JPH10270321A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置Info
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- JPH10270321A JPH10270321A JP9072919A JP7291997A JPH10270321A JP H10270321 A JPH10270321 A JP H10270321A JP 9072919 A JP9072919 A JP 9072919A JP 7291997 A JP7291997 A JP 7291997A JP H10270321 A JPH10270321 A JP H10270321A
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- charged particle
- particle beam
- temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特別大掛かりな設備を用意することなく、温
度変動に対する荷電粒子ビームの位置精度を高めること
ができる荷電粒子ビーム装置を実現する。 【解決手段】 周囲温度の変動により、温度センサー２
０，２１の検出温度も変化する。この温度センサー２
０，２１の温度変動量に基づいて、ビームシフトの位置
補償量が演算器２２によって演算される。演算結果はロ
ーパスフィルタ２３に供給されて所定の周波数より高い
成分はカットされる。ローパスフィルタ２３からの信号
は制御回路２４に供給される。制御回路２４は、供給さ
れた位置補償量Ｃｘに基づいて偏向器制御回路１９を制
御し、静電偏向器１８にビームシフトを補償するための
偏向信号を供給する。この結果、装置の環境温度等が変
動しても、それに基づくビームシフトは完全に補償さ
れ、電子ビームＥＢは所定の位置に常に照射されること
から、高い精度で電子ビーム描画が実行される。
度変動に対する荷電粒子ビームの位置精度を高めること
ができる荷電粒子ビーム装置を実現する。 【解決手段】 周囲温度の変動により、温度センサー２
０，２１の検出温度も変化する。この温度センサー２
０，２１の温度変動量に基づいて、ビームシフトの位置
補償量が演算器２２によって演算される。演算結果はロ
ーパスフィルタ２３に供給されて所定の周波数より高い
成分はカットされる。ローパスフィルタ２３からの信号
は制御回路２４に供給される。制御回路２４は、供給さ
れた位置補償量Ｃｘに基づいて偏向器制御回路１９を制
御し、静電偏向器１８にビームシフトを補償するための
偏向信号を供給する。この結果、装置の環境温度等が変
動しても、それに基づくビームシフトは完全に補償さ
れ、電子ビームＥＢは所定の位置に常に照射されること
から、高い精度で電子ビーム描画が実行される。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、被描画材料に電子ビー
ムを照射して所望のパターンの描画を行うようにした電
子ビーム描画装置等の荷電粒子ビーム装置に関する。
ムを照射して所望のパターンの描画を行うようにした電
子ビーム描画装置等の荷電粒子ビーム装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子のパターンの微細化の
進展に伴い、光ステッパーに代わり、電子ビーム描画装
置がますます注目されている。電子ビーム描画装置で
は、描画パターンに応じて電子ビームを偏向し、更に被
描画材料を機械的に移動させて所望のパターンの描画を
行うようにしている。
進展に伴い、光ステッパーに代わり、電子ビーム描画装
置がますます注目されている。電子ビーム描画装置で
は、描画パターンに応じて電子ビームを偏向し、更に被
描画材料を機械的に移動させて所望のパターンの描画を
行うようにしている。
【０００３】図１はこのような描画装置を示しており、
１は電子銃である。電子銃１から発生した電子ビームＥ
Ｂは、照射レンズ２によってスリット３に照射される。
スリット３を透過した電子ビームは、縮小レンズ４と対
物レンズ５とによって被描画材料６上に集束して照射さ
れる。
１は電子銃である。電子銃１から発生した電子ビームＥ
Ｂは、照射レンズ２によってスリット３に照射される。
スリット３を透過した電子ビームは、縮小レンズ４と対
物レンズ５とによって被描画材料６上に集束して照射さ
れる。
【０００４】被描画材料６は移動ステージ７上に載せら
れており、移動ステージ７はステージ固定部８上にボー
ルベアリング９を介して配置されている。ステージ７は
高精度のステッピングモータ等のモータ１０によって回
転させられる送りネジ１１の回転により直進運動させら
れる。
れており、移動ステージ７はステージ固定部８上にボー
ルベアリング９を介して配置されている。ステージ７は
高精度のステッピングモータ等のモータ１０によって回
転させられる送りネジ１１の回転により直進運動させら
れる。
【０００５】このような電子ビーム描画装置において、
スリット３の像が被描画材料６上に縮小・投影され、図
示していない偏向器により電子ビームを偏向して所望の
パターンの描画を行う。また、被描画材料上の描画フィ
ールドを変える場合には、モータ１０を駆動し送りネジ
１１を回転させてステージ７を移動させる。なお、ステ
ージ７は、詳細には図示していないが、ＸとＹの２方向
に移動される。また、ステージ７の移動距離はレーザ測
長器によって監視され、検出された移動距離の誤差は、
モータ１０や偏向器にフィードバックされる。
スリット３の像が被描画材料６上に縮小・投影され、図
示していない偏向器により電子ビームを偏向して所望の
パターンの描画を行う。また、被描画材料上の描画フィ
ールドを変える場合には、モータ１０を駆動し送りネジ
１１を回転させてステージ７を移動させる。なお、ステ
ージ７は、詳細には図示していないが、ＸとＹの２方向
に移動される。また、ステージ７の移動距離はレーザ測
長器によって監視され、検出された移動距離の誤差は、
モータ１０や偏向器にフィードバックされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した可変面積型電
子ビーム描画装置では、要求される描画精度が極めて高
い。そのため、外乱に対して非常に敏感であり、例え
ば、装置の設置される場所の室温の変化に対しても、装
置を構成する各部分の温度変動による膨脹、収縮等によ
り、相当量のビームシフトが生じる。このビームシフト
は、描画精度の悪化に繋がる。
子ビーム描画装置では、要求される描画精度が極めて高
い。そのため、外乱に対して非常に敏感であり、例え
ば、装置の設置される場所の室温の変化に対しても、装
置を構成する各部分の温度変動による膨脹、収縮等によ
り、相当量のビームシフトが生じる。このビームシフト
は、描画精度の悪化に繋がる。
【０００７】このため、従来の装置では、部分的に水冷
パイプを付設し、その中に一定温度に保たれた水を流
し、装置を一定温度に維持するように工夫している。し
かしながら、この対策だけでは不十分であり、水冷パイ
プによる温度維持管理に加えて、室温を０．１°オーダ
ーの安定性に保つように、特別大掛かりな空調設備を整
えなければならない。
パイプを付設し、その中に一定温度に保たれた水を流
し、装置を一定温度に維持するように工夫している。し
かしながら、この対策だけでは不十分であり、水冷パイ
プによる温度維持管理に加えて、室温を０．１°オーダ
ーの安定性に保つように、特別大掛かりな空調設備を整
えなければならない。
【０００８】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、特別大掛かりな空調設備を用意す
ることなく、温度変動に対する荷電粒子ビームの位置精
度を高めることができる荷電粒子ビーム装置を実現する
にある。
もので、その目的は、特別大掛かりな空調設備を用意す
ることなく、温度変動に対する荷電粒子ビームの位置精
度を高めることができる荷電粒子ビーム装置を実現する
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム源からの荷電粒
子ビームを集束してターゲットに照射するようにした荷
電粒子ビーム装置において、装置の構成部材に複数の温
度センサーを設け、各温度センサーの出力値を演算し、
演算に基づいて荷電粒子ビームの偏向手段により荷電粒
子ビームを偏向するようにしたことを特徴としている。
荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム源からの荷電粒
子ビームを集束してターゲットに照射するようにした荷
電粒子ビーム装置において、装置の構成部材に複数の温
度センサーを設け、各温度センサーの出力値を演算し、
演算に基づいて荷電粒子ビームの偏向手段により荷電粒
子ビームを偏向するようにしたことを特徴としている。
【００１０】請求項１の発明では、温度センサーを複数
配置し、各温度センサーの出力値を演算し、演算に基づ
いて荷電粒子ビームの偏向手段により荷電粒子ビームを
偏向する。
配置し、各温度センサーの出力値を演算し、演算に基づ
いて荷電粒子ビームの偏向手段により荷電粒子ビームを
偏向する。
【００１１】請求項２の発明では、複数の温度センサー
を荷電粒子ビームの光軸に対称に配置する。
を荷電粒子ビームの光軸に対称に配置する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明するが、その前に、本発明の原理
を図２を用いて説明する。図２は例えば電子ビーム描画
装置の対物レンズ部分の断面を示しており、１５は鏡体
である。鏡体１５にはＸ方向に一対の温度センサーａ，
ｃ、Ｙ方向に一対の温度センサーｂ，ｄが設けられてい
る。
施の形態を詳細に説明するが、その前に、本発明の原理
を図２を用いて説明する。図２は例えば電子ビーム描画
装置の対物レンズ部分の断面を示しており、１５は鏡体
である。鏡体１５にはＸ方向に一対の温度センサーａ，
ｃ、Ｙ方向に一対の温度センサーｂ，ｄが設けられてい
る。
【００１３】この温度センサーａ，ｂ，ｃ，ｄは電子ビ
ームの光軸Ｏに対して回転対称に配置されているが、こ
れらの出力値をそれぞれＴa ，Ｔb ，Ｔc ，Ｔd とする
と、Ｔa ，Ｔb ，Ｔc ，Ｔd の各値の変動値と、電子ビ
ームのビームシフトの方向および量の間には、それぞれ
特定の装置において一定の関係が存在する。
ームの光軸Ｏに対して回転対称に配置されているが、こ
れらの出力値をそれぞれＴa ，Ｔb ，Ｔc ，Ｔd とする
と、Ｔa ，Ｔb ，Ｔc ，Ｔd の各値の変動値と、電子ビ
ームのビームシフトの方向および量の間には、それぞれ
特定の装置において一定の関係が存在する。
【００１４】例えば、Ｔa 値だけが上昇した際には、ビ
ームがｃ方向にシフトし、Ｔb 値だけが上昇した際に
は、ビームがｄ方向にシフトし、Ｘc 値だけが上昇した
際には、ビームがａ方向にシフトし、Ｔd 値だけが上昇
した際には、ビームがｂ方向にシフトする。更に、ある
範囲内では、温度変動量とビームシフト量が比例に近い
関係を示す。
ームがｃ方向にシフトし、Ｔb 値だけが上昇した際に
は、ビームがｄ方向にシフトし、Ｘc 値だけが上昇した
際には、ビームがａ方向にシフトし、Ｔd 値だけが上昇
した際には、ビームがｂ方向にシフトする。更に、ある
範囲内では、温度変動量とビームシフト量が比例に近い
関係を示す。
【００１５】これらの関係から、各温度センサーの出力
値からビームシフトの量および方向を予測し、それらの
該当分をビームの偏向器によって補償することにより、
温度変動によるビームシフトを見掛上抑えることができ
る。例えば、上記した４個の温度センサーを用いた場合
では、必要なビーム位置補償量のＸおよびＹ成分を各々
Ｃｘ，Ｃｙとすると、このＣｘ，Ｃｙは次のように記述
することができる。
値からビームシフトの量および方向を予測し、それらの
該当分をビームの偏向器によって補償することにより、
温度変動によるビームシフトを見掛上抑えることができ
る。例えば、上記した４個の温度センサーを用いた場合
では、必要なビーム位置補償量のＸおよびＹ成分を各々
Ｃｘ，Ｃｙとすると、このＣｘ，Ｃｙは次のように記述
することができる。
【００１６】Ｃｘ＝ｋ（ｄＴa ／ｄｔ−ｄＴc ／ｄｔ）
［ｔ＝−ｔ1 ］ Ｃｙ＝ｋ（ｄＴb ／ｄｔ−ｄＴd ／ｄｔ） ［ｔ＝−ｔ
1 ］ ただし、上式で、Ｃｘ，Ｃｙは数Ｈｚ×１０のマイナス
数乗というような超低周波成分をとるとする。また、ｋ
は実験または計算等の手段により求められる比例定数、
ｔ1 は熱伝導所要時間に相当する一定の遅延時間値であ
る。なお、この一定の遅延時間値は、４つの温度センサ
ーが完全に光軸に対して回転対称に配置された場合は一
定（ｔ1 ）となるが、各センサーの位置を光軸から異な
った距離に配置する場合には、それぞれ異なった遅延時
間となる。
［ｔ＝−ｔ1 ］ Ｃｙ＝ｋ（ｄＴb ／ｄｔ−ｄＴd ／ｄｔ） ［ｔ＝−ｔ
1 ］ ただし、上式で、Ｃｘ，Ｃｙは数Ｈｚ×１０のマイナス
数乗というような超低周波成分をとるとする。また、ｋ
は実験または計算等の手段により求められる比例定数、
ｔ1 は熱伝導所要時間に相当する一定の遅延時間値であ
る。なお、この一定の遅延時間値は、４つの温度センサ
ーが完全に光軸に対して回転対称に配置された場合は一
定（ｔ1 ）となるが、各センサーの位置を光軸から異な
った距離に配置する場合には、それぞれ異なった遅延時
間となる。
【００１７】通常、温度センサーの出力値とビームシフ
トの関係は、装置が非常に複雑な形状をしているため、
このように単純ではない場合が多く、センサー出力から
必要な補償量を求めるアルゴリズムもこのように簡単で
ない場合が多い。しかし、必ず一定の関係が存在するの
で、計算、実験等による検討結果から、アルゴリズムを
作り補償を行うことで、必ず見掛上のビームシフトを減
らすことができる。
トの関係は、装置が非常に複雑な形状をしているため、
このように単純ではない場合が多く、センサー出力から
必要な補償量を求めるアルゴリズムもこのように簡単で
ない場合が多い。しかし、必ず一定の関係が存在するの
で、計算、実験等による検討結果から、アルゴリズムを
作り補償を行うことで、必ず見掛上のビームシフトを減
らすことができる。
【００１８】図３は本発明を用いた電子ビーム描画装置
の一例の要部を示している。図中１５は金属製の電子ビ
ーム鏡筒である。鏡筒１５内には対物レンズ１６が設け
られており、対物レンズ１６によって集束された電子ビ
ームＥＢは被描画材料１７に照射される。対物レンズ１
６に接近して静電偏向器１８が設けられているが、静電
偏向器１８には、偏向器制御回路１９から偏向電圧が印
加される。
の一例の要部を示している。図中１５は金属製の電子ビ
ーム鏡筒である。鏡筒１５内には対物レンズ１６が設け
られており、対物レンズ１６によって集束された電子ビ
ームＥＢは被描画材料１７に照射される。対物レンズ１
６に接近して静電偏向器１８が設けられているが、静電
偏向器１８には、偏向器制御回路１９から偏向電圧が印
加される。
【００１９】対物レンズ１５の外側の鏡筒１５内には、
Ｘ方向に電子ビーム光軸に対称的に２つの温度センサー
２０，２１が埋め込まれている。図示していないが、Ｙ
方向にも電子ビーム光軸に対称的に２つの温度センサー
が埋め込まれている。温度センサー２０，２１からの温
度信号は、演算器２２に供給される。
Ｘ方向に電子ビーム光軸に対称的に２つの温度センサー
２０，２１が埋め込まれている。図示していないが、Ｙ
方向にも電子ビーム光軸に対称的に２つの温度センサー
が埋め込まれている。温度センサー２０，２１からの温
度信号は、演算器２２に供給される。
【００２０】演算器２２によって演算された結果の信号
は、ローパスフィルター２３を介してコンピュータのご
とき制御回路２４に供給される。制御回路２４は、演算
器２２の演算結果に基づいて偏向器制御回路１９を制御
する。このような構成の動作を次に説明する。
は、ローパスフィルター２３を介してコンピュータのご
とき制御回路２４に供給される。制御回路２４は、演算
器２２の演算結果に基づいて偏向器制御回路１９を制御
する。このような構成の動作を次に説明する。
【００２１】被描画材料１７への所望パターンの描画
は、図示していないスリットの像を対物レンズ１６によ
って被描画材料１７に結像し、更に、被描画材料１７上
の像をパターンに応じて静電偏向器１８により偏向する
ことによって行う。もちろん、図示していないが、被描
画材料１７が載せられた材料ステージを機械的に移動さ
せながらパターンの描画を行う。
は、図示していないスリットの像を対物レンズ１６によ
って被描画材料１７に結像し、更に、被描画材料１７上
の像をパターンに応じて静電偏向器１８により偏向する
ことによって行う。もちろん、図示していないが、被描
画材料１７が載せられた材料ステージを機械的に移動さ
せながらパターンの描画を行う。
【００２２】さて、周囲温度の変動により電子ビームＥ
Ｂのビームシフトが発生することは既に述べた。この周
囲温度の変動により、温度センサー２０，２１の検出温
度も変化する。この温度センサー２０，２１の温度変動
量をそれぞれＴａ，Ｔｃとすると、Ｘ方向のビームシフ
トの位置補償量Ｃｘは、例えば、次の式によって求めら
れる。
Ｂのビームシフトが発生することは既に述べた。この周
囲温度の変動により、温度センサー２０，２１の検出温
度も変化する。この温度センサー２０，２１の温度変動
量をそれぞれＴａ，Ｔｃとすると、Ｘ方向のビームシフ
トの位置補償量Ｃｘは、例えば、次の式によって求めら
れる。
【００２３】Ｃｘ＝ｋ（ｄＴa ／ｄｔ−ｄＴc ／ｄｔ）
［ｔ＝−ｔ1 ］ この位置補償量Ｃｘは、演算器２２によって演算され、
演算結果はローパスフィルタ２３に供給されて所定の周
波数より高い成分はカットされる。ローパスフィルタ２
３からの信号は制御回路２４に供給される。制御回路２
４は、供給された位置補償量Ｃｘに基づいて偏向器制御
回路１９を制御し、静電偏向器１８にビームシフトを補
償するための偏向信号を供給する。
［ｔ＝−ｔ1 ］ この位置補償量Ｃｘは、演算器２２によって演算され、
演算結果はローパスフィルタ２３に供給されて所定の周
波数より高い成分はカットされる。ローパスフィルタ２
３からの信号は制御回路２４に供給される。制御回路２
４は、供給された位置補償量Ｃｘに基づいて偏向器制御
回路１９を制御し、静電偏向器１８にビームシフトを補
償するための偏向信号を供給する。
【００２４】この結果、装置の環境温度等が変動して
も、それに基づくビームシフトはほぼ完全に補償され、
電子ビームＥＢは所定の位置に常に照射されることか
ら、高い精度で電子ビーム描画が実行される。なお、Ｘ
方向についてのみビームシフトの補償動作を説明した
が、Ｙ方向も同様に実行される。
も、それに基づくビームシフトはほぼ完全に補償され、
電子ビームＥＢは所定の位置に常に照射されることか
ら、高い精度で電子ビーム描画が実行される。なお、Ｘ
方向についてのみビームシフトの補償動作を説明した
が、Ｙ方向も同様に実行される。
【００２５】上記した各説明では、温度センサーを４個
設けたが、図４に示すように、８個の温度センサー
ａ1 ，ａ2 ，ｂ1 ，ｂ2 ，ｃ1 ，ｃ2 ，ｄ1 ，ｄ2 を光
軸Ｏに対して回転対称に配置しても良い。なお、４個の
温度センサーａ1 ，ｂ1 ，ｃ1 ，ｄ1 ，はそれぞれ回転
対称に配置され、更に、４個の温度センサーａ2 ，
ｂ2 ，ｃ2 ，ｄ2 はそれぞれ回転対称に配置される。こ
の場合の演算は、Ｘ方向の温度センサーａ1 ，ａ2 ，ｃ
1 ，ｃ2 に関して、それぞれの温度出力値をＴａ1 ，Ｔ
ａ2 ，Ｔｃ1 ，Ｔｃ2 とすると、次の演算が行われる。
設けたが、図４に示すように、８個の温度センサー
ａ1 ，ａ2 ，ｂ1 ，ｂ2 ，ｃ1 ，ｃ2 ，ｄ1 ，ｄ2 を光
軸Ｏに対して回転対称に配置しても良い。なお、４個の
温度センサーａ1 ，ｂ1 ，ｃ1 ，ｄ1 ，はそれぞれ回転
対称に配置され、更に、４個の温度センサーａ2 ，
ｂ2 ，ｃ2 ，ｄ2 はそれぞれ回転対称に配置される。こ
の場合の演算は、Ｘ方向の温度センサーａ1 ，ａ2 ，ｃ
1 ，ｃ2 に関して、それぞれの温度出力値をＴａ1 ，Ｔ
ａ2 ，Ｔｃ1 ，Ｔｃ2 とすると、次の演算が行われる。
【００２６】Ｅx1＝ｋx1｛Ｔａ1 ´（ｔ＝−ｔ1 ）−Ｔ
ｃ1 ´（ｔ＝−ｔ1 ）｝ Ｅx2＝ｋx2｛Ｔａ2 ´（ｔ＝−ｔ2 ）−Ｔｃ2 ´（ｔ＝
−ｔ2 ）｝ 上式で、Ｅx1，Ｅx2はビーム位置補償量のＸ成分、
ｋx1，ｋx2は実験または計算等の手段により求められる
比例定数、ｔ1 ，ｔ2 は熱伝導所要時間に相当する一定
の遅延時間値である。この比例定数、熱伝導所要時間
は、温度センサーの光軸からの距離や、センサー周辺部
の物質の機械的構成および熱伝導率等に依存する。
ｃ1 ´（ｔ＝−ｔ1 ）｝ Ｅx2＝ｋx2｛Ｔａ2 ´（ｔ＝−ｔ2 ）−Ｔｃ2 ´（ｔ＝
−ｔ2 ）｝ 上式で、Ｅx1，Ｅx2はビーム位置補償量のＸ成分、
ｋx1，ｋx2は実験または計算等の手段により求められる
比例定数、ｔ1 ，ｔ2 は熱伝導所要時間に相当する一定
の遅延時間値である。この比例定数、熱伝導所要時間
は、温度センサーの光軸からの距離や、センサー周辺部
の物質の機械的構成および熱伝導率等に依存する。
【００２７】このＸ方向の２種のビーム位置補償量
Ｅx1，Ｅx2は加算され、加算された値がＸ方向のビーム
位置補償量Ｃｘとして、ローパスフィルタを介して、図
３の制御回路２４に供給される。
Ｅx1，Ｅx2は加算され、加算された値がＸ方向のビーム
位置補償量Ｃｘとして、ローパスフィルタを介して、図
３の制御回路２４に供給される。
【００２８】以上本発明の一実施形態を説明したが、本
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、上記ビ
ーム位置補償量を求める式は単純化したモデルに基づく
もので、実際に偏向器により補償すべき最適な量および
方向は、温度センサーの位置や機械的な構成により全く
異なるため、具体的には各装置に応じて詳細なシミュレ
ーション計算または実験により正確に求める必要があ
る。
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、上記ビ
ーム位置補償量を求める式は単純化したモデルに基づく
もので、実際に偏向器により補償すべき最適な量および
方向は、温度センサーの位置や機械的な構成により全く
異なるため、具体的には各装置に応じて詳細なシミュレ
ーション計算または実験により正確に求める必要があ
る。
【００２９】また、スリットの像を材料上に投影する面
積型電子ビーム描画装置を例に説明したが、本発明は被
描画材料に細く絞った電子ビームを照射するようにした
電子ビーム描画装置やイオンビーム装置にも適用するこ
とができる。更に、温度センサーの数は、４個や８個に
限らず、２個以上であれば良く、また、温度センサーを
荷電粒子ビームの光軸に回転対称に配置する必要もな
い。
積型電子ビーム描画装置を例に説明したが、本発明は被
描画材料に細く絞った電子ビームを照射するようにした
電子ビーム描画装置やイオンビーム装置にも適用するこ
とができる。更に、温度センサーの数は、４個や８個に
限らず、２個以上であれば良く、また、温度センサーを
荷電粒子ビームの光軸に回転対称に配置する必要もな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、温度
センサーを複数配置し、各温度センサーの出力値を演算
し、演算に基づいて荷電粒子ビームの偏向手段により荷
電粒子ビームを偏向するように構成したので、非常に小
規模な手段だけで、温度変動に対する荷電粒子ビームの
シフト量を軽減することかできる。その結果、描画装置
等の設置場所の温度変動幅を大きく取ることができ、装
置設置のための巨大な空調設備等を節約でき、また、描
画装置であれば、高精度なパターン描画が可能となる。
センサーを複数配置し、各温度センサーの出力値を演算
し、演算に基づいて荷電粒子ビームの偏向手段により荷
電粒子ビームを偏向するように構成したので、非常に小
規模な手段だけで、温度変動に対する荷電粒子ビームの
シフト量を軽減することかできる。その結果、描画装置
等の設置場所の温度変動幅を大きく取ることができ、装
置設置のための巨大な空調設備等を節約でき、また、描
画装置であれば、高精度なパターン描画が可能となる。
【図１】従来の電子ビーム描画装置を示す図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】本発明に基づく電子ビーム描画装置の一例を示
す図である。
す図である。
【図４】温度センサーを８個設けた例を示す図である。
１５ 鏡筒 １６ 対物レンズ １７ 被描画材料 １８ 静電偏向器 １９ 偏向器制御回路 ２０，２１ 温度センサー ２２ 演算器 ２３ ローパスフィルタ ２４ 制御回路
Claims (2)
- 【請求項１】 荷電粒子ビーム源からの荷電粒子ビーム
を集束してターゲットに照射するようにした荷電粒子ビ
ーム装置において、装置の構成部材に複数の温度センサ
ーを設け、各温度センサーの出力値を演算し、演算に基
づいて荷電粒子ビームの偏向手段により荷電粒子ビーム
を偏向するようにした荷電粒子ビーム装置。 - 【請求項２】 複数の温度センサーは荷電粒子ビームの
光軸に対称に配置されている請求項１記載の荷電粒子ビ
ーム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07291997A JP3340645B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 荷電粒子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07291997A JP3340645B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 荷電粒子ビーム装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270321A true JPH10270321A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3340645B2 JP3340645B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=13503254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07291997A Expired - Fee Related JP3340645B2 (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3340645B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114599A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Toshiba Corp | 補正装置、補正方法、補正プログラム及び半導体装置の製造方法 |
| CN115732294A (zh) * | 2021-08-31 | 2023-03-03 | 纽富来科技股份有限公司 | 放电检测装置以及带电粒子束照射装置 |
-
1997
- 1997-03-26 JP JP07291997A patent/JP3340645B2/ja not_active Expired - Fee Related
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