JPH10270801A - 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH10270801A JPH10270801A JP7101797A JP7101797A JPH10270801A JP H10270801 A JPH10270801 A JP H10270801A JP 7101797 A JP7101797 A JP 7101797A JP 7101797 A JP7101797 A JP 7101797A JP H10270801 A JPH10270801 A JP H10270801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- nitride
- iii
- emitting device
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置にお
いて、へき開あるいはエッチング等を用いないで平坦な
共振器面あるいはストライプ構造を作製することを目的
とする。 【解決手段】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置
において、基板上に選択成長させて形成された六角柱構
造の平行となる２つの面を共振器面として用いることを
特徴とする。
いて、へき開あるいはエッチング等を用いないで平坦な
共振器面あるいはストライプ構造を作製することを目的
とする。 【解決手段】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置
において、基板上に選択成長させて形成された六角柱構
造の平行となる２つの面を共振器面として用いることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法に関し、特に
六角柱構造を用いた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
発光素子とその製造方法に関する。
Ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法に関し、特に
六角柱構造を用いた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
発光素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、レーザの共振器面の作製に
は、基板のへき開性を用いた方法が使われている。しか
しながら、通常、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発
光素子に用いられるサファイア基板はへき開性がなく、
特開平８−１７８０３号公報に記載されているように、
絶縁体であるサファイア基板上に積層した窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体発光素子を下側のコンタクト層ま
でドライエッチングすることで共振器を形成している。
は、基板のへき開性を用いた方法が使われている。しか
しながら、通常、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発
光素子に用いられるサファイア基板はへき開性がなく、
特開平８−１７８０３号公報に記載されているように、
絶縁体であるサファイア基板上に積層した窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体発光素子を下側のコンタクト層ま
でドライエッチングすることで共振器を形成している。
【０００３】また、スピネル基板（ＭｇＡｌ2Ｏ4）を用
いて作製した窒化物系化合物半導体発光素子では、”Ｉ
ｎＧａＮ ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ ｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅｓ ｇｒｏ
ｗｎ ＭｇＡｌ2Ｏ4 Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，Ｓ．Ｎ
ａｋａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．６８（１９９６）ｐｐ２１０５〜２１０７に
記載されている。図１３に従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体発光素子の断面図を示す。符号１は基板、２は第１
導電型ＧａＮ単結晶薄膜、３はＳｉＯ2膜、４は第１導
電型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層、５はアンドープのＩ
ｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ活性層、６は第２導電型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎクラッド層、７はｐ型ＧａＮコンタクト層、８は
第１導電側電極、９は第２導電側電極である。このＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体発光素子では窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体のポリッシングによる共振器の形成が行
われている。あるいは”Ｈｉｇｈ−ｑｕａｌｉｔｙ Ｇ
ａＮ ｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒ ｇｒｏｗｎ ｂ
ｙ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓ
ｅ ｅｐｉｔａｘｙ ｏｎ （１１１） ＭｇＡｌ2Ｏ4
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”，Ａ．ｋｕｒａｍａｔａ ｅｔ
ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７（１９
９５）ｐｐ２５２１〜２５２３に記載されているように
スピネル基板（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のへき開性を用いた共振
器の形成が行われている。
いて作製した窒化物系化合物半導体発光素子では、”Ｉ
ｎＧａＮ ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ ｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅ ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅｓ ｇｒｏ
ｗｎ ＭｇＡｌ2Ｏ4 Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”，Ｓ．Ｎ
ａｋａｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．６８（１９９６）ｐｐ２１０５〜２１０７に
記載されている。図１３に従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体発光素子の断面図を示す。符号１は基板、２は第１
導電型ＧａＮ単結晶薄膜、３はＳｉＯ2膜、４は第１導
電型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層、５はアンドープのＩ
ｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ活性層、６は第２導電型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎクラッド層、７はｐ型ＧａＮコンタクト層、８は
第１導電側電極、９は第２導電側電極である。このＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体発光素子では窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体のポリッシングによる共振器の形成が行
われている。あるいは”Ｈｉｇｈ−ｑｕａｌｉｔｙ Ｇ
ａＮ ｅｐｉｔａｘｉａｌｌａｙｅｒ ｇｒｏｗｎ ｂ
ｙ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓ
ｅ ｅｐｉｔａｘｙ ｏｎ （１１１） ＭｇＡｌ2Ｏ4
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”，Ａ．ｋｕｒａｍａｔａ ｅｔ
ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７（１９
９５）ｐｐ２５２１〜２５２３に記載されているように
スピネル基板（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のへき開性を用いた共振
器の形成が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】へき開性のあるスピネ
ル基板を用いることで共振器面の形成は容易に可能とな
るが、サファイア基板やスピネル基板は絶縁性であり、
基板のへき開性を用いて共振器を形成したとしても下側
の電極を形成するために、ドライエッチングによって上
側のストライプ電極の側をエッチングする必要がある。
しかしながら、エッチングによって形成されたストライ
プの側面は平坦でなく、レーザ発振における光損失に大
きく影響し、レーザ発振のしきい値電流の増大を招く問
題が生じた。
ル基板を用いることで共振器面の形成は容易に可能とな
るが、サファイア基板やスピネル基板は絶縁性であり、
基板のへき開性を用いて共振器を形成したとしても下側
の電極を形成するために、ドライエッチングによって上
側のストライプ電極の側をエッチングする必要がある。
しかしながら、エッチングによって形成されたストライ
プの側面は平坦でなく、レーザ発振における光損失に大
きく影響し、レーザ発振のしきい値電流の増大を招く問
題が生じた。
【０００５】本発明は、上に述べた問題点を解決する共
振器端面およびストライプ側面の形成方法を見い出し、
レーザ発振の低しきい値電流化を図ることを目的として
いる。
振器端面およびストライプ側面の形成方法を見い出し、
レーザ発振の低しきい値電流化を図ることを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体発光素子は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を積層して形成された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体発光素子において、前記窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体が六角柱状であり、前記六角柱の平
行となる２つの平面を共振器面とすることを特徴とす
る。
−Ｖ族化合物半導体発光素子は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を積層して形成された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体発光素子において、前記窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体が六角柱状であり、前記六角柱の平
行となる２つの平面を共振器面とすることを特徴とす
る。
【０００７】前記共振器面のうち、１組の対向面積に対
して他の２組の対向面積を０．２以下とすることを特徴
とする。
して他の２組の対向面積を０．２以下とすることを特徴
とする。
【０００８】また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
発光素子の製造方法は、基板上に第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を成長させる工程と、前記第１の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に酸化膜を形成する
工程と、前記第１の窒化物系化合物半導体を露出させる
まで、前記酸化膜を部分的にエッチングして窓を形成す
る工程と、前記窓から六角柱構造の第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を成長させることを特徴とする。
発光素子の製造方法は、基板上に第１の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体を成長させる工程と、前記第１の窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に酸化膜を形成する
工程と、前記第１の窒化物系化合物半導体を露出させる
まで、前記酸化膜を部分的にエッチングして窓を形成す
る工程と、前記窓から六角柱構造の第２の窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体を成長させることを特徴とする。
【０００９】前記窓の形状が六角形であり、平行となる
１組の対向長さを１とした場合に、他の２組の対向長さ
が０．２以下とすることを特徴とする。
１組の対向長さを１とした場合に、他の２組の対向長さ
が０．２以下とすることを特徴とする。
【００１０】また、前記窓の形状が長方形であり、短辺
に対する長辺の長さが２２／（７×（３）0.5）以上の
比とすることを特徴とする。
に対する長辺の長さが２２／（７×（３）0.5）以上の
比とすることを特徴とする。
【００１１】
（実施の形態１）図１に、六角柱形状レーザを作製する
場合の製造工程断面図を示す。基板１上に、図示しない
が低温成長ＧａＮバッファ層を介して、第１導電型のＧ
ａＮ単結晶薄膜２をＭＯＣＶＤ法によって成長する。こ
の時の製造工程の斜視図を図１（ａ）に示す。
場合の製造工程断面図を示す。基板１上に、図示しない
が低温成長ＧａＮバッファ層を介して、第１導電型のＧ
ａＮ単結晶薄膜２をＭＯＣＶＤ法によって成長する。こ
の時の製造工程の斜視図を図１（ａ）に示す。
【００１２】次に、第１導電型のＧａＮ単結晶薄膜２の
上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜３を堆積し、その上にレ
ジストを塗付し、フォトリソグラフィーによって六角形
状の窓を形成する。次に、レジストをマスクとしてドラ
イエッチングにより部分的にＳｉＯ2膜３を第１導電型
のＧａＮ単結晶薄膜２まで除去し、さらにレジストを除
去する。この時の製造工程の斜視図を図１（ｂ）に示
す。
上にＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜３を堆積し、その上にレ
ジストを塗付し、フォトリソグラフィーによって六角形
状の窓を形成する。次に、レジストをマスクとしてドラ
イエッチングにより部分的にＳｉＯ2膜３を第１導電型
のＧａＮ単結晶薄膜２まで除去し、さらにレジストを除
去する。この時の製造工程の斜視図を図１（ｂ）に示
す。
【００１３】次に、基板１を再びＭＯＣＶＤ装置内に導
入し、ＳｉＯ2膜３をマスクにして選択成長を行い、窓
部分に順次、第１導電型ＡｌＧａＮクラッド層４を成長
させる。
入し、ＳｉＯ2膜３をマスクにして選択成長を行い、窓
部分に順次、第１導電型ＡｌＧａＮクラッド層４を成長
させる。
【００１４】さらに、連続してアンドープＩｎＧａＮ活
性層５、第２導電型ＡｌＧａＮクラッド層６、第２導電
型ＧａＮコンタクト層７を成長させる。最後に、ＳｉＯ
2膜３を除去し、フォトリソグラフイーを用いて第１導
電側電極８、第２導電側電極９を形成し、チップ分割す
ることでレーザが作製できる。この時の製造工程の斜視
図を図１（ｄ）に示す。
性層５、第２導電型ＡｌＧａＮクラッド層６、第２導電
型ＧａＮコンタクト層７を成長させる。最後に、ＳｉＯ
2膜３を除去し、フォトリソグラフイーを用いて第１導
電側電極８、第２導電側電極９を形成し、チップ分割す
ることでレーザが作製できる。この時の製造工程の斜視
図を図１（ｄ）に示す。
【００１５】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶
成長条件を選ぶことによって窓部分にのみ結晶成長する
ことが可能となる。この場合、ＭＯＣＶＤ法がより優位
な結晶成長法であった。
成長条件を選ぶことによって窓部分にのみ結晶成長する
ことが可能となる。この場合、ＭＯＣＶＤ法がより優位
な結晶成長法であった。
【００１６】また、窓部分に成長させる六角柱は、成長
の初期段階より１つの結晶核からその結晶を徐々に大き
くしていくことがより好ましい。しかしながら、成長の
初期段階で複数の六角柱が発生した場合でも、結晶成長
速度を最適化することによってそれぞれの六角柱が結合
し、１つの六角柱にすることができる。六角柱の面内方
向の成長は、窓のパターンに達すると停止し、その後は
面に垂直な方向にのみ成長が進行する。
の初期段階より１つの結晶核からその結晶を徐々に大き
くしていくことがより好ましい。しかしながら、成長の
初期段階で複数の六角柱が発生した場合でも、結晶成長
速度を最適化することによってそれぞれの六角柱が結合
し、１つの六角柱にすることができる。六角柱の面内方
向の成長は、窓のパターンに達すると停止し、その後は
面に垂直な方向にのみ成長が進行する。
【００１７】本実施の形態では、異なる３つの六角形状
の窓から選択成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体発光素子を作製した。この時の窓の形状を図２に示
す。図２（ａ）に示す窓の形状は正六角形であり、１辺
ａを３０μｍとした。
の窓から選択成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体発光素子を作製した。この時の窓の形状を図２に示
す。図２（ａ）に示す窓の形状は正六角形であり、１辺
ａを３０μｍとした。
【００１８】図２（ｂ）に示す窓のパターン形状は、平
行となる１組の対向長さを１とした場合に、他の２組の
対向長さを０．２とした形状である六角形であり、短辺
ａを３０μｍ、長辺を６５μｍとした。ここで、対向長
さとは平行な辺に垂線を引いてできる最大の長方形での
短辺の長さのことである。
行となる１組の対向長さを１とした場合に、他の２組の
対向長さを０．２とした形状である六角形であり、短辺
ａを３０μｍ、長辺を６５μｍとした。ここで、対向長
さとは平行な辺に垂線を引いてできる最大の長方形での
短辺の長さのことである。
【００１９】また、図２（ｃ）に示す窓のパターン形状
は平行となる１組の対向長さを１とした場合に、他の２
組の対向長さを０とした形状であり、短辺ａを３０μ
ｍ、長辺を９０μｍとした。
は平行となる１組の対向長さを１とした場合に、他の２
組の対向長さを０とした形状であり、短辺ａを３０μ
ｍ、長辺を９０μｍとした。
【００２０】このような窓から形成したレーザの層構造
は、ｎ型ＧａＮ層（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×
１０19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層（膜
厚１．０μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｉ型
Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ活性層（膜厚６０Å）、ｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層（膜厚０．８μｍ、キャリア濃
度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層（膜厚
０．２μｍ、キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）からなっ
ている。駆動電流は、パルス幅１μｓｅｃ，パルス周期
１ｍｓｅｃのパルス電流とした。
は、ｎ型ＧａＮ層（膜厚０．２μｍ、キャリア濃度１×
１０19ｃｍ-3）、ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層（膜
厚１．０μｍ、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3）、ｉ型
Ｉｎ0.15Ｇａ0.85Ｎ活性層（膜厚６０Å）、ｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層（膜厚０．８μｍ、キャリア濃
度５×１０17ｃｍ-3）、ｐ型ＧａＮコンタクト層（膜厚
０．２μｍ、キャリア濃度５×１０18ｃｍ-3）からなっ
ている。駆動電流は、パルス幅１μｓｅｃ，パルス周期
１ｍｓｅｃのパルス電流とした。
【００２１】本発明の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体発光素子での図２（ｃ）に示す窓から成長させた構造
での発振スペクトルを図３に示す。図３に示すように、
レーザの発振スペクトルはほぼ単一のピークとなってお
り、従来の電極ストライプ構造のレーザより発振波長の
単一性が向上している。これは、本発明のように六角柱
構造を用いた場合、レーザの共振器長が六角柱構造の大
きさのみによって決定され、六角柱構造の大きさを変え
ることで、極めて容易に単一波長の発振レーザが実現で
きるためである。
体発光素子での図２（ｃ）に示す窓から成長させた構造
での発振スペクトルを図３に示す。図３に示すように、
レーザの発振スペクトルはほぼ単一のピークとなってお
り、従来の電極ストライプ構造のレーザより発振波長の
単一性が向上している。これは、本発明のように六角柱
構造を用いた場合、レーザの共振器長が六角柱構造の大
きさのみによって決定され、六角柱構造の大きさを変え
ることで、極めて容易に単一波長の発振レーザが実現で
きるためである。
【００２２】一方、従来のへき開して共振器端面を形成
する場合には、素子作製の歩留り等の問題から数百μｍ
以上に制限されるため、単一波長発振は困難である。な
お、六角柱の大きさが小さすぎた場合、上部電極の形成
が困難となるため、共振器長としては１０μｍ以上の長
さが好ましい。
する場合には、素子作製の歩留り等の問題から数百μｍ
以上に制限されるため、単一波長発振は困難である。な
お、六角柱の大きさが小さすぎた場合、上部電極の形成
が困難となるため、共振器長としては１０μｍ以上の長
さが好ましい。
【００２３】また、異なる六角形状の窓から成長させて
作製した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の
注入される電流密度と光出力との関係を図４に示す。本
実施の形態と同一の層構造でポリッシングおよびドライ
エッチングを用いて作製した従来のレーザに比べ、図２
（ｂ）、（ｃ）に示す窓から成長させた構造ではしきい
値電流密度が低減できた。これは、本発明の六角柱構造
の平行となる２つの面を共振器面として用いた場合、六
角柱構造の表面が原子オーダーで平坦な面となっている
ため、ポリッシングなどで形成した共振器面あるいはド
ライエッチングで形成したリッジ側面に比べて平坦性が
著しく改善され、その結果、共振器面およびリッジ側面
での光の損失が著しく低減されるためである。一方、図
２（ａ）の場合には、共振器面が３方向で形成されるた
め、光の閉じ込め効率が悪く、発振までに至らなかっ
た。
作製した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の
注入される電流密度と光出力との関係を図４に示す。本
実施の形態と同一の層構造でポリッシングおよびドライ
エッチングを用いて作製した従来のレーザに比べ、図２
（ｂ）、（ｃ）に示す窓から成長させた構造ではしきい
値電流密度が低減できた。これは、本発明の六角柱構造
の平行となる２つの面を共振器面として用いた場合、六
角柱構造の表面が原子オーダーで平坦な面となっている
ため、ポリッシングなどで形成した共振器面あるいはド
ライエッチングで形成したリッジ側面に比べて平坦性が
著しく改善され、その結果、共振器面およびリッジ側面
での光の損失が著しく低減されるためである。一方、図
２（ａ）の場合には、共振器面が３方向で形成されるた
め、光の閉じ込め効率が悪く、発振までに至らなかっ
た。
【００２４】また、図４に示されるように１辺の対向面
積が他の辺の対向面積より大きくなるにつれて、しきい
値電流密度は減少している。これは、六角柱構造が正六
角形の場合、レーザ発振が３つの共振器面方向で起こる
ため、しきい値電流密度の増大を招くためである。この
状態での発振の模式図を図５（ａ）に示す。しきい値電
流密度を低減するには、六角柱の１組の平行な面の対向
面積を他の２組の面の対向面積よりも大きくすることが
必要である。１組の長辺の長さをｂとし、他の最も長い
辺をａとすると、ｂ≧１５ａ／７を満たす六角形状の窓
から成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光
素子での発振の模式図を図５（ｂ）に示す。窓の形状は
平行となる１組の対向長さを１とした場合に、他の２組
の対向長さをを０．２とした形状である六角形であり、
ほぼ一方向からレーザ発振が生じ、わずかに他の２方向
からレーザ発振が生じていることが示されている。
積が他の辺の対向面積より大きくなるにつれて、しきい
値電流密度は減少している。これは、六角柱構造が正六
角形の場合、レーザ発振が３つの共振器面方向で起こる
ため、しきい値電流密度の増大を招くためである。この
状態での発振の模式図を図５（ａ）に示す。しきい値電
流密度を低減するには、六角柱の１組の平行な面の対向
面積を他の２組の面の対向面積よりも大きくすることが
必要である。１組の長辺の長さをｂとし、他の最も長い
辺をａとすると、ｂ≧１５ａ／７を満たす六角形状の窓
から成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光
素子での発振の模式図を図５（ｂ）に示す。窓の形状は
平行となる１組の対向長さを１とした場合に、他の２組
の対向長さをを０．２とした形状である六角形であり、
ほぼ一方向からレーザ発振が生じ、わずかに他の２方向
からレーザ発振が生じていることが示されている。
【００２５】また、ｂ≧３ａを満たす六角形の窓から作
製した場合には、１方向にのみ共振器が形成され、他の
２方向には共振器は形成されずに理想的なレーザ構造と
なる。この場合の発振の模式図を図５（ｃ）に示す。
製した場合には、１方向にのみ共振器が形成され、他の
２方向には共振器は形成されずに理想的なレーザ構造と
なる。この場合の発振の模式図を図５（ｃ）に示す。
【００２６】平行となる１組の長辺の面の対向長さをｂ
であり、他の２組の平行な面の対向長さをｃとすると、
窓のパターン形状の六角形でのｃ／ｂを横軸にとり、ｃ
／ｂの時のしきい値電流密度とｃ／ｂ＝０の時のしきい
値電流密度との比を縦軸にとり、その相関関係を示す図
を図６に示す。実用的にはｃ／ｂ＝０の時のしきい値電
流密度の２倍までが好ましい。
であり、他の２組の平行な面の対向長さをｃとすると、
窓のパターン形状の六角形でのｃ／ｂを横軸にとり、ｃ
／ｂの時のしきい値電流密度とｃ／ｂ＝０の時のしきい
値電流密度との比を縦軸にとり、その相関関係を示す図
を図６に示す。実用的にはｃ／ｂ＝０の時のしきい値電
流密度の２倍までが好ましい。
【００２７】一方向にのみ共振器が形成されているこ
と、つまり窓のパターン形状の六角形がｃ／ｂ＝０であ
る場合、つまりｂ≧３ａである場合が理想的であるが、
図６に示すように、実用的には１つの組みの対向長さに
対する他の２つの組の対向長さが０．２以下することに
よって、従来構造のレーザよりもしきい値電流を大幅に
低減することが可能であり、実用的と考えられる。この
場合、窓のパターン形状の六角形がｂ／ａ＝１５／７以
下であるという条件を満たしていればよい。
と、つまり窓のパターン形状の六角形がｃ／ｂ＝０であ
る場合、つまりｂ≧３ａである場合が理想的であるが、
図６に示すように、実用的には１つの組みの対向長さに
対する他の２つの組の対向長さが０．２以下することに
よって、従来構造のレーザよりもしきい値電流を大幅に
低減することが可能であり、実用的と考えられる。この
場合、窓のパターン形状の六角形がｂ／ａ＝１５／７以
下であるという条件を満たしていればよい。
【００２８】（実施の形態２）実施の形態１では、形成
するレーザの六角柱構造と同一形状の窓を設けることに
よって六角柱構造を得ることが可能となるが、本実施の
形態ではより簡便な窓の形状としては長方形として、本
実施の形態では、異なる３つの長方形状の窓を有する酸
化膜を選択成長のマスクとして用いた。図７は長方形の
形状の窓からなる層から成長させた六角柱構造の半導体
レーザの上面図である。
するレーザの六角柱構造と同一形状の窓を設けることに
よって六角柱構造を得ることが可能となるが、本実施の
形態ではより簡便な窓の形状としては長方形として、本
実施の形態では、異なる３つの長方形状の窓を有する酸
化膜を選択成長のマスクとして用いた。図７は長方形の
形状の窓からなる層から成長させた六角柱構造の半導体
レーザの上面図である。
【００２９】長方形の窓の短辺の長さを５０μｍとし
て、図７（ａ）に示す窓は長辺と短辺の比を１．１５と
した長方形（長辺の長さ５７．５μｍ）であり、図７
（ｂ）に示す窓は、長辺と短辺の比が２．０（比が２２
／（７×（３）0.5）以上４／（３）0.5以下）とした長
方形（長辺の長さ１００μｍ）、図７（ｃ）に示す窓は
長辺と短辺の比が２．５（比が４／（３）0.5以上）と
した長方形（長辺の長さ１２５μｍ）である。窓の長方
形状内に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子を
実施の形態１と同様の製造工程を用いて作製した。
て、図７（ａ）に示す窓は長辺と短辺の比を１．１５と
した長方形（長辺の長さ５７．５μｍ）であり、図７
（ｂ）に示す窓は、長辺と短辺の比が２．０（比が２２
／（７×（３）0.5）以上４／（３）0.5以下）とした長
方形（長辺の長さ１００μｍ）、図７（ｃ）に示す窓は
長辺と短辺の比が２．５（比が４／（３）0.5以上）と
した長方形（長辺の長さ１２５μｍ）である。窓の長方
形状内に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子を
実施の形態１と同様の製造工程を用いて作製した。
【００３０】六角柱構造を正六角形状のレーザを図７
（ａ）に示し、平行となる１組の対向長さを１とした場
合に、他の２組の対向長さが０．２以下となる六角形柱
のレーザを図７（ｂ）に示し、平行となる１組の対向長
さを１とした場合に、他の２組の対向長さが０となる六
角形柱を図７（ｃ）に示す。
（ａ）に示し、平行となる１組の対向長さを１とした場
合に、他の２組の対向長さが０．２以下となる六角形柱
のレーザを図７（ｂ）に示し、平行となる１組の対向長
さを１とした場合に、他の２組の対向長さが０となる六
角形柱を図７（ｃ）に示す。
【００３１】図８に、異なる長方形状の窓から成長させ
たレーザの電流−光出力特性を示す。なお、レーザの層
構造は、実施の形態１と同様である。駆動電流は、パル
ス幅１μｓｅｃ，パルス周期１ｍｓｅｃのパルス電流で
ある。図８から明らかなように、長方形状の長辺が短辺
に対して大きくなるに従って、しきい値電流密度は減少
している。図７（ａ）に示す正六角形の構造では、発振
まで至らなかった。
たレーザの電流−光出力特性を示す。なお、レーザの層
構造は、実施の形態１と同様である。駆動電流は、パル
ス幅１μｓｅｃ，パルス周期１ｍｓｅｃのパルス電流で
ある。図８から明らかなように、長方形状の長辺が短辺
に対して大きくなるに従って、しきい値電流密度は減少
している。図７（ａ）に示す正六角形の構造では、発振
まで至らなかった。
【００３２】図７（ｃ）に示すような理想的な六角柱構
造を得るためには長方形の長辺と短辺との比を４／
（３）0.5以上にすることが必要である。
造を得るためには長方形の長辺と短辺との比を４／
（３）0.5以上にすることが必要である。
【００３３】一方向にのみ共振器が形成されているのが
理想的であるが、実際のレーザでは、１つの組の対向面
積を１とした場合に、他の２組の対向面積を０．２以下
程度にしても、実施の形態１で記載したように、従来構
造のレーザよりもしきい値電流を大幅に低減することが
可能であり、この場合には長方形の長辺と短辺との比を
２２／（７×（３）0.5）以上にすれば良い。
理想的であるが、実際のレーザでは、１つの組の対向面
積を１とした場合に、他の２組の対向面積を０．２以下
程度にしても、実施の形態１で記載したように、従来構
造のレーザよりもしきい値電流を大幅に低減することが
可能であり、この場合には長方形の長辺と短辺との比を
２２／（７×（３）0.5）以上にすれば良い。
【００３４】（実施の形態３）六角形あるいは長方形の
窓のパターン形状での平行な１組の辺と六方晶である窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の等価な６つのａ軸の
うちの１つと垂直になっていることが望ましい。窒化物
系化合物半導体の結晶面とａ軸との関係を図９に示す。
図９に示されるように、六角柱構造の壁面がａ軸と直交
する面であることに起因する。実際の結晶成長の場合に
は、もう少し条件をゆるめることができ、９０°±５°
の角度範囲内にあればよい。
窓のパターン形状での平行な１組の辺と六方晶である窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の等価な６つのａ軸の
うちの１つと垂直になっていることが望ましい。窒化物
系化合物半導体の結晶面とａ軸との関係を図９に示す。
図９に示されるように、六角柱構造の壁面がａ軸と直交
する面であることに起因する。実際の結晶成長の場合に
は、もう少し条件をゆるめることができ、９０°±５°
の角度範囲内にあればよい。
【００３５】基板としてＳｉＣを用いた場合、ＳｉＣ基
板のａ軸に対して長方形の長辺が９０°の角をなす方向
に形成された窓の形状を図１０（ａ）に示す。次に、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のａ軸に対し長方形の
長辺が４５°の角をなす方向に形成された窓の形状を図
１０（ｂ）に示す。更に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体のａ軸に対し長方形の長辺が６０°の角をなす方
向に形成された窓の形状を図１０（ｃ）にしめす。図１
０（ａ）〜（ｃ）に示す窓の形状内に窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させた六角柱構造も図中に示し
ている。長方形の形状は、長辺と短辺の比が２．５とし
た長方形（長辺の長さ１２５μｍ）であり、同一のもの
とした。この図により、図１０（ａ）に示すＳｉＣ基板
上のａ軸に対し長方形の長辺が９０°の角をなす方向に
形成された窓のパターン形状の時、最も望ましい六角柱
構造の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が形成されて
いることがわかる。
板のａ軸に対して長方形の長辺が９０°の角をなす方向
に形成された窓の形状を図１０（ａ）に示す。次に、窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のａ軸に対し長方形の
長辺が４５°の角をなす方向に形成された窓の形状を図
１０（ｂ）に示す。更に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体のａ軸に対し長方形の長辺が６０°の角をなす方
向に形成された窓の形状を図１０（ｃ）にしめす。図１
０（ａ）〜（ｃ）に示す窓の形状内に窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体を成長させた六角柱構造も図中に示し
ている。長方形の形状は、長辺と短辺の比が２．５とし
た長方形（長辺の長さ１２５μｍ）であり、同一のもの
とした。この図により、図１０（ａ）に示すＳｉＣ基板
上のａ軸に対し長方形の長辺が９０°の角をなす方向に
形成された窓のパターン形状の時、最も望ましい六角柱
構造の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が形成されて
いることがわかる。
【００３６】一般に、化合物半導体の結晶成長方向は、
基板１の結晶構造、面方位によって決定される。基板１
として６Ｈ−ＳｉＣのようなウルツ鉱構造を有する材料
の（００１）面（ｃ面）を用いた場合、基板のａ軸と窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＮのａ軸は
完全に一致し、長方形の長辺をこれと直交するように窓
を形成すればよい。基板としてサファイアを用いた場合
には、サファイアのａ軸に対してＧａＮのａ軸が３０°
回転した方向にＧａＮが成長するため、長方形の長辺を
サファイア基板の３０°回転するように窓を形成すれば
よい。
基板１の結晶構造、面方位によって決定される。基板１
として６Ｈ−ＳｉＣのようなウルツ鉱構造を有する材料
の（００１）面（ｃ面）を用いた場合、基板のａ軸と窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＮのａ軸は
完全に一致し、長方形の長辺をこれと直交するように窓
を形成すればよい。基板としてサファイアを用いた場合
には、サファイアのａ軸に対してＧａＮのａ軸が３０°
回転した方向にＧａＮが成長するため、長方形の長辺を
サファイア基板の３０°回転するように窓を形成すれば
よい。
【００３７】図１１に実施の形態１と同様の製造工程を
用いて作製したレーザの電流−光出力特性を示す。な
お、レーザの層構造は、実施の形態１と同様である。駆
動電流は、パルス幅１μｓｅｃ，パルス周期１ｍｓｅｃ
のパルスである。
用いて作製したレーザの電流−光出力特性を示す。な
お、レーザの層構造は、実施の形態１と同様である。駆
動電流は、パルス幅１μｓｅｃ，パルス周期１ｍｓｅｃ
のパルスである。
【００３８】図１１から明らかなように、図１０（ａ）
に示す窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の共
振器面が形成されレーザ発振しているが、図１０
（ｂ）、（ｃ）に示す窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体では発振の効率が非常に悪かった。また、図１０
（ｂ）、（ｃ）の場合には、得られる窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の形状が一定していなかった。したが
って、六角形あるいは長方形の平行な１組の辺が六方晶
をとる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の等価な３つ
のａ軸のうちの１つと垂直になっていることが望まし
い。
に示す窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の共
振器面が形成されレーザ発振しているが、図１０
（ｂ）、（ｃ）に示す窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体では発振の効率が非常に悪かった。また、図１０
（ｂ）、（ｃ）の場合には、得られる窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体の形状が一定していなかった。したが
って、六角形あるいは長方形の平行な１組の辺が六方晶
をとる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の等価な３つ
のａ軸のうちの１つと垂直になっていることが望まし
い。
【００３９】なお、実施の形態では、図１２（ａ）に示
す直交する２本の２回対称軸を有する六角柱構造につい
て述べているが、図１２（ｂ）に示すような１本の２回
対称軸を有する六角柱構造や、対称軸を有しない図１２
（ｃ）に示すような六角柱構造でもレーザ発振可能であ
るが、共振器面のうちの１つの組の対向面積を１とした
場合に、他の２組の対向面積が０．２以下となっている
ことが好ましい。
す直交する２本の２回対称軸を有する六角柱構造につい
て述べているが、図１２（ｂ）に示すような１本の２回
対称軸を有する六角柱構造や、対称軸を有しない図１２
（ｃ）に示すような六角柱構造でもレーザ発振可能であ
るが、共振器面のうちの１つの組の対向面積を１とした
場合に、他の２組の対向面積が０．２以下となっている
ことが好ましい。
【００４０】本発明は、六方晶をとる窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体であれば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮ以外にも適用でき、例えばＢＮでもよい。
Ｖ族化合物半導体であれば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ａｌ
ＧａＮ以外にも適用でき、例えばＢＮでもよい。
【００４１】
【発明の効果】本発明において見い出したレーザ構造を
用いることにより、共振器やレーザ素子の作製が容易に
なり、また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子特
性が向上し、さらに容易に単一波長発振レーザが実現で
きる。
用いることにより、共振器やレーザ素子の作製が容易に
なり、また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子特
性が向上し、さらに容易に単一波長発振レーザが実現で
きる。
【図１】本発明に係る六角柱構造のレーザ素子の製造工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
【図２】本発明に係る窓の形状を示す図である。
【図３】実施の形態１のレーザの発振スペクトルを示す
図である。
図である。
【図４】実施の形態１のレーザの電流−光出力特性を示
す図である。
す図である。
【図５】実施の形態１に示す六角柱構造のレーザの共振
器面の関係を示す図である。
器面の関係を示す図である。
【図６】ｃ／ｂと、ｃ／ｂ＝０の時のしきい値電流密度
に対するしきい値電流密度の比との相関を示す図であ
る。
に対するしきい値電流密度の比との相関を示す図であ
る。
【図７】実施の形態２の長方形の窓から成長させた六角
柱構造のレーザの上面図である。
柱構造のレーザの上面図である。
【図８】実施の形態２のレーザの電流−光出力特性を示
す図である。
す図である。
【図９】窒化物系化合物半導体結晶のａ軸と結晶面の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図１０】実施の形態３の長方形の窓から成長させた六
角柱構造のレーザの上面図である。
角柱構造のレーザの上面図である。
【図１１】実施の形態３のレーザの電流−光出力特性を
示す図である。
示す図である。
【図１２】さまざまな六角柱構造のレーザを示す図であ
る。
る。
【図１３】従来構造のレーザを示す図である。
１ 基板 ２ 第１導電型ＧａＮ単結晶薄膜 ３ ＳｉＯ2膜 ４ 第１導電型ＡｌＧａＮクラッド層 ５ アンドープＩｎＧａＮ活性層 ６ 第２導電型ＡｌＧａＮクラッド層 ７ 第２導電型ＧａＮコンタクト層 ８ 第１導電側電極 ９ 第２導電側電極
Claims (5)
- 【請求項１】 窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を積
層して形成された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発
光素子において、前記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体が六角柱状であり、前記六角柱の平行となる２つの平
面を共振器面とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
発光素子。 - 【請求項２】 前記共振器面のうち、１組の対向面積に
対して他の２組の対向面積を０．２以下とすることを特
徴とする請求項１に記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体発光素子。 - 【請求項３】 基板上に第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長させる工程と、 前記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に酸化
膜を形成する工程と、 前記第１の窒化物系化合物半導体を露出させるまで、前
記酸化膜を部分的にエッチングして窓を形成する工程
と、 前記窓から六角柱構造の第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体を成長させることを特徴とする窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記窓の形状が六角形であり、平行とな
る１組の対向長さを１とした場合に、他の２組の対向長
さが０．２以下とすることを特徴とする請求項３に記載
の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記窓の形状が長方形であり、短辺に対
する長辺の長さが２２／（７×（３）0.5）以上の比と
することを特徴とする請求項３に記載の窒化物系ＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07101797A JP3863962B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07101797A JP3863962B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270801A true JPH10270801A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3863962B2 JP3863962B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=13448337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07101797A Expired - Fee Related JP3863962B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3863962B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063348A3 (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-20 | Emcore Corp | IMPROVED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY OF GaN BASED LEDs |
| JP2003318441A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-11-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US6734030B2 (en) | 2001-03-06 | 2004-05-11 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and method of fabricating semiconductor light emitting device |
| US6818465B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-11-16 | Sony Corporation | Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element |
| US6828591B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US6831300B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of a semiconductor light emitting device and connection structure of an electrode layer |
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| WO2005022654A2 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
| US6870190B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-03-22 | Sony Corporation | Display unit and semiconductor light emitting device |
| US6924500B2 (en) | 2000-07-18 | 2005-08-02 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| US6963086B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-11-08 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device image display illuminator and its manufacturing method |
| US7135348B2 (en) | 2002-01-18 | 2006-11-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US7250320B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-07-31 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
| JP2009200514A (ja) * | 2001-07-24 | 2009-09-03 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| JP2010045308A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法、並びにｍｏｓ型電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2020025020A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 豊田合成株式会社 | 半導体レーザー素子とその製造方法 |
| WO2023210494A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-25 JP JP07101797A patent/JP3863962B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7221001B2 (en) | 2000-07-18 | 2007-05-22 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| US6924500B2 (en) | 2000-07-18 | 2005-08-02 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| WO2002063348A3 (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-20 | Emcore Corp | IMPROVED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY OF GaN BASED LEDs |
| US6828591B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US7233030B2 (en) | 2001-02-01 | 2007-06-19 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6921675B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-07-26 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6831300B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of a semiconductor light emitting device and connection structure of an electrode layer |
| US6870190B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-03-22 | Sony Corporation | Display unit and semiconductor light emitting device |
| US6734030B2 (en) | 2001-03-06 | 2004-05-11 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and method of fabricating semiconductor light emitting device |
| US10593833B2 (en) | 2001-07-24 | 2020-03-17 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US9865773B2 (en) | 2001-07-24 | 2018-01-09 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| US10396242B2 (en) | 2001-07-24 | 2019-08-27 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JP2003318441A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-11-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| US9368681B2 (en) | 2001-07-24 | 2016-06-14 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting device |
| JP2009200514A (ja) * | 2001-07-24 | 2009-09-03 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
| US6818465B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-11-16 | Sony Corporation | Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element |
| US7459728B2 (en) | 2001-10-10 | 2008-12-02 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, image display system and illumination device |
| US6963086B2 (en) | 2001-10-10 | 2005-11-08 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device image display illuminator and its manufacturing method |
| US7135348B2 (en) | 2002-01-18 | 2006-11-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US7250320B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-07-31 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
| WO2005022654A2 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
| US8692285B2 (en) | 2003-08-28 | 2014-04-08 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element |
| US8207548B2 (en) | 2003-08-28 | 2012-06-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
| US7675075B2 (en) * | 2003-08-28 | 2010-03-09 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
| WO2005022654A3 (en) * | 2003-08-28 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
| JP2010045308A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法、並びにｍｏｓ型電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2020025020A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 豊田合成株式会社 | 半導体レーザー素子とその製造方法 |
| WO2023210494A1 (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| JP2023163011A (ja) * | 2022-04-27 | 2023-11-09 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3863962B2 (ja) | 2006-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100440435C (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| US6319742B1 (en) | Method of forming nitride based semiconductor layer | |
| JP3060973B2 (ja) | 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ | |
| JP3153153B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3863962B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
| JP2002009004A (ja) | 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2000277437A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| US6797416B2 (en) | GaN substrate formed under controlled growth condition over GaN layer having discretely formed pits | |
| JP2000106473A (ja) | 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法 | |
| JP3839580B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2000183460A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2003124576A (ja) | 窒化物半導体基板及びその成長方法 | |
| JP4639571B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3789781B2 (ja) | 半導体素子および半導体層の形成方法 | |
| JP3424634B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP4623799B2 (ja) | 半導体発光素子の製法および半導体レーザ | |
| JP2002246697A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2004007009A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP3574093B2 (ja) | 半導体素子および半導体層の形成方法 | |
| JP3706577B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2758597B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH08316571A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| EP1026799B1 (en) | Semiconductor laser and fabricating method therefor | |
| JP3774945B2 (ja) | サファイア基板、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の劈開方法および半導体レーザの製造方法 | |
| JP3893614B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子のストライプ導波路の側面及び窒化物半導体層の平面に絶縁性の保護膜を形成する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060630 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060828 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060926 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061002 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091006 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101006 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111006 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121006 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131006 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |