JPH10269780A - バッテリバックアップ構成が可能な出力バッファ - Google Patents
バッテリバックアップ構成が可能な出力バッファInfo
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- JPH10269780A JPH10269780A JP31354497A JP31354497A JPH10269780A JP H10269780 A JPH10269780 A JP H10269780A JP 31354497 A JP31354497 A JP 31354497A JP 31354497 A JP31354497 A JP 31354497A JP H10269780 A JPH10269780 A JP H10269780A
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—ELECTRIC POWER NETWORKS; CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J9/00—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting
- H02J9/04—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source
- H02J9/06—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source with automatic change-over, e.g. UPS systems
- H02J9/061—Circuit arrangements for emergency or stand-by power supply, e.g. for emergency lighting in which the distribution system is disconnected from the normal source and connected to a standby source with automatic change-over, e.g. UPS systems for DC powered loads
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- Static Random-Access Memory (AREA)
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッテリ電源動作時でさえ、明確に規定され
た信号を供給するバッテリバックアップ出力バッファを
提供することを目的とする。 【解決手段】 このバッファは、主電源30による動作
中に出力データを供給するための及びバッテリ32の動
作中にトライステートに切り換えるための標準出力バッ
ファ16を含む。このバッファは、更に、バッテリ動作
中は予め決められた出力信号を供給し且つ主電源動作中
はトライステートとされるバッテリバックアップ出力バ
ッファ18も含む。
た信号を供給するバッテリバックアップ出力バッファを
提供することを目的とする。 【解決手段】 このバッファは、主電源30による動作
中に出力データを供給するための及びバッテリ32の動
作中にトライステートに切り換えるための標準出力バッ
ファ16を含む。このバッファは、更に、バッテリ動作
中は予め決められた出力信号を供給し且つ主電源動作中
はトライステートとされるバッテリバックアップ出力バ
ッファ18も含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に出力バッ
ファに係わり、更に特に、バッテリ切換え電源信号によ
って動作する出力バッファに係わる。
ファに係わり、更に特に、バッテリ切換え電源信号によ
って動作する出力バッファに係わる。
【0002】
【従来の技術】プログラマブルシステムデバイス(PS
D)、例えば、本発明の譲受人であるWafersca
le Integration Inc.によって生産
されるPSDは、揮発性ランダムアクセスメモリ(RA
M)(「スタティックRAM」即ちSRAMとしても知
られる)アレイと、プログラマブル論理(ロジック)デ
バイス(PLD)と、電気的にプログラム可能な読出し
専用メモリ(EPROM)アレイと、各論理ブロックと
を単一チップ上に組み合わせる。
D)、例えば、本発明の譲受人であるWafersca
le Integration Inc.によって生産
されるPSDは、揮発性ランダムアクセスメモリ(RA
M)(「スタティックRAM」即ちSRAMとしても知
られる)アレイと、プログラマブル論理(ロジック)デ
バイス(PLD)と、電気的にプログラム可能な読出し
専用メモリ(EPROM)アレイと、各論理ブロックと
を単一チップ上に組み合わせる。
【0003】SRAMは、そのメモリ内に格納された情
報を維持するために、電源を必要とする。こうした電源
は、VLSI回路全体用の主電源であることが典型的で
ある。しかし、そのVLSI回路が、場合に応じて電源
が遮断されるタイプである場合には、SRAMアレイ内
に格納された情報が失われることになる。SRAMアレ
イを使用するが情報の維持を必要とするこれらの回路
は、主電源の故障時又はパワーダウン時に起動されるバ
ッテリバックアップ電源を備えている。バッテリバック
アップ電源の電圧レベルは、典型的には、情報維持に必
要な最低電圧レベルであり、主電源の電圧レベルよりも
著しく低い。
報を維持するために、電源を必要とする。こうした電源
は、VLSI回路全体用の主電源であることが典型的で
ある。しかし、そのVLSI回路が、場合に応じて電源
が遮断されるタイプである場合には、SRAMアレイ内
に格納された情報が失われることになる。SRAMアレ
イを使用するが情報の維持を必要とするこれらの回路
は、主電源の故障時又はパワーダウン時に起動されるバ
ッテリバックアップ電源を備えている。バッテリバック
アップ電源の電圧レベルは、典型的には、情報維持に必
要な最低電圧レベルであり、主電源の電圧レベルよりも
著しく低い。
【0004】バックアップ電源を使用するためには、該
2つの電源の電圧レベルを連続的に比較し、主電源の電
圧レベルがバックアップ電源の電圧レベルよりも降下す
る時にバックアップ電源に電源を切り換える切換えスイ
ッチング回路が必要である。このスイッチング回路の出
力が切換え電源信号である。出力バッファは出力信号を
出力ピンに供給し、一方、出力ピンは信号を外部に供給
する。主電源が遮断される場合に動作は生じず、従来技
術では、スタンバイ電力時に出力ピンによって供給され
る信号は無視される。従って、従来技術では、出力バッ
ファには電力供給されず、出力ピンがフローティング又
は不確定の信号を供給する。
2つの電源の電圧レベルを連続的に比較し、主電源の電
圧レベルがバックアップ電源の電圧レベルよりも降下す
る時にバックアップ電源に電源を切り換える切換えスイ
ッチング回路が必要である。このスイッチング回路の出
力が切換え電源信号である。出力バッファは出力信号を
出力ピンに供給し、一方、出力ピンは信号を外部に供給
する。主電源が遮断される場合に動作は生じず、従来技
術では、スタンバイ電力時に出力ピンによって供給され
る信号は無視される。従って、従来技術では、出力バッ
ファには電力供給されず、出力ピンがフローティング又
は不確定の信号を供給する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、バッテリ電
源動作中でさえ明確に規定された信号を供給する、バッ
テリバックアップ構成が可能な出力バッファ(batt
ery backed,configurable o
utput buffer)を提供する。
源動作中でさえ明確に規定された信号を供給する、バッ
テリバックアップ構成が可能な出力バッファ(batt
ery backed,configurable o
utput buffer)を提供する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のバッファは、主
電源による動作中に出力データを供給し且つバッテリ電
源動作中にトライステート(tri−state)に切
り換わるための標準的な出力バッファを含む。本発明の
バッファは、更に、少なくともバッテリ動作中に作動し
て予め決められた出力信号を供給するバッテリバックア
ップ構成が可能な出力バッファも含む。
電源による動作中に出力データを供給し且つバッテリ電
源動作中にトライステート(tri−state)に切
り換わるための標準的な出力バッファを含む。本発明の
バッファは、更に、少なくともバッテリ動作中に作動し
て予め決められた出力信号を供給するバッテリバックア
ップ構成が可能な出力バッファも含む。
【0007】本発明の好ましい実施様態の1つでは、こ
のバッテリバックアップ構成が可能な出力バッファは、
出力ユニットと構成ユニットとを含む。バッテリ電源に
よって電力供給される出力ユニットは、バッテリバック
アップ動作中は予め規定された出力信号を生じさせ、主
電源動作中はトライステート信号を生じさせる。構成ユ
ニットは、予め決められた構成信号に従って出力ユニッ
トを活性化又は非活性化させる。
のバッテリバックアップ構成が可能な出力バッファは、
出力ユニットと構成ユニットとを含む。バッテリ電源に
よって電力供給される出力ユニットは、バッテリバック
アップ動作中は予め規定された出力信号を生じさせ、主
電源動作中はトライステート信号を生じさせる。構成ユ
ニットは、予め決められた構成信号に従って出力ユニッ
トを活性化又は非活性化させる。
【0008】更に、本発明の好ましい実施様態の1つで
は、構成ユニットがpチャネルトランジスタとnチャネ
ルトランジスタとを含む。pチャネルトランジスタはバ
ッテリ電源と出力ユニットとの間に接続され、予め決め
られた構成信号によって活性化される。nチャネルトラ
ンジスタは出力ユニットと接地ソースとの間に接続さ
れ、上記予め決められた構成信号の相補によって活性化
される。構成ユニットは、構成信号によってそのように
示される場合にだけ出力ユニットをイネーブルする。
は、構成ユニットがpチャネルトランジスタとnチャネ
ルトランジスタとを含む。pチャネルトランジスタはバ
ッテリ電源と出力ユニットとの間に接続され、予め決め
られた構成信号によって活性化される。nチャネルトラ
ンジスタは出力ユニットと接地ソースとの間に接続さ
れ、上記予め決められた構成信号の相補によって活性化
される。構成ユニットは、構成信号によってそのように
示される場合にだけ出力ユニットをイネーブルする。
【0009】これに加えて、本発明の好ましい実施様態
の1つでは、上記構成可能な出力バッファが、バッテリ
オフ信号によって制御される第2のpチャネルトランジ
スタと、バッテリオン信号によって制御される第2のn
チャネルトランジスタとを含む。バッテリオフ信号及び
バッテリオン信号は、バッテリがオンである時にだけ出
力ユニットをイネーブルする。
の1つでは、上記構成可能な出力バッファが、バッテリ
オフ信号によって制御される第2のpチャネルトランジ
スタと、バッテリオン信号によって制御される第2のn
チャネルトランジスタとを含む。バッテリオフ信号及び
バッテリオン信号は、バッテリがオンである時にだけ出
力ユニットをイネーブルする。
【0010】更に、本発明の好ましい実施様態の1つで
は、上記構成可能な出力バッファが、バッテリ電源と構
成ユニットとの間に接続されたダイオードを含む。更
に、本発明の好ましい実施様態の1つでは、出力ライ
ン、プルアップブランチ(pull−up branc
h)、プルダウンブランチ(pull−down br
anch)、及び、バッテリ操作ユニットを含む、バッ
テリ切替え可能な出力バッファも提供される。プルアッ
プブランチは、送出されるべきデータを受け取り、その
データがハイ電圧レベルを有する場合に出力ラインの電
圧をプルアップする。プルダウンブランチは、送出され
るべきデータを受け取り、そのデータがロウ電圧レベル
を有する場合に出力ラインの電圧をプルダウンする。バ
ッテリ動作中は、バッテリ操作ユニットが各該ブランチ
の両方をオフ位置にし、それによってトライステート出
力を供給する。
は、上記構成可能な出力バッファが、バッテリ電源と構
成ユニットとの間に接続されたダイオードを含む。更
に、本発明の好ましい実施様態の1つでは、出力ライ
ン、プルアップブランチ(pull−up branc
h)、プルダウンブランチ(pull−down br
anch)、及び、バッテリ操作ユニットを含む、バッ
テリ切替え可能な出力バッファも提供される。プルアッ
プブランチは、送出されるべきデータを受け取り、その
データがハイ電圧レベルを有する場合に出力ラインの電
圧をプルアップする。プルダウンブランチは、送出され
るべきデータを受け取り、そのデータがロウ電圧レベル
を有する場合に出力ラインの電圧をプルダウンする。バ
ッテリ動作中は、バッテリ操作ユニットが各該ブランチ
の両方をオフ位置にし、それによってトライステート出
力を供給する。
【0011】更に、本発明による好ましい実施様態の1
つでは、出力ライン、プルアップブランチ、プルダウン
ブランチ、出力ラインにその出力側において接続された
pチャネルプルアップトランジスタ、出力ラインにその
入力側において接続されたnチャネルプルダウントラン
ジスタ、及び、バッテリ操作ユニットを含む、バッテリ
切換え可能な出力バッファが提供される。プルアップブ
ランチは、データがハイ電圧レベルを有する場合にプル
アップトランジスタのゲートを活性化し、プルダウンブ
ランチは、データがロウ電圧レベルを有する時にプルダ
ウントランジスタのゲートを活性化する。バッテリ操作
ユニットは、バッテリオン時にハイであるバッテリオン
信号によって制御され、上記各ブランチの両方をバッテ
リ動作中に非活性化し、それによって、上記トランジス
タの両方を非活性化し、トライステート出力信号を出力
ライン上に供給する。
つでは、出力ライン、プルアップブランチ、プルダウン
ブランチ、出力ラインにその出力側において接続された
pチャネルプルアップトランジスタ、出力ラインにその
入力側において接続されたnチャネルプルダウントラン
ジスタ、及び、バッテリ操作ユニットを含む、バッテリ
切換え可能な出力バッファが提供される。プルアップブ
ランチは、データがハイ電圧レベルを有する場合にプル
アップトランジスタのゲートを活性化し、プルダウンブ
ランチは、データがロウ電圧レベルを有する時にプルダ
ウントランジスタのゲートを活性化する。バッテリ操作
ユニットは、バッテリオン時にハイであるバッテリオン
信号によって制御され、上記各ブランチの両方をバッテ
リ動作中に非活性化し、それによって、上記トランジス
タの両方を非活性化し、トライステート出力信号を出力
ライン上に供給する。
【0012】更に、本発明による好ましい実施様態の1
つでは、バッテリ操作ユニットが、プルアップブランチ
非活性器(pull−up branch deact
ivator)とプルダウンブランチ非活性器(pul
l−down branchdeactivator)
とを含む。プルアップブランチ非活性器は、nチャネル
パストランジスタ、pチャネルパストランジスタ、及
び、第2のpチャネルプルアップトランジスタを含む。
pチャネルパストランジスタはバッテリオン信号によっ
て制御され、その出力は第1のpチャネルプルアップト
ランジスタのゲートに接続される。nチャネルパストラ
ンジスタは、pチャネルパストランジスタに並列に接続
され、バッテリオン信号の相補によって制御される。第
2のpチャネルプルアップトランジスタはバッテリオン
信号の相補によって制御され、その出力も同様にpチャ
ネルプルアップトランジスタのゲートに接続される。バ
ッテリオン信号がハイである時には、上記各パストラン
ジスタが非活性化され、且つ、第2のpチャネルプルア
ップトランジスタが活性化され、その結果として、第1
のpチャネルプルアップトランジスタのゲートの電圧レ
ベルが上昇させられ、第1のpチャネルプルアップトラ
ンジスタが非活性化される。
つでは、バッテリ操作ユニットが、プルアップブランチ
非活性器(pull−up branch deact
ivator)とプルダウンブランチ非活性器(pul
l−down branchdeactivator)
とを含む。プルアップブランチ非活性器は、nチャネル
パストランジスタ、pチャネルパストランジスタ、及
び、第2のpチャネルプルアップトランジスタを含む。
pチャネルパストランジスタはバッテリオン信号によっ
て制御され、その出力は第1のpチャネルプルアップト
ランジスタのゲートに接続される。nチャネルパストラ
ンジスタは、pチャネルパストランジスタに並列に接続
され、バッテリオン信号の相補によって制御される。第
2のpチャネルプルアップトランジスタはバッテリオン
信号の相補によって制御され、その出力も同様にpチャ
ネルプルアップトランジスタのゲートに接続される。バ
ッテリオン信号がハイである時には、上記各パストラン
ジスタが非活性化され、且つ、第2のpチャネルプルア
ップトランジスタが活性化され、その結果として、第1
のpチャネルプルアップトランジスタのゲートの電圧レ
ベルが上昇させられ、第1のpチャネルプルアップトラ
ンジスタが非活性化される。
【0013】プルダウンブランチは、プルアップ部分と
プルダウン部分とを有し、プルダウンブランチ非活性器
は、第2のpチャネルパストランジスタと第2のnチャ
ネルプルダウントランジスタを含む。第2のpチャネル
パストランジスタは電圧源とプルアップ部分との間に直
列に接続され、バッテリオン信号によって制御される。
第2のnチャネルプルダウントランジスタは第1のnチ
ャネルプルダウントランジスタのゲートにその入力側に
おいて接続され、バッテリオン信号によって制御され
る。バッテリオン信号がハイである時には、第2のpチ
ャネルパストランジスタが非活性化され、且つ、第2の
nチャネルプルダウントランジスタが活性化され、その
結果として、第1のnチャネルプルダウントランジスタ
のゲートの電圧レベルが低下させられ、第1のnチャネ
ルプルダウントランジスタが非活性化される。
プルダウン部分とを有し、プルダウンブランチ非活性器
は、第2のpチャネルパストランジスタと第2のnチャ
ネルプルダウントランジスタを含む。第2のpチャネル
パストランジスタは電圧源とプルアップ部分との間に直
列に接続され、バッテリオン信号によって制御される。
第2のnチャネルプルダウントランジスタは第1のnチ
ャネルプルダウントランジスタのゲートにその入力側に
おいて接続され、バッテリオン信号によって制御され
る。バッテリオン信号がハイである時には、第2のpチ
ャネルパストランジスタが非活性化され、且つ、第2の
nチャネルプルダウントランジスタが活性化され、その
結果として、第1のnチャネルプルダウントランジスタ
のゲートの電圧レベルが低下させられ、第1のnチャネ
ルプルダウントランジスタが非活性化される。
【0014】最後に、本発明による好ましい実施様態の
1つでは、pチャネルトランジスタのnウェル(n−w
ell)が、主電源がアクティブである時には主電源電
圧レベルを供給し且つバッテリ電源電圧がアクティブで
ある時にはバッテリ電源電圧レベルを供給する切換え可
能な電源によって給電される。
1つでは、pチャネルトランジスタのnウェル(n−w
ell)が、主電源がアクティブである時には主電源電
圧レベルを供給し且つバッテリ電源電圧がアクティブで
ある時にはバッテリ電源電圧レベルを供給する切換え可
能な電源によって給電される。
【0015】
【発明の実施の形態】図1を参照すると、この図は、本
発明の好ましい実施例の1つに従って構成され動作させ
られるバッテリバックアップ構成が可能な出力バッファ
をブロック図の形で示している。本発明の出力バッファ
とその様々な素子は、SRAM、PSD、及び、他の構
成可能なデバイスの一部を形成することが可能である。
発明の好ましい実施例の1つに従って構成され動作させ
られるバッテリバックアップ構成が可能な出力バッファ
をブロック図の形で示している。本発明の出力バッファ
とその様々な素子は、SRAM、PSD、及び、他の構
成可能なデバイスの一部を形成することが可能である。
【0016】図1は、切換え電源10、構成ユニット1
4、及び、2つの出力バッファ16、18を示す。切換
え電源10は、その他のユニットの少なくとも幾つかに
対して切換え電源信号Vccoを供給し、一方、バッテ
リがオフである時には上記2つの出力バッファ16、1
8に対してbat−onb信号を供給する。構成ユニッ
ト14は、図1のユニットがその一部を形成するデバイ
スの様々な素子に構成情報を連続的に供給する。図1
は、構成ユニット14が構成ビットC1をバッファ18
に供給することを示している。バッテリ動作中に構成情
報を供給する適切な構成ユニット14は、同一日付で出
願され且つ本発明の共通譲受人に譲渡された、標題
「“A Unit for Maintaining
Information Regarding the
State of a DeviceDuring
Battery Power”(バッテリ電力供給中に
デバイスの状態に関する情報を保持するための装置)」
の米国特許出願に開示されている。この出願の開示内容
を本明細書に引用して組み入れている。
4、及び、2つの出力バッファ16、18を示す。切換
え電源10は、その他のユニットの少なくとも幾つかに
対して切換え電源信号Vccoを供給し、一方、バッテ
リがオフである時には上記2つの出力バッファ16、1
8に対してbat−onb信号を供給する。構成ユニッ
ト14は、図1のユニットがその一部を形成するデバイ
スの様々な素子に構成情報を連続的に供給する。図1
は、構成ユニット14が構成ビットC1をバッファ18
に供給することを示している。バッテリ動作中に構成情
報を供給する適切な構成ユニット14は、同一日付で出
願され且つ本発明の共通譲受人に譲渡された、標題
「“A Unit for Maintaining
Information Regarding the
State of a DeviceDuring
Battery Power”(バッテリ電力供給中に
デバイスの状態に関する情報を保持するための装置)」
の米国特許出願に開示されている。この出願の開示内容
を本明細書に引用して組み入れている。
【0017】出力バッファ16は、主電源給電中に動作
し且つ可変出力データを供給することが可能な標準的な
出力バッファ16であり、出力バッファ18は、少なく
ともバッテリ給電中は明確に規定された定常出力信号を
供給することが可能なバッテリバックアップ出力バッフ
ァ18である。切換え電源10は、主電源電圧Vccを
供給する主電源30、バッテリ電源電圧Vbatを供給
するバッテリ32、及び、最高電圧レベルを有する電源
を常に選択するように主電源電圧Vccとバッテリ電源
電圧Vbatの間の切換えを行うバッテリバックアップ
スイッチ34を含む。スイッチ34は、従来公知である
ような任意の適切なスイッチであることが可能である。
例えば、スイッチ34は、米国特許第4,908,79
0号(Little他)に開示されているスイッチ、又
は、同一日付で出願され且つ本発明の共通譲受人に譲渡
された、標題「“Battery Backup Sw
itch”(バッテリバックアップスイッチ)」の米国
特許出願に開示されているスイッチであることが可能で
あり、これらの開示内容は本明細書に引用して組み入れ
ている。
し且つ可変出力データを供給することが可能な標準的な
出力バッファ16であり、出力バッファ18は、少なく
ともバッテリ給電中は明確に規定された定常出力信号を
供給することが可能なバッテリバックアップ出力バッフ
ァ18である。切換え電源10は、主電源電圧Vccを
供給する主電源30、バッテリ電源電圧Vbatを供給
するバッテリ32、及び、最高電圧レベルを有する電源
を常に選択するように主電源電圧Vccとバッテリ電源
電圧Vbatの間の切換えを行うバッテリバックアップ
スイッチ34を含む。スイッチ34は、従来公知である
ような任意の適切なスイッチであることが可能である。
例えば、スイッチ34は、米国特許第4,908,79
0号(Little他)に開示されているスイッチ、又
は、同一日付で出願され且つ本発明の共通譲受人に譲渡
された、標題「“Battery Backup Sw
itch”(バッテリバックアップスイッチ)」の米国
特許出願に開示されているスイッチであることが可能で
あり、これらの開示内容は本明細書に引用して組み入れ
ている。
【0018】本発明の好ましい実施例の1つでは、バッ
テリ電源電圧Vbatが、Vbat_inとしてバッテ
リバックアップスイッチ34に供給され、一方、Vba
t_eとしてバッテリバックアップ出力バッファ18に
供給される。これら2つの電源電圧Vbat−in及び
Vbat−eの各々がダイオード36によってバッテリ
32からアイソレートされ、このダイオード36は、短
絡回路(特に、出力ピンを経由した外部的に生ずる短
絡)がバッテリ32に達してバッテリの放電(消費)を
生じさせないことを保障する。
テリ電源電圧Vbatが、Vbat_inとしてバッテ
リバックアップスイッチ34に供給され、一方、Vba
t_eとしてバッテリバックアップ出力バッファ18に
供給される。これら2つの電源電圧Vbat−in及び
Vbat−eの各々がダイオード36によってバッテリ
32からアイソレートされ、このダイオード36は、短
絡回路(特に、出力ピンを経由した外部的に生ずる短
絡)がバッテリ32に達してバッテリの放電(消費)を
生じさせないことを保障する。
【0019】出力バッファ16は、出力ピンを通して外
部にデータを供給し且つバッテリ動作中はトライステー
トとされることが可能な任意の出力バッファである。図
2及び図3及び図4に関して下記で説明する出力バッフ
ァの一例は、本発明の共通譲受人に譲渡され本明細書に
引用して組み入れている米国特許第5,557,229
号に開示されている出力バッファに基づいている。出力
バッファ18は、明確に規定された信号をバッテリ電源
動作時に供給するバッテリバックアップ構成が可能な出
力バッファであり、下記で図5に関連付けて説明され
る。最も一般的な実施例では、バッテリバックアップ出
力バッファ18は正規の動作中はトライステートとされ
る。
部にデータを供給し且つバッテリ動作中はトライステー
トとされることが可能な任意の出力バッファである。図
2及び図3及び図4に関して下記で説明する出力バッフ
ァの一例は、本発明の共通譲受人に譲渡され本明細書に
引用して組み入れている米国特許第5,557,229
号に開示されている出力バッファに基づいている。出力
バッファ18は、明確に規定された信号をバッテリ電源
動作時に供給するバッテリバックアップ構成が可能な出
力バッファであり、下記で図5に関連付けて説明され
る。最も一般的な実施例では、バッテリバックアップ出
力バッファ18は正規の動作中はトライステートとされ
る。
【0020】例えば、標準出力バッファ16は、主電源
電圧Vccで動作中はその入力データ信号から出力信号
を生じさせ、一方、バッテリ動作中は、バッテリバック
アップ出力バッファ18がその論理入力信号L−onか
ら出力信号を供給する。典型的には、データ信号が時間
の経過と共に大きく変化し、一方、論理入力信号L−o
nがバッテリ動作中は一定不変のままであることに留意
されたい。上記のように、一方のバッファはトライステ
ート(即ち、そのバッファが電流を生じさせず、従って
出力ラインを駆動しない状態)にあり、他方のバッファ
は動作状態にある。
電圧Vccで動作中はその入力データ信号から出力信号
を生じさせ、一方、バッテリ動作中は、バッテリバック
アップ出力バッファ18がその論理入力信号L−onか
ら出力信号を供給する。典型的には、データ信号が時間
の経過と共に大きく変化し、一方、論理入力信号L−o
nがバッテリ動作中は一定不変のままであることに留意
されたい。上記のように、一方のバッファはトライステ
ート(即ち、そのバッファが電流を生じさせず、従って
出力ラインを駆動しない状態)にあり、他方のバッファ
は動作状態にある。
【0021】本発明の構成可能な出力バッファは、例え
ばプログラム可能論理(ロジック)デバイス(PLD)
のような任意の適切なデータソースのための出力バッフ
ァを形成することが可能である。この実施例では、PL
Dが論理信号L−onとデータ信号の両方を供給する。
上記説明から明らかなように、標準出力バッファ16
は、主電源電圧Vccによって給電され、バッテリバッ
クアップ出力バッファ18は、バッテリ電源電圧Vba
t−eによって給電される。この両方のバッファは、更
に、切換え電源信号Vccoも受け取る。
ばプログラム可能論理(ロジック)デバイス(PLD)
のような任意の適切なデータソースのための出力バッフ
ァを形成することが可能である。この実施例では、PL
Dが論理信号L−onとデータ信号の両方を供給する。
上記説明から明らかなように、標準出力バッファ16
は、主電源電圧Vccによって給電され、バッテリバッ
クアップ出力バッファ18は、バッテリ電源電圧Vba
t−eによって給電される。この両方のバッファは、更
に、切換え電源信号Vccoも受け取る。
【0022】次に、出力バッファ16を概略的に示す図
2と、標準出力バッファ16を詳細に示す図3及び図4
と、バッテリバックアップ出力バッファ18を詳細に示
す図5とを参照する。図2を参照すると、標準出力バッ
ファ16は、2つのブランチ60、62を含む。米国特
許第5,557,229号に開示されているように、ブ
ランチ60は、一連の連結されたnチャネルプルダウン
トランジスタ64、ライン67に並列に接続された一連
のpチャネルプルアップトランジスタ66、及び、pチ
ャネル出力プルアップトランジスタ70を含む。ブラン
チ62は、一連の連結された殆どがpチャネルのプルア
ップトランジスタ74、ライン77に並列に接続された
一連のnチャネルプルダウントランジスタ76、及び、
nチャネル出力プルダウントランジスタ80を含む。出
力トランジスタ70と出力トランジスタ80は両方とも
出力ライン92に接続されている。
2と、標準出力バッファ16を詳細に示す図3及び図4
と、バッテリバックアップ出力バッファ18を詳細に示
す図5とを参照する。図2を参照すると、標準出力バッ
ファ16は、2つのブランチ60、62を含む。米国特
許第5,557,229号に開示されているように、ブ
ランチ60は、一連の連結されたnチャネルプルダウン
トランジスタ64、ライン67に並列に接続された一連
のpチャネルプルアップトランジスタ66、及び、pチ
ャネル出力プルアップトランジスタ70を含む。ブラン
チ62は、一連の連結された殆どがpチャネルのプルア
ップトランジスタ74、ライン77に並列に接続された
一連のnチャネルプルダウントランジスタ76、及び、
nチャネル出力プルダウントランジスタ80を含む。出
力トランジスタ70と出力トランジスタ80は両方とも
出力ライン92に接続されている。
【0023】後述するように、主電源電圧Vccでの動
作中に、2つのブランチ60、62が制御信号に対して
反対方向に応答する。データ信号(図2には示されてい
ない)が値「1」を示す時は、ブランチ60のpチャネ
ル出力プルアップトランジスタ70が出力信号OUTを
主電源電圧Vccにプルアップする。データ信号が値
「0」を示す時には、ブランチ62のnチャネル出力プ
ルダウントランジスタ80が出力信号OUTをグラウン
ド側にプルダウンする。
作中に、2つのブランチ60、62が制御信号に対して
反対方向に応答する。データ信号(図2には示されてい
ない)が値「1」を示す時は、ブランチ60のpチャネ
ル出力プルアップトランジスタ70が出力信号OUTを
主電源電圧Vccにプルアップする。データ信号が値
「0」を示す時には、ブランチ62のnチャネル出力プ
ルダウントランジスタ80が出力信号OUTをグラウン
ド側にプルダウンする。
【0024】本発明の好ましい実施例の1つでは、標準
出力バッファ16が、バッテリ電源電圧Vbatが動作
中である時にトライステートであるように、プルアップ
ブランチ非活性器(pull−up branch d
eactivator)とプルダウンブランチ非活性器
(pull−down branch deactiv
ator)とを含む。ブランチ60の場合では、プルア
ップブランチ非活性器が、2つのパストランジスタ8
2、84と、バッテリオン、pチャネルプルアップトラ
ンジスタ86とを含む。ブランチ62では、プルダウン
ブランチ非活性器が、スイッチトランジスタ88と、バ
ッテリオン、プルダウントランジスタ90を含む。
出力バッファ16が、バッテリ電源電圧Vbatが動作
中である時にトライステートであるように、プルアップ
ブランチ非活性器(pull−up branch d
eactivator)とプルダウンブランチ非活性器
(pull−down branch deactiv
ator)とを含む。ブランチ60の場合では、プルア
ップブランチ非活性器が、2つのパストランジスタ8
2、84と、バッテリオン、pチャネルプルアップトラ
ンジスタ86とを含む。ブランチ62では、プルダウン
ブランチ非活性器が、スイッチトランジスタ88と、バ
ッテリオン、プルダウントランジスタ90を含む。
【0025】パストランジスタ82は、ライン67に接
続されたpチャネルトランジスタであり、(バッテリが
オンである時にアクティブである)相補のbat−on
信号によって制御される。パストランジスタ82の出力
側は、プルアップトランジスタ70を制御するライン6
7’である。パストランジスタ84は、bat−on信
号のbat−onbによって制御されるnチャネルトラ
ンジスタであり、パストランジスタ82に並列に接続さ
れている。バッテリオン、プルアップトランジスタ86
は、bat−onb信号によって制御され、ライン6
7’に接続され、ライン67’を切換え電源信号電圧V
ccoにプルアップする。
続されたpチャネルトランジスタであり、(バッテリが
オンである時にアクティブである)相補のbat−on
信号によって制御される。パストランジスタ82の出力
側は、プルアップトランジスタ70を制御するライン6
7’である。パストランジスタ84は、bat−on信
号のbat−onbによって制御されるnチャネルトラ
ンジスタであり、パストランジスタ82に並列に接続さ
れている。バッテリオン、プルアップトランジスタ86
は、bat−onb信号によって制御され、ライン6
7’に接続され、ライン67’を切換え電源信号電圧V
ccoにプルアップする。
【0026】主電源電圧Vccによる動作中は、bat
−on信号はロウであり、従って、パストランジスタ8
2、84は両方ともオンであり、ライン67上の信号が
ライン67’へと送られる。これと同時に、(bat−
onb信号がハイであるので)pチャネルプルアップト
ランジスタ86がオフであり、従って、ライン67’に
影響を与えない。その結果として、プルアップトランジ
スタ70に対する制御信号は、(そうであるべきよう
に)ライン67上の信号である。
−on信号はロウであり、従って、パストランジスタ8
2、84は両方ともオンであり、ライン67上の信号が
ライン67’へと送られる。これと同時に、(bat−
onb信号がハイであるので)pチャネルプルアップト
ランジスタ86がオフであり、従って、ライン67’に
影響を与えない。その結果として、プルアップトランジ
スタ70に対する制御信号は、(そうであるべきよう
に)ライン67上の信号である。
【0027】バッテリ動作中は、bat−on信号がハ
イであり、従って、パストランジスタ82、84が両方
ともオフであり、ライン67上の信号がライン67’に
送られない。更に、(bat−onb信号がロウなの
で)バッテリオン、pチャネルプルアップトランジスタ
86がオンであり、従って、Vccoのバッテリ信号電
圧にライン67’をプルアップする。従って、ライン6
7はハイの値であり、pチャネルプルアップトランジス
タ70をオフにする。
イであり、従って、パストランジスタ82、84が両方
ともオフであり、ライン67上の信号がライン67’に
送られない。更に、(bat−onb信号がロウなの
で)バッテリオン、pチャネルプルアップトランジスタ
86がオンであり、従って、Vccoのバッテリ信号電
圧にライン67’をプルアップする。従って、ライン6
7はハイの値であり、pチャネルプルアップトランジス
タ70をオフにする。
【0028】当業者で公知であるように、pチャネルト
ランジスタのnウェルは常に最大の利用可能な電力を供
給されなければならない。上記説明から理解できるよう
に、全てのpチャネルトランジスタ82、86、70の
全てのnウェルに切換え電源信号Vccoが供給され
る。或いは、これらのpチャネルトランジスタに順方向
バイアスを加えることが可能である。
ランジスタのnウェルは常に最大の利用可能な電力を供
給されなければならない。上記説明から理解できるよう
に、全てのpチャネルトランジスタ82、86、70の
全てのnウェルに切換え電源信号Vccoが供給され
る。或いは、これらのpチャネルトランジスタに順方向
バイアスを加えることが可能である。
【0029】ブランチ60のスイッチトランジスタ88
は、電源と一連のトランジスタ74との間に接続された
pチャネルトランジスタである。バッテリオン、プルダ
ウントランジスタ90は、ライン77に接続されたnチ
ャネルトランジスタである。トランジスタ88とトラン
ジスタ90の両方は、bat−on信号によって制御さ
れる。従って、bat−on信号がロウである時には、
主電源電圧Vccによる動作中はpチャネルトランジス
タ88がオンであり、従来技術の場合と同様に機能する
一連のトランジスタ74に電流が送られる。nチャネル
トランジスタ90はオフであり、従って、ライン77上
の信号に影響を与えない。
は、電源と一連のトランジスタ74との間に接続された
pチャネルトランジスタである。バッテリオン、プルダ
ウントランジスタ90は、ライン77に接続されたnチ
ャネルトランジスタである。トランジスタ88とトラン
ジスタ90の両方は、bat−on信号によって制御さ
れる。従って、bat−on信号がロウである時には、
主電源電圧Vccによる動作中はpチャネルトランジス
タ88がオンであり、従来技術の場合と同様に機能する
一連のトランジスタ74に電流が送られる。nチャネル
トランジスタ90はオフであり、従って、ライン77上
の信号に影響を与えない。
【0030】しかし、バッテリ動作中は、pチャネルト
ランジスタ88がオフにされ、一連のトランジスタ74
に電流が流れることが阻止される。nチャネルトランジ
スタ90はオンであり、ライン77をプルダウンする。
従って、ライン77はプルダウントランジスタ80をオ
フにする。上記の追加の素子のために、バッテリ動作中
は、出力信号を制御するプルアップトランジスタ70と
プルダウントランジスタ80の両方がオフであることが
理解されるだろう。従って、出力信号はトライステート
とされ、事実上、バッファ16は出力信号を生じさせな
い。
ランジスタ88がオフにされ、一連のトランジスタ74
に電流が流れることが阻止される。nチャネルトランジ
スタ90はオンであり、ライン77をプルダウンする。
従って、ライン77はプルダウントランジスタ80をオ
フにする。上記の追加の素子のために、バッテリ動作中
は、出力信号を制御するプルアップトランジスタ70と
プルダウントランジスタ80の両方がオフであることが
理解されるだろう。従って、出力信号はトライステート
とされ、事実上、バッファ16は出力信号を生じさせな
い。
【0031】図3と図4は、nチャネルブランチ62が
2つの半分部分62A、62Bに分割される出力バッフ
ァ16の1実施例の素子を詳細に示す。第2の半分部分
62Bは、予め決められた長さの時間だけ出力を遅延さ
せる遅延素子91を含む。従って、ブランチ62は2段
階の応答を行う。図3と図4の残り部分は、入力信号の
上記説明と以下の記述から自明であると考えられる。こ
れらの図で、oeは出力イネーブル信号であり、dou
tはデータ信号であり、odは論理信号であり、Vcc
rは、RECLRB信号と同様に、閾値レベルで横ばい
状態となるまで主電源電圧Vccに追従する電圧信号で
ある。Vccr信号はハイの閾値レベル(例えば4.6
V)で横ばい状態になる。
2つの半分部分62A、62Bに分割される出力バッフ
ァ16の1実施例の素子を詳細に示す。第2の半分部分
62Bは、予め決められた長さの時間だけ出力を遅延さ
せる遅延素子91を含む。従って、ブランチ62は2段
階の応答を行う。図3と図4の残り部分は、入力信号の
上記説明と以下の記述から自明であると考えられる。こ
れらの図で、oeは出力イネーブル信号であり、dou
tはデータ信号であり、odは論理信号であり、Vcc
rは、RECLRB信号と同様に、閾値レベルで横ばい
状態となるまで主電源電圧Vccに追従する電圧信号で
ある。Vccr信号はハイの閾値レベル(例えば4.6
V)で横ばい状態になる。
【0032】図5は、構成ビット信号C1が値ゼロを有
する時にバッテリオン/オフ表示を生じさせ、構成ビッ
ト信号C1が値ゼロを有しない場合にトライステートと
されるバッテリバックアップ出力バッファ18の実施例
における各素子を詳細に示す。バッテリバックアップ出
力バッファ18は、pチャネルトランジスタ100とn
チャネルトランジスタ102とによって構成されるイン
バータ98、バッテリ電源電圧Vbat−eとpチャネ
ルトランジスタ100との間に直列に接続された2つの
pチャネル制御トランジスタ104、106、及び、n
チャネルトランジスタ102とグランドとの間に接続さ
れた2つのnチャネル制御トランジスタ108、110
を含む。
する時にバッテリオン/オフ表示を生じさせ、構成ビッ
ト信号C1が値ゼロを有しない場合にトライステートと
されるバッテリバックアップ出力バッファ18の実施例
における各素子を詳細に示す。バッテリバックアップ出
力バッファ18は、pチャネルトランジスタ100とn
チャネルトランジスタ102とによって構成されるイン
バータ98、バッテリ電源電圧Vbat−eとpチャネ
ルトランジスタ100との間に直列に接続された2つの
pチャネル制御トランジスタ104、106、及び、n
チャネルトランジスタ102とグランドとの間に接続さ
れた2つのnチャネル制御トランジスタ108、110
を含む。
【0033】制御トランジスタ104、106、10
8、110は、インバータ98の動作を制御し、構成ビ
ット信号C1によってそのように表示される場合だけ
に、及び、バッテリ電源32が使用されている場合に、
インバータ98をイネーブルする。バッテリ動作中は構
成ビット信号C1の電圧レベルが維持されなければなら
ないことと、バッテリ出力バッファ18に供給される電
源電圧がVbat−eであることが理解されるだろう。
8、110は、インバータ98の動作を制御し、構成ビ
ット信号C1によってそのように表示される場合だけ
に、及び、バッテリ電源32が使用されている場合に、
インバータ98をイネーブルする。バッテリ動作中は構
成ビット信号C1の電圧レベルが維持されなければなら
ないことと、バッテリ出力バッファ18に供給される電
源電圧がVbat−eであることが理解されるだろう。
【0034】そのように選択される時には、インバータ
98は入力信号(例えば、L−on論理信号)を受け取
り、その値を反転させ、それによって出力信号L−on
bを生じさせる。バッテリ動作中はその値を変化させる
回路がいずれも動作していないので、出力信号L−on
bが固定値を有することが理解されるだろう。制御トラ
ンジスタ104は構成ビット信号C1によって制御さ
れ、制御トランジスタ110は構成ビット信号C1の相
補信号C1Bによってそれぞれ制御される。制御トラン
ジスタ106は、バッテリバックアップスイッチ34か
ら受け取るbat−onb信号によって制御され、制御
トランジスタ108は、その相補信号bat−onによ
ってそれぞれ制御される。バッテリ電源32がアクティ
ブである時にはbat−on信号はハイである。
98は入力信号(例えば、L−on論理信号)を受け取
り、その値を反転させ、それによって出力信号L−on
bを生じさせる。バッテリ動作中はその値を変化させる
回路がいずれも動作していないので、出力信号L−on
bが固定値を有することが理解されるだろう。制御トラ
ンジスタ104は構成ビット信号C1によって制御さ
れ、制御トランジスタ110は構成ビット信号C1の相
補信号C1Bによってそれぞれ制御される。制御トラン
ジスタ106は、バッテリバックアップスイッチ34か
ら受け取るbat−onb信号によって制御され、制御
トランジスタ108は、その相補信号bat−onによ
ってそれぞれ制御される。バッテリ電源32がアクティ
ブである時にはbat−on信号はハイである。
【0035】構成ビット信号C1は、バッテリバックア
ップ出力バッファ18が動作しなければならないかどう
かを決定する。構成ビット信号C1がハイの値であるこ
とは、出力バッファ18がイネーブルされてはならない
ことを示す。信号C1がハイの値であることはpチャネ
ル制御トランジスタ104を非活性化し、信号C1Bが
信号C1の相補であるロウの値であることは、nチャネ
ル制御トランジスタ110を非活性化する。これとは反
対に、構成ビット信号C1がロウの値であることは出力
バッファ18をイネーブルする。
ップ出力バッファ18が動作しなければならないかどう
かを決定する。構成ビット信号C1がハイの値であるこ
とは、出力バッファ18がイネーブルされてはならない
ことを示す。信号C1がハイの値であることはpチャネ
ル制御トランジスタ104を非活性化し、信号C1Bが
信号C1の相補であるロウの値であることは、nチャネ
ル制御トランジスタ110を非活性化する。これとは反
対に、構成ビット信号C1がロウの値であることは出力
バッファ18をイネーブルする。
【0036】バッテリ電源が使用される時にだけ、制御
トランジスタ106、108が活性化される。主電源動
作中は、bat−on信号がロウであり(及び、bat
−onb信号がハイであり)、nチャネルトランジスタ
108とpチャネルトランジスタ106をそれぞれ非活
性化する。その結果として、構成ビット信号C1の値に
無関係に、インバータ98には電力が転送されないこと
となる。従って、インバータ98はトライステートとさ
れる。
トランジスタ106、108が活性化される。主電源動
作中は、bat−on信号がロウであり(及び、bat
−onb信号がハイであり)、nチャネルトランジスタ
108とpチャネルトランジスタ106をそれぞれ非活
性化する。その結果として、構成ビット信号C1の値に
無関係に、インバータ98には電力が転送されないこと
となる。従って、インバータ98はトライステートとさ
れる。
【0037】バッテリ動作中は、bat−on信号が制
御トランジスタ108を活性化し、bat−onb信号
が制御トランジスタ106を活性化する。更に、構成ビ
ット信号C1が制御トランジスタ104を活性化し、構
成ビット信号C1Bが制御トランジスタ110を活性化
する場合には、インバータ98が電力を受け取り、出力
信号L−onbを供給する。しかし、構成ビット信号C
1が制御トランジスタ104をディセーブルし、構成ビ
ット信号C1Bが制御トランジスタ110をディセーブ
ルした場合には、インバータ98は電力を受け取らず、
従って、出力バッファ18はトライステートとされる。
御トランジスタ108を活性化し、bat−onb信号
が制御トランジスタ106を活性化する。更に、構成ビ
ット信号C1が制御トランジスタ104を活性化し、構
成ビット信号C1Bが制御トランジスタ110を活性化
する場合には、インバータ98が電力を受け取り、出力
信号L−onbを供給する。しかし、構成ビット信号C
1が制御トランジスタ104をディセーブルし、構成ビ
ット信号C1Bが制御トランジスタ110をディセーブ
ルした場合には、インバータ98は電力を受け取らず、
従って、出力バッファ18はトライステートとされる。
【0038】pチャネルトランジスタ100、104、
106のnウェルが、最大の利用可能な電力をこれらの
トランジスタに供給する切換え電源信号Vccoによっ
て給電されることに留意されたい。或いは、pチャネル
トランジスタ100、104、106に順方向バイアス
が加えられる。バッテリバックアップ出力バッファ18
が他の形態を有することも可能であることが理解される
だろう。例えば、専用バッテリでバックアップされたバ
ッファが望ましい場合には、制御トランジスタ106、
108は含まれない。従って、バッファ18を常時オン
又は常時オフのどちらかに構成することが可能である。
典型的には、この実施例では、標準出力バッファ16が
必要ではなく、バッファ18がbat−onb信号を入
力として受け取り、バッテリオン/オフ表示信号を常時
供給する。
106のnウェルが、最大の利用可能な電力をこれらの
トランジスタに供給する切換え電源信号Vccoによっ
て給電されることに留意されたい。或いは、pチャネル
トランジスタ100、104、106に順方向バイアス
が加えられる。バッテリバックアップ出力バッファ18
が他の形態を有することも可能であることが理解される
だろう。例えば、専用バッテリでバックアップされたバ
ッファが望ましい場合には、制御トランジスタ106、
108は含まれない。従って、バッファ18を常時オン
又は常時オフのどちらかに構成することが可能である。
典型的には、この実施例では、標準出力バッファ16が
必要ではなく、バッファ18がbat−onb信号を入
力として受け取り、バッテリオン/オフ表示信号を常時
供給する。
【0039】或いは、pチャネルトランジスタ104、
106、100で構成されるプルアップ部分だけが存在
する場合には、バッファ18がチップイネーブル信号を
供給する。本発明が、上記において説明し示した本発明
の具体例に限定されないということが、当業者には理解
されるだろう。むしろ、本発明の範囲は特許請求の範囲
の各請求項だけによって規定される。
106、100で構成されるプルアップ部分だけが存在
する場合には、バッファ18がチップイネーブル信号を
供給する。本発明が、上記において説明し示した本発明
の具体例に限定されないということが、当業者には理解
されるだろう。むしろ、本発明の範囲は特許請求の範囲
の各請求項だけによって規定される。
【図1】本発明のバッテリバックアップ構成が可能な出
力バッファのブロック図である。
力バッファのブロック図である。
【図2】本発明の出力バッファを詳細に示す部分的回路
図である。
図である。
【図3】図1の回路の詳細な回路図(その1)である。
【図4】図1の回路の詳細な回路図(その2)である。
【図5】本発明の好ましい実施例の1つに従って構成さ
れ動作させられるバッテリバックアップ出力バッファの
詳細な回路図である。
れ動作させられるバッテリバックアップ出力バッファの
詳細な回路図である。
10…切換え電源 16…標準出力バッファ 18…バッテリバックアップ出力バッファ 30…主電源 32…バッテリ 34…バッテリバックアップスイッチ 60…プルアップブランチ 62…プルダウンブランチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H02J 1/00 306 G11C 11/34 305 H03K 19/0175 H03K 19/00 101F
Claims (11)
- 【請求項1】 予め規定された出力信号をバッテリ電源
による動作中に生じさせるための、及び、主電源による
動作中にトライステート信号を生じさせるための、バッ
テリ電源によって電力供給される出力手段と、 予め決められた構成信号に従って前記出力手段を活性化
又は非活性化するための構成手段とを、そなえるバッテ
リバックアップ構成が可能な出力バッファ。 - 【請求項2】 前記構成手段が、 前記バッテリ電源と前記出力手段との間に接続され且つ
前記予め決められた構成信号によって活性化されるpチ
ャネルトランジスタと、 前記出力手段とグランドソースとの間に接続され且つ前
記予め決められた構成信号の相補によって活性化される
nチャネルトランジスタとを、含む請求項1に記載の出
力バッファ。 - 【請求項3】 前記第1のpチャネルトランジスタと前
記出力手段との間に接続され且つバッテリオフ信号によ
って制御される第2のpチャネルトランジスタと、 前記出力手段と前記第1のnチャネルトランジスタとの
間に接続され且つ前記バッテリオフ信号の相補によって
制御される第2のnチャネルトランジスタとを更に含
み、 前記バッテリオフ信号がハイである時に、前記第2のp
チャネルトランジスタと前記第2のnチャネルトランジ
スタの両方が非活性化される請求項1に記載の出力バッ
ファ。 - 【請求項4】 前記バッテリ電源と前記構成手段との間
に接続されたダイオードを更に含む請求項1に記載の出
力バッファ。 - 【請求項5】 前記主電源がアクティブにある時には主
電源電圧レベルを供給し且つ前記バッテリ電源電圧がア
クティブにある時にはバッテリ電源電圧レベルを供給す
る切換え可能な電源によって電力供給されるnウェル
を、前記pチャネルトランジスタが有する請求項2に記
載の出力バッファ。 - 【請求項6】 前記主電源がアクティブにある時には主
電源電圧レベルを供給し且つ前記バッテリ電源がアクテ
ィブにある時にはバッテリ電圧レベルを供給する切換え
可能な電源によって電力供給されるnウェルを、前記第
2のpチャネルトランジスタが有する請求項3に記載の
出力バッファ。 - 【請求項7】 出力ライン、 送出されるべきデータを受け取り、前記データがハイ電
圧レベルを有するならば前記出力ラインの電圧をプルア
ップするためのプルアップブランチ、 送出されるべきデータを受け取り、前記データがロウ電
圧レベルを有するならば前記出力ラインの電圧をプルダ
ウンするためのプルダウンブランチ、及び、 トライステート出力を与えるようにバッテリ動作中は前
記ブランチの両方をオフ位置にするバッテリ操作手段
を、 そなえるバッテリ切換え可能な出力バッファ。 - 【請求項8】 出力ライン、 前記出力ラインにその出力側において接続されているp
チャネルプルアップトランジスタ、 前記出力ラインにその入力側において接続されているn
チャネルプルダウントランジスタ、 送出されるべきデータを受け取るための、及び、前記デ
ータがハイ電圧レベルを有するならば前記プルアップト
ランジスタのゲートを活性化するための、プルアップブ
ランチ、 送出されるべきデータを受け取るための、及び、前記デ
ータがロウ電圧レベルを有するならば前記プルダウント
ランジスタのゲートを活性化するための、プルダウンブ
ランチ、並びに、 バッテリ動作中は前記ブランチの両方を非活性化し、そ
れによって前記トランジスタの両方を非活性化し且つト
ライステート出力信号を前記出力ライン上に供給するた
めの、前記バッテリがオンである時にハイであるバッテ
リオン信号と、その相補信号とによって制御されるバッ
テリ操作手段を、 そなえるバッテリ切換え可能な出力バッファ。 - 【請求項9】 前記バッテリ操作手段が、 プルアップブランチ非活性器及びプルダウンブランチ非
活性器を含み、 前記プルアップブランチ非活性器が、 その出力が前記pチャネルプルアップトランジスタの前
記ゲートに接続され且つ前記バッテリオン信号によって
制御されるpチャネルパストランジスタ、 前記pチャネルパストランジスタに並列に接続され且つ
前記バッテリオン信号の前記相補によって制御されるn
チャネルパストランジスタ、及び、 その出力も前記pチャネルプルアップトランジスタの前
記ゲートに接続され且つ前記バッテリオン信号の前記相
補によって制御される第2のpチャネルプルアップトラ
ンジスタを含み、 前記バッテリオン信号がハイである時に、各前記パスト
ランジスタが非活性化され、且つ、前記第2のpチャネ
ルプルアップトランジスタが活性化され、それによって
前記第1のpチャネルプルアップトランジスタの前記ゲ
ートの電圧レベルが上昇させられ、前記第1のpチャネ
ルプルアップトランジスタが非活性化され、 更に、前記プルダウンブランチがプルアップ部分とプル
ダウン部分を有し、前記プルダウンブランチ非活性器
が、 電圧源と前記プルアップ部分との間に直列に接続され且
つ前記バッテリオン信号によって制御される第2のpチ
ャネルパストランジスタ、及び、 前記第1のnチャネルプルダウントランジスタの前記ゲ
ートにその入力が接続され且つ前記バッテリオン信号に
よって制御される第2のnチャネルプルダウントランジ
スタを有し、 前記バッテリオン信号がハイである時に、前記第2のp
チャネルパストランジスタが非活性化され、且つ、前記
第2のnチャネルプルダウントランジスタが活性化さ
れ、それによって前記第1のnチャネルプルダウントラ
ンジスタの前記ゲートの電圧レベルが低下させられ、前
記第1のnチャネルプルダウントランジスタが非活性化
される請求項8に記載の出力バッファ。 - 【請求項10】 前記主電源がアクティブにある時には
主電源電圧レベルを供給し且つ前記バッテリ電源電圧が
アクティブにある時にはバッテリ電源電圧レベルを供給
する切換え可能な電源によって電力供給されるnウェル
を、前記pチャネルトランジスタが有する請求項8に記
載の出力バッファ。 - 【請求項11】 前記主電源がアクティブにある時には
主電源電圧レベルを供給し且つ前記バッテリ電源電圧が
アクティブにある時にはバッテリ電源電圧レベルを供給
する切換え可能な電源によって電力供給されるnウェル
を、前記pチャネルトランジスタの全てが有する請求項
9に記載の出力バッファ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/749,617 US5834859A (en) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | Battery backed configurable output buffer |
| US08/749617 | 1996-11-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10269780A true JPH10269780A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=25014496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31354497A Pending JPH10269780A (ja) | 1996-11-18 | 1997-11-14 | バッテリバックアップ構成が可能な出力バッファ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5834859A (ja) |
| EP (1) | EP0843399A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10269780A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017529595A (ja) * | 2014-09-11 | 2017-10-05 | インテル コーポレイション | バックパワー保護回路 |
| US10284199B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-05-07 | Intel Corporation | Voltage tolerant termination presence detection |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| US20060282602A1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-14 | Tse-Hsine Liao | Data transmission device and method thereof |
| US7818597B2 (en) * | 2007-03-26 | 2010-10-19 | International Business Machines Corporation | Computer system fault detection |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4730121B1 (en) * | 1987-03-11 | 1998-09-15 | Dallas Semiconductor | Power controller for circuits with battery backup |
| US4908790A (en) * | 1988-03-10 | 1990-03-13 | Dallas Semiconductor Corporation | Backup battery switching circuitry for a microcomputer or a microprocessor |
| US4880997A (en) * | 1988-08-18 | 1989-11-14 | Ncr Corporation | Low noise output buffer circuit |
| US5237699A (en) * | 1988-08-31 | 1993-08-17 | Dallas Semiconductor Corp. | Nonvolatile microprocessor with predetermined state on power-down |
| US4877978A (en) * | 1988-09-19 | 1989-10-31 | Cypress Semiconductor | Output buffer tri-state noise reduction circuit |
| JP2815612B2 (ja) * | 1989-05-15 | 1998-10-27 | 株式会社ナムコ | Cmos入力型icおよび電源切替回路 |
| US4963766A (en) * | 1989-06-28 | 1990-10-16 | Digital Equipment Corporation | Low-voltage CMOS output buffer |
| US5315549A (en) * | 1991-06-11 | 1994-05-24 | Dallas Semiconductor Corporation | Memory controller for nonvolatile RAM operation, systems and methods |
| US5557229A (en) * | 1994-05-16 | 1996-09-17 | Waferscale Integration, Inc. | Apparatus and method for producing an output signal from a memory array |
| US5567993A (en) * | 1994-06-23 | 1996-10-22 | Dallas Semiconductor Corporation | Programmable power supply system and methods |
-
1996
- 1996-11-18 US US08/749,617 patent/US5834859A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-07 EP EP19970119542 patent/EP0843399A3/en not_active Withdrawn
- 1997-11-14 JP JP31354497A patent/JPH10269780A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017529595A (ja) * | 2014-09-11 | 2017-10-05 | インテル コーポレイション | バックパワー保護回路 |
| US10938200B2 (en) | 2014-09-11 | 2021-03-02 | Intel Corporation | Back power protection circuit |
| US10284199B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-05-07 | Intel Corporation | Voltage tolerant termination presence detection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0843399A3 (en) | 1999-11-03 |
| US5834859A (en) | 1998-11-10 |
| EP0843399A2 (en) | 1998-05-20 |
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