JPH10275562A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH10275562A JPH10275562A JP9079575A JP7957597A JPH10275562A JP H10275562 A JPH10275562 A JP H10275562A JP 9079575 A JP9079575 A JP 9079575A JP 7957597 A JP7957597 A JP 7957597A JP H10275562 A JPH10275562 A JP H10275562A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】対向三電極面放電型ＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルにおいて、多段のフィルタの設置やパネル破損
時の安全性を図る上で設ける透明安全板の設置による輝
度の低下を補償するための輝度の向上を図る。 【解決手段】表示側基板内および背面側基板内に、放電
空間側における極性が逆極性になる磁性層を形成し、基
板面に垂直な磁界の成分を形成し、又は、隔壁全体に磁
性を持たせ又は隔壁頂部の表示電極部と交差する位置に
磁性膜を形成し順次逆極性になるように設定し、表示電
極の長手方向に平行な磁界の成分を形成する。
イパネルにおいて、多段のフィルタの設置やパネル破損
時の安全性を図る上で設ける透明安全板の設置による輝
度の低下を補償するための輝度の向上を図る。 【解決手段】表示側基板内および背面側基板内に、放電
空間側における極性が逆極性になる磁性層を形成し、基
板面に垂直な磁界の成分を形成し、又は、隔壁全体に磁
性を持たせ又は隔壁頂部の表示電極部と交差する位置に
磁性膜を形成し順次逆極性になるように設定し、表示電
極の長手方向に平行な磁界の成分を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネルに関する。
イパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１（ａ）は従来の対向３電極面放電型
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要部の断面図、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図であ
る。表示面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本の平行な表
示電極１７を対として形成し、この平行電極間に交流電
圧を印加し面放電を行う。各表示電極はＩＴＯ等の透明
電極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等からなるバス電極３
により構成され、これらの表示電極上１７に誘電体層４
と保護膜（ＭｇＯ）５を設ける。一方、対向する背面側
のガラス基板９上には、表示電極１７と直交する方向に
アドレス電極８を構成する。これらのアドレス電極８上
に誘電体層７を設け、その上に各アドレス電極間に位置
するように隔壁６を形成する。隔壁の側面と底にはＲ，
Ｇ，Ｂの蛍光体１６を塗り分けて形成する。２枚のガラ
ス基板間の放電空間にはＮｅ−Ｘｅの混合ガスを封入
し、放電時のＸｅから放出される波長１４７ｎｍの紫外
光が蛍光体を励起する。励起された蛍光体はＲ，Ｇ，Ｂ
の可視光を放射し表面側基板より出光することによりフ
ルカラーとして視認される。このようなパネル構造は、
例えば、特開昭５５ー１１３２３７号公報および富士通
技報（０７．１９９６）３３９ページに記載されてい
る。
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの要部の断面図、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図であ
る。表示面側のガラス基板１上にＸ，Ｙ２本の平行な表
示電極１７を対として形成し、この平行電極間に交流電
圧を印加し面放電を行う。各表示電極はＩＴＯ等の透明
電極２とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｇ等からなるバス電極３
により構成され、これらの表示電極上１７に誘電体層４
と保護膜（ＭｇＯ）５を設ける。一方、対向する背面側
のガラス基板９上には、表示電極１７と直交する方向に
アドレス電極８を構成する。これらのアドレス電極８上
に誘電体層７を設け、その上に各アドレス電極間に位置
するように隔壁６を形成する。隔壁の側面と底にはＲ，
Ｇ，Ｂの蛍光体１６を塗り分けて形成する。２枚のガラ
ス基板間の放電空間にはＮｅ−Ｘｅの混合ガスを封入
し、放電時のＸｅから放出される波長１４７ｎｍの紫外
光が蛍光体を励起する。励起された蛍光体はＲ，Ｇ，Ｂ
の可視光を放射し表面側基板より出光することによりフ
ルカラーとして視認される。このようなパネル構造は、
例えば、特開昭５５ー１１３２３７号公報および富士通
技報（０７．１９９６）３３９ページに記載されてい
る。
【０００３】特開平４−１６０７３３号公報には、一対
のガラス基板をスペーサを介して対向配置し、格子状に
対向する電極の交点で画定される表示セルから構成され
るドットマトリクス表示方式のＰＤＰにおいて、スペー
サが永久磁石より成り、それぞれの磁極の方向を一方向
に揃え表示セルを挟むように配置されたＰＤＰが記載さ
れている。
のガラス基板をスペーサを介して対向配置し、格子状に
対向する電極の交点で画定される表示セルから構成され
るドットマトリクス表示方式のＰＤＰにおいて、スペー
サが永久磁石より成り、それぞれの磁極の方向を一方向
に揃え表示セルを挟むように配置されたＰＤＰが記載さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、今後
の更なる高精細化を図る上で課題となる輝度の向上、お
よび、有害電磁波を遮断するために設ける多段のフィル
タの設置やパネル破損時の安全性を図る上での設ける透
明安全板の設置による輝度の低下を補償するための輝度
の向上を図ることにある。
の更なる高精細化を図る上で課題となる輝度の向上、お
よび、有害電磁波を遮断するために設ける多段のフィル
タの設置やパネル破損時の安全性を図る上での設ける透
明安全板の設置による輝度の低下を補償するための輝度
の向上を図ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＰＤＰは、上記
課題を解決するため、ガス空間を挟んで対向配置する基
板の一方の基板に、誘電体層により被覆された複数のＸ
電極及びＹ電極からなる表示電極を配列し、他方の基板
には前記表示電極と直交する方向にアドレス電極，隔
壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネルにお
いて、前記ガス空間内に基板面に垂直な磁界の成分を形
成するように磁性層を形成し、または、前記ガス空間内
に前記表示電極の長手方向に平行な磁界の成分を形成す
るように磁性層を形成することとした。放電中の荷電粒
子にその運動方向と直角な磁界を印加した場合には、荷
電粒子はローレンツ力を受け偏向し、いわゆるサイクロ
トロン運動を行い荷電粒子の衝突回数が増大しプラズマ
密度が高まり、その結果プラズマからの発光強度が増大
し蛍光体の励起が増大する。本発明の磁性層の配置は以
下の通りである。すなわち、基板面に垂直な磁界の成分
を形成する際は、表示側基板では、Ｘ，Ｙの表示電極対
の少なくとも一方の電極上に透明電極幅よりも幅の狭い
導体又は非導体の磁性層を形成し、背面側基板では、図
２〜図４に示すように、隔壁間の蛍光体の下部に隣接し
て導体又は非導体の磁性膜を形成する、又は、ガラス基
板上のアドレス電極を被覆するように非導体の磁性膜を
形成する、又は、アドレス電極を被覆する誘電体層上に
隣接して導体又は非導体の磁性膜を形成する。表示側基
板上の磁性膜と裏面側基板上の磁性膜とは逆極性になる
ように磁極を設定する。表示電極の長手方向に平行な磁
界の成分を形成する際は、図５及び図６に示すように、
隔壁全体に磁性を持たせ順次逆極性になるように設定す
る、または、隔壁頂部の表示電極部と交差する位置に磁
性膜を形成し順次逆極性になるように設定する。
課題を解決するため、ガス空間を挟んで対向配置する基
板の一方の基板に、誘電体層により被覆された複数のＸ
電極及びＹ電極からなる表示電極を配列し、他方の基板
には前記表示電極と直交する方向にアドレス電極，隔
壁，蛍光体を形成したプラズマディスプレイパネルにお
いて、前記ガス空間内に基板面に垂直な磁界の成分を形
成するように磁性層を形成し、または、前記ガス空間内
に前記表示電極の長手方向に平行な磁界の成分を形成す
るように磁性層を形成することとした。放電中の荷電粒
子にその運動方向と直角な磁界を印加した場合には、荷
電粒子はローレンツ力を受け偏向し、いわゆるサイクロ
トロン運動を行い荷電粒子の衝突回数が増大しプラズマ
密度が高まり、その結果プラズマからの発光強度が増大
し蛍光体の励起が増大する。本発明の磁性層の配置は以
下の通りである。すなわち、基板面に垂直な磁界の成分
を形成する際は、表示側基板では、Ｘ，Ｙの表示電極対
の少なくとも一方の電極上に透明電極幅よりも幅の狭い
導体又は非導体の磁性層を形成し、背面側基板では、図
２〜図４に示すように、隔壁間の蛍光体の下部に隣接し
て導体又は非導体の磁性膜を形成する、又は、ガラス基
板上のアドレス電極を被覆するように非導体の磁性膜を
形成する、又は、アドレス電極を被覆する誘電体層上に
隣接して導体又は非導体の磁性膜を形成する。表示側基
板上の磁性膜と裏面側基板上の磁性膜とは逆極性になる
ように磁極を設定する。表示電極の長手方向に平行な磁
界の成分を形成する際は、図５及び図６に示すように、
隔壁全体に磁性を持たせ順次逆極性になるように設定す
る、または、隔壁頂部の表示電極部と交差する位置に磁
性膜を形成し順次逆極性になるように設定する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００７】図２（ａ）は本発明の１実施例のＰＤＰ１
の構造の要部の断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−
Ａ‘線に沿った断面図である。表示側基板は、ガラス基
板１、ガラス基板上に形成される帯状の透明電極２、透
明電極上に形成されたバス電極３、バス電極上に形成さ
れた磁性層１０、透明電極２とバス電極３と磁性層１０
とで構成される表示電極１７の上に形成される誘電体層
４と保護膜（ＭｇＯ）５から構成される。背面側基板
は、ガラス基板９、ガラス基板９上に形成されるアドレ
ス電極８、アドレス電極８を被覆する誘電体層７、誘電
体層７上にアドレス電極間に位置するように形成された
隔壁６、隔壁の側面と底に形成された磁性層１１、磁性
層１１上に形成された蛍光体１６により構成される。磁
性層１０，１１は導体又は非導体のどちらでも良い。磁
性層１０と磁性層１１のガス放電側の磁極は逆極性であ
り、磁性層１０がＮ極で磁性層１１がＳ極の際には、ガ
ス放電空間内の磁界は表示基板から背面基板側へ発生
し、、磁性層１０がＳ極で磁性層１１がＮ極の際には、
ガス放電空間内の磁界は背面基板側から表示基板へ発生
する。このように基板に垂直な磁界を発生させることに
より、表示電極間での放電の際には荷電粒子は磁界によ
り偏向され衝突回数が増大しプラズマ密度が高まり、発
光強度が増大する。
の構造の要部の断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−
Ａ‘線に沿った断面図である。表示側基板は、ガラス基
板１、ガラス基板上に形成される帯状の透明電極２、透
明電極上に形成されたバス電極３、バス電極上に形成さ
れた磁性層１０、透明電極２とバス電極３と磁性層１０
とで構成される表示電極１７の上に形成される誘電体層
４と保護膜（ＭｇＯ）５から構成される。背面側基板
は、ガラス基板９、ガラス基板９上に形成されるアドレ
ス電極８、アドレス電極８を被覆する誘電体層７、誘電
体層７上にアドレス電極間に位置するように形成された
隔壁６、隔壁の側面と底に形成された磁性層１１、磁性
層１１上に形成された蛍光体１６により構成される。磁
性層１０，１１は導体又は非導体のどちらでも良い。磁
性層１０と磁性層１１のガス放電側の磁極は逆極性であ
り、磁性層１０がＮ極で磁性層１１がＳ極の際には、ガ
ス放電空間内の磁界は表示基板から背面基板側へ発生
し、、磁性層１０がＳ極で磁性層１１がＮ極の際には、
ガス放電空間内の磁界は背面基板側から表示基板へ発生
する。このように基板に垂直な磁界を発生させることに
より、表示電極間での放電の際には荷電粒子は磁界によ
り偏向され衝突回数が増大しプラズマ密度が高まり、発
光強度が増大する。
【０００８】図３（ａ）は本発明の１実施例のＰＤＰ２
の構造の要部の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−
Ａ‘線に沿った断面図である。表示側基板の構成は図２
と同様である。背面側基板は、ガラス基板９、ガラス基
板９上に形成されるアドレス電極８、アドレス電極８を
被覆するように形成した磁性層１２、磁性層１２の上に
形成した誘電体層７、誘電体層７上にアドレス電極間に
位置するように形成された隔壁６、隔壁６の側面と底に
形成された蛍光体１６により構成される。磁性層１０は
導体又は非導体のどちらでも良いが、磁性層１２は非導
体にする必要がある。磁性層１０と磁性層１２のガス放
電側の磁極は逆極性であり、磁性層１０がＮ極で磁性層
１２がＳ極の際には、ガス放電空間内の磁界は表示基板
から背面基板側へ発生し、、磁性層１０がＳ極で磁性層
１２がＮ極の際には、ガス放電空間内の磁界は背面基板
側から表示基板へ発生する。このように基板に垂直な磁
界を発生させることにより、透明電極対間での放電の際
には荷電粒子は磁界により偏向され衝突回数が増大しプ
ラズマ密度が高まり、発光強度が増大する。
の構造の要部の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−
Ａ‘線に沿った断面図である。表示側基板の構成は図２
と同様である。背面側基板は、ガラス基板９、ガラス基
板９上に形成されるアドレス電極８、アドレス電極８を
被覆するように形成した磁性層１２、磁性層１２の上に
形成した誘電体層７、誘電体層７上にアドレス電極間に
位置するように形成された隔壁６、隔壁６の側面と底に
形成された蛍光体１６により構成される。磁性層１０は
導体又は非導体のどちらでも良いが、磁性層１２は非導
体にする必要がある。磁性層１０と磁性層１２のガス放
電側の磁極は逆極性であり、磁性層１０がＮ極で磁性層
１２がＳ極の際には、ガス放電空間内の磁界は表示基板
から背面基板側へ発生し、、磁性層１０がＳ極で磁性層
１２がＮ極の際には、ガス放電空間内の磁界は背面基板
側から表示基板へ発生する。このように基板に垂直な磁
界を発生させることにより、透明電極対間での放電の際
には荷電粒子は磁界により偏向され衝突回数が増大しプ
ラズマ密度が高まり、発光強度が増大する。
【０００９】図４（ａ）は本発明の１実施例のＰＤＰ３
の構造の要部の断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−
Ａ‘線に沿った断面図である。表示側基板の構成は図２
と同様である。背面側基板は、ガラス基板９、ガラス基
板９上に形成されるアドレス電極８、アドレス電極８を
被覆するように形成した誘電体層７、誘電体層７の上に
形成した磁性層１３、磁性層１３上にアドレス電極間に
位置するように形成された隔壁６、隔壁６の側面と底に
形成された蛍光体１６により構成される。磁性層１０，
１３は導体又は非導体のどちらでも良い。磁性層１０と
磁性層１３のガス放電側の磁極は逆極性であり、磁性層
１０がＮ極で磁性層１３がＳ極の際には、ガス放電空間
内の磁界は表示基板から背面基板側へ発生し、、磁性層
１０がＳ極で磁性層１３がＮ極の際には、ガス放電空間
内の磁界は背面基板側から表示基板へ発生する。このよ
うに基板に垂直な磁界を発生させることにより、透明電
極対間での放電の際には荷電粒子は磁界により偏向され
衝突回数が増大しプラズマ密度が高まり、発光強度が増
大する。
の構造の要部の断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−
Ａ‘線に沿った断面図である。表示側基板の構成は図２
と同様である。背面側基板は、ガラス基板９、ガラス基
板９上に形成されるアドレス電極８、アドレス電極８を
被覆するように形成した誘電体層７、誘電体層７の上に
形成した磁性層１３、磁性層１３上にアドレス電極間に
位置するように形成された隔壁６、隔壁６の側面と底に
形成された蛍光体１６により構成される。磁性層１０，
１３は導体又は非導体のどちらでも良い。磁性層１０と
磁性層１３のガス放電側の磁極は逆極性であり、磁性層
１０がＮ極で磁性層１３がＳ極の際には、ガス放電空間
内の磁界は表示基板から背面基板側へ発生し、、磁性層
１０がＳ極で磁性層１３がＮ極の際には、ガス放電空間
内の磁界は背面基板側から表示基板へ発生する。このよ
うに基板に垂直な磁界を発生させることにより、透明電
極対間での放電の際には荷電粒子は磁界により偏向され
衝突回数が増大しプラズマ密度が高まり、発光強度が増
大する。
【００１０】図５（ａ）は発明の１実施例のＰＤＰ４の
構造の要部の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ
‘線に沿った断面図である。表示側基板は、ガラス基板
１、ガラス基板１上に形成される帯状の透明電極２、透
明電極２上に形成されたバス電極３、透明電極２とバス
電極３で構成される表示電極１７の上に形成される誘電
体層４と保護膜（ＭｇＯ）５から構成される。背面側基
板は、ガラス基板９、ガラス基板９上に形成されるアド
レス電極８、アドレス電極８を被覆する誘電体層７、誘
電体層７上にアドレス電極間に位置するように形成され
た磁性隔壁１４、磁性隔壁１４の側面と底に形成された
蛍光体１６により構成される。磁性隔壁１４は導体又は
非導体のどちらでも良い。磁性隔壁１４のガス放電側の
磁極は順次逆極性であり、ガス放電空間内の磁界は磁性
隔壁１４の側面に垂直に発生し、表示電極１７の長手方
向に平行に発生する。このように表示電極１７の長手方
向に平行な磁界を発生させることにより、表示電極対間
での放電の際には荷電粒子は磁界により偏向され衝突回
数が増大しプラズマ密度が高まり、発光強度が増大す
る。
構造の要部の断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ
‘線に沿った断面図である。表示側基板は、ガラス基板
１、ガラス基板１上に形成される帯状の透明電極２、透
明電極２上に形成されたバス電極３、透明電極２とバス
電極３で構成される表示電極１７の上に形成される誘電
体層４と保護膜（ＭｇＯ）５から構成される。背面側基
板は、ガラス基板９、ガラス基板９上に形成されるアド
レス電極８、アドレス電極８を被覆する誘電体層７、誘
電体層７上にアドレス電極間に位置するように形成され
た磁性隔壁１４、磁性隔壁１４の側面と底に形成された
蛍光体１６により構成される。磁性隔壁１４は導体又は
非導体のどちらでも良い。磁性隔壁１４のガス放電側の
磁極は順次逆極性であり、ガス放電空間内の磁界は磁性
隔壁１４の側面に垂直に発生し、表示電極１７の長手方
向に平行に発生する。このように表示電極１７の長手方
向に平行な磁界を発生させることにより、表示電極対間
での放電の際には荷電粒子は磁界により偏向され衝突回
数が増大しプラズマ密度が高まり、発光強度が増大す
る。
【００１１】図６（ａ）は本発明の１実施例のＰＤＰ５
のである。表示側基板の構成は図５と同様である。背面
側基板は、ガラス基板９、ガラス基板９上に形成される
アドレス電極８、アドレス電極８を被覆する誘電体層
７、誘電体層７上にアドレス電極間に位置するように形
成された隔壁６、隔壁６の頂上部の表示電極および表示
電極の間隙に対応する場所に形成した磁性層１５、隔壁
６又は磁性層１５の側面と底に形成された蛍光体１６に
より構成される。磁性層１５は導体又は非導体のどちら
でも構わない。磁性層１５のガス放電側の磁極は順次逆
極性であり、ガス放電空間内の磁界は表示電極１７の長
手方向に平行に発生する。このように表示電極１７の長
手方向に平行な磁界を発生させることにより、表示電極
間での放電の際には荷電粒子は磁界により偏向され衝突
回数が増大しプラズマ密度が高まり、発光強度が増大す
る。
のである。表示側基板の構成は図５と同様である。背面
側基板は、ガラス基板９、ガラス基板９上に形成される
アドレス電極８、アドレス電極８を被覆する誘電体層
７、誘電体層７上にアドレス電極間に位置するように形
成された隔壁６、隔壁６の頂上部の表示電極および表示
電極の間隙に対応する場所に形成した磁性層１５、隔壁
６又は磁性層１５の側面と底に形成された蛍光体１６に
より構成される。磁性層１５は導体又は非導体のどちら
でも構わない。磁性層１５のガス放電側の磁極は順次逆
極性であり、ガス放電空間内の磁界は表示電極１７の長
手方向に平行に発生する。このように表示電極１７の長
手方向に平行な磁界を発生させることにより、表示電極
間での放電の際には荷電粒子は磁界により偏向され衝突
回数が増大しプラズマ密度が高まり、発光強度が増大す
る。
【００１２】本実施例では、表示側基板上に設けた磁性
層はバス電極上に形成したが、必ずしもそのようにする
必要はなく、表示側基板上に形成すれば有効である。導
電磁性層の材料は特に限定するものではなく、例えば、
ケイ素鋼、アモルファス合金、アルニコ系合金、希土類
コバルト系合金等である。非導電磁性層の材料も特に限
定するものではなく、例えば、磁性粉を含有した低融点
ガラスペーストを塗布し焼成により形成する材料、マン
ガン−亜鉛系フェライト、ニッケル−亜鉛系フェライ
ト、ストロンチウムフェライト等である。
層はバス電極上に形成したが、必ずしもそのようにする
必要はなく、表示側基板上に形成すれば有効である。導
電磁性層の材料は特に限定するものではなく、例えば、
ケイ素鋼、アモルファス合金、アルニコ系合金、希土類
コバルト系合金等である。非導電磁性層の材料も特に限
定するものではなく、例えば、磁性粉を含有した低融点
ガラスペーストを塗布し焼成により形成する材料、マン
ガン−亜鉛系フェライト、ニッケル−亜鉛系フェライ
ト、ストロンチウムフェライト等である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、対向３電極面放電型Ａ
Ｃ型プラズマディスプレイパネルにおいて表示の輝度を
高めることが可能になる。
Ｃ型プラズマディスプレイパネルにおいて表示の輝度を
高めることが可能になる。
【図１】従来の対向３電極面放電型ＡＣ型プラズマディ
スプレイパネル構造の要部の断面図。
スプレイパネル構造の要部の断面図。
【図２】本発明の１実施例の対向３電極面放電型ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ１構造の要部の断面
図。
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ１構造の要部の断面
図。
【図３】本発明の１実施例の対向３電極面放電型ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ２構造の要部の断面
図。
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ２構造の要部の断面
図。
【図４】本発明の１実施例の対向３電極面放電型ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ３構造の要部の断面
図。
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ３構造の要部の断面
図。
【図５】本発明の１実施例の対向３電極面放電型ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ４構造の要部の断面
図。
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ４構造の要部の断面
図。
【図６】本発明の１実施例の対向３電極面放電型ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ５構造の要部の断面
図。
プラズマディスプレイパネルＰＤＰ５構造の要部の断面
図。
１，９…ガラス基板、 ２…透明電極、 ３…バス電極、 ４，７…誘電体層、 ５…保護膜、 ６…隔壁、 ８…アドレス電極、 １０，１１，１２，１３，１５…磁性層、 １４…磁性隔壁、 １６…蛍光体、 １７…表示電極。
Claims (7)
- 【請求項１】ガス空間を挟んで対向配置する基板の一方
の基板に、誘電体層により被覆された複数のＸ電極及び
Ｙ電極からなる表示電極を配列し、他方の基板には前記
表示電極と直交する方向にアドレス電極，隔壁，蛍光体
を形成したプラズマディスプレイパネルにおいて、前記
ガス空間内に前記基板面に垂直な磁界の成分を形成する
ように磁性層を形成したことを特徴とするプラズマディ
スプレイパネル。 - 【請求項２】前記蛍光体に隣接して磁性体を設け、前記
Ｘ電極上及び前記Ｙ電極上の少なくとも一方に磁性層を
設け、前記ガス空間内に前記基板面に垂直な磁界の成分
を形成した請求項１に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項３】前記アドレス電極に隣接して磁性層を設
け、前記Ｘ電極上及び前記Ｙ電極上の少なくとも一方に
磁性層を設け、前記ガス空間内に前記基板面に垂直な磁
界の成分を形成した請求項１に記載のプラズマディスプ
レイパネル。 - 【請求項４】前記アドレス電極を被覆する前記誘電体層
上に隣接して磁性層を設け、前記Ｘ電極上及び前記Ｙ電
極上の少なくとも一方に前記磁性層を設け、前記ガス空
間内に前記基板面に垂直な磁界の成分を形成した請求項
１に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】ガス空間を挟んで対向配置する基板の一方
の基板に、誘電体層により被覆された複数のＸ電極及び
Ｙ電極からなる表示電極を配列し、他方の基板には前記
表示電極と直交する方向にアドレス電極，隔壁，蛍光体
を形成したプラズマディスプレイパネルにおいて、前記
ガス空間内に前記表示電極の長手方向に平行な磁界の成
分を形成するように磁性層を形成したことを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】前記隔壁を磁性体により形成し、前記ガス
空間内に前記表示電極の長手方向に平行な磁界の成分を
形成した請求項５に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項７】前記隔壁の頂上部の前記表示電極対および
電極対の間隙に対応する場所に磁性層を形成し、前記ガ
ス空間内に前記表示電極の長手方向に平行な磁界の成分
を形成した請求項５に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9079575A JPH10275562A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9079575A JPH10275562A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275562A true JPH10275562A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13693803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9079575A Pending JPH10275562A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10275562A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100437335B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-06-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 헬리콘 플라즈원을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100741769B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-07-24 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2010050047A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP9079575A patent/JPH10275562A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741769B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-07-24 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100437335B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-06-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 헬리콘 플라즈원을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP2010050047A (ja) * | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | プラズマディスプレイパネル |
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