JPH10273603A - フタロシアニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体 - Google Patents
フタロシアニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体Info
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- JPH10273603A JPH10273603A JP9077233A JP7723397A JPH10273603A JP H10273603 A JPH10273603 A JP H10273603A JP 9077233 A JP9077233 A JP 9077233A JP 7723397 A JP7723397 A JP 7723397A JP H10273603 A JPH10273603 A JP H10273603A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学記録媒体の記録層に用いるのに好適な新
しいフタロシアニン誘導体を提供する。 【解決手段】 下記の一般式で示されるフタロシアニン
誘導体。 【化１】 （式中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子又は３価
若しくは４価の金属の誘導体を表わし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 及びＲ4 は、それぞれ独立して、置換されていてもよ
いアルキル基、アリール基又はシクロアルキル基を表わ
し、環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、さらに
置換基を有していてもよい。）
しいフタロシアニン誘導体を提供する。 【解決手段】 下記の一般式で示されるフタロシアニン
誘導体。 【化１】 （式中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子又は３価
若しくは４価の金属の誘導体を表わし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 及びＲ4 は、それぞれ独立して、置換されていてもよ
いアルキル基、アリール基又はシクロアルキル基を表わ
し、環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、さらに
置換基を有していてもよい。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規なフタロシア
ニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体に関するもの
である。
ニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】レーザー、特に半導体レーザーを使用す
る光学記録媒体は、高密度での情報の記録、保存及びそ
の再生が可能であるため、近年、特に開発が望まれてい
る技術である。このような光学記録媒体の一例としては
光ディスクを挙げることが出来る。一般に光ディスク
は、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度
に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行
なうものである。
る光学記録媒体は、高密度での情報の記録、保存及びそ
の再生が可能であるため、近年、特に開発が望まれてい
る技術である。このような光学記録媒体の一例としては
光ディスクを挙げることが出来る。一般に光ディスク
は、円形の基体に設けられた薄い記録層に、１μｍ程度
に収束したレーザー光を照射し、高密度の情報記録を行
なうものである。
【０００３】光ディスクの中でも最近特に注目を集めて
いるものに、書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ Ｗ
ｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ）がある。ユーザーは、記録装置を
使用してこれに音楽や情報を１回だけ記録することが可
能であり、記録した音楽や情報の再生は、既存のＣＤプ
レーヤーやＣＤ ＲＯＭドライブを使用して行なうこと
が可能である。
いるものに、書き込み型コンパクトディスク（ＣＤ Ｗ
ｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ）がある。ユーザーは、記録装置を
使用してこれに音楽や情報を１回だけ記録することが可
能であり、記録した音楽や情報の再生は、既存のＣＤプ
レーヤーやＣＤ ＲＯＭドライブを使用して行なうこと
が可能である。
【０００４】このディスクは、通常、案内溝を有するプ
ラスチック基板上に、色素を主成分とする記録層、金属
反射膜及び保護膜を順次積層した構成を有している。情
報の記録は、レーザー光（通常は波長７８０ｎｍ）を照
射して、その照射箇所の記録層、反射層又は基板に分
解、蒸発、融解などの熱的な変化を起させることにより
行い、そして記録された情報の再生は、レーザー光によ
り変化が起きている部分と起きていない部分との反射率
の差を読み取ることにより行なう。
ラスチック基板上に、色素を主成分とする記録層、金属
反射膜及び保護膜を順次積層した構成を有している。情
報の記録は、レーザー光（通常は波長７８０ｎｍ）を照
射して、その照射箇所の記録層、反射層又は基板に分
解、蒸発、融解などの熱的な変化を起させることにより
行い、そして記録された情報の再生は、レーザー光によ
り変化が起きている部分と起きていない部分との反射率
の差を読み取ることにより行なう。
【０００５】したがって、記録媒体としては、記録に使
用するレーザー光に対する記録感度が高いこと、再生に
使用するレーザー光に対する反射率が記録部では低く、
未記録部では高いことが重要である。コンパクトディス
クプレーヤーで再生を行うためには、再生に使用するレ
ーザー光（通常７８０ｎｍ）に対する未記録部の反射率
は６５％以上、記録部の反射率は４５％以下とすること
が必要である。
用するレーザー光に対する記録感度が高いこと、再生に
使用するレーザー光に対する反射率が記録部では低く、
未記録部では高いことが重要である。コンパクトディス
クプレーヤーで再生を行うためには、再生に使用するレ
ーザー光（通常７８０ｎｍ）に対する未記録部の反射率
は６５％以上、記録部の反射率は４５％以下とすること
が必要である。
【０００６】この様なＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅの記
録層に使用する色素としては、従来シアニン系色素が提
案されてきたが、シアニン系色素を使用したものは日光
やその他の光に弱いという欠点を有していた。他の色素
を用いた光学記録媒体としては、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素などを使用したものが提案されてい
る。
録層に使用する色素としては、従来シアニン系色素が提
案されてきたが、シアニン系色素を使用したものは日光
やその他の光に弱いという欠点を有していた。他の色素
を用いた光学記録媒体としては、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素などを使用したものが提案されてい
る。
【０００７】上記の色素のうち、フタロシアニン系色
素、ナフタロシアニン系色素は一般に耐候性が優れてい
るので好ましいが、ベンゼン環、ナフタレン環に置換基
を有していないものは、溶媒に対する溶解度が極めて低
いため、塗布により記録層を形成することが出来ないと
いう問題点を有している。一方、特願平６−０８１７４
２号には、フタロシアニン系色素において、ベンゼン環
にテトラヒドロフルフリルオキシ基などを導入すること
が提案されている。しかしながらこれらのフタロシアニ
ン誘導体は、ＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅの記録層用色
素として使用したときに、記録感度がそれほど高くない
という問題点を有している。
素、ナフタロシアニン系色素は一般に耐候性が優れてい
るので好ましいが、ベンゼン環、ナフタレン環に置換基
を有していないものは、溶媒に対する溶解度が極めて低
いため、塗布により記録層を形成することが出来ないと
いう問題点を有している。一方、特願平６−０８１７４
２号には、フタロシアニン系色素において、ベンゼン環
にテトラヒドロフルフリルオキシ基などを導入すること
が提案されている。しかしながらこれらのフタロシアニ
ン誘導体は、ＣＤ Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅの記録層用色
素として使用したときに、記録感度がそれほど高くない
という問題点を有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の実情
に鑑みなされたものであり、その目的は、日光などの光
に強く、溶媒に対する溶解性も高く、塗布により記録層
を形成しやすい新規なフタロシアニン誘導体の提供にあ
る。また本発明の他の目的は、このフタロシアニン誘導
体を使用した記録感度の高い光学記録媒体を提供するこ
とにある。
に鑑みなされたものであり、その目的は、日光などの光
に強く、溶媒に対する溶解性も高く、塗布により記録層
を形成しやすい新規なフタロシアニン誘導体の提供にあ
る。また本発明の他の目的は、このフタロシアニン誘導
体を使用した記録感度の高い光学記録媒体を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフタロシア
ニン誘導体は、一般式〔Ｉ〕で示されるアセチレン結合
を有することを特徴とするものである。
ニン誘導体は、一般式〔Ｉ〕で示されるアセチレン結合
を有することを特徴とするものである。
【００１０】
【化３】
【００１１】（式中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属
原子又は３価若しくは４価の金属の誘導体を表わし、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、それぞれ独立して、置換さ
れていてもよいアルキル基、アリール基又はシクロアル
キル基を表わし、環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立
して、さらに置換基を有していてもよい。）
原子又は３価若しくは４価の金属の誘導体を表わし、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、それぞれ独立して、置換さ
れていてもよいアルキル基、アリール基又はシクロアル
キル基を表わし、環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立
して、さらに置換基を有していてもよい。）
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明について詳細に説明する
と、本発明に係るフタロシアニン誘導体を表わす前記一
般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 〜Ｒ4 としては、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデ
シル基等の炭素数１〜２０の直鎖状ないし分岐状のアル
キル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より
好ましくは炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２の
アリール基；またはシクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜１０のシクロ
アルキル基が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ4 に結合する置換基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ
−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１
〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メト
キシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブ
トキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のア
ルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、
メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキ
シ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシ
メトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエ
トキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭
素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；ア
リルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ
基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキ
シ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；
メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ
基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルス
ルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔ
ｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルス
ルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、
ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のア
ルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭
素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソ
プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカ
ルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘ
キシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキ
シカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカ
ルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、
イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓ
ｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボ
ニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭
素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカ
ルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−
プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオ
キシ基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭
素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げら
れる。
と、本発明に係るフタロシアニン誘導体を表わす前記一
般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 〜Ｒ4 としては、メチル基、
エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オク
チル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−オクタデ
シル基等の炭素数１〜２０の直鎖状ないし分岐状のアル
キル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より
好ましくは炭素数１〜６のアルキル基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数６〜１２の
アリール基；またはシクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプ
チル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜１０のシクロ
アルキル基が挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ4 に結合する置換基
としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ
−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１
〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、プロポキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メト
キシプロポキシ基、エトキシプロポキシ基、メトキシブ
トキシ基、エトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のア
ルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、
メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキ
シ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシメトキシ
メトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、エトキシエ
トキシメトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等の炭
素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；ア
リルオキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基等の炭素数６〜１２のアリール基；フェノキシ
基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキ
シ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；シアノ
基；ニトロ基；ヒドロキシ基；テトラヒドロフリル基；
メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ
基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基、イソプロピルス
ルホニルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニルアミノ基、ｔ
ｅｒｔ−ブチルスルホニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルス
ルホニルアミノ基、ｎ−ペンチルスルホニルアミノ基、
ｎ−ヘキシルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のア
ルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭
素原子等のハロゲン原子；メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソ
プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカ
ルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘ
キシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキ
シカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカ
ルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、
イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニ
ルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓ
ｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボ
ニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基等の炭
素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカ
ルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−
プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボ
ニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅ
ｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
カルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシカルボニルオ
キシ基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニルオキシ基等の炭
素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げら
れる。
【００１３】Ｍで表わされる２価の金属原子としては、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃｒ等が挙げられる。３価の金属原子
の誘導体としては、ＡｌＦ、ＡｌＣｌ、ＡｌＢｒ、Ａｌ
Ｉ、ＧａＦ、ＧａＣｌ、ＧａＢｒ、ＧａＩ、ＩｎＦ、Ｉ
ｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＴｌＦ、ＴｌＣｌ、ＴｌＢ
ｒ、ＴｌＩ等の３価の金属原子の２個の原子価が残存し
ているものが挙げられる。４価の金属原子の誘導体とし
ては、ＳｉＦ2 、ＳｉＣｌ2 、ＳｉＢｒ2 、ＳｉＩ2 、
ＧｅＦ2 、ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、ＧｅＩ2 、ＳｎＦ
2 、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＢｒ2 、ＳｎＩ2 、ＴｉＦ2 、Ｔ
ｉＣｌ2 、ＴｉＢｒ2 、ＴｉＩ2 、ＺｒＣｌ2 、ＨｆＣ
ｌ2 、Ｓｉ（ＯＨ）2 、Ｇｅ（ＯＨ）2 、Ｓｎ（ＯＨ）
2 、Ｚｒ（ＯＨ）2 、Ｈｆ（ＯＨ） 2 、ＳｉＲ2 、Ｇｅ
Ｒ2 、ＳｎＲ2 、ＴｉＲ2 （Ｒは置換基を有していても
よいアルキル基又はアリール基を表わす。）、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ′）2 、Ｇｅ（ＯＲ′）2、Ｓｎ（ＯＲ′）2 、Ｔｉ
（ＯＲ′）2 （Ｒ′は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリルオキ
シ基などを表わす。）等の、４価の金属原子の２個の原
子価が残存しているものが挙げられる。また、ＶＯ、Ｔ
ｉＯ、ＰｂＯ等の金属酸化物も挙げられる。特に好まし
い金属原子又は金属原子の誘導体はＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｐｂ、ＳｎＣｌ2 、Ｓｉ（ＯＲ′）2 、ＡｌＣｌ、Ｖ
Ｏ、ＴｉＯである。
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｒ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｐｂ、Ｓ
ｎ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｃｒ等が挙げられる。３価の金属原子
の誘導体としては、ＡｌＦ、ＡｌＣｌ、ＡｌＢｒ、Ａｌ
Ｉ、ＧａＦ、ＧａＣｌ、ＧａＢｒ、ＧａＩ、ＩｎＦ、Ｉ
ｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＴｌＦ、ＴｌＣｌ、ＴｌＢ
ｒ、ＴｌＩ等の３価の金属原子の２個の原子価が残存し
ているものが挙げられる。４価の金属原子の誘導体とし
ては、ＳｉＦ2 、ＳｉＣｌ2 、ＳｉＢｒ2 、ＳｉＩ2 、
ＧｅＦ2 、ＧｅＣｌ2 、ＧｅＢｒ2 、ＧｅＩ2 、ＳｎＦ
2 、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＢｒ2 、ＳｎＩ2 、ＴｉＦ2 、Ｔ
ｉＣｌ2 、ＴｉＢｒ2 、ＴｉＩ2 、ＺｒＣｌ2 、ＨｆＣ
ｌ2 、Ｓｉ（ＯＨ）2 、Ｇｅ（ＯＨ）2 、Ｓｎ（ＯＨ）
2 、Ｚｒ（ＯＨ）2 、Ｈｆ（ＯＨ） 2 、ＳｉＲ2 、Ｇｅ
Ｒ2 、ＳｎＲ2 、ＴｉＲ2 （Ｒは置換基を有していても
よいアルキル基又はアリール基を表わす。）、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ′）2 、Ｇｅ（ＯＲ′）2、Ｓｎ（ＯＲ′）2 、Ｔｉ
（ＯＲ′）2 （Ｒ′は置換基を有していてもよいアルキ
ル基、アリール基、アシル基、トリアルキルシリルオキ
シ基などを表わす。）等の、４価の金属原子の２個の原
子価が残存しているものが挙げられる。また、ＶＯ、Ｔ
ｉＯ、ＰｂＯ等の金属酸化物も挙げられる。特に好まし
い金属原子又は金属原子の誘導体はＰｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｐｂ、ＳｎＣｌ2 、Ｓｉ（ＯＲ′）2 、ＡｌＣｌ、Ｖ
Ｏ、ＴｉＯである。
【００１４】環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの置換基としては、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カル
バモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイ
ル基、スルフィン酸基、アミノ基、ヒドロキシル基、フ
ェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙げら
れ、これらの置換基は更に置換基を有していてもよい。
これらの置換基の中で好ましいものとしては、ヒドロキ
シル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又は置換
基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキル基、炭
素数１〜２５のアルコキシ基、炭素数１〜２５のアルキ
ルチオ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数１
〜２５のアルキルスルファモイル基、炭素数６〜３０の
フェニルスルファモイル基、炭素数１〜２５のアルキル
スルフィン酸基、炭素数６〜３０のフェニルスルフィン
酸基、炭素数６〜３０のピリジノアゾ基、炭素数２〜２
６のエステル基、炭素数２〜２６のアルキルカルバモイ
ル基、炭素数６〜３０のフェニルカルバモイル基、炭素
数２〜２６のアシル基若しくは炭素数１〜２５のアシル
アミノ基などが挙げられる。また、−ＮＲ5 Ｒ6 （Ｒ5
及びＲ6 は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を
有していてもよい炭素数１〜２５のアルキル基若しくは
フェニル基を表し、Ｒ5 及びＲ6 は互いに結合して５員
環又は６員環を形成してもよい。）、−ＣＲ7 ＝Ｃ（Ｃ
Ｎ）Ｒ8 （Ｒ7 は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキ
ル基を表し、Ｒ8 はシアノ基又は炭素数２〜７のアルコ
キシカルボニル基を表す。）等も挙げられる。より好ま
しくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
アルコキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、ハロ
ゲン原子が挙げられる。
ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールチ
オ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリール基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カル
バモイル基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイ
ル基、スルフィン酸基、アミノ基、ヒドロキシル基、フ
ェニルアゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙げら
れ、これらの置換基は更に置換基を有していてもよい。
これらの置換基の中で好ましいものとしては、ヒドロキ
シル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又は置換
基を有していてもよい炭素数１〜２５のアルキル基、炭
素数１〜２５のアルコキシ基、炭素数１〜２５のアルキ
ルチオ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数１
〜２５のアルキルスルファモイル基、炭素数６〜３０の
フェニルスルファモイル基、炭素数１〜２５のアルキル
スルフィン酸基、炭素数６〜３０のフェニルスルフィン
酸基、炭素数６〜３０のピリジノアゾ基、炭素数２〜２
６のエステル基、炭素数２〜２６のアルキルカルバモイ
ル基、炭素数６〜３０のフェニルカルバモイル基、炭素
数２〜２６のアシル基若しくは炭素数１〜２５のアシル
アミノ基などが挙げられる。また、−ＮＲ5 Ｒ6 （Ｒ5
及びＲ6 は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を
有していてもよい炭素数１〜２５のアルキル基若しくは
フェニル基を表し、Ｒ5 及びＲ6 は互いに結合して５員
環又は６員環を形成してもよい。）、−ＣＲ7 ＝Ｃ（Ｃ
Ｎ）Ｒ8 （Ｒ7 は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキ
ル基を表し、Ｒ8 はシアノ基又は炭素数２〜７のアルコ
キシカルボニル基を表す。）等も挙げられる。より好ま
しくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０の
アルコキシ基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基、ハロ
ゲン原子が挙げられる。
【００１５】本発明のフタロシアニン誘導体は、いずれ
も６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に吸収を有し、
耐光性、耐熱性が良好で、後述する様に光学記録媒体の
光吸収物質として非常に有用である。なかでも下記の一
般式〔II〕に示されるフタロシアニン誘導体が特に好ま
しい。
も６００〜８００ｎｍ付近の近赤外領域に吸収を有し、
耐光性、耐熱性が良好で、後述する様に光学記録媒体の
光吸収物質として非常に有用である。なかでも下記の一
般式〔II〕に示されるフタロシアニン誘導体が特に好ま
しい。
【００１６】
【化４】
【００１７】（式中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属
原子又は３価若しくは４価の金属の誘導体を表わす。） 本発明に係るフタロシアニン誘導体は、例えば下記のよ
うにして製造することができる。
原子又は３価若しくは４価の金属の誘導体を表わす。） 本発明に係るフタロシアニン誘導体は、例えば下記のよ
うにして製造することができる。
【００１８】
【化５】
【００１９】ニトロフタロニトリル（Ｉ）を還元してア
ミノフタロニトリル（II）とし、これをジアゾ化を経て
ヨウドフタロニトリル（III)とする。これにアセチレン
化合物を反応させるとアセチレン化合物が結合したフタ
ロニトリル（IV）が得られる。なお、ヨウドフタロニト
リル（III)の合成については、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ
ｅｔ ａｌ；Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，７３，４３５
（１９９５）やＳ．Ｗ．Ｍａｒｃｕｃｃｉｏ；Ｃａｎ．
Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６３，３０５７（１９８５）などが参
考となる。このフタロニトリル（IV）を、金属化合物と
共に、キノリン又はクロロナフタレン溶媒中で、１５０
〜２５０℃に１〜５時間程度加熱するか、又は１，８−
ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンやリチ
ウムのような塩基性の触媒と共にｎ−ペンタノール、ｎ
−ヘキサノールのような高沸点のアルコール中で７０〜
１２０℃に１〜２０時間程度加熱すると、本発明に係る
フタロシアニン誘導体（Ｖ）が得られる。
ミノフタロニトリル（II）とし、これをジアゾ化を経て
ヨウドフタロニトリル（III)とする。これにアセチレン
化合物を反応させるとアセチレン化合物が結合したフタ
ロニトリル（IV）が得られる。なお、ヨウドフタロニト
リル（III)の合成については、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ
ｅｔ ａｌ；Ｃａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．，７３，４３５
（１９９５）やＳ．Ｗ．Ｍａｒｃｕｃｃｉｏ；Ｃａｎ．
Ｊ．Ｃｈｅｍ．，６３，３０５７（１９８５）などが参
考となる。このフタロニトリル（IV）を、金属化合物と
共に、キノリン又はクロロナフタレン溶媒中で、１５０
〜２５０℃に１〜５時間程度加熱するか、又は１，８−
ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンやリチ
ウムのような塩基性の触媒と共にｎ−ペンタノール、ｎ
−ヘキサノールのような高沸点のアルコール中で７０〜
１２０℃に１〜２０時間程度加熱すると、本発明に係る
フタロシアニン誘導体（Ｖ）が得られる。
【００２０】フタロニトリル（IV）からフタロシアニン
誘導体（Ｖ）への過程で用いる金属化合物としては、Ｉ
Ｂ族、IIＡ族、IIＢ族、 IIIＡ族、IVＡ族、IVＢ族、Ｖ
Ｂ族、VIＢ族、VIII族の各種のものを使用することが出
来るが、合成のしやすさ、得られた化合物の性能からみ
て、銅、マグネシウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、
インジウム、錫、鉛、バナジウム、クロム、鉄、コバル
ト、ニッケル、ルテニウム、パラジウムなどの酸化物、
ハロゲン化物、酢酸塩などが好ましく、マグネシウム、
亜鉛、銅のハロゲン化物が特に好ましい。
誘導体（Ｖ）への過程で用いる金属化合物としては、Ｉ
Ｂ族、IIＡ族、IIＢ族、 IIIＡ族、IVＡ族、IVＢ族、Ｖ
Ｂ族、VIＢ族、VIII族の各種のものを使用することが出
来るが、合成のしやすさ、得られた化合物の性能からみ
て、銅、マグネシウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、
インジウム、錫、鉛、バナジウム、クロム、鉄、コバル
ト、ニッケル、ルテニウム、パラジウムなどの酸化物、
ハロゲン化物、酢酸塩などが好ましく、マグネシウム、
亜鉛、銅のハロゲン化物が特に好ましい。
【００２１】本発明に係る光学記録媒体は、基本的に基
板と上記のフタロシアニン誘導体を含む記録層とから構
成されているが、更に、必要に応じて基板上に下引き層
を、また記録層上に反射層及び／又は保護層を設けるこ
とが出来る。基板としては、使用するレーザー光に対し
て透明又は不透明のいずれであってもよい。基板の材質
としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔状
の金属などの、一般にこの種の記録媒体の支持体として
用いられているものが使用できるが、種々の点からみて
プラスチックが好ましい。プラスチックとしては、例え
ば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリサルホン樹脂などが挙げられる。
板と上記のフタロシアニン誘導体を含む記録層とから構
成されているが、更に、必要に応じて基板上に下引き層
を、また記録層上に反射層及び／又は保護層を設けるこ
とが出来る。基板としては、使用するレーザー光に対し
て透明又は不透明のいずれであってもよい。基板の材質
としては、ガラス、プラスチック、紙、板状または箔状
の金属などの、一般にこの種の記録媒体の支持体として
用いられているものが使用できるが、種々の点からみて
プラスチックが好ましい。プラスチックとしては、例え
ば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、
塩化ビニル樹脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリサルホン樹脂などが挙げられる。
【００２２】本発明の光学記録媒体における情報記録層
である一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン誘導体
を含有する記録層の厚さは、１００Å〜５μｍ、好まし
くは５００Å〜３μｍである。記録層の形成は、塗布に
よるのが好ましい。すなわちフタロシアニン誘導体を、
溶媒又は溶媒とバインダーの混合物中に溶解又は分散さ
せた塗布液を、スピンコートやスプレー塗布など常用の
塗布法により基板に塗布すればよい。バインダーとして
は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、セルロース樹脂などを用いることが出来る。
である一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン誘導体
を含有する記録層の厚さは、１００Å〜５μｍ、好まし
くは５００Å〜３μｍである。記録層の形成は、塗布に
よるのが好ましい。すなわちフタロシアニン誘導体を、
溶媒又は溶媒とバインダーの混合物中に溶解又は分散さ
せた塗布液を、スピンコートやスプレー塗布など常用の
塗布法により基板に塗布すればよい。バインダーとして
は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、セルロース樹脂などを用いることが出来る。
【００２３】これらの樹脂に対するフタロシアニン誘導
体の比率は、１０重量％以上が好ましい。また、溶媒と
しては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン、
メチルセロソルブ、エチルアルコール、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等の各種のもの
を使用することが出来る。なお、基板として、射出成形
により製造されたポリカーボネート樹脂基板やメタクリ
ル樹脂基板を使用する場合には、上記の溶媒としては、
エチルセロソルブ、エチルアルコール、オクタフルオロ
ペンタノール、ヘキサフルオロブタノール、エチルシク
ロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシ
クロヘキサン等が好ましい。本発明の光学記録媒体の記
録層は、基板の両面に設けてもよいし、片面だけに設け
てもよい。
体の比率は、１０重量％以上が好ましい。また、溶媒と
しては、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトン、
メチルセロソルブ、エチルアルコール、テトラヒドロフ
ラン、ジクロロメタン、クロロベンゼン等の各種のもの
を使用することが出来る。なお、基板として、射出成形
により製造されたポリカーボネート樹脂基板やメタクリ
ル樹脂基板を使用する場合には、上記の溶媒としては、
エチルセロソルブ、エチルアルコール、オクタフルオロ
ペンタノール、ヘキサフルオロブタノール、エチルシク
ロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシ
クロヘキサン等が好ましい。本発明の光学記録媒体の記
録層は、基板の両面に設けてもよいし、片面だけに設け
てもよい。
【００２４】光学記録媒体への記録は、基板の両面また
は片面に設けられた記録層に１μｍ程度に収束したレー
ザー光、好ましくは半導体レーザー光を照射することに
より行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー
エネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融などの記録
層の熱的変形が起きる。記録された情報の再生は、レー
ザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行なう。
は片面に設けられた記録層に１μｍ程度に収束したレー
ザー光、好ましくは半導体レーザー光を照射することに
より行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー
エネルギーの吸収による、分解、蒸発、溶融などの記録
層の熱的変形が起きる。記録された情報の再生は、レー
ザー光により、熱的変形が起きている部分と起きていな
い部分の反射率の差を読み取ることにより行なう。
【００２５】光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、アル
ゴンレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを使
用することが出来るが、価格、大きさの点で、半導体レ
ーザーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、通常
は中心波長が８３０ｎｍ又は７８０ｎｍのものが用いら
れるが、７８０ｎｍより短波長のレーザーも使用するこ
とが出来る。なお、本発明に係る一般式（Ｉ）のフタロ
シアニン誘導体は、プラスチックや紙など各種の素材の
着色、各種の繊維の染色、光学フィルターの着色など、
光学記録媒体以外の用途にも使用できる。
ゴンレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを使
用することが出来るが、価格、大きさの点で、半導体レ
ーザーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、通常
は中心波長が８３０ｎｍ又は７８０ｎｍのものが用いら
れるが、７８０ｎｍより短波長のレーザーも使用するこ
とが出来る。なお、本発明に係る一般式（Ｉ）のフタロ
シアニン誘導体は、プラスチックや紙など各種の素材の
着色、各種の繊維の染色、光学フィルターの着色など、
光学記録媒体以外の用途にも使用できる。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例に制限されるものではない。なお、「％」は特に断ら
ない限り「重量％」である。 実施例１ ３−アミノフタロニトリルの合成；エタノール１５０ｍ
ｌに３−ニトロフタロニトリル５．１９ｇ（３０ミリモ
ル）と活性炭に担持したパラジウム触媒（１０％Ｐｄ／
Ｃ）約０．５５ｇを加え、大気圧下で７２時間、２２℃
で還元した。生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、白色の３−アミノフタロニトリル３．０
ｇ（収率７０％）を得た。このものの融点は約２００℃
であった。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り以下の実施
例に制限されるものではない。なお、「％」は特に断ら
ない限り「重量％」である。 実施例１ ３−アミノフタロニトリルの合成；エタノール１５０ｍ
ｌに３−ニトロフタロニトリル５．１９ｇ（３０ミリモ
ル）と活性炭に担持したパラジウム触媒（１０％Ｐｄ／
Ｃ）約０．５５ｇを加え、大気圧下で７２時間、２２℃
で還元した。生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーで精製し、白色の３−アミノフタロニトリル３．０
ｇ（収率７０％）を得た。このものの融点は約２００℃
であった。
【００２７】３−ヨードフタロニトリルの合成；６０ｍ
ｌの濃塩酸に３．０ｇ（２１ミリモル）の３−アミノフ
タロニトリルを加え、０℃で１０分間撹拌した。これに
２．２ｇ（３１．５ミリモル）の亜硝酸ナトリウム溶液
を液温が０℃以上にならないように滴下した。引続き０
℃で１．５時間撹拌したのち素早く吸引濾過した。濾液
に３．８ｇ（３１．５ミリモル）のヨウ化カリウムを含
む水溶液３０ｍｌを滴下し、引続き撹拌して液温を室温
に戻した。濾過して黒色の沈殿を取得し、冷水で洗浄し
たのちベンゼンに溶解した。このベンゼン溶液を、冷
水、５％−炭酸水素ナトリウム水溶液、冷水、飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液及び冷水で順次洗浄したのち、硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶液を濃縮してシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製した。次いで晶析
させて、融点１６９℃の３−ヨードフタロニトリルの白
色結晶を２．７ｇ（収率５０．５％）得た。
ｌの濃塩酸に３．０ｇ（２１ミリモル）の３−アミノフ
タロニトリルを加え、０℃で１０分間撹拌した。これに
２．２ｇ（３１．５ミリモル）の亜硝酸ナトリウム溶液
を液温が０℃以上にならないように滴下した。引続き０
℃で１．５時間撹拌したのち素早く吸引濾過した。濾液
に３．８ｇ（３１．５ミリモル）のヨウ化カリウムを含
む水溶液３０ｍｌを滴下し、引続き撹拌して液温を室温
に戻した。濾過して黒色の沈殿を取得し、冷水で洗浄し
たのちベンゼンに溶解した。このベンゼン溶液を、冷
水、５％−炭酸水素ナトリウム水溶液、冷水、飽和チオ
硫酸ナトリウム水溶液及び冷水で順次洗浄したのち、硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶液を濃縮してシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにより精製した。次いで晶析
させて、融点１６９℃の３−ヨードフタロニトリルの白
色結晶を２．７ｇ（収率５０．５％）得た。
【００２８】３−（３，３−ジメチル−１−ブチニル）
フタロニトリルの合成；新たに蒸留した５０ｍｌのジエ
チルアミンに、１．８ｇ（７．１ミリモル）の３−ヨー
ドフタロニトリル、０．６４ｇ（７．９ミリモル）のｔ
−ブチルアセチレン、０．１４ｇ（０．０７１ミリモ
ル）のヨウ化第一銅及び０．１ｇ（０．１６ミリモル）
の（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリドを
加え、窒素気流下、室温で７２時間撹拌した。この間、
薄層クロマトグラフィーで約１２時間毎に反応の進行を
チェックしながら、ｔ−ブチルアセチレン、ヨウ化第一
銅及び（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリ
ドを少量ずつ随時添加した。濾過して濾滓をベンゼンで
洗浄した。濾液と洗浄液とを合せて濃縮し、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製した。次いで晶析させ
て、融点６１℃の３−（３，３−ジメチル−１−ブチニ
ル）フタロニトリルの白色結晶１．１２ｇ（収率７５．
９％）を得た。
フタロニトリルの合成；新たに蒸留した５０ｍｌのジエ
チルアミンに、１．８ｇ（７．１ミリモル）の３−ヨー
ドフタロニトリル、０．６４ｇ（７．９ミリモル）のｔ
−ブチルアセチレン、０．１４ｇ（０．０７１ミリモ
ル）のヨウ化第一銅及び０．１ｇ（０．１６ミリモル）
の（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリドを
加え、窒素気流下、室温で７２時間撹拌した。この間、
薄層クロマトグラフィーで約１２時間毎に反応の進行を
チェックしながら、ｔ−ブチルアセチレン、ヨウ化第一
銅及び（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリ
ドを少量ずつ随時添加した。濾過して濾滓をベンゼンで
洗浄した。濾液と洗浄液とを合せて濃縮し、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製した。次いで晶析させ
て、融点６１℃の３−（３，３−ジメチル−１−ブチニ
ル）フタロニトリルの白色結晶１．１２ｇ（収率７５．
９％）を得た。
【００２９】テトラ（３，３−ジメチル−１−ブチニ
ル）フタロシアニンの合成；０．５ｍｌの無水ペンタノ
ールに３ｍｇのリチウムを加えて加熱し、溶解させた。
これに３−（３，３−ジメチル−１−ブチニル）フタロ
ニトリル１９．６ｍｇ（０．１ミリモル）を加え、２時
間還流した。冷却したのち、これにメタノールに濃塩酸
１滴を加えた溶液を添加し、生じた青色沈殿を濾取し
た。これを乾燥後、クロロホルム溶媒に溶解し、シリカ
ゲルカラムで精製したのち再結晶させて、下記のテトラ
（３，３−ジメチル−１−ブチニル）フタロシアニン
９．５ｍｇ（収率４８％）を得た。このもののクロロホ
ルム溶液中でのλｍａｘは７１４ｎｍ、分子吸光係数は
１５．９×１０4 であった。このもののクロロホルム溶
液の吸収スペクトルを図１に示す。
ル）フタロシアニンの合成；０．５ｍｌの無水ペンタノ
ールに３ｍｇのリチウムを加えて加熱し、溶解させた。
これに３−（３，３−ジメチル−１−ブチニル）フタロ
ニトリル１９．６ｍｇ（０．１ミリモル）を加え、２時
間還流した。冷却したのち、これにメタノールに濃塩酸
１滴を加えた溶液を添加し、生じた青色沈殿を濾取し
た。これを乾燥後、クロロホルム溶媒に溶解し、シリカ
ゲルカラムで精製したのち再結晶させて、下記のテトラ
（３，３−ジメチル−１−ブチニル）フタロシアニン
９．５ｍｇ（収率４８％）を得た。このもののクロロホ
ルム溶液中でのλｍａｘは７１４ｎｍ、分子吸光係数は
１５．９×１０4 であった。このもののクロロホルム溶
液の吸収スペクトルを図１に示す。
【００３０】
【化６】
【００３１】実施例２ α−クロロナフタレン４０ｍｌに、三塩化バナジウム
０．７８ｇ、モリブデン酸アンモニウム０．２ｇ、及び
３−（３，３−ジメチル−１−ブチニル）フタロニトリ
ル４．６ｇを加え、１８０〜２００℃で４時間撹拌し
た。放冷後、これにｎ−ヘキサン３０ｍｌを加え、濾過
して青色の濾滓３．２ｇを得た。これを３０ｍｌのクロ
ロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（充填剤：ワコーゲルＣ−２００ (和光純薬社製）、
展開溶剤；クロロホルム−メタノール混合系）により精
製したのち晶析させて、青色の物質２．７ｇを得た。こ
のものは純品ではなく異性体を含んでいると考えられる
が、その代表的な構造は下記と考えられる。また、この
もののクロロホルム溶液中でのλｍａｘは７１８ｎｍ、
分子吸光係数は１９．２×１０4 であった。このクロロ
ホルム溶液中の吸収スペクトルを図２に示す。
０．７８ｇ、モリブデン酸アンモニウム０．２ｇ、及び
３−（３，３−ジメチル−１−ブチニル）フタロニトリ
ル４．６ｇを加え、１８０〜２００℃で４時間撹拌し
た。放冷後、これにｎ−ヘキサン３０ｍｌを加え、濾過
して青色の濾滓３．２ｇを得た。これを３０ｍｌのクロ
ロホルムに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（充填剤：ワコーゲルＣ−２００ (和光純薬社製）、
展開溶剤；クロロホルム−メタノール混合系）により精
製したのち晶析させて、青色の物質２．７ｇを得た。こ
のものは純品ではなく異性体を含んでいると考えられる
が、その代表的な構造は下記と考えられる。また、この
もののクロロホルム溶液中でのλｍａｘは７１８ｎｍ、
分子吸光係数は１９．２×１０4 であった。このクロロ
ホルム溶液中の吸収スペクトルを図２に示す。
【００３２】
【化７】
【００３３】実施例３ 実施例２において、三塩化バナジウムの代りに無水塩化
第一銅を用いた以外は実施例２と同様に反応及び精製を
行い、下記構造のフタロシアニンを得た。このもののク
ロロホルム溶液中でのλｍａｘは６９０ｎｍ、分子吸光
係数は１８．５×１０4 であった。
第一銅を用いた以外は実施例２と同様に反応及び精製を
行い、下記構造のフタロシアニンを得た。このもののク
ロロホルム溶液中でのλｍａｘは６９０ｎｍ、分子吸光
係数は１８．５×１０4 であった。
【００３４】
【化８】
【００３５】実施例４〜１５ 実施例２の方法に準じて下記の構造のフタロシアニン誘
導体を合成した。それぞれのフタロシアニン誘導体のク
ロロホルム溶液中でのλｍａｘ及び分子吸光係数を表１
に示す。
導体を合成した。それぞれのフタロシアニン誘導体のク
ロロホルム溶液中でのλｍａｘ及び分子吸光係数を表１
に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】実施例１６〜１９ 実施例２の方法に準じて、下記の構造のフタロシアニン
誘導体を合成した。それぞれのフタロシアニン誘導体の
クロロホルム溶液中でのλｍａｘ及び分子吸光係数を表
２に示す。
誘導体を合成した。それぞれのフタロシアニン誘導体の
クロロホルム溶液中でのλｍａｘ及び分子吸光係数を表
２に示す。
【００３９】
【表３】
【００４０】実施例２０ 実施例２で得られたフタロシアニン誘導体の１．５％ヘ
キサフルオロブタノール溶液を調製し、これをスピンコ
ーティング法（回転数５００ｒｐｍ）により、直径１２
０ｍｍ、板厚１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に塗
布した。この色素薄膜の上に金を蒸着して反射層を形成
し、さらにその上に紫外線硬化樹脂による保護層を設け
て光学記録媒体を作製した。得られた光学記録媒体の未
記録部の７７５ｎｍでの反射率は７０％であった。
キサフルオロブタノール溶液を調製し、これをスピンコ
ーティング法（回転数５００ｒｐｍ）により、直径１２
０ｍｍ、板厚１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に塗
布した。この色素薄膜の上に金を蒸着して反射層を形成
し、さらにその上に紫外線硬化樹脂による保護層を設け
て光学記録媒体を作製した。得られた光学記録媒体の未
記録部の７７５ｎｍでの反射率は７０％であった。
【００４１】この光学記録媒体を線速度１．２ｍ／ｓで
回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レーザー
光を出力９．４ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。
次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザ
ーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再
生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメータ
ー加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０℃、８
５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初期と比
べて感度および再生信号の劣化はみられず、光学記録媒
体として極めて優れたものであった。
回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レーザー
光を出力９．４ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。
次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レーザ
ーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好な再
生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメータ
ー加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０℃、８
５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初期と比
べて感度および再生信号の劣化はみられず、光学記録媒
体として極めて優れたものであった。
【００４２】実施例２１ 実施例７で得られたフタロシアニン誘導体の２．５％ｔ
−ブチルシクロヘキサン溶液を調製し、これを用いて実
施例２０と同様の条件で光学記録媒体を作製した。得ら
れた光学記録媒体の未記録部の７７５ｎｍでの反射率は
６８％であった。この光学記録媒体を線速度１．２ｍ／
ｓで回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レー
ザー光を出力７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録し
た。次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメ
ーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０
℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初
期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学記
録媒体として極めて優れたものであった。
−ブチルシクロヘキサン溶液を調製し、これを用いて実
施例２０と同様の条件で光学記録媒体を作製した。得ら
れた光学記録媒体の未記録部の７７５ｎｍでの反射率は
６８％であった。この光学記録媒体を線速度１．２ｍ／
ｓで回転させながら、中心波長７７５ｎｍの半導体レー
ザー光を出力７．８ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録し
た。次に、この記録部を中心波長７８０ｎｍの半導体レ
ーザーを有するＣＤプレーヤーで再生したところ、良好
な再生信号を得た。また、耐光性（キセノンフェードメ
ーター加速テスト；６０時間）及び保存安定性（７０
℃、８５％ＲＨ；１００時間）試験を行なった結果、初
期と比べて感度及び再生信号の劣化はみられず、光学記
録媒体として極めて優れたものであった。
【００４３】
【発明の効果】本発明の新規なフタロシアニン誘導体
は、６００〜８００ｎｍ付近の可視〜近赤外領域に強い
吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、しかも加熱によ
る吸収波長の変化が生起しにくく、かつ、プラスチック
基板への塗布も容易である。また、このフタロシアニン
誘導体を使用した本発明の光学記録媒体は、耐光性、耐
熱性に優れ、記録感度および記録再生特性も良好であ
る。
は、６００〜８００ｎｍ付近の可視〜近赤外領域に強い
吸収を有し、耐光性、耐熱性が良好で、しかも加熱によ
る吸収波長の変化が生起しにくく、かつ、プラスチック
基板への塗布も容易である。また、このフタロシアニン
誘導体を使用した本発明の光学記録媒体は、耐光性、耐
熱性に優れ、記録感度および記録再生特性も良好であ
る。
【図１】実施例１で合成したフタロシアニン誘導体のク
ロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。
ロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。
【図２】実施例２で合成したフタロシアニン誘導体のク
ロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。
ロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。
Claims (3)
- 【請求項１】 下記の一般式〔Ｉ〕で示されるフタロシ
アニン誘導体。 【化１】 （式中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子又は３価
若しくは４価の金属の誘導体を表わし、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 及びＲ4 は、それぞれ独立して、置換されていてもよ
いアルキル基、アリール基又はシクロアルキル基を表わ
し、環Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それぞれ独立して、さらに
置換基を有していてもよい。） - 【請求項２】 下記の一般式〔II〕で示されるフタロシ
アニン誘導体。 【化２】 （式中、Ｍは２個の水素原子、２価の金属原子又は３価
若しくは４価の金属の誘導体を表わす。） - 【請求項３】 基板上に請求項１又は２に記載のフタロ
シアニン誘導体を含む記録層を有することを特徴とする
光学記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07723397A JP3780609B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | フタロシアニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07723397A JP3780609B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | フタロシアニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10273603A true JPH10273603A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3780609B2 JP3780609B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=13628157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07723397A Expired - Fee Related JP3780609B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | フタロシアニン誘導体及びこれを用いた光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3780609B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012171878A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Saitama Univ | ｔｅｔｒａｋｉｓ−アリル置換フタロシアニンおよびその製造方法 |
| JP2013241502A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | フタロシアニン色素並びにフタロシアニン色素を用いた色素増感太陽電池及び光電変換素子 |
| WO2015010331A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Dow Global Technologies Llc | Phthalocyanine dye used for color filter of lcd |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP07723397A patent/JP3780609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012171878A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Saitama Univ | ｔｅｔｒａｋｉｓ−アリル置換フタロシアニンおよびその製造方法 |
| JP2013241502A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | フタロシアニン色素並びにフタロシアニン色素を用いた色素増感太陽電池及び光電変換素子 |
| WO2015010331A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Dow Global Technologies Llc | Phthalocyanine dye used for color filter of lcd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3780609B2 (ja) | 2006-05-31 |
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