JPH10265216A - 三塩化硼素の精製法 - Google Patents
三塩化硼素の精製法Info
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- JPH10265216A JPH10265216A JP7184597A JP7184597A JPH10265216A JP H10265216 A JPH10265216 A JP H10265216A JP 7184597 A JP7184597 A JP 7184597A JP 7184597 A JP7184597 A JP 7184597A JP H10265216 A JPH10265216 A JP H10265216A
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子工業用に使用される高純度な三塩化
硼素を得ることが出来る三塩化硼素の精製法の提供にあ
る。 【解決手段】 粗三塩化硼素を気体の状態で活性炭と接
触させて、含有する珪素化合物、ホスゲン、ハロゲン化
炭化水素及び金属を同時に除去する三塩化硼素の精製法
において、１００〜４００℃に加熱した珪素含有量が
０．２％以下の活性炭に粗三塩化硼素の気体を接触さ
せ、前記不純物を分解・吸着除去することを特徴とする
三塩化硼素の精製法に関し、更にまた、前記不純物を分
解除去して得られた三塩化硼素の気体を−１０℃以下に
冷却して、液化せしめ、該液化した三塩化硼素を蒸留あ
るいは、液化した三塩化硼素に該温度で気体の不活性ガ
スを吹き込み、前記の分解処理で生成した一酸化炭素を
除去することを特徴とする三塩化硼素の精製法に関す
る。
硼素を得ることが出来る三塩化硼素の精製法の提供にあ
る。 【解決手段】 粗三塩化硼素を気体の状態で活性炭と接
触させて、含有する珪素化合物、ホスゲン、ハロゲン化
炭化水素及び金属を同時に除去する三塩化硼素の精製法
において、１００〜４００℃に加熱した珪素含有量が
０．２％以下の活性炭に粗三塩化硼素の気体を接触さ
せ、前記不純物を分解・吸着除去することを特徴とする
三塩化硼素の精製法に関し、更にまた、前記不純物を分
解除去して得られた三塩化硼素の気体を−１０℃以下に
冷却して、液化せしめ、該液化した三塩化硼素を蒸留あ
るいは、液化した三塩化硼素に該温度で気体の不活性ガ
スを吹き込み、前記の分解処理で生成した一酸化炭素を
除去することを特徴とする三塩化硼素の精製法に関す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子工業用に使用さ
れる三塩化硼素の精製法に関する。電子工業において三
塩化硼素は、シリコン半導体デバイスのドライエッチン
グ（アルミ、シリコン）・不純物熱拡散・イオン注入、
光ファイバ−用ド−ピング材料等に利用されている。こ
れらの用途分野において、三塩化硼素に含有されるホス
ゲン、有機物、珪素化合物、金属等は半導体デバイスに
悪い影響を及ぼすことが知られている。例えば、ホスゲ
ンはシリコンと反応してデバイスを害する炭素と酸素不
純物を生成する。このようなことから、電子工業用に使
われる三塩化硼素は高純度な品質が要求され、半導体製
造の歩留まり向上のためにも三塩化硼素に含有している
不純物の除去は重要である。本発明はこれら不純物除去
に関するものである。
れる三塩化硼素の精製法に関する。電子工業において三
塩化硼素は、シリコン半導体デバイスのドライエッチン
グ（アルミ、シリコン）・不純物熱拡散・イオン注入、
光ファイバ−用ド−ピング材料等に利用されている。こ
れらの用途分野において、三塩化硼素に含有されるホス
ゲン、有機物、珪素化合物、金属等は半導体デバイスに
悪い影響を及ぼすことが知られている。例えば、ホスゲ
ンはシリコンと反応してデバイスを害する炭素と酸素不
純物を生成する。このようなことから、電子工業用に使
われる三塩化硼素は高純度な品質が要求され、半導体製
造の歩留まり向上のためにも三塩化硼素に含有している
不純物の除去は重要である。本発明はこれら不純物除去
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】三塩化硼素中のホスゲン等の不純物を除
去する公知の技術として、高温（１０００℃程度）によ
る熱分解、活性炭等の担体による接触分解や吸着、蒸留
分離する方法等が知られている。このうち、高温による
熱分解は、経済的に不利であり、材質の劣化や分解生成
物の処理に問題がある。また、蒸留分離する方法は、ホ
スゲンと三塩化硼素の沸点が近いために三塩化硼素から
ホスゲンを完全に除去するためには精密蒸留が必要で、
操作や経済性の面で不利である。現在、工業的に使用さ
れている方法は、活性炭等を担体とした接触分解や吸着
による精製である。米国特許（３，１２６，２５６号）
においてホスゲンを含んだ三塩化硼素気流を３００〜７
００℃の活性炭に流通させホスゲン等の不純物を除去す
る方法が記載されている。この方法は活性炭を触媒とし
てホスゲンを一酸化炭素（ＣＯ）と塩素（Ｃｌ2）に分
解し、生成したＣＯとＣｌ2は蒸留や活性炭による吸着
（１００℃以下、好ましくは５０〜１００℃）で除去す
るものである。
去する公知の技術として、高温（１０００℃程度）によ
る熱分解、活性炭等の担体による接触分解や吸着、蒸留
分離する方法等が知られている。このうち、高温による
熱分解は、経済的に不利であり、材質の劣化や分解生成
物の処理に問題がある。また、蒸留分離する方法は、ホ
スゲンと三塩化硼素の沸点が近いために三塩化硼素から
ホスゲンを完全に除去するためには精密蒸留が必要で、
操作や経済性の面で不利である。現在、工業的に使用さ
れている方法は、活性炭等を担体とした接触分解や吸着
による精製である。米国特許（３，１２６，２５６号）
においてホスゲンを含んだ三塩化硼素気流を３００〜７
００℃の活性炭に流通させホスゲン等の不純物を除去す
る方法が記載されている。この方法は活性炭を触媒とし
てホスゲンを一酸化炭素（ＣＯ）と塩素（Ｃｌ2）に分
解し、生成したＣＯとＣｌ2は蒸留や活性炭による吸着
（１００℃以下、好ましくは５０〜１００℃）で除去す
るものである。
【０００３】また、特公平２−５４２８３号公報、特公
平３−５３０１７号公報において、ホスゲン等を含んだ
三塩化硼素気流を常温で活性炭に流通吸着させ、ホスゲ
ン、珪素化合物、ハロゲン化炭化水素を同時に吸着除去
する方法が記載されている。この方法は不純物を活性炭
に（物理）吸着させて除去するものである。活性炭が低
温の場合は、三塩化硼素も吸着するので、活性炭を段階
的に加熱処理することで三塩化硼素を回収し、活性炭を
再生している。
平３−５３０１７号公報において、ホスゲン等を含んだ
三塩化硼素気流を常温で活性炭に流通吸着させ、ホスゲ
ン、珪素化合物、ハロゲン化炭化水素を同時に吸着除去
する方法が記載されている。この方法は不純物を活性炭
に（物理）吸着させて除去するものである。活性炭が低
温の場合は、三塩化硼素も吸着するので、活性炭を段階
的に加熱処理することで三塩化硼素を回収し、活性炭を
再生している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、一般産業向けに
生産される三塩化硼素は、酸化硼素を塩素、アルカリ金
属の塩化物または四塩化珪素などによって塩素化する方
法などによって作られているが、その純度は、三塩化硼
素含量９９〜９９．９％、ホスゲン５０〜９００ｐｐ
ｍ、珪素３ｐｐｍ、塩素２ｐｐｍ、金属（Ｃｕ、Ｆｅ、
Ｎｉ等）１〜２０ｐｐｍ程度の品質である。この粗三塩
化硼素を出発原料として電子工業用の三塩化硼素を得る
ために、従来の公知技術（米国特許３，１２６，２５６
号；高温活性炭による接触分解）により精製を実施し
た。この方法で精製して得られた三塩化硼素には、ホス
ゲンや塩素は検出されず、金属も０．１ｐｐｍ程度に減
少した。
生産される三塩化硼素は、酸化硼素を塩素、アルカリ金
属の塩化物または四塩化珪素などによって塩素化する方
法などによって作られているが、その純度は、三塩化硼
素含量９９〜９９．９％、ホスゲン５０〜９００ｐｐ
ｍ、珪素３ｐｐｍ、塩素２ｐｐｍ、金属（Ｃｕ、Ｆｅ、
Ｎｉ等）１〜２０ｐｐｍ程度の品質である。この粗三塩
化硼素を出発原料として電子工業用の三塩化硼素を得る
ために、従来の公知技術（米国特許３，１２６，２５６
号；高温活性炭による接触分解）により精製を実施し
た。この方法で精製して得られた三塩化硼素には、ホス
ゲンや塩素は検出されず、金属も０．１ｐｐｍ程度に減
少した。
【０００５】文献（化学防災指針４、１９７９年 日本
化学会編、丸善）によれば、ホスゲンは加熱すると一酸
化炭素と塩素に可逆的に分解（ＣＯＣｌ2⇔ＣＯ＋Ｃ
ｌ2）し、熱分解率は高温になるほど高くなり、８００
℃では１００％分解するとされている。各温度での分解
率を表１に示す。
化学会編、丸善）によれば、ホスゲンは加熱すると一酸
化炭素と塩素に可逆的に分解（ＣＯＣｌ2⇔ＣＯ＋Ｃ
ｌ2）し、熱分解率は高温になるほど高くなり、８００
℃では１００％分解するとされている。各温度での分解
率を表１に示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】また、米国特許３，１２６，２５６号の記
載によれば、熱分解で発生した塩素は活性炭に吸着され
るとしている。さらに、精製前後の含有金属量について
は、表２に示すように大きな差があるので、金属は粗三
塩化硼素が液体から気体状態になる時に液体側に残留し
たり、ホスゲンの熱分解時に活性炭に吸着されたものと
考えられる。しかしながら、この米国特許方法で得られ
た三塩化硼素には、多量の珪素化合物が含有されてお
り、この精製方法では使用する活性炭の種類や反応温度
によっては珪素化合物の汚染を増大させる可能性がある
ことがわかった。
載によれば、熱分解で発生した塩素は活性炭に吸着され
るとしている。さらに、精製前後の含有金属量について
は、表２に示すように大きな差があるので、金属は粗三
塩化硼素が液体から気体状態になる時に液体側に残留し
たり、ホスゲンの熱分解時に活性炭に吸着されたものと
考えられる。しかしながら、この米国特許方法で得られ
た三塩化硼素には、多量の珪素化合物が含有されてお
り、この精製方法では使用する活性炭の種類や反応温度
によっては珪素化合物の汚染を増大させる可能性がある
ことがわかった。
【０００８】この精製法で生じる珪素汚染の原因を詳し
く調べるために、粗三塩化硼素（珪素３ｐｐｍ）と珪素
含有量の一番少ない椰子系活性炭（珪素０．１２％）及
びＳＵＳ３０４製の反応管や容器装置等を使い、１００
〜５５０℃の各温度で粗三塩化硼素の精製を実施した。
得られた三塩化硼素中の珪素を分析したところ、４００
℃付近から徐々に珪素の流出が始まり、５５０℃では約
５０ｐｐｍの珪素が確認された。その結果を表２に示
す。
く調べるために、粗三塩化硼素（珪素３ｐｐｍ）と珪素
含有量の一番少ない椰子系活性炭（珪素０．１２％）及
びＳＵＳ３０４製の反応管や容器装置等を使い、１００
〜５５０℃の各温度で粗三塩化硼素の精製を実施した。
得られた三塩化硼素中の珪素を分析したところ、４００
℃付近から徐々に珪素の流出が始まり、５５０℃では約
５０ｐｐｍの珪素が確認された。その結果を表２に示
す。
【０００９】
【表２】
【００１０】また、同じ反応条件下で、活性炭を抜いて
三塩化硼素を流通させた場合や高純度な不活性ガスを流
した場合の珪素流出は微量（０．３ｐｐｍ）であった。
これらのことから、本発明者等は、三塩化硼素の珪素汚
染の原因は、高温下において、三塩化硼素が活性炭中に
含有される珪素と反応し揮発性の珪素化合物を生成する
ことによるものと考え、本発明方法を見いだした。
三塩化硼素を流通させた場合や高純度な不活性ガスを流
した場合の珪素流出は微量（０．３ｐｐｍ）であった。
これらのことから、本発明者等は、三塩化硼素の珪素汚
染の原因は、高温下において、三塩化硼素が活性炭中に
含有される珪素と反応し揮発性の珪素化合物を生成する
ことによるものと考え、本発明方法を見いだした。
【００１１】本発明は、高温活性炭による精製法をさら
に進歩させ、珪素化合物の汚染を抑制しながら、ホスゲ
ン、塩素、ハロゲン炭化水素および金属を効率よく除去
するものである。本発明の目的は、高純度な三塩化硼素
を得ることが出来る三塩化硼素の精製法の提供にある。
に進歩させ、珪素化合物の汚染を抑制しながら、ホスゲ
ン、塩素、ハロゲン炭化水素および金属を効率よく除去
するものである。本発明の目的は、高純度な三塩化硼素
を得ることが出来る三塩化硼素の精製法の提供にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、粗三塩
化硼素を気体の状態で活性炭と接触させて、含有する珪
素化合物、ホスゲン、ハロゲン化炭化水素及び金属を同
時に除去する三塩化硼素の精製法において、１００〜４
００℃に加熱した珪素含有量が０．２％以下の活性炭に
粗三塩化硼素の気体を接触させ、前記不純物を分解・吸
着除去することを特徴とする三塩化硼素の精製法に関
し、更にまた、前記不純物を分解除去して得られた三塩
化硼素の気体を−１０℃以下に冷却して、液化せしめ、
該液化した三塩化硼素を蒸留あるいは、液化した三塩化
硼素に該温度で気体の不活性ガスを吹き込み、前記の分
解処理で生成した一酸化炭素を除去することを特徴とす
る三塩化硼素の精製法に関する。
化硼素を気体の状態で活性炭と接触させて、含有する珪
素化合物、ホスゲン、ハロゲン化炭化水素及び金属を同
時に除去する三塩化硼素の精製法において、１００〜４
００℃に加熱した珪素含有量が０．２％以下の活性炭に
粗三塩化硼素の気体を接触させ、前記不純物を分解・吸
着除去することを特徴とする三塩化硼素の精製法に関
し、更にまた、前記不純物を分解除去して得られた三塩
化硼素の気体を−１０℃以下に冷却して、液化せしめ、
該液化した三塩化硼素を蒸留あるいは、液化した三塩化
硼素に該温度で気体の不活性ガスを吹き込み、前記の分
解処理で生成した一酸化炭素を除去することを特徴とす
る三塩化硼素の精製法に関する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明方法を更に詳細に説明
する。本発明の精製法において、活性炭を高温にする理
由は、ホスゲンおよびハロゲン化炭化水素の分解率を高
くするためである。しかし、今回１００〜２００℃の比
較的低温でもホスゲンのほとんどは除去された。また、
ホスゲンの分解により生じる一酸化炭素（ＣＯ）に着目
し、低温の活性炭から流出する三塩化硼素をガスクロマ
トグラフ分析したところ、ホスゲンの化学量に相応する
ＣＯが確認された。ハロゲン化炭化水素が粗ガス中にあ
る場合、ハロゲン化炭化水素を分解する温度は、２５０
℃以上の温度が好ましいが４００℃を越えて高くすると
珪素含量が増加するので好ましくない。
する。本発明の精製法において、活性炭を高温にする理
由は、ホスゲンおよびハロゲン化炭化水素の分解率を高
くするためである。しかし、今回１００〜２００℃の比
較的低温でもホスゲンのほとんどは除去された。また、
ホスゲンの分解により生じる一酸化炭素（ＣＯ）に着目
し、低温の活性炭から流出する三塩化硼素をガスクロマ
トグラフ分析したところ、ホスゲンの化学量に相応する
ＣＯが確認された。ハロゲン化炭化水素が粗ガス中にあ
る場合、ハロゲン化炭化水素を分解する温度は、２５０
℃以上の温度が好ましいが４００℃を越えて高くすると
珪素含量が増加するので好ましくない。
【００１４】必要により、ホスゲンの分解により生成す
るＣＯについては、三塩化硼素の気体を−１０℃以下、
好ましくは−１０℃以下−８５℃以上の範囲で冷却し
て、液化し、蒸留または、三塩化硼素の液化温度で液化
しない不活性ガスを、液化した三塩化硼素に吹き込みに
よる置換により簡単に除去が可能である。不活性ガスと
しては、窒素やヘリウム等の希ガスが挙げられる。この
不活性ガスの吹き込みは、三塩化硼素中に残留している
ＣＯ等の低沸点成分をバブリングにより、不活性ガスと
一緒に追い出すものである。
るＣＯについては、三塩化硼素の気体を−１０℃以下、
好ましくは−１０℃以下−８５℃以上の範囲で冷却し
て、液化し、蒸留または、三塩化硼素の液化温度で液化
しない不活性ガスを、液化した三塩化硼素に吹き込みに
よる置換により簡単に除去が可能である。不活性ガスと
しては、窒素やヘリウム等の希ガスが挙げられる。この
不活性ガスの吹き込みは、三塩化硼素中に残留している
ＣＯ等の低沸点成分をバブリングにより、不活性ガスと
一緒に追い出すものである。
【００１５】前記の表２に示すように、高温下における
活性炭での分解処理おいては、三塩化硼素が活性炭中に
含有される珪素と反応し揮発性の珪素化合物を生成する
ことから、分解反応は、珪素含有量の少ない椰子系の活
性炭を用い、珪素化合物の汚染を抑制するために１００
〜４００℃、好ましくは１５０〜４００℃、より好まし
くは２００〜４００℃の温度条件で行う。
活性炭での分解処理おいては、三塩化硼素が活性炭中に
含有される珪素と反応し揮発性の珪素化合物を生成する
ことから、分解反応は、珪素含有量の少ない椰子系の活
性炭を用い、珪素化合物の汚染を抑制するために１００
〜４００℃、好ましくは１５０〜４００℃、より好まし
くは２００〜４００℃の温度条件で行う。
【００１６】活性炭の充填された分解管を通す三塩化硼
素の空間速度（ＳＶ：ｈｒ-1）は、３０〜１００、好ま
しくは４０〜７０である。また、この分解処理に使う活
性炭は、事前に、水分のない窒素等の不活性ガスを流し
ながら、５００℃以上に加熱して活性炭中の水分を除去
する必要がある。活性炭中に水分が存在すると三塩化硼
素と反応して粉状の硼酸が生成して分解管等の閉塞の原
因になる。
素の空間速度（ＳＶ：ｈｒ-1）は、３０〜１００、好ま
しくは４０〜７０である。また、この分解処理に使う活
性炭は、事前に、水分のない窒素等の不活性ガスを流し
ながら、５００℃以上に加熱して活性炭中の水分を除去
する必要がある。活性炭中に水分が存在すると三塩化硼
素と反応して粉状の硼酸が生成して分解管等の閉塞の原
因になる。
【００１７】活性炭を充填する分解管の材質は、珪素含
有量が少ないステンレス製のものがが好ましい。用いる
活性炭は、珪素含有量が０．２％以下とできるだけ少な
いものを用いる必要がある、通常入手できる椰子殻系活
性炭（珪素含有量０．１２％）が好ましい。
有量が少ないステンレス製のものがが好ましい。用いる
活性炭は、珪素含有量が０．２％以下とできるだけ少な
いものを用いる必要がある、通常入手できる椰子殻系活
性炭（珪素含有量０．１２％）が好ましい。
【００１８】以下、実施例を用いて本発明を更に詳しく
説明する。
説明する。
【００１９】
実施例１ 粒状の椰子系活性炭（珪素含有量０．１２％）６０ｇを
内径２３．４ｍｍのＳＵＳ３０４製の円筒カラムに充填
し窒素を流しながら５００℃で１０時間加熱して活性炭
中の水分を除去する。次に水分除去した活性炭を２００
℃に保ち、ホスゲン５０ｐｐｍ、珪素３ｐｐｍ、塩素２
ｐｐｍ、金属２０ｐｐｍを含有する粗三塩化硼素を気体
状態にして窒素を混合し空間速度（ＳＶ）７４ｈｒ-1で
カラムに流通させ、２００ｇの三塩化硼素を供給した。
カラムから流出する三塩化硼素を６５０ｍｌのＳＵＳ３
０４製耐圧容器に誘導し−７０℃で冷却して１５８ｇの
三塩化硼素を捕捉した（三塩化硼素の一部は、捕捉容器
外にパ−ジしたり、ガスクロマトグラフ分析に使用した
ために捕捉量が減少）。得られた三塩化硼素の液を分析
したところホスゲン０．１ｐｐｍ以下、珪素０．３ｐｐ
ｍ以下、塩素２ｐｐｍ以下、金属０．１ｐｐｍとなっ
た。ホスゲン、珪素、塩素の分析は比色法、金属の分析
は誘導結合プラズマ発光分光法により実施した。
内径２３．４ｍｍのＳＵＳ３０４製の円筒カラムに充填
し窒素を流しながら５００℃で１０時間加熱して活性炭
中の水分を除去する。次に水分除去した活性炭を２００
℃に保ち、ホスゲン５０ｐｐｍ、珪素３ｐｐｍ、塩素２
ｐｐｍ、金属２０ｐｐｍを含有する粗三塩化硼素を気体
状態にして窒素を混合し空間速度（ＳＶ）７４ｈｒ-1で
カラムに流通させ、２００ｇの三塩化硼素を供給した。
カラムから流出する三塩化硼素を６５０ｍｌのＳＵＳ３
０４製耐圧容器に誘導し−７０℃で冷却して１５８ｇの
三塩化硼素を捕捉した（三塩化硼素の一部は、捕捉容器
外にパ−ジしたり、ガスクロマトグラフ分析に使用した
ために捕捉量が減少）。得られた三塩化硼素の液を分析
したところホスゲン０．１ｐｐｍ以下、珪素０．３ｐｐ
ｍ以下、塩素２ｐｐｍ以下、金属０．１ｐｐｍとなっ
た。ホスゲン、珪素、塩素の分析は比色法、金属の分析
は誘導結合プラズマ発光分光法により実施した。
【００２０】次に得られた三塩化硼素（６５０ｍｌＳＵ
Ｓ３０４製耐圧容器）を−２０℃に冷却し、容器内の三
塩化硼素液中にヘリウムをバブリングしながら吹き込
み、内圧を０．９８ＭＰａまで加圧した。その後、ガス
クロマトグラフ分析し、そのままパ−ジ脱圧した。この
操作を３回繰り返したところ、三塩化硼素液中の酸素
０．８ｐｐｍ、窒素８６．９ｐｐｍ、一酸化炭素５．２
ｐｐｍは全て０．１ｐｐｍ以下となった。
Ｓ３０４製耐圧容器）を−２０℃に冷却し、容器内の三
塩化硼素液中にヘリウムをバブリングしながら吹き込
み、内圧を０．９８ＭＰａまで加圧した。その後、ガス
クロマトグラフ分析し、そのままパ−ジ脱圧した。この
操作を３回繰り返したところ、三塩化硼素液中の酸素
０．８ｐｐｍ、窒素８６．９ｐｐｍ、一酸化炭素５．２
ｐｐｍは全て０．１ｐｐｍ以下となった。
【００２１】実施例２ 原料の粗三塩化硼素１３３６ｇにハロゲン化炭化水素を
添加し、ジクロロメタン（ＣＨ2Ｃｌ2）１００ｐｐｍ、
トリクロロメタン（ＣＨＣｌ3）１４１ｐｐｍ、テトラ
クロロメタン（ＣＣｌ4）１８１ｐｐｍの粗三塩化硼素
を調製した。これを原料として、実施例１の円筒カラム
の活性炭を３００℃に保ち、ハロゲン化炭化水素を含有
する粗三塩化硼素気流と窒素を混合し空間速度（ＳＶ）
４７でカラムに流通させ、６４ｇを供給した。カラムか
ら流出する三塩化硼素を６５０ｍｌのＳＵＳ３０４製耐
圧容器に誘導し−７０℃で冷却して５８ｇの三塩化硼素
を捕捉した。得られた三塩化硼素の液を分析したとこ
ろ、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）１０ｐｐｍ以下、
トリクロロメタン（ＣＨＣｌ3）１０ｐｐｍ以下、テト
ラクロロメタン（ＣＣｌ4）１０ｐｐｍ以下、ホスゲン
０．１ｐｐｍ以下、珪素０．３ｐｐｍ以下、塩素２ｐｐ
ｍ以下となった。有機塩素化合物の分析はガスクロマト
グラフ法、ホスゲン、珪素、塩素の分析は比色法により
実施した。
添加し、ジクロロメタン（ＣＨ2Ｃｌ2）１００ｐｐｍ、
トリクロロメタン（ＣＨＣｌ3）１４１ｐｐｍ、テトラ
クロロメタン（ＣＣｌ4）１８１ｐｐｍの粗三塩化硼素
を調製した。これを原料として、実施例１の円筒カラム
の活性炭を３００℃に保ち、ハロゲン化炭化水素を含有
する粗三塩化硼素気流と窒素を混合し空間速度（ＳＶ）
４７でカラムに流通させ、６４ｇを供給した。カラムか
ら流出する三塩化硼素を６５０ｍｌのＳＵＳ３０４製耐
圧容器に誘導し−７０℃で冷却して５８ｇの三塩化硼素
を捕捉した。得られた三塩化硼素の液を分析したとこ
ろ、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）１０ｐｐｍ以下、
トリクロロメタン（ＣＨＣｌ3）１０ｐｐｍ以下、テト
ラクロロメタン（ＣＣｌ4）１０ｐｐｍ以下、ホスゲン
０．１ｐｐｍ以下、珪素０．３ｐｐｍ以下、塩素２ｐｐ
ｍ以下となった。有機塩素化合物の分析はガスクロマト
グラフ法、ホスゲン、珪素、塩素の分析は比色法により
実施した。
【００２２】
【発明の効果】珪素含量が少ない椰子殻系活性炭を用い
た本発明方法は、珪素化合物の汚染を抑制しながら、ホ
スゲン、塩素、ハロゲン化炭化水素および金属を効率よ
く除去するものである。さらに本発明方法は活性炭が１
００℃以上であるため、活性炭に三塩化硼素が吸着され
ず、このため、精製される三塩化硼素の歩留まりが向上
する。
た本発明方法は、珪素化合物の汚染を抑制しながら、ホ
スゲン、塩素、ハロゲン化炭化水素および金属を効率よ
く除去するものである。さらに本発明方法は活性炭が１
００℃以上であるため、活性炭に三塩化硼素が吸着され
ず、このため、精製される三塩化硼素の歩留まりが向上
する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 明浩 富山県婦負郡婦中町笹倉635 日産化学工 業株式会社富山工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 粗三塩化硼素を気体の状態で活性炭と接
触させて、含有する珪素化合物、ホスゲン、ハロゲン化
炭化水素及び金属を同時に除去する三塩化硼素の精製法
において、１００〜４００℃に加熱した珪素含有量が
０．２％以下の活性炭に粗三塩化硼素の気体を接触さ
せ、前記不純物を分解・吸着除去することを特徴とする
三塩化硼素の精製法。 - 【請求項２】 活性炭が椰子殻活性炭である請求項１記
載の三塩化硼素の精製法。 - 【請求項３】 粗三塩化硼素を気体の状態で活性炭と接
触させて、含有する珪素化合物、ホスゲン、ハロゲン化
炭化水素及び金属を同時に除去する三塩化硼素の精製法
において、粗三塩化硼素を１００〜４００℃に加熱した
珪素含有量が０．２％以下の活性炭に接触させ、前記不
純物を分解・吸着除去し、次いで該精製した三塩化硼素
の気体を−１０℃以下に冷却して、液化せしめ、該液化
した三塩化硼素を蒸留あるいは、液化した三塩化硼素に
該温度で気体の不活性ガスを吹き込み、前記の分解処理
で生成した一酸化炭素を除去することを特徴とする三塩
化硼素の精製法。 - 【請求項４】 活性炭が椰子殻活性炭である請求項３記
載の三塩化硼素の精製法。 - 【請求項５】 不活性ガスが窒素ガス及び／又は希ガス
である請求項３または４に記載の三塩化硼素の精製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184597A JPH10265216A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 三塩化硼素の精製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7184597A JPH10265216A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 三塩化硼素の精製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10265216A true JPH10265216A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13472295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7184597A Pending JPH10265216A (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 三塩化硼素の精製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10265216A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0987163A2 (en) | 1998-09-18 | 2000-03-22 | Koyo Seiko Co., Ltd. | Power steering apparatus |
| EP1081095A1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-03-07 | L'air Liquide Société Anonyme pour l'étude et l'exploitation des procédés Georges Claude | Processes and systems for purification of boron trichloride |
| JP2010111550A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Ube Ind Ltd | 高純度三塩化ホウ素及びその製造方法 |
| JP2013144644A (ja) * | 2013-04-30 | 2013-07-25 | Ube Industries Ltd | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| CN105731481A (zh) * | 2014-12-12 | 2016-07-06 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种三氯化硼的提纯方法及其设备 |
| JP2019119614A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 宇部興産株式会社 | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| JP2019131418A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 宇部興産株式会社 | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| JP2019147715A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 宇部興産株式会社 | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| CN115724437A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-03-03 | 陕西天鼎工程技术有限公司 | 一种三氯化硼的提纯方法 |
| WO2024060352A1 (zh) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | 大连科利德光电子材料有限公司 | 电子级三氯化硼的提纯方法 |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP7184597A patent/JPH10265216A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0987163A2 (en) | 1998-09-18 | 2000-03-22 | Koyo Seiko Co., Ltd. | Power steering apparatus |
| EP1081095A1 (en) * | 1999-09-03 | 2001-03-07 | L'air Liquide Société Anonyme pour l'étude et l'exploitation des procédés Georges Claude | Processes and systems for purification of boron trichloride |
| US6238636B1 (en) | 1999-09-03 | 2001-05-29 | Air Liquide America Corporation | Process and systems for purification of boron trichloride |
| US6361750B2 (en) | 1999-09-03 | 2002-03-26 | Air Liquide America Corporation | Systems for purification of boron trichloride |
| JP2010111550A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Ube Ind Ltd | 高純度三塩化ホウ素及びその製造方法 |
| JP2013144644A (ja) * | 2013-04-30 | 2013-07-25 | Ube Industries Ltd | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| CN105731481A (zh) * | 2014-12-12 | 2016-07-06 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种三氯化硼的提纯方法及其设备 |
| JP2019119614A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 宇部興産株式会社 | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| JP2019131418A (ja) * | 2018-01-29 | 2019-08-08 | 宇部興産株式会社 | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| JP2019147715A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 宇部興産株式会社 | 高純度三塩化ホウ素の製造方法 |
| WO2024060352A1 (zh) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | 大连科利德光电子材料有限公司 | 电子级三氯化硼的提纯方法 |
| CN115724437A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-03-03 | 陕西天鼎工程技术有限公司 | 一种三氯化硼的提纯方法 |
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