JPH1027689A - エレクトロルミネッセンス・ランプ駆動回路 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス・ランプ駆動回路Info
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- JPH1027689A JPH1027689A JP8322088A JP32208896A JPH1027689A JP H1027689 A JPH1027689 A JP H1027689A JP 8322088 A JP8322088 A JP 8322088A JP 32208896 A JP32208896 A JP 32208896A JP H1027689 A JPH1027689 A JP H1027689A
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
- H02M7/53871—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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-
- H—ELECTRICITY
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- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0067—Converter structures employing plural converter units, other than for parallel operation of the units on a single load
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- Y10S315/07—Starting and control circuits for gas discharge lamp using transistors
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】電池で動作するACエレクトロルミネッセンス
・ランプの駆動回路を提供する。 【解決手段】比較的低い第二のDC電圧から、ある電圧
値となる第一の高いDC電圧を供給するDC−DCコン
バータと、第一の高いDC電圧をキャパシティブなEL
ランプ14を駆動するに十分なAC電圧に変換してEL
ランプ14を所望の明るさに発光させるDC−ACイン
バータと、並びに高周波発振器10により低周波数で切
り替えられる定電流源のブリッジ回路20と、ELラン
プ14を交互に一方向の極性に充電し、また、完全に放
電し、さらに逆極性に充電して、効果的にピーク間電圧
をDC高電圧の2倍にする制御回路18等により、EL
ランプ14の駆動回路を構成する。
・ランプの駆動回路を提供する。 【解決手段】比較的低い第二のDC電圧から、ある電圧
値となる第一の高いDC電圧を供給するDC−DCコン
バータと、第一の高いDC電圧をキャパシティブなEL
ランプ14を駆動するに十分なAC電圧に変換してEL
ランプ14を所望の明るさに発光させるDC−ACイン
バータと、並びに高周波発振器10により低周波数で切
り替えられる定電流源のブリッジ回路20と、ELラン
プ14を交互に一方向の極性に充電し、また、完全に放
電し、さらに逆極性に充電して、効果的にピーク間電圧
をDC高電圧の2倍にする制御回路18等により、EL
ランプ14の駆動回路を構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願は、1995年10月31日
に米国特許第5,463,283号として発行される、
出願中の出願番号第08/248,299号の一部継続
出願である。本発明は、ACエレクトロルミネッセンス
・ランプの駆動回路に関し、特に電池で動作する回路に
関する。
に米国特許第5,463,283号として発行される、
出願中の出願番号第08/248,299号の一部継続
出願である。本発明は、ACエレクトロルミネッセンス
・ランプの駆動回路に関し、特に電池で動作する回路に
関する。
【0002】
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス(EL)・ラ
ンプはある振幅と周波数のAC電圧を必要とする。した
がって、電池で動作する装置では、ELランプはDC−
ACインバータを必要とする。
ンプはある振幅と周波数のAC電圧を必要とする。した
がって、電池で動作する装置では、ELランプはDC−
ACインバータを必要とする。
【0003】しかし、残念ながらそのようなインバータ
は、周波数を制御するために、大きくて比較的コストの
高いトランスや多くの部品を必要とし、または、外部か
らの信号源を必要とするので、そのため動作させること
を比較的高価なものにしている。
は、周波数を制御するために、大きくて比較的コストの
高いトランスや多くの部品を必要とし、または、外部か
らの信号源を必要とするので、そのため動作させること
を比較的高価なものにしている。
【0004】したがって、約1.5Vの単一セルの廉価
な電池からELランプに動作電力を供給する、廉価で小
型の手段に対する需要がある。
な電池からELランプに動作電力を供給する、廉価で小
型の手段に対する需要がある。
【0005】また、ELランプを最低5フィート・ラン
バートの輝度、望ましくは10フィート・ランバートの
輝度で作動させるために、十分高い電圧のDC−ACイ
ンバータが必要となる。
バートの輝度、望ましくは10フィート・ランバートの
輝度で作動させるために、十分高い電圧のDC−ACイ
ンバータが必要となる。
【0006】したがって、大きな、かつ高価なトランス
を採用することなしに、単一セルの電池が5−10フィ
ート・ランバートの輝度のELランプを動作させること
のできるシステムに対する需要がある。
を採用することなしに、単一セルの電池が5−10フィ
ート・ランバートの輝度のELランプを動作させること
のできるシステムに対する需要がある。
【0007】ELランプを動作させるために電池手段を
使うシステムの一例は、キンドルマンによる米国特許第
4,527,096号に記述されている駆動回路であ
る。
使うシステムの一例は、キンドルマンによる米国特許第
4,527,096号に記述されている駆動回路であ
る。
【0008】キンドルマンは、ランプのキャパシタを段
階的に充電するために、電池電圧を順次高いレベルにス
テップアップするインダクタを装備したコンバータを示
している。
階的に充電するために、電池電圧を順次高いレベルにス
テップアップするインダクタを装備したコンバータを示
している。
【0009】このシステムでは、インダクタからの電荷
は直接キャパシタに供給され、全エネルギーが直接ラン
プに供給される。外部発信器手段がインダクタを駆動
し、インダクタからの全てのパルスがキャパシタに放電
される。このように、ランプは、順次充電する電流パル
スがあらかじめ決められた数に達するまで、階段的に充
電される。
は直接キャパシタに供給され、全エネルギーが直接ラン
プに供給される。外部発信器手段がインダクタを駆動
し、インダクタからの全てのパルスがキャパシタに放電
される。このように、ランプは、順次充電する電流パル
スがあらかじめ決められた数に達するまで、階段的に充
電される。
【0010】これに対比して、本発明および本発明者の
米国特許第5,463,283号に記述され請求されて
いる発明は、電流パルスに依存するものではない。
米国特許第5,463,283号に記述され請求されて
いる発明は、電流パルスに依存するものではない。
【0011】その代わりに、インダクタからのエネルギ
ーはキャパシタに蓄えられ、蓄えられた電圧は一定電流
によってELランプを充電するために使用される。
ーはキャパシタに蓄えられ、蓄えられた電圧は一定電流
によってELランプを充電するために使用される。
【0012】独立したインバータは、インダクタを駆動
するために外部発振器または制御手段を必要とせず、イ
ンダクタからのエネルギーは蓄電キャパシタに供給さ
れ、基本的には高電圧のDC−DCコンバータを与え
る。この電圧はブリッジ回路を通して一方向にELラン
プを充電するのに使用され、その他の方向では放電す
る。このように、集積回路に損傷を与えることなく比較
的高いDC電圧を発生させることができる。
するために外部発振器または制御手段を必要とせず、イ
ンダクタからのエネルギーは蓄電キャパシタに供給さ
れ、基本的には高電圧のDC−DCコンバータを与え
る。この電圧はブリッジ回路を通して一方向にELラン
プを充電するのに使用され、その他の方向では放電す
る。このように、集積回路に損傷を与えることなく比較
的高いDC電圧を発生させることができる。
【0013】その結果、ELランプが駆動される電流と
周波数とが制御されるので、さまざまなサイズの各種ラ
ンプを一個の集積回路で駆動させることが出来る。
周波数とが制御されるので、さまざまなサイズの各種ラ
ンプを一個の集積回路で駆動させることが出来る。
【0014】
【発明の概要】本発明は、DC−DCコンバータの発振
器を制御する手段を提供することにより、従来の技術を
改良するものである。そのような手段を提供することに
より、発振周波数がより正確に制御され、このことが、
設計者がさまざまなランプを駆動させるために一つのイ
ンダクタの値を選択できるようにする。さらに、発振周
波数を制御することが可能である結果として、設計者は
所望の消費電力予算に合わせるように、電流を制御する
ことが出来る。
器を制御する手段を提供することにより、従来の技術を
改良するものである。そのような手段を提供することに
より、発振周波数がより正確に制御され、このことが、
設計者がさまざまなランプを駆動させるために一つのイ
ンダクタの値を選択できるようにする。さらに、発振周
波数を制御することが可能である結果として、設計者は
所望の消費電力予算に合わせるように、電流を制御する
ことが出来る。
【0015】この発明は、たとえば1.5VDCの電池
のような単一電池からELランプに電力を供給する駆動
回路を提供する。該回路は以下の部分を含む: a)比較的低い第二のDC電圧から、ある電圧値の高い
第一のDC電圧を供給するDC−DCコンバータと、 b)第一の高いDC電圧を、キャパシティブな(容量
性)ELランプを駆動するに十分なAC電圧に変換し
て、該ランプを所望の明るさに発光させるDC−ACイ
ンバータと、 c)内部発振器により低周波数で切り替えられる定電流
源のブリッジ回路と、ELランプを交互に一方向の極性
に充電し、完全に放電し、そして逆極性に充電して、効
果的にピーク間電圧をDC高電圧の2倍の値にする制御
回路。
のような単一電池からELランプに電力を供給する駆動
回路を提供する。該回路は以下の部分を含む: a)比較的低い第二のDC電圧から、ある電圧値の高い
第一のDC電圧を供給するDC−DCコンバータと、 b)第一の高いDC電圧を、キャパシティブな(容量
性)ELランプを駆動するに十分なAC電圧に変換し
て、該ランプを所望の明るさに発光させるDC−ACイ
ンバータと、 c)内部発振器により低周波数で切り替えられる定電流
源のブリッジ回路と、ELランプを交互に一方向の極性
に充電し、完全に放電し、そして逆極性に充電して、効
果的にピーク間電圧をDC高電圧の2倍の値にする制御
回路。
【0016】本発明の一つの目的は、ELランプを交互
に充電・放電させるために蓄積され使用されるDC高電
圧を発生させることである。
に充電・放電させるために蓄積され使用されるDC高電
圧を発生させることである。
【0017】もう一つの目的は、ELランプのキャパシ
タを定電流で充電し、ELランプの端子に傾斜(ram
p)電圧をつくるためのブリッジ型回路を提供すること
にある。
タを定電流で充電し、ELランプの端子に傾斜(ram
p)電圧をつくるためのブリッジ型回路を提供すること
にある。
【0018】DC−DCコンバータはフライバック形式
を使用するので、インダクタのサイズが小さくなるよう
に、内部発振器により、高い周波数で切り替えられる。
を使用するので、インダクタのサイズが小さくなるよう
に、内部発振器により、高い周波数で切り替えられる。
【0019】このようにして、ELランプは3VDCか
ら12VDCの電池により、約10フィート・ランバー
トの輝度にまで電力を上げることができる。さらに、電
池で働く装置に使用するための外部信号手段を必要とし
ない、比較的小型でトランスのないDC−ACインバー
タが提供される。
ら12VDCの電池により、約10フィート・ランバー
トの輝度にまで電力を上げることができる。さらに、電
池で働く装置に使用するための外部信号手段を必要とし
ない、比較的小型でトランスのないDC−ACインバー
タが提供される。
【0020】さらにもう一つの目的は、発振器の周波数
を制御するために外部制御を加える新しい14ピンのシ
ステムを提供することである。
を制御するために外部制御を加える新しい14ピンのシ
ステムを提供することである。
【0021】
【発明の詳細な説明】本発明にしたがうと、DCからD
Cへのコンバータ手段は、駆動制御のための振動信号を
発生させる高周波発振手段と、その一方の端子で第二の
低電圧を受けるインダクタと、その第二の端子にあるイ
ンダクタと基準電位との間に接続され、振動信号に応答
するスイッチ手段と、アノードとカソードとから構成さ
れ、該アノードが該第二の端子に接続されているダイオ
ードと、該カソードと該基準電位との間に接続され、該
カソードの基準電位に対する電位が第一のDC電圧を有
するキャパシタ手段と、から構成される。
Cへのコンバータ手段は、駆動制御のための振動信号を
発生させる高周波発振手段と、その一方の端子で第二の
低電圧を受けるインダクタと、その第二の端子にあるイ
ンダクタと基準電位との間に接続され、振動信号に応答
するスイッチ手段と、アノードとカソードとから構成さ
れ、該アノードが該第二の端子に接続されているダイオ
ードと、該カソードと該基準電位との間に接続され、該
カソードの基準電位に対する電位が第一のDC電圧を有
するキャパシタ手段と、から構成される。
【0022】第一のDC電圧をAC電圧に変換する手段
は、一対の分岐をもつブリッジ回路手段であって、それ
にかかる第一の電圧を受ける第一および第二のノードを
持ち、別々の分岐のそれぞれにある第一と第二のノード
の間の第五と第六のノードをもつ該ブリッジ回路手段を
含み、それぞれの分岐はランプを受容し、そして該ラン
プを第五および第六のノードに接続するためのコネクタ
手段を含み、それぞれのノード対の間にはスイッチ手段
があり、相対的に一方の極性の時に、第五または第六の
ノードのどちらか一方を交互に第一のノードに接続し、
第五または第六のノードの他方を第二のノードに接続
し、そして次に第二の相対的極性の時に、第五または第
六のノードのどちらか一方を第二のノードに接続し、第
五または第六のノードの他方を第一のノードに接続し、
こうして第一のDC電圧を交互の極性で第五および第六
のノードに印加する。
は、一対の分岐をもつブリッジ回路手段であって、それ
にかかる第一の電圧を受ける第一および第二のノードを
持ち、別々の分岐のそれぞれにある第一と第二のノード
の間の第五と第六のノードをもつ該ブリッジ回路手段を
含み、それぞれの分岐はランプを受容し、そして該ラン
プを第五および第六のノードに接続するためのコネクタ
手段を含み、それぞれのノード対の間にはスイッチ手段
があり、相対的に一方の極性の時に、第五または第六の
ノードのどちらか一方を交互に第一のノードに接続し、
第五または第六のノードの他方を第二のノードに接続
し、そして次に第二の相対的極性の時に、第五または第
六のノードのどちらか一方を第二のノードに接続し、第
五または第六のノードの他方を第一のノードに接続し、
こうして第一のDC電圧を交互の極性で第五および第六
のノードに印加する。
【0023】本発明の一つの実施例(図3)は、本発明
者の米国特許第5,463,283号に記述され請求さ
れている駆動回路システムの改良を提供する。
者の米国特許第5,463,283号に記述され請求さ
れている駆動回路システムの改良を提供する。
【0024】米国特許第5,463,283号では、ダ
イ形状(die form)で8ピンの表面マウント式
DC−ACコンバータが記述され請求されている。この
システムでは、高周波発振器が内部的に制御され、8個
のピンだけが出力として使用されるのでユーザーが調節
出来るものではない。一個のピンはVddのため、一個
のピンはグラウンド(接地)のため、一個のピンはL1
のため、一個のピンはCSのため、もう一つはROSC
のため、もう一つはRCONTROLのため、そして二
つのピンがELランプのためである。
イ形状(die form)で8ピンの表面マウント式
DC−ACコンバータが記述され請求されている。この
システムでは、高周波発振器が内部的に制御され、8個
のピンだけが出力として使用されるのでユーザーが調節
出来るものではない。一個のピンはVddのため、一個
のピンはグラウンド(接地)のため、一個のピンはL1
のため、一個のピンはCSのため、もう一つはROSC
のため、もう一つはRCONTROLのため、そして二
つのピンがELランプのためである。
【0025】ダイ形状のインバータで8ピンの表面マウ
ント式アセンブリーの難点は、発振器の周波数がICに
よって内部的に決められ、ユーザーが制御出来ない点に
ある。
ント式アセンブリーの難点は、発振器の周波数がICに
よって内部的に決められ、ユーザーが制御出来ない点に
ある。
【0026】本発明は、スイッチング周波数制御のため
に一個のピン、ノード7、(以後”
RSWITCHER”と呼ぶ)を加えることによりこの
困難を克服する。また、米国特許第5,463,283
号では内部的に固定されていたピンはこの場合には図4
に示されるように無い。
に一個のピン、ノード7、(以後”
RSWITCHER”と呼ぶ)を加えることによりこの
困難を克服する。また、米国特許第5,463,283
号では内部的に固定されていたピンはこの場合には図4
に示されるように無い。
【0027】したがって、今ここに記述されるICイン
バータは、14ピンの表面マウント式で、本発明は、8
ピンの表面マウント式、14ピンの表面マウント式、お
よびダイ形状のパッケージを包含する。
バータは、14ピンの表面マウント式で、本発明は、8
ピンの表面マウント式、14ピンの表面マウント式、お
よびダイ形状のパッケージを包含する。
【0028】8ピンの表面マウント式ICは、また、図
3に示される実施例から一つのピンが自由になるなら
ば、周波数制御手段と共に使用することができる。図4
には、例えばRCONTROLが取り除かれ、したがっ
て定電流のための外部からの制御ができなくなる。これ
がRSWITCHERのためのピンを提供し、発振器に
対する外部制御手段を与える。
3に示される実施例から一つのピンが自由になるなら
ば、周波数制御手段と共に使用することができる。図4
には、例えばRCONTROLが取り除かれ、したがっ
て定電流のための外部からの制御ができなくなる。これ
がRSWITCHERのためのピンを提供し、発振器に
対する外部制御手段を与える。
【0029】図5に示されるもうひとつの実施例では、
発振器手段と定電流手段の両方に対する制御手段が除去
されている。このことは、システムの電流と電圧のレベ
ルが回路部品の特定の性質により果されるのを可能に
し、これは、選択自由な条件でさまざまなサイズのEL
ランプを駆動するフレキシビリティが二の次ぎであるよ
うなある種の応用例では許容され得る。
発振器手段と定電流手段の両方に対する制御手段が除去
されている。このことは、システムの電流と電圧のレベ
ルが回路部品の特定の性質により果されるのを可能に
し、これは、選択自由な条件でさまざまなサイズのEL
ランプを駆動するフレキシビリティが二の次ぎであるよ
うなある種の応用例では許容され得る。
【0030】
【実施例】図1のICインバータ回路では、比較的高い
周波数の高周波発振器10が示されており、さらに特定
すれば、該発振器は、必ずしもこの範囲に限定されるも
のではないが、約20khzから125khzの、駆動
制御12を作動する振動矩形波出力信号を発生する。高
周波発振器の周波数は、ICにより内部で決定される。
周波数の高周波発振器10が示されており、さらに特定
すれば、該発振器は、必ずしもこの範囲に限定されるも
のではないが、約20khzから125khzの、駆動
制御12を作動する振動矩形波出力信号を発生する。高
周波発振器の周波数は、ICにより内部で決定される。
【0031】この設計の変形例は、高周波発振器の外部
制御が出来るようにすることである。この変形例では、
図3に示されるように、周波数はノード7に接続される
RSWITCHERの値によって決められる。R
SWITCHERの値が周波数を決定する。
制御が出来るようにすることである。この変形例では、
図3に示されるように、周波数はノード7に接続される
RSWITCHERの値によって決められる。R
SWITCHERの値が周波数を決定する。
【0032】外部制御の一つの利点は、ICに組み込ま
れた抵抗体は離散した抵抗体に比べてはるかに大きな公
差をもつので高周波にたいして厳しい公差を課すことが
でき、これによって設計者がすべてのICに対して一つ
のインダクタ値を選択することが可能となる。
れた抵抗体は離散した抵抗体に比べてはるかに大きな公
差をもつので高周波にたいして厳しい公差を課すことが
でき、これによって設計者がすべてのICに対して一つ
のインダクタ値を選択することが可能となる。
【0033】外部制御のもう一つの利点は、経済性であ
る。なぜならば、これは、設計者が入力電流を望ましい
消費電力予算に合致させることが可能なようにするから
である。昇圧コンバータがICインバータの全体の電流
の大部分を消費し、電流消費を決めるのが高周波発振器
とインダクタであるので、前記のことが可能となる。こ
の駆動制御は、昇圧コンバータの動作を、FETトラン
ジスタQ1のON時間とOFF時間を制御することによ
り調節する。駆動制御回路12は、約20khzから1
25khz(さらに広い範囲もまた可能である)の高周
波ゲート駆動出力信号をつくるためのコンパレータを含
み、この出力信号はFETトランジスタQ1のゲートに
加えられて、駆動制御回路12へ印加されるVppの検
知値にしたがって、トランジスタQ1を交互に導通状態
または非導通状態にする。Vppが80VDCと100
VDCの間の敷居電圧に達するときに、駆動制御回路1
2はQ1へのゲート駆動をOFFとし、したがって昇圧
コンバータの動作を止める。Vppがこの敷居値より下
がると、駆動制御12は、高周波発振器10がQ1のゲ
ートを駆動出来るようにし、Vppが80VDCと10
0VDCの間の電圧に再び達するまで昇圧コンバータの
機能が続く。したがって、Vppは、その値がIC内部
で固定され、約80VDCから100VDCの範囲にく
るように制御された電圧である。この構成は、昇圧コン
バータが必要な時だけONとされるので、効率を上げら
れる。
る。なぜならば、これは、設計者が入力電流を望ましい
消費電力予算に合致させることが可能なようにするから
である。昇圧コンバータがICインバータの全体の電流
の大部分を消費し、電流消費を決めるのが高周波発振器
とインダクタであるので、前記のことが可能となる。こ
の駆動制御は、昇圧コンバータの動作を、FETトラン
ジスタQ1のON時間とOFF時間を制御することによ
り調節する。駆動制御回路12は、約20khzから1
25khz(さらに広い範囲もまた可能である)の高周
波ゲート駆動出力信号をつくるためのコンパレータを含
み、この出力信号はFETトランジスタQ1のゲートに
加えられて、駆動制御回路12へ印加されるVppの検
知値にしたがって、トランジスタQ1を交互に導通状態
または非導通状態にする。Vppが80VDCと100
VDCの間の敷居電圧に達するときに、駆動制御回路1
2はQ1へのゲート駆動をOFFとし、したがって昇圧
コンバータの動作を止める。Vppがこの敷居値より下
がると、駆動制御12は、高周波発振器10がQ1のゲ
ートを駆動出来るようにし、Vppが80VDCと10
0VDCの間の電圧に再び達するまで昇圧コンバータの
機能が続く。したがって、Vppは、その値がIC内部
で固定され、約80VDCから100VDCの範囲にく
るように制御された電圧である。この構成は、昇圧コン
バータが必要な時だけONとされるので、効率を上げら
れる。
【0034】もうひとつの実施例は、100VDCより
も高い電圧を形成することが出来るように、Vpp電圧
を非制御的とする方式を提供する。
も高い電圧を形成することが出来るように、Vpp電圧
を非制御的とする方式を提供する。
【0035】Q1のドレーン・ソース電極が、インダク
タL1と、基準電位すなわちシステム・グランドとの間
に接続される。インダクタL1は、例えば3VDCから
12VDCの電池電源のような電池(図示されていな
い)から電位を受ける。また、この制御電流は、外づけ
部品を無くするために、ICの内部で固定することが出
来る。この特徴は、また本発明の一つの実施例の意味す
るところである。
タL1と、基準電位すなわちシステム・グランドとの間
に接続される。インダクタL1は、例えば3VDCから
12VDCの電池電源のような電池(図示されていな
い)から電位を受ける。また、この制御電流は、外づけ
部品を無くするために、ICの内部で固定することが出
来る。この特徴は、また本発明の一つの実施例の意味す
るところである。
【0036】インダクタL1とトランジスタQ1の間の
分岐点は、ダイオードD1のアノードに接続され、さら
にキャパシタCsを通じてシステム・グランドに接続さ
れる。ダイオードのカソードとキャパシタCsの間の分
岐点は、ステップアップされた必要なDC電圧Vppを
与える。トランジスタQ1がONになるとき、電流がイ
ンダクタL1を通じて流れ、これによりインダクタL1
を充電する。トランジスタQ1がOFFになるとそこに
蓄えられたエネルギーがダイオードD1を通じて伝達さ
れ、キャパシタCsを制御された比較的高い電圧Vp
p、例えば80VDCから100VDCに充電する。イ
ンダクタL1、トランジスタQ1、ダイオードD1、お
よびキャパシタCsを含むコンバータは、昇圧形のDC
−DCコンバータと言われる。
分岐点は、ダイオードD1のアノードに接続され、さら
にキャパシタCsを通じてシステム・グランドに接続さ
れる。ダイオードのカソードとキャパシタCsの間の分
岐点は、ステップアップされた必要なDC電圧Vppを
与える。トランジスタQ1がONになるとき、電流がイ
ンダクタL1を通じて流れ、これによりインダクタL1
を充電する。トランジスタQ1がOFFになるとそこに
蓄えられたエネルギーがダイオードD1を通じて伝達さ
れ、キャパシタCsを制御された比較的高い電圧Vp
p、例えば80VDCから100VDCに充電する。イ
ンダクタL1、トランジスタQ1、ダイオードD1、お
よびキャパシタCsを含むコンバータは、昇圧形のDC
−DCコンバータと言われる。
【0037】ダイオードD1のカソード電圧Vppは駆
動制御回路12にフィード・バックされ、駆動制御回路
12がVppの値を検知する。その値が約90VDC以
下になると、スイッチング・トランジスタQ1が、高周
波発振器10からの信号により高周波でON、OFFす
る。その値が90VDC以上になるとトランジスタQ1
への振動信号がOFFとなる。これがVppを約100
VDCに制御する。
動制御回路12にフィード・バックされ、駆動制御回路
12がVppの値を検知する。その値が約90VDC以
下になると、スイッチング・トランジスタQ1が、高周
波発振器10からの信号により高周波でON、OFFす
る。その値が90VDC以上になるとトランジスタQ1
への振動信号がOFFとなる。これがVppを約100
VDCに制御する。
【0038】高周波発振器10のデューティ・サイクル
がインダクタL1に保持されるエネルギーの大きさを決
定し、したがって、電圧値Vppを決定する。デューテ
ィ・サイクルは約90%であるのが望ましい。この回路
に接続されるELランプ14にエネルギーを与え、ラン
プを点灯するためには高い電位が必要である。
がインダクタL1に保持されるエネルギーの大きさを決
定し、したがって、電圧値Vppを決定する。デューテ
ィ・サイクルは約90%であるのが望ましい。この回路
に接続されるELランプ14にエネルギーを与え、ラン
プを点灯するためには高い電位が必要である。
【0039】低周波発振器15の出力信号f1は分割器
16により低周波出力信号f2に分割される。望ましく
はこれが約50%のデューティ・サイクルで実行される
ことである。f2の値は抵抗ROSCにより決定され
る。この実施例ではf2の値は望ましくは400Hzで
あることである。信号f2が制御回路18に加えられ、
これが信号“a”と“b”(図2参照)のスイッチング
を制御する。
16により低周波出力信号f2に分割される。望ましく
はこれが約50%のデューティ・サイクルで実行される
ことである。f2の値は抵抗ROSCにより決定され
る。この実施例ではf2の値は望ましくは400Hzで
あることである。信号f2が制御回路18に加えられ、
これが信号“a”と“b”(図2参照)のスイッチング
を制御する。
【0040】制御回路18は機能ブロックであり、それ
はブリッジを制御する。それは低周波信号f2を受け、
低周波信号と同位相の信号“a”を発生させる駆動部を
含む。この“a”信号がブリッジの第一の半分のゲート
を駆動する。制御回路18は、また、ブリッジの第二の
半分のゲートを駆動するために、信号“a”と180°
位相がずれた反転した“b”駆動信号を提供する手段を
含む。制御回路18の出力は、一対の矩形波状パルス列
“a”と一対の矩形波状パルス列“b”であり、それら
は信号“a”と“b”の位相が180°離れている(図
2参照)ことを除いては同一である。制御回路18のも
うひとつの出力は、定電流源制御信号“d”である。定
電流源制御信号“d”はQ2とQ3を制御し、このとき
これらのトランジスタは、定電流源として配置されたN
チャンネル抑圧モードMOSFET高電圧DMOSトラ
ンジスタである。制御部RCONTROLはQ2とQ3
へのゲート電圧を制御し、これにより定電流を制御す
る。これは線28で示されている。
はブリッジを制御する。それは低周波信号f2を受け、
低周波信号と同位相の信号“a”を発生させる駆動部を
含む。この“a”信号がブリッジの第一の半分のゲート
を駆動する。制御回路18は、また、ブリッジの第二の
半分のゲートを駆動するために、信号“a”と180°
位相がずれた反転した“b”駆動信号を提供する手段を
含む。制御回路18の出力は、一対の矩形波状パルス列
“a”と一対の矩形波状パルス列“b”であり、それら
は信号“a”と“b”の位相が180°離れている(図
2参照)ことを除いては同一である。制御回路18のも
うひとつの出力は、定電流源制御信号“d”である。定
電流源制御信号“d”はQ2とQ3を制御し、このとき
これらのトランジスタは、定電流源として配置されたN
チャンネル抑圧モードMOSFET高電圧DMOSトラ
ンジスタである。制御部RCONTROLはQ2とQ3
へのゲート電圧を制御し、これにより定電流を制御す
る。これは線28で示されている。
【0041】信号Vpp、“a”、“b”がブリッジ回
路20に入力される。ブリッジ回路20は電圧Vppを
受けるために、キャパシタCsをダイオードD1に接続
する接続点に連結されたノード2を含む。ノード2は電
流源Q2と、FETトランジスタQ3のドレーン・ソー
ス電極を通じてノード6に接続されている。ノード6
は、ELランプ14の端部端子の一セットを受けるため
のコネクター24を含む。電流源Q2は、Q2のゲート
電圧を制御する制御部Rによって制御される。“b”信
号の一つがトランジスタQ3のゲート電極に加えられ、
信号“b”の低いパルスが現れるときにQ3をONにす
る。脚枝24は、FETトランジスタQ4のドレーン・
ソース電極を通してシステム・グランドに接続される。
このように、トランジスタQ3と電流源Q2は、ノード
2と6の間のブリッジ回路20の一方の脚枝28を形成
し、Q4がノード6とシステム・グランドの間のブリッ
ジ回路20の第二の脚枝30を形成する。二つの脚枝2
8と30がブリッジ回路20の一方の分岐を形成する。
路20に入力される。ブリッジ回路20は電圧Vppを
受けるために、キャパシタCsをダイオードD1に接続
する接続点に連結されたノード2を含む。ノード2は電
流源Q2と、FETトランジスタQ3のドレーン・ソー
ス電極を通じてノード6に接続されている。ノード6
は、ELランプ14の端部端子の一セットを受けるため
のコネクター24を含む。電流源Q2は、Q2のゲート
電圧を制御する制御部Rによって制御される。“b”信
号の一つがトランジスタQ3のゲート電極に加えられ、
信号“b”の低いパルスが現れるときにQ3をONにす
る。脚枝24は、FETトランジスタQ4のドレーン・
ソース電極を通してシステム・グランドに接続される。
このように、トランジスタQ3と電流源Q2は、ノード
2と6の間のブリッジ回路20の一方の脚枝28を形成
し、Q4がノード6とシステム・グランドの間のブリッ
ジ回路20の第二の脚枝30を形成する。二つの脚枝2
8と30がブリッジ回路20の一方の分岐を形成する。
【0042】ブリッジ回路20の第二の分岐は、ノード
2とノード5の間の脚枝32と、ノード5とシステム・
グランドの間のもう一つの脚枝34を含む。脚枝32と
34は、脚枝28と30に同じ、つまりその鏡像で、こ
の実施例では同一の部品を含む。脚枝32はFETトラ
ンジスタQ6を含み、Q6のドレーン・ソース電極はノ
ード2と5の間にある電流源Q5と直列に接続される。
脚枝34はFETトランジスタQ7を含み、Q7のドレ
ーン・ソース電極はノード5とシステム・グランドの間
に接続される。既述のように、全ての電流源は、Q2と
Q5のゲート電圧を制御する制御部RCONTROLに
より制御される。トランジスタQ7のゲート電極は信号
“a”を受け、トランジスタQ6のゲート電極は信号
“a”を受ける。その結果、Q3とQ6は、信号“b”
と“a”に対応して同時にそれぞれONとOFFとな
る。信号“a”と“b”は、曲線“a”と“b”(図2
参照)に示されるように互いに180°位相がずれてい
る。ランプを受ける第二のコネクター26がノード5に
あり、ELランプ14の端子の第二のセットを受ける。
2とノード5の間の脚枝32と、ノード5とシステム・
グランドの間のもう一つの脚枝34を含む。脚枝32と
34は、脚枝28と30に同じ、つまりその鏡像で、こ
の実施例では同一の部品を含む。脚枝32はFETトラ
ンジスタQ6を含み、Q6のドレーン・ソース電極はノ
ード2と5の間にある電流源Q5と直列に接続される。
脚枝34はFETトランジスタQ7を含み、Q7のドレ
ーン・ソース電極はノード5とシステム・グランドの間
に接続される。既述のように、全ての電流源は、Q2と
Q5のゲート電圧を制御する制御部RCONTROLに
より制御される。トランジスタQ7のゲート電極は信号
“a”を受け、トランジスタQ6のゲート電極は信号
“a”を受ける。その結果、Q3とQ6は、信号“b”
と“a”に対応して同時にそれぞれONとOFFとな
る。信号“a”と“b”は、曲線“a”と“b”(図2
参照)に示されるように互いに180°位相がずれてい
る。ランプを受ける第二のコネクター26がノード5に
あり、ELランプ14の端子の第二のセットを受ける。
【0043】ブリッジ回路20は、AC電圧を印加する
のと同様の方法で、ELランプ14に逆極性の信号を加
えることにより、高いDC電圧Vppを、AC電圧と等
価になるように変換する。周波数は信号“a”と“b”
の周波数であり、400hzが望ましい。最初はELラ
ンプ14は放電された状態にある。信号“a”が高状態
の時には信号“b”は低状態であり、また同じように逆
の状態をとる。トランジスタQ3とQ7がONでトラン
ジスタQ4とQ6がOFFのとき、並列の抵抗Rpとキ
ャパシタンスCに抵抗Rsが直列に接続された等価回路
をもつELランプ14には、抵抗RCONTROLによ
って決まる電流でトランジスタQ3とQ7を通してVp
p信号による電荷が流される。抵抗RCONTROLは
定電流源により発生する電流を制御する。ランプは、電
圧Vppの値(図2参照)によって決まるピーク電圧ま
で、あるいは電流が無くなるまで充電される。
のと同様の方法で、ELランプ14に逆極性の信号を加
えることにより、高いDC電圧Vppを、AC電圧と等
価になるように変換する。周波数は信号“a”と“b”
の周波数であり、400hzが望ましい。最初はELラ
ンプ14は放電された状態にある。信号“a”が高状態
の時には信号“b”は低状態であり、また同じように逆
の状態をとる。トランジスタQ3とQ7がONでトラン
ジスタQ4とQ6がOFFのとき、並列の抵抗Rpとキ
ャパシタンスCに抵抗Rsが直列に接続された等価回路
をもつELランプ14には、抵抗RCONTROLによ
って決まる電流でトランジスタQ3とQ7を通してVp
p信号による電荷が流される。抵抗RCONTROLは
定電流源により発生する電流を制御する。ランプは、電
圧Vppの値(図2参照)によって決まるピーク電圧ま
で、あるいは電流が無くなるまで充電される。
【0044】信号“a”が低状態となる時、信号“b”
が高状態となり、トランジスタQ6とQ4をONとし、
トランジスタQ3とQ7をOFFとする。この動作で、
ELランプ14がトランジスタQ4を通して放電し、ト
ランジスタQ4とQ6を通して逆極性に充電されるよう
にする。充電速度とピーク電圧は前述のように決められ
る。次ぎに信号“a”が高状態となり、トランジスタQ
7をONとし、トランジスタQ4をOFFとし、トラン
ジスタQ3をONとする。この時、ELランプ14は、
トランジスタQ7を通して放電し、このサイクルが繰り
返される。その結果、波形“c”(図2参照)は、直線
的な立ち上がりの傾斜があり、引き続いて指数関数的な
キャパシタの放電による下降傾斜があり、さらに次の直
線的な下降の傾斜があり、さらにキャパシタの放電によ
る指数関数的な上昇の傾斜がくるというように続く。
が高状態となり、トランジスタQ6とQ4をONとし、
トランジスタQ3とQ7をOFFとする。この動作で、
ELランプ14がトランジスタQ4を通して放電し、ト
ランジスタQ4とQ6を通して逆極性に充電されるよう
にする。充電速度とピーク電圧は前述のように決められ
る。次ぎに信号“a”が高状態となり、トランジスタQ
7をONとし、トランジスタQ4をOFFとし、トラン
ジスタQ3をONとする。この時、ELランプ14は、
トランジスタQ7を通して放電し、このサイクルが繰り
返される。その結果、波形“c”(図2参照)は、直線
的な立ち上がりの傾斜があり、引き続いて指数関数的な
キャパシタの放電による下降傾斜があり、さらに次の直
線的な下降の傾斜があり、さらにキャパシタの放電によ
る指数関数的な上昇の傾斜がくるというように続く。
【0045】図1を参照すると、鎖線内の全ての部品は
集積回路の一部分である。このように、外づけ部品は、
L1、Cs、Rosc、RCONTROL、およびEL
ランプのみである。
集積回路の一部分である。このように、外づけ部品は、
L1、Cs、Rosc、RCONTROL、およびEL
ランプのみである。
【0046】トランジスタQ1はCMOS高圧スイッチ
であるのが望ましい。電流源Q2とQ5は、電流源仕様
のN−チャンネル抑制モードのMOSFET高電圧DM
OSトランジスタである。FETトランジスタQ3とQ
6は、スイッチ仕様の高電圧DMOS、p−チャンネル
強化モードのFETであり、Q7はスイッチ仕様の高電
圧DMOS,n−チャンネル強化モードのFETトラン
ジスタとすることができる。ELランプ14の放電の開
始から逆極性のピークに至るまでの時間は、周期の1/
2とするのが望ましい。このように、トランジスタQ3
とQ7は周波数の約1/2でONとなり、その間ELラ
ンプ14を放電し、それを二つの極性の一方に充電す
る。高周波発振器10の周波数は抵抗ROSCにより制
御される。波形”c”すなわち矩形波以外の波形を使用
することも出来るが、比較的非効率的である。なぜな
ら、ELランプ14に高いピーク電流が流れると、ラン
プの等価直列抵抗とスイッチング・トランジスタQ3の
直列抵抗などにおける大きなロスを生じるからである。
であるのが望ましい。電流源Q2とQ5は、電流源仕様
のN−チャンネル抑制モードのMOSFET高電圧DM
OSトランジスタである。FETトランジスタQ3とQ
6は、スイッチ仕様の高電圧DMOS、p−チャンネル
強化モードのFETであり、Q7はスイッチ仕様の高電
圧DMOS,n−チャンネル強化モードのFETトラン
ジスタとすることができる。ELランプ14の放電の開
始から逆極性のピークに至るまでの時間は、周期の1/
2とするのが望ましい。このように、トランジスタQ3
とQ7は周波数の約1/2でONとなり、その間ELラ
ンプ14を放電し、それを二つの極性の一方に充電す
る。高周波発振器10の周波数は抵抗ROSCにより制
御される。波形”c”すなわち矩形波以外の波形を使用
することも出来るが、比較的非効率的である。なぜな
ら、ELランプ14に高いピーク電流が流れると、ラン
プの等価直列抵抗とスイッチング・トランジスタQ3の
直列抵抗などにおける大きなロスを生じるからである。
【0047】ランプの経時劣化に対する補償は、本発明
により実現されている。なぜなら、ELランプ14が経
時劣化すると等価キャパシタンスCLの値が減少し、等
価並列抵抗RLの値が増大するからである。CL値の減
少は立ち上がり速度dv/dtを増加させ、したがっ
て、ピーク電圧が増大し、そして/あるいは、もしピー
ク電圧がVppにあればRMS電圧が増大する。ELラ
ンプ14は高い電圧の方を“見て”、明るさのレベルを
一定に保つ。
により実現されている。なぜなら、ELランプ14が経
時劣化すると等価キャパシタンスCLの値が減少し、等
価並列抵抗RLの値が増大するからである。CL値の減
少は立ち上がり速度dv/dtを増加させ、したがっ
て、ピーク電圧が増大し、そして/あるいは、もしピー
ク電圧がVppにあればRMS電圧が増大する。ELラ
ンプ14は高い電圧の方を“見て”、明るさのレベルを
一定に保つ。
【0048】CL、RL、およびRSの値は、ELラン
プのサイズ、ELランプの形状、ELランプ14を製作
するために使用される層の性質と特性、および駆動条件
に依存する。これらの値は、光る面積の平方インチ(i
n2)当たりの値として表示される。ランプのキャパシ
タンスCLは、1.5nF/in2から6nF/in2
まで変化できる。並列抵抗RLは100Kohms/i
n2から1.5Mohms/in2まで変化できる。直
列抵抗RSは100ohms/in2から1000おo
hms/in2まで変化できる。光る面積が増加すると
キャパシタンスが増加し、光る面積が増加すると抵抗は
減少する。本回路はELランプの光る領域が0.5in
2から10in2までのものに対して電力を供給でき
る。50vrms/400Hzで動作する構造の一つの
種類のランプの典型的な負荷は、CL=3nF/i
n2、RL=500Kohms/in2、およびRS=
1000ohms/in2である。
プのサイズ、ELランプの形状、ELランプ14を製作
するために使用される層の性質と特性、および駆動条件
に依存する。これらの値は、光る面積の平方インチ(i
n2)当たりの値として表示される。ランプのキャパシ
タンスCLは、1.5nF/in2から6nF/in2
まで変化できる。並列抵抗RLは100Kohms/i
n2から1.5Mohms/in2まで変化できる。直
列抵抗RSは100ohms/in2から1000おo
hms/in2まで変化できる。光る面積が増加すると
キャパシタンスが増加し、光る面積が増加すると抵抗は
減少する。本回路はELランプの光る領域が0.5in
2から10in2までのものに対して電力を供給でき
る。50vrms/400Hzで動作する構造の一つの
種類のランプの典型的な負荷は、CL=3nF/i
n2、RL=500Kohms/in2、およびRS=
1000ohms/in2である。
【0049】本発明の原理を説明する目的で望ましい実
施例が完全に記述され、図示されているけれども、添付
された請求項に記載の本発明の範囲から離れることな
く、それに修正や変形が加えられることは、この技術に
精通する人々には理解されよう。
施例が完全に記述され、図示されているけれども、添付
された請求項に記載の本発明の範囲から離れることな
く、それに修正や変形が加えられることは、この技術に
精通する人々には理解されよう。
【図1】固定された制御手段のみをもつ回路のブロック
図である。
図である。
【図2】本発明の原理を説明するタイミング図である。
【図3】発振器制御手段と定電流制御手段をもつ回路の
ブロック図である。
ブロック図である。
【図4】発振器制御手段のみをもつ回路のブロック図で
ある。
ある。
【図5】発振器制御手段も定電流制御手段ももたない回
路のブロック図である。
路のブロック図である。
10:高周波発振器 12:駆動制御回路 14:ELランプ 15:低周波発振器 18:制御回路 20:ブリッジ回路 24:コネクター
Claims (11)
- 【請求項1】 並列の抵抗・キャパシタンスが抵抗と直
列につながる形のエレクトロルミネッセンス・ランプ点
灯用DC−ACインバータ装置であって、 前記ランプを受けるコネクター手段と、 比較的低い第二のDC電圧から比較的高いある決まった
値の第一のDC電圧を発生させるために配置されたイン
ダクティブ手段とキャパシティブ手段とをもつDC−D
Cコンバータ手段と、 定電流で前記第一のDC電圧をスイッチング手段に与え
るための、前記DC−DCコンバータに接続された定電
流手段と、 前記第一のDC電圧の交互に変化する極性信号を前記定
電流で前記コネクターに印加するために前記定電流手段
に接続されたスイッチング手段であって、前記ランプが
AC電圧を受け、前記AC電圧が前記ランプを交互に充
電・放電し、前記定電流が前記充電をする間、傾斜電流
波形を作る前記スイッチング手段と、を含む、前記のD
C−ACインバータ装置。 - 【請求項2】 前記定電流の値を選択するために、定電
流制御手段が前記定電流手段に接続されている、請求項
1記載の装置。 - 【請求項3】 前記定電流制御手段が、ユーザーが調節
可能な外部に設けられた制御手段を含む、請求項1記載
の装置。 - 【請求項4】 前記定電流制御手段が内部に固定され、
あらかじめ決められた定電流を保持することを特徴とす
る、請求項1に記載の装置。 - 【請求項5】 並列の抵抗・キャパシタンスが抵抗と直
列につながる形のエレクトロルミネッセンス・ランプ点
灯用DC−ACインバータ装置であって、 前記ランプを受けるコネクター手段と、 比較的低い第二のDC電圧から比較的高いある決まった
値の第一のDC電圧を発生させるために配置された高周
波発振手段、インダクティブ手段およびキャパシティブ
手段をもつDC−DCコンバータ手段と、 発振周波数を制御するために、前記高周波発振手段に接
続された発振器制御手段と、 スイッチング手段に定電流で前記第一のDC電圧を与え
るための、前記DC−DCコンバータに接続された定電
流手段と、 前記第一のDC電圧の交互に変化する極性信号を、前記
定電流で前記コネクターに印加するために前記定電流手
段に接続されたスイッチング手段であって、前記ランプ
がAC電圧を受け、前記AC電圧が前記ランプを交互に
充電・放電し、前記定電流が前記充電をする間、傾斜電
流波形を作る前記スイッチング手段と、を含む、前記の
DC−ACインバータ装置。 - 【請求項6】 前記発振器制御手段が、ユーザーが調節
可能な外部に設けられた制御手段を含む、請求項5記載
の装置。 - 【請求項7】 前記発振器周波数が約20Khzから1
25Khzの範囲にある、請求項5記載の装置。 - 【請求項8】 前記定電流手段が内部に固定されて、あ
らかじめ決められた定電流を保持することを特徴とす
る、請求項5記載の装置。 - 【請求項9】 並列の抵抗・キャパシタンスが抵抗と直
列につながる形のエレクトロルミネッセンス・ランプ点
灯用DC−ACインバータ装置であって、 前記ランプを受けるコネクター手段と、 比較的低い第二のDC電圧から比較的高いある決まった
値の第一のDC電圧を発生させるために配置された高周
波発振手段、インダクティブ手段およびキャパシティブ
手段をもつDC−DCコンバータ手段と、 発振周波数を制御するために、前記高周波発振手段に接
続された発振器制御手段と、 スイッチング手段に定電流で前記第一のDC電圧を与え
るための、前記DC−DCコンバータに接続された定電
流手段と、 前記定電流の値を選択するために前記定電流手段に接続
された定電流制御手段と、 前記第一のDC電圧の交互に変化する極性信号を、前記
定電流で前記コネクターに印加するために前記定電流手
段に接続されたスイッチング手段であって、前記ランプ
がAC電圧を受け、前記AC電圧が前記ランプを交互に
充電・放電し、前記定電流が前記充電をする間、傾斜電
流波形を作る前記スイッチング手段と、を含む前記のD
C−ACインバータ装置。 - 【請求項10】 前記発振制御手段と前記定電流制御手
段とのそれぞれが、ユーザーが調節可能な外部に設けら
れた制御手段を含む、請求項9記載の装置。 - 【請求項11】 前記発振器周波数が約20Khzから
125Khzの範囲にある、請求項9記載の装置。
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