JPH10275769A

JPH10275769A - 露光方法

Info

Publication number: JPH10275769A
Application number: JP9096445A
Authority: JP
Inventors: Masaya Komatsu; 雅也小松; Kyoichi Suwa; 恭一諏訪; Kazuo Ushida; 一雄牛田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-03-31
Filing date: 1997-03-31
Publication date: 1998-10-13
Also published as: US6610460B2; US20020177076A1

Abstract

(57)【要約】【課題】近接効果等の異なる投影露光用パターンによ
って形成された、基板上のレジスト寸法の相違を補正す
る。【解決手段】レジストを塗布した基板を提供する工程
と、第１の領域と第２の領域にそれぞれパターンを施し
た第１のマスクを提供する工程と、前記基板に前記第１
の領域と第２の領域のパターンを投影しそれぞれのパタ
ーンに対応する該基板の第１Ａの領域と第２Ａの領域を
露光する第１の露光工程と、前記第１の露光工程の後に
前記第２Ａの領域を再度露光する第２の露光工程を備え
る。第２Ａの領域を再度露光する第２の露光工程を備え
るので、第１の露光工程で第２Ａの領域に形成されたレ
ジストの寸法を第２の露光工程で補正することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジストを塗布し
た基板の露光方法に関し、特に、寸法や形状にばらつき
があるパターンを、レジストを塗布した基板上に投影露
光する場合に用いて好適な露光方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、例え
ばラインアンドスペースパターンと呼ばれるような、密
集した線状のパターンや、シングルラインと呼ばれるよ
うな、孤立した単独の線状パターンの形成されたマスク
を用いて、これらのパターンをフォトレジストの塗布さ
れた感光性基板に投影露光する必要がある。このとき、
マスク上のパターン線幅寸法が同じであり、また露光量
が同じであっても、フォトレジストを現像した後に得ら
れるレジストのパターン線幅は一般に異なる。

【０００３】このように、一般に半導体デバイスの製造
において用いられるフォトマスクは、近接効果が異なる
幾つかの領域から構成されている。例えば、ＤＲＡＭに
代表されるメモリ・デバイスにおいても、メモリ・セル
が繰り返して配置される密集領域と、孤立パターンを多
く含んだ周辺回路部から構成されている。即ち、半導体
装置の微細化に伴い、形状の異なったパターン間での空
像間でのコントラストが違う問題、及び光近接効果、す
なわちレジストパターン寸法が、近接した他のパターン
の影響を受ける現象が問題となり、この問題に対処する
ために、従来は、現像後のレジスト寸法が同一になるよ
うに、領域ごとにマスク寸法を補正していた。

【０００４】あるいは、局所的な領域に限定しても、密
集領域の終端部などにおいては、密集部とは近接効果が
異なるため、同様に線幅差が発生する場合がある。この
ような場合も終端部に対してマスク線幅補正を加えた
り、補助パターンを加えたりする必要があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上のような場合、同
一のパターンであっても、投影光学系の結像性能は、一
般に露光領域の中心から周辺に離れるにしたがって低下
するため、中心部と周辺部で線幅差が生じ、問題になる
場合がある。あるいは、パターンの向きによっても線幅
差が生じる場合がある。また、露光領域内での露光エネ
ルギーのばらつきが問題になる場合もあり、著しい場合
にはホットスポットと呼ばれる局所的に露光エネルギー
が大きくなる領域が露光領域の中心部に発生する場合が
ある。このような場合にもレジスト像の線幅ばらつきが
発生する。さらに、上記したような線幅差は、投影露光
装置の投影レンズの開口数、照明光学系の開口数や光源
形状（輪帯形等）、波長（ｇ線、ｉ線、エキシマレーザ
ー等）、フォトレジストの特性などにも影響される。し
たがって、マスクを意図的に補正して対処しても、投影
露光装置の設定条件やフォトレジストが変わると、補正
値もその都度変える必要があり、マスク製造コストが大
きくなる、という問題があった。

【０００６】したがって、本発明は、形状や寸法の異な
るパターンあるいは近接効果の異なるパターンをレジス
トを塗布した基板に投影露光する際に、現像後のレジス
ト寸法が同一あるいは所望の寸法になるようにする露光
方法およびそのような露光方法を用いた半導体デバイス
の製造方法を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明による露光方法は、レジストを
塗布した基板を提供する工程と；第１の領域と第２の領
域にそれぞれパターンを施した第１のマスクを提供する
工程と；前記基板に前記第１の領域と第２の領域のパタ
ーンを投影し、それぞれのパターンに対応する該基板の
第１Ａの領域と第２Ａの領域を露光する第１の露光工程
と；前記第１の露光工程の後に、前記第２Ａの領域を再
度露光する第２の露光工程を備える。

【０００８】ここで請求項２の発明のように、前記第２
の露光工程では、前記第２Ａの領域を領域全体にわたっ
てほぼ一様な露光強度の光で露光してもよい。

【０００９】このように構成すると、第１の露光工程の
後に第２Ａの領域を再度露光する第２の露光工程を備え
るので、第１の露光工程で第２Ａの領域に形成されたレ
ジストの寸法が第２の露光工程で変化する。即ち、第１
の領域のパターンと第２の領域のパターンとが形状や寸
法あるいは近接効果の異なるものであったとしても、第
１の露光工程で生じたレジスト寸法の相違を補正するこ
とができる。

【００１０】また、請求項３に記載の発明のように、請
求項２の発明の前記第２の露光工程が、前記第１のマス
クを取り除く工程と、前記第１の領域に対応する領域を
遮光した第２のマスクを提供する工程を含んでもよい。

【００１１】このように構成すると、第１のマスクに代
えて第１の領域に対応する領域を遮光した第２のマスク
を用いて露光するので、いわゆるバイアス露光が行わ
れ、第２Ａの領域に形成されたレジストの寸法が変化す
る。

【００１２】また、請求項４の発明のように、請求項１
に記載の露光方法で、前記第２の露光工程が、前記第２
の領域のパターンを再度投影して露光する工程を含むよ
うにしてもよく、またさらに、請求項５に記載の発明の
ように、前記再度投影して露光する工程が、前記第１の
領域に対応する領域を遮光する遮光領域を有した第２の
マスクを、前記第１のマスクに重ねて提供する工程を含
むようにしてもよく、以上のように構成すると、第２の
領域のパターンを再度投影して露光するので、第２の領
域のパターンによる第２Ａの領域のレジストの形状の劣
化を生じない。

【００１３】また上記目的を達成するために、請求項６
に係る発明による露光方法は、レジストを塗布した基板
を提供する工程と；所定の領域にパターンを施した第１
のマスクを提供する工程と；前記基板に前記パターンを
投影し、前記所定の領域に対応する基板上の領域を露光
する第１の露光工程と；前記第１の露光工程の後で、前
記第１のマスクを取り除く工程と；前記所定の領域に対
応する領域が透過率を変化させた遮光部を含むパターン
を有する第２のマスクを提供する工程と；前記第２のマ
スクのパターンを投影し、前記基板を露光する第２の露
光工程を備える。

【００１４】このように構成すると、前記第１の露光工
程の後で、前記第１のマスクを取り除き、前記所定の領
域に対応する領域が透過率を変化させた遮光部を含むパ
ターンを有する第２のマスクを用いて、前記第２のマス
クのパターンを投影し基板を露光するので、前記所定の
領域内に形成されたレジストの寸法が、透過率の変化に
応じて変化する。即ち、所定の領域内のパターン同士が
形状や寸法あるいは近接効果の異なるものであったとし
ても、第１の露光工程で生じたそれらパターンに対応し
たレジスト寸法の相違を補正することができる。

【００１５】また、請求項７に係る発明による露光方法
では、レジストを塗布した基板を提供する工程と；所定
の領域にパターンを施した第１のマスクを提供する工程
と；前記基板に前記パターンを投影し、前記所定の領域
に対応する基板上の領域を露光する第１の露光工程と；
前記第１の露光工程の後で、前記第１のマスクに重ね
て、前記所定の領域に対応する領域が透過率を変化させ
た遮光部を含むパターンを有する第２のマスクを提供す
る工程と；前記第２のマスクのパターンを投影し、前記
基板を露光する第２の露光工程を備える。

【００１６】このように構成すると、第２のマスクを用
いる露光が、前記第１のマスクに重ねて行われるので、
基板に形成されたレジスト形状の劣化を生じない。

【００１７】ここで、請求項６または請求項７に記載の
露光方法では、請求項８の発明のように、前記第２のマ
スクを提供する工程が、前記遮光部を前記基板の被露光
面と共役な位置からずれた位置に配置する工程を含むよ
うにしてもよく、このようにすると、透過率を変化させ
た遮光部の像がぼかされる。

【００１８】また上記目的を達成するために、請求項９
に係る発明による半導体デバイスを製造する方法は、請
求項１乃至請求項８のいずれかに記載の露光方法を用い
るので、微細で且つ形状の異なったパターンを用いる場
合でも、近接した他のパターンの影響を受けたレジスト
パターンの寸法を補正して、所望の寸法のレジストが得
られるので、高品質の半導体デバイスを製造することが
できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複
した説明は省略する。

【００２０】図１〜図３を参照して、本発明の第１の実
施の形態を説明する。図１に、マスク（レチクル）上に
線状のパターンが密集して配置されたラインアンドスペ
ースパターンと、単独の線状パターンが孤立して配置さ
れたシングルラインとを組み合わせたパターンを示す。
図１ではシングルライン１２は、ラインアンドスペース
パターン１１から少々離れて、それの２方向を囲むよう
なＬ字型に形成されている。

【００２１】このようなパターンでは、組み合わせパタ
ーンの最端部に配されたＬ字型パターン１２のみが、他
のラインアンドスペースパターン１１即ち繰り返しパタ
ーンと近接効果が異なるため、繰り返しパターン１１に
合わせてレジストを塗布した感光性基板に露光ドーズを
照射すると、Ｌ字型パターン１２のレジスト寸法が設計
値からずれてしまう場合が多い。そこで、Ｌ字型パター
ン１２のレジスト寸法が設計寸法よりも太くなる場合に
は、図２に示したように、Ｌ字型パターン１２のみにバ
イアス露光を加えることにより、線幅をそろえることが
できる。

【００２２】さらに説明すれば、上記の例はポジ型レジ
スト、即ち露光量に応じて溶解性が向上する性質を有す
るフォトレジストを用いた場合であり、投影露光に用い
られるマスクのラインアンドスペースパターン１１及び
Ｌ字型パターン１２がポジパターンであって、スペース
に対応する基板部分が露光されている。

【００２３】ある線幅に設計されたラインアンドスペー
スパターン１１のレジスト線幅が、設計寸法となるよう
な露光量をフォトマスクに照射し、ポジ型レジストを塗
布したウエハ上に当該パターンを焼き付ける。このと
き、露光領域中、別の領域に孤立ライン、本実施の形態
ではＬ字型パターン１２が存在し、その孤立ラインのレ
ジスト線幅が設計寸法よりも大きくなったものとする。
このことは、ラインアンドスペースパターン１１に対す
る適正露光量は、孤立ラインのＬ字型パターン１２に対
しては露光量不足となっていることを示している。

【００２４】そこで、本発明によるバイアス露光を、孤
立ライン１２の領域に限定して加えると、当該領域では
さらに線幅が細るため、適当にバイアス露光量を調節す
ることにより、設計寸法となるようにすることができる
のである。

【００２５】ここでバイアス露光とは、組み合わせパタ
ーンの形成されたマスクを用いてそのパターンを基板に
投影露光した後、基板を現像する前に、そのマスクを取
り除いて、ラインアンドスペースパターン１１の部分を
遮光して、Ｌ字型パターン１２の投影露光された基板部
分のみに所定の時間だけ露光光を照射し基板を再度露光
することをいう。このバイアス露光では、対応のパター
ン、本例で言えばＬ字型パターン１２の写し込まれてい
ない露光光で露光する。

【００２６】上記の場合とは逆に、Ｌ字型パターン１２
の寸法が設計値よりも細くなってしまう場合には、図３
に示すように、Ｌ字型パターン１２のみを遮光してバイ
アス露光を加えることにより、繰り返しパターン１１を
細らせ、線幅をそろえることが可能となる。

【００２７】ここで用いるバイアス露光用のレチクル
は、Ｌ字型パターン１２と同じ形状の透過部または遮光
部から形成されていてもよいし、近接したパターンに著
しい影響を与えない範囲であれば、図２あるいは図３の
斜線部で示すように、Ｌ字型パターン１２よりも大きく
てもかまわない。もちろん、バイアス露光の効果が認め
られる限りにおいて、Ｌ字型パターン１２よりも小さく
ても良い。

【００２８】上記の場合、パターンの方向により線幅が
異なるときには、特定の方向のパターンのみにバイアス
露光を加えることにより、線幅を均一化することが可能
となる。例えば、図１のような組み合わせパターンを用
いる場合において、Ｌ字型パターン１２の横棒が太くな
るときには、縦棒のラインからなるラインアンドスペー
スパターン１１と、Ｌ字型パターン１２の縦棒のみを遮
光して、横棒にバイアス露光すればよい。

【００２９】次に図４を参照して、本発明の第２の実施
の形態を説明する。図４はバイアス露光に用いるマスク
Ｒ２の平面図を示す。第１の実施の形態では、バイアス
露光用マスクが透明部と遮光部とから形成されていた
が、図４に示されるマスクでは、そのエネルギー透過率
を面内で連続的に変化させている。このような露光用マ
スクは、例えば投影レンズの結像性能の非均一性によ
り、露光領域の周辺部において、中心部に比べてレジス
ト寸法が小さくなっているような場合に用いることがで
きる。

【００３０】このようなマスクにおいては、遮光部を解
像限界以下のピッチの回折格子で形成し、回折格子の線
幅を変えることにより透過率をコントロールする方法、
Ｃｒなどの遮光膜の厚みを連続的に変える方法、レチク
ルにドットを形成し、ドットの密度で透過率をコントロ
ールする方法、などが考えられる。図４に示されるの
は、ドットマスクである。ドットは解像限界以下にして
おく。

【００３１】この実施の形態によれば、レジスト寸法の
設計寸法からの偏差が基板面内において連続的に変化す
るようなときにも、１回のバイアス露光のみで線幅ばら
つきを補正することが可能となる。

【００３２】図５は、本発明の第３の実施の形態を示
す。本実施の形態では、投影露光用のマスクＲ１を取り
除いて、露光用マスクＲ２に置き換えるときに露光用マ
スクＲ２を反転させて置いている。このようにすると、
ドットが解像限界以下でなくてもドットの像がぼけるた
め所望のバイアス露光ができる。さらには、ドットが解
像限界値以下であっても、この実施の形態を用いればよ
り安全である。

【００３３】図６は、本発明の第４の実施の形態を示
す。この実施の形態では、第１のマスクである投影露光
用マスクＲ１を取り除くことなく、それに重ねて第２の
マスクであるドットマスクＲ２を置いて再度の露光を行
う。ドットマスクＲ２は、図６に示すように反転させて
も、反転させずに投影露光用マスクＲ１に重ねてもよ
い。いずれにしても少なくとも投影露光用マスクＲ１の
厚さ分だけは共役位置からずれるてドットをぼかすこと
ができる。この重ねる第２のマスクは、ドットマスクで
なくても、前述のような透明部と遮光部とから形成され
たマスクであってもよい。

【００３４】一般に、バイアス露光を行うと、副作用と
してバイアス露光を行った領域の像質が劣化し、レジス
ト像のウォール・アングルが低下即ちレジストの側壁が
基板表面となす角度が９０度より大きくだれたり、定在
波効果による線幅変動が大きくなる場合がある。定在波
効果とは、基板の凹凸に伴うレジスト膜厚の変動によ
り、基板の反射率が変動する現象をいう（これは、ウエ
ハとレジストアの間に反射防止膜を設けることによって
も、影響を抑えることが可能である）。その結果として
露光むらに対する線幅変動が悪化する場合がある。

【００３５】第４の実施の形態によれば、このようなバ
イアス露光を加えることによって生じるレジスト像質の
劣化を防止することができる。

【００３６】図７〜図１１を参照して、本発明の第１の
実施の形態の実施例を説明する。本実施例は、０．３５
μｍのラインとスペースが交互に繰り返されるラインア
ンドスペースパターンと、一本のラインが単独に存在し
近接効果が無視できるような孤立ラインを、従来露光法
と本発明によるバイアス露光法で露光する場合である。

【００３７】図７は、露光領域を示す。図中白抜きの領
域１０１はラインアンドスペースパターン即ちパターン
の密集領域から構成され、斜線を施した領域１０２は孤
立ライン即ち密集度の低い周辺回路から構成されている
ものとする。

【００３８】比較の方法として、コンピュータ・シミュ
レーションによるＥＤ−Ｔｒｅｅの計算を行った。ＥＤ
−Ｔｒｅｅとは、複数のマスクパターンに対して、ある
一定量のレジスト像寸法誤差を許容し、さらにある一定
量の露光量変動に対する許容量を要請した場合に、複数
のパターンが共通して規格値に収まるような焦点深度を
求めるために有効な方法である。この手法については、
文献、Ｂ．Ｊ．ＬｉｎＩＥＥＥＴｒａｎｓＥｌｅｃ
ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓＥＤ−２７（１９８０）９
３１、及びＡ．Ｃ．Ｌｉｕ、Ｂ．Ｊ．ＬｉｎＩＥＥ
ＥＴｒａｎｓＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ
ＥＤ−３０（１９８０）１２５１に解説されている。

【００３９】計算条件は、投影レンズの開口数０．６、
照明光学系の開口数０．３６、露光波長３６５ｎｍであ
る。パターンはウエハ上の線幅に換算して０．３５ｎｍ
のラインアンドスペースパターンと孤立ラインパターン
を同時に露光するものとする。

【００４０】今、線幅寸法誤差を±１０％許容し、露光
量（露光時間）マージン±１０％を要請する場合を考え
る。図８に孤立ラインの断面光強度分布を示す。図８か
らわかるように、Ｉ（０）の光強度で露光を行うと、所
望のレジスト寸法が得られる。これに対して、Ｉ
（＋）、Ｉ（−）は、線幅誤差が許容範囲に収まるため
の限界の光強度に対応する。露光量マージンは、Ｉ
（＋）とＩ（−）の差に対応している。

【００４１】図９は、ラインアンドスペースパターンと
孤立ラインパターンに対するＥＤ−Ｔｒｅｅを重ねて描
いたものである。適正露光量が異なるために、共通の露
光量対フォーカス・ウィンドウが存在しないことがわか
る。また孤立ラインのエネルギーがラインアンドスペー
スパターンに比べて低くなっていることがわかる。

【００４２】図１０は、孤立ラインに対して、本発明に
よるバイアス露光を与えた場合についてＥＤ−Ｔｒｅｅ
を描いたものである。バイアス露光量は、第１次露光量
の１０％とした。その結果、２つのパターンが共通して
露光されるウィンドウが表れ、０．７３μｍの焦点深度
が選られた。このとき用いられたバイアス露光用マスク
の平面図を図１１に示す。図７の孤立パターンからなる
領域１０２のみが露光され領域１０１は露光されないよ
うに、図１１のバイアス露光用マスクは遮光部１１１と
透光部１１２を有する。

【００４３】図１２〜図１４を参照して、本発明の別の
実施例を説明する。本実施例は、投影レンズの結像性能
の非均一性により、露光領域の周辺部において中心部に
比べてレジスト寸法が小さくなる場合などに適用され
る。

【００４４】図１２に示されるように、同一寸法にした
いレジストの寸法が中心部で寸法Ａ、最周辺部で寸法Ｂ
になったとする。このときレジスト寸法が（Ａ＋Ｂ）／
２になる円状領域の内部に対して、本発明によるバイア
ス露光を加え、中心部のレジスト寸法が（Ａ＋Ｂ）／２
になるようにすると、露光領域内での寸法ばらつきが、
Ａ−Ｂから（Ａ−Ｂ）／２のように半分に改善される。

【００４５】続いて、線幅が（Ａ＋３Ｂ）／４より大き
くなる領域に限定して、第３のバイアス露光を加えるこ
とにより、線幅ばらつきをさらに半分に改善することが
可能である。さらに、第４、第５のバイアス露光を加え
るごとに、線幅ばらつきを次々に半分に減らして行くこ
とが可能となる。

【００４６】なお、本実施例では、バイアス露光用マス
クが透明部と遮光部から形成される場合について述べた
が、先に説明した第２の実施の形態におけるように、マ
スクのエネルギー透過率を連続的に変化させると、１回
のバイアス露光のみで線幅ばらつきを補正することが可
能となる。即ち、遮光部を解像限界以下のピッチの回折
格子で形成し、回折格子の線幅を変えるて透過率をコン
トロールしたり、Ｃｒなどの遮光膜の厚みを連続的に変
えたり、マスクに形成したドットの密度で透過率をコン
トロールしたりすればよい。図４に示すドットマスクの
ドットは解像限界以下にしておくのが望ましいが、レチ
クルを反転させておくとドットの像がぼけるためより安
全であるのは先に説明した通りである。

【００４７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、レジ
ストを塗布した基板の所定の領域を再度露光するので、
マスクに補正を加えることなく、露光領域内でのレジス
ト寸法のばらつきを補正し、プロセスマージンを広げる
ことが可能となる。また、投影露光装置やレジストの諸
条件が変わってもマスクを補正し直す必要はなく、単に
再度露光の露光量を調整するだけでよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】ラインアンドスペースパターンとＬ字型パター
ンの組み合わせを示す図である。

【図２】図１のパターンの組み合わせの、ラインアンド
スペースパターンを遮光部で覆った状態を示す図であ
る。

【図３】図１のパターンの組み合わせの、Ｌ字型パター
ンを遮光部で覆った状態を示す図である。

【図４】本発明に用いるドットマスクの平面図である。

【図５】投影露光用マスクとバイアス露光用マスクを示
す図である。

【図６】投影露光用マスクとバイアス露光用マスクを重
ねて用いる場合を示す図である。

【図７】密集領域と周辺領域のパターンが形成された投
影露光用マスクの平面図である。

【図８】孤立ラインの断面光強度分布を示す線図であ
る。

【図９】ラインアンドスペースパターンと孤立ラインパ
ターンに対するＥＤ−Ｔｒｅｅを重ねて描いた図であ
る。

【図１０】孤立ラインに対して、本発明のバイアス露光
を与えた場合のＥＤ−Ｔｒｅｅを描いた図である。

【図１１】図７の投影露光用マスクに対応するバイアス
露光用マスクの平面図である。

【図１２】露光領域の中心部と周辺部におけるレジスト
寸法が異なる状態を示す、本発明の実施例を説明するた
めの線図である。

【図１３】図１２の状態に対して１回のバイアス露光を
することによって、レジスト寸法差が半分になった状態
を示す線図である。

【図１４】図１３の状態に対してバイアス露光を加える
ことによって、レジスト寸法差がさらに半分になった状
態を示す線図である。

【符号の説明】

１０１密集領域１０２周辺領域１１１遮光部１１２透光部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レジストを塗布した基板を提供する工程
と；第１の領域と第２の領域にそれぞれパターンを施し
た第１のマスクを提供する工程と；前記基板に前記第１
の領域と第２の領域のパターンを投影し、それぞれのパ
ターンに対応する該基板の第１Ａの領域と第２Ａの領域
を露光する第１の露光工程と；前記第１の露光工程の後
に、前記第２Ａの領域を再度露光する第２の露光工程を
備える；露光方法。
【請求項２】前記第２の露光工程では、前記第２Ａの
領域を領域全体にわたってほぼ一様な露光強度の光で露
光する、請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】前記第２の露光工程が、前記第１のマス
クを取り除く工程と、前記第１の領域に対応する領域を
遮光した第２のマスクを提供する工程を含む、請求項２
に記載の露光方法。
【請求項４】前記第２の露光工程が、前記第２の領域
のパターンを再度投影して露光する工程を含む、請求項
１に記載の露光方法。
【請求項５】前記再度投影して露光する工程が、前記
第１の領域に対応する領域を遮光する遮光領域を有した
第２のマスクを、前記第１のマスクに重ねて提供する工
程を含む、請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】レジストを塗布した基板を提供する工程
と；所定の領域にパターンを施した第１のマスクを提供
する工程と；前記基板に前記パターンを投影し、前記所
定の領域に対応する基板上の領域を露光する第１の露光
工程と；前記第１の露光工程の後で、前記第１のマスク
を取り除く工程と；前記所定の領域に対応する領域が透
過率を変化させた遮光部を含むパターンを有する第２の
マスクを提供する工程と；前記第２のマスクのパターン
を投影し、前記基板を露光する第２の露光工程を備え
る；露光方法。
【請求項７】レジストを塗布した基板を提供する工程
と；所定の領域にパターンを施した第１のマスクを提供
する工程と；前記基板に前記パターンを投影し、前記所
定の領域に対応する基板上の領域を露光する第１の露光
工程と；前記第１の露光工程の後で、前記第１のマスク
に重ねて、前記所定の領域に対応する領域が透過率を変
化させた遮光部を含むパターンを有する第２のマスクを
提供する工程と；前記第２のマスクのパターンを投影
し、前記基板を露光する第２の露光工程を備える；露光
方法。
【請求項８】前記第２のマスクを提供する工程が、前
記遮光部を前記基板の被露光面と共役な位置からずれた
位置に配置する工程を含む、請求項６または請求項７に
記載の露光方法。
【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
の露光方法を用いて、半導体デバイスを製造する方法。