JPH10275309A

JPH10275309A - 磁気抵抗効果型ヘッド

Info

Publication number: JPH10275309A
Application number: JP7839397A
Authority: JP
Inventors: Yukihiko Takita; 幸彦瀧田
Original assignee: Sankyo Seiki Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Nidec Instruments Corp
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1997-03-28
Publication date: 1998-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】ヘッド寿命を長期化する。【解決手段】磁気カードの磁気ストライプ等の磁気記
録媒体２に形成された着磁データの着磁間隔が短間隔ま
たは長間隔の所定間隔に定められたデータを読み取るた
めの磁気抵抗効果型ヘッド１において、着磁データの磁
束のうち着磁方向Ｍと平行な方向の水平成分を検出する
ように磁気記録媒体２と平行に磁気抵抗効果素子３を配
置すると共に、磁気抵抗効果素子３の着磁方向Ｍに関す
る両側に磁気抵抗効果素子３の着磁方向Ｍの中央から短
間隔の着磁間隔と同等若しくはそれより短い距離だけ離
隔させたシールド板４を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体のデ
ータの読み取りを行う磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
さらに詳述すると、本発明は、磁気抵抗効果型ヘッドの
磁気抵抗効果素子の形状やその周辺部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気カードや磁気ディスク等の磁気記録
媒体上に記録された磁気情報を読み取る磁気ヘッドとし
て磁気抵抗効果型のものが知られている。近年では磁気
記録媒体における記録密度の高密度化を図るため、図１
２に示すような磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ素子」と
いう）１０１が磁気記録媒体、例えば磁気カードの磁気
ストライプ１０２と垂直になるいわゆる垂直型の磁気抵
抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」という）１０３が
使用されている。この垂直型のＭＲヘッド１０３では、
ＭＲ素子１０１を磁気ストライプ１０２に垂直に配置す
ると共に、ＭＲ素子１０１の長手方向を磁気ストライプ
１０２の幅方向と平行にしている。そして、ＭＲヘッド
１０３を磁気ストライプ１０２に沿って摺接させて磁気
情報を読み取る。

【０００３】ここで、磁気ストライプ１０２には、図１
３に示すように１組のＳ極及びＮ極を有する着磁データ
が磁気ストライプ１０２の長手方向に沿って多数着磁さ
れている。着磁データには例えば図１１に示すように長
間隔と長間隔の半分の間隔である短間隔との２種類があ
り、これらの組み合わせにより磁気情報が形成される。

【０００４】そして、垂直型のＭＲ素子１０１は、磁気
ストライプ１０２上の各着磁データのＳ極とＮ極間に生
ずる磁束の磁気ストライプ１０２に対して垂直な成分
（垂直磁束）を感磁する。これにより、磁気ストライプ
１０２の磁気情報を読み取ることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、垂直型
のＭＲヘッド１０３では垂直磁束を感磁するので、ＭＲ
素子１０１を磁気ストライプ１０２に極めて近接させて
使用しなければならない。これは、垂直磁束は磁気スト
ライプ１０２の近傍にしか発生しないので、ＭＲ素子１
０１を磁気ストライプ１０２から離すと垂直方向の磁束
を感磁できないからである。このため、ＭＲ素子１０１
と磁気ストライプ１０２との間にある例えばガラス保護
膜を薄くしなければならないので、このガラス保護膜が
磁気ストライプ１０２との摺接によりすぐに摩耗してＭ
Ｒ素子１０１が露出してしまい、ヘッド寿命を長くする
のが困難であった。

【０００６】そこで、本発明は、ヘッド寿命を長期化で
きる磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに請求項１の発明は、磁気記録媒体に形成された着磁
データの着磁間隔が短間隔または長間隔の所定間隔に定
められたデータを読み取るための磁気抵抗効果型ヘッド
において、着磁データの磁束のうち着磁方向と平行な方
向の水平成分を検出するように磁気記録媒体と平行に磁
気抵抗効果素子を配置すると共に、磁気抵抗効果素子の
着磁方向に関する両側に磁気抵抗効果素子の着磁方向の
中央から短間隔の着磁間隔と同等若しくはそれより短い
距離だけ離隔させたシールド板を設けてなるようにして
いる。

【０００８】したがって、磁気抵抗効果素子が着磁デー
タの水平成分を検出するので、磁気抵抗効果素子と磁気
記録媒体との間隔を大きくとることができる。これは、
着磁データの水平磁束は垂直磁束に比べて磁気記録媒体
から離れた所にも存在するからである。このため、ヘッ
ド面が摩耗して磁気抵抗効果素子が露出するまでに長期
間を要するので、ヘッド寿命が長期化される。

【０００９】そして、磁気抵抗効果素子が短間隔の着磁
データと長間隔の着磁データとの間の磁極位置にあると
きは、短間隔の着磁データの磁気抵抗効果素子から離れ
た方の磁極がシールド板により覆われるので、短間隔の
着磁データの磁束の一部がシールド板を経るため磁気抵
抗効果素子により感磁される磁束の割合が小さくなると
共に隣接する次の短間隔の着磁データの磁極からの磁束
を磁気抵抗効果素子に引き込まない。また、このとき長
間隔の着磁データの一部がシールド板により覆われるの
で、長間隔の着磁データの磁束の大部分がシールド板を
経て磁気抵抗効果素子により感磁される。これにより、
磁気抵抗効果素子の内部で各磁束の水平成分が打ち消し
合うので、磁極位置が高精度に検出される。

【００１０】また、請求項２の磁気抵抗効果型ヘッドで
は、磁気記録媒体は磁気カードであり、短間隔は長間隔
のほぼ１／２であり、磁気抵抗効果素子は着磁データの
水平成分を磁束検出するように磁気カードから離隔して
設けるようにしている。したがって、この磁気抵抗効果
型ヘッドにより磁気カードの磁気ストライプの着磁デー
タを読み取ることができる。そして、磁気抵抗効果素子
は着磁データの水平磁束を感磁するために磁気カードと
離隔しているので、これら磁気抵抗効果素子と磁気カー
ドとの間にガラス等から成る保護膜を設けることができ
る。

【００１１】さらに、請求項３の磁気抵抗効果型ヘッド
では、磁気抵抗効果素子の表面には保護膜を形成してあ
り、保護膜の表面を磁気カードに摺接させるようにして
いる。したがって、磁気抵抗効果素子が磁気カードに直
接接することはなく磁気抵抗効果素子の摩耗を生ずるこ
とはない。しかも、保護膜の材質として硬度の高いもの
を選択することができるので、磁気抵抗効果型ヘッドの
ヘッド寿命が長期化される。

【００１２】また、請求項４の磁気抵抗効果型ヘッドで
は、シールド板の表面よりも磁気抵抗効果素子の表面の
方を磁気カードから離隔させて設けるようにしている。
したがって、ヘッド面が摩耗してシールド板がヘッド面
に露出した場合でも、磁気抵抗効果素子はヘッド面から
離隔した位置にあり露出しない。このため、磁気抵抗効
果素子がヘッド面の摩耗によりヘッド面に露出するまで
長期間を要するので、ヘッド寿命が長期化される。

【００１３】さらに、請求項５の磁気抵抗効果型ヘッド
では、磁気抵抗効果素子は、着磁データの着磁方向と直
交する方向を長手方向として基板表面に膜形成される感
磁部と、感磁部の着磁方向と直交する方向の両側に形成
される接続端子部とを備えるようにしている。したがっ
て、磁気抵抗効果素子の感磁部が着磁データの磁束を感
磁して、接続端子部が検出回路に接続される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を図面に示す
実施の形態の一例に基づいて詳細に説明する。この発明
に係る磁気抵抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」とい
う）１は、図１に示すように、磁気記録媒体としての磁
気カードの磁気ストライプ２に形成された着磁データの
着磁間隔が短間隔または長間隔の所定間隔に定められた
データを読み取るためのものである。ここでの磁気情報
は、長間隔の着磁データを”０”データ部２ａとし、長
間隔の１／２の長さである短間隔の着磁データを”１”
データ部２ｂとして配置されて成るものとしている。

【００１５】ＭＲヘッド１は、着磁データの磁束のうち
着磁方向Ｍと平行な方向の水平成分を検出するように磁
気ストライプ２と平行に磁気抵抗効果素子（以下「ＭＲ
素子」という）３を配置するいわゆる水平型であると共
に、ＭＲ素子３の着磁方向Ｍに関する両側に該ＭＲ素子
３の着磁方向Ｍの中央から短間隔の着磁間隔と同等若し
くはそれより短い距離だけ離隔させたシールド板４，４
を設けて成るようにしている。

【００１６】ＭＲヘッド１は、図２に示すように、ＭＲ
素子３を備えたＭＲ基板５と、ＭＲ素子３に半田付けに
より接続したリード線６と、これらＭＲ基板５及びリー
ド線６を固定するヘッド本体７とを有している。ＭＲ基
板５は、図３（ａ）（ｂ）に示すように、読み取りを行
う磁気カードの磁気テープの３本の磁気ストライプ２，
２，２に重なる基板８と、その表面に形成されて各磁気
ストライプ２，２，２の対応する位置に配置される薄膜
のＭＲ素子３，３，３と、各ＭＲ素子３に近接して配置
されるシールド板４，４とを備えている。

【００１７】各ＭＲ素子３は、基板８にパーマロイが蒸
着されて成り、磁気ストライプ２の着磁方向Ｍと直交す
る方向を長手方向とする感磁部（図４及び図５中でハッ
チングにより示す）９と、感磁部９の両端に形成される
接続端子部１０，１０とを備えている。感磁部９の厚さ
は約３０ｎｍとしている。

【００１８】感磁部９の磁気ストライプ２の着磁方向Ｍ
の長さは、図１に示すように磁気ストライプ２の短間隔
の着磁間隔よりも短くしている。また、感磁部９の磁気
ストライプ２の着磁方向Ｍと直交する方向の長さは、図
３に示すように読み取りを行う磁気ストライプ２の幅よ
り短くしている。さらに、接続端子部１０，１０はスル
ーホール８ａにより基板８の裏側に連通して、リード線
６に半田付けされている。また、ＭＲヘッド１のヘッド
面１ａにはガラス製の保護膜１１が接着されている。こ
れにより、感磁部９が磁気ストライプ２に直接接するこ
とが防止される。

【００１９】各ＭＲ素子３の感磁部９の着磁方向Ｍの両
側には、図４及び図５に示すように感磁部９から所定間
隔を空けてシールド板４が配置されている。ここで、感
磁部９とシールド板４との間隔は読み取りを行う磁気ス
トライプ２の着磁間隔により設定される。すなわち、感
磁部９とシールド板４との間隔は、図１に示すように磁
部９が着磁データの磁極位置にあるときにシールド板４
が短間隔の着磁データの磁極位置を覆う長さとされる。

【００２０】ここで、本実施形態で使用される磁気カー
ドでは、３本の磁気ストライプ２，２，２の着磁データ
の記録密度を両端の２本の磁気ストライプ２，２で２１
０ＢＰＩ、中央の磁気ストライプ２で７５ＢＰＩとして
いる。このため、長間隔の着磁間隔は両端の磁気ストラ
イプ２で１２１μｍ、中央の磁気ストライプ２で３３９
μｍとなる。これにより、感磁部９の中央とシールド板
４との間隔は、両端のＭＲ素子３では約５０μｍとし、
中央のＭＲ素子３では約１６０μｍと設定している。

【００２１】また、シールド板４の着磁方向Ｍの長さ
は、感磁部９が磁極位置にあるときに長間隔の着磁デー
タの感磁部９から離れた方の磁極をシールド板４が覆う
長さであることが好ましい。これにより、長間隔の着磁
データの磁束のほとんどがシールド板４を経るからであ
る。

【００２２】一方、シールド板４は磁束を通し易い材質
とする。具体的にはパーマロイであることが好ましい。
また、シールド板４の厚さは、ＭＲ素子３と同等の厚さ
としている。さらに、図４及び図５に示すように、シー
ルド板４の感磁部９に向き合う辺の角部は約４５度に面
取りされている。また、この角部に向き合う接続端子部
１０，１０は約４５度に形成されている。このため、感
磁部９の着磁方向Ｍに直交する方向の長さの全域に対し
てシールド板４を向き合うように配置することができ
る。

【００２３】上述したＭＲヘッド１により磁気ストライ
プ２の磁気データを読み取る動作を説明する。図１に示
すように、ＭＲ素子３の感磁部９が長間隔の着磁データ
と短間隔の着磁データの間の磁極位置にあるときは、一
方のシールド板４が短間隔の着磁データの感磁部９から
離隔した方の磁極を覆うため、短間隔の着磁データの磁
束の一部がシールド板４を経て隣接する短間隔の着磁デ
ータ側に向かうので感磁部９に到達しない。そのため、
感磁部９が感磁する磁束は、シールド板４を設けない場
合に当該短間隔の着磁データの磁極間に生ずる磁束より
も小さくなる。そのことにより後に説明するシールド板
４を設けない場合と比べ、長間隔と短間隔との各着磁デ
ータの磁束がほぼ同じ強さとなり、ピークシフトは起こ
さない。これと共に、短間隔の着磁データに隣接する次
の短間隔の着磁データでは、当該着磁データの各磁極間
でのみ磁束が発生する。このため、この着磁データの磁
極からの磁束が感磁部９に引き込まれることはない。

【００２４】ところで、シールド板４を設けない場合
は、図１１に示すように、ＭＲ素子３と磁気ストライプ
２との間隔、即ちデプスが不適正であると磁束の水平成
分が打ち消し合う位置が着磁方向Ｍにずれるいわゆるピ
ークシフトを生じてしまう。

【００２５】例えばＭＲ素子３のデプス（この場合のデ
プスとは感磁部９と磁気カードとの間隔をいう）が適正
値より小さい場合は、着磁間隔の小さい１データ部２
ｂ，２ｂの着磁間隔が小さい（Ｓ極とＮ極の距離が近
い）ため、１データ部２ｂからの磁束の方が磁気ストラ
イプ２の近くに多く存在することにより０データ部２ａ
からの磁束より強いからと考えられる。このため、ＭＲ
素子３内で磁束の水平成分が打ち消し合う位置が、図中
想像線で示すように磁極位置よりも僅かに０データ部２
ａ側に寄った位置（３’）となってしまう。

【００２６】また、例えばＭＲ素子３のデプスが適正値
より大きい場合は、着磁間隔の大きい０データ部２ａか
らの磁束の方が強くなる。これは、０データ部２ａから
の磁束の方が磁気ストライプ２から離れた所に多く存在
するからと考えられる。このため、ＭＲ素子３内で磁束
の水平成分が打ち消し合う位置が、図中想像線で示すよ
うに磁極位置よりも僅かに１データ部２ｂ側に寄った位
置（３”）となってしまう。これらの場合、ＭＲ素子３
が磁極位置にあることを正確に検知できなくなり、磁気
情報の読み取り精度が劣化してしまう。

【００２７】これに対し、本実施形態のＭＲヘッド１で
はシールド板４，４を設けているので、感磁部９で感磁
する短間隔の着磁データによる磁束を小さくすることが
できる。よって、デプスが小さい場合でもＭＲ素子３が
磁極位置にあることをほぼ正確に検知できる。このた
め、ＭＲヘッド１が動作可能なデプスを広げることがで
き、長寿命ヘッドが実現可能となる。

【００２８】ここで、ＭＲ素子３の内部では、各磁束の
磁束線が反対方向を向くので水平成分が打ち消し合い、
感磁部９により磁束がほとんど感磁されない。このた
め、ＭＲ素子３の抵抗値が大きくなる。ここで、定電流
回路にてＭＲヘッド１を動作させると、電圧Ｅ＝電流Ｉ
×抵抗Ｒの関係で電流Ａが一定であることから、ＭＲ素
子３の抵抗値が大きくなることにより電圧Ｅが大きくな
ることになる。図１に示すように、磁気ストライプ２の
磁極位置では電圧Ｅがピークとなるので、電圧Ｅのピー
クを検出することにより磁極位置を得ることができる。
そして、この検出された磁極位置の間隔を基にして０デ
ータ部２ａと１データ部２ｂとを判別して磁気情報の読
み取りを行う。

【００２９】このＭＲヘッド１によれば、ＭＲ素子３を
磁気ストライプ２と平行に配置して着磁データの水平磁
束を感磁するようにしたので、ＭＲ素子３のデプスを大
きくとることができる。このため、ヘッド面１ａが摩耗
してＭＲ素子３が露出するまでに長期間を要するので、
ヘッド寿命を長期化することができる。

【００３０】また、ＭＲ素子３が磁極位置にあるときに
シールド板４，４により長間隔と短間隔の着磁データか
ら感磁部９が感磁する磁束をほぼ同じ強さとすると共
に、短間隔の着磁データに隣接する次の着磁データから
の磁束が感磁部９に引き込まれることはない。これによ
り、各着磁データからＭＲ素子３に引き込まれる水平磁
束をほぼ同等の大きさとすることができるデプス範囲を
広げることができる。このため、ＭＲヘッド１を長期間
使用することによりヘッド面１ａが摩耗してＭＲ素子３
が磁気ストライプ２に近接しても、ピークシフトを生ず
ることなく高精度に磁気情報の読み取りを行うことがで
きる。

【００３１】ここで、ＭＲヘッド１の製造工程を説明す
る。図６に示すように、ヘッド本体７にＭＲ基板５やリ
ード線６を内蔵させる。そして、このヘッド本体７のヘ
ッド面１ａ側にガラス製の保護膜１１を接着する。さら
に、この保護膜１１を接着した部分を円筒研磨する。こ
れにより、ＭＲヘッド１が完成される。

【００３２】なお、上述の実施形態は本発明の好適な実
施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発
明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能で
ある。例えば、本実施形態では、シールド板４の厚さを
図１に示すようにＭＲ素子３の厚さと同等としている
が、これに限られず図７に示すようにＭＲ素子３のデプ
スと同等の厚さとすることができる。この場合、ＭＲ素
子３をヘッド面から大きく離隔した位置に設置すると共
に、シールド板４をＭＲ素子３の設置位置からヘッド面
の近傍にまで占位する位置に設置する。

【００３３】この実施形態によっても、ＭＲ素子３のデ
プスを大きくとることができるので、ヘッド寿命を長期
化することができる。また、ＭＲ素子３が磁極位置にあ
るときにシールド板４により短間隔と長間隔の着磁デー
タからの磁束をほぼ同じ強さとすることができると共に
短間隔の着磁データに隣接する次の着磁データからの磁
束が感磁部９に引き込まれることはない。これにより、
各着磁データからＭＲ素子３に引き込まれる水平磁束を
同等の大きさとすることができるデプス範囲を広くする
ことができ、ＭＲヘッド１を長期間使用することにより
ヘッド面１ａが摩耗してＭＲ素子３が磁気ストライプ２
に近接してもピークシフトを生ずることなく高精度に磁
気情報の読み取りを行うことができる。

【００３４】

【実施例】図１に示すＭＲヘッド１について、図８に示
すように感磁部９の着磁方向Ｍの長さを２０μｍとし、
感磁部９の着磁方向Ｍと直交する方向の長さを０．８ｍ
ｍとし、感磁部９の厚さを３０ｎｍとした場合のピーク
シフト量の測定を行った。この測定は、シールド板４を
設けた場合と設けない場合とについて行い、このうち設
けた場合は感磁部９とシールド板４との間隔を４０μｍ
とした。測定結果を図９に示す。

【００３５】同図に示すように、ピークシフト量の適正
値を０．９５〜１．０５とした場合は、シールド板４を
設けないとデプス１０〜５０μｍで不適正なピークシフ
ト量となり、シールド板４を設けるとデプス０〜５０μ
ｍで適正なピークシフト量となった。したがって、シー
ルド板４を設けることにより、ＭＲヘッドとして実用上
十分なデプスの範囲でピークシフト量の適正値を得られ
ることが判明した。

【００３６】また、図９に示す測定と同条件で磁気情報
の０と１との分解能の測定を行った。この測定結果を図
１０に示す。同図に示すように、シールド板４の有無に
拘わらずほぼ同等の分解能を得られることが判明した。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、請求項
１の磁気抵抗効果型ヘッドは、着磁データの磁束のうち
着磁方向と平行な方向の水平成分を検出するように磁気
記録媒体と平行に磁気抵抗効果素子を配置するので、磁
気記録媒体と磁気抵抗効果素子との間隔を大きくとるこ
とができる。このため、ヘッド面が摩耗して磁気抵抗効
果素子が露出するまでに長期間を要するので、ヘッド寿
命を長期化することができる。

【００３８】また、請求項１の磁気抵抗効果型ヘッド
は、磁気抵抗効果素子の着磁方向に関する両側に磁気抵
抗効果素子の着磁方向の中央から短間隔の着磁間隔と同
等若しくはそれより短い距離だけ離隔させたシールド板
を設けてなるようにしているので、磁気抵抗効果素子が
短間隔の着磁データと長間隔の着磁データとの間の磁極
位置にあるときに各着磁データから磁気抵抗効果素子に
引き込まれる水平磁束をほぼ同等の大きさとすることが
できる。このため、磁気抵抗効果素子の内部で各磁束の
水平成分が打ち消し合うので、磁気抵抗効果素子と磁気
記録媒体との間隔に拘わらず磁極位置を高精度に検出す
ることができる。したがって、この磁気抵抗効果型ヘッ
ドを長期間使用して磁気抵抗効果素子のデプスが小さく
なっても、磁極位置を高精度に検出して磁気情報の高精
度な読み取りを行うことができる。

【００３９】そして、請求項２の磁気抵抗効果型ヘッド
では、磁気記録媒体は磁気カードであり、短間隔は長間
隔のほぼ１／２であり、磁気抵抗効果素子は着磁データ
の水平成分を磁束検出するように磁気カードから離隔し
て設けるようにしているので、磁気カードの磁気ストラ
イプの着磁データを読み取ることができる。また、磁気
抵抗効果素子は着磁データの水平磁束を感磁するために
磁気カードと離隔しているので、これら磁気抵抗効果素
子と磁気カードとの間にガラス等から成る保護膜を設け
ることができる。これにより、ヘッド面の摩耗量を減ら
してヘッド寿命を長期化できる。

【００４０】また、請求項３の磁気抵抗効果型ヘッドで
は、磁気抵抗効果素子の表面には保護膜を形成してあ
り、保護膜の表面を磁気カードに摺接させるようにして
いるので、磁気抵抗効果素子が磁気カードに直接接する
ことはなく磁気抵抗効果素子の摩耗を防止することがで
きる。しかも、保護膜の材質として硬度の高いものを選
択することができるので、磁気抵抗効果型ヘッドのヘッ
ド寿命を長期化することができる。

【００４１】さらに、請求項４の磁気抵抗効果型ヘッド
では、シールド板の表面よりも磁気抵抗効果素子の表面
の方を磁気カードから離隔させて設けるようにしている
ので、ヘッド面が摩耗してシールド板がヘッド面に露出
した場合でも、磁気抵抗効果素子はヘッド面から離隔し
た位置にあり露出しない。このため、磁気抵抗効果素子
がヘッド面の摩耗によりヘッド面に露出するまで長期間
を要するので、ヘッド寿命を長期化することができる。

【００４２】また、請求項５の磁気抵抗効果型ヘッドで
は、磁気抵抗効果素子は、着磁データの着磁方向と直交
する方向を長手方向として基板表面に膜形成される感磁
部と、感磁部の着磁方向と直交する方向の両側に形成さ
れる接続端子部とを備えるようにしているので、磁気抵
抗効果素子の感磁部が着磁データの磁束を感磁すると共
に接続端子部を検出回路に接続することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの感磁部とシー
ルド板と磁気記録媒体とを示す側面図である。

【図２】磁気抵抗効果型ヘッドのヘッド面付近を示す側
面図である。

【図３】磁気抵抗効果型ヘッドのＭＲ基板を示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。

【図４】磁気抵抗効果素子とシールド板とを示す平面図
である。

【図５】磁気抵抗効果素子とシールド板とを示す平面図
である。

【図６】磁気抵抗効果型ヘッドを製造する状態を示す平
面図である。

【図７】磁気抵抗効果型ヘッドの他の実施形態を示す側
面図である。

【図８】測定に使用した磁気抵抗効果素子の各部寸法を
示す斜視図である。

【図９】デプスとピークシフト量との関係を示すグラフ
である。

【図１０】デプスと分解能との関係を示すグラフであ
る。

【図１１】シールド板を有しない水平型の磁気抵抗効果
型ヘッドの磁気抵抗効果素子と磁気記録媒体とを示す側
面図である。

【図１２】従来の垂直型の磁気抵抗効果型ヘッドを示す
斜視図である。

【図１３】従来の垂直型の磁気抵抗効果素子と磁気記録
媒体とを示す側面図である。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）２磁気ストライプ（磁気記録媒体）３ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）４シールド板８基板９感磁部１０接続端子部１１保護膜Ｍ着磁方向

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体に形成された着磁データの
着磁間隔が短間隔または長間隔の所定間隔に定められた
データを読み取るための磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、前記着磁データの磁束のうち着磁方向と平行な方向
の水平成分を検出するように前記磁気記録媒体と平行に
磁気抵抗効果素子を配置すると共に、前記磁気抵抗効果
素子の着磁方向に関する両側に前記磁気抵抗効果素子の
着磁方向の中央から前記短間隔の着磁間隔と同等若しく
はそれより短い距離だけ離隔させたシールド板を設けて
なることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】前記磁気記録媒体は磁気カードであり、
前記短間隔は前記長間隔のほぼ１／２であり、前記磁気
抵抗効果素子は前記着磁データの水平成分を磁束検出す
るように前記磁気カードから離隔して設けることを特徴
とする請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】前記磁気抵抗効果素子の表面には保護膜
を形成してあり、前記保護膜の表面を前記磁気カードに
摺接させることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効
果型ヘッド。
【請求項４】前記シールド板の表面よりも前記磁気抵
抗効果素子の表面の方を前記磁気カードから離隔させて
設けることを特徴とする請求項２または３記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。
【請求項５】前記磁気抵抗効果素子は、前記着磁デー
タの着磁方向と直交する方向を長手方向として基板表面
に膜形成される感磁部と、前記感磁部の前記着磁方向と
直交する方向の両側に形成される接続端子部とを備える
ことを特徴とする請求項１から４までのいずれかに記載
の磁気抵抗効果型ヘッド。