JPH10275843A

JPH10275843A - パーティクルカウンタ校正用ウェーハおよびその作製方法

Info

Publication number: JPH10275843A
Application number: JP9487297A
Authority: JP
Inventors: Etsuro Morita; 悦郎森田
Original assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp; Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Silicon Corp; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1997-03-28
Publication date: 1998-10-13
Anticipated expiration: 2017-03-28
Also published as: JP3741298B2

Abstract

(57)【要約】【課題】異なるパーティクルカウンタ間において、
その測定感度を校正することができ、パーティクル検査
の信頼性が高められるパーティクルカウンタ校正用ウェ
ーハおよびその作製方法を提供する。【解決手段】予め各パーティクルカウンタで、パーテ
ィクルカウンタ校正用ウェーハ１０の表面のピット４を
測定する。ピット４のサイズや形成個数は、作製時に一
定化されている。測定結果に基づいて各カウンタの測定
スケールを補正する。その後、実際のシリコンウェーハ
のＣＯＰ測定を行う。よって、実測によりパーティクル
のＣＯＰ成分を評価できる。この結果、異なるパーティ
クルカウンタ間におけるパーティクル検査を共通化で
き、その信頼性が高まる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はパーティクルカウ
ンタ校正用ウェーハおよびその作製方法、詳しくは異な
るパーティクルカウンタ間において、ウェーハ表面に存
在するＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ
Ｐａｒｔｉｃｌｅ）の検出感度を校正する（標準化す
る）ことができるパーティクルカウンタ校正用ウェーハ
およびその作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの微細化が進み、かつ、
チップ面積の増大化にともなって、シリコンウェーハの
表面に付着したパーティクルが、製品歩留りや信頼性に
著しく影響を与えるようになった。なお、ここでいうパ
ーティクルには、シリコンウェーハの表面に付着した微
細な異物の他、ウェーハ表面に形成された微細な凹部で
あるピット（ＣＯＰ）を含むものである。そこで、シリ
コンウェーハ製造工場から半導体デバイス製造工場など
へ出荷される製品ウェーハは、発注時にユーザが規定し
たウェーハ表面の厳しい精度検査を通過して出荷され
る。例えば、ウェーハ表面に対するレーザ光の入射角が
垂直に近いパーティクルカウンタを用いた場合、そのウ
ェーハ表面の１ｃｍ²当たりのパーティクル数として、
０．１２μｍ以上のものが０．２個未満という具合であ
る。なお、パーティクルカウンタでは、ウェーハ表面を
レーザ光で走査して、付着したパーティクルからの光散
乱強度を測定することにより、パーティクルの位置と大
きさを認識するものである。製品ウェーハの評価時に
は、通常、ウェーハ製造工場側およびユーザ側ともに、
独自に準備したパーティクルカウンタによって、ウェー
ハ表面に存在するパーティクル数を測定し、ウェーハ表
面の平滑度、清浄度を各々評価している。このパーティ
クルカウンタとしては、例えばテンコール（Ｔｅｎｃｏ
ｒ）株式会社製の「ＳＳ６２００」などが挙げられる。

【０００３】ところが、パーティクルカウンタの検査精
度は、例えばウェーハ表面に照射されたレーザ光を受光
する角度の違いなどから、通常、各パーティクルカウン
タごとに異なっている。この結果、同じシリコンウェー
ハをパーティクル検査したとしても、ウェーハ製造工場
側のパーティクルカウンタでは良品と評価され、ユーザ
側のパーティクルカウンタでは不良品と評価される場合
が発生する。

【０００４】このような事態を解消するために、一部に
おいて、ウェーハ表面のパーティクルを検査する際に、
予め製造工場側とユーザ側とでこのパーティクルカウン
タの測定スケールを補正してから、実際の製品ウェーハ
のパーティクル評価を行う方法が採られている。一般的
に、このスケール校正時には、シリコンウェーハの表面
に、微細な異物の代替物である既知粒径のポリスチレン
ラテックス粒子（ＰＳＬ）を所定量だけ塗布した校正用
のウェーハが用いられている。すなわち、予めウェーハ
製造工場側およびユーザ側で、それぞれ所有するパーテ
ィクルカウンタにより、同一品種の校正用のウェーハを
用いてそのパーティクルを測定する。そして、このとき
のカウンタの測定レベルを測定基準にして、実際の製品
ウェーハのパーティクル検査時におけるレーザ受光部の
信号強度を何μｍにするか決定している。このようにし
てパーティクルカウンタの測定スケールを補正してい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来方法では、以下の不都合があった。すなわち、この校
正用のウェーハでは、表面に、微細な異物の代替物であ
るポリスチレンラテックスを塗布しているので、パーテ
ィクルとして計測される個数のうち、異物の校正は可能
であった。ところが、ＣＯＰ（ピット）については、個
数の考慮がなされていなかった。仮に、異物用の検出感
度で、ウェーハ表面に存在するピットを測定した場合に
は、レーザ光の散乱強度がレーザ光の受光角度によって
異なるために、同じパーティクルサイズ以上で比較した
場合に、検出個数が異なるという現象が起きている。

【０００６】

【発明の目的】そこで、この発明は、異なるパーティク
ルカウンタ間において、ウェーハ表面に存在するＣＯＰ
の検出感度を校正することができるパーティクルカウン
タ校正用ウェーハおよびその作製方法を提供すること
を、その目的としている。また、この発明は、ＣＯＰの
測定感度を高めたパーティクルカウンタ校正用ウェーハ
を提供することを、その目的としている。さらに、この
発明は、ＣＯＰに類似した形状のピットを比較的容易に
形成することができるパーティクルカウンタ校正用ウェ
ーハの作製方法を提供することを、その目的としてい
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、異なるパーティクルカウンタ間で、シリコンウェー
ハの表面に存在する微細な窪みであるＣＯＰを測定する
ときに用いられるパーティクルカウンタ校正用ウェーハ
であって、このパーティクルカウンタ校正用ウェーハの
表面には、一定サイズのピットが１０〜５０個／ｃｍ²
の割合で設けられているパーティクルカウンタ校正用ウ
ェーハである。ウェーハ表面に設けるピットの割合にお
いて、１０個／ｃｍ²（例えば直径２００ｍｍでは３０
００個）未満ではＣＯＰの存在が明確でなくなる。一
方、５０個／ｃｍ²（例えば直径２００ｍｍでは５００
０個）を超えるとパーティクルカウンタによっては、測
定においてオーバーフローする。

【０００８】ピットの大きさは、一辺の長さが０．１０
〜０．２５μｍ、特に０．１２〜０．２２μｍが好まし
い。この長さが０．１０μｍ未満では現在のパーティク
ルカウンタでは測定することができず、０．２５μｍを
超えると現在問題とされるＣＯＰの最大値より大きくな
り、無意味となる。なお、このパーティクルカウンタ校
正用ウェーハは、２台、３台、４台、５台と各パーティ
クルカウンタ毎に配備されるのを原則とするが、これに
限定しなくても、例えば１枚または２枚など、カウンタ
総台数より少ない枚数のパーティクルカウンタ校正用ウ
ェーハを使い回してもよい。

【０００９】請求項２に記載の発明は、上記ピットのサ
イズ分布での半値幅が１０〜２０ｎｍである請求項１に
記載のパーティクルカウンタ校正用ウェーハである。こ
こでいう、ピットのサイズ分布の半値幅とは、横軸をピ
ットサイズ、縦軸をピット個数とした図６に示すウェー
ハ表面におけるピットのサイズ分布のグラフにおいて、
そのピーク長の半分の高さ位置における幅ｗをいう。

【００１０】請求項３に記載の発明は、上記ピットの配
設領域が上記ウェーハ表面の１／４〜３／４の領域であ
る請求項１または請求項２に記載のパーティクルカウン
タ校正用ウェーハである。ピットの配設領域がウェーハ
表面の１／４未満ではピットの総数が減り、校正の精度
が悪化する。３／４を超えると、比較となるウェーハ表
面上の領域の面積が小さくなり、ウェーハの汚れ具合の
管理が難しくなる。

【００１１】請求項４に記載の発明は、１枚のウェーハ
に対して、１種類または複数種類のサイズのピットを配
設した請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のパー
ティクルカウンタ校正用ウェーハである。なお、２種類
の場合には、ウェーハ表面上で各種類が占める割合は、
ウェーハ表面の１／４もしくは３／８、また３種類の場
合に各種類が示す割合は、ウェーハ表面の１／４とした
方が好ましい。

【００１２】請求項５に記載の発明は、上記パーティク
ルカウンタ校正用ウェーハは結晶方位（１００）の表面
を有するシリコンウェーハである請求項１〜請求項４の
いずれか１項に記載のパーティクルカウンタ校正用ウェ
ーハである。

【００１３】請求項６に記載の発明は、上記ピット形状
が略逆ピラミッド形である請求項５に記載のパーティク
ルカウンタ校正用ウェーハである。略逆ピラミッド形と
は、四角錐の頂点を底にした形状を含むものである。

【００１４】請求項７に記載の発明は、上記各ピットの
間隔が１ｍｍ以上である請求項１〜請求項６のいずれか
１項に記載のパーティクルカウンタ校正用ウェーハであ
る。ピット間隔が１ｍｍ未満では、低検出精度のパーテ
ィクルカウンタで測定した場合、ピットが重なってしま
い、正確には測定できないおそれがある。

【００１５】請求項８に記載の発明は、シリコンウェー
ハの表面にマスクを被着する工程と、このマスクに所定
パターンの窓を形成して上記シリコンウェーハの表面の
一部を露出させる工程と、この露出したシリコンウェー
ハの表面をエッチングすることにより、この表面に１０
〜５０個／ｃｍ²のピットを形成する工程とを備えたパ
ーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方法である。
マスクとしては、例えば紫外線が照射されると溶剤に溶
け易くなるポジ形レジスト膜や、その逆の性質のネガ形
レジスト膜などが挙げられる。また、その素材には、テ
フロン、ポリエチレンなどの合成樹脂からなるマスキン
グテープや、耐蝕性に優れたワックス、その他の高分子
有機化合物などからなる皮膜なども採用することができ
る。

【００１６】また、ここでいう絶縁膜のエッチングと
は、一般的に行われているドライエッチングによって、
マスクで被覆されていない絶縁膜の部分を除去すること
をいう。さらに、ここでいうシリコンウェーハのエッチ
ングとは、例えば３０％のＫＯＨなどのエッチング液中
に、シリコンウェーハを１０〜３０秒だけ浸漬し、絶縁
膜で被われていないシリコンウェーハの部分を溶失させ
ることをいう。

【００１７】請求項９に記載の発明は、シリコンウェー
ハの表面に絶縁膜を被着する工程と、この絶縁膜の表面
をマスクで覆う工程と、このマスクに所定のピットパタ
ーンの貫通孔を形成する工程と、上記絶縁膜の貫通孔か
ら露出した部分を除去することにより、絶縁膜に上記ピ
ットパターンの窓を形成する工程と、上記窓を通して、
上記シリコンウェーハの表面をエッチングすることによ
り、このシリコンウェーハ表面に１０〜５０個／ｃｍ²
のピットを形成する工程とを備えたパーティクルカウン
タ校正用ウェーハの作製方法である。

【００１８】請求項１０に記載の発明は、上記シリコン
ウェーハは結晶方位（１００）の表面を有しており、そ
のエッチング液はＫＯＨである請求項８または請求項９
に記載のパーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方
法である。

【００１９】請求項１１に記載の発明は、上記ピット形
成後、上記シリコンウェーハの表面から上記絶縁膜を除
去する請求項９〜請求項１０のいずれか１項に記載のパ
ーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方法である。
絶縁膜を除去する場合、除去後に一度はＳＣ１（Ｓｔａ
ｎｄａｒｄＣｌｅａｎｉｎｇ１）洗浄を行う方が好
ましい。これにより、ピットサイズが若干大きくなる
が、この状態（サイズ）を標準とすればよい。

【００２０】

【作用】この発明に係るパーティクルカウンタ校正用ウ
ェーハを使用して、予め、各パーティクルカウンタにお
いて、このウェーハ表面に配設されたピットを測定す
る。パーティクルカウンタ校正用ウェーハ上のピットの
サイズや形成個数は、その作製時において一定値に設定
されている。そして、この測定結果に基づいて各パーテ
ィクルカウンタでの測定スケールを補正する。例えば、
上記校正用ウェーハでの測定結果であるピット数のピー
ク値の生じる検出信号強度を、同じ値となるように補正
（共通化または標準化）する。その後、この測定スケー
ルにより各パーティクルカウンタで実際に製造されたシ
リコンウェーハでのＣＯＰ測定を行う。この結果、推定
に頼らず、実測によりパーティクルのＣＯＰを評価する
ことができる。よって、異なるパーティクルカウンタ間
におけるパーティクル検査の信頼性を高めることができ
る。

【００２１】特に請求項５に記載した発明では、校正用
ウェーハとして表面の結晶方位が（１００）のシリコン
ウェーハを採用した。この結果、通常製造等されている
シリコンウェーハとその結晶方位が同じとなり、それら
表面に生成されるＣＯＰと同様形状のピットが得られ
る。よって、検出精度がこの面からも向上する。

【００２２】また、請求項８〜請求項１１に記載したパ
ーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方法では、例
えば、まずシリコンウェーハの表面に絶縁膜を設け、さ
らにこの絶縁膜の表面を所定のピットパターンのマスク
でマスキングする。次いで、このマスクのパターン孔か
ら露出した絶縁膜の部分をエッチングで除去し、所定ピ
ットパターンの窓をこの絶縁膜に形成する。続いて、マ
スクを除去し、この絶縁膜の窓を通して、シリコンウェ
ーハの表面側の一部をエッチング液により溶かす。こう
して、ウェーハ表面に１０〜５０個／ｃｍ²のピットを
形成する。このようにして作製されたパーティクルカウ
ンタ校正用ウェーハは、上述した通りに使用される。そ
して、各パーティクルカウンタ間でのＣＯＰ検出感度の
標準化、共通化を行うことができる。また、この場合、
ウェーハ表面に絶縁膜を残存させることにより、このウ
ェーハ表面についてスクラバ洗浄などの機械洗浄を施す
ことができる。これは、校正用ウェーハ表面の洗浄が容
易となり、再使用に便利となる。

【００２３】請求項１０に記載の発明では、エッチング
液にＫＯＨを採用したので、ピットの壁面が結晶方位
（１１１）の面となりやすく、これにより実際のＣＯＰ
と同等の形状のピットが得やすい。

【００２４】さらに、請求項１１に記載した発明では、
ピット形成後、シリコンウェーハの表面から絶縁膜を除
去する。絶縁膜を除去した場合、ＳＣ１洗浄によりウェ
ーハ表面から異物を容易に除去することができ、パーテ
ィクルカウンタによる検査数値の信頼性を増大すること
ができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。ここではシリコンウェーハ製造工場
から半導体デバイス製造工場へ出荷される製品ウェーハ
についてパーティクル測定を行うパーティクルカウンタ
での測定スケールの校正について説明する。図１はこの
発明の一実施例に係るパーティクルカウンタ校正用ウェ
ーハの斜視図である。図２および図３はこの校正用ウェ
ーハの作製手順を示す工程毎の断面図である。図２
（ａ）はこの発明の一実施例に係るパーティクルカウン
タ校正用ウェーハのベースとなるベアウェーハの拡大断
面図、図２（ｂ）は絶縁膜形成工程を示すウェーハの拡
大断面図、図２（ｃ）はマスク形成工程を示すウェーハ
の拡大断面図、図２（ｄ）はパターンニング工程を示す
ウェーハの拡大断面図である。図３（ａ）は絶縁膜エッ
チング工程を示すウェーハの拡大断面図、図３（ｂ）は
マスク除去工程を示すウェーハの拡大断面図、図３
（ｃ）はＫＯＨによるエッチング工程を示すウェーハの
拡大断面図である。図４はこの発明の一実施例に係る校
正用ウェーハを示す平面図である。図４（ａ）はウェー
ハ表面の１／４の領域にピットが形成されたウェーハを
示す平面図、図４（ｂ）はウェーハ表面の１／２の領域
にピットが形成されたウェーハを示す平面図である。

【００２６】この実施例によれば、ＣＺ法により引き上
げられたシリコン製の単結晶のインゴットをブロック切
断し、それを所定厚さにスライシングして、外周部の面
取り、表面研磨することで、直径２００ｍｍ、厚さ７２
５μｍ、表面の結晶方位（１００）のベアウェーハ１
（鏡面研磨ウェーハ）を２枚用意する（図２（ａ）参
照）。次いで、それぞれのベアウェーハ１を熱処理炉で
加熱することにより、ウェーハ表面に絶縁膜の一例であ
るＳｉＯ₂膜２を所定厚さに形成する（図２（ｂ）参
照）。その後、各ＳｉＯ₂膜２上にマスクの一例である
感光性のフォトレジスト膜３を塗布する。これを乾かし
てから、フォトマスクのピット形成用の微細な貫通孔を
通して各フォトレジスト膜３を露光することにより、パ
ターンニングする（図２（ｄ）参照）。各フォトレジス
ト膜３のパターン孔３ａは、平面視して一辺０．１５μ
ｍの正方形であり、また、各パターン孔間の距離は１ｍ
ｍ以上である。さらに、このパターン孔３ａはウェーハ
全表面の３／４の領域に１ｃｍ²当たり３０個形成され
ている（図１も参照）。

【００２７】次いで、これをドライエッチングにより、
フォトレジスト膜３のパターン孔３ａを通して、下層の
ＳｉＯ₂膜２の露出部分を除去する（図３（ａ）参
照）。その後、被っていたフォトレジスト膜３を溶剤で
取り除いく。この結果、表面のＳｉＯ₂膜２に多数の微
細な窓部２ａが形成されたベアウェーハ１を得ることが
できる（図３（ｂ）参照）。その後、これらの窓部２ａ
を通して、３０％ＫＯＨ液によりベアウェーハ１の表面
の露出部をエッチングする。これにより、図１に示すよ
うに、ウェーハ表面の３／４の範囲に、一辺０．１５μ
ｍの逆ピラミッド形のピット４（同図部分拡大図を参
照）が、１ｃｍ²当たり３０個形成されたパーティクル
カウンタ校正用ウェーハ１０が作製される。この場合、
これらのピット４は、そのサイズ分布の半値幅が１０〜
２０ｎｍとなるように形成されることとなる。

【００２８】また、このウェーハ表面の１／４領域は、
ベアウェーハ１の鏡面加工された部分が露呈されてい
る。よって、この校正ウェーハの表面が汚れているか否
かを判別しやすい。また、ウェーハ表面上におけるピッ
ト４の形成範囲は、ウェーハ表面の１／４の範囲または
１／２の範囲でもよい（図４（ａ）、（ｂ）参照）。さ
らに、ピット４形成後、ＳｉＯ₂膜２はベアウェーハ１
の表面に残存させたままにしてもよい。または、酸化膜
２はエッチングで除去してもよい。ＳｉＯ₂膜２を残存
させれば、この後、スクラバなどの機械洗浄が容易とな
る。よって、再使用に便利となる。また、除去すれば、
パーティクルカウンタによる検査数値の信頼性を高める
ことができる。これは、ＳＣ１洗浄によりその表面から
容易に異物を除去することができるからである。

【００２９】次に、この発明の一実施例に係るパーティ
クルカウンタ校正用ウェーハ１０の使用方法を説明す
る。予め、シリコンウェーハ製造工場と半導体デバイス
製造工場とに配備された各パーティクルカウンタにおい
て、同一規格で作製された校正用ウェーハ１０のピット
４をそれぞれ測定する。このときの測定値を、図５のグ
ラフに示すと、そのピットはサイズにより所定の分布と
なる。このグラフにおいて、ラインａはウェーハ製造工
場のパーティクルカウンタによるピット測定値の分布
線、ラインｂはデバイス製造工場のパーティクルカウン
タによるピット測定値の分布線である。

【００３０】このグラフから明らかなように、通常、装
置毎にカウンタレベルは異なる。具体的には、この校正
用ウェーハ１０には、上述のように、０．１５μｍの大
きさのピット４が、１ｃｍ²当たり３０個作製されてい
る。この校正ウェーハ１０を測定した製造工場側のパー
ティクルカウンタではラインａを示す。一方、同一に作
製された校正ウェーハ１０についてデバイス工場側のパ
ーティクルカウンタでの測定はラインｂを示すこととな
る。これらを比較すると、信号強度においてレベル差が
生じている。このレベル差に基づいて、各パーティクル
カウンタでは、レーザ受光部の信号強度を何μｍにする
かを決定、統一する。例えば一方のパーティクルカウン
タの測定スケールを補正するものである。すなわち、図
５のグラフ中、ラインａおよびラインｂの各ピーク値同
士が重なるように、少なくともいずれか一方の測定スケ
ールを補正する。その後、各パーティクルカウンタにお
いて、補正した値を測定基準として、実際の製品ウェー
ハのパーティクル検査を行う。よって、各パーティクル
カウンタでは同一検出精度でパーティクルをカウントす
ることができる。

【００３１】このように、パーティクルカウンタ校正用
ウェーハ１０を新たに開発した結果、複数のパーティク
ルカウンタでの測定感度を簡単に校正することができる
こととなった。よって、異なるパーティクルカウンタ間
におけるパーティクル検査の信頼性をさらに高めること
ができる。なお、この校正用ウェーハによれば、３台以
上のパーティクルカウンタ間での測定感度の校正を行う
ことも容易である。

【００３２】

【発明の効果】この発明に係るパーティクルカウンタ校
正用ウェーハおよびその作製方法によれば、予め各パー
ティクルカウンタ間において、パーティクルカウンタ校
正用ウェーハの表面に形成されたピットのサイズや形成
個数を測定し、その後、それぞれのパーティクルカウン
タの測定スケールを校正、変更する。そして、各パーテ
ィクルカウンタ間で統一的にパーティクルの測定を行う
ことができる。この結果、異なるパーティクルカウンタ
間におけるパーティクル検査での信頼性を高めることが
できる。

【００３３】特に、請求項５に記載の発明では、シリコ
ンウェーハとして表面結晶方位（１００）のものを採用
したので、通常、多数使用している表面結晶方位（１０
０）のシリコンウェーハに形成されるＣＯＰと略同等形
状のピットが得られる。よって、測定を正確に行うこと
ができる。

【００３４】請求項１０に記載の発明では、表面結晶方
位が（１００）のシリコンウェーハに対してエッチング
液としてＫＯＨを使用してピットを形成するため、ピッ
トの内壁面が（１１１）面となりやすく、これにより実
際のＣＯＰと同様の形状のピットを得やすい。よって、
実際のパーティクルカウンタでの測定において正確にＣ
ＯＰを検出することができる。

【００３５】さらに、請求項１１に記載の発明は、ピッ
ト形成後、シリコンウェーハの表面の絶縁膜を除去した
ので、ＳＣ１洗浄によりその表面を清浄化でき、パーテ
ィクルカウンタによる検査数値の信頼性を増大すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係るパーティクルカウン
タ校正用ウェーハを模式的に示すその斜視図である。

【図２】（ａ）：この発明の一実施例に係るパーティク
ルカウンタ校正用ウェーハのベースとなるベアウェーハ
の拡大断面図である。（ｂ）：絶縁膜形成工程を示すウェーハの拡大断面図で
ある。（ｃ）：マスク形成工程を示すウェーハの拡大断面図で
ある。（ｄ）：パターンニング工程を示すウェーハの拡大断面
図である。

【図３】（ａ）：絶縁膜エッチング工程を示すウェーハ
の拡大断面図である。（ｂ）：マスク除去工程を示すウェーハの拡大断面図で
ある。（ｃ）：ＫＯＨによるエッチング工程を示すウェーハの
拡大断面図である。

【図４】（ａ）：ウェーハ表面の１／４の領域にピット
が形成された校正ウェーハの平面図である。（ｂ）：ウェーハ表面の１／２の領域にピットが形成さ
れた校正ウェーハの平面図である。

【図５】この発明の一実施例に係るパーティクルカウン
タで測定した校正ウェーハ表面のピットの分布を示すグ
ラフである。

【図６】ウェーハ表面におけるピットの分布を説明する
ためのグラフである。

【符号の説明】

１ベアウェーハ、２ＳｉＯ₂膜（絶縁膜）、２ａ窓部、３フォトレジスト膜（マスク）、３ａパターン孔、４ピット、１０パーティクルカウンタ校正用ウェーハ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】異なるパーティクルカウンタ間で、シリ
コンウェーハの表面に存在する微細な窪みであるＣＯＰ
を測定するときに用いられるパーティクルカウンタ校正
用ウェーハであって、このパーティクルカウンタ校正用ウェーハの表面には、
一定サイズのピットが１０〜５０個／ｃｍ²の割合で設
けられているパーティクルカウンタ校正用ウェーハ。
【請求項２】上記ピットのサイズ分布での半値幅が１
０〜２０ｎｍである請求項１に記載のパーティクルカウ
ンタ校正用ウェーハ。
【請求項３】上記ピットの配設領域が上記校正用ウェ
ーハ表面の１／４〜３／４である請求項１または請求項
２に記載のパーティクルカウンタ校正用ウェーハ。
【請求項４】１枚のウェーハに対して、１種類または
複数種類のサイズのピットを配設した請求項１〜請求項
３のいずれか１項に記載のパーティクルカウンタ校正用
ウェーハ。
【請求項５】上記パーティクルカウンタ校正用ウェー
ハは結晶方位（１００）の表面を有するシリコンウェー
ハである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のパ
ーティクルカウンタ校正用ウェーハ。
【請求項６】上記ピット形状が略逆ピラミッド形であ
る請求項５に記載のパーティクルカウンタ校正用ウェー
ハ。
【請求項７】上記各ピットの間隔が１ｍｍ以上である
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のパーティク
ルカウンタ校正用ウェーハ。
【請求項８】シリコンウェーハの表面にマスクを被着
する工程と、このマスクに所定パターンの窓を形成して上記シリコン
ウェーハの表面の一部を露出させる工程と、この露出したシリコンウェーハの表面をエッチングする
ことにより、この表面に１０〜５０個／ｃｍ²のピット
を形成する工程とを備えたパーティクルカウンタ校正用
ウェーハの作製方法。
【請求項９】シリコンウェーハの表面に絶縁膜を被着
する工程と、この絶縁膜の表面をマスクで覆う工程と、このマスクに所定のピットパターンの貫通孔を形成する
工程と、上記絶縁膜の貫通孔から露出した部分を除去することに
より、絶縁膜に上記ピットパターンの窓を形成する工程
と、上記窓を通して、上記シリコンウェーハの表面をエッチ
ングすることにより、このシリコンウェーハ表面に１０
〜５０個／ｃｍ²のピットを形成する工程とを備えたパ
ーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方法。
【請求項１０】上記シリコンウェーハは結晶方位（１
００）の表面を有しており、そのエッチング液はＫＯＨ
である請求項８または請求項９に記載のパーティクルカ
ウンタ校正用ウェーハの作製方法。
【請求項１１】上記ピット形成後、上記シリコンウェ
ーハの表面から上記絶縁膜を除去する請求項９〜請求項
１０のいずれか１項に記載のパーティクルカウンタ校正
用ウェーハの作製方法。