JPH10273388A - 単結晶引上げ装置 - Google Patents

単結晶引上げ装置

Info

Publication number
JPH10273388A
JPH10273388A JP9488597A JP9488597A JPH10273388A JP H10273388 A JPH10273388 A JP H10273388A JP 9488597 A JP9488597 A JP 9488597A JP 9488597 A JP9488597 A JP 9488597A JP H10273388 A JPH10273388 A JP H10273388A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
pulling
seed crystal
gripping
arms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9488597A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Kuramoto
誠 蔵本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Original Assignee
Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Super Silicon Crystal Research Institute Corp filed Critical Super Silicon Crystal Research Institute Corp
Priority to JP9488597A priority Critical patent/JPH10273388A/ja
Priority to KR1019980007118A priority patent/KR19980079892A/ko
Priority to TW087103350A priority patent/TW460634B/zh
Priority to EP98104227A priority patent/EP0867532B1/en
Priority to EP02023128A priority patent/EP1275754A2/en
Priority to DE69823908T priority patent/DE69823908T2/de
Priority to US09/037,513 priority patent/US6022411A/en
Priority to EP02023127A priority patent/EP1277856A2/en
Publication of JPH10273388A publication Critical patent/JPH10273388A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 引上げ中の単結晶を把持具により把持する場
合に引上げ中の単結晶が落下することを防止する。 【解決手段】 ワイヤ1の周りには支持用の径拡大部5
の下のくびれ部6を把持するための2以上の第1の把持
アーム12と、ボディー部7を把持するための2以上の
第2の把持アーム13が連結アーム14を介して連結さ
れて配置されている。引上げ中に径拡大部5、ボディー
部7がアーム12、13の先端位置に上昇すると、アー
ム12、13の先端が閉じるように駆動されてそれぞれ
くびれ部6、ボディー部7を把持する。駆動モータは全
て無停電電源装置(UPS)15から給電されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、引上げCZ(Czoc
hralski)法によりSi(シリコン)の無転位の単結晶
を製造するための単結晶引上げ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、引上げCZ法による単結晶製造
装置では、高耐圧気密チャンバ内を10torr程度に減圧
して新鮮なAr(アルゴン)ガスを流すとともに、チャ
ンバ内の下方に設けられた石英るつぼ内の多結晶を加熱
して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、
種結晶と石英るつぼを回転、上下移動させながら種結晶
を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した
円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディー部と下端が
突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶(いわゆ
るインゴット)を成長させるように構成されている。
【0003】また、この成長方法として、種結晶を融液
の表面に浸漬したときの熱衝撃により種結晶に発生する
転位を除去(無転位化)するために、種結晶を融液の表
面に浸漬した後、引上げ速度を比較的速くすることによ
り種結晶より小径の例えば直径が3〜4mmのネック部
を形成した後に上記の上部コーン部の引上げを開始する
ダッシュ(Dash)法が知られている。
【0004】さらに、この小径のネック部を介しては、
大径、大重量(150〜200kg以上)の単結晶を引
き上げることができないので、例えば特公平5−654
77号公報に示されるようにDash法により小径のネック
部を形成した後、引上げ速度を比較的遅くして大径を形
成し、次いで引上げ速度を比較的速くして小径を形成す
ることにより「くびれ」を形成し、この大径部の下のく
びれを把持具で把持することにより大径、大重量の単結
晶を引き上げる方法が提案されている。また、くびれを
把持する従来の装置としては、上記公報の他に、例えば
特公平7−103000号公報、特公平7−515号公
報に示されているものがある。
【0005】また、他の従来例としては、例えば特開平
5−270974号公報、特開平7−172981号公
報に示されるように上記「くびれ」を形成しないでボデ
ィー部をそのまま把持する方法や、特開昭63−252
991号公報、特開平5−270975号公報に示され
るように上記「くびれ」の代わりに、上部コーン部とボ
ディー部の間にボディー部より径が大きい「環状部」を
形成し、この「環状部」の下を把持する方法が提案され
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単結晶
の引上げ中に上記「くびれ」などを把持する把持具は、
繰り返し使用されるので、疲労により破損すると単結晶
が落下するという問題点がある。また、把持具は通常、
モータにより駆動されるので停電時には把持力が低下し
て単結晶が落下し、また、上記「くびれ」を把持する方
法では「くびれ」が破断すると単結晶が落下するという
問題点がある。なお、単結晶が落下すると、転位が発生
して単結晶が商品とならないばかりか、石英るつぼが破
損して最悪の場合には石英るつぼを回転、上下移動させ
るためのるつぼ軸の内部の冷却水と、高温の融液が反応
して水蒸気爆発が発生することがある。
【0007】本発明は上記従来の問題点に鑑み、引上げ
中の単結晶を把持具により把持する場合に引上げ中の単
結晶が落下することを防止することができる単結晶引上
げ装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、単結晶を把持するにあたり、単結晶の異な
る位置でそれぞれ把持する2種類の把持具を用いる構成
としたものである。すなわち本発明によれば、種結晶を
支持する種結晶ホルダを回転させながら引き上げる種結
晶引上げ手段と、前記種結晶引上げ手段による引上げに
より前記種結晶の下に形成される単結晶の第1の把持位
置を把持する第1の把持手段と、前記種結晶引上げ手段
による引上げにより前記種結晶の下に形成される単結晶
の第2の把持位置を把持する第2の把持手段とを、有す
る単結晶引上げ装置が提供される。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は本発明に係る単結晶引上げ
装置の一実施形態及びその引上げ工程を示す説明図であ
る。
【0010】図1において、ワイヤ1(シャフトでもよ
い)の先端には種結晶ホルダ2が取り付けられ、種結晶
ホルダ2には種結晶3が取り付けられる。ワイヤ1は図
示省略のワイヤ巻き取りドラム及びワイヤ巻き取りモー
タにより上方に巻き取られるように構成され、また、ワ
イヤ巻き取りドラム及びワイヤ巻き取りモータは同じく
図示省略のドラム回転モータにより回転可能に構成され
ている。そして、種結晶3を石英るつぼ内10のSi融
液11に浸漬させた後、引き上げることにより種結晶3
の下にネック部4、支持用の径拡大部5、くびれ部6、
結晶本体部分(ボディー部)7を形成する。
【0011】また、ワイヤ1の周りには径拡大部5の下
のくびれ部6を把持するための2以上の第1の把持アー
ム12と、ボディー部7を把持するための2以上の第2
の把持アーム13が連結アーム14を介して連結されて
配置されている。把持アーム12、13はその先端がく
びれ部6、ボディー部7を把持するために不図示のアー
ム開閉モータにより開閉可能であるとともに、把持状態
でくびれ部6、ボディー部7を引き上げるために不図示
の上下移動モータにより上下移動可能に、かつドラム回
転モータによりワイヤ1とともに回転可能に構成されて
いる。そして、これらのモータは全て非常用無停電電源
装置(UPS)15から給電可能に構成されている。非
常用無停電電源装置15は停電時であっても、継続して
電力を供給可能な装置であり、種結晶ホルダ2の急激な
回転停止や、把持アーム12、13の把持力の消滅を防
止するものである。
【0012】このような構成において、単結晶本体7を
製造する場合、図示省略のチャンバ内を10torr程度に
減圧して新鮮なAr(アルゴン)ガスを流すとともに、
チャンバ内の下方に設けられた石英るつぼ10内の多結
晶を加熱して溶融し、また、図1(a)に示すようにワ
イヤ1を引き下げて、種結晶3を石英るつぼ10内のS
i融液11の表面に対して浸漬させ、なじませる。この
とき、アーム12、13は先端がSi融液11に接触し
ない位置に待機し、また、アーム12、13の先端は、
引上げ中の径拡大部5、ボディー部7に接触しないよう
に開いている。次いで所定時間の経過後に、図1(a)
の矢印M1方向にワイヤ1を引き上げて種結晶3を引き
上げる。
【0013】次いで図1(b)に示すように、種結晶3
を比較的速い速度で矢印M2方向に引き上げることによ
り、種結晶3の下に直径が3〜4mmの小径のネック部
4を形成させ、次いで引上げ速度を比較的遅くしてネッ
ク部4の下に径拡大部5を形成した後、引上げ速度を比
較的速くして径拡大部5の下にくびれ部6を形成させ、
次いでボディー部7の形成を開始させる。
【0014】この引上げ中に図1(b)に示すように、
径拡大部5、ボディー部7がアーム12、13の先端位
置に上昇すると、図1(c)に示すようにアーム12、
13の先端が、矢印M3、M4、M5、M6で示す方
向、すなわち単結晶の軸に対して半径内方向に移動し
て、閉じるように駆動されて、それぞれくびれ部6、ボ
ディー部7を把持する。把持が完了するとワイヤ1とア
ーム12、13を一体で回転させながら矢印M7で示す
ように引き上げる。また、アーム12、13の開閉は、
アーム12の先端が閉じた後に、アーム13の先端が閉
じるようにしてもよい。すなわち、アーム12、13は
必ずしも同時に閉じる必要はない。
【0015】次に、図2を参照して第2の実施形態につ
いて説明する。この第2の実施形態では第1の実施形態
のように単結晶の支持用の径拡大部5、くびれ部6を形
成しないでネック部4の下にボディー部7を形成し、第
1、第2の把持アーム12、13が共にボディー部7を
把持するように構成されている。また、アーム12、1
3は回動軸16を介して連結されている。
【0016】このような構成において、単結晶本体を製
造する場合、図2(a)に示すようにワイヤ1を引き下
げて種結晶3を石英るつぼ10内のSi融液11の表面
に対して浸漬させて、なじませる。このとき、アーム1
2、13は先端がSi融液11に接触しない位置に待機
し、また、アーム12、13の先端は、引上げ中のボデ
ィー部7に接触しないように開いている。次いで所定時
間の経過後に、図2(a)の状態から、矢印M1で示す
方向に、ワイヤ1を引き上げて、種結晶3を引き上げ、
図2(b)に示すように、種結晶3を比較的速い速度で
矢印M2方向に引き上げることにより、種結晶3の下に
直径が3〜4mmの小径のネック部4を形成し、次いで
引上げ速度を徐々に遅くして、ネック部4の下にコーン
部を形成する。次いで引上げ速度を一定にすることによ
り、コーン部の下にボディー部7の形成を開始する。
【0017】この引上げ中に図2(b)に示すように、
ボディー部7がアーム12、13の先端位置に上昇する
と、図2(c)に示すようにアーム12、13の先端
が、矢印M3、M4、M5、M6で示す方向、すなわち
単結晶の軸に対して半径内方向に移動して、閉じるよう
に駆動されて共にボディー部7を把持し、把持が完了す
るとワイヤ1とアーム12、13を一体で回転させなが
ら、矢印M7で示すように引き上げる。アーム12、1
3の開閉は、アーム12の先端が閉じた後に、アーム1
3の先端が閉じるようにしてもよい。すなわち、アーム
12、13は必ずしも同時に閉じる必要はない。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、把
持具を安全な二重構造として、単結晶の異なる位置を把
持する構成にしたので、把持具や引上げ中の単結晶が破
損しても単結晶が落下することを防止することができ、
また、把持具の駆動装置に無停電電源装置から給電する
ことにより停電時に単結晶が落下することを防止するこ
とができる。さらに、種結晶引上げ手段に無停電電源装
置から給電可能に構成しておくことにより停電時に単結
晶の回転が急激に停止して種結晶が破断することを防止
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る単結晶引上げ装置の一実施形態及
びその引上げ工程を示す説明図である。
【図2】第2の実施形態の単結晶引上げ装置及びその引
上げ工程を示す説明図である。
【符号の説明】
1 ワイヤ 2 種結晶ホルダ 3 種結晶 5 支持用の径拡大部 6 くびれ部 7 単結晶本体(ボディー部) 10 石英るつぼ 11 Si融液 12,13 把持アーム 15 無停電電源装置(UPS)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 種結晶を支持する種結晶ホルダを回転さ
    せながら引き上げる種結晶引上げ手段と、 前記種結晶引上げ手段による引上げにより前記種結晶の
    下に形成される単結晶の第1の把持位置を把持する第1
    の把持手段と、 前記種結晶引上げ手段による引上げにより前記種結晶の
    下に形成される単結晶の第2の把持位置を把持する第2
    の把持手段とを、 有する単結晶引上げ装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の把持手段は、前記種結晶の下
    に形成される径拡大部の下のくびれ部を把持し、前記第
    2の把持手段は、前記くびれ部の下に形成されるボディ
    ー部を把持するよう構成されている請求項1記載の単結
    晶引上げ装置。
  3. 【請求項3】 前記第1、第2の把持手段は共に、前記
    種結晶の下に形成されるボディー部を把持するよう構成
    されている請求項1記載の単結晶引上げ装置。
  4. 【請求項4】 前記第1、第2の把持手段のいずれか一
    方が、前記種結晶ホルダに取り付けられている請求項1
    ないし3のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
  5. 【請求項5】 前記第2の把持手段が前記第1の把持手
    段に取り付けられているか、あるいは、前記第1の把持
    手段が前記第2の把持手段に取り付けられている請求項
    1ないし3のいずれか1つに記載の単結晶引上げ装置。
  6. 【請求項6】 前記第1、第2の把持手段の少なくとも
    一方が無停電電源装置からの給電により駆動可能に構成
    されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれ
    か1つに記載の単結晶引上げ装置。
  7. 【請求項7】 前記種結晶引上げ手段が無停電電源装置
    からの給電により駆動可能に構成されていることを特徴
    とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の単結晶
    引上げ装置。
JP9488597A 1997-03-28 1997-03-28 単結晶引上げ装置 Withdrawn JPH10273388A (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9488597A JPH10273388A (ja) 1997-03-28 1997-03-28 単結晶引上げ装置
KR1019980007118A KR19980079892A (ko) 1997-03-28 1998-03-04 단결정 인상장치
TW087103350A TW460634B (en) 1997-03-28 1998-03-07 Single crystal pulling apparatus
EP98104227A EP0867532B1 (en) 1997-03-28 1998-03-10 Single crystal pulling apparatus
EP02023128A EP1275754A2 (en) 1997-03-28 1998-03-10 Single crystal pulling apparatus
DE69823908T DE69823908T2 (de) 1997-03-28 1998-03-10 Einkristallziehvorrichtung
US09/037,513 US6022411A (en) 1997-03-28 1998-03-10 Single crystal pulling apparatus
EP02023127A EP1277856A2 (en) 1997-03-28 1998-03-10 Single crystal pulling apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9488597A JPH10273388A (ja) 1997-03-28 1997-03-28 単結晶引上げ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10273388A true JPH10273388A (ja) 1998-10-13

Family

ID=14122508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9488597A Withdrawn JPH10273388A (ja) 1997-03-28 1997-03-28 単結晶引上げ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10273388A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03285893A (ja) 結晶引上装置
WO1998010125A1 (en) Single crystal pulling apparatus
JPH10273388A (ja) 単結晶引上げ装置
EP0867532B1 (en) Single crystal pulling apparatus
JP2990658B2 (ja) 単結晶引上装置
KR19980079891A (ko) 단결정 성장장치 및 단결정 성장방법
JPH10273376A (ja) 単結晶製造方法及び単結晶製造装置
JPH10273390A (ja) 半導体単結晶製造装置
JP2956574B2 (ja) 単結晶引上げ装置
JPH10279386A (ja) 単結晶引上げ装置及び単結晶支持機構並びに単結晶引上げ方法
JP4026694B2 (ja) 単結晶保持装置
JP4104242B2 (ja) 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法
JP4068711B2 (ja) 単結晶製造装置
JP3474076B2 (ja) 単結晶引上げ装置
US6273945B1 (en) Single crystal producing apparatus and method
JPH1192285A (ja) 単結晶成長装置及び単結晶成長方法
JP4026695B2 (ja) 単結晶保持装置
JPH10273380A (ja) 単結晶成長装置及び単結晶成長方法
JPH10279385A (ja) 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法
JPH11157983A (ja) 単結晶成長装置及び単結晶成長方法
JP4070162B2 (ja) 単結晶保持装置
JPS63285194A (ja) シリコン単結晶引上装置
JPH10273378A (ja) 単結晶引上げ装置
JPH10273382A (ja) 半導体単結晶引上炉
JPH10139583A (ja) 単結晶引上装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040601