JPH10275891A

JPH10275891A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH10275891A
Application number: JP9077721A
Authority: JP
Inventors: Masakuni Shibamoto; 正訓柴本; Yuko Matsumoto; 雄行松本; Yukiji Akiyama; 雪治秋山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-03-28
Filing date: 1997-03-28
Publication date: 1998-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＣＰテープを応用したエリアアレイタイプ
の表面実装型半導体装置を製造の際に発生するインナー
リードへのダメージを防止し、半導体装置の熱応力に対
する信頼性を向上する。【解決手段】銅あるいは銅合金を主導電層とし、その
表面に金メッキが施された配線３を有するテープ基板２
と半導体チップ１とを0.１〜５０ＭＰａの弾性率を有す
る弾性体からなる接着層６により接着し、配線３と一体
的に形成されるインナーリード９を半導体チップ１上に
形成された配線接続部１１に超音波ボンディングにより
接続する。このとき、配線接続部１１における接続点と
テープ基板に端面であるテープ端面８までの水平距離Ｌ
を１００μｍ以上、好ましくは３９０μｍとし、半導体
チップ１と配線３との垂直距離Ｈを１５０μｍ以下とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）を応用した
エリアアレイタイプの表面実装型半導体装置に適用して
有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯情報端末あるいは移動通信機
器等、実装基板の占有面積が著しく制限される用途への
適用を考慮した半導体装置では、そのパッケージの小形
化が強く要請されている。また、高機能化する半導体装
置の多ピン化に対応し、同時に実装基板への占有面積の
低減を図る技術が強く望まれている。

【０００３】このような要求を満足する技術の一つとし
て、ＣＳＰ（Chip Size Package)の技術が知られてい
る。なお、ＣＳＰに関する技術を詳細に説明した文献と
して、たとえば、平成７年４月２０日、プレスジャーナ
ル発行、「月刊 SemiconductorWorld」１９９５年５月
号、ｐ１０４〜ｐ１３１がある。

【０００４】なかでも、同文献、ｐ１１２〜ｐ１１３ま
たは平成６年５月１日、日経ＢＰ社発行、「日経マイク
ロデバイス」１９９４年５月号、ｐ９８〜ｐ１０２に記
載されている米テセラ社の提案であるμＢＧＡの技術
は、接続ピッチの標準化容易性、熱膨張率の違いの吸収
性の良さ、バーンインなどのテストのしやすさ等の点で
ベアチップ実装あるいはフリップチップ実装より優れ、
実装時の取扱易さ等の点でＴＣＰよりも優れており、総
合的に他の実装技術よりも優れた技術であると考えられ
る。

【０００５】μＢＧＡの技術は、特表平６−５０４４０
８号公報に詳細に記載されているが、その概略を説明す
れば、以下のとおりである。

【０００６】すなわち、たとえばポリイミド等のフレキ
シブルテープに配線およびアウターリードとしてのバン
プを形成して、半導体基板とほぼ同一面積のテープ基板
とし、このテープ基板を弾性体からなる接着層によって
半導体基板の主面に接着し、テープ基板に開口したスル
ーホールあるいはテープ基板の端面から延伸して形成さ
れたガルウィング状のインナーリードを、熱あるいは超
音波圧着により半導体装置の主面の配線パッドに接続す
るものである。インナーリードは、テープ基板上に形成
された配線の一部として形成されるものである。

【０００７】このようなμＢＧＡ技術では、半導体基板
の全面に相当する面にアウターリードが形成されている
ため、小型化が容易であるとともに取り扱いが容易であ
ることは、前記のとおりである。また、半導体基板とテ
ープ基板との間を弾性体で接着しているため、両基板間
の相対的な変位が可能であり、各部材間の熱膨張係数の
相異による熱応力を緩和することが可能であるという利
点がある。

【０００８】なお、前記インナーリードのガルウィング
形状は、半導体基板とテープ基板との間の前記相対変位
を吸収するために有効に作用し、また、配線（すなわち
インナーリード）の材質としては可撓性に優れる金が選
択される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記テープ基
板上の配線として金を選択すると材料コストが上昇し、
価格競争力が低下する。そこで、配線材料を金から金メ
ッキされた銅に変更するとコスト低減に大きく寄与でき
ることは明らかであるが、本発明者らの検討によりイン
ナーリードの接続性が低下する問題があることが判明し
た。

【００１０】すなわち、インナーリードとして金メッキ
された銅を用いると、インナーリードと半導体基板主面
の接続パッドとの接続の際、インナーリードの屈曲部に
クラックが発生し、ボンディングの際の超音波エネルギ
に損失が発生する。このような超音波エネルギの損失に
よりインナーリードと半導体基板主面の接続パッドとの
接続部に十分な超音波エネルギが供給されず、接続部の
金属溶融が十分に生じす、プアなボンディングになるこ
とが判明した。

【００１１】このような接続部のプアボンディングは、
それ自体で接続不良を発生することもあるが、見かけ上
接続されていても、実装後に熱応力が加わることにより
次第に接続性が悪化し、接続不良に至る場合がある。こ
のような場合には、インナーリードの接続信頼性の低
下、ひいては半導体装置の信頼性の低下を引き起こすと
いう問題がある。

【００１２】本発明の目的は、テープ基板に形成された
配線のインナーリードを半導体基板主面の接続パッドに
接続する際のインナーリードへのダメージを防止する技
術を提供することにある。

【００１３】本発明の他の目的は、半導体基板主面の接
続パッドとインナーリードとの接続信頼性を向上する技
術を提供することにある。

【００１４】本発明のさらに他の目的は、実装後の熱応
力に対し、信頼性の高い半導体装置を提供することにあ
る。

【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１７】（１）本発明の半導体集積回路装置は、そ
の主面に配線接続部を有する半導体基板と、半導体基板
の主面側に接着層によって接着されたテープ基板と、主
にテープ基板の表面にパターニングされた配線とを含
み、その配線の一部であるインナーリードが、テープ基
板の端部からテープ基板の表面に対して所定の角度で延
伸され、配線接続部に接続される半導体装置であって、
テープ基板の端部から配線接続部までの、テープ基板の
表面と平行な面における水平距離Ｌと、半導体基板の主
面から配線が形成されたテープ基板の表面までの垂直距
離Ｈとが、Ｈ＜１５０μｍ、Ｌ＞１００μｍ、の条件を
満足するものである。

【００１８】このような半導体装置によれば、前記水平
距離Ｌと前記垂直距離Ｈとが、Ｈ＜１５０μｍ、Ｌ＞１
００μｍ、の条件を満足するため、インナーリードの屈
曲角をある程度小さくすることができ、インナーリード
にクラックを発生させることがない。この結果、ボンデ
ィング時の超音波エネルギに損失が発生せず、十分な信
頼性でインナーリードと配線接続部を接続することがで
き、半導体装置の信頼性を向上することができる。

【００１９】水平距離Ｌは、上記条件では無限大まで大
きくすることができるが、実質的には、テープ基板上に
形成されるアウターリードの個数と配置で制限される。
すなわち、インナーリードはテープ基板に開口した開口
部あるいはテープ基板の端面から半導体基板の端面まで
の空きスペースに形成されるが、半導体基板のサイズお
よび配線接続部の位置はあらかじめ設計により決定され
ているため、水平距離Ｌをいかに大きくできるかは、テ
ープ基板の開口をどの程度大きくできるか、あるいはテ
ープ基板の端面をどの程度内側に設定できるかによって
決定される。したがって、アウターリードの個数を減少
させ、あるいはアウターリードの配置を千鳥配置等にす
ることにより、テープ基板上で占有されるアウターリー
ドを配置するための面積を減少し、インナーリードのた
めの空間を確保することとなる。しかし、現実には、他
ピン化等を考慮して、数百μｍ程度が限界と考えられ
る。一方、インナーリードの長さは、半導体装置の高速
化を考慮すれば、低インダクタンスであることが好まし
いため、短いほどよい。しかし、短くするほどインナー
リードの屈曲角度が増し、クラックが発生しやすくな
る。この点の調和を図った限界が上記の条件である。

【００２０】垂直距離Ｈは、上記条件では０にすること
ができる。しかし、実質的には接着層の製造工程上の制
約等からあまり薄くすることはできず、また、接着層
は、前記したとおり、弾性体として作用するものでもあ
るため、各部材の熱膨張係数の相違による変位を吸収す
るだけの厚さが必要であるため、１００μｍ程度以上の
膜厚が必要である。一方、接着層の膜厚があまり厚くな
りすぎると、実装後の熱ストレスにより、接着層の熱膨
張が問題となり、１５０μｍ以上にすることは好ましく
ない。

【００２１】上記水平距離Ｌおよび垂直距離Ｈの条件
は、インナーリードがクラックを発生する確率が経験的
に顕著になる条件である。水平距離Ｌと垂直距離Ｈを適
当に選択することにより、屈曲角をさらに小さくする条
件を例示することができる。

【００２２】たとえば、水平距離Ｌと垂直距離Ｈとが、
Ｈ＜１５０μｍ、Ｌ＞２８０μｍ、となる条件を例示す
ることができる。このような場合には、水平距離Ｌの長
さが大きくなり、インナーリードにクラックを発生する
確率を下げることができる。

【００２３】さらに、水平距離Ｌと垂直距離Ｈとが、Ｈ
＜１５０μｍ、Ｌ＞３９０μｍ、となる条件を例示する
ことができる。このような場合には、ほとんどクラック
の発生を問題としないレベルにその発生確率を下げるこ
とができる。なお、この場合の水平距離Ｌおよび垂直距
離Ｈは、実質的な下限および上限となっている。

【００２４】（２）本発明の半導体集積回路装置は、前
記（１）記載の半導体装置であって、配線を、銅を主導
電層としその表面に金メッキが施された導体とするもの
である。

【００２５】このような半導体装置によれば、（１）で
示した条件の下で金メッキされた銅を配線として用いる
ため、インナーリードにクラックを発生させず、つま
り、半導体装置の信頼性を高く保ちつつ、半導体装置の
低コスト化を図ることが可能である。

【００２６】（３）本発明の半導体集積回路装置は、前
記（１）または（２）記載の半導体装置であって、接着
層を０．１ＭＰａ〜５０ＭＰａの弾性率を有する弾性体
とするものである。

【００２７】このような半導体装置によれば、接着層を
０．１ＭＰａ〜５０ＭＰａの弾性率を有する弾性体とす
るため、半導体装置の各部材、特に半導体基板とテープ
基板との熱膨張係数の相違による位置変位を十分吸収
し、回路基板との接続部であるアウターリード部での熱
応力の発生を抑制することができる。この結果、半導体
装置の熱ストレスに対する信頼性を向上することができ
る。また、このような比較的低い弾性率を有する接着層
を用いることにより、半導体基板の配線接続部とテープ
基板上の配線のインナーリードとの接続部に、比較的大
きな応力が加わると考えられるが、上記（１）の条件の
下に接続されているため、インナーリードの接続信頼性
が高く、熱ストレスに対するインナーリードの接続信頼
性は低下することはない。

【００２８】このような弾性体としてシリコーンもしく
はシリコーンを基材とするゴム材を例示することができ
る。

【００２９】（４）本発明の半導体集積回路装置は、そ
の主面に配線接続部を有する半導体基板と、半導体基板
の主面側に接着層によって接着されたテープ基板と、主
にテープ基板の表面にパターニングされた配線とを含
み、配線の一部であるインナーリードが、テープ基板の
端部からテープ基板の表面に対して所定の角度で延伸さ
れ、配線接続部に接続される半導体装置であって、テー
プ基板の端部における配線の一部をテープ基板から剥離
してインナーリードの一部とし、角度を緩和するもので
ある。

【００３０】このような半導体装置によれば、テープ基
板の端部における配線の一部をテープ基板から剥離して
インナーリードの一部としているため、テープ基板上に
形成された配線とインナーリードのなす角度は、緩和さ
れ、小さくすることができる。すなわち、インナーリー
ドの屈曲角度を小さくして、インナーリードのクラック
の発生を抑制することができる。この結果、インナーリ
ードの半導体基板主面の配線接続部への接続信頼性を高
めることができ、半導体装置の熱応力に対する信頼性を
向上することができる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において、同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。

【００３２】図１は、本発明の一実施の形態である半導
体装置の要部の外観の一例を示した斜視図である。図１
において図面を見やすくするために、一部の部材を切断
部および破線で示す。また、図２は、図１におけるII−
II線断面図であり、図３は、図２におけるIII 部拡大図
である。

【００３３】本実施の形態の半導体装置は、半導体基板
の主面に半導体回路素子が形成された半導体チップ１
と、有機系材料からなるテープ基板２とを有するもので
ある。

【００３４】テープ基板２の材料として、たとえばポリ
イミド（ユーピレックス）を用いることができ、その厚
さは５０μｍとすることができる。この点、通常のＴＣ
Ｐでは７５μｍあるいは１２５μｍの厚さのテープを用
いる点と相違する。

【００３５】テープ基板２の一方の面には、パターニン
グされた配線３を有し、他方の面にはアウターリードと
して機能するバンプ４が形成されている。

【００３６】配線３は、たとえば銅もしくは銅合金を主
導電層とする金属とすることができ、その表面を金メッ
キしたものを用いることができる。このように銅もしく
は銅合金を主導電層とすることにより、十分な導電率お
よび電流容量を確保し、金を主導電層とする場合に比較
してコストの低減を図ることができる。配線３の厚さお
よび幅は、たとえば各々１８μｍおよび５０μｍとする
ことができ、配線３間の間隔は、たとえば５０μｍとす
ることができる。ただし、配線３の幅および間隔は、と
もに２５μｍまで低減することが可能である。

【００３７】バンプ４は、たとえばはんだバンプとする
ことができ、ボールの径および高さは、たとえば各々６
００μｍおよび５００μｍとすることができる。ただ
し、その径および高さは、各々３００μｍおよび２００
μｍまで低減することが可能である。

【００３８】配線３とバンプ４とは、テープ基板２に開
口した接続孔５を介して接続される。接続孔５の開口径
は、たとえば４５０μｍとすることができるが、２００
μｍまで低減することができる。

【００３９】半導体チップ１とテープ基板２とは、接着
層６により接着されている。接着層６の材料として、シ
リコーンゴムを例示することができる。接着層６は、半
導体チップ１とテープ基板２との接着剤として作用する
一方、弾性体としても作用するものであり、その弾性率
は０．１〜５０ＭＰａとすることができる。このよう
に、半導体チップ１とテープ基板２とを弾性体である接
着層６により接着するため、半導体装置が実装された後
の回路基板と半導体チップ１との熱膨張係、あるいは半
導体チップ１とテープ基板２との熱膨張係数の相違によ
る熱応力を吸収し、アウターリードであるバンプ４と回
路基板間に作用する応力を緩和して実装の信頼性を向上
することができる。

【００４０】本実施の形態では、テープ基板２の中央領
域にテープ開口部７が形成されている。テープ開口部７
におけるテープ基板２のテープ端面８には、配線３の一
部としてインナーリード９が形成されている。すなわ
ち、インナーリード９の材質は、配線３と同様に銅また
は銅合金を主導電層とするものであり、その表面は金メ
ッキされていてもよい。また、インナーリード９の形状
は、ほぼ配線３の形状と同一であり、その幅は、たとえ
ば５０μｍとすることができる。

【００４１】インナーリード９のリード端部１０は、半
導体チップ１の半導体基板主面に形成された配線接続部
１１に接続されている。すなわち、インナーリード９
は、テープ端面８における屈曲部１２で折り曲げられ、
配線３に対してある角度で配線接続部１１に向かい、配
線接続部１１において接続される。図１〜図３において
は、屈曲部１２でのみ屈曲されているように示されてい
るが、現実には適当な曲率で滑らかに折り曲げられてい
ることはいうまでもない。なお、この屈曲部１２およ
び、配線接続部１１におけるインナーリード９の曲率が
大きいと、インナーリード９にクラックが発生し、イン
ナーリード９の接続の際の超音波エネルギに損失が発生
して接続が良好に行われないことは前記したとおりであ
る。

【００４２】しかしながら、本実施の形態では、リード
端部１０からテープ端面８間での水平距離Ｌは、３９０
μｍとすることができ、また、テープ端面における配線
３の位置（屈曲部１２）とリード端部１０との垂直距離
Ｈは、１５０μｍとすることができる。このような水平
距離Ｌおよび垂直距離Ｈでインナーリード９を形成する
と、インナーリード９の屈曲部１２等にクラックが発生
せず、インナーリード９の接続の際に超音波エネルギの
損失は発生せず、確実なボンディングが実施される。そ
の結果、インナーリード９の接続信頼性が向上し、半導
体装置の熱応力に対する信頼性の向上を図ることができ
る。また、十分な接続信頼性が得られるため、接着層６
に0.１〜５０ＭＰａという比較的低い弾性率を有する弾
性体を用いても、半導体チップ１とテープ基板２との間
の相対的な変位を十分に吸収し、熱応力に対して強く、
かつ信頼性の高い半導体装置とすることができる。

【００４３】なお、水平距離Ｌを小さくすることは、半
導体装置の小形化ならびに配線抵抗および配線インダク
タンスの低減に対して有効である。したがって、水平距
離Ｌをさらに小さく、たとえば２８０μｍとすることが
できる。さらに、水平距離Ｌを短くすることもできる
が、１００μｍ以下にすることはできない。すなわち、
水平距離Ｌを１００μｍ以下とする場合には、インナー
リード９に発生するクラックの発生確率が経験的に大き
くなり、接続信頼性に欠けるボンディングとなる可能性
が大きくなるためである。

【００４４】また、垂直距離Ｈは、本実施の形態では１
５０μｍとしているが、さらに小さくすることも可能で
ある。しかしながら、さらに小さくする場合には、半導
体チップ１とテープ基板２間の相対的な変位を十分に吸
収することができなくなるため、本実施の形態の値が適
当である。

【００４５】配線接続部１１は、半導体基板上に形成さ
れた半導体回路素子の電源端子あるいは信号入出力端子
であり、一般的には半導体基板主面上に形成された半導
体回路素子配線の配線パッド部に相当する。配線接続部
１１には、接続を容易にするため、金メッキあるいは金
バンプが形成されていてもよい。

【００４６】テープ開口部７は、レジン１３により埋め
込まれている。テープ開口部７にレジン１３を埋め込む
ことにより、インナーリード９を保護することができ
る。

【００４７】次に、本実施の形態の半導体装置の製造方
法を、図４〜図６を用いて説明する。図４〜図６は、本
実施の形態の半導体装置の製造方法の一例をその工程順
に示した断面図である。

【００４８】まず、５０μｍの厚さを有するポリイミド
テープ１４の片面に、膜厚は１８μｍ程度の銅あるいは
銅合金の薄膜１５を形成する（図４（ａ））。

【００４９】次に、銅あるいは銅合金の薄膜１５の両面
に、レジスト１６を形成する（図４（ｂ））。レジスト
１６は、後に形成される配線３に相当するパターンにパ
ターニングされており、パターニングは、公知のスクリ
ーン印刷法あるいはフォトリソグラフィ技術を用いるこ
とができる。

【００５０】次に、レジスト１６をマスクとして銅ある
いは銅合金の薄膜１５をエッチングし、配線３を形成す
る。さらに、レジスト１６を除去する（図４（ｃ））。
薄膜１５のエッチングは公知のウェットエッチング法あ
るいはドライエッチング法を用いることができる。

【００５１】次に、ポリイミドテープ１４に接続孔５お
よびテープ開口部７を形成する（図４（ｄ））。この
際、インナーリード９が形成される。ポリイミドテープ
１４の除去には、たとえばレーザによるアブレーション
法を用いることができる。また、本工程の直後に配線３
に電解メッキを施し、金メッキを形成してもよい。な
お、テープ開口部７の幅は、あらかじめ設計により決定
される水平距離Ｌを決める寸法であるため、その寸法に
適合するように開口し、また、精度を担保する必要があ
る。

【００５２】次に、接続孔５の部分にはんだからなるバ
ンプ４を形成する（図４（ｅ））。バンプ４は、たとえ
ば電解メッキにより形成することができる。以上のよう
にしてテープ基板２を形成することができる。

【００５３】次に、テープ基板２を半導体チップ１に接
着層６を介して接着する（図５）。接着層６は前記のと
おりシリコーン系樹脂が適しており、アウターリードの
接続信頼性を向上させる効果がある。なお、接着層６の
厚さは、その接着後の厚さが１５０μｍとなるようにす
る必要があり、接着前の厚さはプロセス条件等により最
適化する必要がある。

【００５４】次に、インナーリード９のリード端部１０
にツール１７を作用させ、インナーリード９を曲げつ
つ、配線接続部１１まで押し付ける。さらに、ツール１
７に超音波エネルギを印加してインナーリード９と配線
接続部１１を接続する（図６）。接続の方式としては、
ＴＣＰのボンディング方法として公知のギャングボンデ
ィング（一括方式）あるいはシングルポイントボンディ
ング等を用いることができる。本工程のボンディングの
際には、前記した水平距離Ｌおよび垂直距離Ｈの条件を
満足しているため、インナーリード９にクラックの発生
がなく、超音波エネルギの損失によるプアボンディング
は発生しない。なお、超音波エネルギに加えて、加熱に
よるボンディングを併用してもよい。

【００５５】最後に、テープ開口部７にレジン１３を充
填して、図１〜図３に示す半導体装置が完成する。

【００５６】本実施の形態の半導体装置によれば、水平
距離Ｌを３９０μｍ、垂直距離Ｈを１５０μｍとするた
め、インナーリード９と配線接続部１１との接続の際
に、インナーリード９にクラック等の超音波エネルギに
損失を発生させる不良原因が発生せず、インナーリード
９と配線接続部１１との接続を十分に高い信頼性で行う
ことができる。その結果、配線接続部１１における接続
信頼性が向上し、接着層の弾性変形により半導体チップ
１とテープ基板２との間に相対的な位置変動が生じて
も、つまり配線接続部１１におけるインナーリード９の
接続点に応力が発生しても、容易に接続が解かれること
がない。その結果、半導体装置の実装後にしばしば発生
する熱応力に対しても信頼性の高い半導体装置とするこ
とができる。

【００５７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでも
ない。

【００５８】たとえば、図７に示すように、テープ端面
８の近傍における配線３の一部を剥離し、インナーリー
ド９の折り曲げ部の曲率を緩和するようにしてもよい。
このような場合には、折り曲げ部分におけるクラックの
発生確率を低減し、インナーリード９の接続信頼性を向
上して半導体装置の信頼性を向上することができる。

【００５９】また、本実施の形態では、テープ開口部７
を半導体チップ１の中央部分に設けた例を示したが、半
導体チップ１の両端あるいは周辺部に設けてもよい。

【００６０】さらに、本実施の形態ではテープ基板２を
ポリイミドの場合を例示したが、他の有機系材料であっ
てもよく、また、バンプ４の材質をはんだとしたが、金
バンプであってもよいことはいうまでもない。

【００６１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。

【００６２】（１）テープ基板に形成された配線のイン
ナーリードを半導体基板主面の接続パッドに接続する際
のインナーリードへのダメージを防止することができ
る。

【００６３】（２）半導体基板主面の接続パッドとイン
ナーリードとの接続信頼性を向上することができる。

【００６４】（３）実装後の熱応力に対し、信頼性の高
い半導体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の要部
の外観の一例を示した斜視図である。

【図２】図１におけるII−II線断面図である。

【図３】図２におけるIII 部拡大断面図である。

【図４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法の一例をその工程順に示した断面図である。

【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法の一例をその工程順に示した断面図である。

【図６】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法の一例をその工程順に示した断面図である。

【図７】本発明の一実施の形態である半導体装置の他の
例を示した要部断面図である。

【符号の説明】

１半導体チップ２テープ基板３配線４バンプ５接続孔６接着層７テープ開口部８テープ端面９インナーリード１０リード端部１１配線接続部１２屈曲部１３レジン１４ポリイミドテープ１５薄膜１６レジスト１７ツールＨ垂直距離Ｌ水平距離

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】その主面に配線接続部を有する半導体基
板と、前記半導体基板の主面側に接着層によって接着さ
れたテープ基板と、主に前記テープ基板の表面にパター
ニングされた配線とを含み、前記配線の一部であるイン
ナーリードが、前記テープ基板の端部から前記テープ基
板の表面に対して所定の角度で延伸され、前記配線接続
部に接続される半導体装置であって、前記テープ基板の端部から前記配線接続部までの、前記
テープ基板の表面と平行な面における水平距離Ｌと、前
記半導体基板の主面から前記配線が形成された前記テー
プ基板の表面までの垂直距離Ｈとが、Ｈ＜１５０μｍ、Ｌ＞１００μｍ、の条件を満足することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置であって、前記水平距離Ｌと、前記垂直距離Ｈとが、Ｈ＜１５０μｍ、Ｌ＞２８０μｍ、の条件を満足することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体装置であ
って、前記水平距離Ｌと、前記垂直距離Ｈとが、Ｈ＜１５０μｍ、Ｌ＞３９０μｍ、の条件を満足することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】請求項１、２または３記載の半導体装置
であって、前記配線は、銅を主導電層とし、その表面に金メッキが
施された導体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】請求項１、２、３または４記載の半導体
装置であって、前記接着層は、0.１ＭＰａ〜５０ＭＰａの弾性率を有す
る弾性体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】その主面に配線接続部を有する半導体基
板と、前記半導体基板の主面側に接着層によって接着さ
れたテープ基板と、主に前記テープ基板の表面にパター
ニングされた配線とを含み、前記配線の一部であるイン
ナーリードが、前記テープ基板の端部から前記テープ基
板の表面に対して所定の角度で延伸され、前記配線接続
部に接続される半導体装置であって、前記テープ基板の端部における前記配線の一部を前記テ
ープ基板から剥離して前記インナーリードの一部とし、
前記角度を緩和することを特徴とする半導体装置。