JPH10268300A - 反射型ゲストホスト液晶表示装置 - Google Patents

反射型ゲストホスト液晶表示装置

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JPH10268300A
JPH10268300A JP9087748A JP8774897A JPH10268300A JP H10268300 A JPH10268300 A JP H10268300A JP 9087748 A JP9087748 A JP 9087748A JP 8774897 A JP8774897 A JP 8774897A JP H10268300 A JPH10268300 A JP H10268300A
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Masaki Munakata
昌樹 宗像
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置の画素開口
率を維持しつつ表示コントラストを改善する。 【解決手段】 反射型ゲストホスト液晶表示装置は所定
の間隙を介して互いに接合した一対の基板１，２と二色
性色素を含有し且つ間隙に保持されたゲストホスト液晶
３とを備えている。上側の基板１には少くとも対向電極
６が形成されている。下側の基板２には薄膜トランジス
タ８と、光反射層９とこれらの上方に成膜され且つ薄膜
トランジスタ８に連通するコンタクトホールを設けた四
分の一波長板層１０とその上にパタニングされ且つコン
タクトホールを介して薄膜トランジスタ８に接続する画
素電極１１とが形成されている。下側の基板２には個々
の画素電極１１の境界に沿って遮光性のブラックマトリ
クスＢＭが形成されている。光反射層９は凹凸が形成さ
れ且つ遮光性を有する樹脂膜９ａと、その表面に画素電
極１１と整合した形状で成膜された反射性の金属膜９ｂ
とからなる。ブラックマトリクスＢＭは樹脂膜９ａの一
部を利用して形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置に関する。詳しくは、四分の一波長板層と
光反射層とを装置内に内蔵して入射光の利用効率を改善
する技術に関する。より詳しくは、画素の周辺を遮光す
るブラックマトリクスの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】四分の一波長板層と光反射層とを内蔵し
た反射型ゲストホスト液晶表示装置は例えば特開平６−
２２２３５１号公報に開示されており、図６にその断面
構造を示す。この反射型液晶表示装置１０１は、上下一
対の基板１０２及び１０３、ゲストホスト液晶１０４、
二色性色素１０５、上下一対の透明電極１０６及び１１
０、上下一対の配向層１０７及び１１１、光反射層１０
８、四分の一波長板層１０９を含んで構成されている。
一対の基板１０２及び１０３は、例えばガラス、石英、
プラスチックなどの絶縁性を有する材料で構成されてい
る。また、少なくとも上側の基板１０２は透明である。
一対の基板１０２及び１０３の間隙には二色性色素１０
５を含むゲストホスト液晶１０４が保持されている。ゲ
ストホスト液晶１０４はネマティック液晶分子１０４ａ
を含んでおり、二色性色素１０５はその分子の長軸にほ
ぼ平行な遷移双極子モーメントを有する、所謂ｐ型色素
である。上側の基板１０２の内表面１０２ａには図示し
ないがスイッチング素子が集積形成されている。また、
透明電極１０６は画素電極としてマトリクス状にパタニ
ングされており、対応するスイッチング素子により駆動
される。更に、上側の基板１０２の内表面はポリイミド
樹脂などからなる配向層１０７で被覆されている。この
配向層１０７の表面は例えばラビング処理が施されてお
りネマティック液晶分子１０４ａを水平配向している。
【０００３】一方、下側の基板１０３の内表面１０３ａ
にはアルミニウムなどからなる光反射層１０８と、高分
子液晶などからなる四分の一波長板層１０９とがこの順
に形成されている。更に、四分の一波長板層１０９の上
には透明電極１１０と配向層１１１とがこの順に形成さ
れている。
【０００４】続いて、この反射型ゲストホスト液晶表示
装置１０１を用いて白黒表示を行なう場合の動作につい
て簡潔に説明する。電圧無印加状態では、ネマティック
液晶分子１０４ａは水平に配向しており、二色性色素１
０５も同様に配向する。上側の基板１０２側から入射し
た光がゲストホスト液晶１０４に進むと、入射光のうち
二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して平行な振動
面を持つ成分が二色性色素１０５によって吸収される。
また、二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して垂直
な振動面を持つ成分はゲストホスト液晶１０４を通過
し、下側の基板１０３の内表面１０３ａに形成された四
分の一波長板層１０９で円偏光とされて、光反射層１０
８で反射する。この時、反射光の偏光が逆回りとなり、
再び四分の一波長板層１０９を通過し、二色性色素１０
５の分子の長軸方向に対して平行な振動面を持つ成分と
なる。この成分は二色性色素１０５によって吸収される
のでほぼ完全な黒色表示となる。
【０００５】一方、電圧印加時にはネマティック液晶分
子１０４ａは電界方向に沿って垂直に配向し、二色性色
素１０５も同様に配向する。上側の基板１０２側から入
射した光は二色性色素１０５によって吸収されずにゲス
トホスト液晶１０４を通過し、更に四分の一波長板層１
０９で実質的な影響を受けることなく光反射層１０８で
反射する。反射光は再び四分の一波長板層１０９を通過
し、ゲストホスト液晶１０４で吸収されずに出射する。
従って白色表示となる。
【０００６】図６に示した従来構造では、画素駆動用の
スイッチング素子が入射側の基板に形成されている。ス
イッチング素子は薄膜トランジスタなどからなり入射光
を遮断する為、その分画素の開口率が低下する。これに
対処する為、反射側の基板にスイッチング素子を集積形
成した構造が開発されており、その例を図７に示す。図
示する様に、上側の基板２０１は全面的に形成された透
明電極からなる対向電極２０３ａを有し、下側の基板２
０２はマトリクス状に細分化された反射電極からなる画
素電極２０４ａを有している。即ち、本例はアクティブ
マトリクス型である。基板２０２の内表面にはマトリク
ス状にパタニングされた画素電極２０４ａに加え、これ
に対応して薄膜トランジスタＴＦＴも集積形成されてい
る。このＴＦＴは画素電極２０４ａを個々に駆動するス
イッチング素子となる。即ち、このＴＦＴを選択的にオ
ン／オフ制御して対応する画素電極２０４ａに信号電圧
を書き込む。ＴＦＴのドレイン領域Ｄは画素電極２０４
ａに接続し、ソース領域Ｓは信号配線２２１に接続して
いる。ＴＦＴのゲート電極Ｇはゲート配線に接続してい
る。又、各画素電極２０４ａに対応して補助容量Ｃｓも
形成されている。画素電極２０４ａは平坦化層２２２に
よりＴＦＴや補助容量Ｃｓ及び信号配線２２１などから
電気的に分離されている。一方、上側の基板２０１の内
表面には対向電極２０３ａが全面的に形成されている。
互いに所定の間隙を介して対向配置された両基板２０
１，２０２の間には電気光学体２０５が保持されてい
る。この電気光学体２０５はゲストホスト液晶２０６と
四分の一波長板層２０７とを含む積層構造を有する。ゲ
ストホスト液晶２０６はネマティック液晶分子２０９及
び二色性色素２０８を含有するとともに、上下の配向層
２１０及び２１１により水平配向されている。四分の一
波長板層２０７は画素電極２０４ａに沿って成膜されて
いる。
【０００７】画素電極２０４ａに信号電圧が書き込まれ
ると、対面する対向電極２０３ａとの間に電界が生じ、
ゲストホスト液晶２０６は吸収状態と透過状態との間で
変化する。この光学変化は画素電極毎に表われる為、所
望の画像表示を行なうことができる。画素電極２０４ａ
の下方にＴＦＴ、補助容量Ｃｓ、信号配線２２１などが
配置している。これらの構成要素は入射光路中に介在し
ない為、画素開口率に影響を与えない。換言すると、画
素電極２０４ａの面積がそのまま画素開口として利用で
き、明るい表示が可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した反射型ゲスト
ホスト液晶表示装置は背面照明用のバックライトを用い
ることなく自然光などの外光を利用して表示を行なう
為、明るい画面を得る為には画素の開口率を大きくする
必要がある。この点、上述した様に図７に示した構造は
開口率を充分確保することができる。一方、カラー表示
を行なう場合、各画素に対応して３原色に着色されたカ
ラーフィルタを対向基板２０１側に設ける。カラー表示
でコントラストを向上させる為には、個々の画素の境界
に沿って黒色の遮光体（ブラックマトリクス）を設ける
ことが必要である。従来、ブラックマトリクスはカラー
フィルタと同様に対向基板に設けていた。しかし、この
構造ではブラックマトリクスが形成された対向基板２０
１とＴＦＴが形成された基板２０２との間で正確に位置
合わせを行なう必要がある。しかしながら、機械的な精
度には限界があり位置合わせにある程度の誤差が生じ
る。この誤差を吸収する為ブラックマトリクスの幅はあ
る程度広く設計されており、その分画素の開口率が犠牲
になるという課題がある。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に係
る反射型ゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成とし
て、所定の間隙を介して互いに接合した一対の基板と、
二色性色素を含有し且つ該間隙に保持されたゲストホス
ト液晶とを備えている。一方の基板には少なくとも対向
電極が形成されている。他方の基板にはスイッチング素
子と、光反射層と、これらの上方に成膜され且つスイッ
チング素子に連通するコンタクトホールを設けた四分の
一波長板層と、該四分の一波長板層の上にパタニングさ
れ且つ該コンタクトホールを介して該スイッチング素子
に接続する画素電極とが形成されている。特徴事項とし
て、該他方の基板には個々の画素電極の境界に沿って遮
光性のブラックマトリクスが形成されている。具体的に
は、前記光反射層は凹凸が形成され且つ遮光性を有する
樹脂膜と、その表面に画素電極と整合した形状で成膜さ
れた反射性の金属膜とからなる一方、前記ブラックマト
リクスは該樹脂膜の一部を利用して形成されている。好
ましくは、前記樹脂膜は黒色の顔料又は染料を添加した
感光性の樹脂膜である。又好ましくは、前記光反射層と
前記四分の一波長板層との間に凹凸を埋める平坦化層が
介在しており、該平坦化層は個々の画素電極に対応して
着色されておりカラーフィルタとして機能する。
【００１０】本発明によれば、ブラックマトリクス及び
カラーフィルタを対向電極が形成された基板側ではな
く、画素電極やスイッチング素子が形成された基板側に
設けている。所謂オンチップ構造となっており、ブラッ
クマトリクスやカラーフィルタは高精度で画素電極と整
合させることが可能となり、充分な画素開口率を確保で
きる。従来の様に、対向電極が形成された基板と画素電
極が形成さた基板との重ね合わせ精度を考慮する必要が
なくなる。その分、ブラックマトリクスなどのパタンに
誤差を吸収する為のマージンを設ける必要がない。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置の基本的な構成を示しており、
（Ａ）は一画素分の断面図であり、（Ｂ）は一画素分の
平面図である。図示する様に、本表示装置は所定の間隙
を介して互いに接合した上下一対の基板１，２を用いて
構成されている。上側の基板１は入射側に位置しガラス
などの透明基材からなる。一方下側の基板２は反射側に
位置し、必ずしも透明材料を用いる必要はない。一対の
基板１，２の間隙にはゲストホスト液晶３が保持されて
いる。このゲストホスト液晶３は例えば負の誘電異方性
を有するネマティック液晶分子を主体とし、且つ二色性
色素を所定の割合で含有している。上側の基板１の内表
面には対向電極６と配向層（図示略）が形成されてい
る。対向電極６はＩＴＯなどの透明導電膜からなる。配
向層は例えばポリイミドフィルムからなり、ゲストホス
ト液晶３を垂直配向している。なお、本発明はこれに限
られるものではなく、図６や図７に示した様にゲストホ
スト液晶を水平配向してもよい。本実施形態では電圧無
印加状態でゲストホスト液晶３は垂直配向し、電圧印加
状態では水平配向に移行する。
【００１２】下側の基板２には少なくとも、薄膜トラン
ジスタ８からなるスイッチング素子と光反射層９と四分
の一波長板層１０と画素電極１１とが形成されている。
四分の一波長板層１０は薄膜トランジスタ８や光反射層
９の上方に成膜されており、且つ薄膜トランジスタ８に
連通するコンタクトホールが設けられている。画素電極
１１はこの四分の一波長板層１０の上にパタニングされ
ている。従って、画素電極１１と対向電極６との間でゲ
ストホスト液晶３に充分な電界を印加することが可能で
ある。この画素電極１１は四分の一波長板層１０に開口
したコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ８に電
気接続している。
【００１３】特徴事項として、下側の基板２には個々の
画素電極１１の境界に沿って遮光性のブラックマトリク
スＢＭが形成されている。一方、光反射層９は樹脂膜９
ａと金属膜９ｂの積層構造を有している。樹脂膜９ａは
凹凸が形成され且つ遮光性を有する。金属膜９ｂは画素
電極１１と整合した形状で樹脂膜９ａの上に成膜されて
いる。本実施形態では、上述したブラックマトリクスＢ
Ｍは遮光性を有する樹脂膜９ａの一部を利用して形成さ
れている。樹脂膜９ａは例えば黒色の顔料又は染料を添
加した感光性の樹脂膜である。なお、光反射層９と四分
の一波長板層１０との間に凹凸を埋める平坦化層１４が
介在している。この平坦化層１４は個々の画素電極１１
に対応して着色されており、カラーフィルタとして機能
する。以上の様に、本発明は画素電極１１や薄膜トラン
ジスタ８が形成された下側の基板２側にブラックマトリ
クスＢＭやカラーフィルタを集積形成した所謂オンチッ
プ構造を採用している。
【００１４】本発明では、散乱性を有する光反射層９を
構成する凹凸樹脂膜９ａ自体を黒色にして遮光性を付与
している。この黒色樹脂膜９ａの一部をブラックマトリ
クスＢＭに利用することで、ブラックマトリクスのオン
チップ構造を実現している。黒色樹脂膜９ａの表面にア
ルミニウムなどからなる反射性の金属膜９ｂが形成され
ている。この金属膜９ｂは上層に位置する画素電極１１
と同一パタンで形成されている。従って、画素電極１１
によって規定される開口内では、黒色の樹脂膜９ａは完
全に金属膜９ｂで被覆されており、外部から視認するこ
とはできない。換言すると、開口内では凹凸の付与され
た金属膜９ｂが観察されるだけである。（Ａ）に示す様
に、黒色樹脂膜９ａの一部は画素電極１１間にも延設さ
れている。この部分には金属膜９ｂが形成されていな
い。従って、隣り合う画素電極１１の間では黒色樹脂膜
９ａが視認できる構造となっており、（Ｂ）に示す様に
これがブラックマトリクスＢＭとなる。即ち、ブラック
マトリクスＢＭは画素電極１１を囲む様に格子状に形成
されている。ブラックマトリクスＢＭの幅は金属膜９ｂ
のパタンによって規定されており、正確に制御できる。
換言すると、ブラックマトリクスＢＭのパタン精度は金
属膜９ｂのパタン精度によって決まり、黒色樹脂膜９ａ
のパタン精度には全く依存していない。この様に、本発
明では実質上、金属膜９ｂのパタン精度によって画素の
開口率が規定される。なお、（Ｂ）に示す様に、格子状
に形成されたブラックマトリクスＢＭの下方にはゲート
配線１６ｘと信号配線２１ｙが形成されている。樹脂膜
９ａはフォトレジストなどの感光性を有する樹脂膜から
なり、黒色を呈する。フォトレジストはネガタイプ、ポ
ジタイプのどちらでも構わない。フォトレジストを黒色
にする為には、例えばあらかじめ黒色の染料又は顔料を
フォトレジスト材料に添加する。あるいは、透明なフォ
トレジストを所定の形状にパタニングした後、染料など
によって黒色に染色してもよい。場合によっては、透明
なフォトレジストを所定の形状にパタニングした後、熱
処理を加えて黒色にしてもよい。又、平坦化層１４は個
々の画素電極１１に対応して着色されており、ＲＧＢ又
はＹＭＣのカラーフィルタとして機能する。カラーフィ
ルタもオンチップ構造となる為、画素の開口率の低下を
招くことはない。カラーフィルタは染色法により形成す
ることができる。あるいは、印刷法を採用してもよい。
更には、顔料又は染料を分散したフォトレジストを使用
して形成することも可能である。ブラックマトリクス及
びカラーフィルタをオンチップにて下側の基板上に形成
することにより、上側の基板１には対向電極６を形成す
るだけでよくなり、上下一対の基板１，２の重ね合わせ
精度を考慮する必要がなくなる。
【００１５】引き続き図１を参照して、個々の要素につ
いて具体的な説明を加える。本実施形態では、四分の一
波長板層１０は一軸配向した高分子液晶膜で構成されて
いる。この高分子液晶膜を一軸配向する為一般には下地
配向層（図示せず）が用いられている。薄膜トランジス
タ８及び光反射層９の凹凸を埋める為平坦化層１４が介
在しており、上述した下地配向層はこの平坦化層１４の
上に形成される。そして、四分の一波長板層１０もこの
平坦化層１４の表面に成膜されている。この場合、画素
電極１１は四分の一波長板層１０及び平坦化層１４に設
けたコンタクトホールや中間電極１２ａを介して薄膜ト
ランジスタ８に接続することになる。光反射層９は個々
の画素電極１１に対応して細分化されている。個々に細
分化された部分は対応する画素電極１１と同電位に接続
されている。係る構成により、光反射層９と画素電極１
１との間に介在する四分の一波長板層１０や平坦化層１
４に不要な電界が加わることがない。光反射層９は図示
する様に散乱性の反射面を備えており、入射光の鏡面反
射を防止して画質の改善を図っている。薄膜トランジス
タ８はボトムゲート構造を有しており、下から順にゲー
ト電極１６、２層のゲート絶縁膜１７ａ，１７ｂ、半導
体薄膜１８を重ねた積層構造を有している。半導体薄膜
１８は例えば多結晶シリコンからなり、ゲート電極１６
と整合するチャネル領域は上側からストッパ１９により
保護されている。なお、本実施形態では薄膜トランジス
タ８は２本のゲート電極１６を用いたダブルゲート構造
となっているが、これに代えてシングルゲート構造を採
用してもよい。係る構成を有するボトムゲート型の薄膜
トランジスタ８は２層の層間絶縁膜２０ａ，２０ｂによ
り被覆されている。層間絶縁膜２０ａ，２０ｂには一対
のコンタクトホールが開口しており、これらを介してソ
ース電極２１及びドレイン電極２２が薄膜トランジスタ
８に電気接続している。ソース電極２１は前述した信号
配線２１ｙの一部を構成している。ドレイン電極２２は
光反射層９と同電位になっている。画素電極１１は中間
電極１２ａ及び光反射層９を介してドレイン電極２２と
電気接続している。一方、ソース電極２１には信号配線
２１ｙを介して信号電圧が供給される。なお、本実施形
態では薄膜トランジスタ８と同一の層構造で補助容量Ｃ
ｓも形成されている。
【００１６】次に、図２〜図５の工程図を参照して、本
発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法
を具体的に説明する。なお、理解を容易にする為、ここ
では図１に示した構造をより簡略化した形で製造方法を
説明する。まず図２の工程（Ａ１）に示す様に、絶縁性
の基板２の表面に薄膜トランジスタ８を集積形成する。
具体的には、基板２の表面に高融点金属膜を成膜した後
所定の形状にパタニングしてゲート電極１６に加工す
る。このゲート電極１６を被覆する様にＣＶＤなどで酸
化シリコンや窒化シリコンを堆積し、ゲート絶縁膜１７
とする。更にその上にＣＶＤなどで多結晶シリコンなど
からなる半導体薄膜１８を成膜する。この半導体薄膜１
８を薄膜トランジスタ８の素子領域の形状に合わせて島
状にパタニングする。半導体薄膜１８の上にゲート電極
１６と整合して酸化シリコンなどからなるストッパ１９
をパタニング形成する。このストッパ１９をマスクとし
てイオンドーピングあるいはイオンインプラテーション
により不純物を半導体薄膜１８に注入する。これによ
り、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタ８が得られ
る。なお、本発明はこれに限られるものではなく、スイ
ッチング素子としてボトムゲート構造の薄膜トランジス
タに代えトップゲート構造の薄膜トランジスタを用いて
もよい。あるいは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代え
てＭＩＭなどの２端子素子を用いてもよい。薄膜トラン
ジスタ８を被覆する様にＰＧＳなどを堆積し層間絶縁膜
２０とする。この層間絶縁膜２０にコンタクトホールを
開口した後、アルミニウムなどを全面的に成膜する。こ
れを所定の形状にパタニングして、ソース電極２１及び
信号配線に加工する。図示する様に、ソース電極２１は
コンタクトホールを介して薄膜トランジスタ８のソース
領域に電気接続する。
【００１７】工程（Ａ２）に進み、層間絶縁膜２０の表
面に光感光性の樹脂膜９ａを全面的に塗布する。光感光
性の樹脂膜１９ａとしては例えばフォトレジストを用い
ることができる。このフォトレジストにはあらかじめ黒
色の顔料又は染料が添加されており、遮光性が付与され
ている。工程（Ａ３）に進み、所定のマスクを介してフ
ォトレジストを露光処理し、樹脂膜９ａを例えば離散的
な円柱状にパタニング加工する。この際、ブラックマト
リクスＢＭとして機能する部分にも樹脂膜９ａを残して
おく。工程（Ａ４）に進み、絶縁基板２を加熱処理して
樹脂膜９ａのリフローを行なう。このリフローによりフ
ォトレジストの円柱形状はなだらかに変形し、所望の凹
凸形状が得られる。
【００１８】図３の工程（Ｂ）に進み、樹脂膜９ａの凹
凸面に所望の膜厚で良好な反射率を有するアルミニウム
などの金属膜９ｂを真空蒸着などにより形成する。凹凸
の深さ寸法を数μｍに設定することで、良好な光散乱特
性が得られ金属膜９ｂは白色を呈する。金属膜９ｂは所
定の形状にパタニングされ、画素電極に整合した光反射
層９が得られる。この時同時に、ソース電極２１を含む
信号配線の上から金属膜９ｂが除去されており、ブラッ
クマトリクスＢＭが形成される。更に、薄膜トランジス
タ８のドレイン電極２２も同時に金属膜９ｂで形成され
る。図から明らかな様に、金属膜９ｂはドレイン電極２
２と同電位である。
【００１９】工程（Ｃ）に進み、光反射層９の上に平坦
化層１４を形成して凹凸を埋める。本実施例では平坦化
層１４はＲＧＢに着色したフォトレジストを用いてい
る。まず、Ｒ（赤）に着色したフォトレジストをスピン
コートで塗布し凹凸を埋める。これを光反射層９に整合
してパタニングすることで、赤色のカラーフィルタを形
成している。Ｇ（緑）及びＢ（青）のフォトレジストを
用いて同様の加工を繰り返し、ＲＧＢカラーフィルタを
設ける。この後、四分の一波長板層を形成する処理に進
む。まず、平坦化層１４の上に下地配向層１３を形成し
た後、その上に高分子液晶を塗工して一軸配向させるこ
とにより四分の一波長板層を形成する。この際、平坦化
層１４を介在させることで下地配向層１３の成膜及びラ
ビング処理が安定に行なえる。下地配向層１３は例えば
ポリイミドフィルムからなり、所定の配向方向に沿って
ラビング処理が施される。場合によっては平坦化層１４
の表面を直接ラビングしてもよい。
【００２０】次に工程（Ｄ）に進み、上述した下地配向
層１３の上に実際に四分の一波長板層１０を形成する。
具体的には、高分子液晶を所定の膜厚で下地配向層１３
の上に塗工する。この高分子液晶は所定の転位点を境に
して高温側のネマティック液晶相と低温側のガラス固体
相との間を相転位可能な材料である。例えば、この高分
子液晶は室温でガラス状態であり、好ましくは１００℃
以上に転位点を持つ主鎖型又は側鎖型である。この高分
子液晶は光学的には可視領域に吸収のない透明物質であ
る。この高分子液晶を有機溶媒（例えばシクロヘキサン
とｎ−ブタノンの混合溶液）に溶解させた後、スピンコ
ーティングによって下地配向層１３の表面に塗布する。
スピンコーティングを行なう場合、溶液の濃度やスピン
回転数などの条件を適宜設定して、形成される薄膜の膜
厚が可視光領域でλ／４の位相差を生じさせる様にす
る。なお、λは入射光の波長である。この後温度処理を
行ない、基板２を一旦転位点以上に加熱した後転位点以
下の室温まで除冷し、成膜された高分子液晶を配向方向
に整列させて四分の一波長板層１０を形成する。例えば
１００℃以上の転位点を有し高分子の主鎖又は側鎖に液
晶分子を導入した高分子液晶材料に対して加熱及び冷却
を行なう。成膜段階では高分子液晶に含まれる液晶分子
はランダムな状態にあるのに対し、除冷後では液晶分子
は配向方向に沿って整列し、所望の一軸光学異方性が得
られる。具体的には、高分子液晶を成膜した基板２をあ
らかじめネマティック相温度又はイソトロピック相温度
に設定されたオーブンに投入して加熱する。その後除冷
して室温まで戻す。これによってコーティングされた高
分子液晶があらかじめ配向処理しておいた下地配向層１
３の配向方向に整列する。
【００２１】次に図４に示す様に、四分の一波長板層１
０、下地配向層１３及び平坦化層１４の積層に対して下
方の薄膜トランジスタ８のドレイン電極２２に連通する
コンタクトホールを開口する。まず工程（Ｅ）で四分の
一波長板層１０の表面に感光膜１０ａを全面的に塗工す
る。工程（Ｆ）に進み感光膜１０ａの露光処理を行な
う。例えば、マスク１０ｂを介して感光膜１０ａを露光
することにより、光の照射を受けた部分が硬化する一
方、光の照射を受けなかった部分が未硬化で残される。
本実施例では、水溶性の感光膜１０ａを用いている。工
程（Ｇ）に進み、純水などを用いて現像処理を行ない、
感光膜１０ａから未硬化の部分を除去する。この様なフ
ォトリソグラフィ工程により感光膜１０ａは所望の形状
にパタニングされる。即ち、図示する様にドレイン電極
２２と整合する様に感光膜１０ａに窓１０ｃが開けられ
る。工程（Ｈ）に進み、パタニングされた感光膜をマス
クとして四分の一波長板層１０、下地配向層１３及び平
坦化層１４をエッチングしコンタクトホールを開口す
る。このエッチング工程はドライエッチング方式を採用
することができる。
【００２２】図５の工程（Ｉ）に進み、四分の一波長板
層１０の上にコンタクトホール１２を介して薄膜トラン
ジスタ８のドレイン電極２２と接続する様に画素電極１
１を形成する。例えば、ＩＴＯなどからなる透明導電膜
をスパッタリングで成膜した後、エッチングにより所定
の形状にパタニングすることで画素電極１１を形成でき
る。図から明らかな様に、互いに隣り合う画素電極１１
の境界には下地のブラックマトリクスＢＭが整合してい
る。工程（Ｊ）に進み、画素電極１１を被覆する様に配
向層１５を形成する。例えば垂直配向用のポリイミドフ
ィルムを成膜することで所望の配向層１５が得られる。
最後に工程（Ｋ）で、あらかじめ対向電極６及び配向層
７が形成された透明基板１を所定の間隙を介して絶縁基
板２に接合する。両基板１，２の間隙にゲストホスト液
晶３を注入すれば、反射型ゲストホスト液晶表示装置の
完成となる。なお、ゲストホスト液晶３はホストなるネ
マティック液晶４にゲストとなる二色性色素５を添加し
たものである。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
四分の一波長板層、光反射層、画素電極、薄膜トランジ
スタなどを絶縁基板に集積した反射型ゲストホスト液晶
表示装置において、各画素間のブラックマトリクスを絶
縁基板上に形成することにより、開口率を減少させるこ
となくコントラストを向上させることが可能になった。
特に、光反射層の下地をなす凹凸樹脂膜に黒色顔料又は
染料を添加したフォトレジストを用いることにより、開
口率を低下させず且つ工程を増やすことなく、画素間に
ブラックマトリクスを形成することが可能となり、表示
コントラストが顕著に改善できる。更には、ブラックマ
トリクスばかりでなく平坦化層を利用してカラーフィル
タを絶縁基板上に形成することにより、対向基板には対
向電極のみを形成するだけでよくなり、両基板の重ね合
わせ精度を考慮する必要がなくなり、その分画素開口率
を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置
の基本的な構成を示す断面図及び平面図である。
【図２】本発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。
【図４】本発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。
【図６】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す断面図である。
【図７】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の他の
例を示す断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板、２・・・基板、３・・・ゲストホスト液
晶、６・・・対向電極、８・・・薄膜トランジスタ、９
・・・光反射層、９ａ・・・樹脂膜、９ｂ・・・金属
膜、１０・・・四分の一波長板層、１１・・・画素電
極、１４・・・平坦化層、ＢＭ・・・ブラックマトリク
ス

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の間隙を介して互いに接合した一対
    の基板と、二色性色素を含有し且つ該間隙に保持された
    ゲストホスト液晶とを備え、 一方の基板には少なくとも対向電極が形成されており、 他方の基板にはスイッチング素子と、光反射層と、これ
    らの上方に成膜され且つスイッチング素子に連通するコ
    ンタクトホールを設けた四分の一波長板層と、該四分の
    一波長板層の上にパタニングされ且つ該コンタクトホー
    ルを介して該スイッチング素子に接続する画素電極とが
    形成された反射型ゲストホスト液晶表示装置であって、 該他方の基板には個々の画素電極の境界に沿って遮光性
    のブラックマトリクスが形成されていることを特徴とす
    る反射型ゲストホスト液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記光反射層は、凹凸が形成され且つ遮
    光性を有する樹脂膜と、その表面に画素電極と整合した
    形状で成膜された反射性の金属膜からなり、 前記ブラックマトリクスは該樹脂膜の一部を利用して形
    成されていることを特徴とする請求項１記載の反射型ゲ
    ストホスト液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記樹脂膜は黒色の顔料又は染料を添加
    した感光性の樹脂膜であることを特徴とする請求項２記
    載の反射型ゲストホスト液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記光反射層と前記四分の一波長板層と
    の間に凹凸を埋める平坦化層が介在しており、該平坦化
    層は個々の画素電極に対応して着色されておりカラーフ
    ィルタとして機能することを特徴とする請求項２記載の
    反射型ゲストホスト液晶表示装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323715A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Sony Corp 表示用薄膜半導体素子及び表示装置
KR20020077280A (ko) * 2002-03-11 2002-10-11 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 다중 도메인 액정 디스플레이의 반사체 구조 및, 그것의제조 방법
US6803980B2 (en) 1998-10-23 2004-10-12 Hitachi, Ltd. Reflective color liquid crystal display apparatus
KR100482488B1 (ko) * 2001-06-05 2005-04-14 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치, 전자 기기 및 전기 광학 장치의 제조 방법
KR100745412B1 (ko) * 2001-04-17 2007-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법
KR100803168B1 (ko) * 2001-07-20 2008-02-14 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100806893B1 (ko) * 2001-07-03 2008-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100827856B1 (ko) * 2006-07-07 2008-05-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의어레이기판 및 그 제조방법
JP2010072512A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
JP2014078023A (ja) * 2013-11-29 2014-05-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2015007779A (ja) * 1999-01-28 2015-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6819393B1 (en) 1998-07-28 2004-11-16 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical device and display apparatus using light diffraction and light guide
US6618104B1 (en) * 1998-07-28 2003-09-09 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical device having reverse mode holographic PDLC and front light guide
KR100310946B1 (ko) * 1999-08-07 2001-10-18 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100603851B1 (ko) * 2000-02-12 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정 표시장치
TWI251101B (en) * 2000-08-02 2006-03-11 Allied Material Technology Cor A liquid crystal display and a method for fabricating the same
KR100641628B1 (ko) * 2000-08-21 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 블랙레진을 이용한 반사형 및 반투과형 액정표시장치
JP2002202503A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3467246B2 (ja) * 2000-11-10 2003-11-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置
JP3866522B2 (ja) * 2001-02-14 2007-01-10 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP2002296618A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp 液晶表示装置およびその製造方法
US6587179B2 (en) * 2001-06-28 2003-07-01 Wintek Corporation High contrast ratio reflective STN LCD structure
JP4790937B2 (ja) * 2001-07-09 2011-10-12 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
TW574533B (en) * 2001-10-23 2004-02-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display device structure
TWI292849B (ja) * 2001-12-31 2008-01-21 Prime View Int Corp Ltd
JP4237442B2 (ja) * 2002-03-01 2009-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型液晶表示装置
JP4087620B2 (ja) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4101533B2 (ja) * 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型の液晶表示装置の作製方法
JP2004053828A (ja) * 2002-07-18 2004-02-19 Alps Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
KR100959366B1 (ko) 2003-07-04 2010-05-24 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법
US7046315B2 (en) * 2002-12-06 2006-05-16 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate of liquid crystal display device having color filter on thin film transistor structure and method of fabricating the same
KR101580144B1 (ko) * 2008-12-18 2015-12-29 삼성디스플레이 주식회사 반사형 액정표시패널, 이에 사용되는 표시 기판의 제조 방법 및 표시패널의 제조 방법
US9577104B2 (en) * 2014-11-11 2017-02-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd COA substrate and liquid crystal display panel
US11860491B2 (en) 2021-02-26 2024-01-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, preparation method thereof, and display apparatus
CN114967209B (zh) * 2021-02-26 2023-11-17 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04253028A (ja) * 1991-01-30 1992-09-08 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JPH06342153A (ja) * 1993-06-02 1994-12-13 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその作成方法
JPH08106087A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Fuji Xerox Co Ltd 反射型液晶表示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2991258B2 (ja) * 1990-11-16 1999-12-20 キヤノン株式会社 強誘電性液晶素子および液晶表示装置
JP2812851B2 (ja) * 1993-03-24 1998-10-22 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
US6124911A (en) * 1994-07-29 2000-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Reflection LCD with a counter substrate having a plurality of curved areas
KR100207135B1 (ko) * 1994-10-18 1999-07-15 니시무로 타이죠 반사형 액정표시소자 및 그 제조방법
JP3296719B2 (ja) * 1995-07-14 2002-07-02 キヤノン株式会社 カラー液晶表示素子及び該カラー液晶表示素子の製造方法
JPH09127524A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Sharp Corp 液晶表示素子
US6061111A (en) * 1995-11-30 2000-05-09 Sony Corporation Reflective LCD having orientation film formed on quarter wavelayer and planarizing film formed on reflector layer
JPH1031231A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Sony Corp 反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法
US6016178A (en) * 1996-09-13 2000-01-18 Sony Corporation Reflective guest-host liquid-crystal display device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04253028A (ja) * 1991-01-30 1992-09-08 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JPH06342153A (ja) * 1993-06-02 1994-12-13 Sharp Corp 反射型液晶表示装置およびその作成方法
JPH08106087A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Fuji Xerox Co Ltd 反射型液晶表示装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6803980B2 (en) 1998-10-23 2004-10-12 Hitachi, Ltd. Reflective color liquid crystal display apparatus
JP2015007779A (ja) * 1999-01-28 2015-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2017033003A (ja) * 1999-01-28 2017-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2016106244A (ja) * 1999-01-28 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
JP2000323715A (ja) * 1999-05-12 2000-11-24 Sony Corp 表示用薄膜半導体素子及び表示装置
KR100745412B1 (ko) * 2001-04-17 2007-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사판을 구비한 액정 표시소자 및 그 제조방법
KR100482488B1 (ko) * 2001-06-05 2005-04-14 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치, 전자 기기 및 전기 광학 장치의 제조 방법
KR100806893B1 (ko) * 2001-07-03 2008-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100803168B1 (ko) * 2001-07-20 2008-02-14 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20020077280A (ko) * 2002-03-11 2002-10-11 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 다중 도메인 액정 디스플레이의 반사체 구조 및, 그것의제조 방법
KR100827856B1 (ko) * 2006-07-07 2008-05-07 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의어레이기판 및 그 제조방법
JP2010072512A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
JP2014078023A (ja) * 2013-11-29 2014-05-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

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