JPH10270499A

JPH10270499A - Ｉｃチップ搭載基板

Info

Publication number: JPH10270499A
Application number: JP9087434A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ando; 尚安藤
Original assignee: Sony Chemicals Corp
Current assignee: Dexerials Corp
Priority date: 1997-03-21
Filing date: 1997-03-21
Publication date: 1998-10-09
Anticipated expiration: 2017-03-21
Also published as: JP4118974B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電極部にバンプを形成しないＩＣチップを異方
性導電接着剤を用いて回路基板に直接実装する場合に、
ショートや回路パターンへのダメージを与えることなく
確実な接続を行いうるベアチップＩＣ搭載基板を提供す
る。【解決手段】本発明のフレキシブル基板１は、ポリイミ
ド等の可撓性の樹脂からなるベースフィルム３の表面側
に、ＩＣチップ２の電極部８と接続するための多数のリ
ードパターン５が形成されている。ベースフィルム４の
裏面側で各リードパターン５の接続部５ａの裏側に、Ｉ
Ｃチップ２の各電極部８に対応する凸部１１が設けられ
る。凸部１１は、例えば銅等の金属又はポリイミド等の
樹脂を用いて形成され、その軟化点は２００℃以上であ
る。凸部１１は、その頂部１１ａが平坦な四角形状に形
成される。凸部１１の頂部１１ａまでの高さＨは、異方
性導電接着剤３の導電粒子１０の直径Ｄより大きくなる
ように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＳＩチッ
プ等のＩＣチップを基板上に直接実装するためのＩＣチ
ップ搭載基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯機器等においては、軽量薄型
化や狭額縁化が進展しており、これに適用する実装方式
として、ＩＣチップを基板上に直接実装（ベアチップ実
装）する方式が注目を集めている。

【０００３】従来、基板上にＩＣチップを直接実装する
方法としては、次のようなものが知られている。

【０００４】基板上にＩＣチップをダイボンディン
グし、その後、このＩＣチップに対して直接ワイヤーボ
ンディングを行い、さらに樹脂封止する方法。ＩＣチップの電極部にはんだバンプを形成し、リフ
ロー又は熱圧着を行いフェースダウンによって基板上に
実装する方法。ＩＣチップの電極部にスタッドバンプを形成し、そ
の先端部に導電性接着剤を付けて基板に実装し、ＩＣチ
ップと基板との間に液状の封止樹脂を流し込む方法。ＩＣチップの電極部にバンプを形成し、紫外線硬化
型接着剤を塗布した基板上にフェースダウンで圧着し、
紫外線硬化型接着剤を硬化させて実装する方法。ＩＣチップの電極部にバンプを形成し、基板とＩＣ
チップとの間に異方性導電膜（ＡＣＦ）を介在させて熱
圧着により実装する方法。

【０００５】これらの方法のうち、の異方性導電膜を
用いてＩＣチップを実装する方法は、手軽で導通信頼性
が高く、しかも封止の必要がないことから、最小コスト
で高密度実装が可能になる等のメリットがあり、ＣＯＧ
（Chip On Glass）、ＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＦ
（Chip On Film）等の方式において使用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな異方性導電膜を用いて接続を行う際には、通常の場
合、ＩＣチップの電極部に接続用のバンプを設ける必要
があるため、ＩＣチップのコストアップの原因となって
いる。

【０００７】一方、図６に示すように、バンプを形成し
ないＩＣチップ１０１を用い、その電極部１０２と回路
基板１０３のベースフィルム１０４上に形成されたリー
ドパターン１０５とを接続しようとすると、異方性導電
膜１０６のバインダー１０７中の導電粒子１０８がＩＣ
チップ１０１のスクライブライン１０１ａと回路基板１
０３のリードパターン１０５とに接触し、これらの間に
ショートが発生するという問題があった。

【０００８】この場合、回路基板１０３のリードパター
ン１０５上に絶縁膜を形成することも考えられるが、Ｉ
Ｃチップ１０１と回路基板１０３のリードパターン１０
５との間のスペースはきわめて小さい（数μｍ程度）た
め、リードパターン１０５上に絶縁膜を形成すると、圧
着の際に異方性導電膜１０６の導電粒子１０８が円滑に
流れず、ＩＣチップ１０１と回路基板１０３との接続が
困難になる等の問題が発生する。

【０００９】さらに、ＩＣチップ１０１の電極部１０２
にバンプを形成しないで回路基板１０２との接続を行お
うとすると、異方性導電膜１０６の導電粒子１０８によ
ってＩＣチップ１０１の回路領域１０９へダメージを与
えるおそれもあるという問題があった。

【００１０】本発明は、このような従来の技術の課題を
解決するためになされたもので、電極部にバンプを形成
しないＩＣチップを異方性導電接着剤を用いて回路基板
に直接実装する場合に、ショートや回路パターンへのダ
メージを与えることなく確実な接続を行いうるＩＣチッ
プ搭載基板を提供することを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、ベアチップＩＣと回路基板
とを異方性導電接着剤を用いて導通接続するためのＩＣ
チップ搭載基板であって、この回路基板が可撓性を有
し、この回路基板の上記ベアチップＩＣと接続する部分
の裏側に、平坦な頂面を有する凸部を設けたことを特徴
とする。

【００１２】この場合、異方性導電接着剤としては、ペ
ースト状及びフィルム状のいずれのものを用いることが
できる。

【００１３】ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電
接着剤を用いて導通接続するには、通常の場合、平坦な
受け台上に載置した回路基板に対し、異方性導電接着剤
を挟んでベアチップＩＣを加圧し、異方性導電接着剤に
含まれる導電粒子を介して双方の接続電極を電気的に接
続させる。その際には、異方性導電接着剤が当該接続部
分の周囲に押し流されるが、請求項１記載の発明の場
合、回路基板のベアチップＩＣと接続する部分の裏側に
平坦な頂面を有する凸部が設られ、これによって受け台
との間に間隙が形成されていることから、可撓性を有す
る回路基板は異方性導電接着剤に押されて加圧部材の側
に撓み、回路基板がベアチップＩＣに対して離れるよう
になる。

【００１４】その結果、請求項１記載の発明によれば、
導電粒子がベアチップＩＣのスクライブラインと回路基
板の接続パターンの双方に接触することはないため、こ
の部分においてショートが発生することはない。

【００１５】また、回路基板によって導電粒子がベアチ
ップＩＣの回路パターンに押圧されることがないため、
回路パターンにダメージが与えられることもない。

【００１６】このように、本発明によれば、ベアチップ
ＩＣにバンプを形成することなく、回路基板に対して良
好な接続を行うことができる。

【００１７】この場合、請求項２記載の発明のように、
請求項１記載の発明において、凸部の高さを、異方性導
電接着剤中に含まれる導電粒子の粒径より大きくするこ
ともできる。

【００１８】請求項２記載の発明によれば、導通接続の
際に回路基板が十分に撓むため、より確実にベアチップ
ＩＣのスクライブラインにおけるショート及び回路パタ
ーンへのダメージを防止することができる。

【００１９】ただし、凸部の高さは、５００μｍ以下と
することが好ましい。凸部の高さを５００μｍより高く
すると、物理的に不安定となり、圧着時に圧力が不均一
になるという不都合がある。

【００２０】また、請求項３記載の発明のように、請求
項１又は２のいずれか１項記載の発明において、凸部の
高さの精度が、±５μｍ以内であることも効果的であ
る。

【００２１】請求項３記載の発明によれば、ベアチップ
ＩＣと回路基板との導通接続の際に、各電極部同士を均
一な状態で接続することができる。

【００２２】一方、凸部の高さの精度が±５μｍより大
きい場合には、一部の接続部分において導通不良が発生
するおそれがある。なお、凸部の高さの精度は、より好
ましくは±２μｍ以下とするとよい。

【００２３】さらに、凸部の材質としては種々のものを
用いることができるが、請求項４記載の発明のように、
請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、凸部
の材質として、軟化点が２００℃以上のものを用いると
効果的である。

【００２４】請求項４記載の発明によれば、ベアチップ
ＩＣと回路基板とを熱圧着する際に、異方性導電接着剤
のバインダーのみを軟化させることができ、安定した導
通接続を行うことができる。

【００２５】これに対し、凸部の材質として軟化点が２
００℃より低いものを用いた場合には、ベアチップＩＣ
と回路基板とを熱圧着する際に凸部が軟化してその高さ
や形状が変化するおそれがある。

【００２６】なお、軟化点が２００℃以上の材料として
は、銅等の金属やポリイミド等の樹脂があげられる。

【００２７】さらにまた、凸部の頂部の形状は、四角形
状、円形形状など種々の形状とすることができるが、請
求項５記載の発明のように、請求項１乃至４のいずれか
に記載の発明において、凸部の基部の面積が、ベアチッ
プＩＣの電極部の面積の８０％以上であることが好まし
い。

【００２８】請求項５記載の発明によれば、ベアチップ
ＩＣと回路基板とを加圧する際、回路基板の接続部に、
ベアチップＩＣの電極部に対して導電粒子を押圧するた
めの支持部を十分に確保することができ、これによりベ
アチップＩＣと回路基板との確実な導通接続を行うこと
が可能になる。

【００２９】一方、凸部の基部の面積が、ベアチップＩ
Ｃの電極部の面積の８０％より小さいと、回路基板の接
続部に、ベアチップＩＣの電極部に対して導電粒子を押
圧するための支持部を十分に確保することができず、導
通不良が生ずるおそれがある。

【００３０】ただし、回路基板の凸部は、ベアチップＩ
Ｃのスクライブラインと重ならない大きさとする必要が
ある。回路基板の凸部が、ベアチップＩＣのスクライブ
ラインと重なる場合には、回路基板の撓みが不十分とな
るため、ベアチップＩＣのスクライブラインの部分にお
いてショートが発生するおそれがある。

【００３１】他方、本発明に係る凸部は、銅等の金属箔
をエッチングすることにより形成することができ、ま
た、例えばポリイミド等の樹脂の前駆体を用い、フォト
リソグラフィ技術を施すことによって形成することもで
きる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＩＣチップ搭
載基板の好ましい実施の形態を図１〜図５を参照して詳
細に説明する。

【００３３】図１（ａ）（ｂ）は、本実施の形態に係る
フレキシブル基板（ＩＣチップ搭載基板）１と、ＩＣチ
ップ（ベアチップＩＣ）２の要部の断面を示すもので、
図１（ａ）は、異方性導電接着剤３によって接続する前
の状態を示すもの、図１（ｂ）は、接続後の状態を示す
ものである。

【００３４】また、図２は、同実施の形態のフレキシブ
ル基板１を裏面側から見た平面図、図３は、同実施の形
態におけるＩＣチップ２の電極部８、フレキシブル基板
１のリードパターン５及びフレキシブル基板１の凸部１
１の位置と大きさの関係を示す説明図である。

【００３５】本実施の形態のフレキシブル基板１は、厚
み２５μｍ程度のポリイミド等の可撓性の樹脂からなる
ベースフィルム３の一方の面（表面）に、銅等の金属か
らなる多数のリードパターン５が形成されているもので
ある。

【００３６】図２に示すように、リードパターン５は、
ベースフィルム４の中央部から例えばベースフィルム４
の一対の長縁部に向って延びるように形成され、各リー
ドパターン５の内側の接続部分が、搭載すべきＩＣチッ
プ２の各電極部の位置と対応するように配列されてい
る。

【００３７】ＩＣチップ２は、回路パターン６が形成さ
れた半導体基板７をチップ状にダイシングしたもので、
その周縁部にスクライブライン７ａが形成されている。
また、電極部７にはバンプが形成されていないものであ
る。

【００３８】そして、このＩＣチップ２は、後述するよ
うに、バインダー９中に導電粒子１０を含有する例えば
フィルム状の異方性導電接着剤３を用いてフレキシブル
基板１のリードパターン５の接続部５ａと接続されるも
のである。

【００３９】図１及び図２に示すように、本実施の形態
においては、ベースフィルム４の裏面側、すなわち、リ
ードパターン５が形成されていない側の面に、ＩＣチッ
プ２の各電極部８に対応する凸部１１が設けられてい
る。

【００４０】図３に示すように、これらの凸部１１は、
各リードパターン５の接続部５ａの裏側に設けられてい
る。また、凸部１１は、後述するように、例えば銅等の
金属又はポリイミド等の樹脂を用いて形成される。

【００４１】図１（ａ）に示すように、この凸部１１
は、その頂部１１ａが平坦な四角形状に形成されてい
る。この場合、ベースフィルム４の裏面から各凸部１１
の頂部１１ａまでの高さＨは、接続に用いられる異方性
導電接着剤３の導電粒子１０の直径Ｄより大きくなるよ
うに構成されている。

【００４２】ただし、各凸部１１の高さＨは５００μｍ
を超えないようになされ、また、各凸部１１の高さ精度
は±５μｍ以内となるように調整されている。

【００４３】また、凸部１１の基部１１ｂの面積、すな
わち、ベースフィルム４と隣接する部分の面積は、ＩＣ
チップ２の電極部８の面積の８０％以上となるように構
成されている。

【００４４】例えば、本実施の形態の場合は、図３に示
すように、ＩＣチップ２の電極部８の幅Ｗと凸部１１の
幅ｗとを等しくする一方、ＩＣチップ２の電極部８の長
さＬ₁に対する凸部１１の長さＬ₂に比が、Ｌ₂/Ｌ₁≧
０．８となるように設定することによって、凸部１１の
基部１１ｂの面積をＩＣチップ２の電極部８の面積の８
０％以上となるようにしている。

【００４５】その一方、本実施の形態においては、ＩＣ
チップ２のスクライブライン７ａにおいてショートが発
生しないように、フレキシブル基板１の凸部１１がＩＣ
チップ２のスクライブライン７ａの内側に位置するよう
に構成されている。

【００４６】図４は、フレキシブル基板１の凸部１１の
形成方法の一例を工程順に示すものである。

【００４７】まず、図４（ａ）に示すように、例えば銅
箔をエッチングすることによりベースフィルム４の一方
の面にリードパターン５が形成されたフレキシブル基板
２０を用意する。

【００４８】そして、図４（ｂ）に示すように、このベ
ースフィルム４のリードパターン５が形成されていない
面に、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸のワニス
を塗布してポリアミド酸の膜２１を形成する。

【００４９】次いで、図４（ｃ）に示すように、ポリア
ミド酸の膜２１上に例えば酸性のフォトレジスト２２を
塗布し、公知のフォトリソグラフィ技術によって露光、
現像を行い、図４（ｄ）に示すように、形成すべき凸部
１１に対応したレジストパターン２３を形成する。

【００５０】そして、図４（ｅ）に示すように、例えば
アルカリ溶液を用いて凸部１１を形成しない部分をエッ
チングし、さらに、レジストパターン２３を除去するこ
とにより、図４（ｆ）に示すように、ＩＣチップ２の各
電極部８に対応するポリアミド酸の膜２１ａを形成す
る。

【００５１】このフレキシブル基板２０Ａに対し、４０
０℃程度の温度で加熱することによりポリアミド酸を硬
化（イミド化）させ、目的とする凸部１１を有するフレ
キシブル基板１を得る。

【００５２】図５は、フレキシブル基板１の凸部１１の
形成方法の他の例を工程順に示すものである。

【００５３】この例においては、まず、図５（ａ）に示
すように、銅箔３０の表面に、上記ポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸のワニスを厚めに塗布してポリアミ
ド酸の膜３１を形成し、乾燥後、図５（ｂ）に示すよう
に、ポリアミド酸の膜３１の上に例えば酸性のフォトレ
ジストを塗布してフォトレジスト膜３２を形成する。

【００５４】その後、上記フォトリソグラフィ技術によ
って露光、現像を行い、図５（ｃ）に示すように、形成
すべき凸部１１に対応したレジストパターン３３を形成
する。

【００５５】そして、例えばアルカリ溶液を用い、図５
（ｄ）に示すように、凸部１１を形成しない部分につい
てハーフエッチングを行い、さらに、図５（ｅ）に示す
ように、レジストパターン３２を除去してＩＣチップ２
の各電極部８に対応する凸部３１ａを形成し、基板３４
を得る。

【００５６】さらに、この基板３４に対し、４００℃程
度の温度で加熱することにより凸部１１ａ及びベースフ
ィルム部３１ａのポリアミド酸を硬化（イミド化）さ
せ、図５（ｆ）に示すように、ベースフィルム部４Ａ及
び凸部１１Ａを形成する。

【００５７】その後、図５（ｇ）に示すように、銅箔３
０に対してエッチングを行うことにより、リードパター
ン５を形成する。

【００５８】一方、本実施の形態のフレキシブル基板１
とＩＣチップ２との接続を行う場合には、図１（ａ）
（ｂ）に示すように、平坦な受け台１２上でフレキシブ
ル基板１のリードパターン５の接続部５ａに異方性導電
接着剤３を仮圧着し、ＩＣチップ２の電極部８とフレキ
シブル基板１のリードパターン５の接続部５ａとのアラ
イメントをした後に、所定の温度及び圧力でＩＣチップ
２の上から押圧することにより本圧着を行う。

【００５９】これにより、図１（ｂ）に示すように、Ｉ
Ｃチップ２の電極部８とフレキシブル基板１のリードパ
ターン５の接続部５ａとが、異方性導電接着剤３の導電
粒子１０によって電気的に接続される。

【００６０】この場合、異方性導電接着剤３のバインダ
ー９と導電粒子１０はＩＣチップ２の電極部８の周囲に
押し流されるが、本実施の形態においては、ベースフィ
ルム４のリードパターン５の接続部５ａの裏面に凸部１
１が設けられていることから、図１（ｂ）に示すよう
に、ベースフィルム４が受け台１２側に撓み、フレキシ
ブル基板１がＩＣチップ２に対して離れるようになる。

【００６１】その結果、導電粒子１０がＩＣチップ２の
スクライブライン７ａとフレキシブル基板１のリードパ
ターン５の双方に接触することはないため、この部分に
おいてショートが発生することはない。

【００６２】また、ベースフィルム４によって導電粒子
１０がＩＣチップ２の回路パターン６に押圧されること
がないため、回路パターン６にダメージが与えられるこ
とはない。

【００６３】このように、本実施の形態によれば、ＩＣ
チップ２とフレキシブル基板１との良好な接続を行うこ
とができ、しかも、ＩＣチップ２にバンプを形成する必
要がないことから、ＩＣチップ２のコストダウンを図る
ことができる。

【００６４】

【実施例】以下、本発明に係るＩＣチップ搭載基板の実
施例を比較例とともに詳細に説明する。

【００６５】〔実施例１〕両面に厚み１８μｍの銅箔が
設けられた厚み２５μｍのポリイミドからなるベースフ
ィルム４に対し、エッチングによって一方の面にＩＣチ
ップ２の電極部８に対応したリードパターン５を形成
し、さらに、ベースフィルム４の裏面側でリードパター
ン５の接続部５ａに対応する位置に、エッチングによっ
て高さ１８μｍの凸部１１を１６０個形成した。

【００６６】この場合、ＩＣチップ２の電極部８は、正
方形状（Ｗ＝Ｌ１＝１００μｍ）とし、凸部１１は、電
極部８の８０％の大きさの長方形状（ｗ＝１００μｍ、
Ｌ２＝８０μｍ）とした。

【００６７】このようなフレキシブル基板１に対し、厚
み３０μｍの異方性導電接着剤３（ソニーケミカル社製
ＣＰ８４３０ＩＱ粒子径５μｍ）を、温度１００
℃、圧力５Ｋｇ/ｃｍ²、時間３秒の条件で仮圧着し、こ
のフレキシブル基板１とＩＣチップ２とを、温度１８０
℃、圧力電極１つ当たり４０ｇ、時間１０秒の条件で本
圧着を行った。

【００６８】このようにして接続された部分の断面を観
察したところ、圧着時の異方性導電接着剤３の流れによ
りフレキシブル基板１が撓み、フレキシブル基板１のリ
ードパターン５とＩＣチップ２のスクライブライン７ａ
とのスペースが押し拡げられたため、ＩＣチップ２のス
クライブライン７ａにおいてはショートは発生しなかっ
た。

【００６９】また、ＩＣチップ２の回路パターン６にお
いても、導電粒子１０による強い圧力が加わらないた
め、ダメージは発生しなかった。

【００７０】〔比較例１〕実施例１と同様のベースフィ
ルム４に対し、ＩＣチップ２の電極部８に対応したリー
ドパターン５を形成する一方、裏面側に凸部を形成しな
いフレキシブル基板を用い、実施例１と同様の条件でＩ
Ｃチップ２との接続を行ったところ、ＩＣチップ２のス
クライブライン７ａ上においてショートが発生した。

【００７１】〔比較例２〕フレキシブル基板１の凸部１
１の長さＬ₂を１８０μｍとし、ＩＣチップ２のスクラ
イブライン７ａに重なるようにしたところ、ＩＣチップ
２のスクライブライン７ａ上においてショートが発生し
た。

【００７２】〔実施例２〕厚み２５μｍのポリイミドか
らなるベースフィルム４の一方の面にスパッタリングに
よって厚み８μｍの銅箔を形成し、この銅箔に対してエ
ッチングによりＩＣチップ２の電極部８に対応したリー
ドパターン５を形成した。

【００７３】そして、このベースフィルム４の裏面側に
ポリアミド酸のワニスを塗布し、乾燥後、酸性のフォト
レジストを塗布し、所定の領域を露光、現像した後、ア
ルカリ溶液（ＫＯＨ、５％）によってエッチングを行
い、ＩＣチップ２の電極部８と同じ大きさ（１００μｍ
×１００μｍ）で高さ１０μｍの凸部１１を１６０個形
成した。この基板を硬化炉に入れて４００℃の温度で加
熱し、ポリアミド酸をイミド化することによりポリイミ
ドの凸部１１を形成した。なお、このポリイミドのガラ
ス転移温度は３００℃以上であった。

【００７４】このフレキシブル基板１を用い、実施例１
の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、ＩＣチッ
プ２のスクライブライン７ａにおけるショートは発生せ
ず、また、回路パターン６においてもダメージは発生し
なかった。

【００７５】〔比較例３〕実施例２のフレキシブル基板
１に対し、導電粒子１０の直径と同一の厚みの異方性導
電接着剤３（ソニーケミカル社製ＣＰ８４３０ＩＱ
粒子径５μｍ）を用い、実施例１の場合と同一の条件で
熱圧着を行ったところ、凸部１１が設けられていない領
域において一部接続不良が生じた。また、ＩＣチップ２
のスクライブライン７ａにおいて一部ショートが発生し
た。

【００７６】〔比較例４〕アクリル系の感光材料（ソニ
ーケミカル社製ＵＶ−１１００）を用い、実施例２と
同様の方法によってベースフィルム４の裏面に軟化点が
１１０℃の凸部１１を形成した。

【００７７】このフレキシブル基板１を用い、実施例２
の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、圧着時の
熱と圧力により凸部が大きく変形してしまい、ＩＣチッ
プ２のスクライブライン７ａにおいてショートが発生し
た。

【００７８】〔比較例５〕厚み２５μｍのポリイミドフ
ィルム上に、厚み約２０μｍのアクリルゴム／エポキシ
系の接着剤によって厚み１８μｍの銅のリードパターン
が貼付された３層のフレキシブル基板（ソニーケミカル
社製ＣＫ−０１０２）を用い、実施例２と同様の方法
によってベースフィルムの裏面にポリイミドによる凸部
１１を形成した。

【００７９】このフレキシブル基板１を用い、実施例２
の場合と同一の条件で熱圧着を行ったところ、接着剤が
軟化して凸部１１の周辺に流動してしまい、ＩＣチップ
２のスクライブライン７ａにおいてショートが発生し
た。

【００８０】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、電極
部にバンプを形成しないＩＣチップを異方性導電接着剤
を用いて回路基板に直接実装する場合に、ＩＣチップの
スクライブライン上においてショートを発生させること
なく確実な導通接続を行うことができる。また、異方性
導電接着剤の導電粒子によって回路パターンへダメージ
が与えられることがないことから、信頼性の高い接続を
行うことができる。このように、本発明によれば、ＩＣ
チップにバンプを形成する必要がなくなるため、ＩＣチ
ップのコストダウンを図ることができるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るフレキシブル基板と
ＩＣチップの要部を示すもので、図１（ａ）は、異方性
導電接着剤によって接続する前の状態を示す断面図、図
１（ｂ）は、接続後の状態を示す断面図である。

【図２】同実施の形態のフレキシブル基板を裏面側から
見た平面図である。

【図３】同実施の形態におけるＩＣチップの電極部、フ
レキシブル基板のリードパターン及びフレキシブル基板
の凸部の位置と大きさの関係を示す説明図である。

【図４】（ａ）〜（ｇ）：同実施の形態のフレキシブル
基板の凸部の形成方法の一例を示す工程図である。

【図５】（ａ）〜（ｇ）：同実施の形態のフレキシブル
基板の凸部の形成方法の他の例を示す工程図である。

【図６】従来技術に係るフレキシブル基板にＩＣチップ
を接続した状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１フレキシブル基板（回路基板）２ＩＣチップ（ベアチップＩＣ）３異方性導電接着剤４ベースフィルム５リードパターン５ａ接続部６回路パターン７半導体基板７ａスクライブライン８電極部９バインダー１０導電粒子１１凸部１１ａ頂面１１ｂ基部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベアチップＩＣと回路基板とを異方性導電
接着剤を用いて導通接続するためのＩＣチップ搭載基板
であって、上記回路基板が可撓性を有し、該回路基板の上記ベアチ
ップＩＣと接続する部分の裏側に、平坦な頂面を有する
凸部を設けたことを特徴とするＩＣチップ搭載基板。
【請求項２】凸部の高さが、異方性導電接着剤中に含ま
れる導電粒子の粒径より大きいことを特徴とする請求項
１記載のＩＣチップ搭載基板。
【請求項３】凸部の高さの精度が、±５μｍ以内である
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載の
ＩＣチップ搭載基板。
【請求項４】凸部の材質が、軟化点が２００℃以上のも
のであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１
項記載のＩＣチップ搭載基板。
【請求項５】凸部の基部の面積が、ベアチップＩＣの電
極部の面積の８０％以上であることを特徴とする請求項
１乃至４のいずれか１項記載のＩＣチップ搭載基板。