JPH10273484A - 金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体 - Google Patents
金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体Info
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- JPH10273484A JPH10273484A JP9077232A JP7723297A JPH10273484A JP H10273484 A JPH10273484 A JP H10273484A JP 9077232 A JP9077232 A JP 9077232A JP 7723297 A JP7723297 A JP 7723297A JP H10273484 A JPH10273484 A JP H10273484A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的記録媒体の記録層に用いるのに好適な
色素を提供する。 【解決手段】 下記式で示されるアゾメチン化合物が金
属とキレートを形成している金属キレートアゾメチン化
合物。 【化１】 （式中、Ａは複素環を形成する残基を表わし、Ｂは芳香
環又は複素環を形成する残基を表わす。Ｘは活性水素を
有する基を表わす）
色素を提供する。 【解決手段】 下記式で示されるアゾメチン化合物が金
属とキレートを形成している金属キレートアゾメチン化
合物。 【化１】 （式中、Ａは複素環を形成する残基を表わし、Ｂは芳香
環又は複素環を形成する残基を表わす。Ｘは活性水素を
有する基を表わす）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アゾメチン化合物
と金属との新規な金属キレートアゾメチン化合物及びそ
れを用いた光学的記録媒体に関する。
と金属との新規な金属キレートアゾメチン化合物及びそ
れを用いた光学的記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザーを用いた光学記録は、高密度で
の情報の記録、保存及び再生が可能であるため、近年、
特にその開発が盛んである。光学記録の一例としては、
光ディスクを挙げることができる。一般に光ディスク
は、円形の基板上に設けられた薄い記録層に、１μｍ程
度に集束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を
行うものである。その記録は、照射されたレーザー光エ
ネルギーを吸収することによって、その個所の記録層
に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することによ
り行われる。また、記録された情報の再生は、レーザー
光により変形が起きている部分と起きていない部分の反
射率の差を読み取ることにより行われる。従って、記録
層はレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要が
あり、レーザー吸収色素が用いられている。
の情報の記録、保存及び再生が可能であるため、近年、
特にその開発が盛んである。光学記録の一例としては、
光ディスクを挙げることができる。一般に光ディスク
は、円形の基板上に設けられた薄い記録層に、１μｍ程
度に集束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を
行うものである。その記録は、照射されたレーザー光エ
ネルギーを吸収することによって、その個所の記録層
に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形が生成することによ
り行われる。また、記録された情報の再生は、レーザー
光により変形が起きている部分と起きていない部分の反
射率の差を読み取ることにより行われる。従って、記録
層はレーザー光のエネルギーを効率よく吸収する必要が
あり、レーザー吸収色素が用いられている。
【０００３】この種の光学的記録媒体としては、種々の
構成のものが知られている。例えば、特開昭５５−９７
０３３号公報には、基板上にフタロシアニン系色素の単
層を設けたものが開示されている。しかしながら、フタ
ロシアニン系色素は感度が低く、また分解点が高く蒸着
しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対する溶
解性が著しく低いため塗布によるコーティングに使用す
ることができないという問題点も有している。
構成のものが知られている。例えば、特開昭５５−９７
０３３号公報には、基板上にフタロシアニン系色素の単
層を設けたものが開示されている。しかしながら、フタ
ロシアニン系色素は感度が低く、また分解点が高く蒸着
しにくい等の問題点を有し、さらに有機溶媒に対する溶
解性が著しく低いため塗布によるコーティングに使用す
ることができないという問題点も有している。
【０００４】また、特開昭５８−１１２７９０号、同５
８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、同６０−
８３２３６号各公報等には、シアニン系色素を用いた記
録層を設けたものが開示されている。しかし、この色素
は溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能である
という利点の反面、耐光性が劣るという問題点を有して
いる。このため、特開昭５９−５５７９５号公報には、
このシアニン系色素にクエンチャーを加えて耐光性を向
上させることが検討されているが、まだまだ不十分なレ
ベルである。
８−１１４９８９号、同５９−８５７９１号、同６０−
８３２３６号各公報等には、シアニン系色素を用いた記
録層を設けたものが開示されている。しかし、この色素
は溶解性が高く、塗布によるコーティングが可能である
という利点の反面、耐光性が劣るという問題点を有して
いる。このため、特開昭５９−５５７９５号公報には、
このシアニン系色素にクエンチャーを加えて耐光性を向
上させることが検討されているが、まだまだ不十分なレ
ベルである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決する記録用色素、及びそれを用いた光学的記録
媒体を提供することを目的とするものである。
点を解決する記録用色素、及びそれを用いた光学的記録
媒体を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る色素は、下
記一般式〔Ｉ〕で示されるアゾメチン化合物が金属とキ
レートを形成している金属キレートアゾメチン化合物で
ある。
記一般式〔Ｉ〕で示されるアゾメチン化合物が金属とキ
レートを形成している金属キレートアゾメチン化合物で
ある。
【０００７】
【化７】
【０００８】（式中、Ａはそれが結合している炭素原子
及び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表
わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒に
なって芳香環又は複素環を形成する残基を表わし、Ｘは
活性水素を有する基を表わす。）
及び窒素原子と一緒になって複素環を形成する残基を表
わし、Ｂはそれが結合している二つの炭素原子と一緒に
なって芳香環又は複素環を形成する残基を表わし、Ｘは
活性水素を有する基を表わす。）
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明について詳細に説明する
と、前記一般式〔Ｉ〕において、残基Ａはそれが結合し
ている炭素原子及び窒素原子と一緒になって複素環を形
成するが、残基Ａが形成する複素環としては下記のもの
が好ましい。
と、前記一般式〔Ｉ〕において、残基Ａはそれが結合し
ている炭素原子及び窒素原子と一緒になって複素環を形
成するが、残基Ａが形成する複素環としては下記のもの
が好ましい。
【００１０】
【化８】
【００１１】
【化９】
【００１２】
【化１０】
【００１３】（式中、Ｒ1 〜Ｒ8 は、それぞれ独立し
て、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等
の炭素数１〜７のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数
１〜８のアルコキシ基；メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキ
シルなどアルキル基の炭素数が１〜６のアルキルスルホ
ニル基及びアルコキシスルホニル基；フェニルスルホニ
ル基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソ
ブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル
基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子；ホルミル基；−ＣＲ9 ＝ＣＲ10
（ＣＮ）（ここで、Ｒ9 は水素原子又は前記Ｒ1 〜Ｒ8
において定義したものと同様の炭素数１〜６のアルキル
基を表し、Ｒ10はシアノ基又はメトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、
イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキ
シカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアル
コキシカルボニル基を表す。）；ニトロ基；
て、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等
の炭素数１〜７のアルキル基；メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数
１〜８のアルコキシ基；メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキ
シルなどアルキル基の炭素数が１〜６のアルキルスルホ
ニル基及びアルコキシスルホニル基；フェニルスルホニ
ル基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソ
ブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル
基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７
のアルキルカルボニル基；フッ素原子、塩素原子、臭素
原子等のハロゲン原子；ホルミル基；−ＣＲ9 ＝ＣＲ10
（ＣＮ）（ここで、Ｒ9 は水素原子又は前記Ｒ1 〜Ｒ8
において定義したものと同様の炭素数１〜６のアルキル
基を表し、Ｒ10はシアノ基又はメトキシカルボニル基、
エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、
イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル
基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキ
シカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ
−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアル
コキシカルボニル基を表す。）；ニトロ基；
【００１４】
【化１１】
【００１５】（ここで、Ｒ11〜Ｒ13は、それぞれ独立し
て、水素原子又はニトロ基を表し、Ｚは単結合、−ＳＣ
Ｈ2 −、−ＳＯ2 −又は−ＳＯ2 ＣＨ2 −を表す。）；
炭素数が１〜３のフルオロアルキル基及びフルオロアル
コキシ基；シアノ基；前記Ｒ10において定義したものと
同義の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メトキ
シカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、
エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポ
キシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルプ
ロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプ
ロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜７のアルコ
キシカルボニルアルキル基；又はメチルチオ基、エチル
チオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ
−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブ
チルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基
等の炭素数１〜７のアルキルチオ基；炭素数１〜３のフ
ルオロアルキルチオ基；フェニルアゾ基を表す。残基Ａ
が形成する複素環は、下記のいずれかであるのがより好
ましい。
て、水素原子又はニトロ基を表し、Ｚは単結合、−ＳＣ
Ｈ2 −、−ＳＯ2 −又は−ＳＯ2 ＣＨ2 −を表す。）；
炭素数が１〜３のフルオロアルキル基及びフルオロアル
コキシ基；シアノ基；前記Ｒ10において定義したものと
同義の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メトキ
シカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、
エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチ
ル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポ
キシカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルプ
ロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプ
ロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜７のアルコ
キシカルボニルアルキル基；又はメチルチオ基、エチル
チオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ
−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブ
チルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基
等の炭素数１〜７のアルキルチオ基；炭素数１〜３のフ
ルオロアルキルチオ基；フェニルアゾ基を表す。残基Ａ
が形成する複素環は、下記のいずれかであるのがより好
ましい。
【００１６】
【化１２】
【００１７】式中、Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 及びＰ4 は、それ
ぞれ独立して、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−３−ペンチル基
等の分岐の炭素数３〜７のアルキル基；イソプロポキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２，４−ジメチル−３−ペ
ンチルオキシ基等の炭素数３〜８の分岐アルコキシ基；
イソプロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ
−ブチルチオ基、２，４−ジメチル−３−ペンチルチオ
基等の炭素数３〜７の分岐アルキルチオ基；フッ素原
子；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
テトラフルオロエチル基等の炭素数１〜３のフッ素置換
アルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロ
エトキシ基、テトラフルオロエトキシ基等の炭素数１〜
３のフッ素置換アルコキシ基；トリフルオロメチルチオ
基、ペンタフルオロエチルチオ基、テトラフルオロエチ
ルチオ基等の炭素数１〜３のフッ素置換アルキルチオ基
などを表わす。
ぞれ独立して、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、２，４−ジメチル−３−ペンチル基
等の分岐の炭素数３〜７のアルキル基；イソプロポキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２，４−ジメチル−３−ペ
ンチルオキシ基等の炭素数３〜８の分岐アルコキシ基；
イソプロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ
−ブチルチオ基、２，４−ジメチル−３−ペンチルチオ
基等の炭素数３〜７の分岐アルキルチオ基；フッ素原
子；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、
テトラフルオロエチル基等の炭素数１〜３のフッ素置換
アルキル基；トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロ
エトキシ基、テトラフルオロエトキシ基等の炭素数１〜
３のフッ素置換アルコキシ基；トリフルオロメチルチオ
基、ペンタフルオロエチルチオ基、テトラフルオロエチ
ルチオ基等の炭素数１〜３のフッ素置換アルキルチオ基
などを表わす。
【００１８】一般式〔Ｉ〕で示されるアゾメチン化合物
において、Ｂが形成する芳香環又は複素環としては、ベ
ンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリドン環、テ
トラヒドロキノリン環又はピラゾール環等が挙げられ
る。これらの芳香環又は複素環は更にＸ以外の置換基を
有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール
基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、
カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファ
モイル基、スルホンアミド基、アミノ基、ヒドロキシル
基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙
げられ、これらの置換基そのものも更に置換基を有して
いてもよい。これらの芳香族環又は複素環の置換基の中
で好ましいものとしては、置換基を有していてもよい炭
素数１〜２５のアルキル基、置換基を有していてもよい
炭素数１〜２５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２
５のアルキルスルファモイル基、置換基を有していても
よい炭素数６〜３０のフェニルスルファモイル基、置換
基を有していてもよいフェニルアゾ基、置換基を有して
いてもよいピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル
基、炭素数２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６
のアシル基、炭素数１〜２５のアシルアミノ基、炭素数
１〜２５のスルホンアミド基、−ＮＲ17Ｒ18（Ｒ17及び
Ｒ18は、それぞれ独立して、水素原子；置換されていて
もよいアルキル基；置換されていてもよいアリール基、
特にフェニル基；置換されていてもよいアルケニル基、
置換されていてもよいシクロアルキル基を表わすか、又
はＲ17とＲ18とが結合して５員環若しくは６員環を形成
していてもよい）、ヒドロキシル基、−ＣＲ19＝Ｃ（Ｃ
Ｎ）Ｒ20（Ｒ19は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル
基を表わし、Ｒ20はシアノ基又は炭素数２〜７のアルコ
キシカルボニル基を表わす。）等が挙げられる。
において、Ｂが形成する芳香環又は複素環としては、ベ
ンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリドン環、テ
トラヒドロキノリン環又はピラゾール環等が挙げられ
る。これらの芳香環又は複素環は更にＸ以外の置換基を
有していてもよく、置換基としては、アルキル基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール
基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、
カルバモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファ
モイル基、スルホンアミド基、アミノ基、ヒドロキシル
基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙
げられ、これらの置換基そのものも更に置換基を有して
いてもよい。これらの芳香族環又は複素環の置換基の中
で好ましいものとしては、置換基を有していてもよい炭
素数１〜２５のアルキル基、置換基を有していてもよい
炭素数１〜２５のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ
基、ニトロ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２
５のアルキルスルファモイル基、置換基を有していても
よい炭素数６〜３０のフェニルスルファモイル基、置換
基を有していてもよいフェニルアゾ基、置換基を有して
いてもよいピリジノアゾ基、炭素数２〜２６のエステル
基、炭素数２〜２６のカルバモイル基、炭素数２〜２６
のアシル基、炭素数１〜２５のアシルアミノ基、炭素数
１〜２５のスルホンアミド基、−ＮＲ17Ｒ18（Ｒ17及び
Ｒ18は、それぞれ独立して、水素原子；置換されていて
もよいアルキル基；置換されていてもよいアリール基、
特にフェニル基；置換されていてもよいアルケニル基、
置換されていてもよいシクロアルキル基を表わすか、又
はＲ17とＲ18とが結合して５員環若しくは６員環を形成
していてもよい）、ヒドロキシル基、−ＣＲ19＝Ｃ（Ｃ
Ｎ）Ｒ20（Ｒ19は水素原子又は炭素数１〜６のアルキル
基を表わし、Ｒ20はシアノ基又は炭素数２〜７のアルコ
キシカルボニル基を表わす。）等が挙げられる。
【００１９】一般式〔Ｉ〕で示されるアゾメチン化合物
において、Ｘとしては活性水素を有する基であれば特に
制限されないが、好ましいものとしては、−ＯＨ、−Ｃ
ＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−Ｂ（ＯＨ）2 、−ＨＮＳＯ2 Ｒ
16、−ＮＨＣＯＲ16、−ＮＨＣＯＯＲ16（Ｒ16は水素原
子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキ
ル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表わ
す。）等が挙げられ、特に好ましいものとしては−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＨＮＳＯ2 Ｒ16（Ｒ16
は前記定義に同じ。）が挙げられる。なお、Ｘが−ＣＯ
ＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ等のように陰イオンに解離し
うる基である場合には、アゾ金属キレート化合物の形成
に際してはこのままの形で用いてもよいが、陽イオンと
の塩の形で用いてもよい。かかる陽イオンとしては、Ｎ
ａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等の無機の陽イオン又は
において、Ｘとしては活性水素を有する基であれば特に
制限されないが、好ましいものとしては、−ＯＨ、−Ｃ
ＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−Ｂ（ＯＨ）2 、−ＨＮＳＯ2 Ｒ
16、−ＮＨＣＯＲ16、−ＮＨＣＯＯＲ16（Ｒ16は水素原
子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキ
ル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表わ
す。）等が挙げられ、特に好ましいものとしては−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＨＮＳＯ2 Ｒ16（Ｒ16
は前記定義に同じ。）が挙げられる。なお、Ｘが−ＣＯ
ＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ等のように陰イオンに解離し
うる基である場合には、アゾ金属キレート化合物の形成
に際してはこのままの形で用いてもよいが、陽イオンと
の塩の形で用いてもよい。かかる陽イオンとしては、Ｎ
ａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｋ+ 等の無機の陽イオン又は
【００２０】
【化１３】
【００２１】等の有機の陽イオンが挙げられる。一般式
〔Ｉ〕で示されるアゾメチン化合物の中で好ましいもの
の一つは、下記一般式〔II〕で表わされるものである。
〔Ｉ〕で示されるアゾメチン化合物の中で好ましいもの
の一つは、下記一般式〔II〕で表わされるものである。
【００２２】
【化１４】
【００２３】（式中、Ｒ14及びＲ15は、それぞれ独立し
て、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２
５のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール
基、特にフェニル基、置換基を有していてもよい炭素数
２〜２５のアルケニル基若しくは置換基を有していても
よい炭素数３〜２５のシクロアルキル基を表わすか、又
はＲ14とＲ15とが結合して５員環若しくは６員環を形成
している。Ａ及びＸは前記定義と同義を表わし、環Ｄは
更に置換基を有していてもよい。）
て、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２
５のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール
基、特にフェニル基、置換基を有していてもよい炭素数
２〜２５のアルケニル基若しくは置換基を有していても
よい炭素数３〜２５のシクロアルキル基を表わすか、又
はＲ14とＲ15とが結合して５員環若しくは６員環を形成
している。Ａ及びＸは前記定義と同義を表わし、環Ｄは
更に置換基を有していてもよい。）
【００２４】前記一般式〔II〕において、Ｒ14及びＲ15
で表わされるアルキル基、アリール基、アルケニル基又
はシクロアルキル基に結合しうる置換基としては、例え
ばアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシ
アルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキ
シ基、テトラヒドロフリル基、アルキルスルホニルアミ
ノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、更にこのアリール基
の置換基としてはアルキル基又はビニル基が挙げられ
る。環Ｄに結合しうる他の置換基としては、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。本発
明に係る金属とキレートを形成するアゾメチン化合物の
いくつかを下記の表１に例示する。
で表わされるアルキル基、アリール基、アルケニル基又
はシクロアルキル基に結合しうる置換基としては、例え
ばアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アルコキシ
アルコキシアルコキシ基、アリルオキシ基、アリール
基、アリールオキシ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキ
シ基、テトラヒドロフリル基、アルキルスルホニルアミ
ノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、更にこのアリール基
の置換基としてはアルキル基又はビニル基が挙げられ
る。環Ｄに結合しうる他の置換基としては、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。本発
明に係る金属とキレートを形成するアゾメチン化合物の
いくつかを下記の表１に例示する。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【表４】
【００２９】
【表５】
【００３０】
【表６】
【００３１】
【表７】
【００３２】
【表８】
【００３３】
【表９】
【００３４】
【表１０】
【００３５】
【表１１】
【００３６】本発明において、アゾメチン化合物とキレ
ートを形成する金属としては、一般にアゾ化合物と錯体
を形成する能力のある金属であるならば特に制限はされ
ないが、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ等の遷移元素が好ましく、特にＮｉ又はＣｏ
が好ましい。次に、本発明の金属キレートアゾメチン化
合物の製造方法について説明すると、一般式（Ｉ）のア
ゾメチン化合物は、下記式に従いホルミル化合物とアミ
ノ化合物との脱水縮合により製造することができる。
ートを形成する金属としては、一般にアゾ化合物と錯体
を形成する能力のある金属であるならば特に制限はされ
ないが、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ等の遷移元素が好ましく、特にＮｉ又はＣｏ
が好ましい。次に、本発明の金属キレートアゾメチン化
合物の製造方法について説明すると、一般式（Ｉ）のア
ゾメチン化合物は、下記式に従いホルミル化合物とアミ
ノ化合物との脱水縮合により製造することができる。
【００３７】
【化１５】
【００３８】次いでこのアゾメチン化合物と金属塩と
を、水やジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、
エタノール等の有機溶媒中で反応させると本発明の金属
キレート化合物が得られる。金属キレート化合物の製造
に用いる金属塩の陰イオンとしては、ＳＣＮ- 、ＳｂＦ
6 - 、Ｃｌ- 、Ｂｒ- 、Ｆ- 、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、
ＰＦ6 - 、ＣＨ3 ＣＯＯ- 、ＴｉＦ6 2-、ＳｉＦ6 2-、
Ｚｒ6 2-、Ｐｈ−ＳＯ3 - 、ＣＨ3 −Ｐｈ−ＳＯ3 - 、
Ｂ- Ｐｈ4 （ここで、Ｐｈはベンゼン環を表す。）等の
一価又は二価の陰イオンが好ましく、特にＢＦ4 - 、Ｐ
Ｆ6 - 、ＣＨ3 ＣＯＯ- が好ましく用いられる。
を、水やジオキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、
エタノール等の有機溶媒中で反応させると本発明の金属
キレート化合物が得られる。金属キレート化合物の製造
に用いる金属塩の陰イオンとしては、ＳＣＮ- 、ＳｂＦ
6 - 、Ｃｌ- 、Ｂｒ- 、Ｆ- 、ＣｌＯ4 - 、ＢＦ4 - 、
ＰＦ6 - 、ＣＨ3 ＣＯＯ- 、ＴｉＦ6 2-、ＳｉＦ6 2-、
Ｚｒ6 2-、Ｐｈ−ＳＯ3 - 、ＣＨ3 −Ｐｈ−ＳＯ3 - 、
Ｂ- Ｐｈ4 （ここで、Ｐｈはベンゼン環を表す。）等の
一価又は二価の陰イオンが好ましく、特にＢＦ4 - 、Ｐ
Ｆ6 - 、ＣＨ3 ＣＯＯ- が好ましく用いられる。
【００３９】次に本発明の光学的記録媒体について説明
する。本発明の光学的記録媒体は、基本的には基板と前
記アゾメチン化合物の金属キレート化合物を含む記録層
とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基
板上に下引き層を設けることができる。また好ましい層
構成としては、記録層上に金属、アルミニウムのような
金属反射層及び樹脂からなる保護層を設けて高反射率の
媒体とし、追記型のＣＤ又はＤＶＤメディアとすること
ができる。
する。本発明の光学的記録媒体は、基本的には基板と前
記アゾメチン化合物の金属キレート化合物を含む記録層
とから構成されるものであるが、さらに必要に応じて基
板上に下引き層を設けることができる。また好ましい層
構成としては、記録層上に金属、アルミニウムのような
金属反射層及び樹脂からなる保護層を設けて高反射率の
媒体とし、追記型のＣＤ又はＤＶＤメディアとすること
ができる。
【００４０】基板としては、使用するレーザー光に対し
て透明又は不透明のいずれであってもよい。基板の材質
としては、ガラス、プラスチック、紙、板状又は箔状の
金属等の、一般に記録材料の支持体として知られている
ものが用いられるが、プラスチックが種々の点から好適
に使用できる。プラスチックとしては、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニ
トロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられるが、高生産性、
コスト、耐吸湿性の点から射出成形型のポリカーボネー
ト樹脂基板が特に好ましく用いられる。
て透明又は不透明のいずれであってもよい。基板の材質
としては、ガラス、プラスチック、紙、板状又は箔状の
金属等の、一般に記録材料の支持体として知られている
ものが用いられるが、プラスチックが種々の点から好適
に使用できる。プラスチックとしては、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、ニ
トロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、ポリサルホン樹脂等が挙げられるが、高生産性、
コスト、耐吸湿性の点から射出成形型のポリカーボネー
ト樹脂基板が特に好ましく用いられる。
【００４１】本発明の光学的記録媒体におけるアゾメチ
ン化合物と金属との金属キレート化合物を含有する記録
層は、膜厚１００Å〜５μｍであることが好ましく、更
に好ましくは３００〜１２００Åである。成膜法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、塗布法など一般に
行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量
産性、コスト面等から塗布法が好ましい。塗布法として
はドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬
法などのいずれも用いうるが、特にスピナー法が好まし
い。
ン化合物と金属との金属キレート化合物を含有する記録
層は、膜厚１００Å〜５μｍであることが好ましく、更
に好ましくは３００〜１２００Åである。成膜法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、塗布法など一般に
行われている薄膜形成法で成膜することができるが、量
産性、コスト面等から塗布法が好ましい。塗布法として
はドクターブレード法、キャスト法、スピナー法、浸漬
法などのいずれも用いうるが、特にスピナー法が好まし
い。
【００４２】塗布法による場合には所望によりバインダ
ーを使用することもできる。バインダーとしては、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹
脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブ
チラール、ポリカーボネート等の既知のものが用いられ
る。スピナー法による成膜の場合、回転数は５００〜５
０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、必要に応
じて加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行うこと
ができる。
ーを使用することもできる。バインダーとしては、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ケトン樹
脂、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ポリビニルブ
チラール、ポリカーボネート等の既知のものが用いられ
る。スピナー法による成膜の場合、回転数は５００〜５
０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの後、必要に応
じて加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の処理を行うこと
ができる。
【００４３】また、記録層の安定性や耐光性向上のため
に、記録層には一重項酸素クエンチャーとして遷移金属
キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ジスジチオ−α−ジケトン等）を含有させてもよ
く、更に同系統の色素あるいはトリアリールメタン系色
素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリウム系色
素、モノアゾ化合物の金属キレート化合物、ニッケル−
インドアニリン系色素等の他系統の色素を併用すること
もできる。
に、記録層には一重項酸素クエンチャーとして遷移金属
キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレー
ト、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキ
シム、ジスジチオ−α−ジケトン等）を含有させてもよ
く、更に同系統の色素あるいはトリアリールメタン系色
素、アゾ染料、シアニン系色素、スクワリリウム系色
素、モノアゾ化合物の金属キレート化合物、ニッケル−
インドアニリン系色素等の他系統の色素を併用すること
もできる。
【００４４】塗布法、特にスピナー法により、基板上に
記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、テトラフル
オロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、テト
ラクロロエタン、ブロモホルム、ジブロモエタン、ジア
セトンアルコール、エチルセロソルブ、キシレン、３−
ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、クロロベンゼ
ン、シクロヘキサノン、乳酸メチル等の沸点１２０〜１
６０℃のものが好適に使用される。
記録層を形成する場合の塗布溶媒としては、テトラフル
オロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、テト
ラクロロエタン、ブロモホルム、ジブロモエタン、ジア
セトンアルコール、エチルセロソルブ、キシレン、３−
ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン、クロロベンゼ
ン、シクロヘキサノン、乳酸メチル等の沸点１２０〜１
６０℃のものが好適に使用される。
【００４５】この中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性
に優れる射出成型ポリカーボネート樹脂基板に対して
は、この基板を侵すことなく好適に使用できる溶媒とし
て、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチ
ル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；
テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノ
ール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸
メチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶
媒、エチルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキサン等の
炭化水素系溶媒等を用いるのが好ましい。本発明の光学
的記録媒体の記録層は、基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。
に優れる射出成型ポリカーボネート樹脂基板に対して
は、この基板を侵すことなく好適に使用できる溶媒とし
て、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチ
ル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチル
セロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；
テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノ
ール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸
メチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシエステル系溶
媒、エチルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキサン等の
炭化水素系溶媒等を用いるのが好ましい。本発明の光学
的記録媒体の記録層は、基板の両面に設けてもよいし、
片面だけに設けてもよい。
【００４６】上記のようにして得られた光学的記録媒体
への記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に１μ
ｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは半導体レーザ
ーの光を照射することにより行う。レーザー光の照射さ
れた部分には、レーザーエネルギーの吸収による、分
解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が生じる。従っ
て、レーザー光により熱的変形が起きている部分と起き
ていない部分の反射率の差を読み取ることにより、記録
された情報の再生を行うことができる。本発明の光学的
記録媒体の記録、再生に使用されるレーザー光として
は、Ｎ2、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半
導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に軽量性、取
扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザ
ーが好適に使用される。
への記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に１μ
ｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは半導体レーザ
ーの光を照射することにより行う。レーザー光の照射さ
れた部分には、レーザーエネルギーの吸収による、分
解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が生じる。従っ
て、レーザー光により熱的変形が起きている部分と起き
ていない部分の反射率の差を読み取ることにより、記録
された情報の再生を行うことができる。本発明の光学的
記録媒体の記録、再生に使用されるレーザー光として
は、Ｎ2、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ルビー、半
導体、色素レーザー等が挙げられるが、特に軽量性、取
扱いの容易さ、コンパクト性などの点から半導体レーザ
ーが好適に使用される。
【００４７】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により限
定されるものではない。 実施例１ （ａ） 化合物製造例 ３−アセチルアミノ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン６００
ｍｇを５０％酢酸水溶液７．５ｍｌに溶かした溶液を２
０℃以下に氷冷しながら撹拌し、これに亜硝酸ナトリウ
ム３００ｍｇを水１．５ｍｌに溶かした溶液を徐々に滴
下して反応させた。反応終了後、炭酸ナトリウム水溶液
で中和してからクロロホルムで抽出した。抽出液を水洗
したのち、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラ
フィーで分離したのち溶媒を留去して、ニトロソ化合物
の緑色結晶５６５ｍｇを得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δｐｐｍ：１２．６６
（ｓ，１Ｈ），８．３８（ｄ，１Ｈ），８．０３（ｄ，
１Ｈ），６．６３（ｄｄ，１Ｈ），３．５６（ｑ，４
Ｈ），２．２２（ｓ，３Ｈ），１．３２（ｔ，６Ｈ）
るが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により限
定されるものではない。 実施例１ （ａ） 化合物製造例 ３−アセチルアミノ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン６００
ｍｇを５０％酢酸水溶液７．５ｍｌに溶かした溶液を２
０℃以下に氷冷しながら撹拌し、これに亜硝酸ナトリウ
ム３００ｍｇを水１．５ｍｌに溶かした溶液を徐々に滴
下して反応させた。反応終了後、炭酸ナトリウム水溶液
で中和してからクロロホルムで抽出した。抽出液を水洗
したのち、溶媒を留去した。残渣をカラムクロマトグラ
フィーで分離したのち溶媒を留去して、ニトロソ化合物
の緑色結晶５６５ｍｇを得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）：δｐｐｍ：１２．６６
（ｓ，１Ｈ），８．３８（ｄ，１Ｈ），８．０３（ｄ，
１Ｈ），６．６３（ｄｄ，１Ｈ），３．５６（ｑ，４
Ｈ），２．２２（ｓ，３Ｈ），１．３２（ｔ，６Ｈ）
【００４８】次いで、このニトロソ化合物５００ｍｇを
乾燥メタノール６ｍｌに溶解し、さらにこれに水素化ホ
ウ素ナトリウム２００ｍｇ及びパラジウムカーボン８０
ｍｇを加え、窒素雰囲気下で撹拌した。２時間後、吸引
濾過してパラジウムカーボンを除去した。濾液に２−ピ
リジンカルバルデヒド４５７ｍｇを加え、希塩酸でｐＨ
が中性になるように調整し、１時間撹拌した。反応液を
クロロホルムで抽出し、抽出液を水洗したのち溶媒を留
去した。残渣をカラムクロマトグラフィー分離し、次い
で晶析により、表１のＡ−１の構造を有するアゾメチン
化合物の黄色結晶３５６ｍｇを得た（収率５４％）。
乾燥メタノール６ｍｌに溶解し、さらにこれに水素化ホ
ウ素ナトリウム２００ｍｇ及びパラジウムカーボン８０
ｍｇを加え、窒素雰囲気下で撹拌した。２時間後、吸引
濾過してパラジウムカーボンを除去した。濾液に２−ピ
リジンカルバルデヒド４５７ｍｇを加え、希塩酸でｐＨ
が中性になるように調整し、１時間撹拌した。反応液を
クロロホルムで抽出し、抽出液を水洗したのち溶媒を留
去した。残渣をカラムクロマトグラフィー分離し、次い
で晶析により、表１のＡ−１の構造を有するアゾメチン
化合物の黄色結晶３５６ｍｇを得た（収率５４％）。
【００４９】ＭＡＳＳ（ＥＩ）：３１０（Ｍ+ ） ＵＶ−ｖｉｓスペクトル（エタノール）：λｍａｘ４３
３ｎｍ メタノール３ｍｌにこのアゾメチン化合物１００ｍｇを
溶解し、撹拌しながらこれに、過塩素酸ニッケル六水和
物２９４ｍｇを水２ｍｌに溶解した溶液を滴下した。３
０分撹拌したのち濾過して、ニッケルキレート化合物の
沈殿８２ｍｇを得た。本化合物のエタノール溶液中の吸
収スペクトルを図１に示す。 ＵＶ−ｖｉｓスペクトル（エタノール）：λｍａｘ４８
８ｎｍ
３ｎｍ メタノール３ｍｌにこのアゾメチン化合物１００ｍｇを
溶解し、撹拌しながらこれに、過塩素酸ニッケル六水和
物２９４ｍｇを水２ｍｌに溶解した溶液を滴下した。３
０分撹拌したのち濾過して、ニッケルキレート化合物の
沈殿８２ｍｇを得た。本化合物のエタノール溶液中の吸
収スペクトルを図１に示す。 ＵＶ−ｖｉｓスペクトル（エタノール）：λｍａｘ４８
８ｎｍ
【００５０】（ｂ） 光学的記録媒体製造例 上記製造例（ａ）と同様の手法で得たアゾメチン化合物
とニッケルとの金属キレート化合物０．１５ｇをオクタ
フルオロペンタノール７．５ｇに溶解し、０．２２μｍ
のフィルターで濾過した。この溶液５ｍｌを深さ７００
Å、幅０．７μｍの溝（グルーブ）を有する直径５イン
チの射出成形ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布
後、１００℃で１時間乾燥した。次にこの塗布膜の上
に、スパッタリング法により膜厚８００Åの金の膜を成
膜し、反射層を形成した。さらに、この反射層の上に紫
外線硬化性樹脂ＣＤ−３１８（大日本インキ社製品）を
スピンコートした後、紫外線を照射して硬化させ、厚み
５μｍの保護層を形成し、光学的記録媒体を製造した。
とニッケルとの金属キレート化合物０．１５ｇをオクタ
フルオロペンタノール７．５ｇに溶解し、０．２２μｍ
のフィルターで濾過した。この溶液５ｍｌを深さ７００
Å、幅０．７μｍの溝（グルーブ）を有する直径５イン
チの射出成形ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、ス
ピナー法により５００ｒｐｍの回転数で塗布した。塗布
後、１００℃で１時間乾燥した。次にこの塗布膜の上
に、スパッタリング法により膜厚８００Åの金の膜を成
膜し、反射層を形成した。さらに、この反射層の上に紫
外線硬化性樹脂ＣＤ−３１８（大日本インキ社製品）を
スピンコートした後、紫外線を照射して硬化させ、厚み
５μｍの保護層を形成し、光学的記録媒体を製造した。
【００５１】（ｃ） 光記録例 上記製造例（ｂ）で得た光学的記録媒体について、６３
５ｎｍの半導体レーザーでＥＦＭ信号の記録及び初期特
性評価を行ったところビット長ジッターは良好であり、
良好なリム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度
９０％の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロ
ックエラーレートの変化を測定したところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。
５ｎｍの半導体レーザーでＥＦＭ信号の記録及び初期特
性評価を行ったところビット長ジッターは良好であり、
良好なリム形状の記録部が得られた。温度８０℃、湿度
９０％の条件で５００時間の高温高湿試験の後に、ブロ
ックエラーレートの変化を測定したところ、わずかなエ
ラーの増加が見られるだけであった。
【００５２】実施例２〜４ 実施例１において金属キレートアゾメチン化合物の溶液
として表２のものを用いた以外は、実施例１と同様にし
て光学的記録媒体を製造した。この記録媒体について実
施例１と同様に試験したところ、ＥＦＭ信号の記録及び
初期特性評価はいずれも良好であり、良好なリム形状の
記録部が得られた。また実施例１と同様に高温高湿試験
を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけ
であった。
として表２のものを用いた以外は、実施例１と同様にし
て光学的記録媒体を製造した。この記録媒体について実
施例１と同様に試験したところ、ＥＦＭ信号の記録及び
初期特性評価はいずれも良好であり、良好なリム形状の
記録部が得られた。また実施例１と同様に高温高湿試験
を行ったところ、わずかなエラーの増加が見られるだけ
であった。
【００５３】
【表１２】
【００５４】実施例５ 深さ１５０ｎｍ、幅（半値幅）０．２５μｍ、ピッチ
０．８０μｍ（ＡＦＭでの測定結果）のＵ字型案内溝を
有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板に、表１
のＡ−５のアゾメチン化合物とニッケル塩との金属キレ
ートアゾメチン化合物をオクタフルオロプロパノールに
２．５重量％となるように溶解した溶液をスピナー法に
より塗布し、１００℃の乾燥機で３０分間乾燥した。次
いでこの色素層の上に金を、平均厚さが１００ｎｍとな
るように、ＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜して
反射層を形成した。更にこの反射層の上に、紫外線硬化
型樹脂ＳＤ−３１８をスピナー法により乾燥厚さが４μ
ｍとなるように塗布し、紫外線照射装置で紫外線を照射
して硬化させ、保護層を形成した。このようにして製作
した２枚のディスクをホットメルト方式で接着して光学
的記録媒体とした。
０．８０μｍ（ＡＦＭでの測定結果）のＵ字型案内溝を
有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板に、表１
のＡ−５のアゾメチン化合物とニッケル塩との金属キレ
ートアゾメチン化合物をオクタフルオロプロパノールに
２．５重量％となるように溶解した溶液をスピナー法に
より塗布し、１００℃の乾燥機で３０分間乾燥した。次
いでこの色素層の上に金を、平均厚さが１００ｎｍとな
るように、ＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜して
反射層を形成した。更にこの反射層の上に、紫外線硬化
型樹脂ＳＤ−３１８をスピナー法により乾燥厚さが４μ
ｍとなるように塗布し、紫外線照射装置で紫外線を照射
して硬化させ、保護層を形成した。このようにして製作
した２枚のディスクをホットメルト方式で接着して光学
的記録媒体とした。
【００５５】この記録媒体について、波長６４０ｎｍの
半導体レーザー評価機（開口数ＮＡ＝０．６）を用い
て、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価を行ったところ
ビット長ジッターは良好であり、良好なリム形状の記録
部が得られた。温度８０℃、湿度９０％の条件で５００
時間の高温高湿試験の後に、ブロックエラーレートの変
化を測定したところ、わずかなエラーの増加が見られる
だけであった。
半導体レーザー評価機（開口数ＮＡ＝０．６）を用い
て、ＥＦＭ信号の記録及び初期特性評価を行ったところ
ビット長ジッターは良好であり、良好なリム形状の記録
部が得られた。温度８０℃、湿度９０％の条件で５００
時間の高温高湿試験の後に、ブロックエラーレートの変
化を測定したところ、わずかなエラーの増加が見られる
だけであった。
【００５６】
【発明の効果】本発明のアゾメチン化合物の金属キレー
ト化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によ
るコーティングが可能であり、しかも感度が良好で耐光
性、保存安定性に優れているものであり、この金属キレ
ート化合物を用いた光学的記録媒体は、高感度でかつ優
れた記録・再生特性を有しており、特に、耐光性及び保
存安定性に優れており、記録層上に金属反射層及び保護
層を設けたＣＤメディアやＤＶＤメディアとして適して
いる。
ト化合物は、有機溶媒に対する溶解性が高く、塗布によ
るコーティングが可能であり、しかも感度が良好で耐光
性、保存安定性に優れているものであり、この金属キレ
ート化合物を用いた光学的記録媒体は、高感度でかつ優
れた記録・再生特性を有しており、特に、耐光性及び保
存安定性に優れており、記録層上に金属反射層及び保護
層を設けたＣＤメディアやＤＶＤメディアとして適して
いる。
【図１】実施例１で得られたニッケルとキレートを形成
しているアゾメチン化合物の吸収スペクトルである。
しているアゾメチン化合物の吸収スペクトルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 235/14 Ｃ０７Ｄ 263/56 263/56 277/28 277/28 277/60 277/60 277/64 277/64 277/84 277/84 285/08 285/08 401/12 ２１３ 285/12 ２３５ 285/13 409/14 ２１３ 285/125 413/12 ２１３ 401/12 ２１３ 417/12 ２１３ ２３５ ２３１ 409/14 ２１３ 471/04 １０１ 413/12 ２１３ 513/04 ３０１ 417/12 ２１３ ３４３ ２３１ Ｃ０９Ｂ 55/00 Ｄ 471/04 １０１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 513/04 ３０１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ ３４３ Ｃ０７Ｄ 285/12 Ｃ０９Ｂ 55/00 Ａ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｃ Ｄ
Claims (9)
- 【請求項１】 下記一般式〔Ｉ〕で示されるアゾメチン
化合物が金属とキレートを形成している金属キレートア
ゾメチン化合物。 【化１】 （式中、Ａはそれが結合している炭素原子及び窒素原子
と一緒になって複素環を形成する残基を表わし、Ｂはそ
れが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環
又は複素環を形成する残基を表わし、Ｘは活性水素を有
する基を表わす。） - 【請求項２】 一般式〔Ｉ〕における残基Ａが炭素原子
及び窒素原子と一緒になって形成する複素環が、下記式
で示される複素環よりなる群から選ばれるものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の金属キレートアゾメチン
化合物。 【化２】 【化３】 【化４】 ｛各式中、Ｒ1 〜Ｒ8 は、それぞれ独立して、水素原
子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜８のアルコ
キシ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数
２〜７のアルキルカルボニル基、ハロゲン原子、ホルミ
ル基、−ＣＲ9 ＝ＣＲ10（ＣＮ）（ここで、Ｒ9 は水素
原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ10はシア
ノ基又は炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基を表
す。）、ニトロ基、 【化５】 （ここで、Ｒ11〜Ｒ13は、それぞれ独立して、水素原子
又はニトロ基を表し、Ｚは単結合、−ＳＣＨ2 −、−Ｓ
Ｏ2 −又は−ＳＯ2 ＣＨ2 −を表す。）、トリフルオロ
メチル基、トリフルオロメトキシ基、シアノ基、炭素数
２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数３〜７のアル
コキシカルボニルアルキル基又は炭素数１〜６のアルキ
ルチオ基を表す。｝ - 【請求項３】 一般式〔Ｉ〕における残基Ｂが、Ｘ以外
の置換基を有していてもよいベンゼン環、Ｘ以外の置換
基を有していてもよいナフタレン環、Ｘ以外の置換基を
有していてもよいピリジン環、Ｘ以外の置換基を有して
いてもよいピリドン環、Ｘ以外の置換基を有していても
よいテトラヒドロキノリン環又はＸ以外の置換基を有し
ていてもよいピラゾール環の一部であることを特徴とす
る請求項１又は２記載の金属キレートアゾメチン化合
物。 - 【請求項４】 一般式〔Ｉ〕における残基Ｂが、それが
結合している２つの炭素原子と一緒になってベンゼン環
を形成しており、かつこのベンゼン環には少なくとも２
−位に活性水素を有する基、４−位に下記式で表わされ
るアミノ基が結合している 【化６】 （式中、Ｒ14及びＲ15は、それぞれ独立して、水素原
子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有
していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい
アルケニル基若しくは置換基を有していてもよいシクロ
アルキル基を表わすか、又はＲ14とＲ15とが結合して５
員環若しくは６員環を形成している。）ことを特徴とす
る請求項１又は２記載の金属キレートアゾメチン化合
物。 - 【請求項５】 一般式〔Ｉ〕における活性水素を有する
基Ｘが、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3 Ｈ、−ＮＨＳＯ
2 Ｒ16、−ＮＨＣＯＲ16、−ＮＨＣＯＯＲ16（Ｒ16は水
素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２５のア
ルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表
わす）から選ばれるものであることを特徴とする請求項
１ないし４のいずれかに記載の金属キレートアゾメチン
化合物。 - 【請求項６】 基板上にレーザーによる情報の書き込み
及び／又は読み取りが可能な記録層が設けられた光学的
記録媒体において、記録層が請求項１ないし５のいずれ
かに記載の金属キレートアゾメチン化合物を含有するこ
とを特徴とする光学的記録媒体。 - 【請求項７】 金属キレートアゾメチン化合物の金属が
遷移元素であることを特徴とする請求項６記載の光学的
記録媒体。 - 【請求項８】 金属キレートアゾメチン化合物の金属が
コバルト又はニッケルであることを特徴とする請求項６
記載の光学的記録媒体。 - 【請求項９】 記録層上に金属からなる反射層及び樹脂
からなる保護層が設けられていることを特徴とする請求
項６ないし８のいずれかに記載の光学的記録媒体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07723297A JP3879166B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07723297A JP3879166B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273484A true JPH10273484A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3879166B2 JP3879166B2 (ja) | 2007-02-07 |
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ID=13628127
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07723297A Expired - Fee Related JP3879166B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 金属キレートアゾメチン化合物及びこれを用いた光学的記録媒体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3879166B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005068459A1 (de) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Lanxess Deutschland Gmbh | Metallkomplexe als lichtabsorbierende verbindungen in der informationsschicht von optischen datenträgern |
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| WO2007048709A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Clariant International Ltd | Anionic barbituric acid based azomethine metal complex dyes and their use in optical layers for optical data recording |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP07723297A patent/JP3879166B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6936323B2 (en) | 2003-04-30 | 2005-08-30 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, and method and device using the same |
| WO2005068459A1 (de) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Lanxess Deutschland Gmbh | Metallkomplexe als lichtabsorbierende verbindungen in der informationsschicht von optischen datenträgern |
| WO2007048709A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Clariant International Ltd | Anionic barbituric acid based azomethine metal complex dyes and their use in optical layers for optical data recording |
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| JP3879166B2 (ja) | 2007-02-07 |
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