JPH10276011A - 非可逆回路素子 - Google Patents
非可逆回路素子Info
- Publication number
- JPH10276011A JPH10276011A JP7674997A JP7674997A JPH10276011A JP H10276011 A JPH10276011 A JP H10276011A JP 7674997 A JP7674997 A JP 7674997A JP 7674997 A JP7674997 A JP 7674997A JP H10276011 A JPH10276011 A JP H10276011A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- yokes
- circuit element
- external magnetic
- spot
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、非可逆回路素子の低背化を目的と
する。 【解決手段】 非可逆回路素子を構成する一対のヨーク
をスポット溶接によって接合することによって、接合部
分の磁気抵抗を低減し、実効的に得られる外部磁界を強
くできる。その結果、外部磁界印加用の励磁用永久磁石
を薄くした場合でも、十分な外部磁界を得ることがで
き、非可逆回路素子の低背化が可能となる。
する。 【解決手段】 非可逆回路素子を構成する一対のヨーク
をスポット溶接によって接合することによって、接合部
分の磁気抵抗を低減し、実効的に得られる外部磁界を強
くできる。その結果、外部磁界印加用の励磁用永久磁石
を薄くした場合でも、十分な外部磁界を得ることがで
き、非可逆回路素子の低背化が可能となる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯域等
で用いられる無線機器、例えば携帯電話のごとき移動体
無線機器等に使用される非可逆回路素子に関する。
で用いられる無線機器、例えば携帯電話のごとき移動体
無線機器等に使用される非可逆回路素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の非可逆回路素子は、図2の分解斜
視図に示すごとき基本構造を有している。同図におい
て、200はガラス・エポキシ樹脂等からなる非磁性体
基板であり、この非磁性体基板200の上下面には中心
導体201および202が形成されている。中心導体2
01および202は、非磁性体基板200を貫通するビ
アホールで互いに接続される。中心導体201および2
02を形成した非磁性体基板200の両側に、磁性体部
材204および205、接地導体電極206および20
7が形成され、磁気回転子が構成される。さらに、励磁
用永久磁石208および209、ならびに上下に分割さ
れており励磁用永久磁石208および209からの磁束
用磁路を構成する分割式のヨーク210および211を
この順序でそれぞれ積み重ねて組立てられ、非可逆回路
素子となる。組立の際、上下に分割されたヨーク210
および211は、カシメまたはハンダにより固定されて
いる。
視図に示すごとき基本構造を有している。同図におい
て、200はガラス・エポキシ樹脂等からなる非磁性体
基板であり、この非磁性体基板200の上下面には中心
導体201および202が形成されている。中心導体2
01および202は、非磁性体基板200を貫通するビ
アホールで互いに接続される。中心導体201および2
02を形成した非磁性体基板200の両側に、磁性体部
材204および205、接地導体電極206および20
7が形成され、磁気回転子が構成される。さらに、励磁
用永久磁石208および209、ならびに上下に分割さ
れており励磁用永久磁石208および209からの磁束
用磁路を構成する分割式のヨーク210および211を
この順序でそれぞれ積み重ねて組立てられ、非可逆回路
素子となる。組立の際、上下に分割されたヨーク210
および211は、カシメまたはハンダにより固定されて
いる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、非可逆回路素子
の小型化、特に低背化が要求されてきている。低背化の
ためには各部を薄くすることが必要であるが、励磁用磁
石を薄くした場合には非可逆回路素子の動作に必要な外
部磁界が不足するという問題が発生してしまう。
の小型化、特に低背化が要求されてきている。低背化の
ためには各部を薄くすることが必要であるが、励磁用磁
石を薄くした場合には非可逆回路素子の動作に必要な外
部磁界が不足するという問題が発生してしまう。
【0004】本発明はこのような問題を解決することを
目的とするものであり、特性を低下させることなく低背
化が可能である非可逆回路素子を得ることを目的とす
る。
目的とするものであり、特性を低下させることなく低背
化が可能である非可逆回路素子を得ることを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記(1)
の構成により達成される。
の構成により達成される。
【0006】(1)非可逆回路素子を構成する一対のヨ
ークにおいて、その接合部をスポット溶接したことを特
徴とする非可逆回路素子。
ークにおいて、その接合部をスポット溶接したことを特
徴とする非可逆回路素子。
【0007】
【発明の実施の形態】非可逆回路素子は、磁気回転子の
上下またはどちらか一方に励磁用磁石を配置して構成さ
れる。この非可逆回路素子の低背化のためには、励磁用
磁石の薄型化が効果的である。しかしながら励磁用磁石
を薄くした場合は磁界が弱くなり、非可逆回路素子を動
作させるために必要な外部磁界が不足してしまう。そこ
で、本発明はこのような外部磁界の不足を補うために考
案されたものであり、上下のヨークをスポット溶接によ
り接合することを特徴とする。
上下またはどちらか一方に励磁用磁石を配置して構成さ
れる。この非可逆回路素子の低背化のためには、励磁用
磁石の薄型化が効果的である。しかしながら励磁用磁石
を薄くした場合は磁界が弱くなり、非可逆回路素子を動
作させるために必要な外部磁界が不足してしまう。そこ
で、本発明はこのような外部磁界の不足を補うために考
案されたものであり、上下のヨークをスポット溶接によ
り接合することを特徴とする。
【0008】非可逆回路素子を構成するヨークは、組立
の都合から上下一対に分割されており、磁気回転子およ
び励磁用磁石等をヨーク中に組立てた後に、分割された
ヨークが接合される。従来、上下一対のヨークは、カシ
メまたはハンダ付けにより固定されていた。しかしなが
ら、カシメによる接合の場合は上下に分割されたヨーク
を単に接触させるだけであり、接合部分の磁気抵抗が高
くなってしまう。また、半田は非磁性の金属で接合して
いるため、この場合も接合部分の磁気抵抗が高くなり、
このことが外部磁界を低下させる原因となっていた。
の都合から上下一対に分割されており、磁気回転子およ
び励磁用磁石等をヨーク中に組立てた後に、分割された
ヨークが接合される。従来、上下一対のヨークは、カシ
メまたはハンダ付けにより固定されていた。しかしなが
ら、カシメによる接合の場合は上下に分割されたヨーク
を単に接触させるだけであり、接合部分の磁気抵抗が高
くなってしまう。また、半田は非磁性の金属で接合して
いるため、この場合も接合部分の磁気抵抗が高くなり、
このことが外部磁界を低下させる原因となっていた。
【0009】これに対し、本発明においてはスポット溶
接により上下一対のヨークを接合する。本発明によれ
ば、ヨークの金属そのものが接合されるため、接合部に
おける磁気抵抗が従来のものより低減される。また、磁
気抵抗を低減することにより、実効的に外部磁界を強く
することができる。このため、励磁用磁石を薄くした場
合でも十分な外部磁界が得られるようになり、非可逆回
路素子の低背化が可能となる。
接により上下一対のヨークを接合する。本発明によれ
ば、ヨークの金属そのものが接合されるため、接合部に
おける磁気抵抗が従来のものより低減される。また、磁
気抵抗を低減することにより、実効的に外部磁界を強く
することができる。このため、励磁用磁石を薄くした場
合でも十分な外部磁界が得られるようになり、非可逆回
路素子の低背化が可能となる。
【0010】次に本発明の非可逆回路素子の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0011】非可逆回路素子の外部磁界を形成するため
のヨークは、図1のように上側ヨーク11と下側ヨーク
12の上下二分割で構成されており、内部に磁気回転子
および励磁用磁石等を配置した後、一体に組み立てられ
る。この上下のヨークを組み立てた後、スポット溶接機
の端子を上下のヨークそれぞれに当て、電流を流しスポ
ット溶接する。このようにして、ヨークをスポット溶接
することにより、磁気抵抗を減らすことができ、実効的
に外部磁界を強くすることができるのである。
のヨークは、図1のように上側ヨーク11と下側ヨーク
12の上下二分割で構成されており、内部に磁気回転子
および励磁用磁石等を配置した後、一体に組み立てられ
る。この上下のヨークを組み立てた後、スポット溶接機
の端子を上下のヨークそれぞれに当て、電流を流しスポ
ット溶接する。このようにして、ヨークをスポット溶接
することにより、磁気抵抗を減らすことができ、実効的
に外部磁界を強くすることができるのである。
【0012】
【実施例】以下、具体的な実施例を示し、本発明をさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【0013】酸化イットリウム(Y2O3)と酸化鉄(F
e2O3)をモル比で3:5の割合で混合した。混合粉を
1200℃で仮焼した。得られた仮焼粉をボールミルに
て粉砕した。有機バインダーおよび溶剤を添加し、磁性
体スラリーを作製した。得られたスラリーをドクターブ
レード法により、グリーンシートに成形した。グリーン
シートにビアホール用の穴をパンチングマシーンで形成
し、その後グリーンシートに厚膜印刷法で中心導体パタ
ーンを形成した。このとき、ビアホールの充填も同時に
行った。導体材料には、パラジウムペーストを使用し
た。グリーンシートを熱圧着し、積層体を得た。その後
所定の大きさの形状に切断し、1480℃で焼成した。
次に、焼成体の上下面に銀ペーストを焼き付けることに
よってグランド電極を形成した。さらに、焼成体側面
に、各端子電極および、上下のグランド電極をつなぐ電
極を、銀ペーストを焼き付けることにより形成した。こ
れにより磁性体、中心導体が一体化された磁気回転子を
得た。次に、共振容量を付加するための容量基板、励磁
用永久磁石、ヨークを組み立てた。組立の際、ヨークを
スポット溶接により接合し、非可逆回路素子を得た。ま
た、比較例としてカシメによりヨークを接合した非可逆
回路素子を作成した。
e2O3)をモル比で3:5の割合で混合した。混合粉を
1200℃で仮焼した。得られた仮焼粉をボールミルに
て粉砕した。有機バインダーおよび溶剤を添加し、磁性
体スラリーを作製した。得られたスラリーをドクターブ
レード法により、グリーンシートに成形した。グリーン
シートにビアホール用の穴をパンチングマシーンで形成
し、その後グリーンシートに厚膜印刷法で中心導体パタ
ーンを形成した。このとき、ビアホールの充填も同時に
行った。導体材料には、パラジウムペーストを使用し
た。グリーンシートを熱圧着し、積層体を得た。その後
所定の大きさの形状に切断し、1480℃で焼成した。
次に、焼成体の上下面に銀ペーストを焼き付けることに
よってグランド電極を形成した。さらに、焼成体側面
に、各端子電極および、上下のグランド電極をつなぐ電
極を、銀ペーストを焼き付けることにより形成した。こ
れにより磁性体、中心導体が一体化された磁気回転子を
得た。次に、共振容量を付加するための容量基板、励磁
用永久磁石、ヨークを組み立てた。組立の際、ヨークを
スポット溶接により接合し、非可逆回路素子を得た。ま
た、比較例としてカシメによりヨークを接合した非可逆
回路素子を作成した。
【0014】このように得られた実施例および比較例の
非可逆回路素子の中心周波数を、ネットワークアナライ
ザーを用いて測定した。
非可逆回路素子の中心周波数を、ネットワークアナライ
ザーを用いて測定した。
【0015】磁気回転子にかかる外部直流磁界を直接測
定することはできないが、外部直流磁界が増加すると、
中心周波数が増加するため、中心周波数の変化から外部
直流磁界の相対的な強さを測ることができる。本実施例
の非可逆回路素子の中心周波数は830MHzであるの
に対し、比較例では850MHzであった。スポット溶
接によりヨークを接合することによって、共振周波数が
約20MHz高くなり、実効的に外部直流磁界が強くな
ったことが確認された。このことから、より薄い励磁用
磁石を使用することができ、非可逆回路素子の低背化が
可能となることがわかった。
定することはできないが、外部直流磁界が増加すると、
中心周波数が増加するため、中心周波数の変化から外部
直流磁界の相対的な強さを測ることができる。本実施例
の非可逆回路素子の中心周波数は830MHzであるの
に対し、比較例では850MHzであった。スポット溶
接によりヨークを接合することによって、共振周波数が
約20MHz高くなり、実効的に外部直流磁界が強くな
ったことが確認された。このことから、より薄い励磁用
磁石を使用することができ、非可逆回路素子の低背化が
可能となることがわかった。
【0016】
【発明の効果】非可逆回路素子を構成する一対のヨーク
をスポット溶接により接合することによって、接合部分
の磁気抵抗を低減し、実効的に得られる外部磁界を強く
できる。その結果、外部磁界印加用の励磁用磁石を薄く
した場合でも、十分な外部磁界を得ることができ、非可
逆回路素子の低背化が可能となる。
をスポット溶接により接合することによって、接合部分
の磁気抵抗を低減し、実効的に得られる外部磁界を強く
できる。その結果、外部磁界印加用の励磁用磁石を薄く
した場合でも、十分な外部磁界を得ることができ、非可
逆回路素子の低背化が可能となる。
【図1】本発明の非可逆回路素子におけるヨークを示す
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図2】従来の非可逆回路素子を示す図である。
11 上側ヨーク 12 下側ヨーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 重行 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 鈴木 和明 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内 (72)発明者 三浦 太郎 東京都中央区日本橋一丁目13番1号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 非可逆回路素子を構成する一対のヨーク
において、その接合部をスポット溶接したことを特徴と
する非可逆回路素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7674997A JPH10276011A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 非可逆回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7674997A JPH10276011A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 非可逆回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10276011A true JPH10276011A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13614258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7674997A Pending JPH10276011A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 非可逆回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10276011A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2377088A (en) * | 2001-03-01 | 2002-12-31 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device |
| US7095998B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mixer and converter using same |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP7674997A patent/JPH10276011A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2377088A (en) * | 2001-03-01 | 2002-12-31 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device |
| GB2377088B (en) * | 2001-03-01 | 2003-05-28 | Murata Manufacturing Co | Nonreciprocal circuit device, communication device, and method of manufacturing nonreciprocal circuit device |
| US6968609B2 (en) | 2001-03-01 | 2005-11-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit device, communication device, and method of manufacturing nonreciprocal circuit device |
| US7095998B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mixer and converter using same |
| US7292837B2 (en) | 2001-03-08 | 2007-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mixer and converter using same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050418 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050824 |