JPH10276050A - 増幅回路及び通信用lsi - Google Patents
増幅回路及び通信用lsiInfo
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- JPH10276050A JPH10276050A JP7687397A JP7687397A JPH10276050A JP H10276050 A JPH10276050 A JP H10276050A JP 7687397 A JP7687397 A JP 7687397A JP 7687397 A JP7687397 A JP 7687397A JP H10276050 A JPH10276050 A JP H10276050A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- operational amplifier
- gain
- gain adjustment
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高ゲインが得られるにもかかわらず、電流消
費が少ない増幅回路を提供することにある。 【解決手段】 ゲイン調整回路でのゲイン調整に連動し
て演算増幅器の位相補償容量の値を切り換えるための位
相補償容量切り換え回路(M8〜M15,C1,C2)
を含んで、演算増幅器を形成する。ゲイン切り換えに連
動して位相補償容量の切り換えが行われることにより、
演算増幅器自体が広帯域なものでなくても、高ゲインの
場合のft(b)を、低ゲインの場合のft(a)に等
しくすることができる。それにより、高ゲインを得るた
めに広帯域特性の演算増幅器を不要として消費電流の増
大を抑える。
費が少ない増幅回路を提供することにある。 【解決手段】 ゲイン調整回路でのゲイン調整に連動し
て演算増幅器の位相補償容量の値を切り換えるための位
相補償容量切り換え回路(M8〜M15,C1,C2)
を含んで、演算増幅器を形成する。ゲイン切り換えに連
動して位相補償容量の切り換えが行われることにより、
演算増幅器自体が広帯域なものでなくても、高ゲインの
場合のft(b)を、低ゲインの場合のft(a)に等
しくすることができる。それにより、高ゲインを得るた
めに広帯域特性の演算増幅器を不要として消費電流の増
大を抑える。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、増幅回路、さらに
は低消費電流化を図った増幅回路に関し、例えば通信用
LSIに適用して有効な技術に関する。
は低消費電流化を図った増幅回路に関し、例えば通信用
LSIに適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】データ、FAX(ファックス)などの非
電話通信サービスの需要の増大に対応して、通信網のデ
ィジタル化、いわゆるISDN(総合サービスディジタ
ル網)を指向した計画が進められている。これらは加入
者端末相互間をディジタルリンクさせるもので、加入者
系のディジタル化が必須とされる。
電話通信サービスの需要の増大に対応して、通信網のデ
ィジタル化、いわゆるISDN(総合サービスディジタ
ル網)を指向した計画が進められている。これらは加入
者端末相互間をディジタルリンクさせるもので、加入者
系のディジタル化が必須とされる。
【0003】既設のメタリックペアケーブルは、0.3
〜3.4KHzの音声帯域伝送を主目的としており、そ
のようなケーブルに、例えば320Kb/Sという高速
ディジタル信号を通そうとするとき、さまざまな困難が
ある。例えば線路のルートf特性に起因するディジタル
パルスの波形歪み、加入者線路長が品化することによっ
て生ずる50dbのレベル差、及びブリッジタップ(B
T)と呼ばれる先端解放の分岐路によって発生する複雑
なエコーなど厳しい条件下で、誤りの無いディジタル通
信を行わなければならない。そのような劣化分を補正
し、元の信号を再生するため高性能の線路等化器を加入
者線路の両端に設置する必要がある。
〜3.4KHzの音声帯域伝送を主目的としており、そ
のようなケーブルに、例えば320Kb/Sという高速
ディジタル信号を通そうとするとき、さまざまな困難が
ある。例えば線路のルートf特性に起因するディジタル
パルスの波形歪み、加入者線路長が品化することによっ
て生ずる50dbのレベル差、及びブリッジタップ(B
T)と呼ばれる先端解放の分岐路によって発生する複雑
なエコーなど厳しい条件下で、誤りの無いディジタル通
信を行わなければならない。そのような劣化分を補正
し、元の信号を再生するため高性能の線路等化器を加入
者線路の両端に設置する必要がある。
【0004】尚、ISDNについて記載された文献の例
としては、「NTTの電子通信学会の論文('89/10 Vo
l.J72-B-I No.10)」や、特開昭62−287793号
公報がある。
としては、「NTTの電子通信学会の論文('89/10 Vo
l.J72-B-I No.10)」や、特開昭62−287793号
公報がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】通信用LSIの一つと
されるピンポン伝送用等化器LSIは、LT(Lin・
Termination)部や、CT(Circuit
・Termination)部、信号入出力のためのド
ライバ、及びレシーバなどを含む。
されるピンポン伝送用等化器LSIは、LT(Lin・
Termination)部や、CT(Circuit
・Termination)部、信号入出力のためのド
ライバ、及びレシーバなどを含む。
【0006】LT部は、AGC(自動ゲイン調整)回
路、プレフィルタ、ADC(アナログ・ディジタル・コ
ンバータ)回路、デシメータ、ロールオフフィルタ、ル
ートfフィルタ、BT(ブリッジタップ)回路,DS
P、PLL(フェーズ・ロックド・ループ)などを含
む。AGC回路は、入力されたAMI(Alterna
ted・Mark・Inversion)信号をその入
力レベルに応じて増幅するために設けられ、信号レベル
に応じて演算増幅器の負帰還量を切り換えることによっ
て自動ゲイン調整を可能としている。
路、プレフィルタ、ADC(アナログ・ディジタル・コ
ンバータ)回路、デシメータ、ロールオフフィルタ、ル
ートfフィルタ、BT(ブリッジタップ)回路,DS
P、PLL(フェーズ・ロックド・ループ)などを含
む。AGC回路は、入力されたAMI(Alterna
ted・Mark・Inversion)信号をその入
力レベルに応じて増幅するために設けられ、信号レベル
に応じて演算増幅器の負帰還量を切り換えることによっ
て自動ゲイン調整を可能としている。
【0007】演算増幅器とそれの負帰還量を決定するゲ
イン調整回路とを含んで増幅回路が形成されるとき、そ
のような増幅回路のゲイン及び位相の周波数特性は、発
振、あるいはセトリング時間など、動作が不安定となら
ないようにするために重要とされる。増幅回路の安定動
作のためには、電圧利得0dBのときの位相の遅れの角
度を180°から45°以上の余裕が必要とされる。そ
こで、十分な位相余裕を持たせるため、演算増幅器の内
部で位相補償が行われる。
イン調整回路とを含んで増幅回路が形成されるとき、そ
のような増幅回路のゲイン及び位相の周波数特性は、発
振、あるいはセトリング時間など、動作が不安定となら
ないようにするために重要とされる。増幅回路の安定動
作のためには、電圧利得0dBのときの位相の遅れの角
度を180°から45°以上の余裕が必要とされる。そ
こで、十分な位相余裕を持たせるため、演算増幅器の内
部で位相補償が行われる。
【0008】AGC回路のように、それに含まれる増幅
回路のゲインが変更されると、利得帯域積周波数(「f
t」と略記する)が変動してしまう。つまり、増幅回路
のゲインが高くなると、ftが低くなってしまい、それ
はAGC回路の周波数特性に影響する。AGC回路への
入力信号レベルが低く、AGC回路のゲインが高くなっ
た場合でも、周波数特性についての仕様を満足するため
には広帯域の演算増幅器が必要となる。例えば、ft≧
10MHz以上、ゲイン調整範囲を0〜20dBのAG
C回路を実現するには、ゲインが20dBの場合を考慮
すると、ft≧100MHzの演算増幅器が必要とな
る。
回路のゲインが変更されると、利得帯域積周波数(「f
t」と略記する)が変動してしまう。つまり、増幅回路
のゲインが高くなると、ftが低くなってしまい、それ
はAGC回路の周波数特性に影響する。AGC回路への
入力信号レベルが低く、AGC回路のゲインが高くなっ
た場合でも、周波数特性についての仕様を満足するため
には広帯域の演算増幅器が必要となる。例えば、ft≧
10MHz以上、ゲイン調整範囲を0〜20dBのAG
C回路を実現するには、ゲインが20dBの場合を考慮
すると、ft≧100MHzの演算増幅器が必要とな
る。
【0009】しかしながら、広帯域の演算増幅器は、非
常に消費電流が多くなり、AGC回路や、それを含む通
信用LSIでの消費電流の増大を余儀なくされる。従っ
て、低消費電流であることが特に要求される装置ないし
はシステムにおいては、消費電流との関係で、広帯域の
演算増幅器を差異称することができないから、AGC回
路において十分なゲインを得ることができない。そのこ
とは、微弱な入力信号を十分に増幅できないことを意味
するから、そのようなAGC回路の後段回路での信号処
理に支障を来すことがある。
常に消費電流が多くなり、AGC回路や、それを含む通
信用LSIでの消費電流の増大を余儀なくされる。従っ
て、低消費電流であることが特に要求される装置ないし
はシステムにおいては、消費電流との関係で、広帯域の
演算増幅器を差異称することができないから、AGC回
路において十分なゲインを得ることができない。そのこ
とは、微弱な入力信号を十分に増幅できないことを意味
するから、そのようなAGC回路の後段回路での信号処
理に支障を来すことがある。
【0010】本発明の目的は、高ゲインが得られるにも
かかわらず、電流消費が少ない増幅回路及びそのような
演算増幅回路を含む通信用LSIを提供することにあ
る。
かかわらず、電流消費が少ない増幅回路及びそのような
演算増幅回路を含む通信用LSIを提供することにあ
る。
【0011】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0012】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0013】すなわち、信号入力のための反転入力端子
及び非反転出力端子と、信号出力のための出力端子とを
含む演算増幅器(425)と、上記演算増幅器の出力端
子から上記反転入力端子への負帰還量を切り換えること
でゲイン調整を可能とするゲイン調整回路(438,4
39,441,442)とを含んで増幅回路が構成され
るとき、上記ゲイン調整回路でのゲイン調整に連動して
上記演算増幅器の位相補償容量の値を切り換えるための
位相補償容量切り換え回路(M8〜M15,C1,C
2)を含んで、上記演算増幅器を形成する。
及び非反転出力端子と、信号出力のための出力端子とを
含む演算増幅器(425)と、上記演算増幅器の出力端
子から上記反転入力端子への負帰還量を切り換えること
でゲイン調整を可能とするゲイン調整回路(438,4
39,441,442)とを含んで増幅回路が構成され
るとき、上記ゲイン調整回路でのゲイン調整に連動して
上記演算増幅器の位相補償容量の値を切り換えるための
位相補償容量切り換え回路(M8〜M15,C1,C
2)を含んで、上記演算増幅器を形成する。
【0014】上記した手段によれば、ゲイン切り換えに
連動して位相補償容量の切り換えが行われることによ
り、演算増幅器自体が広帯域なものでなくても、高ゲイ
ンの場合のft(b)を、低ゲインの場合のft(a)
に等しくすることができる。高ゲインを得るために広帯
域特性の演算増幅器が不要とされるので、消費電流の増
大を抑えることができ、このことが、高ゲインが得られ
るにもかかわらず、電流消費が少ない増幅回路を提供す
る、という本願発明の目的を達成する。
連動して位相補償容量の切り換えが行われることによ
り、演算増幅器自体が広帯域なものでなくても、高ゲイ
ンの場合のft(b)を、低ゲインの場合のft(a)
に等しくすることができる。高ゲインを得るために広帯
域特性の演算増幅器が不要とされるので、消費電流の増
大を抑えることができ、このことが、高ゲインが得られ
るにもかかわらず、電流消費が少ない増幅回路を提供す
る、という本願発明の目的を達成する。
【0015】このとき、上記位相補償容量切り換え回路
は、互いに容量値の異なる複数の容量(C1,C2)
と、上記ゲイン調整信号に応じて上記複数の容量を選択
的に位相補償に関与させるための選択回路(M8〜M1
5)とを含んで構成することができる。
は、互いに容量値の異なる複数の容量(C1,C2)
と、上記ゲイン調整信号に応じて上記複数の容量を選択
的に位相補償に関与させるための選択回路(M8〜M1
5)とを含んで構成することができる。
【0016】さらに、加入者線側からのAMI信号を取
り込んで処理する通信用LSIにおいて、上記増幅回路
と、上記増幅回路の出力信号中から帯域外雑音を取り除
くためのフィルタ(52)と、上記フィルタの出力信号
レベルと基準レベルとを比較し、その比較結果に基づい
て上記ゲイン調整信号を形成するためのコンパレータ
(51)とを設けることができる。
り込んで処理する通信用LSIにおいて、上記増幅回路
と、上記増幅回路の出力信号中から帯域外雑音を取り除
くためのフィルタ(52)と、上記フィルタの出力信号
レベルと基準レベルとを比較し、その比較結果に基づい
て上記ゲイン調整信号を形成するためのコンパレータ
(51)とを設けることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】図5には本発明にかかる通信用L
SIの一例であるピンポン伝送用等化器LSI40の構
成例が示される。
SIの一例であるピンポン伝送用等化器LSI40の構
成例が示される。
【0018】図5に示されるピンポン伝送用等化器LS
I40は、特に制限されないが、LT(Line・Te
rmination)部41、CT(Circuit・
Termination)部46、ドライバ47、ルー
プスイッチ48、及びレシーバ49を含む。
I40は、特に制限されないが、LT(Line・Te
rmination)部41、CT(Circuit・
Termination)部46、ドライバ47、ルー
プスイッチ48、及びレシーバ49を含む。
【0019】加入者線側からのAMI(Alterna
ted・Mark・Inversion)信号は、LT
部41に入力され、CT部46及びドライバ47を介し
て端末側に出力される。また、端末側から入力されたA
MI信号は、レシーバ49によって受信され、CT部4
6、及び外付けのラインドライバを介して加入者線側に
出力される。ループスイッチ48は折り返し試験のため
に設けられている。
ted・Mark・Inversion)信号は、LT
部41に入力され、CT部46及びドライバ47を介し
て端末側に出力される。また、端末側から入力されたA
MI信号は、レシーバ49によって受信され、CT部4
6、及び外付けのラインドライバを介して加入者線側に
出力される。ループスイッチ48は折り返し試験のため
に設けられている。
【0020】LT部41は、特に制限されないが、AG
C(自動ゲイン調整)回路42、プレフィルタ52、A
DC(アナログ・ディジタル・コンバータ)回路43、
デシメータ,ロールオフフィルタ44,ルートfフィル
タ、BT(ブリッジタップ)回路,DSP45、PLL
(フェーズ・ロックド・ループ)50、コンパレータ5
1を含む。
C(自動ゲイン調整)回路42、プレフィルタ52、A
DC(アナログ・ディジタル・コンバータ)回路43、
デシメータ,ロールオフフィルタ44,ルートfフィル
タ、BT(ブリッジタップ)回路,DSP45、PLL
(フェーズ・ロックド・ループ)50、コンパレータ5
1を含む。
【0021】AGC回路42は、入力されたAMI信号
を、その信号レベルに応じて増幅するために設けられ
る。プレフィルタ52は、帯域外雑音を取り除いてAD
C回路43での折り返しを防ぐために設けられる。プレ
フィルタ52の後段には、その出力信号をディジタル信
号に変換するためのADC回路43が配置されている。
ADC回路43はオーバーサンプリング型とされ、その
後段にはオーバーサンプリングにより得られたディジタ
ル信号を標準的なサンプリングデータとするためデシメ
ータや、帯域外ノイズを取り除くためのロールオフフィ
ルタ44が配置される。また、加入者線で減衰した帯域
内信号を増幅するためにルートfフィルタが設けられ、
BT(ブリッジタップ)と称される先端解放の分岐路加
入者線によって減衰した信号を元に戻すためにBT回路
が設けられ、さらにはその他の信号処理のための専用プ
ロセッサであるDSP(ディジタル・シグナル・プロセ
ッサ)45が設けられる。そのようなルートfフィル
タ,BT回路,DSP45の動作用クロックはPLL5
0から供給される。プレフィルタ52の出力信号と基準
信号との比較がコンパレータ51で行われ、その比較結
果に応じてゲイン調整信号S1〜S4の論理が決定され
る。AGC回路42では、上記ゲイン調整信号に応じて
ゲインが切り換えられる。それにより、ADC回路43
では、A/D変換のために適切なレベルのアナログ信号
を取り込むことができる。
を、その信号レベルに応じて増幅するために設けられ
る。プレフィルタ52は、帯域外雑音を取り除いてAD
C回路43での折り返しを防ぐために設けられる。プレ
フィルタ52の後段には、その出力信号をディジタル信
号に変換するためのADC回路43が配置されている。
ADC回路43はオーバーサンプリング型とされ、その
後段にはオーバーサンプリングにより得られたディジタ
ル信号を標準的なサンプリングデータとするためデシメ
ータや、帯域外ノイズを取り除くためのロールオフフィ
ルタ44が配置される。また、加入者線で減衰した帯域
内信号を増幅するためにルートfフィルタが設けられ、
BT(ブリッジタップ)と称される先端解放の分岐路加
入者線によって減衰した信号を元に戻すためにBT回路
が設けられ、さらにはその他の信号処理のための専用プ
ロセッサであるDSP(ディジタル・シグナル・プロセ
ッサ)45が設けられる。そのようなルートfフィル
タ,BT回路,DSP45の動作用クロックはPLL5
0から供給される。プレフィルタ52の出力信号と基準
信号との比較がコンパレータ51で行われ、その比較結
果に応じてゲイン調整信号S1〜S4の論理が決定され
る。AGC回路42では、上記ゲイン調整信号に応じて
ゲインが切り換えられる。それにより、ADC回路43
では、A/D変換のために適切なレベルのアナログ信号
を取り込むことができる。
【0022】図1には上記AGC回路42の具体的な構
成が示される。
成が示される。
【0023】図1に示されるAGC回路42は、相補レ
ベルの信号を差動で受けるために演算増幅器421,4
22が配置される。演算増幅器421,422の非反転
入力端子IN1,IN2には相補レベルの入力信号が入
力される。ゲイン調整信号S1,S2によって動作制御
されるスイッチ427〜430が設けられる。ゲイン調
整信号S1,S2は上記コンパレータ51(図5参照)
によって選択的にハイレベルにされる。例えばゲイン調
整信号S2がハイレベルのとき、スイッチ427,43
0がオンされて、演算増幅器421,422はボルテー
ジホロワとされる。このとき、演算増幅器421,42
2のゲインは、ほぼ1倍(0dB)とされる。また、ゲ
イン調整信号S1がハイレベルのとき、スイッチ42
8,429がオンされて、演算増幅器421,422の
ゲイン設定に抵抗431〜433が関与される。この場
合のゲインは抵抗431〜433の比で決定される。
ベルの信号を差動で受けるために演算増幅器421,4
22が配置される。演算増幅器421,422の非反転
入力端子IN1,IN2には相補レベルの入力信号が入
力される。ゲイン調整信号S1,S2によって動作制御
されるスイッチ427〜430が設けられる。ゲイン調
整信号S1,S2は上記コンパレータ51(図5参照)
によって選択的にハイレベルにされる。例えばゲイン調
整信号S2がハイレベルのとき、スイッチ427,43
0がオンされて、演算増幅器421,422はボルテー
ジホロワとされる。このとき、演算増幅器421,42
2のゲインは、ほぼ1倍(0dB)とされる。また、ゲ
イン調整信号S1がハイレベルのとき、スイッチ42
8,429がオンされて、演算増幅器421,422の
ゲイン設定に抵抗431〜433が関与される。この場
合のゲインは抵抗431〜433の比で決定される。
【0024】演算増幅器421,422の後段には、演
算増幅器423が配置され、それは前段の演算増幅器4
21,422にそれぞれ抵抗434,435を介して結
合される。演算増幅器423のの非反転入力端子は、バ
イアス電圧を入力するため、抵抗437を介して演算増
幅器424の出力端子に結合される。演算増幅器424
はボルテージフォロワとされ、反転入力端子にアナログ
グランドAGNDが入力されることにより、演算増幅器
423での信号増幅は、アナロググランドAGNDのレ
ベルが基準とされる。演算増幅器423のゲインは、抵
抗434,435,436,437の比で決定される。
算増幅器423が配置され、それは前段の演算増幅器4
21,422にそれぞれ抵抗434,435を介して結
合される。演算増幅器423のの非反転入力端子は、バ
イアス電圧を入力するため、抵抗437を介して演算増
幅器424の出力端子に結合される。演算増幅器424
はボルテージフォロワとされ、反転入力端子にアナログ
グランドAGNDが入力されることにより、演算増幅器
423での信号増幅は、アナロググランドAGNDのレ
ベルが基準とされる。演算増幅器423のゲインは、抵
抗434,435,436,437の比で決定される。
【0025】演算増幅器423の後段には、演算増幅器
425が配置されており、この演算増幅器425の出力
端子OUTを介して、後段のプレフィルタ52への信号
出力が行われる。演算増幅器425には、ゲイン調整の
ためのスイッチ438,439、及び抵抗441,44
2が結合される。抵抗441,442は互いに直列接続
され、抵抗441の一端は演算増幅器425の出力端子
に、抵抗442の他端は演算増幅器426の出力端子に
結合される。演算増幅器426はボルテージフォロワと
され、非反転入力端子がアナロググランドAGNDに結
合される。ゲイン調整信号S3がハイレベルとされてス
イッチ438がオンされることで、演算増幅器425は
ボルテージフォロワとされ、ゲインはほぼ0dBとされ
る。また、ゲイン調整信号S4がハイレベルとされてス
イッチ439がオンされた場合には、抵抗441,44
2の比で決定されるゲインに設定される。
425が配置されており、この演算増幅器425の出力
端子OUTを介して、後段のプレフィルタ52への信号
出力が行われる。演算増幅器425には、ゲイン調整の
ためのスイッチ438,439、及び抵抗441,44
2が結合される。抵抗441,442は互いに直列接続
され、抵抗441の一端は演算増幅器425の出力端子
に、抵抗442の他端は演算増幅器426の出力端子に
結合される。演算増幅器426はボルテージフォロワと
され、非反転入力端子がアナロググランドAGNDに結
合される。ゲイン調整信号S3がハイレベルとされてス
イッチ438がオンされることで、演算増幅器425は
ボルテージフォロワとされ、ゲインはほぼ0dBとされ
る。また、ゲイン調整信号S4がハイレベルとされてス
イッチ439がオンされた場合には、抵抗441,44
2の比で決定されるゲインに設定される。
【0026】上記の構成において、コンパレータ51か
ら出力されるゲイン調整信号S1〜S4によって増幅回
路のゲインが切り換えられることにより、回路はAGC
として機能する。
ら出力されるゲイン調整信号S1〜S4によって増幅回
路のゲインが切り換えられることにより、回路はAGC
として機能する。
【0027】上記演算増幅器421,422,425
は、それぞれ位相補償用の容量が内蔵されるが、この例
では、後に詳述するように、ゲイン調整信号S1〜S4
によるゲイン調整に応じて、上記位相補償容量の値が切
り換えられるようになっている。
は、それぞれ位相補償用の容量が内蔵されるが、この例
では、後に詳述するように、ゲイン調整信号S1〜S4
によるゲイン調整に応じて、上記位相補償容量の値が切
り換えられるようになっている。
【0028】次に、上記演算増幅器421,422,4
25の構成例について説明する。尚、上記演算増幅器4
21,422,425は互いに同一構成とされるため、
そのうちの一つである演算増幅器421について詳細に
説明する。
25の構成例について説明する。尚、上記演算増幅器4
21,422,425は互いに同一構成とされるため、
そのうちの一つである演算増幅器421について詳細に
説明する。
【0029】図2には、上記演算増幅器421の構成例
が示される。
が示される。
【0030】図2に示される演算増幅器421は、差動
段20、出力段50、位相補償回路60とを含んで成
る。
段20、出力段50、位相補償回路60とを含んで成
る。
【0031】差動段20は、pチャンネル型MOSトラ
ンジスタM1,M2,M3、及びnチャンネル型MOS
トランジスタM4,M5とが結合されて成る。pチャン
ネル型MOSトランジスタM2,M3が差動結合され、
このpチャンネル型MOSトランジスタM2,M3のソ
ース電極が、pチャンネル型MOSトランジスタM1を
介して電源V1に結合される。pチャンネル型MOSト
ランジスタM2のゲート電極、及びpチャンネル型MO
SトランジスタM3のゲート電極に、それぞれ入力信号
Vinm、Vinpが入力されるようになっている。p
チャンネル型MOSトランジスタM1,M3のドレイン
電極は、それぞれnチャンネル型MOSトランジスタM
4,M5を介して電源V3に結合される。pチャンネル
型MOSトランジスタM3のドレイン電極から、この差
動段20の出力信号が得られる。
ンジスタM1,M2,M3、及びnチャンネル型MOS
トランジスタM4,M5とが結合されて成る。pチャン
ネル型MOSトランジスタM2,M3が差動結合され、
このpチャンネル型MOSトランジスタM2,M3のソ
ース電極が、pチャンネル型MOSトランジスタM1を
介して電源V1に結合される。pチャンネル型MOSト
ランジスタM2のゲート電極、及びpチャンネル型MO
SトランジスタM3のゲート電極に、それぞれ入力信号
Vinm、Vinpが入力されるようになっている。p
チャンネル型MOSトランジスタM1,M3のドレイン
電極は、それぞれnチャンネル型MOSトランジスタM
4,M5を介して電源V3に結合される。pチャンネル
型MOSトランジスタM3のドレイン電極から、この差
動段20の出力信号が得られる。
【0032】出力段50は、pチャンネル型MOSトラ
ンジスタM6とnチャンネル型MOSトランジスタM7
とが直列接続されて成る。pチャンネル型MOSトラン
ジスタM6のソース電極は電源V1に結合され、nチャ
ンネル型MOSトランジスタM7のソース電極は電源V
3に結合される。pチャンネル型MOSトランジスタM
6のゲート電極にはバイアス電圧V2が入力され、nチ
ャンネル型MOSトランジスタM7のゲート電極には、
上記差動段20の出力電圧が入力される。pチャンネル
型MOSトランジスタM6とnチャンネル型MOSトラ
ンジスタM7との直列接続箇所から、この演算増幅器4
21の出力電圧Voutが得られる。
ンジスタM6とnチャンネル型MOSトランジスタM7
とが直列接続されて成る。pチャンネル型MOSトラン
ジスタM6のソース電極は電源V1に結合され、nチャ
ンネル型MOSトランジスタM7のソース電極は電源V
3に結合される。pチャンネル型MOSトランジスタM
6のゲート電極にはバイアス電圧V2が入力され、nチ
ャンネル型MOSトランジスタM7のゲート電極には、
上記差動段20の出力電圧が入力される。pチャンネル
型MOSトランジスタM6とnチャンネル型MOSトラ
ンジスタM7との直列接続箇所から、この演算増幅器4
21の出力電圧Voutが得られる。
【0033】位相補償回路60は、第1位相補償容量C
1、及び第2位相補償容量C2と、それを選択的に、位
相補償に関与させるためのMOSトランジスタM8〜M
15とを含む。第1位相補償容量C1、及び第2位相補
償容量C2は、互いに容量値が異なり、一方の端子が、
pチャンネル型MOSトランジスタM6のドレイン電
極、及びnチャンネル型MOSトランジスタM7のドレ
イン電極に結合され、他方の端子が、それぞれMOSト
ランジスタM12,M13、及びMOSトランジスタM
14,M15を介してnチャンネル型MOSトランジス
タM7のゲート電極に結合される。pチャンネル型MO
SトランジスタM12とnチャンネル型MOSトランジ
スタM13とが並列接続され、pチャンネル型MOSト
ランジスタM14とnチャンネル型MOSトランジスタ
M15とが並列接続されて、それぞれCMOSトランス
ファゲートが形成され、このCMOSトランスファゲー
トを、ゲイン調整信号S1,S2に基づいて駆動するた
めの第1インバータ、及び第2インバータが形成され
る。第1インバータはpチャンネル型MOSトランジス
タM8とnチャンネル型MOSトランジスタM9とが互
いに直列接続されて成り、第2インバータはpチャンネ
ル型MOSトランジスタM10とnチャンネル型MOS
トランジスタM11とが互いに直列接続されて成る。例
えばゲイン調整信号S1がハイレベルにアサートされた
場合には、pチャンネル型MOSトランジスタM12と
nチャンネル型MOSトランジスタM13とがオンされ
て、第1位相補償容量C1の端子がnチャンネル型MO
SトランジスタM7のゲート電極に結合されることによ
り、この第1位相補償容量C1が位相補償容量として機
能する。
1、及び第2位相補償容量C2と、それを選択的に、位
相補償に関与させるためのMOSトランジスタM8〜M
15とを含む。第1位相補償容量C1、及び第2位相補
償容量C2は、互いに容量値が異なり、一方の端子が、
pチャンネル型MOSトランジスタM6のドレイン電
極、及びnチャンネル型MOSトランジスタM7のドレ
イン電極に結合され、他方の端子が、それぞれMOSト
ランジスタM12,M13、及びMOSトランジスタM
14,M15を介してnチャンネル型MOSトランジス
タM7のゲート電極に結合される。pチャンネル型MO
SトランジスタM12とnチャンネル型MOSトランジ
スタM13とが並列接続され、pチャンネル型MOSト
ランジスタM14とnチャンネル型MOSトランジスタ
M15とが並列接続されて、それぞれCMOSトランス
ファゲートが形成され、このCMOSトランスファゲー
トを、ゲイン調整信号S1,S2に基づいて駆動するた
めの第1インバータ、及び第2インバータが形成され
る。第1インバータはpチャンネル型MOSトランジス
タM8とnチャンネル型MOSトランジスタM9とが互
いに直列接続されて成り、第2インバータはpチャンネ
ル型MOSトランジスタM10とnチャンネル型MOS
トランジスタM11とが互いに直列接続されて成る。例
えばゲイン調整信号S1がハイレベルにアサートされた
場合には、pチャンネル型MOSトランジスタM12と
nチャンネル型MOSトランジスタM13とがオンされ
て、第1位相補償容量C1の端子がnチャンネル型MO
SトランジスタM7のゲート電極に結合されることによ
り、この第1位相補償容量C1が位相補償容量として機
能する。
【0034】それに対してゲイン調整信号S2がハイレ
ベルにアサートされた場合には、pチャンネル型MOS
トランジスタM14とnチャンネル型MOSトランジス
タM15とがオンされて、第2位相補償容量C2の端子
がnチャンネル型MOSトランジスタM7のゲート電極
に結合されることにより、この第2位相補償容量C2が
位相補償容量として機能する。
ベルにアサートされた場合には、pチャンネル型MOS
トランジスタM14とnチャンネル型MOSトランジス
タM15とがオンされて、第2位相補償容量C2の端子
がnチャンネル型MOSトランジスタM7のゲート電極
に結合されることにより、この第2位相補償容量C2が
位相補償容量として機能する。
【0035】図3には、第1位相補償容量C1と第2位
相補償容量C2との切り換えが行われない場合の周波数
特性(オープンループゲイン)が示される。
相補償容量C2との切り換えが行われない場合の周波数
特性(オープンループゲイン)が示される。
【0036】演算増幅器単体の周波数特性は、次式によ
って示される。
って示される。
【0037】Vout/Vinp=A0/(1+j・ω
/ω0)……(1) ここで、Voutは演算増幅器の出力、Vinpは演算
増幅器の非反転入力電圧、Vinmは演算増幅器の反転
入力電圧、A0は演算増幅器の直流 ゲイン、ωは角周
波数、ω0=2πf1、f1はファーストポール、Cは
位相補償容量である。その場合、演算増幅器全体での周
波数特性は、抵抗431,432の値をそれぞれR1,
R2で示すと、 Vinm/Vinp=〔R2/(R1+R2)〕・〔A
0/(1+j・ω/ω0)〕……(2) となる。ここで増幅回路のゲインは、(R1+R2)/
R2とされる。
/ω0)……(1) ここで、Voutは演算増幅器の出力、Vinpは演算
増幅器の非反転入力電圧、Vinmは演算増幅器の反転
入力電圧、A0は演算増幅器の直流 ゲイン、ωは角周
波数、ω0=2πf1、f1はファーストポール、Cは
位相補償容量である。その場合、演算増幅器全体での周
波数特性は、抵抗431,432の値をそれぞれR1,
R2で示すと、 Vinm/Vinp=〔R2/(R1+R2)〕・〔A
0/(1+j・ω/ω0)〕……(2) となる。ここで増幅回路のゲインは、(R1+R2)/
R2とされる。
【0038】ゲイン=Gain(a)に設定した場合の
ftをft(a)、ゲイン=Gain(b)に設定した
場合のftをft(b)とすると、(3)式が成立す
る。
ftをft(a)、ゲイン=Gain(b)に設定した
場合のftをft(b)とすると、(3)式が成立す
る。
【0039】Gain(a)・ft(b)=Gain
(b)・ft(a)……(3) この関係から、増幅回路のゲインが高い設定条件では、
ftは低くなり、逆に増幅回路のゲインが低い設定条件
では、ftは高くなるのは明らかである。ゲインが高く
なると、ftが低くなってしまい、それは増幅回路の周
波数特性に影響する。
(b)・ft(a)……(3) この関係から、増幅回路のゲインが高い設定条件では、
ftは低くなり、逆に増幅回路のゲインが低い設定条件
では、ftは高くなるのは明らかである。ゲインが高く
なると、ftが低くなってしまい、それは増幅回路の周
波数特性に影響する。
【0040】それに対して、ゲイン調整信号S1,S2
によるゲイン調整に連動して演算増幅器内の位相補償容
量を切り換えるようにすると、図4に示す周波数特性と
なる。
によるゲイン調整に連動して演算増幅器内の位相補償容
量を切り換えるようにすると、図4に示す周波数特性と
なる。
【0041】位相補償容量の値は、ゲイン調整回路のゲ
イン=Gain(a)に設定した場合の位相補償容量を
C(a)、ゲイン調整回路のゲイン=Gain(b)に
設定した場合の位相補償容量をC(b)とすると、
(4)式の関係を満足するように設定される。
イン=Gain(a)に設定した場合の位相補償容量を
C(a)、ゲイン調整回路のゲイン=Gain(b)に
設定した場合の位相補償容量をC(b)とすると、
(4)式の関係を満足するように設定される。
【0042】Gain(a)・C(a)=Gain
(b)・C(b)……(4) 上記(4)式の関係から、次式が成立する。
(b)・C(b)……(4) 上記(4)式の関係から、次式が成立する。
【0043】Vinm/Vinp=R2/(R1+R
2)・ A0/(1+j・ω/(ω0・(Gain))
……(6) Vinm/Vinp=R2/(R1+R2)・ A0/
(1+j・ω/ω0・R2/(R1+R2))……
(7) つまり、増幅回路のゲインが高い設定条件において、位
相補償容量を小さくしてftが高くなるように制御す
る。そうすると、増幅回路のゲインが低い場合でも高い
場合でもftが一定となるため、広帯域の演算増幅器で
なくとも、仕様を満足することができる。例えば図1に
示される演算増幅器421に着目すると、ゲイン調整信
号S1がハイレベルにアサートされた場合にスイッチ4
28がオンされて高ゲインが選択され、ゲイン調整信号
S2がハイレベルにアサートされた場合にスイッチ42
7がオンされて低ゲインが選択されるから、図2におい
て、ゲイン調整信号S1がハイレベルにアサートされた
場合に選択される第1位相補償容量C1の容量を、第2
位相補償容量C2よりも小さく設定する。つまり、容量
値をC1<C2の関係にする。
2)・ A0/(1+j・ω/(ω0・(Gain))
……(6) Vinm/Vinp=R2/(R1+R2)・ A0/
(1+j・ω/ω0・R2/(R1+R2))……
(7) つまり、増幅回路のゲインが高い設定条件において、位
相補償容量を小さくしてftが高くなるように制御す
る。そうすると、増幅回路のゲインが低い場合でも高い
場合でもftが一定となるため、広帯域の演算増幅器で
なくとも、仕様を満足することができる。例えば図1に
示される演算増幅器421に着目すると、ゲイン調整信
号S1がハイレベルにアサートされた場合にスイッチ4
28がオンされて高ゲインが選択され、ゲイン調整信号
S2がハイレベルにアサートされた場合にスイッチ42
7がオンされて低ゲインが選択されるから、図2におい
て、ゲイン調整信号S1がハイレベルにアサートされた
場合に選択される第1位相補償容量C1の容量を、第2
位相補償容量C2よりも小さく設定する。つまり、容量
値をC1<C2の関係にする。
【0044】これにより、ゲイン調整信号S1がハイレ
ベルにアサートされて、増幅回路が高ゲインに設定され
た場合には、それに連動して、第1位相補償容量C1が
選択されてそれが位相補償に関与され、ゲイン調整信号
S2がハイレベルにアサートされて増幅回路が低ゲイン
に設定された場合には、それに連動して、第2位相補償
容量C2が選択されてそれが位相補償に関与されること
により、図4に示される周波数特性が得られる。つま
り、ゲイン切り換えに連動して位相補償容量C1,C2
の切り換えが行われることにより、演算増幅器自体が広
帯域なものでなくても、高ゲインの場合のft(b)
を、低ゲインの場合のft(a)に等しくすることがで
きる。
ベルにアサートされて、増幅回路が高ゲインに設定され
た場合には、それに連動して、第1位相補償容量C1が
選択されてそれが位相補償に関与され、ゲイン調整信号
S2がハイレベルにアサートされて増幅回路が低ゲイン
に設定された場合には、それに連動して、第2位相補償
容量C2が選択されてそれが位相補償に関与されること
により、図4に示される周波数特性が得られる。つま
り、ゲイン切り換えに連動して位相補償容量C1,C2
の切り換えが行われることにより、演算増幅器自体が広
帯域なものでなくても、高ゲインの場合のft(b)
を、低ゲインの場合のft(a)に等しくすることがで
きる。
【0045】換言すれば、ゲイン調整範囲が0〜20d
B、ft≧10MHzの場合であって、位相補償容量の
値が固定されている状態、つまり位相補償容量の切り換
えが行われない場合には、ft≧10MHz*(20−
0)dB=100MHzの演算増幅器が必要であった
が、図2に示される回路を採用して、増幅回路のゲイン
調整に連動して位相補償容量の切り換えが行われる場合
には、ft≧10MHzの演算増幅器で良く、消費電流
はft≧100MHzの演算増幅器に比べて遙かに少な
くなる。
B、ft≧10MHzの場合であって、位相補償容量の
値が固定されている状態、つまり位相補償容量の切り換
えが行われない場合には、ft≧10MHz*(20−
0)dB=100MHzの演算増幅器が必要であった
が、図2に示される回路を採用して、増幅回路のゲイン
調整に連動して位相補償容量の切り換えが行われる場合
には、ft≧10MHzの演算増幅器で良く、消費電流
はft≧100MHzの演算増幅器に比べて遙かに少な
くなる。
【0046】そのように演算増幅器自体に広帯域なもの
を必要としないので、高ゲインが得られるにもかかわら
ず消費電流を増大させずに済む。このような効果は、増
幅回路のゲインが高くなればなるほど顕著とされる。
を必要としないので、高ゲインが得られるにもかかわら
ず消費電流を増大させずに済む。このような効果は、増
幅回路のゲインが高くなればなるほど顕著とされる。
【0047】尚、通常位相補償容量を小さくすると発振
すると考えられるが、演算増幅器の反転入力端子には、
ゲイン分減衰された信号Vinmが入力されるため、位
相補償したのと同等の効果があり発振しない。
すると考えられるが、演算増幅器の反転入力端子には、
ゲイン分減衰された信号Vinmが入力されるため、位
相補償したのと同等の効果があり発振しない。
【0048】上記実施形態によれば、以下の作用効果を
得ることができる。
得ることができる。
【0049】(1)ゲイン調整回路でのゲイン調整に連
動して演算増幅器の位相補償容量の値を切り換えるため
の位相補償容量切り換え回路(M8〜M15,C1,C
2)を設けたことにより、ゲイン切り換えに連動して位
相補償容量値の切り換えが行われるので、演算増幅器自
体が広帯域なものでなくても、高ゲインの場合のft
(b)を、低ゲインの場合のft(a)に等しくするこ
とができる。それにより、演算増幅器自体に広帯域なも
のを必要としないので、高ゲインが得られるにもかかわ
らず消費電流を増大させずに済む。
動して演算増幅器の位相補償容量の値を切り換えるため
の位相補償容量切り換え回路(M8〜M15,C1,C
2)を設けたことにより、ゲイン切り換えに連動して位
相補償容量値の切り換えが行われるので、演算増幅器自
体が広帯域なものでなくても、高ゲインの場合のft
(b)を、低ゲインの場合のft(a)に等しくするこ
とができる。それにより、演算増幅器自体に広帯域なも
のを必要としないので、高ゲインが得られるにもかかわ
らず消費電流を増大させずに済む。
【0050】(2)上記(1)の作用効果により、その
ような増幅回路を含む通信用LSIの消費電流の増大を
抑えることができる。また、AGC回路42において高
ゲインが得られるので、AGC回路42において微弱な
AMI信号を、後段のADC回路43でディジタル信号
に変換するのに十分なレベルにまで増幅することがで
き、有線通信の安定化を図ることができる。
ような増幅回路を含む通信用LSIの消費電流の増大を
抑えることができる。また、AGC回路42において高
ゲインが得られるので、AGC回路42において微弱な
AMI信号を、後段のADC回路43でディジタル信号
に変換するのに十分なレベルにまで増幅することがで
き、有線通信の安定化を図ることができる。
【0051】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
【0052】例えば、上記の例では、増幅回路のゲイン
調整を高ゲイン及び低ゲインの2段階としたが、さらに
ゲインを細かく調整するようにしても良い。
調整を高ゲイン及び低ゲインの2段階としたが、さらに
ゲインを細かく調整するようにしても良い。
【0053】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるピンポ
ン伝送用等化器LSIに適用した場合について説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、ゲイン切
り換えを必要とする各種装置に適用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野であるピンポ
ン伝送用等化器LSIに適用した場合について説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、ゲイン切
り換えを必要とする各種装置に適用することができる。
【0054】本発明は、少なくともゲイン調整を可能と
するゲイン調整回路を含むことを条件に適用することが
できる。
するゲイン調整回路を含むことを条件に適用することが
できる。
【0055】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0056】すなわち、ゲイン切り換えに連動して位相
補償容量の切り換えが行われることにより、演算増幅器
自体が広帯域なものでなくても、高ゲインの場合のft
(利得帯域積周波数)を、低ゲインの場合のftに等し
くすることができる。そのように高ゲインを得るために
広帯域特性の演算増幅器が不要とされるので、消費電流
の増大を抑えることができる。それにより、高ゲインが
得られるにもかかわらず、電流消費が少ない増幅回路を
得ることができる。また、そのような増幅回路を含む通
信用LSIの消費電流の低減を図ることができる。
補償容量の切り換えが行われることにより、演算増幅器
自体が広帯域なものでなくても、高ゲインの場合のft
(利得帯域積周波数)を、低ゲインの場合のftに等し
くすることができる。そのように高ゲインを得るために
広帯域特性の演算増幅器が不要とされるので、消費電流
の増大を抑えることができる。それにより、高ゲインが
得られるにもかかわらず、電流消費が少ない増幅回路を
得ることができる。また、そのような増幅回路を含む通
信用LSIの消費電流の低減を図ることができる。
【図1】本発明にかかる増幅回路の一例が示される回路
図である。
図である。
【図2】図1に示される増幅回路に適用される演算増幅
器の構成例回路図である。
器の構成例回路図である。
【図3】演算増幅器内の位相補償容量の値を固定した場
合の周波数特性図である。
合の周波数特性図である。
【図4】上記増幅回路のゲイン切り換えに連動して演算
増幅器内の位相補償容量を切り換えた場合の周波数特性
図である。
増幅器内の位相補償容量を切り換えた場合の周波数特性
図である。
【図5】図1に示される増幅回路が適用されるピンポン
伝送用等化器LSIの構成例ブロック図である。
伝送用等化器LSIの構成例ブロック図である。
20 差動段 40 ピンポン伝送用等化器LSI 41 LT部 42 AGC回路 50 出力段 52 プレフィルタ 60 位相補償回路
Claims (3)
- 【請求項1】 信号入力のための反転入力端子及び非反
転出力端子と、信号出力のための出力端子とを含む演算
増幅器と、 上記演算増幅器の出力端子から上記反転入力端子への負
帰還量を切り換えることでゲイン調整を可能とするゲイ
ン調整回路とを含む増幅回路において、 上記演算増幅器は、上記ゲイン調整回路でのゲイン調整
に連動して上記演算増幅器の位相補償容量の値を切り換
えるための位相補償容量切り換え回路を含んで成ること
を特徴とする増幅回路。 - 【請求項2】 信号入力のための反転入力端子及び非反
転出力端子と、信号出力のための出力端子とを含む演算
増幅器と、 ゲイン調整信号に応じて、上記演算増幅器の出力端子か
ら上記反転入力端子への負帰還量を切り換えることでゲ
イン調整を可能とするゲイン調整回路とを含む増幅回路
において、 上記演算増幅器は、上記ゲイン調整回路でのゲイン調整
に連動して上記演算増幅器の位相補償容量の値を切り換
えるための位相補償容量切り換え回路を含み、 上記位相補償容量切り換え回路は、互いに容量値の異な
る複数の容量と、 上記ゲイン調整信号に応じて上記複数の容量を選択的に
位相補償に関与させるための選択回路とを含んで成るこ
とを特徴とする増幅回路。 - 【請求項3】 加入者線側からのAMI信号を取り込ん
で処理する通信用LSIにおいて、 請求項1又は2記載の増幅回路と、 上記増幅回路の出力信号中から帯域外雑音を取り除くた
めのフィルタと、 上記フィルタの出力信号レベルと基準レベルとを比較
し、その比較結果に基づいて上記ゲイン調整信号を形成
するためのコンパレータと、 を含むことを特徴とする通信用LSI。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7687397A JPH10276050A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 増幅回路及び通信用lsi |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7687397A JPH10276050A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 増幅回路及び通信用lsi |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10276050A true JPH10276050A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13617764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7687397A Withdrawn JPH10276050A (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | 増幅回路及び通信用lsi |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10276050A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168600A3 (de) * | 2000-06-27 | 2005-09-07 | Infineon Technologies AG | Schaltung und Verfahren zur Abschwächung oder Beseitigung unerwünschter Eigenschaften eines Operationsverstärkers |
| JP2008228029A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP7687397A patent/JPH10276050A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168600A3 (de) * | 2000-06-27 | 2005-09-07 | Infineon Technologies AG | Schaltung und Verfahren zur Abschwächung oder Beseitigung unerwünschter Eigenschaften eines Operationsverstärkers |
| JP2008228029A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
| US7671683B2 (en) | 2007-03-14 | 2010-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit and method for adjusting a capacitance value of a phase compensating capacitor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |