JPH10275846A - 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 - Google Patents
基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置Info
- Publication number
- JPH10275846A JPH10275846A JP8155797A JP8155797A JPH10275846A JP H10275846 A JPH10275846 A JP H10275846A JP 8155797 A JP8155797 A JP 8155797A JP 8155797 A JP8155797 A JP 8155797A JP H10275846 A JPH10275846 A JP H10275846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- holding
- groove
- holding member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 34
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 67
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 186
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 51
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
る。 【解決手段】ウエハWを保持するための保持溝58は、幅
がほぼ0である溝底部150 および溝底部150 から上方に
向けて開くように対向する一対の傾斜面151 を有し、正
面から見た場合、当該傾斜面151 の各傾斜辺151aおよび
151bによってV溝が形成されている。このV溝の下端部
の幅はほぼ0である。したがって、ウエハWは、その両
面の周縁部が傾斜辺151aおよび151bに当接する。すなわ
ちウエハWは保持溝58に対して点接触する。これによ
り、液が残らないようになる。 【効果】液切れ性能が向上されるから、たとえば乾燥処
理時において、ウエハにウォーターマークが形成される
ことはない。よって、高品質な基板を提供できる。
Description
晶表示装置用ガラス基板およびPDP(プラズマディス
プレイパネル)用ガラス基板などの各種被処理基板を保
持するための基板保持部材、および上記各種被処理基板
を処理するための基板処理装置に関する。
導体ウエハ(以下単に「ウエハ」という。 )を一括して
処理するバッチ式のウエハ処理装置が用いられる場合が
ある。この種のウエハ処理装置は、複数枚のウエハを一
括して薬液などに浸漬させ、これによりウエハ表面を洗
浄したりウエハ表面に形成された薄膜を除去したりする
ために用いられ、たとえばこのような薬液処理を行うた
めの複数の薬液処理部と、薬液処理後のウエハを水洗い
し、さらに減圧乾燥させる減圧乾燥部とを備えている。
ば、ウエハ全域にわたって均一な処理を施すために、い
わゆるカセットレス方式が採用される。すなわち、上記
ウエハ処理装置は、複数の保持溝が設けられたウエハ保
持チャックを有し、各チャンバ間を移動できるウエハ搬
送ロボットを備えている。複数枚のウエハは、上記保持
溝にはまり込んだ状態でウエハ保持チャックに挟まれる
ようにして整列保持される。
いするとともに、IPA(イソプロピルアルコール)ベ
ーパを利用してウエハを乾燥させるものである。さらに
詳述すると、ウエハ保持ロボットによって搬送されてき
たウエハは、減圧乾燥部内の昇降可能なウエハガイドに
渡され、当該ウエハガイドによって一括して鉛直に整列
保持される。その後、ウエハガイドが下降させられ、純
水が貯留されている貯留槽に収容され、この貯留槽にて
水洗いされる。その後、IPAベーパが減圧乾燥部内に
供給されるとともに、ウエハガイドが上昇させられてウ
エハが純水から引き上げられる。その結果、ウエハに付
着している水滴がIPAベーパと置換され、水滴がウエ
ハから除去されるとともにウエハ表面がIPAベーパに
よって覆われる。さらに、この状態においてチャンバ内
が減圧される。その結果、ウエハ表面を覆っていたIP
Aベーパが蒸発する。これにより、ウエハが乾燥され
る。
成例を示すもので、図16はウエハガイドの構成を示す
側面図、図17はウエハガイドの構成を示す平面図であ
る。ウエハガイド600は、所定方向xに沿って複数枚
のウエハWを整列保持するような構成となっており、各
々のウエハWは3つの保持溝602によって保持される
ようになっている。
向xに沿って長く延び、かつ並列に配置された3つのベ
ース部601と、各ベース部601に取り付けられた複
数の保持溝602とを有している。保持溝602は、ウ
エハWの幅にほぼ対応する長さだけずれて対向配置され
た一対の溝側部603、およびこれら一対の溝側部60
3によって挟まれた底の部分である溝底部604を有す
るものである。
保持溝は、他の2つのベース部に取り付けられ、かつ当
該保持溝に対して方向xにほぼ直交する方向yに沿って
配列されている他の2つの保持溝とともに、1つのグル
ープを形成している。1つのグループ内の3つの保持溝
は、ウエハWの端面形状に沿うように、外側2つが中央
よりも上方に配置される位置関係となっており、この構
成により、1枚のウエハWは、1つのグループ内の3つ
の保持溝によって保持される。
ウエハガイド600によって保持される場合、図17を
矢視方向fから見た図18に示すように、ウエハWの端
面が保持溝602の溝底部604に当接した状態で保持
される。すなわち、ウエハWは溝底部604に線接触し
た状態で保持される。したがって、ウエハWを引き上げ
る際に、ウエハWから流下する水滴が当該溝底部604
に残留し、液切れが悪いという不具合が生じていた。
って保持されるときには、ウエハWの表面のうちいずれ
か一方が保持溝602の溝側部603に面接触するか
ら、上記の場合と同様に、液切れが悪くなる。そこで、
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、液切れ性
能が向上された基板保持部材およびそれを用いた基板処
理装置を提供することである。
的を達成するための請求項1記載の発明は、一方向に向
けて開くように対向する第1傾斜面および第2傾斜面
と、この第1および第2傾斜面の交差部付近において基
板の厚み未満の幅に形成された溝底部とを含むほぼV字
状の保持溝を有し、上記第1および第2傾斜面にそれぞ
れ基板の両面の周縁部が当接することで、基板を保持す
るようにした基板保持部材である。
板の厚み未満であるから、基板は、その両面の周縁部に
おいて第1および第2傾斜面に点接触する。したがっ
て、この基板保持部材を一対の傾斜面が上方に開くよう
に配置して使用する場合に、濡れている基板を保持する
ときであっても、基板から流下する液体は保持溝から排
出されやすくなる。そのため、液切れ性能を向上でき
る。よって、濡れている基板を保持したまま乾燥する装
置に本発明を適用する場合において、基板を良好に乾燥
できる。そのため、高品質な基板を提供できる。
方向に対して交差する奥行方向に沿って水平面に対して
傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の基板保
持部材である。本発明によれば、溝底部が水平面に対し
て傾斜しているから、上記請求項1記載の発明に比べ
て、液切れ性能を一層向上できる。そのため、一層高品
質な基板を提供できる。
斜したテーパ面を、上記保持溝の両側に有することを特
徴とする請求項1または請求項2に記載の基板保持部材
である。本発明によれば、保持溝の両側がテーパ面とな
っているから、上記請求項1および請求項2に記載の発
明に比べて、液切れ性能をさらに一層向上できる。その
ため、さらに一層高品質な基板を提供できる。
して、液体が流出可能な排出部をさらに有することを特
徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板保持
部材である。本発明によれば、たとえば基板保持部材を
一対の傾斜面が上方に広がるように配置して使用する場
合、基板から流下した液体を排出部から流出させること
ができるから、液切れ性能をさらに一層向上できる。そ
のため、さらに一層高品質な基板を提供できる。
4のいずれかに記載の基板保持部材と、この基板保持部
材に保持された基板を浸漬するための処理液が貯留され
る貯留槽と、上記貯留槽に貯留された処理液に対して、
上記基板保持部材に保持された基板を浸漬または引き上
げるために、上記基板保持部材と処理液とを相対的に移
動させる移動手段とを含むことを特徴とする基板処理装
置である。
処理液に基板を浸漬させて処理する装置において、上記
請求項1ないし4のいずれかに記載の基板保持部材が備
えられているから、基板を引き上げて処理液を除去する
ことで基板を乾燥させる場合でも、当該除去された処理
液が基板保持部材の溝底部に残留することがない。その
ため、基板を良好に乾燥させることができるから、高品
質な基板を提供できる。
は、基板周縁部の少なくとも3箇所で基板を保持するも
のであることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置
である。本発明によれば、基板は少なくともその周縁部
の3箇所において保持されるから、基板を安定して保持
できる。したがって、基板が傾倒するなどの不具合の発
生を防止できるから、たとえば上記基板保持部材が複数
枚の基板を一括して整列保持するものである場合でも、
基板同士が接触したりすることがない。そのため、基板
を傷つけることがないから、高品質な基板を提供でき
る。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の第1実施形態の基板処理装置である減圧乾燥装置が
適用されるウエットステーションの全体構成を示す斜視
図である。このウエットステーション1は、カセットC
に収納されている複数枚(たとえば26枚)のウエハW
に対して薬液処理を施すためのものである。
の枚数(たとえば52枚)のウエハWの向きを整えるた
めの整列部2と、向きが整えられた後のウエハWをカセ
ットCから一括して取り出すための取出部3と、取出部
3によってカセットから取り出されたウエハWに対して
薬液処理を施すための複数の薬液処理部4、5、6、
7、8および9と、薬液処理後の複数枚のウエハWを一
括して水洗いし、かつ減圧乾燥させる減圧乾燥部10と
を備えている。整列部2、取出部3、薬液処理部4〜9
および減圧乾燥部10は、所定の処理部配列方向aに沿
って直線状に配置されている。
一括して所定の薬液に浸漬させることによってウエハW
を処理するものである。すなわち、各薬液処理部4〜9
の内部には、たとえばアンモニア、フッ酸、硫酸などの
薬液を貯留できる貯留槽(図示せず)が配置されてお
り、薬液が貯留されている貯留槽内にウエハWを浸漬さ
せることによって、ウエハWの表面が洗浄されたりウエ
ハWの表面に形成されている薄膜が除去されたりするよ
うになっている。
出部3から減圧乾燥部10までの間において、複数枚の
ウエハWを一括して搬送するためのウエハ搬送ロボット
11を備えている。ウエハ搬送ロボット11は、処理部
配列方向aに沿って移動可能なもので、処理部配列方向
aに関して開閉可能なウエハ保持チャック12を有して
いる。ウエハ保持チャック12は、ウエハ搬送ロボット
11に対して昇降自在に取り付けられている。この構成
により、薬液処理部4〜9および減圧乾燥部10の内部
にまで下降してウエハWの受け渡しを行うことができる
ようになっている。
示す正面図である。ウエハ保持チャック12は、処理部
配列方向aに関して互いに対向するように配置された一
対のチャック部13を有している。各チャック部13
は、それぞれ、処理部配列方向aにほぼ直交するウエハ
配列方向bに関して所定間隔離れて配置された一対のア
ーム部14(一方側のみ図示)と、ウエハ配列方向bに
沿って延び、アーム部14の下端部においてアーム部同
士をつなぐ上下一対の保持部15とを有している。各チ
ャック部13の保持部15には、V字状の保持溝16が
多数形成されている。
状態のチャック部13が互いに近づけられる。その結
果、各チャック部13の互いに対応する保持溝16にウ
エハWの周縁部が係合する。これにより、ウエハWは、
ウエハ保持チャック12に鉛直に保持される。そのた
め、複数枚のウエハWは、ウエハ保持チャック12にウ
エハ配列方向bに沿って鉛直に整列保持される。
処理部9が位置する側から見た断面図、図4は、減圧乾
燥部10の内部構成をウエハ保持ロボット11が位置す
る側から見た断面図である。減圧乾燥部10は、純水を
用いてウエハWに付着している薬液等を洗い流し、かつ
IPA(イソプロピルアルコール)ベーパを利用して洗
浄後のウエハWを乾燥させるためのものである。減圧乾
燥部10は、チャンバ20と、チャンバ20内において
複数枚のウエハWを一括して保持するためのウエハガイ
ド40と、ウエハガイド40を昇降させるためのリフタ
60と、チャンバ20内の下部に配置され、純水が貯留
される貯留槽80と、チャンバ20内の上部に配置さ
れ、ウエハWにパーティクルを含む空気が当たるのを防
止するための遮蔽部100とを備えている。
のもので、側壁21、22、23および24によって囲
まれている。チャンバ20の上面には、オートカバー1
20が装着されている。オートカバー120は、ウエハ
保持ロボット11が備えられている側と反対側の支点部
121を支点にして、開閉機構122によって自動的に
開閉することができる。これにより、オートカバー12
0の開き状態において、ウエハ保持チャック13がチャ
ンバ20内に進入することができるようになっている。
バー120の閉じ状態において、オートカバー120と
チャンバ20との間をシールするためのリップシール1
23が設けられている。これにより、チャンバ20外か
らパーティクルを含む空気がチャンバ20内に進入する
のが防止されるとともに、IPAベーパがチャンバ20
外に漏れるのが防止される。
〜24の近傍に当該各側壁21〜24に沿うように配置
され、その上部にチャンバ20の内側に入り込む段差部
101a、102a、103aおよび104aが形成さ
れた4つの側壁101、102、103、104を有し
ており、これら4つの側壁101〜104によって収容
空間105を形成している。遮蔽部100の上面および
下面は、いずれも開口している。また、各側壁101〜
104のうちリフタ60が配置されている側の側壁10
2には、リフタ60を通過させるための上下方向に沿っ
て長い切欠き106が形成されている。
部100の下面側の開口を介して収容空間105内にウ
エハWが収まるまで上昇することができるようになって
いる。ウエハガイド40は、ウエハ配列方向bに沿って
長く形成され、このウエハ配列方向bと直交する処理部
配列方向aに関して互いに所定間隔だけ離れている4つ
のガイド部41、42、43および44と、これらガイ
ド部41〜44の先端部を互いに連結するための連結部
45とを備えている。ガイド部41には、当該ガイド部
41を挟んで対向し、かつウエハ配列方向bに沿って長
い2つの保持板46および47がそれぞれボルト52お
よび53によって取り付けられている。ガイド部44に
は、当該ガイド部44を挟んで対向し、かつウエハ配列
方向bに沿って長い2つの保持板48および49がボル
ト54および55によって取り付けられている。また、
ガイド部42および43には、それぞれ、当該各ガイド
部42および43の外側の面に、ウエハ配列方向bに沿
って長い1つの保持板50および51がボルト56およ
び57によって取り付けられている。
れ、ほぼV字状の複数の保持溝58が形成されている。
いずれかの保持板に形成されている1つの保持溝は、他
の保持板の平面視において処理部配列方向aに沿う直線
上に位置する他の5つの保持溝とともに、1つのグルー
プを形成している。この1つのグループに含まれる6つ
の保持溝58はウエハWの周縁部の形状に沿うように配
置されている。1枚のウエハWは、1つのグループに含
まれる保持溝58にその周縁部が係合した状態で鉛直に
保持される。ウエハガイド40には、上述のような6つ
の保持溝58で構成されるグループがウエハ配列方向b
に関して複数形成されており、これによりウエハガイド
40では、複数枚のウエハWを一括してウエハ配列方向
bに沿って整列保持することができる。
8によって保持されるから、保持状態が非常に安定す
る。したがって、ウエハWが倒れるなどの不具合の発生
を防止できる。そのため、ウエハWを傷つけることを回
避できるから、高品質なウエハWを提供できる。リフタ
60は、このようなウエハガイド40を予め定める下位
置(実線で示す)と上位置(二点鎖線で示す)との間で
昇降させる。下位置は、貯留槽80の内部であって、貯
留槽80内に純水が貯留されている場合に、当該純水に
ウエハWが完全に浸漬されるような位置に設定されてい
る。上位置は、ウエハガイド40に保持されているウエ
ハWの下端部が遮蔽部100の収容空間105内に完全
に収まるような位置に設定されている。ウエハガイド4
0が下位置まで下降されるのは、主として、ウエハWに
純水洗浄処理を施す場合である。また、ウエハガイド4
0が上位置まで上昇されるのは、ウエハ保持チャック1
2からウエハWを受け取る場合、および純水洗浄処理が
終了した後にウエハWを乾燥させる場合である。
22側で連結し、支持する支持アーム61と、支持アー
ム61の上端に取り付けられた支持部62と、支持部6
2の下端に取り付けられ、下方に向けて延びた支持軸6
3と、この支持軸63を上下方向に移動させる昇降機構
64とを備えている。なお、参照符号78は、ウエハW
を乾燥させる際に用いられるIPAベーパから昇降機構
64などを保護したり、昇降機構64で発生するパーテ
ィクルがチャンバ20内に侵入するのを防止するための
ベローズである。
図3をg方向から見た側面図である。昇降機構64は、
基台65と、基台65の上部に取り付けられ、上方に向
けて延びたボールねじ機構66と、基台65に取り付け
られ、内部にモータMが設けられたモータ収容部67と
を備えている。ボールねじ機構66は、鉛直方向に沿っ
て長く形成されたボールねじ軸68と、ボールねじ軸6
8に取り付けられ、リニアガイド69に沿って鉛直方向
に移動自在な昇降テーブル70とを含む。ボールねじ軸
68は、ボールねじ機構66の上端部66aおよび下端
部66bに軸受71および72を介して回転自在に取り
付けられている。昇降テーブル70は、連結部73を介
して支持軸63に連結されている。ボールねじ軸68に
は、プーリ74が取り付けられいる。プーリ74には、
モータMの回転軸75に取り付けられたプーリ76との
間に、ベルト77が巻き掛けられている。
ト77を介してボールねじ軸66に伝達されるようにな
っている。その結果、昇降テーブル70が上下方向に沿
って移動するから、結局、支持軸63が上下方向に移動
する。これにより、リフタ60が昇降する。その結果、
ウエハガイド40が昇降する。図3および図4に戻っ
て、貯留槽80は、平面視においてほぼ矩形のもので、
側壁81、82、83および84、ならびに底壁85を
有し、上面が開口している。貯留槽80の底壁85付近
にはノズル86が配置されている。ノズル86には、図
示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路8
7が連結されている。純水供給路87の途中部には、純
水供給弁88が介装されている。この構成により、純水
供給弁88の開閉を制御することで、貯留槽80に純水
を供給することができる。
所定間隔で所定深さのV字状のノッチ90が複数個形成
されている。この構成により、貯留槽80に貯留されて
いる純水をノッチ90を介して貯留槽80の外部にオー
バーフローさせることができる。これにより、元々ウエ
ハWに付着していて純水洗浄処理中に純水中に溶けだし
た薬液やパーティクル等を貯留槽80外に排出すること
ができる。
0外にまで延びたドレン排出路26が連結されている。
これにより、純水洗浄処理中に貯留槽80からオーバー
フローされた薬液やパーティクル等の溶けだした純水を
チャンバ20外に排出することができる。また、貯留槽
80の底壁85には、ドレン弁91が介装されたドレン
排出路92が連結されている。この構成により、ドレン
弁91の開閉を制御することで、貯留槽80に貯留され
ている純水を貯留槽80の外部に排出することができ
る。これにより、純水洗浄処理後において使用済の純水
を排出することができるようになっている。
方向bに沿って長く延びた2つのIPA管140が配置
されている。IPA管140には、IPAベーパをチャ
ンバ20内に供給するためのIPA吐出孔141が複数
形成されている。IPA吐出孔141からは、純水洗浄
処理後の乾燥処理時においてIPAベーパが吐出される
ようになっている。一方、純水洗浄処理後においては、
ウエハガイド40が上位置に向けて上昇させられる。こ
の上昇途中において、チャンバ20内に供給されたIP
AベーパとウエハWの表面に付着している水滴とが置換
される。すなわち、ウエハW表面から水滴が除去される
とともに、ウエハW表面がIPAベーパによって覆われ
る。
結されている。また、純水供給路87は、純水排出弁9
5が介装された純水排出路96を介して、排気管30に
接続されている。排気管30には、減圧ポンプ31が接
続されている。減圧ポンプ31は、乾燥処理時に駆動さ
れるようになっている。この場合、チャンバ20内の空
気が排気管30を介して吸引され、チャンバ20内が減
圧される。その結果、ウエハW表面を覆っているIPA
ベーパが蒸発する。これにより、ウエハWを乾燥させる
ことができる。
に、純水排出弁95が開成される。その結果、ノズル8
6から閉成状態にある純水供給弁88に至る純水供給路
87内の純水が純水排出路96を介して吸引される。こ
れにより、純水供給路87が乾燥されるようになってい
る。ところで、チャンバ20内の空気が吸引されると
き、もしもリップシール123のシール面が劣化してい
れば、チャンバ20外からパーティクルを含む空気がチ
ャンバ20内に吸い込まれる。しかし、乾燥処理時には
ウエハWは完全に収容空間105に収められており、ま
た、チャンバ20外から吸い込まれてきた空気は遮蔽部
100の側壁101〜104に沿って収容空間105内
を通らずに排気管30に導かれるから、ウエハWにパー
ティクルを含む空気が当たることはない。
保持板46の上端付近を図4のe方向から見た正面図、
図7は、保持溝58の構成を示す斜視図、図8は、図6
のVIII-VIII 断面図である。以下では、保持板46に形
成された保持溝58を例にとって、図6ないし図8を参
照しつつ、保持溝58の構成について説明する。なお、
以下の説明では、ウエハ配列方向bに直交する水平方向
を奥行方向dと呼ぶことにする。
背面部153から正面部152に向けて傾斜したテーパ
面155が形成されている。保持溝58は、そのテーパ
面155が形成されている箇所に、保持板46の長手方
向であるウエハ配列方向bに沿って連続的に形成されて
いる。すなわち、保持溝58のウエハ配列方向bに関す
る両側は、テーパ面となっている。
に対して傾斜した溝底部150、および溝底部150か
ら上方に向けて開くように対向する一対の傾斜面151
を含むもので、正面側から見た場合に、各傾斜面151
の傾斜辺151aおよび151bによってV溝が形成さ
れている。溝底部150は、一対の傾斜面151が交差
して形成する谷線部であり、保持板46の正面部152
上の端部Pと、背面部153上であって、端部Pよりも
上方に設定された端部Qとの間を結ぶ直線となってい
る。すなわち、溝底部150は、保持板46の背面部1
53から正面部152に向けて下方に傾斜し、そのウエ
ハ配列方向bに関する長さ幅(以下「溝底部150の
幅」という。)は、ほぼ0である。
る三角形状のものである。すなわち、一対の傾斜面15
1の正面側から見て左側の一方は、端部Pおよび端部
Q、ならびに端部PおよびQよりも上方の背面部153
上の上端R1を頂点としている。この場合、端部Qと上
端R1とを結ぶ線分が傾斜辺151aに対応する。他方
は、端部PおよびQ、ならびに上端R1と同じ高さで、
かつ上端R1に対してウエハ配列方向bに関して所定間
隔だけずれた上端R2を頂点としている。この場合、端
部Qと上端R2とを結ぶ線分が傾斜辺151bに対応す
る。
エハガイド40に渡されるとき、ウエハWは、保持溝5
8に係合するように渡される。一方、溝底部150の幅
は上述のとおりほぼ0である。この場合、一対の傾斜面
151の各傾斜辺151aおよび151bによって形成
されるV溝の幅は、その下端部において0となる。すな
わち、ウエハWの厚みmよりも小さい値となる。したが
って、ウエハWは、当該ウエハWの両面の周縁部がそれ
ぞれ一対の傾斜面151の各傾斜辺151aおよび15
1bに当接した状態となる。
ら、ウエハWは保持溝58に対して点接触する。そのた
め、水滴が付着している状態でウエハWが保持されてい
て、当該水滴がウエハWから流下した場合であっても、
当該水滴は保持溝58に溜まらずに、保持板46の下方
に排出される。より詳述すれば、純水洗浄処理が終了し
てウエハWが純水から引き上げられた後においては、ウ
エハWに多量の水滴が付着している。この付着している
水滴は重力の作用によって流下する。この流下した水滴
は、ウエハWと保持溝58とが点接触していることか
ら、溝底部150に導かれる。その結果、当該水滴は下
方に傾斜している溝底部150によって端部P側に導か
れ、最終的に、保持板46の下方に排出される。
保持溝58の溝底部150の幅をウエハWの厚みm未満
とし、かつ溝底部150を水平面に対して傾斜させてい
るから、溝底部150に流下してきた水滴が排出しやす
くなっている。しかも、保持溝58の両側はテーパ面1
55となっているから、隣接する保持溝58の間に落下
した水滴を排出しやすくなっている。したがって、ウエ
ハWが保持溝に線接触および面接触する従来の装置に比
べて、液切れ性能を格段に向上できる。そのため、たと
えば乾燥処理時にウエハWに水滴が付着したままとなる
ことがないから、ウォーターマークなどがウエハWに形
成されることはない。よって、高品質なウエハを提供で
きる。
部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正面
図、図10は、保持溝の構成を示す斜視図、および図1
1は、図9のXI-XI 断面図である。なお、図9ないし図
11では、上記図6ないし図8と同じ機能部分について
は同一の参照符号を使用する。上記第1実施形態では、
保持溝58を単一のV溝によって構成しているのに対し
て、この第2実施形態では、保持溝58を、奥行方向d
に関して互いにずれた第1V溝200および第2V溝2
20によって構成している。
行方向dに関する保持板46の中央付近の端部Sと保持
板46の背面部153上の端部Tとの間に水平に形成さ
れた第1溝底部201、および第1溝底部201から上
方に向けて開くように対向する一対の第1傾斜面202
を含む。第1傾斜面202は、三角形状のもので、第1
溝底部201の各端部SおよびT、ならびに各端部Sお
よびTよりも上方に設定された背面部153上の上端U
1およびU2をそれぞれ頂点としている。また、第1溝
底部201の幅はほぼ0にされている。第2V溝220
は、第1溝底部201の端部Sから保持板46の正面部
152上の端部Vまで下降する第2溝底部221、およ
び第2溝底部221から上方に向けて開くように対向す
る一対の第2傾斜面222を含む。一対の第2傾斜面2
22は、三角形状のもので、第2溝底部220の各端部
SおよびV、ならびに上端U1およびU2をそれぞれ頂
点としている。
エハガイド40に渡されるとき、ウエハWは、第1V溝
200に係合するように渡される。一方、第1V溝20
0の第1溝底部201の幅は上述のとおりほぼ0であ
る。すなわち、ウエハWの厚みmよりも小さい値であ
る。したがって、ウエハWは、当該ウエハWの両面の周
縁部がそれぞれ第1傾斜面202に点接触した状態とな
る。そのため、水滴が付着している状態でウエハWが保
持され、当該水滴がウエハWから流下した場合であって
も、当該水滴は保持溝58に溜まらずに、保持板46の
下方に排出される。すなわち、流下した水滴は、ウエハ
Wと保持溝58とが点接触していることから、第1溝底
部201に導かれる。そして、第1溝底部201から溢
れ出した水滴は、背面部153またはその反対側の下方
に傾斜している第2溝底部221に導かれ、最終的に、
保持板46の下方に排出される。
も、ウエハWが保持される第1V溝200の第1溝底部
201の幅をウエハWの厚みm未満としているから、上
記第1実施形態と同様に、液切れ性能を格段に向上でき
る。しかも、ウエハWを辺ではなく面で保持しているか
ら、上記第1実施形態に比べて、ウエハWとV溝とが当
接する部分の強度が大きく、またウエハWの保持安定性
を向上できる。
持部材である保持板に形成された保持溝の構成を示す正
面図、図13は、保持溝の構成を示す斜視図、図14
は、図12のXIV-XIV 断面図である。なお、図12ない
し図14では、上記図6ないし図8と同じ機能部分につ
いては同一の参照符号を使用する。上記第2実施形態で
は、第1傾斜面202および第2傾斜面222の上端点
を共通としているのに対して、この第3実施形態では、
第1傾斜面202および第2傾斜面222の各上端点を
異なる位置に設定している。すなわち、一対の第2傾斜
面222の上端点は上記第1実施形態と同様に上端U1
およびU2であるのに対して、一対の第1傾斜面202
の上端点は端部U1およびU2よりも下方の背面部15
3上の上端X1およびX2とされている。また、これに
関連して、第2傾斜面222は、第2溝底部221の両
端部SおよびV、上端U1またはU2ならびに上端X1
またはX2を頂点とする四角形状の面となる。
も、上記第2実施形態と同様に、液切れ性能を向上する
ことができ、またウエハWの保持安定性を向上できる。
図15は、本発明の第4実施形態の基板保持部材である
保持板に形成された保持溝の構成を示す断面図である。
なお、図15では、上記図14と同じ機能部分について
は同一の参照符号を使用する。
は第3実施形態における保持溝58の第1溝底部201
に、背面部153に形成された横穴251と第1溝底部
201とを連通し、かつ下方に向けて延びた複数の排水
孔250が形成されている点である。この構成によれ
ば、第1溝底部201に導かれてきた水滴を、第2溝底
部221だけでなく、排水孔250および横穴251を
介しても保持板46の下方に排出することができるか
ら、上記第2および第3実施形態に比べて、液切れ性能
を一層向上できる。
ば第2溝底部221に排水孔250を形成するようにし
てもよく、また、排水孔250の代わりに溝を形成する
ようにしてもよい。本発明の実施の形態の説明は以上の
とおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定される
ものではない。たとえば上記実施形態では、本発明をウ
エハガイド40に設けられた保持溝58に適用する場合
について説明している。しかし、本発明は、たとえばウ
エハ保持チャック12のチャック部13に形成されてい
る保持部15に対しても、本発明を適用することができ
る。要は、ウエハWを保持する構成として溝を有する部
材であれば、本発明を適用することができる。
に、ウエハWを保持しているウエハガイド40をリフタ
60によって上昇させ、これによりウエハWを純水から
引き上げ、乾燥処理を行う構成について本発明を適用す
る場合を例にとっている。しかし、本発明は、たとえば
純水洗浄処理後に、ウエハガイド40を上昇させないま
ま純水を貯留槽80から排出し、この状態において乾燥
処理を行うようにした構成に対しても適用することがで
きる。要は、貯留槽80に貯留されている純水とウエハ
Wを保持するウエハガイド40とを相対的に移動させる
構成に対して、本発明を適用することができる。
液処理後に純水を用いて洗浄し、その後乾燥させる装置
に適用する場合について説明している。しかし、本発明
は、たとえば薬液にウエハWを浸漬させてウエハWに対
して薬液処理を施す装置に対しても適用することができ
る。さらにまた、上記実施形態では、基板としてウエハ
Wを適用する場合について説明している。しかし、基板
としては、液晶表示装置用ガラス基板やPDP(プラズ
マディスプレイパネル)用ガラス基板など他の各種の被
処理基板を適用することができる。たとえば、液晶表示
装置用ガラス基板であれば、ウエハWと異なり、周縁部
が直線状になっているから、線接触する状態で溝底部に
接触する。しかし、従来の装置では、液晶表示装置用ガ
ラス基板のような角型基板は面接触して保持されるか
ら、従来の装置よりも液切れ性能を向上することができ
る。
において種々の設計変更を施すことが可能である。
圧乾燥装置を含むウエットステーションの全体構成を示
す斜視図である。
側から見た断面図である。
位置する側から見た断面図である。
成を示すために、図4をd方向から見た正面図である。
持板に形成された保持溝の構成を示す正面図である。
保持板に形成された保持溝の構成を示す正面図である。
保持板に形成された保持溝の構成を示す断面図である。
る。
る。
Claims (6)
- 【請求項1】一方向に向けて開くように対向する一対の
傾斜面と、この一対の傾斜面の交差部付近において基板
の厚み未満の幅に形成された溝底部とを含むほぼV字状
の保持溝を有し、上記一対の傾斜面にそれぞれ基板の両
面の周縁部が当接することで、基板を保持するようにし
た基板保持部材。 - 【請求項2】上記溝底部は、幅方向に対して交差する奥
行方向に沿って水平面に対して傾斜していることを特徴
とする請求項1に記載の基板保持部材。 - 【請求項3】水平面に対して傾斜したテーパ面を、上記
保持溝の両側に有することを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の基板保持部材。 - 【請求項4】上記溝底部に関連して、液体が流出可能な
排出部をさらに有することを特徴とする請求項1ないし
請求項3のいずれかに記載の基板保持部材。 - 【請求項5】上記請求項1ないし4のいずれかに記載の
基板保持部材と、 この基板保持部材に保持された基板を浸漬するための処
理液が貯留される貯留槽と、 上記貯留槽に貯留された処理液に対して、上記基板保持
部材に保持された基板を浸漬または引き上げるために、
上記基板保持部材と処理液とを相対的に移動させる移動
手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項6】上記基板保持部材は、基板周縁部の少なく
とも3箇所で基板を保持するものであることを特徴とす
る請求項5記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155797A JP3714763B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8155797A JP3714763B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275846A true JPH10275846A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3714763B2 JP3714763B2 (ja) | 2005-11-09 |
Family
ID=13749601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8155797A Expired - Fee Related JP3714763B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3714763B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009289777A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sumco Corp | シリコンウェーハ洗浄装置および方法 |
| JP2010098017A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2012182371A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN104253063A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种用于防止晶片偏移掉落的装置 |
| CN104752285A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-01 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于芯片高温退火的插板式石英舟 |
| JP2023507012A (ja) * | 2019-12-18 | 2023-02-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体基板を乾燥させるための改良された装置 |
| WO2025205784A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | ダイキンファインテック株式会社 | ウエハ保持具 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6042143B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-12-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持部材及びそれを備えた基板処理装置 |
| EP3840022B1 (en) * | 2019-12-18 | 2022-10-05 | Siltronic AG | Improved device for drying semiconductor substrates |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8155797A patent/JP3714763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009289777A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Sumco Corp | シリコンウェーハ洗浄装置および方法 |
| JP2010098017A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2012182371A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN104253063A (zh) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种用于防止晶片偏移掉落的装置 |
| CN104752285A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-01 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于芯片高温退火的插板式石英舟 |
| JP2023507012A (ja) * | 2019-12-18 | 2023-02-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 半導体基板を乾燥させるための改良された装置 |
| WO2025205784A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | ダイキンファインテック株式会社 | ウエハ保持具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3714763B2 (ja) | 2005-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101798320B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR100886021B1 (ko) | 액처리방법 및 액처리장치 | |
| KR100897428B1 (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
| JP4581031B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20010020482A1 (en) | Single semiconductor wafer processor | |
| US9070549B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP4541232B2 (ja) | 処理システム及び処理方法 | |
| JP2022016347A (ja) | 基板搬送装置、基板処理装置、及び基板処理方法 | |
| JP3714763B2 (ja) | 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 | |
| US20230178387A1 (en) | Apparatus and method of treating substrate | |
| KR101768519B1 (ko) | 기판 처리 설비 | |
| JP4155722B2 (ja) | 基板処理装置、ポッド開閉装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板搬送方法 | |
| JP4790326B2 (ja) | 処理システム及び処理方法 | |
| KR100521401B1 (ko) | 기판세정시스템 | |
| US7415985B2 (en) | Substrate cleaning and drying apparatus | |
| JP2025505289A (ja) | 基板洗浄装置およびその反転装置 | |
| JPH10275851A (ja) | 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 | |
| JP2001044118A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3000179B2 (ja) | 搬送駆動装置 | |
| JP7504421B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20010095230A (ko) | 기판처리장치 | |
| CN223798643U (zh) | 晶圆清洗设备 | |
| KR102640149B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JPH11162905A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3585200B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050615 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050816 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050823 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080902 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090902 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100902 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110902 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120902 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130902 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |