JPH10273534A - Silicon-based polymer, method for producing the same, and cured silicon-based resin - Google Patents
Silicon-based polymer, method for producing the same, and cured silicon-based resinInfo
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- JPH10273534A JPH10273534A JP8033297A JP8033297A JPH10273534A JP H10273534 A JPH10273534 A JP H10273534A JP 8033297 A JP8033297 A JP 8033297A JP 8033297 A JP8033297 A JP 8033297A JP H10273534 A JPH10273534 A JP H10273534A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高耐熱性を有する新規な側鎖に官能基を含有
するケイ素系重合体、その製造方法及びケイ素系樹脂硬
化物を提供する。
【解決手段】 一般式(1)で表される構造を構成単位
とし、重量平均分子量が500以上であることを特徴と
するケイ素系重合体。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel silicon-based polymer having a functional group in a side chain having high heat resistance, a method for producing the same, and a cured silicon-based resin. SOLUTION: The silicon-based polymer has a structure represented by the general formula (1) as a constitutional unit and has a weight average molecular weight of 500 or more.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性、光反応
性、耐熱性および難燃性などに優れた機能材料として有
用なケイ素系重合体、その製造方及びケイ素系樹脂硬化
物に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a silicon polymer useful as a functional material having excellent conductivity, photoreactivity, heat resistance and flame retardancy, a method for producing the same, and a cured silicon resin. is there.
【0002】[0002]
【従来の技術】これまでケイ素系重合体はケイ素の持つ
特性から、光化学的、電気的な機能材料として、あるい
は耐熱性、難燃性などの構造材料として注目され盛んに
研究がなされている。しかしながら、側鎖に官能基を有
するケイ素系高分子についてはあまり報告例がない。2. Description of the Related Art Due to the properties of silicon, silicon-based polymers have attracted attention as photochemical and electrical functional materials or structural materials such as heat resistance and flame retardancy, and have been actively studied. However, there are few reports on silicon-based polymers having a functional group in a side chain.
【0003】石川らは側鎖にSi−H基を有するポリマ
ー(Macromolecules, 1994, 27, 5583 )、あるいはS
i−OEt基を有するポリマー(Polymer Preprints, J
apan, 1995, 44, 2051)を合成し、その反応と耐熱性に
ついて報告している。これらの高分子は、比較的高い耐
熱性を示すものの、熱重量分析における5%重量減少温
度が500℃を超えているものは殆どなく、必ずしも耐
熱性が十分であるとはいえない。またこれら以外に官能
基を有するケイ素系高分子は殆どなく、新規な高耐熱性
高分子の開発が期待されている。[0003] Ishikawa et al. Have a polymer having a Si-H group in the side chain (Macromolecules, 1994, 27, 5583), or S
Polymers having i-OEt groups (Polymer Preprints, J
apan, 1995, 44, 2051) and reported on its reaction and heat resistance. Although these polymers exhibit relatively high heat resistance, few have a 5% weight loss temperature of more than 500 ° C. in thermogravimetric analysis, and are not necessarily sufficient in heat resistance. In addition, there are almost no silicon-based polymers having a functional group, and development of a novel high heat-resistant polymer is expected.
【0004】また上記ポリマーの製造方法は、取り扱い
が比較的難しいヒドロクロロシランを用いること、モノ
マーのヒドロクロロシランやエトキシシランの合成が困
難であることなどから、簡便な方法とはいえない。この
ことから、従来より簡便に、側鎖に官能基を有するケイ
素系高分子を製造する方法が望まれている。The method for producing the above polymer is not a simple method because hydrochlorosilane, which is relatively difficult to handle, is used, and it is difficult to synthesize monomeric hydrochlorosilane and ethoxysilane. For this reason, there has been a demand for a method for producing a silicon-based polymer having a functional group in a side chain more simply than before.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点を
鑑み、高耐熱性を有する新規な側鎖に官能基を含有する
ケイ素系重合体、その製造方法及びケイ素系樹脂硬化物
を提供することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above drawbacks, the present invention provides a novel silicon-based polymer having a high heat resistance and containing a functional group in a side chain, a method for producing the same, and a cured silicon-based resin. The purpose is to do so.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
発明(以下、本発明1という)であるケイ素系重合体
は、一般式(1)で表される構造を構成単位とし、かつ
重量平均分子量が500以上であることを特徴とする。The silicon-based polymer according to the first aspect of the present invention (hereinafter referred to as the first aspect of the present invention) has a structure represented by the general formula (1) as a structural unit, and The weight average molecular weight is 500 or more.
【0007】本発明の請求項2記載の発明(以下、本発
明2という)であるケイ素系重合体の製造方法は、本発
明1のケイ素系重合体の製造方法であって、一般式
(2)で表されるジエチニルベンゼン誘導体の金属化合
物と、一般式(3)又は一般式(4)で表されるハロゲ
ン化シリル化合物とを反応させた後、一般式(5)で表
される金属化合物、水又はアルコールのいずれか1種以
上と反応させることを特徴とする。The method for producing a silicon-based polymer according to the second aspect of the present invention (hereinafter referred to as the second invention) is a method for producing a silicon-based polymer according to the first aspect of the present invention, which comprises the general formula (2) ) Is reacted with a metal compound of a diethynylbenzene derivative represented by the general formula (3) or (4), and then reacted with a metal represented by the general formula (5). It is characterized by reacting with any one or more of compounds, water and alcohol.
【0008】本発明の請求項3記載の発明(以下、本発
明3という)であるケイ素系重合体の製造方法は、本発
明1のケイ素系重合体の製造方法であって、一般式
(6)で表されるハロゲン化アリーレン化合物と一般式
(7)で表されるジエチニルシラン化合物とを遷移金属
触媒の存在下で反応させることを特徴とする。The method for producing a silicon-based polymer according to the third aspect of the present invention (hereinafter referred to as the third aspect of the present invention) is a method for producing a silicon-based polymer according to the first aspect of the present invention, which comprises the general formula (6) ) Is reacted with a diethynylsilane compound represented by the general formula (7) in the presence of a transition metal catalyst.
【0009】本発明の請求項4記載の発明(以下、本発
明4という)であるケイ素系樹脂硬化物は、本発明1〜
3のいずれかに記載のケイ素系重合体が、硬化されてな
ることを特徴とする。The cured product of the silicon-based resin according to the invention described in claim 4 of the present invention (hereinafter, referred to as “invention 4”) is the present invention.
3. The silicon-based polymer according to any one of 3. above, which is cured.
【0010】以下、本発明1について詳細に説明する。
本発明1のケイ素系重合体は、一般式(1)で表される
構造を構成単位とする。Hereinafter, the present invention 1 will be described in detail.
The silicon-based polymer of the first aspect of the present invention has a structural unit represented by the general formula (1) as a structural unit.
【0011】[0011]
【化8】 Embedded image
【0012】式中、R1 は、水素原子、炭素数1〜20
のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール基を示し、
それぞれ同一であっても異なっていてもよく、R1 とベ
ンゼン環との結合位置は、エチニル基が置換している炭
素以外の炭素である。In the formula, R 1 is a hydrogen atom, having 1 to 20 carbon atoms.
Represents an alkyl group or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms,
They may be the same or different, and the bonding position between R 1 and the benzene ring is a carbon other than the carbon substituted by the ethynyl group.
【0013】式中、R2 は、炭素数2〜20のアセチレ
ン誘導体基を示す。In the formula, R 2 represents an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms.
【0014】式中、R3 は、水素原子、炭素数1〜20
のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基又は炭素数
2〜20のアセチレン誘導体基を示し、R2 とR3 は同
一であってもよい。Wherein R 3 is a hydrogen atom, having 1 to 20 carbon atoms.
And an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, and R 2 and R 3 may be the same.
【0015】上記R1 〜R3 の炭素数は、アルキル基を
有する置換基の場合、多くなると結合が切れ易くなり得
られるケイ素系重合体の耐熱性が低下するため、またア
リール基を有する置換基の場合は、溶媒に対する重合体
の溶解性が低くなるため、上述の範囲に限定される。When the number of carbon atoms of R 1 to R 3 is a substituent having an alkyl group, if the number of carbon atoms increases, the bond becomes liable to be broken and the heat resistance of the resulting silicon-based polymer decreases. In the case of a group, the solubility of the polymer in a solvent is reduced, so that the group is limited to the above range.
【0016】上記アルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル
基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラ
デシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデ
シル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコデシル
基などが挙げられるが、これらに限定されない。Examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, Examples include, but are not limited to, tetradecyl, pentadecyl, hexadecyl, heptadecyl, octadecyl, nonadecyl, eicodecyl and the like.
【0017】上記アリール基としては、例えば、フェニ
ル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル
基などが挙げられるが、これらに限定されない。Examples of the aryl group include, but are not limited to, a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a biphenyl group and a naphthyl group.
【0018】上記アセチレン誘導体基としては、エチニ
ル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキ
シニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、ノニニル基、
デシニル基、ウンデシニル基、ドデシニル基、トリデシ
ニル基、テトラデシニル基、ペンタデシニル基、ヘキサ
デシニル基、ヘプタデシニル基、オクタデシニル基、ノ
ナデシニル基、エイコデシニル基、フェニルエチニル
基、トリルエチニル基、キシリルエチニル基、ビフェニ
ルエチニル基、ナフチルエチニル基、エチニルフェニル
基、エチニルビフェニル基、トリメチルシリルエチニル
基、トリフェニルシリルエチニル基などが挙げられる
が、これらに限定されない。The acetylene derivative group includes ethynyl group, propynyl group, butynyl group, pentynyl group, hexynyl group, heptynyl group, octynyl group, noninyl group,
Decynyl group, undecynyl group, dodecynyl group, tridecynyl group, tetradecynyl group, pentadecynyl group, hexadecynyl group, heptadecynyl group, octadecynyl group, nonadecinyl group, eicodecinyl group, phenylethynyl group, tolyethynyl group, xylylethynyl group, biphenylethynyl group, Examples include, but are not limited to, naphthylethynyl, ethynylphenyl, ethynylbiphenyl, trimethylsilylethynyl, triphenylsilylethynyl, and the like.
【0019】上記ケイ素系重合体の重量平均分子量は、
小さくなると十分な耐熱性および成形性が得られなくな
るため、500以上に限定される。重量平均分子量の上
限は、特に限定されないが、大きすぎると溶媒に対する
溶解性が低くなるため、百万以下が好ましい。The weight average molecular weight of the silicon-based polymer is:
If it is smaller, sufficient heat resistance and moldability cannot be obtained, so that the number is limited to 500 or more. The upper limit of the weight-average molecular weight is not particularly limited, but if it is too large, the solubility in a solvent will be low.
【0020】本発明1のケイ素系重合体は、側鎖に官能
基を有しており、側鎖間の架橋反応によりネットワーク
化するため高耐熱性を発現するものである。The silicon-based polymer of the present invention 1 has a functional group in a side chain, and exhibits high heat resistance because it is networked by a cross-linking reaction between the side chains.
【0021】次に、本発明2のケイ素系重合体の製造方
法について説明する。本発明2は、本発明1の製造方法
であり、一般式(2)で表されるジエチニルベンゼン誘
導体の金属化合物と、一般式(3)又は一般式(4)で
表されるハロゲン化シリル化合物とを反応させた後、一
般式(5)で表される金属化合物、水又はアルコールの
いずれか1種以上と反応させることを特徴とする。Next, the method for producing the silicon-based polymer of the present invention 2 will be described. The present invention 2 is the production method of the present invention 1, wherein a metal compound of a diethynylbenzene derivative represented by the general formula (2) and a silyl halide represented by the general formula (3) or (4) are provided. After reacting with the compound, the compound is reacted with at least one of the metal compound represented by the general formula (5), water and alcohol.
【0022】[0022]
【化9】 Embedded image
【0023】[0023]
【化10】 [Formula 10]
【0024】[0024]
【化11】 [Formula 11]
【0025】[0025]
【化12】 Embedded image
【0026】式中、R1 は、水素原子、炭素数1〜20
のアルキル基又は炭素数6〜30のアリール基を示し、
それぞれ同一であっても異なっていてもよく、R1 とベ
ンゼン環との結合位置は、エチニル基が置換している炭
素以外の炭素である。In the formula, R 1 is a hydrogen atom, having 1 to 20 carbon atoms.
Represents an alkyl group or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms,
They may be the same or different, and the bonding position between R 1 and the benzene ring is a carbon other than the carbon substituted by the ethynyl group.
【0027】式中、R3 は、水素原子、炭素数1〜20
のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基又は炭素数
2〜20のアセチレン誘導体基を示し、X1 はハロゲン
原子を表す。In the formula, R 3 is a hydrogen atom, having 1 to 20 carbon atoms.
And an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, and X 1 represents a halogen atom.
【0028】式中、R2 は、炭素数2〜20のアセチレ
ン誘導体基を示し、R2 とR3 は同一であってもよい。
M1 、M2 は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のハ
ロゲン化物を示す。In the formula, R 2 represents an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, and R 2 and R 3 may be the same.
M 1 and M 2 each represent a halide of an alkali metal or an alkaline earth metal.
【0029】本発明2の製造方法では、まずジエチニル
ベンゼン誘導体の有機金属化合物の金属ユニットとハロ
ゲン化シリル化合物中の二箇所のハロゲン原子ユニット
が反応して、側鎖にハロゲン原子を有する重合体が生成
し、続いて、このポリマーと金属化合物、水又はアルコ
ールのいずれか1種以上と反応することにより、ハロゲ
ン原子がR2 基に置き換わり、本発明1の重合体が得ら
れる。In the production method of the present invention 2, first, a metal unit of an organometallic compound of a diethynylbenzene derivative and two halogen atom units in a silyl halide compound react to form a polymer having a halogen atom in a side chain. Is generated, followed by reacting the polymer with one or more of a metal compound, water and an alcohol, whereby a halogen atom is replaced by an R 2 group, and a polymer of the present invention 1 is obtained.
【0030】上記R1 〜R3 の炭素数は、本発明1と同
様の理由により上述の範囲に限定され、例としては、本
発明1と同様なものが挙げられる。The number of carbon atoms of R 1 to R 3 is limited to the above-mentioned range for the same reason as in the first embodiment, and examples thereof include those similar to the first embodiment.
【0031】上記X1 で表されるハロゲン原子として
は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられるが、好ま
しくは塩素である。Examples of the halogen atom represented by X 1 include fluorine, chlorine, bromine and iodine, with chlorine being preferred.
【0032】上記M1 、M2 で表されるアルカリ金属と
しては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等が
挙げられ、アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、
例えば、マグネシウムブロマイド、カルシウムブロマイ
ド等が挙げられるが、これらに限定されない。Examples of the alkali metal represented by M 1 and M 2 include lithium, sodium, potassium and the like, and examples of the halide of the alkaline earth metal include:
Examples include, but are not limited to, magnesium bromide, calcium bromide, and the like.
【0033】一般式(3)で表されるハロゲン化シリル
化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エ
チルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、ブ
チルトリクロロシラン、ペンチルトリクロロシラン、ヘ
キシルトリクロロシラン、ヘプチルトリクロロシラン、
オクチルトリクロロシラン、ノニルトリクロロシラン、
デシルトリクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラ
ン、ドデシルトリクロロシラン、トリデシルトリクロロ
シラン、テトラデシルトリクロロシラン、ペンタデシル
トリクロロシラン、ヘキサデシルトリクロロシラン、ヘ
プタデシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロ
シラン、ノナデシルトリクロロシラン、エイコデシルト
リクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、トリルト
リクロロシラン、キシリルトリクロロシラン、ビフェニ
ルトリクロロシラン、ナフチルトリクロロシランおよび
これらに対応するフッ化物、臭化物、ヨウ化物などが挙
げられるが、これらに限定されない。Examples of the halogenated silyl compound represented by the general formula (3) include, for example, methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, propyltrichlorosilane, butyltrichlorosilane, pentyltrichlorosilane, hexyltrichlorosilane, heptyltrichlorosilane,
Octyltrichlorosilane, nonyltrichlorosilane,
Decyltrichlorosilane, undecyltrichlorosilane, dodecyltrichlorosilane, tridecyltrichlorosilane, tetradecyltrichlorosilane, pentadecyltrichlorosilane, hexadecyltrichlorosilane, heptadecyltrichlorosilane, octadecyltrichlorosilane, nonadecyltrichlorosilane, eicodecyltri Examples include, but are not limited to, chlorosilane, phenyltrichlorosilane, tolyltrichlorosilane, xylyltrichlorosilane, biphenyltrichlorosilane, naphthyltrichlorosilane, and their corresponding fluorides, bromides, and iodides.
【0034】一般式(4)で表されるハロゲン化シリル
化合物としては、例えば、テトラクロロシラン、テトラ
フルオロシラン、テトラブロモシラン、テトラヨードシ
ランなどが挙げられる。Examples of the halogenated silyl compound represented by the general formula (4) include tetrachlorosilane, tetrafluorosilane, tetrabromosilane, tetraiodosilane and the like.
【0035】一般式(5)で表される金属化合物として
は、例えば、エチニルマグネシウムブロマイド、プロピ
ニルマグネシウムブロマイド、ブチニルマグネシウムブ
ロマイド、ペンチニルマグネシウムブロマイド、ヘキシ
ニルマグネシウムブロマイド、ヘプチニルマグネシウム
ブロマイド、オクチニルマグネシウムブロマイド、ノニ
ニルマグネシウムブロマイド、デシニルマグネシウムブ
ロマイド、ウンデシニルマグネシウムブロマイド、ドデ
シニルマグネシウムブロマイド、トリデシニルマグネシ
ウムブロマイド、テトラデシニルマグネシウムブロマイ
ド、ペンタデシニルマグネシウムブロマイド、ヘキサデ
シニルマグネシウムブロマイド、ヘプタデシニルマグネ
シウムブロマイド、オクタデシニルマグネシウムブロマ
イド、ノナデシニルマグネシウムブロマイド、エイコデ
シニルマグネシウムブロマイド、フェニルエチニルマグ
ネシウムブロマイド、トリルエチニルマグネシウムブロ
マイド、キシリルエチニルマグネシウムブロマイド、ビ
フェニルエチニルマグネシウムブロマイド、ナフチルエ
チニルマグネシウムブロマイド、エチニルフェニルマグ
ネシウムブロマイド、エチニルビフェニルマグネシウム
ブロマイド、トリメチルシリルエチニルマグネシウムブ
ロマイド、トリフェニルシリルエチニルマグネシウムブ
ロマイド、ビニルマグネシウムブロマイド、アリルマグ
ネシウムブロマイド、プロペニルマグネシウムブロマイ
ド、ブテニルマグネシウムブロマイド、ペンテニルマグ
ネシウムブロマイド、ヘキセニルマグネシウムブロマイ
ド、ヘプテニルマグネシウムブロマイド、オクテニルマ
グネシウムブロマイド、ノネニルマグネシウムブロマイ
ド、デセニルマグネシウムブロマイド、ウンデセニルマ
グネシウムブロマイド、ドデセニルマグネシウムブロマ
イド、トリデセニルマグネシウムブロマイド、テトラデ
セニルマグネシウムブロマイド、ペンタデセニルマグネ
シウムブロマイド、ヘキサデセニルマグネシウムブロマ
イド、ヘプタデセニルマグネシウムブロマイド、オクタ
デセニルマグネシウムブロマイド、ノナデセニルマグネ
シウムブロマイド、エイコデセニルマグネシウムブロマ
イド、フェニルビニルマグネシウムブロマイド、トリル
ビニルマグネシウムブロマイド、キシリルビニルマグネ
シウムブロマイド、ビフェニルビニルマグネシウムブロ
マイド、ナフチルビニルマグネシウムブロマイド、ビニ
ルフェニルマグネシウムブロマイド、ビニルビフェニル
マグネシウムブロマイドおよびこれらに対応するリチウ
ム、ナトリウム、カリウム化合物などの有機金属化合
物、および、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキ
シド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシ
ド、ナトリウムペントキシド、ナトリウムヘキソキシ
ド、ナトリウムヘプトキシド、ナトリウムオクトキシ
ド、ナトリウムノノキシド、ナトリウムデコキシド、ナ
トリウムウンデコキシド、ナトリウムドデコキシド、ナ
トリウムトリデコキシド、ナトリウムテトラデコキシ
ド、ナトリウムペンタデコキシド、ナトリウムヘキサデ
コキシド、ナトリウムヘプタデコキシド、ナトリウムオ
クタデコキシド、ナトリウムノナデコキシド、ナトリウ
ムエイコデコキシド、ナトリウムフェノキシド、ナトリ
ウムトリロキシド、ナトリウムキシロキシド、ナトリウ
ムビフェノキシド、ナトリウムナフトキシドおよびこれ
らに対応するリチウム、カリウム化合物などの無機金属
化合物が挙げられるが、これらに限定されない。Examples of the metal compound represented by the general formula (5) include ethynyl magnesium bromide, propynyl magnesium bromide, butynyl magnesium bromide, pentynyl magnesium bromide, hexynyl magnesium bromide, heptynyl magnesium bromide, octynyl Magnesium bromide, noninyl magnesium bromide, decynyl magnesium bromide, undecinyl magnesium bromide, dodecinyl magnesium bromide, tridecinyl magnesium bromide, tetradecynyl magnesium bromide, pentadecynyl magnesium bromide, hexadecynyl magnesium bromide, heptadecinyl Magnesium bromide, octadecynyl magnesium bromide, nonadesini Magnesium bromide, eicodecinyl magnesium bromide, phenylethynyl magnesium bromide, tolylethynyl magnesium bromide, xylylethynyl magnesium bromide, biphenylethynyl magnesium bromide, naphthylethynyl magnesium bromide, ethynylphenyl magnesium bromide, ethynylbiphenyl magnesium bromide, trimethylsilylethynyl magnesium bromide Triphenylsilylethynyl magnesium bromide, vinyl magnesium bromide, allyl magnesium bromide, propenyl magnesium bromide, butenyl magnesium bromide, pentenyl magnesium bromide, hexenyl magnesium bromide, heptenyl magnesium bromide Octenyl magnesium bromide, nonenyl magnesium bromide, decenyl magnesium bromide, undecenyl magnesium bromide, dodecenyl magnesium bromide, tridecenyl magnesium bromide, tetradecenyl magnesium bromide, pentadecenyl magnesium bromide , Hexadecenyl magnesium bromide, heptadecenyl magnesium bromide, octadecenyl magnesium bromide, nonadecenyl magnesium bromide, eicodecenyl magnesium bromide, phenyl vinyl magnesium bromide, tolyl vinyl magnesium bromide, xylyl vinyl magnesium Bromide, biphenyl vinyl magnesium bromide, naphthyl vinyl magnesium bromide, vinyl Organometallic compounds such as ruphenylmagnesium bromide, vinylbiphenylmagnesium bromide and the corresponding lithium, sodium and potassium compounds, and sodium methoxide, sodium ethoxide, sodium propoxide, sodium butoxide, sodium pentoxide, sodium hexoxide , Sodium heptoxide, sodium octoxide, sodium nonoxide, sodium decoxide, sodium undecoxide, sodium dodecoxide, sodium tridecoxide, sodium tetradecoxide, sodium pentadecoxide, sodium hexadecoxide, sodium Heptadecoxide, sodium octadecoxide, sodium nonadecoxide, sodium eicodecoxide, sodium Mufenokishido, trisodium Loki Sid, sodium key siloxides, sodium bi phenoxide, lithium corresponding to sodium naphthoquinone butoxide and these, an inorganic metal compound such as potassium compounds include, but are not limited to.
【0036】本発明2で用いられるアルコールとして
は、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、
ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノー
ル、オクタノール、ノナノール、デサノール、ウンデサ
ノール、ドデサノール、トリデサノール、テトラデサノ
ール、ペンタデサノール、ヘキサデサノール、ヘプタデ
サノール、オクタデサノール、ノナデサノール、エイコ
デサノール、フェノール、クレゾール、キシロール、フ
ェニルフェノール、ナフトールなどが挙げられるが、こ
れらに限定されない。The alcohol used in the present invention 2 includes, for example, methanol, ethanol, propanol,
Butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol, desanol, undesanol, dodesanol, tridesanol, tetradesanol, pentadesanol, hexadesanol, heptadesanol, octadesanol, nonadesanol, eicodesanol, phenol, cresol, xylol, phenylphenol, Examples include, but are not limited to, naphthol.
【0037】上記ジエチニルベンゼン誘導体の金属化合
物(2)は、種々の方法で合成されるが、好ましくは、
一般式(8)で表されるジエチニルベンゼン誘導体と一
般式(9)で表される有機金属化合物とを反応させるこ
とにより合成される。The metal compound (2) of the diethynylbenzene derivative is synthesized by various methods.
It is synthesized by reacting a diethynylbenzene derivative represented by the general formula (8) with an organometallic compound represented by the general formula (9).
【0038】[0038]
【化13】 Embedded image
【0039】[0039]
【化14】 Embedded image
【0040】式中R4 は、炭素数1〜20のアルキル基
又は炭素数6〜30のアリール基を示し、M1 は、アル
カリ金属又はアルカリ土類金属のハロゲン化物を示す。In the formula, R 4 represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and M 1 represents a halide of an alkali metal or an alkaline earth metal.
【0041】上記ジエチニルベンゼン誘導体(8)とし
ては、例えば、1,4-ジエチニルベンゼン、1,3-ジエチニ
ルベンゼン、1,2-ジエチニルベンゼン、2,5-ジエチニル
トルエン、3,5-ジエチニルトルエン、2,5-ジエチニル-
1,4- キシレン、1,4-ジエチニル-2- フェニルベンゼン
等が挙げられるが、これらに限定されない。The diethynylbenzene derivative (8) includes, for example, 1,4-diethynylbenzene, 1,3-diethynylbenzene, 1,2-diethynylbenzene, 2,5-diethynyltoluene, 5-diethynyltoluene, 2,5-diethynyl-
Examples include, but are not limited to, 1,4-xylene, 1,4-diethynyl-2-phenylbenzene, and the like.
【0042】上記有機金属化合物(9)としては、例え
ば、メチルリチウム、ブチルリチウム、フェニルリチウ
ム、メチルマグネシウムブロマイドなどが挙げられる
が、これらに限定されない。Examples of the organometallic compound (9) include, but are not limited to, methyllithium, butyllithium, phenyllithium, and methylmagnesium bromide.
【0043】上記ジエチニルベンゼン誘導体の有機金属
化合物(2)は、任意のモル比で反応させることができ
るが、好ましくはジエチニルベンゼン誘導体(8):有
機金属化合物(9)=1:1〜10が好ましく、さらに
好ましくは1:1.5〜3である。上記ジエチニルベン
ゼン誘導体(8)と有機金属化合物(9)との反応比
は、どちらかが多すぎるとジエチニルベンゼン誘導体の
金属化合物(2)が効率良く得られないため、上述の間
の比に限定される。The organometallic compound (2) of the above-mentioned diethynylbenzene derivative can be reacted at an arbitrary molar ratio, but preferably, the diethynylbenzene derivative (8): the organometallic compound (9) = 1: 1 to 1 10 is preferred, and more preferably 1: 1.5-3. The reaction ratio between the above-mentioned diethynylbenzene derivative (8) and the organometallic compound (9) is too large to obtain the diethynylbenzene derivative metal compound (2) efficiently. Is limited to
【0044】上記反応は、溶媒として極性、無極性いず
れでも良いが、好ましくはジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフランなどの非プロトン性溶媒が挙げられる。上記
溶媒の使用量は、ジエチニルベンゼン誘導体に対して、
濃度で0.01〜100mol/L、好ましくは0.1
〜10mol/Lである。In the above reaction, the solvent may be either polar or non-polar. Preferably, an aprotic solvent such as diethyl ether or tetrahydrofuran is used. The amount of the solvent used is, based on the diethynylbenzene derivative,
The concentration is 0.01 to 100 mol / L, preferably 0.1
〜1010 mol / L.
【0045】上記反応の温度としては、特に限定されな
いが、−78℃以下では反応速度が著しく低下するた
め、−78℃から上記溶媒の沸点の間が好ましい。The temperature of the reaction is not particularly limited, but is preferably between -78 ° C and the boiling point of the solvent, since the reaction rate is significantly lowered at -78 ° C or lower.
【0046】上記反応時間は、短くても長くても得られ
るジエチニルベンゼン誘導体の金属化合物の収率が低下
するので、1〜48時間が好ましい。The above reaction time is preferably 1 to 48 hours regardless of whether the reaction time is short or long, since the yield of the resulting metal compound of the diethynylbenzene derivative is reduced.
【0047】上記反応は、空気又は不活性ガス雰囲気下
のいずれでも進行するが、得られるジエチニルベンゼン
誘導体の金属化合物の収率を高くするために、アルゴン
又は窒素などの不活性ガス雰囲気下で行う方が好まし
い。The above reaction proceeds in an atmosphere of air or an inert gas. In order to increase the yield of the resulting metal compound of the diethynylbenzene derivative, the reaction is carried out in an atmosphere of an inert gas such as argon or nitrogen. It is preferable to do so.
【0048】上記ジエチニルベンゼン誘導体の金属化合
物(2)と、ハロゲン化シリル化合物〔(3)又は
(4)〕との反応は、ジエチニルベンゼン誘導体の金属
化合物を調製後続けて行うのが好ましい。The reaction of the metal compound (2) of the diethynylbenzene derivative with the halogenated silyl compound [(3) or (4)] is preferably carried out continuously after the preparation of the metal compound of the diethynylbenzene derivative. .
【0049】上記ジエチニルベンゼン誘導体の金属化合
物とハロゲン化シリル化合物とは、任意のモル比で反応
させることができるが、好ましくはジエチニルベンゼン
誘導体の金属化合物:ハロゲン化シリル化合物=1:
0.01〜100、より好ましくは1:0.1〜10で
ある。上記ジエチニルベンゼン誘導体の金属化合物とハ
ロゲン化シリル化合物との反応比は、どちらが多くても
高分子量体が得られないため、好ましくは上述の範囲で
ある。The metal compound of the diethynylbenzene derivative and the silyl halide compound can be reacted at an arbitrary molar ratio. Preferably, the metal compound of the diethynylbenzene derivative and the halogenated silyl compound = 1:
It is 0.01-100, more preferably 1: 0.1-10. The reaction ratio between the metal compound of the above-described diethynylbenzene derivative and the halogenated silyl compound is preferably within the above-mentioned range since a high molecular weight product cannot be obtained regardless of which one is higher.
【0050】上記反応の温度としては、特に限定されな
いが、−78℃以下では反応速度が著しく低下するた
め、−78℃から上記溶媒の沸点の間で行うのが好まし
い。上記反応時間は、短くても長くても得られる重合体
の収率が低下するので、1〜48時間が好ましい。The temperature of the above reaction is not particularly limited, but the reaction rate is remarkably lowered at -78 ° C or lower. Therefore, the reaction is preferably carried out at a temperature between -78 ° C and the boiling point of the solvent. The reaction time is preferably 1 to 48 hours since the yield of the obtained polymer is reduced whether it is short or long.
【0051】上記反応は、空気又は不活性ガス雰囲気下
のいずれでも進行するが、得られる重合体の収率を高く
するために、アルゴン又は窒素などの不活性ガス雰囲気
下で行う方が好ましい。The above reaction proceeds under an atmosphere of an air or an inert gas, but it is preferable to carry out the reaction under an atmosphere of an inert gas such as argon or nitrogen in order to increase the yield of the obtained polymer.
【0052】上記反応後、金属化合物(5)、水又はア
ルコールとの反応は、続けて行うのが好ましい。上記反
応は、側鎖官能基の導入量を調整するために金属化合
物、水又はアルコールを任意のモル比で反応させること
ができるが、前の反応で用いたハロゲン化シリル化合
物:金属化合物、水又はアルコール=1:0.01〜1
00が好ましく、より好ましくは1:0.1〜10であ
る。After the above reaction, the reaction with the metal compound (5), water or alcohol is preferably carried out continuously. In the above reaction, a metal compound, water or an alcohol can be reacted at an arbitrary molar ratio in order to adjust the introduction amount of the side chain functional group, but the silyl halide compound used in the previous reaction: the metal compound, the water Or alcohol = 1: 0.01 to 1
00 is preferred, and more preferably 1: 0.1 to 10.
【0053】上記反応の温度としては、特に限定されな
いが、−78℃以下では反応速度が著しく低下するた
め、−78℃から上記溶媒の沸点の間で行われるのが好
ましい。上記反応時間は、短くても長くても得られる重
合体の収率が低下するので、1〜48時間が好ましい。
上記反応は、空気又は不活性ガス雰囲気下のいずれでも
進行するが、側鎖への官能基の導入率を高くするため
に、アルゴン又は窒素などの不活性ガス雰囲気下で行う
方が好ましい。The temperature of the above reaction is not particularly limited, but the reaction rate is remarkably lowered at -78 ° C or lower. Therefore, the reaction is preferably carried out between -78 ° C and the boiling point of the solvent. The reaction time is preferably 1 to 48 hours since the yield of the obtained polymer is reduced whether it is short or long.
The above reaction proceeds in an atmosphere of air or an inert gas, but it is preferable to carry out the reaction in an atmosphere of an inert gas such as argon or nitrogen in order to increase the rate of introducing a functional group into a side chain.
【0054】上記反応で得られるケイ素系重合体の精製
方法としては、例えば、再沈殿法又はゲルパーミエーシ
ョンクロマトグラフィーによる分取等が挙げられるが、
好ましくは、水、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノール、ヘキサン、石油エーテル等の貧溶媒又はこれら
の混合溶媒による再沈殿法である。Examples of a method for purifying the silicon-based polymer obtained by the above reaction include a reprecipitation method and fractionation by gel permeation chromatography.
Preferred is a reprecipitation method using a poor solvent such as water, methanol, ethanol, isopropanol, hexane, or petroleum ether, or a mixed solvent thereof.
【0055】次に、本発明3のケイ素系重合体の製造方
法について説明する。本発明3は、本発明1の製造方法
であり、一般式(6)で表されるハロゲン化アリーレン
化合物と一般式(7)で表されるジエチニルシラン化合
物とを遷移金属触媒の存在下で反応させることを特徴と
する。Next, a method for producing the silicon-based polymer of the present invention 3 will be described. The present invention 3 is the production method of the present invention 1, wherein the halogenated arylene compound represented by the general formula (6) and the diethynylsilane compound represented by the general formula (7) are reacted in the presence of a transition metal catalyst. It is characterized by reacting.
【0056】[0056]
【化15】 Embedded image
【0057】[0057]
【化16】 Embedded image
【0058】式中R1 は、水素原子、炭素数1〜20の
アルキル基又は炭素数6〜30のアリール基を示し、そ
れぞれ同一であっても異なっていてもよく、X2 はハロ
ゲン原子を表す。R1 とベンゼン環との結合位置は、X
2 が置換している炭素以外の炭素である。R2 は、炭素
数2〜20のアセチレン誘導体基を示す。R3 は、水素
原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜30の
アリール基又は炭素数2〜20のアセチレン誘導体基を
示し、R2 とR3 は同一であってもよい。In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may be the same or different, and X 2 represents a halogen atom. Represent. The bonding position between R 1 and the benzene ring is X
2 is a carbon other than the substituted carbon. R 2 represents an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, and R 2 and R 3 may be the same.
【0059】上記R1 〜R3 は、本発明1と同様の理由
により、上述の範囲に限定され、例としては、本発明1
と同様なものが挙げられる。The above R 1 to R 3 are limited to the above-mentioned range for the same reason as that of the first invention.
And the like.
【0060】上記X2 で表されるハロゲン原子として
は、臭素、ヨウ素、塩素などが挙げられるが、好ましく
は臭素、ヨウ素である。The halogen atom represented by X 2 includes bromine, iodine, chlorine and the like, and is preferably bromine or iodine.
【0061】上記ハロゲン化アリーレン化合物(6)と
しては、例えば、1,4-ジブロモベンゼン、1,3-ジブロモ
ベンゼン、1,2-ジブロモベンゼン、2,5-ジブロモトルエ
ン、3,5-ジブロモトルエン、2,5-ジブロモ-1,4- キシレ
ン、1,4-ジブロモ-2- フェニルベンゼンおよびそのヨウ
化物、塩化物、フッ化物等が挙げられるがこれらに限定
されない。Examples of the halogenated arylene compound (6) include, for example, 1,4-dibromobenzene, 1,3-dibromobenzene, 1,2-dibromobenzene, 2,5-dibromotoluene, 3,5-dibromotoluene , 2,5-dibromo-1,4-xylene, 1,4-dibromo-2-phenylbenzene and iodides, chlorides, fluorides and the like thereof, but are not limited thereto.
【0062】上記ジエチニルシラン化合物(7)として
は、例えば、テトラエチニルシラン、トリエチニルメチ
ルシラン、トリエチニルエチルシラン、トリエチニルプ
ロピルシラン、トリエチニルブチルシラン、トリエチニ
ルフェニルシラン、トリエチニルトリルシラン、ジエチ
ニル (2-トリメチルシリルエチニル) メチルシラン、ジ
エチニル (2-トリメチルシリルエチニル) エチルシラ
ン、ジエチニル (2-トリメチルシリルエチニル) プロピ
ルシラン、ジエチニル (2-トリメチルシリルエチニル)
ブチルシラン、ジエチニル (2-トリメチルシリルエチニ
ル) フェニルシラン、ジエチニル (2-トリメチルシリル
エチニル) トリルシラン、ジエチニル (2-フェニルエチ
ニル) メチルシラン、ジエチニル (2-フェニルエチニ
ル) エチルシラン、ジエチニル (2-フェニルエチニル)
プロピルシラン、ジエチニル (2-フェニルエチニル) ブ
チルシラン、ジエチニル (2-フェニルエチニル) フェニ
ルシラン、ジエチニル (2-フェニルエチニル) トリルシ
ラン、ジエチニル (2-エチニルフェニル) メチルシラ
ン、ジエチニル (2-エチニルフェニル) エチルシラン、
ジエチニル (2-エチニルフェニル) プロピルシラン、ジ
エチニル (2-エチニルフェニル) ブチルシラン、ジエチ
ニル (2-エチニルフェニル) フェニルシラン、ジエチニ
ル (2-エチニルフェニル) トリルシラン、ジエチニルジ
ビニルシラン、ジエチニルビニルメチルシラン、ジエチ
ニルビニルエチルシラン、ジエチニルビニルプロピルシ
ラン、ジエチニルビニルブチルシラン、ジエチニルフェ
ニルビニルシラン、ジエチニルトリルビニルシラン、ジ
エチニルジアリルシラン、ジエチニルアリルメチルシラ
ン、ジエチニルアリルエチルシラン、ジエチニルアリル
プロピルシラン、ジエチニルアリルブチルシラン、ジエ
チニルフェニルアリルシラン、ジエチニルトリルアリル
シラン、ジエチニルヒドロキシメチルシラン、ジエチニ
ルヒドロキシエチルシラン、ジエチニルヒドロキシプロ
ピルシラン、ジエチニルヒドロキシブチルシラン、ジエ
チニルヒドロキシフェニルシラン、ジエチニルヒドロキ
シトリルシラン、ジエチニルメトキシメチルシラン、ジ
エチニルエトキシメチルシラン、ジエチニルプロポキシ
メチルシラン、ジエチニルブトキシメチルシラン、ジエ
チニルフェノキシメチルシラン、ジエチニルメトキシエ
チルシラン、ジエチニルエトキシエチルシラン、ジエチ
ニルプロポキシエチルシラン、ジエチニルブトキシエチ
ルシラン、ジエチニルフェノキシエチルシラン、ジエチ
ニルメトキシプロピルシラン、ジエチニルエトキシプロ
ピルシラン、ジエチニルプロポキシプロピルシラン、ジ
エチニルブトキシプロピルシラン、ジエチニルフェノキ
シプロピルシラン、ジエチニルメトキシブチルシラン、
ジエチニルエトキシブチルシラン、ジエチニルプロポキ
シブチルシラン、ジエチニルブトキシブチルシラン、ジ
エチニルフェノキシブチルシラン、ジエチニルメトキシ
フェニルシラン、ジエチニルエトキシフェニルシラン、
ジエチニルプロポキシフェニルシラン、ジエチニルブト
キシフェニルシラン、ジエチニルフェノキシフェニルシ
ラン、ジエチニルメトキシトリルシラン、ジエチニルエ
トキシトリルシラン、ジエチニルプロポキシトリルシラ
ン、ジエチニルブトキシトリルシラン、ジエチニルフェ
ノキシトリルシランなどが挙げられるが、これらに限定
されない。Examples of the diethynylsilane compound (7) include, for example, tetraethynylsilane, triethynylmethylsilane, triethynylethylsilane, triethynylpropylsilane, triethynylbutylsilane, triethynylphenylsilane, triethynyltolylsilane, Diethynyl (2-trimethylsilylethynyl) methylsilane, diethynyl (2-trimethylsilylethynyl) ethylsilane, diethynyl (2-trimethylsilylethynyl) propylsilane, diethynyl (2-trimethylsilylethynyl)
Butylsilane, diethynyl (2-trimethylsilylethynyl) phenylsilane, diethynyl (2-trimethylsilylethynyl) tolylsilane, diethynyl (2-phenylethynyl) methylsilane, diethynyl (2-phenylethynyl) ethylsilane, diethynyl (2-phenylethynyl)
Propylsilane, diethynyl (2-phenylethynyl) butylsilane, diethynyl (2-phenylethynyl) phenylsilane, diethynyl (2-phenylethynyl) tolylsilane, diethynyl (2-ethynylphenyl) methylsilane, diethynyl (2-ethynylphenyl) ethylsilane,
Diethynyl (2-ethynylphenyl) propylsilane, diethynyl (2-ethynylphenyl) butylsilane, diethynyl (2-ethynylphenyl) phenylsilane, diethynyl (2-ethynylphenyl) tolylsilane, diethynylvinylvinylsilane, diethynylvinylmethylsilane, Ethynylvinylethylsilane, diethynylvinylpropylsilane, diethynylvinylbutylsilane, diethynylphenylvinylsilane, diethynyltolylvinylsilane, diethynyldiallylsilane, diethynylallylmethylsilane, diethynylallylethylsilane, diethynylallylpropylsilane, Diethynyl allyl butyl silane, diethynyl phenyl allyl silane, diethynyl tolyl allyl silane, diethynyl hydroxymethyl silane, diethynyl hydroxyethyl silane Diethynylhydroxypropylsilane, diethynylhydroxybutylsilane, diethynylhydroxyphenylsilane, diethynylhydroxytolylsilane, diethynylmethoxymethylsilane, diethynylethoxymethylsilane, diethynylpropoxymethylsilane, diethynylbutoxymethylsilane, diethynyl Phenoxymethylsilane, diethynylmethoxyethylsilane, diethynylethoxyethylsilane, diethynylpropoxyethylsilane, diethynylbutoxyethylsilane, diethynylphenoxyethylsilane, diethynylmethoxypropylsilane, diethynylethoxypropylsilane, diethynylpropoxypropyl Silane, diethynylbutoxypropylsilane, diethynylphenoxypropylsilane, diethynylmethoxybuty Silane,
Diethynylethoxybutylsilane, diethynylpropoxybutylsilane, diethynylbutoxybutylsilane, diethynylphenoxybutylsilane, diethynylmethoxyphenylsilane, diethynylethoxyphenylsilane,
Diethynylpropoxyphenylsilane, diethynylbutoxyphenylsilane, diethynylphenoxyphenylsilane, diethynylmethoxytolylsilane, diethynylethoxytolylsilane, diethynylpropoxytolylsilane, diethynylbutoxytolylsilane, diethynylphenoxytolylsilane, and the like. But not limited to these.
【0063】上記遷移金属触媒としては、ビス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウムジクロライド((PPh3)2P
dCl2)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム(Pd(PPh3)4 )等が挙げられるが、これらに限定さ
れない。As the transition metal catalyst, bis (triphenylphosphine) palladium dichloride ((PPh 3 ) 2 P
dCl 2 ), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (Pd (PPh 3 ) 4 ), and the like, but are not limited thereto.
【0064】上記遷移金属触媒の使用量は、少なくなる
と重縮合の反応性が低下し、多くなると得られる重合体
に残存し易くなり物性が低下するため、ハロゲン化アリ
ーレン化合物に対してモル数で0.0001〜1倍が好
ましく、より好ましくは0.001〜0.1倍である。When the amount of the transition metal catalyst used is small, the reactivity of polycondensation decreases, and when it is large, the transition metal catalyst tends to remain in the obtained polymer and deteriorates in physical properties. It is preferably 0.0001 to 1 times, more preferably 0.001 to 0.1 times.
【0065】上記遷移金属触媒に助触媒として、ヨウ化
銅(I)、トリフェニルホスフィン等を加えてもよい。
この様な助触媒を加えなくても重縮合反応は進行する
が、助触媒の添加により反応時間の短縮及び生成物の収
率向上を達成することができる。Copper (I) iodide, triphenylphosphine and the like may be added as a promoter to the above transition metal catalyst.
Although the polycondensation reaction proceeds without adding such a cocatalyst, the addition of the cocatalyst can shorten the reaction time and improve the yield of the product.
【0066】上記助触媒の使用量は、ハロゲン化アリー
レン化合物(7)に対して、モル数で0.001〜1倍
が好ましく、より好ましくは0.01〜0.1倍であ
る。上記触媒の他に、反応系中で発生するハロゲン化水
素を捕捉するために添加剤が用いられてもよい。このよ
うな添加剤としては、トリエチルアミン、ジイソプロピ
ルアミン等が挙げられるが、これに限定されない。The amount of the cocatalyst to be used is preferably from 0.001 to 1 times, more preferably from 0.01 to 0.1 times by mole based on the halogenated arylene compound (7). In addition to the above catalyst, an additive may be used to capture hydrogen halide generated in the reaction system. Such additives include, but are not limited to, triethylamine, diisopropylamine, and the like.
【0067】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、などの非プロトン性溶媒が挙
げられ、特に好ましくはテトラヒドロフラン、トルエン
である。The above polycondensation reaction is preferably carried out in a solvent. The solvent may be either polar or non-polar. Preferably, an aprotic solvent such as tetrahydrofuran, diethyl ether, toluene and xylene is used. And particularly preferred are tetrahydrofuran and toluene.
【0068】上記反応の温度としては、特に限定されな
いが、−78℃以下では反応速度が著しく低下するた
め、−78℃から上記溶媒の沸点の間が好ましい。The temperature of the above reaction is not particularly limited, but is preferably between -78 ° C. and the boiling point of the above solvent since the reaction rate is remarkably reduced below −78 ° C.
【0069】上記反応は、空気又は不活性ガス雰囲気下
のいずれでも進行するが、得られる重合体の収率を高く
するために、アルゴン又は窒素などの不活性ガス雰囲気
下で行うことが好ましい。The above reaction proceeds under any atmosphere of an air or an inert gas, but is preferably performed under an atmosphere of an inert gas such as argon or nitrogen in order to increase the yield of the obtained polymer.
【0070】上記反応時間は、短くても長くても得られ
る重合体の収率が低下するので、1〜48時間が好まし
い。The above reaction time is preferably 1 to 48 hours since the yield of the obtained polymer is reduced whether it is short or long.
【0071】上記重縮合反応で得られるケイ素系重合体
の精製方法としては、例えば、再沈殿法又はゲルパーミ
エーションクロマトグラフィーによる分取等が挙げられ
るが、好ましくは、水、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ヘキサン、石油エーテル等の貧溶媒又は
これらの混合溶媒による再沈殿法である。The method for purifying the silicon-based polymer obtained by the above polycondensation reaction includes, for example, a reprecipitation method and fractionation by gel permeation chromatography, and preferably water, methanol, ethanol, isopropanol. , Hexane, petroleum ether or the like, or a reprecipitation method using a mixed solvent thereof.
【0072】次に、本発明4のケイ素系樹脂硬化物につ
いて説明する。本発明4のケイ素系樹脂硬化物は、上記
ケイ素系重合体の主鎖中のアセチレン基又は側鎖の官能
基を、熱、光又は電子線で架橋させることにより得られ
る。得られたケイ素系樹脂硬化物は優れた耐熱性を示
し、また、機械的強度等も向上する。以下、その架橋方
法について説明する。Next, the cured product of the silicon-based resin of the fourth invention will be described. The cured product of the silicon-based resin of the fourth invention is obtained by crosslinking the acetylene group or the functional group of the side chain in the main chain of the silicon-based polymer with heat, light or an electron beam. The obtained cured silicon-based resin exhibits excellent heat resistance and also improves mechanical strength and the like. Hereinafter, the crosslinking method will be described.
【0073】上記ケイ素系重合体を熱架橋する場合の加
熱温度は、低くなると架橋反応が十分に起こらないため
硬化が不十分となり、高くなるとケイ素系重合体が架橋
する以前に劣化するため、100〜500℃の範囲が好
ましく、より好ましくは200〜400℃の範囲であ
る。The heating temperature in the case of thermally cross-linking the above silicon-based polymer is too low, the cross-linking reaction does not sufficiently occur, so that the curing becomes insufficient. If the heating temperature is high, the silicon-based polymer deteriorates before cross-linking. The range is preferably from 500 to 500C, more preferably from 200 to 400C.
【0074】上記熱架橋の反応は、空気、不活性ガス雰
囲気下又は減圧下のいずれでも進行するが、好ましくは
窒素もしくはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下又は減
圧下である。上記熱架橋反応の反応時間は、短くなると
架橋反応が十分に進行せず硬化が不十分となり、長くな
ると劣化反応が起こるため、1 分〜10時間の範囲が好
ましく、より好ましくは30分〜5時間の範囲である。The thermal crosslinking reaction proceeds under an atmosphere of air or an inert gas or under reduced pressure, but preferably under an atmosphere of an inert gas such as nitrogen or argon or under reduced pressure. The reaction time of the thermal crosslinking reaction is preferably in the range of 1 minute to 10 hours, more preferably in the range of 30 minutes to 5 hours. Time range.
【0075】上記ケイ素系重合体の光架橋は、紫外線、
電子線の活性光線の照射によって行われる。紫外線を照
射する場合、照射量が少なくなると架橋反応が十分に進
行せず硬化が不十分となり、多くなると分解反応が起こ
るため、365nmでの積算露光量として50〜500
0mJ/cm2 が好ましい。The photo-crosslinking of the silicon-based polymer is carried out by using ultraviolet light,
Irradiation with actinic rays of an electron beam is performed. In the case of irradiating ultraviolet rays, when the irradiation amount is small, the crosslinking reaction does not proceed sufficiently and curing is insufficient, and when the irradiation amount is large, a decomposition reaction occurs, so that the integrated exposure amount at 365 nm is 50 to 500.
0 mJ / cm 2 is preferred.
【0076】上記紫外線の照射に用いられる光源として
は、例えば、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノ
ンランプ、窒素レーザー、He−Cdレーザー、Arレ
ーザー等が用いられる。As a light source used for the irradiation of the ultraviolet rays, for example, a high-pressure mercury lamp, a halogen lamp, a xenon lamp, a nitrogen laser, a He—Cd laser, an Ar laser, and the like are used.
【0077】上記ケイ素系重合体を電子線架橋する場合
の電子線の照射量は、少なくなると架橋反応が十分に進
行しないため硬化が不十分となり、多くなると分解反応
が起こるため、0.01〜100Mradが好ましい。
上記光架橋反応は、空気又は不活性ガス雰囲気下のいず
れでも進行するが、好ましくは窒素、アルゴンなどの不
活性ガス雰囲気下である。When the silicon polymer is cross-linked by an electron beam, the irradiation amount of the electron beam is preferably 0.01 to 10 since the cross-linking reaction does not proceed sufficiently if the amount is too small, and the curing is insufficient. 100 Mrad is preferred.
The photocrosslinking reaction proceeds in an air or inert gas atmosphere, but is preferably in an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon.
【0078】[0078]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を説明す
る。 (実施例1)100mL滴下ロート付き200mL三口
フラスコの内部をアルゴン置換した後、1,4−ジエチ
ニルベンゼン2.52g(20.0mmol)、THF
80mLを入れ、反応系を−78℃に冷却した。続い
て、1.60mol/Lのn−ブチルリチウムのヘキサ
ン溶液25.0mLを15分かけて滴下した後、−78
℃で1.5時間撹拌して1,4−ジリチオエチニルベン
ゼンを調製した。これとは別に、200mL滴下ロート
付き300mL三口フラスコの内部をアルゴン置換した
後、トリクロロフェニルシラン4.23g(20.0m
mol)、THF40mLを入れ、反応系を0℃に冷却
し、調製した1,4−ジリチオエチニルベンゼンのTHF
懸濁液を30分かけて滴下した。室温まで昇温し16時
間撹拌後、さらに加熱還流下8時間反応させた。次に再
び0℃に冷却し、0.50mLのエチニルマグネシウム
ブロマイドTHF溶液40.0mLを15分かけて滴下
した後、25℃で16時間撹拌しさらに加熱還流下16
時間反応させた。Embodiments of the present invention will be described below. Example 1 After replacing the inside of a 200 mL three-necked flask with a 100 mL dropping funnel with argon, 2.52 g (20.0 mmol) of 1,4-diethynylbenzene and THF were added.
80 mL was charged, and the reaction system was cooled to -78 ° C. Subsequently, 25.0 mL of a 1.60 mol / L hexane solution of n-butyllithium was added dropwise over 15 minutes, and then -78.
The mixture was stirred at 1.5 ° C. for 1.5 hours to prepare 1,4-dilithioethynylbenzene. Separately from this, after replacing the inside of a 300 mL three-necked flask with a 200 mL dropping funnel with argon, 4.23 g of trichlorophenylsilane (20.0 m
mol) and THF (40 mL), the reaction system was cooled to 0 ° C, and THF of the prepared 1,4-dilithioethynylbenzene was added.
The suspension was added dropwise over 30 minutes. After the temperature was raised to room temperature and stirred for 16 hours, the mixture was further reacted for 8 hours while heating under reflux. Next, the mixture was cooled again to 0 ° C., 40.0 mL of a 0.50 mL ethynylmagnesium bromide THF solution was added dropwise over 15 minutes, and the mixture was stirred at 25 ° C. for 16 hours, and further heated under reflux.
Allowed to react for hours.
【0079】上記反応溶液を、THF50mL/塩化ア
ンモニウム水溶液200mLの混合液中に滴下した後、
不溶物を濾過により取り除き、濾液をTHFにより抽出
した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、
乾燥剤を濾過により取り除き約10mLになるまで溶媒
を留去した。溶液を100mLのメタノールに滴下して
再沈殿させ、析出した沈殿を濾取して減圧乾燥し、淡黄
色固体597mgを得た。The reaction solution was dropped into a mixture of 50 mL of THF / 200 mL of an aqueous ammonium chloride solution.
Insolubles were removed by filtration, and the filtrate was extracted with THF. After drying the organic layer with anhydrous magnesium sulfate,
The drying agent was removed by filtration, and the solvent was distilled off until the volume became about 10 mL. The solution was dropped into 100 mL of methanol for reprecipitation, and the deposited precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain 597 mg of a pale yellow solid.
【0080】上記生成物のIRスペクトル(バイオラッ
ド社製「FTS135システム」を使用)を測定した結
果を図1に示す。図1に示すように、3278cm-1末
端アセチレン基のC−H伸縮振動、2044cm-1に末
端アセチレン基のC≡C伸縮振動、2161cm-1に内
部アセチレン基のC≡C伸縮振動、1430、1116
cm-1にSi−Ph基の変角振動に基づく吸収が観測さ
れた。FIG. 1 shows the results of measuring the IR spectrum (using "FTS135 system" manufactured by Bio-Rad) of the above product. As shown in FIG. 1, C-H stretching vibration 3278cm -1 terminal acetylene group, C [identical to] C stretching vibration of terminal acetylene groups to 2044cm -1, C≡C stretching vibration of an internal acetylene group to 2161cm -1, 1430, 1116
At cm −1 , absorption based on the bending vibration of the Si—Ph group was observed.
【0081】また、上記生成物の 1H−NMRスペクト
ル(ブルカー社製〔DRX300」を使用)を測定した
結果(図2)、3. 30ppmに末端アセチレン基のプ
ロトン、7.38〜7.95ppmにフェニル基のプロ
トンに基づくピークが確認された。さらに上記生成物の
GPC(日本分光社製)を測定した結果、ポリスチレン
換算で重量平均分子量28,500であった。以上のこ
とより、生成物を一般式(10)で表される構造(式
中、Phはフェニル基を示す)を構成単位とする側鎖に
官能基を含有するケイ素系重合体であると同定した(収
率11%)。Further, the 1 H-NMR spectrum (using DRX300 manufactured by Bruker) of the above product was measured (FIG. 2). The proton of the terminal acetylene group was found to be 3.30 ppm, and 7.38 to 7.95 ppm. A peak based on the proton of the phenyl group was confirmed. Further, the GPC (manufactured by JASCO Corporation) of the above product was measured, and as a result, the weight average molecular weight was 28,500 in terms of polystyrene. From the above, the product was identified as a silicon-based polymer having a functional group in a side chain having a structural unit represented by the general formula (10) (where Ph represents a phenyl group) as a constituent unit. (Yield 11%).
【0082】[0082]
【化17】 Embedded image
【0083】上記ケイ素系重合体を、窒素雰囲気下、3
00℃で2時間加熱して、ケイ素系樹脂硬化物を得た。The above silicon-based polymer was treated under a nitrogen atmosphere with 3
It was heated at 00 ° C. for 2 hours to obtain a cured silicon-based resin.
【0084】(実施例2)還流冷却管付き100mL二
口フラスコの内部をアルゴン置換した後、トリエチニル
フェニルシラン901mg(5.00mmol) 、1,
4−ジブロモベンゼン1.18g(5.00mmol)
、トルエン20mL、ビス(トリフェニルホスフィン)
パラジウムジクロライド35mg(0.05mmol)
、ヨウ化銅19mg(0.05mmol) 、トリフェ
ニルホスフィン26mg(0.05mmol) 、ジイソ
プロピルアミン2.02(20.0mmol) を入れた
後、反応系を16時間加熱還流させた。(Example 2) After replacing the inside of a 100 mL two-necked flask with a reflux condenser with argon, 901 mg (5.00 mmol) of triethynylphenylsilane, 1,1,
1.18 g (5.00 mmol) of 4-dibromobenzene
, Toluene 20 mL, bis (triphenylphosphine)
35 mg (0.05 mmol) of palladium dichloride
, 19 mg (0.05 mmol) of copper iodide, 26 mg (0.05 mmol) of triphenylphosphine, and 2.02 (20.0 mmol) of diisopropylamine, and the reaction system was refluxed for 16 hours.
【0085】次いで、反応溶液をTHF50mL/塩化
アンモニウム水溶液200mLの混合液中に滴下した
後、不溶物を濾過により取り除き濾液をTHFにより抽
出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた
後、乾燥剤を濾過により取り除き約10mLになるまで
溶媒を留去した。溶液を100mLのメタノールに滴下
して再沈殿させ、析出した沈殿を濾取して減圧乾燥し、
こげ茶色固体73mgを得た。Next, the reaction solution was added dropwise to a mixture of 50 mL of THF / 200 mL of an aqueous ammonium chloride solution, insolubles were removed by filtration, and the filtrate was extracted with THF. After the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, the desiccant was removed by filtration, and the solvent was distilled off until the volume became about 10 mL. The solution was re-precipitated by dropping it into 100 mL of methanol, and the deposited precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure.
73 mg of a dark brown solid were obtained.
【0086】上記生成物のIRスペクトル(バイオラッ
ド製「FTS135システム」を使用)を測定した結果
を図3に示す。図3に示すように、3283cm-1に末
端アセチレン基のC−H伸縮振動、2039cm-1に末
端アセチレン基のC≡C伸縮振動、2158cm-1に内
部アセチレン基のC≡C伸縮振動、1429、1121
cm-1にSi−Ph基の変角振動に基づく吸収が観測さ
れた。さらに上記生成物のGPC(日本分光社製)を測
定した結果、ポリスチレン換算で重量平均分子量24,
600であった。FIG. 3 shows the results of measuring the IR spectrum of the above product (using an FTS135 system manufactured by Bio-Rad). As shown in FIG. 3, C-H stretching vibration of terminal acetylene groups to 3283cm -1, C≡C stretching vibration of terminal acetylene groups to 2039cm -1, C≡C stretching vibration of an internal acetylene group to 2158cm -1, 1429 , 1121
At cm −1 , absorption based on the bending vibration of the Si—Ph group was observed. Further, the GPC (manufactured by JASCO Corporation) of the above product was measured, and as a result, the weight average molecular weight was 24,
600.
【0087】以上のことより、生成物を一般式(10)
で表される構造を構成単位とする側鎖官能基含有ケイ素
系重合体であると同定した(収率6%)。上記ケイ素系
重合体を、窒素雰囲気下、300℃で2時間加熱して、
ケイ素系樹脂硬化物を得た。From the above, the product was represented by the general formula (10)
Was identified as a side chain functional group-containing silicon-based polymer having a structure represented by a structural unit (yield: 6%). The silicon-based polymer is heated at 300 ° C. for 2 hours under a nitrogen atmosphere,
A silicon-based resin cured product was obtained.
【0088】(比較例1)還流冷却管付き100mL二
口フラスコの内部をアルゴン置換し、1,4−ジエチニ
ルベンゼン504mg(4.00mmol) 、テトラヒ
ドロフラン20mLを入れ、反応系を−78℃に冷却し
た後、1.6mLのn−ブチルリチウムヘキサン溶液
5.00mLを2分かけて加えた。つづいて20℃まで
昇温して16時間撹拌させ、再び−78℃まで冷却した
後、ジフェニルジクロロシラン1.01g(4.00m
mol) のTHF2mL 溶液を加え、さらに昇温し1
2時間加熱還流させた。(Comparative Example 1) The inside of a 100 mL two-necked flask equipped with a reflux condenser was replaced with argon, 504 mg (4.00 mmol) of 1,4-diethynylbenzene and 20 mL of tetrahydrofuran were added, and the reaction system was cooled to -78 ° C. After that, 5.00 mL of a 1.6 mL n-butyllithium hexane solution was added over 2 minutes. Subsequently, the temperature was raised to 20 ° C., and the mixture was stirred for 16 hours. After cooling to −78 ° C. again, 1.01 g of diphenyldichlorosilane (4.00 m
mol) in THF (2 mL).
The mixture was heated under reflux for 2 hours.
【0089】イオン交換水を入れて反応を停止した後、
THFにより抽出し有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥させた。濾過で乾燥剤を取り除いた後、溶媒を減圧留
去したところ黄茶色固体が得られた。この生成物を3m
LのTHFに溶解させ、50mLのメタノールに滴下し
て再沈殿させた結果、淡黄茶色固体が809mg得られ
た。After adding ion-exchanged water to stop the reaction,
The mixture was extracted with THF, and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate. After removing the drying agent by filtration, the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a yellow-brown solid. 3 m of this product
As a result of dissolving in L of THF and dropping into 50 mL of methanol for reprecipitation, 809 mg of a pale yellow-brown solid was obtained.
【0090】上記生成物のIRスペクトル(日立製作所製
「270−30」を使用)を測定した結果、2160c
m-1にアセチレン結合に基づく吸収が、1420、11
20cm-1にSi−Ph結合に基づく吸収がそれぞれ観
測された。また、上記生成物の 1H−NMRスペクトル
(日立製作所製「R−9000」を使用)を測定した結
果、7.45〜7.85ppmにフェニル基に基づくピ
ークが確認された。さらに,上記生成物の重量平均分子
量を測定(日本分光社製GPC使用)した結果、ポリス
チレン換算で4、000であった。As a result of measuring the IR spectrum of the above product (using “270-30” manufactured by Hitachi, Ltd.), 2160c
The absorption based on the acetylene bond is found at m −1 as 1420, 11
At 20 cm −1 , absorption based on a Si—Ph bond was observed. The 1 H-NMR spectrum of the above product (using “R-9000” manufactured by Hitachi, Ltd.) was measured. As a result, a peak based on a phenyl group was found at 7.45 to 7.85 ppm. Further, the weight average molecular weight of the above product was measured (using GPC manufactured by JASCO Corporation). As a result, it was 4,000 in terms of polystyrene.
【0091】以上のことより、生成物を一般式(11)
で表される構造を構成単位とするケイ素系重合体である
と同定した(収率66%)。上記ケイ素系重合体を、窒
素雰囲気下で300℃で2時間加熱して、ケイ素系樹脂
硬化物を得た。From the above, the product is represented by the general formula (11)
(A yield of 66%). The silicon-based polymer was heated at 300 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere to obtain a cured silicon-based resin.
【0092】[0092]
【化18】 Embedded image
【0093】上記実施例及び比較例で得られたケイ素系
重合体について、熱重量分析(セイコー電子製「SSC
5200システム」を使用)により、窒素雰囲気下で1
0℃/分の昇温速度で30℃から800℃まで昇温し、
初期重量に対して5重量%および10重量%減少した時
の温度(以下Td5 及びTd10と記す)ならびに800
℃における重量残存率(以下W800 と記す)を測定し、
耐熱性を評価した結果を表1に示す。The silicon-based polymers obtained in the above Examples and Comparative Examples were subjected to thermogravimetric analysis (“SSC
5200 System ”) under nitrogen atmosphere.
The temperature is raised from 30 ° C. to 800 ° C. at a rate of 0 ° C./min,
5 wt% relative to the initial weight and 10% by weight reduced temperature when (hereinafter referred to as Td 5 and Td 10) and 800
The residual weight ratio (hereinafter referred to as W 800 ) at ℃ is measured,
Table 1 shows the results of evaluating the heat resistance.
【0094】[0094]
【表1】 [Table 1]
【0095】表1から明らかなように、本発明により得
られた側鎖に官能基を含有するケイ素系高分子は、従来
の官能基を有しない重合体に比べて耐熱性が高いことが
分かった。また、架橋反応により耐熱性が向上している
ことが認められた。As is clear from Table 1, the silicon-based polymer having a functional group in the side chain obtained according to the present invention has higher heat resistance than a conventional polymer having no functional group. Was. It was also found that the heat resistance was improved by the crosslinking reaction.
【0096】また、実施例のケイ素系樹脂硬化物につい
て空気雰囲気下で同様の耐熱性の評価を行い、その結果
を表2に示した。Further, the same heat resistance was evaluated for the cured silicon-based resin of Example in an air atmosphere, and the results are shown in Table 2.
【0097】[0097]
【表2】 [Table 2]
【0098】[0098]
【発明の効果】本発明1のケイ素系重合体及び本発明4
のケイ素系樹脂硬化物は、上記の通り耐熱性に優れてお
り、宇宙・航空材料等に好適に用いられる。本発明2及
び本発明3の製造方法によって、ケイ素系重合体を比較
的容易に製造することができる。Industrial Applicability The silicon-based polymer of the present invention 1 and the present invention 4
The cured silicon-based resin has excellent heat resistance as described above, and is suitably used for aerospace and aviation materials. According to the production methods of the present invention 2 and the present invention 3, the silicon-based polymer can be produced relatively easily.
【図1】実施例1で得られたケイ素系重合体のIRスペ
クトルである。FIG. 1 is an IR spectrum of the silicon-based polymer obtained in Example 1.
【図2】実施例1で得られたケイ素系重合体の 1H−N
MRスペクトルである。FIG. 2 shows 1 H—N of the silicon-based polymer obtained in Example 1.
It is an MR spectrum.
【図3】実施例2で得られたケイ素系重合体のIRスペ
クトルである。FIG. 3 is an IR spectrum of the silicon-based polymer obtained in Example 2.
【図4】実施例1で得られたケイ素系重合体(上図)及
びケイ素系樹脂硬化物(下図)のIRスペクトルであ
る。FIG. 4 is an IR spectrum of the silicon-based polymer (upper figure) and the cured silicon-based resin (lower figure) obtained in Example 1.
【図5】実施例2で得られたケイ素系重合体(上図)及
びケイ素系樹脂硬化物(下図)のIRスペクトルであ
る。FIG. 5 is an IR spectrum of a silicon-based polymer (upper figure) and a cured silicon-based resin (lower figure) obtained in Example 2.
Claims (4)
とし、重量平均分子量が500以上であることを特徴と
するケイ素系重合体。 【化1】 (式中R1 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基
又は炭素数6〜30のアリール基を示し、それぞれ同一
であっても異なっていてもよく、R1 とベンゼン環との
結合位置は、エチニル基が置換している炭素以外の炭素
である。R2 は、炭素数2〜20のアセチレン誘導体基
を示す。R3 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜30のアリール基又は炭素数2〜20の
アセチレン誘導体基を示し、R2 とR3 は同一であって
もよい)1. A silicon-based polymer having a structure represented by the general formula (1) as a constituent unit and having a weight average molecular weight of 500 or more. Embedded image (Wherein R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may be the same or different, and a bond between R 1 and a benzene ring The position is a carbon other than the carbon substituted by the ethynyl group, R 2 is an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, R 3 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, An aryl group having 6 to 30 carbon atoms or an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, wherein R 2 and R 3 may be the same.
ゼン誘導体の金属化合物と、一般式(3)又は一般式
(4)で表されるハロゲン化シリル化合物とを反応させ
た後、一般式(5)で表される金属化合物、水又はアル
コールのいずれか1種以上と反応させることを特徴とす
る請求項1記載のケイ素系重合体の製造方法。 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 (式中R1 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基
又は炭素数6〜30のアリール基を示し、それぞれ同一
であっても異なっていてもよく、R1 とベンゼン環との
結合位置は、エチニル基が置換している炭素以外の炭素
である。R3 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル
基、炭素数6〜30のアリール基又は炭素数2〜20の
アセチレン誘導体基を示し、X1 はハロゲン原子を表
す。R2 は、炭素数2〜20のアセチレン誘導体基を示
し、R2 とR3 は同一であってもよい。M1 、M2 は、
アルカリ金属又はアルカリ土類金属のハロゲン化物を示
す)2. After reacting a metal compound of a diethynylbenzene derivative represented by the general formula (2) with a silyl halide compound represented by the general formula (3) or (4), The method for producing a silicon-based polymer according to claim 1, wherein the reaction is performed with at least one of a metal compound represented by the formula (5), water, and an alcohol. Embedded image Embedded image Embedded image Embedded image (Wherein R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may be the same or different, and a bond between R 1 and a benzene ring R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or an acetylene derivative having 2 to 20 carbon atoms. X 1 represents a halogen atom, R 2 represents an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms, R 2 and R 3 may be the same, and M 1 and M 2 are
Shows alkali metal or alkaline earth metal halide)
ーレン化合物と一般式(7)で表されるジエチニルシラ
ン化合物とを遷移金属触媒の存在下で反応させることを
特徴とする請求項1記載のケイ素系重合体の製造方法。 【化6】 【化7】 (式中R1 は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基
又は炭素数6〜30のアリール基を示し、それぞれ同一
であっても異なっていてもよく、X2 はハロゲン原子を
表す。R1 とベンゼン環との結合位置は、X2 が置換し
ている炭素以外の炭素である。R2 は、炭素数2〜20
のアセチレン誘導体基を示す。R3 は、水素原子、炭素
数1〜20のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基
又は炭素数2〜20のアセチレン誘導体基を示し、R2
とR3 は同一であってもよい)3. The method according to claim 1, wherein the halogenated arylene compound represented by the general formula (6) and the diethynylsilane compound represented by the general formula (7) are reacted in the presence of a transition metal catalyst. 2. The method for producing a silicon-based polymer according to 1. Embedded image Embedded image (In the formula, R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, which may be the same or different, and X 2 represents a halogen atom. The bonding position between R 1 and the benzene ring is a carbon other than the carbon substituted by X 2. R 2 has 2 to 20 carbon atoms.
Is an acetylene derivative group. R 3 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group or an acetylene derivative group having 2 to 20 carbon atoms having from 6 to 30 carbon atoms, R 2
And R 3 may be the same)
されてなることを特徴とするケイ素系樹脂硬化物。4. A silicon-based resin cured product obtained by crosslinking the silicon-based polymer according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8033297A JPH10273534A (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Silicon-based polymer, method for producing the same, and cured silicon-based resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8033297A JPH10273534A (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Silicon-based polymer, method for producing the same, and cured silicon-based resin |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273534A true JPH10273534A (en) | 1998-10-13 |
Family
ID=13715312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8033297A Pending JPH10273534A (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Silicon-based polymer, method for producing the same, and cured silicon-based resin |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10273534A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509557A (en) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | Poly (ethynylene-phenylene-ethynylene-silylene) and method for preparing the same |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8033297A patent/JPH10273534A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003509557A (en) * | 1999-09-16 | 2003-03-11 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | Poly (ethynylene-phenylene-ethynylene-silylene) and method for preparing the same |
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