JPH1027387A - 表面クリーニング方法及び装置 - Google Patents
表面クリーニング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH1027387A JPH1027387A JP3217497A JP3217497A JPH1027387A JP H1027387 A JPH1027387 A JP H1027387A JP 3217497 A JP3217497 A JP 3217497A JP 3217497 A JP3217497 A JP 3217497A JP H1027387 A JPH1027387 A JP H1027387A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- glass
- coating
- argon
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 20
- HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N nickel vanadium Chemical compound [V].[Ni] HBVFXTAPOLSOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 物品の表面から別々の金属及びフォトレジス
トコーティングを除去する方法を提供することにある。 【解決手段】 排気した室内でフォトレジストコーティ
ングを酸素及び又は四フッ化炭素プラズマで処理し、酸
素及び又は四フッ化炭素を含有しない排気した室内で金
属コーティングを不活性ガスプラズマで処理することか
らなり、金属コーティング処理が先ず起こる場合には、
フォトレジストコーティングがアース遮蔽体で保護され
る。
トコーティングを除去する方法を提供することにある。 【解決手段】 排気した室内でフォトレジストコーティ
ングを酸素及び又は四フッ化炭素プラズマで処理し、酸
素及び又は四フッ化炭素を含有しない排気した室内で金
属コーティングを不活性ガスプラズマで処理することか
らなり、金属コーティング処理が先ず起こる場合には、
フォトレジストコーティングがアース遮蔽体で保護され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は表面、特にコンパクトデ
ィスクの製造に使用される例えばガラスディスク基板の
不必要なコーティングを有する表面のクリーニング方法
及び装置に関する。
ィスクの製造に使用される例えばガラスディスク基板の
不必要なコーティングを有する表面のクリーニング方法
及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】オーディオ、ビデオ又はロムコンパクト
ディスクの製造工程では、マスターディスクを採用する
のが普通であり、マスターディスクに記録パターンを形
成し、このマスターディスクから個々のコンパクトディ
スクの生産のためのスタンパーが作られる。マスターデ
ィスクは一般的には、高い等級のガラス材料で作られ、
フォトレジスト材料の薄いコーティングの付着によって
その表面に記録パターンが形成される。次いで、フォト
レジストの記録パターンと一致し、フォトレジスト材料
の孔／くぼみをほぼ満たすニッケルーバナジウム合金
（ニッケル９３重量％、バナジウム７重量％）の薄い、
例えば０．１μm のコーティングでフォトレジスト材料
を被覆する。引き続いて、ニッケルーバナジウム合金コ
ーティングにニッケルの薄い、例えば３００μm の層を
被覆する。
ディスクの製造工程では、マスターディスクを採用する
のが普通であり、マスターディスクに記録パターンを形
成し、このマスターディスクから個々のコンパクトディ
スクの生産のためのスタンパーが作られる。マスターデ
ィスクは一般的には、高い等級のガラス材料で作られ、
フォトレジスト材料の薄いコーティングの付着によって
その表面に記録パターンが形成される。次いで、フォト
レジストの記録パターンと一致し、フォトレジスト材料
の孔／くぼみをほぼ満たすニッケルーバナジウム合金
（ニッケル９３重量％、バナジウム７重量％）の薄い、
例えば０．１μm のコーティングでフォトレジスト材料
を被覆する。引き続いて、ニッケルーバナジウム合金コ
ーティングにニッケルの薄い、例えば３００μm の層を
被覆する。
【０００３】それ自体一般的に知られ、この明細書に記
載する必要のない手段でスタンパーの製造を進めるため
に、フォトレジスト材料層を着けたガラスディスクはニ
ッケルーバナジウム合金層及びニッケル層から分離され
る。この分離により、ガラスディスクにしっかり付着し
たフォトレジスト層ばかりでなくフォトレジスト層を着
けている側と同じディスクの側のニッケルーバナジウム
の周囲リングをも持ったガラスディスクを残す。ガラス
の高い価値は、ニッケルーバナジウムの周囲層及びフォ
トレジスト材料が綺麗に除去され、ガラスディスクが異
なるディスク用の引き続くスタンパーの生産に使用でき
ることが肝要である。
載する必要のない手段でスタンパーの製造を進めるため
に、フォトレジスト材料層を着けたガラスディスクはニ
ッケルーバナジウム合金層及びニッケル層から分離され
る。この分離により、ガラスディスクにしっかり付着し
たフォトレジスト層ばかりでなくフォトレジスト層を着
けている側と同じディスクの側のニッケルーバナジウム
の周囲リングをも持ったガラスディスクを残す。ガラス
の高い価値は、ニッケルーバナジウムの周囲層及びフォ
トレジスト材料が綺麗に除去され、ガラスディスクが異
なるディスク用の引き続くスタンパーの生産に使用でき
ることが肝要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらのコーティング
を除去するための周知の方法は極端に遅く、一般的に
は、例えば、フォトレジストについては１２時間、ニッ
ケルーバナジウム合金については３時間かけてそれぞれ
のコーティングをゆうっくりと溶解する別の化学薬品の
使用を伴う。本発明はプラズマの使用によって上記のよ
うな表面から金属及びフォトレジストコーティングを除
去する方法を提供する。
を除去するための周知の方法は極端に遅く、一般的に
は、例えば、フォトレジストについては１２時間、ニッ
ケルーバナジウム合金については３時間かけてそれぞれ
のコーティングをゆうっくりと溶解する別の化学薬品の
使用を伴う。本発明はプラズマの使用によって上記のよ
うな表面から金属及びフォトレジストコーティングを除
去する方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、物品の
表面から別々の金属コーティング及びフォトレジストコ
ーテイングを除去する方法であって、排気した室内でフ
ォトレジストコーティングを酸素及び又は四フッ化炭素
プラズマで処理し、酸素及び又は四フッ化炭素を含有し
ない排気した室内で金属コーティングを不活性ガスプラ
ズマで処理することからなり、金属コーティング処理が
先ず起こる場合には、フォトレジストコーティングがア
ース遮蔽体で保護されることを特徴とする上記方法を提
供する。不活性ガスプラズマはアルゴンで形成されるの
が好ましいが、他の不活性ガス即ちキセノン及びクリプ
トンを含む希ガスで形成されてもよい。
表面から別々の金属コーティング及びフォトレジストコ
ーテイングを除去する方法であって、排気した室内でフ
ォトレジストコーティングを酸素及び又は四フッ化炭素
プラズマで処理し、酸素及び又は四フッ化炭素を含有し
ない排気した室内で金属コーティングを不活性ガスプラ
ズマで処理することからなり、金属コーティング処理が
先ず起こる場合には、フォトレジストコーティングがア
ース遮蔽体で保護されることを特徴とする上記方法を提
供する。不活性ガスプラズマはアルゴンで形成されるの
が好ましいが、他の不活性ガス即ちキセノン及びクリプ
トンを含む希ガスで形成されてもよい。
【０００６】一般的には、金属コーティング処理は先ず
不活性ガスプラズマで行われ、次いで、フォトレジスト
コーティング処理が続くことが好ましい。これは、二回
目の処理において排気した室に所要の酸素及び又は四フ
ッ化炭素を加えることがより簡単であるからである。清
掃すべき高い等級のガラス物品の場合には、コーティン
グを着けていない表面の部分が処理中保護されることが
普通は重要であり、そして通常は本質的である。フォト
レジストコーティングの保護の場合におけるように、金
属コーティング処理が先ず行われるならば、これは、通
常は、アース遮蔽体の使用によって達成しうる。アルゴ
ン又は他の不活性ガスプラズマはそれ自体知られた方法
で２つの電極間にプラズマグロー放電を形成することを
含む通常の手段で室内に形成することができる。しかし
ながら、好ましくは、高周波、例えば１３．５６ＭＨｚ
を採用してアルゴンプラズマを形成し、これは、通常
は、コーティングを除去することになっている物品のホ
ルダー又は支持体に加えられる。
不活性ガスプラズマで行われ、次いで、フォトレジスト
コーティング処理が続くことが好ましい。これは、二回
目の処理において排気した室に所要の酸素及び又は四フ
ッ化炭素を加えることがより簡単であるからである。清
掃すべき高い等級のガラス物品の場合には、コーティン
グを着けていない表面の部分が処理中保護されることが
普通は重要であり、そして通常は本質的である。フォト
レジストコーティングの保護の場合におけるように、金
属コーティング処理が先ず行われるならば、これは、通
常は、アース遮蔽体の使用によって達成しうる。アルゴ
ン又は他の不活性ガスプラズマはそれ自体知られた方法
で２つの電極間にプラズマグロー放電を形成することを
含む通常の手段で室内に形成することができる。しかし
ながら、好ましくは、高周波、例えば１３．５６ＭＨｚ
を採用してアルゴンプラズマを形成し、これは、通常
は、コーティングを除去することになっている物品のホ
ルダー又は支持体に加えられる。
【０００７】アルゴンの存在する室の圧力は通常は１０
ー1乃至１０ー3ミリバールの範囲であるのがよい。酸素及
び又は四フッ化炭素の存在する室の圧力は通常は、通常
１０ー1乃至１０ ー3ミリバールの範囲であるのがよい。
ー1乃至１０ー3ミリバールの範囲であるのがよい。酸素及
び又は四フッ化炭素の存在する室の圧力は通常は、通常
１０ー1乃至１０ ー3ミリバールの範囲であるのがよい。
【０００８】
【発明の実施の形態】図面を参照すると、真空室１内で
本発明の方法を行うための装置を示す。高い等級の材料
の円形ガラスディスク２が該ディスク２よりも僅かに大
きい直径の陰極３によって室１内に支持され、陰極３も
図示しない手段で室１内に支持される。ガラスディスク
２は該ディスク２の上面（図示したように）の周縁にニ
ッケルーバナジウムコーティング４を付けているものと
して示す。このコーティングはディスク２の湾曲垂直面
のほぼ半分まで延びている。ディスク２は又上面の実質
的に全部にわたってフォトレジストコーティングを付け
たものとして点線で示す。
本発明の方法を行うための装置を示す。高い等級の材料
の円形ガラスディスク２が該ディスク２よりも僅かに大
きい直径の陰極３によって室１内に支持され、陰極３も
図示しない手段で室１内に支持される。ガラスディスク
２は該ディスク２の上面（図示したように）の周縁にニ
ッケルーバナジウムコーティング４を付けているものと
して示す。このコーティングはディスク２の湾曲垂直面
のほぼ半分まで延びている。ディスク２は又上面の実質
的に全部にわたってフォトレジストコーティングを付け
たものとして点線で示す。
【０００９】第１の円形アース遮蔽体５が陰極３に近接
して図示しない手段で位置決めされ、直立の縁６がニッ
ケルーバナジウムコーティング４の最下縁まで上方に延
びている。第２の円形アース遮蔽体７も室内に位置決め
され、そしてロッド８で室内に支持され、ロッド８は方
法の操作中第２のアース遮蔽体７を上げ下げするために
矢印で示すように垂直方向に移動できる。方法の操作
中、室１は１０ー4ミリバールまで排気され、１０ｓｃｃ
ｍ（毎分標準立方センチメートル）のアルゴンが導入さ
れる。高周波（ｒｆ）が電力源９から１３．５６ＭＨｚ
で陰極３に加えられ、これにより、アルゴンプラズマを
室１内に形成させる。
して図示しない手段で位置決めされ、直立の縁６がニッ
ケルーバナジウムコーティング４の最下縁まで上方に延
びている。第２の円形アース遮蔽体７も室内に位置決め
され、そしてロッド８で室内に支持され、ロッド８は方
法の操作中第２のアース遮蔽体７を上げ下げするために
矢印で示すように垂直方向に移動できる。方法の操作
中、室１は１０ー4ミリバールまで排気され、１０ｓｃｃ
ｍ（毎分標準立方センチメートル）のアルゴンが導入さ
れる。高周波（ｒｆ）が電力源９から１３．５６ＭＨｚ
で陰極３に加えられ、これにより、アルゴンプラズマを
室１内に形成させる。
【００１０】方法の最初の部分では、アース遮蔽体７が
図面に示すようにその最低箇所に位置決めされてガラス
ディスク２の上面と遮蔽体７の下面との間に約３ｍｍよ
り大きくない実質的に均一な隙間を形成する。このよう
な隙間は、アルゴンのイオン化が起こらず、それによ
り、遮蔽体７が工程の最初の部分中フォトレジストコー
テングを「保護」する「陰極暗部」を表す。従って、室
内に形成されたプラズマ中に存在するアルゴンイオンは
露出したニッケルバナジウム合金を衝撃し、合金コーテ
ィングをガラスディスク２の表面からスパッターさせ
る。方法の第２の部分で、アルゴンが室から取り出さ
れ、酸素ガス、例えば１０ｓｃｃｍ及び１ｓｃｃｍの四
フッ化炭素が室に導入され、アース遮蔽体７が矢印で示
す方向にディスク２に近接した位置から持ち上げられ
る。
図面に示すようにその最低箇所に位置決めされてガラス
ディスク２の上面と遮蔽体７の下面との間に約３ｍｍよ
り大きくない実質的に均一な隙間を形成する。このよう
な隙間は、アルゴンのイオン化が起こらず、それによ
り、遮蔽体７が工程の最初の部分中フォトレジストコー
テングを「保護」する「陰極暗部」を表す。従って、室
内に形成されたプラズマ中に存在するアルゴンイオンは
露出したニッケルバナジウム合金を衝撃し、合金コーテ
ィングをガラスディスク２の表面からスパッターさせ
る。方法の第２の部分で、アルゴンが室から取り出さ
れ、酸素ガス、例えば１０ｓｃｃｍ及び１ｓｃｃｍの四
フッ化炭素が室に導入され、アース遮蔽体７が矢印で示
す方向にディスク２に近接した位置から持ち上げられ
る。
【００１１】方法のこの部分では、一般的には、高い等
級のガラスの表面品質に影響を及ぼすことなくガラスデ
ィスク２からフォトレジストコーテングを除去し、従っ
て、ガラスが再使用できる。
級のガラスの表面品質に影響を及ぼすことなくガラスデ
ィスク２からフォトレジストコーテングを除去し、従っ
て、ガラスが再使用できる。
【図１】本発明の方法を実施するための装置の概略図で
ある。
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】 物品の表面から別々の金属コーティング
及びフォトレジストコーテイングを除去する方法であっ
て、 排気した室内でフォトレジストコーティングを酸素及び
又は四フッ化炭素プラズマで処理し、 酸素及び又は四フッ化炭素を含有しない排気した室内で
金属コーティングを不活性ガスプラズマで処理すること
からなり、金属コーティング処理が先ず起こる場合に
は、フォトレジストコーティングがアース遮蔽体で保護
されることを特徴とする上記方法。 - 【請求項２】 不活性ガスプラズマはアルゴンで形成さ
れる、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 金属コーティング処理が先ず行われる、
請求項１又は２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9603295:8 | 1996-02-16 | ||
| GBGB9603295.8A GB9603295D0 (en) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | Process and apparatus for surface cleaning |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027387A true JPH1027387A (ja) | 1998-01-27 |
Family
ID=10788886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3217497A Pending JPH1027387A (ja) | 1996-02-16 | 1997-02-17 | 表面クリーニング方法及び装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0790533A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1027387A (ja) |
| GB (1) | GB9603295D0 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6959446B2 (en) | 2002-03-07 | 2005-10-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY134099A (en) * | 2000-11-28 | 2007-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic transferring method, and method and apparatus for cleaning magnetic transfer master medium |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2237311B1 (ja) * | 1973-07-12 | 1977-05-13 | Ibm France | |
| US4534921A (en) * | 1984-03-06 | 1985-08-13 | Asm Fico Tooling, B.V. | Method and apparatus for mold cleaning by reverse sputtering |
| CA1281307C (en) * | 1985-04-01 | 1991-03-12 | Allan R. Knoll | Method of plasma etching a substrate with a gaseous organohalide compound |
| WO1995007152A1 (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-16 | Uvtech Systems, Inc. | Surface processing |
-
1996
- 1996-02-16 GB GBGB9603295.8A patent/GB9603295D0/en active Pending
-
1997
- 1997-02-10 EP EP97300845A patent/EP0790533A3/en not_active Ceased
- 1997-02-17 JP JP3217497A patent/JPH1027387A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6959446B2 (en) | 2002-03-07 | 2005-10-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US6961951B2 (en) | 2002-03-07 | 2005-11-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US7305690B2 (en) | 2002-03-07 | 2007-12-04 | Fujifilm Corporation | Optical information recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB9603295D0 (en) | 1996-04-17 |
| EP0790533A3 (en) | 1997-09-17 |
| EP0790533A2 (en) | 1997-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5022979A (en) | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma | |
| JP4828782B2 (ja) | 中空カソードターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0670273B2 (ja) | 半導体ウェーハの裏面及び端縁から付着物を除去するための方法及び装置 | |
| GB2355019A (en) | High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions | |
| KR20050029223A (ko) | Ｐｖｄ 타겟 및 타겟의 처리방법 | |
| JPH10195644A (ja) | スパッタチャンバ及びスッパタターゲット | |
| JPH0449523A (ja) | 磁気記録媒体の製造法及びその装置 | |
| US5851252A (en) | Method of forming mold release film and making a glass optical element | |
| US6258219B1 (en) | Two-step deposition process for preventing arcs | |
| JPH1027387A (ja) | 表面クリーニング方法及び装置 | |
| EP0730266A3 (en) | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk | |
| JPS63274295A (ja) | 音響機器用振動板の製造方法 | |
| JP2581300B2 (ja) | 誘電体膜の製造方法 | |
| JPH02303371A (ja) | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 | |
| JP3078853B2 (ja) | 酸化膜形成方法 | |
| JPH0770771A (ja) | 物理蒸着室中のシールドの清浄方法 | |
| JPS62188777A (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| JPS60228675A (ja) | タングステンのデポジシヨン方法 | |
| JPH06172987A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH07252655A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2012109472A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2000319776A (ja) | スパッタリング用ターゲットとこれを用いたカラーフィルタ用ブラックマトリクスの製造方法 | |
| CN115404437A (zh) | 溅射方法和溅射设备 | |
| JP2000319777A (ja) | スパッタリング用ターゲットとこれを用いたカラーフィルタ用ブラックマトリクスの製造方法 | |
| JPH108248A (ja) | 光ディスク用のスタンパーおよびその作製方法 |