隔壁の拡大断面図であ
る。
【図４】高温シフトコンバータの他の形態を示す拡大断
面図である。
【図５】本発明の実施の他の形態を示すシステム構成図
である。
【図６】図５における改質器の拡大断面図である。
【符号の説明】
Ｉ 改質器 II 高温シフトコンバータ １ 改質室 ２ 改質触媒 ３ 加熱室 ４ 充填物 ５ 金属製隔壁 ６ 金属製隔壁 ７ シフト反応室 ８ 高温シフト触媒 ９ 冷却室 １０ 充填物 １１ 水素ガス室 １２ 隔壁 １３ パラジウム膜（水素透過膜） １４ 多孔質板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高温シフト触媒を充填して改質ガスを流
    すようにしたシフト反応室と伝熱促進用の充填物を充填
    して冷却ガスを流すようにした冷却室とを金属製隔壁を
    介して積層したプレート型高温シフトコンバータの上記
    シフト反応室に、水素ガスのみを透過する膜を多孔質板
    にコーティング又はメッキしてなるプレート型の隔壁を
    介して水素ガス室を配設し、改質ガスをシフト反応室で
    シフト反応して生成された水素のみを、上記水素透過膜
    を透過させて水素ガス室に流出させるようにしてなるこ
    とを特徴とする水素製造装置。
  2. 【請求項２】 金属製隔壁を介在させて冷却室及びシフ
    ト反応室と、該シフト反応室に水素透過膜設置の隔壁を
    介して配設した水素ガス室を多層に積層させた請求項１
    記載の水素製造装置。
  3. 【請求項３】 高温シフト触媒を充填して改質ガスを流
    すようにしたシフト反応室と伝熱促進用の充填物を充填
    して冷却ガスを流すようにした冷却室とを金属製隔壁を
    介して積層させたプレート型高温シフトコンバータのシ
    フト反応室同士を対向させ、両シフト反応室間に、水素
    ガスを流すようにした水素ガス室を、それぞれ水素ガス
    のみを透過させる膜を多孔質板の両面にコーティング又
    はメッキしてなるプレート型の隔壁を介して積層させ、
    両シフト反応室で改質ガスをシフト反応させて生成した
    水素のみを水素透過膜を透過させて１つの水素ガス室へ
    流出させるようにしたことを特徴とする水素製造装置。
  4. 【請求項４】 改質触媒を充填して天然ガスを流して改
    質するようにした改質室と伝熱促進用の充填物を充填し
    て燃焼ガスを流すようにした加熱室とを、金属製隔壁を
    介して積層したプレート型改質器の上記改質室に、水素
    ガスのみを透過させる膜を多孔質板にコーティング又は
    メッキしてなるプレート型の隔壁を介して水素ガス室を
    配設し、天然ガスを吸熱反応で改質して生成された水素
    を水素透過膜を透過させて改質室から水素ガス室へ流出
    させるようにしたことを特徴とする水素製造装置。
  5. 【請求項５】 水素透過膜をパラジウム膜とした請求項
    １、２、３又は４記載の水素製造装置。
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