JPH10270836A - 微小球のハンダめっき法 - Google Patents
微小球のハンダめっき法Info
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- JPH10270836A JPH10270836A JP9094958A JP9495897A JPH10270836A JP H10270836 A JPH10270836 A JP H10270836A JP 9094958 A JP9094958 A JP 9094958A JP 9495897 A JP9495897 A JP 9495897A JP H10270836 A JPH10270836 A JP H10270836A
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3473—Plating of solder
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素の発生そのものをめっき処理中で抑制す
る方法でかつ工程が簡単で、ハンダめっき被膜中に吸蔵
される水素ガス量を低減できる微小球のめっき方法の提
供。 【解決手段】 総イオン濃度を高濃度にし、かつ低い電
流密度で電気めっきを行うことにより、水素の発生を抑
制でき、水素量を０．０５ｐｐｍ以下、特に０．０３ｐ
ｐｍ以下に低減したハンダ被膜を生成でき、微小球にハ
ンダめっき被膜を設けると、前述した被膜の膨れにて微
小球が基板から剥離飛散する問題や被膜内にボイドがで
きる問題を解消できる。
る方法でかつ工程が簡単で、ハンダめっき被膜中に吸蔵
される水素ガス量を低減できる微小球のめっき方法の提
供。 【解決手段】 総イオン濃度を高濃度にし、かつ低い電
流密度で電気めっきを行うことにより、水素の発生を抑
制でき、水素量を０．０５ｐｐｍ以下、特に０．０３ｐ
ｐｍ以下に低減したハンダ被膜を生成でき、微小球にハ
ンダめっき被膜を設けると、前述した被膜の膨れにて微
小球が基板から剥離飛散する問題や被膜内にボイドがで
きる問題を解消できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、直径が０．１〜
１．０ｍｍ程度の微小球、特に金属球の外周面にハンダ
めっき被膜を設けるハンダめっき法の改良に係り、高イ
オン濃度のめっき液を用いて、極めて低い電流密度で電
気めっきを行い、微小球表面に所定厚みの水素含有量の
少ないハンダめっき被膜を設けた微小球のハンダめっき
に関する。
１．０ｍｍ程度の微小球、特に金属球の外周面にハンダ
めっき被膜を設けるハンダめっき法の改良に係り、高イ
オン濃度のめっき液を用いて、極めて低い電流密度で電
気めっきを行い、微小球表面に所定厚みの水素含有量の
少ないハンダめっき被膜を設けた微小球のハンダめっき
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）タイプの半導体パッケージのパンプ芯材とし
て用いられる微小球は、直径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ
程度で、材質としては所定組成のハンダの他、最近で
は、電気特性や機械的特性を考慮して、コバール（Ｎｉ
−Ｃｏ−Ｆｅ合金）、Ｃｕ、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金などの
金属球を芯材としてろう材を被覆したチップキャリアー
が提案（特開昭６２−１１２３５５号）されている。
ｒｒａｙ）タイプの半導体パッケージのパンプ芯材とし
て用いられる微小球は、直径が０．１ｍｍ〜１．０ｍｍ
程度で、材質としては所定組成のハンダの他、最近で
は、電気特性や機械的特性を考慮して、コバール（Ｎｉ
−Ｃｏ−Ｆｅ合金）、Ｃｕ、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金などの
金属球を芯材としてろう材を被覆したチップキャリアー
が提案（特開昭６２−１１２３５５号）されている。
【０００３】前記微小球の製造方法として、溶融金属を
所定温度の液体中に滴下し、溶融金属自体の表面張力に
て球形化してそのまま凝固するいわゆる液体中滴下方法
（特開平７−２５２５１０号）、金型によるフォーミン
グ等のいわゆる機械的塑性加工方法（特開平４−３５４
８０８号）、金属粒又は金属片を非酸化性雰囲気中で平
板上に載置して振動を加えながら加熱溶融してその表面
張力で球形化してそのまま凝固する振動加熱方法（特公
平２−５０９６１号）などが提案されている。
所定温度の液体中に滴下し、溶融金属自体の表面張力に
て球形化してそのまま凝固するいわゆる液体中滴下方法
（特開平７−２５２５１０号）、金型によるフォーミン
グ等のいわゆる機械的塑性加工方法（特開平４−３５４
８０８号）、金属粒又は金属片を非酸化性雰囲気中で平
板上に載置して振動を加えながら加熱溶融してその表面
張力で球形化してそのまま凝固する振動加熱方法（特公
平２−５０９６１号）などが提案されている。
【０００４】このように製造された微小球の外周面のろ
う材としては、要求される寸法精度や半導体パッケージ
とプリント基板との固着強度などにより適宜選定され
る。例えば、厚み５〜５０μｍの種々の組成からなるハ
ンダ（Ｐｂ−Ｓｎ系）が被覆され、必要に応じてＮｉな
どの下地層を形成することもある。
う材としては、要求される寸法精度や半導体パッケージ
とプリント基板との固着強度などにより適宜選定され
る。例えば、厚み５〜５０μｍの種々の組成からなるハ
ンダ（Ｐｂ−Ｓｎ系）が被覆され、必要に応じてＮｉな
どの下地層を形成することもある。
【０００５】通常のハンダめっき方法は、バレル方式を
用いる場合、イオン濃度が５〜１３ｇ／ｌ、電流密度
０．５〜３．０Ａ／ｄｍ2で行われる。（例えば、めっ
き教本電気鍍金研究会編、日刊工業新聞（１９８６年
刊、１９９６年第９版重版 Ｐ１３２〜Ｐ１３７）に記
されている。）
用いる場合、イオン濃度が５〜１３ｇ／ｌ、電流密度
０．５〜３．０Ａ／ｄｍ2で行われる。（例えば、めっ
き教本電気鍍金研究会編、日刊工業新聞（１９８６年
刊、１９９６年第９版重版 Ｐ１３２〜Ｐ１３７）に記
されている。）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようにして外周面
にハンダめっき被膜を設けた微小球は、パッケージボー
ドに加熱溶着する際に、ハンダめっき被膜に膨れが生
じ、この膨れが破裂する際にボールが該基板から剥離飛
散する問題、あるいは加熱装着後のハンダめっき被膜内
にボイド（空隙）ができる問題があった。
にハンダめっき被膜を設けた微小球は、パッケージボー
ドに加熱溶着する際に、ハンダめっき被膜に膨れが生
じ、この膨れが破裂する際にボールが該基板から剥離飛
散する問題、あるいは加熱装着後のハンダめっき被膜内
にボイド（空隙）ができる問題があった。
【０００７】そのため従来は、パッケージボードの加熱
装着する前に、予め真空中または不活性ガス中で加熱し
て、脱ガス処理を行う必要があった。また、この処理を
行うとハンダが一部溶融してめっき被膜厚さが不均一に
なるという問題もあった。
装着する前に、予め真空中または不活性ガス中で加熱し
て、脱ガス処理を行う必要があった。また、この処理を
行うとハンダが一部溶融してめっき被膜厚さが不均一に
なるという問題もあった。
【０００８】また、発明者らは、従来のこれらの問題に
ついて種々検討し、微小球のハンダめっき被膜中に吸蔵
される水素ガス量と相関関係があり、問題解決にはハン
ダめっき被膜中に吸蔵される水素ガス量を極力低減する
必要があることを知見し、ハンダめっき被膜中に吸蔵さ
れる水素ガス量を低減できるめっき方法として、めっき
浴に不活性ガスを導入してバブリングしながらめっきを
行う方法（特願平８−１８８８３４号）や、めっき浴槽
全体を減圧に保持する方法（特願平８−２１５４２９
号）を提案した。
ついて種々検討し、微小球のハンダめっき被膜中に吸蔵
される水素ガス量と相関関係があり、問題解決にはハン
ダめっき被膜中に吸蔵される水素ガス量を極力低減する
必要があることを知見し、ハンダめっき被膜中に吸蔵さ
れる水素ガス量を低減できるめっき方法として、めっき
浴に不活性ガスを導入してバブリングしながらめっきを
行う方法（特願平８−１８８８３４号）や、めっき浴槽
全体を減圧に保持する方法（特願平８−２１５４２９
号）を提案した。
【０００９】しかし、上記方法は、新たな処理工程を追
加する必要があったり、めっき反応時にいろいろな付帯
反応設備を取り付ける必要があり、作業性が劣るという
問題があった。
加する必要があったり、めっき反応時にいろいろな付帯
反応設備を取り付ける必要があり、作業性が劣るという
問題があった。
【００１０】この発明は、上述の問題に鑑み、工程が簡
単で、ハンダめっき被膜中に吸蔵される水素ガス量を低
減できる微小球のめっき方法の提供を目的としている。
単で、ハンダめっき被膜中に吸蔵される水素ガス量を低
減できる微小球のめっき方法の提供を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】発明者らは、めっき反応
を詳細に解析し、発生する水素ガスを除去するのではな
く、水素の発生そのものをめっき処理中で抑制する方法
について鋭意検討した結果、総イオン濃度を高濃度に
し、かつ低い電流密度で電気めっきを行うことにより、
水素の発生を抑制でき、水素量を０．０５ｐｐｍ以下、
特に０．０３ｐｐｍ以下に低減したハンダ被膜を生成で
きることを知見し、このめっき方法にて微小球、特に金
属球にハンダめっき被膜を設けると、前述した被膜の膨
れにて微小球が基板から剥離飛散する問題や被膜内にボ
イドができる問題を解消できることを確認し、この発明
を完成した。
を詳細に解析し、発生する水素ガスを除去するのではな
く、水素の発生そのものをめっき処理中で抑制する方法
について鋭意検討した結果、総イオン濃度を高濃度に
し、かつ低い電流密度で電気めっきを行うことにより、
水素の発生を抑制でき、水素量を０．０５ｐｐｍ以下、
特に０．０３ｐｐｍ以下に低減したハンダ被膜を生成で
きることを知見し、このめっき方法にて微小球、特に金
属球にハンダめっき被膜を設けると、前述した被膜の膨
れにて微小球が基板から剥離飛散する問題や被膜内にボ
イドができる問題を解消できることを確認し、この発明
を完成した。
【００１２】すなわち、この発明は、電気めっき法にて
微小球にハンダ被膜を生成する方法において、錫と鉛の
総イオン濃度が２０〜５０ｇ／ｌのめっき液を用い、か
つ０．０３〜０．３Ａ／ｄｍ2の電流密度範囲で電気め
っきを行うことにより、ハンダ被膜中の水素量を０．０
５ｐｐｍ以下に低減したことを特徴とする微小球のハン
ダめっき法である。
微小球にハンダ被膜を生成する方法において、錫と鉛の
総イオン濃度が２０〜５０ｇ／ｌのめっき液を用い、か
つ０．０３〜０．３Ａ／ｄｍ2の電流密度範囲で電気め
っきを行うことにより、ハンダ被膜中の水素量を０．０
５ｐｐｍ以下に低減したことを特徴とする微小球のハン
ダめっき法である。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明によるめっき法は、めっ
き浴中の錫と鉛の合計イオン濃度を通常条件の５〜１３
ｇ／ｌよりも増加させて、２０〜５０ｇ／ｌの高イオン
濃度のめっき液を用いることによって、錫−鉛析出電位
が貴な側へ移行することを利用し、かつ０．０３〜０．
３Ａ／ｄｍ2の低電流密度に設定することによって、ハ
ンダ（錫−鉛合金）の析出電位を水素の発生電位よりも
貴に保つことができ、水素の発生量を著しく抑制するこ
とができるものである。
き浴中の錫と鉛の合計イオン濃度を通常条件の５〜１３
ｇ／ｌよりも増加させて、２０〜５０ｇ／ｌの高イオン
濃度のめっき液を用いることによって、錫−鉛析出電位
が貴な側へ移行することを利用し、かつ０．０３〜０．
３Ａ／ｄｍ2の低電流密度に設定することによって、ハ
ンダ（錫−鉛合金）の析出電位を水素の発生電位よりも
貴に保つことができ、水素の発生量を著しく抑制するこ
とができるものである。
【００１４】この発明において、めっき浴中の錫と鉛の
合計イオン濃度は、２０ｇ／ｌ未満では水素発生電位よ
り貴な電位が得られ難く、水素の発生を伴い、また５０
ｇ／ｌを越えるとハンダ被膜組成（錫と鉛の比率）のコ
ントロールが難しくなるため、めっき浴のイオン濃度を
２０〜５０ｇ／ｌに限定した。好ましい濃度範囲は２５
〜３５ｇ／ｌである。
合計イオン濃度は、２０ｇ／ｌ未満では水素発生電位よ
り貴な電位が得られ難く、水素の発生を伴い、また５０
ｇ／ｌを越えるとハンダ被膜組成（錫と鉛の比率）のコ
ントロールが難しくなるため、めっき浴のイオン濃度を
２０〜５０ｇ／ｌに限定した。好ましい濃度範囲は２５
〜３５ｇ／ｌである。
【００１５】なお、めっき浴中の錫と鉛の合計イオン濃
度中の錫、鉛イオン濃度は、所望するハンダめっき組成
及びめっき条件によって異なるが、例えば錫６０％、鉛
４０％のハンダ被膜組成を得るためには、アルカノール
スルホン酸浴を用いて総イオン濃度を３０ｇ／ｌ、０．
１Ａ／ｄｍ2でめっきする場合、錫（Ｓｎ2+）イオン濃
度２４〜２７ｇ／ｌ、鉛（Ｐｂ2+）イオン濃度３〜６ｇ
／ｌに調整することが好ましい。
度中の錫、鉛イオン濃度は、所望するハンダめっき組成
及びめっき条件によって異なるが、例えば錫６０％、鉛
４０％のハンダ被膜組成を得るためには、アルカノール
スルホン酸浴を用いて総イオン濃度を３０ｇ／ｌ、０．
１Ａ／ｄｍ2でめっきする場合、錫（Ｓｎ2+）イオン濃
度２４〜２７ｇ／ｌ、鉛（Ｐｂ2+）イオン濃度３〜６ｇ
／ｌに調整することが好ましい。
【００１６】また、陰極電流密度については、０．０３
Ａ／ｄｍ2未満では生産性が著しく悪くなる上、被膜表
面がザラつき良好なめっき被膜が得られない。また０．
３Ａ／ｄｍ2を越えるとめっき反応時の水素発生量が増
大し、めっき被膜中の水素含有量が増大し目的とする製
品が得られない。従って、陰極電流密度を０．０３〜
０．３Ａ／ｄｍ2に限定した。さらに好ましい陰極電流
密度範囲は０．０６〜０．１５Ａ／ｄｍ2である。
Ａ／ｄｍ2未満では生産性が著しく悪くなる上、被膜表
面がザラつき良好なめっき被膜が得られない。また０．
３Ａ／ｄｍ2を越えるとめっき反応時の水素発生量が増
大し、めっき被膜中の水素含有量が増大し目的とする製
品が得られない。従って、陰極電流密度を０．０３〜
０．３Ａ／ｄｍ2に限定した。さらに好ましい陰極電流
密度範囲は０．０６〜０．１５Ａ／ｄｍ2である。
【００１７】この発明のめっきに使用するハンダめっき
液としては、アルカノールスルホン酸錫、アルカノール
スルホン酸鉛、フェノールスルホン酸錫、フェノールス
ルホン酸鉛などを含むめっき液を使用することができ、
電気めっき方法としては各種形状のバレル方式を用いる
ことができる。
液としては、アルカノールスルホン酸錫、アルカノール
スルホン酸鉛、フェノールスルホン酸錫、フェノールス
ルホン酸鉛などを含むめっき液を使用することができ、
電気めっき方法としては各種形状のバレル方式を用いる
ことができる。
【００１８】また、この発明において、微小球はＣｕ、
ハンダなどの金属球のほかに、プラスチックス球に金属
被膜した球であっても同様にめっきすることができる。
ハンダなどの金属球のほかに、プラスチックス球に金属
被膜した球であっても同様にめっきすることができる。
【００１９】
実施例１ 直径が０．６ｍｍのＣｕ線をプレスマシンによって定寸
切断し、直径Ｄ＝０．６ｍｍ、長さＬ＝０．６４ｍｍの
円柱状個片（Ｌ／Ｄ＝１．０７）としたＣｕ個片を作製
し、これらを高級アルコールで脱脂した後、カーボン製
の平板状個片配置治具に形成されている穴内に振り込み
配置した後、水素雰囲気中で１１５０℃の電気炉内に２
０分配置して加熱溶融した後、２５℃／分の冷却速度で
冷却して凝固させ直径０．７ｍｍのＣｕボールを作製し
た。
切断し、直径Ｄ＝０．６ｍｍ、長さＬ＝０．６４ｍｍの
円柱状個片（Ｌ／Ｄ＝１．０７）としたＣｕ個片を作製
し、これらを高級アルコールで脱脂した後、カーボン製
の平板状個片配置治具に形成されている穴内に振り込み
配置した後、水素雰囲気中で１１５０℃の電気炉内に２
０分配置して加熱溶融した後、２５℃／分の冷却速度で
冷却して凝固させ直径０．７ｍｍのＣｕボールを作製し
た。
【００２０】ハンダめっき浴として、錫（Ｓｎ2+） ２
５．２ｇ／ｌ、鉛（Ｐｂ2+） ４．８ｇ／ｌを含んだア
ルカノールスルホン酸、半光沢剤を含むｐＨ＜１のめっ
き液を用い、浴温２４℃にて電気めっきを開始した。電
気めっきは、水平バレルを用い、陰極電流密度０．０６
Ａ／ｄｍ2、陰極板としてＳｎ／Ｐｂ＝６／４にて電気
めっきを２２時間めっきを行い、Ｃｕボール外周面に膜
厚み３７μｍの共晶ハンダめっき層を被覆した。
５．２ｇ／ｌ、鉛（Ｐｂ2+） ４．８ｇ／ｌを含んだア
ルカノールスルホン酸、半光沢剤を含むｐＨ＜１のめっ
き液を用い、浴温２４℃にて電気めっきを開始した。電
気めっきは、水平バレルを用い、陰極電流密度０．０６
Ａ／ｄｍ2、陰極板としてＳｎ／Ｐｂ＝６／４にて電気
めっきを２２時間めっきを行い、Ｃｕボール外周面に膜
厚み３７μｍの共晶ハンダめっき層を被覆した。
【００２１】得られたこの発明によるハンダめっき層を
有するＣｕボールを、２００℃、２１０℃、各１０秒
間、各条件１０００個を溶着した時の膨れ発生率及び基
板からの剥離飛散率を測定した。表１にその結果を示
す。また、ＴＣＤ検出器法により、室温から６００℃間
で温度を上昇させながら水素ガスの放出量を測定温度に
おけるピークごとに測定した。表２にその結果を示す。
有するＣｕボールを、２００℃、２１０℃、各１０秒
間、各条件１０００個を溶着した時の膨れ発生率及び基
板からの剥離飛散率を測定した。表１にその結果を示
す。また、ＴＣＤ検出器法により、室温から６００℃間
で温度を上昇させながら水素ガスの放出量を測定温度に
おけるピークごとに測定した。表２にその結果を示す。
【００２２】比較例１ 実施例１と同様に作製したＣｕボールを用い、Ｓｎ2+
８．３ｇ／ｌ、Ｐｂ2+１．５ｇ／ｌ以外は実施例と同一
組成のめっき液を用い、実施例と同一条件でＣｕボール
外周面に膜厚み３７μｍの共晶ハンダめっき層を被覆し
た。その後、実施例１と同様に膨れ発生率、基板からの
剥離飛散率、水素ガス放出量をそれぞれ測定した。その
結果を表１，２に示す。
８．３ｇ／ｌ、Ｐｂ2+１．５ｇ／ｌ以外は実施例と同一
組成のめっき液を用い、実施例と同一条件でＣｕボール
外周面に膜厚み３７μｍの共晶ハンダめっき層を被覆し
た。その後、実施例１と同様に膨れ発生率、基板からの
剥離飛散率、水素ガス放出量をそれぞれ測定した。その
結果を表１，２に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】この発明は、電気めっきにてハンダ被膜
を生成するにおいて、錫と鉛の総イオン濃度が２０〜５
０ｇ／ｌのめっき液を用い、かつ０．０３〜０．３Ａ／
ｄｍ2の極めて低い電流密度範囲で電気めっきを行うこ
とにより、ハンダめっき被膜中に吸蔵される水素量を
０．０５ｐｐｍ以下に低減できるもので、当該方法にて
微小球にハンダめっき被膜を設けると、実施例に明らか
なようにハンダめっき被膜を設けた微小球がパッケージ
ボードに加熱溶着した際に被膜の膨れが激減し、基板か
ら微小球が剥離飛散する問題が解消される。
を生成するにおいて、錫と鉛の総イオン濃度が２０〜５
０ｇ／ｌのめっき液を用い、かつ０．０３〜０．３Ａ／
ｄｍ2の極めて低い電流密度範囲で電気めっきを行うこ
とにより、ハンダめっき被膜中に吸蔵される水素量を
０．０５ｐｐｍ以下に低減できるもので、当該方法にて
微小球にハンダめっき被膜を設けると、実施例に明らか
なようにハンダめっき被膜を設けた微小球がパッケージ
ボードに加熱溶着した際に被膜の膨れが激減し、基板か
ら微小球が剥離飛散する問題が解消される。
Claims (1)
- 【請求項１】 電気めっき法にて微小球にハンダ被膜を
生成する方法において、錫と鉛の総イオン濃度が２０〜
５０ｇ／ｌのめっき液を用い、かつ０．０３〜０．３Ａ
／ｄｍ2の電流密度範囲で電気めっきを行うことによ
り、ハンダ被膜中の水素量を０．０５ｐｐｍ以下に低減
した微小球のハンダめっき法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09495897A JP3837446B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 微小球のハンダめっき法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09495897A JP3837446B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 微小球のハンダめっき法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270836A true JPH10270836A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3837446B2 JP3837446B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=14124448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09495897A Expired - Fee Related JP3837446B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 微小球のハンダめっき法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3837446B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10340197B3 (de) * | 2003-08-27 | 2004-09-23 | Siemens Ag | Verfahren zum elektrochemischen Abscheiden von Metallen aus einem Elektrolyt |
| WO2007004581A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 疲労特性に優れる銅合金Ｓｎめっき条 |
| US7265046B2 (en) | 2002-09-27 | 2007-09-04 | Neomax Material Co., Ltd. | Method of making a solder ball |
| WO2021049437A1 (ja) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社新菱 | Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材およびその製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
| WO2022050185A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社新菱 | 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
| JP2022051945A (ja) * | 2015-03-03 | 2022-04-01 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体 |
-
1997
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