JPH10270795A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH10270795A JPH10270795A JP33305697A JP33305697A JPH10270795A JP H10270795 A JPH10270795 A JP H10270795A JP 33305697 A JP33305697 A JP 33305697A JP 33305697 A JP33305697 A JP 33305697A JP H10270795 A JPH10270795 A JP H10270795A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ装置の光共振器の後方端面の反
射率Ｒｒをできるだけ大きくすることにより、低しきい
値電流化、低消費電力化等をはかる。 【解決手段】 半導体レーザ１３の出力制御を行うため
のモニター用の光検出素子１１を、半導体レーザを配置
する基台２１に形成し、かつこの光検出素子を半導体レ
ーザの主ビームが放射される端面の前方に配置する。
射率Ｒｒをできるだけ大きくすることにより、低しきい
値電流化、低消費電力化等をはかる。 【解決手段】 半導体レーザ１３の出力制御を行うため
のモニター用の光検出素子１１を、半導体レーザを配置
する基台２１に形成し、かつこの光検出素子を半導体レ
ーザの主ビームが放射される端面の前方に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザとこ
れよりの出射光を検出するモニター用光検出素子とを具
備する半導体レーザ装置に関わる。
れよりの出射光を検出するモニター用光検出素子とを具
備する半導体レーザ装置に関わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザにおいては、その光共振器
の一端（前方端面）からの出射光を本来の出力光として
用いる。この場合、低しきい値電流化すなわち低消費電
力化や、高信頼性化を図るためには、一般に、光共振器
の他端（後方端面）における反射率Ｒｒをできるだけ高
くする。
の一端（前方端面）からの出射光を本来の出力光として
用いる。この場合、低しきい値電流化すなわち低消費電
力化や、高信頼性化を図るためには、一般に、光共振器
の他端（後方端面）における反射率Ｒｒをできるだけ高
くする。
【０００３】ところが、通常一般の半導体レーザ装置に
おいては、半導体レーザの光共振器の後方端面からの出
射光を、フォトダイオードによる光検出素子によって検
出し、これにより得たモニター信号によって、半導体レ
ーザの出力制御を行う構成とされた、いわゆるリアモニ
ター型構成が採られる。この場合、充分なモニター出力
を得るには、上述したような、光共振器の後方端面の反
射率Ｒｒを高めることに制約があり、通常この種の半導
体レーザにおける後方端面の反射率Ｒｒは、約８０％以
下に選定されている。
おいては、半導体レーザの光共振器の後方端面からの出
射光を、フォトダイオードによる光検出素子によって検
出し、これにより得たモニター信号によって、半導体レ
ーザの出力制御を行う構成とされた、いわゆるリアモニ
ター型構成が採られる。この場合、充分なモニター出力
を得るには、上述したような、光共振器の後方端面の反
射率Ｒｒを高めることに制約があり、通常この種の半導
体レーザにおける後方端面の反射率Ｒｒは、約８０％以
下に選定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体レー
ザ装置の光共振器の後方端面の反射率Ｒｒをできるだけ
大きくすることにより、上述の問題の解決を図る。
ザ装置の光共振器の後方端面の反射率Ｒｒをできるだけ
大きくすることにより、上述の問題の解決を図る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
においては、半導体レーザの出力制御を行うためのモニ
ター用の光検出素子を、半導体レーザを配置する基台に
形成し、かつこの光検出素子を半導体レーザの主ビーム
が放射される端面の前方に配置する。
においては、半導体レーザの出力制御を行うためのモニ
ター用の光検出素子を、半導体レーザを配置する基台に
形成し、かつこの光検出素子を半導体レーザの主ビーム
が放射される端面の前方に配置する。
【０００６】上述の本発明によれば、フロントモニター
型構成としたことによって、光共振器の後方端面の反射
率Ｒｒを充分大、例えばほぼ１００％、すなわち１００
％もしくは殆ど１００％とすることができることによっ
て、しきい値電流Ｉthの低減化、特性温度の低下、信頼
性の向上等の半導体レーザーの特性向上をはかることが
できる。
型構成としたことによって、光共振器の後方端面の反射
率Ｒｒを充分大、例えばほぼ１００％、すなわち１００
％もしくは殆ど１００％とすることができることによっ
て、しきい値電流Ｉthの低減化、特性温度の低下、信頼
性の向上等の半導体レーザーの特性向上をはかることが
できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明による半導体レーザ装置の
実施の形態を説明する。本発明による半導体レーザ装置
においては、例えば図１Ａに概略断面図を示すように、
モニター用の光検出素子１１のフォトダイオードが形成
される例えばシリコン基板を半導体レーザの取付基台と
して、これに半導体レーザ１３を配置する。そして、半
導体レーザの前方に、光検出素子１１が配置され、半導
体レーザの共振器の前方端面具体的には活性層の端面か
らの前方出射光、すなわち主ビームＬM の一部を、光検
出素子１１に入射させるフロントモニター構成とする。
実施の形態を説明する。本発明による半導体レーザ装置
においては、例えば図１Ａに概略断面図を示すように、
モニター用の光検出素子１１のフォトダイオードが形成
される例えばシリコン基板を半導体レーザの取付基台と
して、これに半導体レーザ１３を配置する。そして、半
導体レーザの前方に、光検出素子１１が配置され、半導
体レーザの共振器の前方端面具体的には活性層の端面か
らの前方出射光、すなわち主ビームＬM の一部を、光検
出素子１１に入射させるフロントモニター構成とする。
【０００８】半導体レーザ１３は、例えば図２でその一
例の概略断面図を示すように、第１導電型例えばｎ型の
半導体基体１上に、これと同導電型の第１クラッド層
２、活性層３、第２導電型例えばｐ型の第２クラッド層
４、キャップ層５が順次エピタキシャル成長され、スト
ライプ部を挟んでその両側に、高抵抗化された、あるい
は第１導電型による電流狭窄領域６の形成がなされる。
キャップ層５を有する側には一方の第１の電極７がオー
ミックに被着され、基体１の裏面には他方の第２の電極
８がオーミックに被着される。この半導体レーザ１３
は、その光共振器の後方端面の反射率Ｒｒが、Ｒｒ≒１
００％とすることができる。
例の概略断面図を示すように、第１導電型例えばｎ型の
半導体基体１上に、これと同導電型の第１クラッド層
２、活性層３、第２導電型例えばｐ型の第２クラッド層
４、キャップ層５が順次エピタキシャル成長され、スト
ライプ部を挟んでその両側に、高抵抗化された、あるい
は第１導電型による電流狭窄領域６の形成がなされる。
キャップ層５を有する側には一方の第１の電極７がオー
ミックに被着され、基体１の裏面には他方の第２の電極
８がオーミックに被着される。この半導体レーザ１３
は、その光共振器の後方端面の反射率Ｒｒが、Ｒｒ≒１
００％とすることができる。
【０００９】このように、半導体レーザ１３において
は、その光共振器が構成される活性層３は、その厚さが
例えば約１００μｍとされる半導体基板１上に形成され
たエピタキシャル成長半導体層として形成されることか
ら、この活性層３は、第２の電極８側から１００μｍ程
度隔てた位置にあり、一方、上方の第１の電極７側から
は数μｍ程度の位置に形成されることになる。
は、その光共振器が構成される活性層３は、その厚さが
例えば約１００μｍとされる半導体基板１上に形成され
たエピタキシャル成長半導体層として形成されることか
ら、この活性層３は、第２の電極８側から１００μｍ程
度隔てた位置にあり、一方、上方の第１の電極７側から
は数μｍ程度の位置に形成されることになる。
【００１０】一方、半導体レーザにおいては、動作電流
の低減化を図り、また長時間に渡って安定した動作を行
わしめ、更に長寿命化を図る上で、活性層近傍でのキャ
リアの再結合、すなわち発光に伴って発生する熱を効果
的に放散することが必要となる。この活性層近傍の熱を
効果的に放散するには、半導体レーザの、その取付部か
らの熱放散を利用することが望ましく、このために、図
１Ａに示すように、活性層３からの距離が近い第１の電
極７側において、取付部への取付がなされることが望ま
れる。
の低減化を図り、また長時間に渡って安定した動作を行
わしめ、更に長寿命化を図る上で、活性層近傍でのキャ
リアの再結合、すなわち発光に伴って発生する熱を効果
的に放散することが必要となる。この活性層近傍の熱を
効果的に放散するには、半導体レーザの、その取付部か
らの熱放散を利用することが望ましく、このために、図
１Ａに示すように、活性層３からの距離が近い第１の電
極７側において、取付部への取付がなされることが望ま
れる。
【００１１】ところが、この構成をフロントモニター型
構成において行う場合、半導体レーザの光強度の大きい
主ビーム光が、半導体レーザの前方に配置された光検出
素子のフォトダイオードの配置部表面で反射されたり、
回折される場合があり、ＦＦＰ（ファーフィールドパタ
ーン）がその影響を受けるという問題が生じる場合があ
る。すなわち、この図１Ａで示す構成による場合、前述
したように、レーザ光の一部が光検出素子１１に入射さ
れるように選定するものであるが、実際には、この光検
出素子１１の表面等の光検出素子１１の配置面からの反
射や回折によって、図１ＢにそのＦＦＰの放射角θに対
する光強度分布を示すように、一部に干渉縞の発生が生
じる。
構成において行う場合、半導体レーザの光強度の大きい
主ビーム光が、半導体レーザの前方に配置された光検出
素子のフォトダイオードの配置部表面で反射されたり、
回折される場合があり、ＦＦＰ（ファーフィールドパタ
ーン）がその影響を受けるという問題が生じる場合があ
る。すなわち、この図１Ａで示す構成による場合、前述
したように、レーザ光の一部が光検出素子１１に入射さ
れるように選定するものであるが、実際には、この光検
出素子１１の表面等の光検出素子１１の配置面からの反
射や回折によって、図１ＢにそのＦＦＰの放射角θに対
する光強度分布を示すように、一部に干渉縞の発生が生
じる。
【００１２】次に、このような不都合を回避するように
した実施の形態を以下に説明する。図３は、この半導体
レーザ装置の一例の概略斜視図を示し、図４にその側面
図を示すように、例えばシリコン基板よりなる基台２１
が設けられ、その第１および第２の配置面２１ａおよび
２１ｂに、これらに半導体レーザ１３の出力制御を行う
ためのモニター用の光検出素子１１例えばフォトダイオ
ードと、半導体レーザ１３とが配置される。第２の配置
面２１ｂは、第１の配置面２１ａより所要の高さＨだけ
高い段部１４上に形成される。
した実施の形態を以下に説明する。図３は、この半導体
レーザ装置の一例の概略斜視図を示し、図４にその側面
図を示すように、例えばシリコン基板よりなる基台２１
が設けられ、その第１および第２の配置面２１ａおよび
２１ｂに、これらに半導体レーザ１３の出力制御を行う
ためのモニター用の光検出素子１１例えばフォトダイオ
ードと、半導体レーザ１３とが配置される。第２の配置
面２１ｂは、第１の配置面２１ａより所要の高さＨだけ
高い段部１４上に形成される。
【００１３】この例においても半導体レーザ１３は、そ
の活性層３に近い方の面すなわち第１の電極７側を上述
の段部１４上の第２の配置面２１ｂ上に接合して配置す
る。この場合、活性層によって形成される光共振器の前
方端面が、第２の配置面２１ｂの前方端に一致もしくは
突出するように形成し、この前方出射光が、第１の配置
面２１ａによって蹴られることがないようにすることが
できる。
の活性層３に近い方の面すなわち第１の電極７側を上述
の段部１４上の第２の配置面２１ｂ上に接合して配置す
る。この場合、活性層によって形成される光共振器の前
方端面が、第２の配置面２１ｂの前方端に一致もしくは
突出するように形成し、この前方出射光が、第１の配置
面２１ａによって蹴られることがないようにすることが
できる。
【００１４】このようして、半導体レーザ１３からの前
方出射光Ｌｆが、前方に導出され、かつこの前方出射光
Ｌｆの一部が光検出素子１１に受光されるようにする。
方出射光Ｌｆが、前方に導出され、かつこの前方出射光
Ｌｆの一部が光検出素子１１に受光されるようにする。
【００１５】これについて具体的に説明する。いま、半
導体レーザ１３は、図５の実線曲線で示す垂直方向ＦＦ
Ｐ分布を示すものとし、第２の配置面２１ｂの第１の配
置面２１ａからの高さをＨとし、第１の配置面２１ａの
奥行きすなわち第１および第２の配置面２１ａおよび２
１ｂの各前方縁間の間隔をＬとするとき、これらＨおよ
びＬは、次のようにして決められる。すなわち、いま半
導体レーザからの出力光を集光する光学系（図示せず）
の開口数Ｎ．Ａ．は、０．１５程度である。このＮ．
Ａ．は、Ｎ．Ａ．＝ｎｓｉｎαで与えられるから、α＝
ｓｉｎ-1（Ｎ．Ａ．／ｎ）≒８．６°となる。ここで、
αは入射瞳の半径が張る角、ｎは外囲媒質の屈折率で、
この場合空気の屈折率のｎ≒１とすることができる。つ
まり、２α（約１７°〜２０°）の光が光学系に入射す
ることになる。そして、光共振器の前方出射点から見込
んで基台２１の第１の配置面２１ａの先端Ａ点によって
出射レーザ光が蹴られてしまう臨界角をθA とすると、
θA がα以上の例えばθA ≧１０°が満たされていれ
ば、配置面２１ａによる反射光、回折光による目的の出
力光のＦＦＰへの影響（干渉縞）は事実上問題にならな
い。したがって、上記ＬおよびＨの関係は、下記（数
１）より（数２）を満たすように決定する。
導体レーザ１３は、図５の実線曲線で示す垂直方向ＦＦ
Ｐ分布を示すものとし、第２の配置面２１ｂの第１の配
置面２１ａからの高さをＨとし、第１の配置面２１ａの
奥行きすなわち第１および第２の配置面２１ａおよび２
１ｂの各前方縁間の間隔をＬとするとき、これらＨおよ
びＬは、次のようにして決められる。すなわち、いま半
導体レーザからの出力光を集光する光学系（図示せず）
の開口数Ｎ．Ａ．は、０．１５程度である。このＮ．
Ａ．は、Ｎ．Ａ．＝ｎｓｉｎαで与えられるから、α＝
ｓｉｎ-1（Ｎ．Ａ．／ｎ）≒８．６°となる。ここで、
αは入射瞳の半径が張る角、ｎは外囲媒質の屈折率で、
この場合空気の屈折率のｎ≒１とすることができる。つ
まり、２α（約１７°〜２０°）の光が光学系に入射す
ることになる。そして、光共振器の前方出射点から見込
んで基台２１の第１の配置面２１ａの先端Ａ点によって
出射レーザ光が蹴られてしまう臨界角をθA とすると、
θA がα以上の例えばθA ≧１０°が満たされていれ
ば、配置面２１ａによる反射光、回折光による目的の出
力光のＦＦＰへの影響（干渉縞）は事実上問題にならな
い。したがって、上記ＬおよびＨの関係は、下記（数
１）より（数２）を満たすように決定する。
【００１６】
【数１】ｔａｎθA ＝（Ｈ＋ｈ）／Ｌ
【００１７】
【数２】θA ＝ｔａｎ-1｛（Ｈ＋ｈ）／Ｌ｝≧１０° ここにｈは、配置面２１ｂから活性層３までの高さを示
す。
す。
【００１８】この（数２）を満たすようにＬおよびＨが
設定される。
設定される。
【００１９】上述の本発明構成によるときは、図５の垂
直方向のＦＦＰ分布において、θA≧１０°で斜線を付
して示すように、前方出射光をモニター光として用いる
ことができる。
直方向のＦＦＰ分布において、θA≧１０°で斜線を付
して示すように、前方出射光をモニター光として用いる
ことができる。
【００２０】また、表１にｈ＝１．５μｍのときの（数
２）の式を満たす数値例を示す。これによれば、従来か
ら用いられている基台の長さＬ（約１．０μｍ）のオー
ダーのＬであっても必要な段差の高さＨは加工上問題が
生じる程大き過ぎたり、小さ過ぎたりすることの問題は
生じない。
２）の式を満たす数値例を示す。これによれば、従来か
ら用いられている基台の長さＬ（約１．０μｍ）のオー
ダーのＬであっても必要な段差の高さＨは加工上問題が
生じる程大き過ぎたり、小さ過ぎたりすることの問題は
生じない。
【００２１】
【表１】
【００２２】上述の本発明構成によれば、フロントモニ
ター型構成としたことによって、前方出射光すなわち実
際にレーザー光として用いる出力光をいわば直接的に観
察することができることから、後方出射光をモニターす
る場合におけるような前方出力光と後方出射光との分配
比に変動が生じた場合における、モニターに誤差を生じ
ることがなく、正確なモニターを行うことができる。
ター型構成としたことによって、前方出射光すなわち実
際にレーザー光として用いる出力光をいわば直接的に観
察することができることから、後方出射光をモニターす
る場合におけるような前方出力光と後方出射光との分配
比に変動が生じた場合における、モニターに誤差を生じ
ることがなく、正確なモニターを行うことができる。
【００２３】また、フロントモニター型構成としたこと
によって光共振器の後方端面の反射率Ｒｒを充分大とす
ることができることから、しきい値電流Ｉthの低減化、
特性温度の低下、信頼性の向上等の半導体レーザーの特
性向上をはかることができる。
によって光共振器の後方端面の反射率Ｒｒを充分大とす
ることができることから、しきい値電流Ｉthの低減化、
特性温度の低下、信頼性の向上等の半導体レーザーの特
性向上をはかることができる。
【００２４】更に、この構成においては、活性層３が、
基台２１すなわち半導体レーザーの取付部に近接して配
置された構成となることから、活性層すなわち光共振器
における熱を効率よく放散することができ、動作電流の
低減化を図り、また長時間に渡って安定した動作を行わ
しめ、更に長寿命化を図る上で有利な構成となる。
基台２１すなわち半導体レーザーの取付部に近接して配
置された構成となることから、活性層すなわち光共振器
における熱を効率よく放散することができ、動作電流の
低減化を図り、また長時間に渡って安定した動作を行わ
しめ、更に長寿命化を図る上で有利な構成となる。
【００２５】上述した例では、第１の電極７側で基台へ
の取付けを行うに当たり、第１および第２の配置面２１
ａおよび２１ｂを、光検出素子１１を形成したシリコン
基板自体で一体に構成した場合であるが、シリコン基板
上に高さＨを有する熱伝導性にすぐれた例えば金属のブ
ロックを載置接合した構成とし、これの上面によって第
２の配置面２１ｂを構成することもできるなど、上述し
た例に限られるものではなく、種々の変形変更を行うこ
とができる。
の取付けを行うに当たり、第１および第２の配置面２１
ａおよび２１ｂを、光検出素子１１を形成したシリコン
基板自体で一体に構成した場合であるが、シリコン基板
上に高さＨを有する熱伝導性にすぐれた例えば金属のブ
ロックを載置接合した構成とし、これの上面によって第
２の配置面２１ｂを構成することもできるなど、上述し
た例に限られるものではなく、種々の変形変更を行うこ
とができる。
【００２６】また、上述した例では、光検出素子１１の
配置面２１ａから光出射端の高さ（Ｈ＋ｈ）の設定を、
２１の段部１４によって確保するようにした場合である
が、ある場合は、図６にその概略断面図を示すように、
基台２１をほぼ平坦として、その第１の配置面２１ａ上
に半導体レーザー１３を、その活性層３より遠い位置に
ある第２の電極８側を基台２１の光検出素子１１の第１
の配置面２１ａに接合することによって同様の効果を得
ることができる。この場合、半導体レーザー１３自体で
高さｈを大きくとれることから、この半導体レーザー１
３の配置面を、光検出素子１１の配置面から高さＨをも
って高めることを回避できることから、前述した例にお
けるように、例えば基台２１に段部１４を形成するため
のエッチング等の加工を必要としないものであり、製造
の簡易化をはかることができる。因みに、この構成によ
る場合、通常の半導体レーザーにおいては、基体１の裏
面側から活性層３すなわち光出射端までの距離ｈは、例
えば約１００μｍ程度であるので、上述の距離Ｌは６０
０〜７００μｍとすればよいことが、表１から分かる。
すなわち、この場合においても、前方に光検出素子１１
を設けることによる不都合を回避でき、フロントモニタ
ー型構成が可能となる。
配置面２１ａから光出射端の高さ（Ｈ＋ｈ）の設定を、
２１の段部１４によって確保するようにした場合である
が、ある場合は、図６にその概略断面図を示すように、
基台２１をほぼ平坦として、その第１の配置面２１ａ上
に半導体レーザー１３を、その活性層３より遠い位置に
ある第２の電極８側を基台２１の光検出素子１１の第１
の配置面２１ａに接合することによって同様の効果を得
ることができる。この場合、半導体レーザー１３自体で
高さｈを大きくとれることから、この半導体レーザー１
３の配置面を、光検出素子１１の配置面から高さＨをも
って高めることを回避できることから、前述した例にお
けるように、例えば基台２１に段部１４を形成するため
のエッチング等の加工を必要としないものであり、製造
の簡易化をはかることができる。因みに、この構成によ
る場合、通常の半導体レーザーにおいては、基体１の裏
面側から活性層３すなわち光出射端までの距離ｈは、例
えば約１００μｍ程度であるので、上述の距離Ｌは６０
０〜７００μｍとすればよいことが、表１から分かる。
すなわち、この場合においても、前方に光検出素子１１
を設けることによる不都合を回避でき、フロントモニタ
ー型構成が可能となる。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明構成によれば、
フロントモニター型構成としたことによって、前方出射
光すなわち実際にレーザー光として用いる出力光をいわ
ば直接的に観察することができることから、後方出射光
をモニターする場合におけるような前方出力光と後方出
射光との分配比に変動が生じた場合における、モニター
に誤差を生じることがなく、正確なモニターを行うこと
ができる。
フロントモニター型構成としたことによって、前方出射
光すなわち実際にレーザー光として用いる出力光をいわ
ば直接的に観察することができることから、後方出射光
をモニターする場合におけるような前方出力光と後方出
射光との分配比に変動が生じた場合における、モニター
に誤差を生じることがなく、正確なモニターを行うこと
ができる。
【００２８】また、フロントモニター型構成としたこと
によって光共振器の後方端面の反射率Ｒｒを充分大とす
ることができることから、しきい値電流Ｉthの低減化、
特性温度の低下、信頼性の向上等の半導体レーザーの特
性向上をはかることができる。
によって光共振器の後方端面の反射率Ｒｒを充分大とす
ることができることから、しきい値電流Ｉthの低減化、
特性温度の低下、信頼性の向上等の半導体レーザーの特
性向上をはかることができる。
【００２９】そして、本発明構成によれば、フロントモ
ニター型構成とするにもかかわらず、前方出力光にＦＦ
Ｐにおける光検出素子の配置面による干渉を回避でき
る。
ニター型構成とするにもかかわらず、前方出力光にＦＦ
Ｐにおける光検出素子の配置面による干渉を回避でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは、本発明による半導体レーザー装置の一例
の概略断面図である。Ｂは、そのＦＦＰ光強度分布図で
ある。
の概略断面図である。Ｂは、そのＦＦＰ光強度分布図で
ある。
【図２】本発明装置の半導体レーザーの一例の概略断面
図である。
図である。
【図３】本発明による半導体レーザー装置の一例の概略
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明による半導体レーザー装置の一例の概略
側面図である。
側面図である。
【図５】半導体レーザー装置のＦＦＰ光強度分布図であ
る。
る。
【図６】本発明による半導体レーザー装置の他の例の概
略側面図である。
略側面図である。
１ 半導体基体、２ 第１クラッド層、３ 活性層、４
第２クラッド層、５キャップ層、６ 電流狭窄層、７
第１の電極、８ 第２の電極、１１ 光検出素子、１
３ 半導体レーザー、２１ 基台、２１ａ 第１の配置
面、２１ｂ第２の配置面
第２クラッド層、５キャップ層、６ 電流狭窄層、７
第１の電極、８ 第２の電極、１１ 光検出素子、１
３ 半導体レーザー、２１ 基台、２１ａ 第１の配置
面、２１ｂ第２の配置面
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体レーザの出力制御を行うための光
検出素子が、該半導体レーザを配置する基台に形成さ
れ、 かつ上記光検出素子は、上記半導体レーザの主ビームが
放射される端面の前方に配置されてなることを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザを配置する面が、上記光検出素子を配
置する面より高いことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザの活性層からの距離が遠い方の電極
が、上記基台と接合させたことを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザの活性層からの距離が近い方の電極
を、金属を介して上記基台と接合させたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザが、上記光検出素子を配置する面の前
方端に突出もしくは一致させたことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザの後方端面の反射率がほぼ１００％で
あることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザの主ビームが、上記光検出素子が配置
されている基台の先端によって蹴られてしまう臨界角を
θA とし、半導体レーザからの主ビームを集光する光学
系の開口数をＮ．Ａ．とし、外囲媒質の屈折率をｎとし
たとき、 上記臨界角θA が θA ＞α，但し、α＝ｓｉｎ-1（Ｎ．Ａ．／ｎ） となることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 半導体レーザの出力制御を行なうための
光検出素子が、上記半導体レーザの主ビームが放射され
る端面の前方に配置され、上記半導体レーザを配置する
面が、上記光検出素子を配置する面より高いことを特徴
とする半導体レーザ装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザの活性層からの距離が遠い方の電極側
を、上記半導体レーザを配置する面側として、該配置面
に上記半導体レーザを接合したことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の半導体レーザ装置に
おいて、 上記半導体レーザの活性層からの距離が近い方の電極側
を、上記半導体レーザを配置する面側として、該配置面
に上記半導体レーザを、金属を介し接合させたことを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１１】 請求項８に記載の半導体レーザ装置に
おいて、 上記半導体レーザが、上記光検出素子が配置する面の前
方端に突出もしくは一致させたことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項１２】 請求項８に記載の半導体レーザ装置に
おいて、 上記半導体レーザの後方端面の反射率がほぼ１００％で
あることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項１３】 請求項８に記載の半導体レーザ装置に
おいて、 上記半導体レーザの主ビームが、上記光検出素子が配置
されている基台の先端によって蹴られてしまう臨界角を
θA とし、半導体レーザから主ビームを集光する光学系
の開口数をＮ．Ａ．とし、外囲媒質の屈折率をｎとした
とき、 上記臨界角θA が θA ＞α，但し、α＝ｓｉｎ-1（Ｎ．Ａ．／ｎ） となることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33305697A JPH10270795A (ja) | 1997-01-22 | 1997-12-03 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-9639 | 1997-01-22 | ||
| JP963997 | 1997-01-22 | ||
| JP33305697A JPH10270795A (ja) | 1997-01-22 | 1997-12-03 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270795A true JPH10270795A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=26344399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33305697A Pending JPH10270795A (ja) | 1997-01-22 | 1997-12-03 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018022840A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
-
1997
- 1997-12-03 JP JP33305697A patent/JPH10270795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018022840A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
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