JPH10279630A - オレフィン系重合体の製造方法 - Google Patents
オレフィン系重合体の製造方法Info
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- JPH10279630A JPH10279630A JP8641797A JP8641797A JPH10279630A JP H10279630 A JPH10279630 A JP H10279630A JP 8641797 A JP8641797 A JP 8641797A JP 8641797 A JP8641797 A JP 8641797A JP H10279630 A JPH10279630 A JP H10279630A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 極めて少量の触媒で環状オレフィンを高い転
化率で重合させ、非晶質なオレフィン系重合体を製造す
る方法を提供すること。 【解決手段】 化合物（Ａ）と、有機アルミニウム系化
合物（Ｂ）および／またはホウ素系化合物（Ｃ）とから
なる触媒の存在下に、式［II］で表される環状オレフィ
ン類を重合せしめるオレフィン系重合体の製造方法、並
びに、式［II］で表される環状オレフィン類および環状
オレフィン類と共重合性を有する他の単量体を共重合せ
しめるオレフィン系重合体の製造方法。 （Ａ）式［Ｉ］で表される遷移金属化合物。 （Ｍは第４族又はランタナイド系列の遷移金属Ａ、Ａ’
は炭化水素基等、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子等、Ｙは炭化
水素基Ｐは第１５族の原子、Ｌはルイス塩基）
化率で重合させ、非晶質なオレフィン系重合体を製造す
る方法を提供すること。 【解決手段】 化合物（Ａ）と、有機アルミニウム系化
合物（Ｂ）および／またはホウ素系化合物（Ｃ）とから
なる触媒の存在下に、式［II］で表される環状オレフィ
ン類を重合せしめるオレフィン系重合体の製造方法、並
びに、式［II］で表される環状オレフィン類および環状
オレフィン類と共重合性を有する他の単量体を共重合せ
しめるオレフィン系重合体の製造方法。 （Ａ）式［Ｉ］で表される遷移金属化合物。 （Ｍは第４族又はランタナイド系列の遷移金属Ａ、Ａ’
は炭化水素基等、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子等、Ｙは炭化
水素基Ｐは第１５族の原子、Ｌはルイス塩基）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はオレフィン系重合体
の製造方法に関し、更に詳しくは特定の遷移金属化合物
を主成分とする触媒を用いた、環状オレフィンを重合し
てなる重合体の製造方法に関する。
の製造方法に関し、更に詳しくは特定の遷移金属化合物
を主成分とする触媒を用いた、環状オレフィンを重合し
てなる重合体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エチレン、プロピレンといったオ
レフィンの重合の分野では、いわゆるメタロセン触媒と
呼ばれる遷移金属触媒の登場により、従来とは違った性
質のポリマーを製造することができたり、極めて少量の
触媒で多量のポリマーを製造することができるといった
進歩がもたらされつつある。
レフィンの重合の分野では、いわゆるメタロセン触媒と
呼ばれる遷移金属触媒の登場により、従来とは違った性
質のポリマーを製造することができたり、極めて少量の
触媒で多量のポリマーを製造することができるといった
進歩がもたらされつつある。
【０００３】ノルボルネンに代表される環状オレフィン
についてもかかるメタロセン触媒の適用が提案されてお
り、例えば、特開平２−１７３１１２号公報ではイソプ
ロピリデン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
チタニウムジクロリドを、特開平５−１９４６４１号公
報では（第三級ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル
シクロペンタジエニル）シランチタニウムジクロリドを
触媒成分として用いた、ノルボルネンとエチレンとの共
重合方法が開示されている。これらの方法は比較的高い
触媒効率を達成できるという点で優れた方法であるが、
環状オレフィンを高い転化率で重合させ、環状オレフィ
ンの含量が十分に高い重合体を製造するという点では十
分な方法ではなかった。
についてもかかるメタロセン触媒の適用が提案されてお
り、例えば、特開平２−１７３１１２号公報ではイソプ
ロピリデン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）
チタニウムジクロリドを、特開平５−１９４６４１号公
報では（第三級ブチルアミド）ジメチル（テトラメチル
シクロペンタジエニル）シランチタニウムジクロリドを
触媒成分として用いた、ノルボルネンとエチレンとの共
重合方法が開示されている。これらの方法は比較的高い
触媒効率を達成できるという点で優れた方法であるが、
環状オレフィンを高い転化率で重合させ、環状オレフィ
ンの含量が十分に高い重合体を製造するという点では十
分な方法ではなかった。
【０００４】一方、非メタロセン系の遷移金属触媒を用
いた例としては、ＷＯ８７０２３７０号公報や特開平５
−２３０１３３号公報で硫黄原子架橋型ビスフェノキシ
チタン錯体によるオレフィンの重合法が開示されてい
る。該触媒はメタロセン触媒に比べると安価で合成も容
易である。しかし該触媒は、環状オレフィンの重合に対
しては活性が低く、工業的に満足な方法とはいえなかっ
た。
いた例としては、ＷＯ８７０２３７０号公報や特開平５
−２３０１３３号公報で硫黄原子架橋型ビスフェノキシ
チタン錯体によるオレフィンの重合法が開示されてい
る。該触媒はメタロセン触媒に比べると安価で合成も容
易である。しかし該触媒は、環状オレフィンの重合に対
しては活性が低く、工業的に満足な方法とはいえなかっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたものである。即ち、本発明の課題は極めて
少量の触媒で環状オレフィンを高い転化率で重合させ、
非晶質なオレフィン系重合体を製造する方法を提供する
ことにある。
みてなされたものである。即ち、本発明の課題は極めて
少量の触媒で環状オレフィンを高い転化率で重合させ、
非晶質なオレフィン系重合体を製造する方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、オレフィン重合用触媒について鋭
意研究を続け、本発明を完成させるに至った。即ち本発
明は、下記化合物（Ａ）と、下記化合物（Ｂ）および／
または下記化合物（Ｃ）とからなる触媒の存在下に、一
般式［II］で表される環状オレフィン類を重合せしめる
オレフィン系重合体の製造方法、並びに、一般式［II］
で表される環状オレフィン類および環状オレフィン類と
共重合性を有する他の単量体を共重合せしめるオレフィ
ン系重合体の製造方法にかかるものである。 （Ａ）下記一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物。 （式中、Ｍは元素の周期律表の第４族又はランタナイド
系列の遷移金属原子である。Ａ、Ａ’は炭素原子数１〜
５０の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基または酸素原
子含有置換基を持つ炭化水素基もしくはハロゲン化炭化
水素基であり、ＡとＡ’は同一でも異なっても良い。
Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の炭
化水素基であり、ＸとＸ’は同一でも異なっても良い。
Ｙは炭素原子数１〜２０個の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基を表す。Ｏは酸素原子を表し、Ｐは元素
の周期律表の第１５族の原子を表す。Ｌはルイス塩基で
あり、ｗは０以上の整数である。） （Ｂ）下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそ
れらの２〜３種類の混合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1〜Ｅ3は炭素数１〜８の炭化水素基であり、
全てのＥ1、全てのＥ2及び全てのＥ3は同じであっても
異なっていても良い。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を
表し、全てのＺは同じであっても異なっていても良い。
ａは０〜３の数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の
整数を表す。） （Ｃ）下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭
化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化
水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１
〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基又は２〜２０個
の炭素原子を含むアミノ基であり、それらは同じであっ
ても異なっていても良い。Ｇ+は無機または有機のカチ
オンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+
はブレンステッド酸である。） （式中、Ｒ9〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、水酸基、アミノ基および炭素数１〜２０の有機
基からなる群から選ばれる置換基を示し、Ｒ13〜Ｒ16は
環を形成してもよい。ｎは０以上の整数を示す。）
的を達成するために、オレフィン重合用触媒について鋭
意研究を続け、本発明を完成させるに至った。即ち本発
明は、下記化合物（Ａ）と、下記化合物（Ｂ）および／
または下記化合物（Ｃ）とからなる触媒の存在下に、一
般式［II］で表される環状オレフィン類を重合せしめる
オレフィン系重合体の製造方法、並びに、一般式［II］
で表される環状オレフィン類および環状オレフィン類と
共重合性を有する他の単量体を共重合せしめるオレフィ
ン系重合体の製造方法にかかるものである。 （Ａ）下記一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物。 （式中、Ｍは元素の周期律表の第４族又はランタナイド
系列の遷移金属原子である。Ａ、Ａ’は炭素原子数１〜
５０の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基または酸素原
子含有置換基を持つ炭化水素基もしくはハロゲン化炭化
水素基であり、ＡとＡ’は同一でも異なっても良い。
Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の炭
化水素基であり、ＸとＸ’は同一でも異なっても良い。
Ｙは炭素原子数１〜２０個の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基を表す。Ｏは酸素原子を表し、Ｐは元素
の周期律表の第１５族の原子を表す。Ｌはルイス塩基で
あり、ｗは０以上の整数である。） （Ｂ）下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそ
れらの２〜３種類の混合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1〜Ｅ3は炭素数１〜８の炭化水素基であり、
全てのＥ1、全てのＥ2及び全てのＥ3は同じであっても
異なっていても良い。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を
表し、全てのＺは同じであっても異なっていても良い。
ａは０〜３の数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の
整数を表す。） （Ｃ）下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭
化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化
水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１
〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基又は２〜２０個
の炭素原子を含むアミノ基であり、それらは同じであっ
ても異なっていても良い。Ｇ+は無機または有機のカチ
オンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+
はブレンステッド酸である。） （式中、Ｒ9〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、水酸基、アミノ基および炭素数１〜２０の有機
基からなる群から選ばれる置換基を示し、Ｒ13〜Ｒ16は
環を形成してもよい。ｎは０以上の整数を示す。）
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明につき、さらに詳し
く説明する。本発明における上記の一般式［Ｉ］で表さ
れる遷移金属化合物において、Ｍは元素の周期律表（Ｉ
ＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版１９８９）の第４族また
はランタナイド系列の遷移金属原子であり、具体例とし
ては、チタニウム原子、ジルコニウム原子、ハフニウム
原子、サマリウム原子などが挙げられるが、好ましく
は、チタニウム原子、ジルコニウム原子あるいはハフニ
ウム原子である。
く説明する。本発明における上記の一般式［Ｉ］で表さ
れる遷移金属化合物において、Ｍは元素の周期律表（Ｉ
ＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版１９８９）の第４族また
はランタナイド系列の遷移金属原子であり、具体例とし
ては、チタニウム原子、ジルコニウム原子、ハフニウム
原子、サマリウム原子などが挙げられるが、好ましく
は、チタニウム原子、ジルコニウム原子あるいはハフニ
ウム原子である。
【０００８】上記の一般式［Ｉ］におけるＡ、Ａ’は炭
素原子数１〜５０の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基
又は酸素原子含有置換基を持つ炭化水素基もしくはハロ
ゲン化炭化水素基であり、具体例としては、例えば、次
の一般式で表される（置換）アルキレン基、（置換）ビ
ニレン基、（置換）フェニレン基、（置換）ナフチレン
基等及びこれらの任意の組み合わせが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。
素原子数１〜５０の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基
又は酸素原子含有置換基を持つ炭化水素基もしくはハロ
ゲン化炭化水素基であり、具体例としては、例えば、次
の一般式で表される（置換）アルキレン基、（置換）ビ
ニレン基、（置換）フェニレン基、（置換）ナフチレン
基等及びこれらの任意の組み合わせが挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。
【０００９】（置換）アルキレン基
【００１０】（置換）ビニレン基
【００１１】（置換）フェニレン基
【００１２】（置換）ナフチレン基
【００１３】ここに、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、
Ｒ7、Ｒ8は、水素原子、炭素原子数１〜２０からなる炭
化水素基、ハロゲン化炭化水素基、酸素含有置換基を持
つ炭化水素基、又はハロゲン原子で、これらは同一でも
異なってもよい。ｎ1、ｎ2、ｎ3、ｎ4は、１〜５の整数
であり、好ましくは１もしくは２である。ｌ、ｍは０〜
４の整数で、かつ、０≦ｌ＋ｍ≦４であり、ｘは、０〜
２の整数であり、ｙは、０〜４の整数である。
Ｒ7、Ｒ8は、水素原子、炭素原子数１〜２０からなる炭
化水素基、ハロゲン化炭化水素基、酸素含有置換基を持
つ炭化水素基、又はハロゲン原子で、これらは同一でも
異なってもよい。ｎ1、ｎ2、ｎ3、ｎ4は、１〜５の整数
であり、好ましくは１もしくは２である。ｌ、ｍは０〜
４の整数で、かつ、０≦ｌ＋ｍ≦４であり、ｘは、０〜
２の整数であり、ｙは、０〜４の整数である。
【００１４】Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8
の具体例としては、炭化水素基としては、メチル基、エ
チル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマ
ルブチル基、イソブチル基、第二級ブチル基、第三級ブ
チル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基、ノルマ
ルヘキシル基、ノルマルオクチル基、フェニル基、２−
メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチル
フェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジ
メチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，
６−ジメチルフェニル基、２，３，４−トリメチルフェ
ニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，
６−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメ
チルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニ
ル基、ペンタメチルフェニル基等が挙げられる。
の具体例としては、炭化水素基としては、メチル基、エ
チル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマ
ルブチル基、イソブチル基、第二級ブチル基、第三級ブ
チル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基、ノルマ
ルヘキシル基、ノルマルオクチル基、フェニル基、２−
メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチル
フェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジ
メチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，
６−ジメチルフェニル基、２，３，４−トリメチルフェ
ニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，
６−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメ
チルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニ
ル基、ペンタメチルフェニル基等が挙げられる。
【００１５】ハロゲン化炭化水素基としては、フルオロ
メチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、
１，２−ジフルオロエチル基、１，１，２−トリフルオ
ロエチル基、パーフルオロエチル基、クロロメチル基、
ジクロロメチル基、クロロエチル基、１，１−ジクロロ
エチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，１，２−ト
リクロロエチル基、１，１，２，２−テトラクロロエチ
ル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、ブロモエチ
ル基、１，１−ジブロモエチル基、１，２−ジブロモエ
チル基、１，１，２−トリブロモエチル基、１，１，
２，２−テトラブロモエチル基、２−フルオロフェニル
基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル
基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオ
ロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６
−ジフルオロフェニル基、２，３，４−トリフルオロフ
ェニル基、２，３，５−トリフルオロフェニル基、２，
３，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５−テ
トラフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフル
オロフェニル基、パーフルオロフェニル基、２−クロロ
フェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニ
ル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロ
フェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジ
クロロフェニル基、２，３，４−トリクロロフェニル
基、２，３，５−トリクロロフェニル基、２，３，６−
トリクロロフェニル基、２，３，４，５−テトラクロロ
フェニル基、２，３，４，６−テトラクロロフェニル
基、ペンタクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、
３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，３
−ジブロモフェニル基、２，４−ジブロモフェニル基、
２，５−ジブロモフェニル基、２，６−ジブロモフェニ
ル基、２，３，４−トリブロモフェニル基、２，３，５
−トリブロモフェニル基、２，３，６−トリブロモフェ
ニル基、２，３，４，５−テトラブロモフェニル基、
２，３，４，６−テトラブロモフェニル基、ペンタブロ
モフェニル基等が挙げられる。
メチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、
１，２−ジフルオロエチル基、１，１，２−トリフルオ
ロエチル基、パーフルオロエチル基、クロロメチル基、
ジクロロメチル基、クロロエチル基、１，１−ジクロロ
エチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，１，２−ト
リクロロエチル基、１，１，２，２−テトラクロロエチ
ル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、ブロモエチ
ル基、１，１−ジブロモエチル基、１，２−ジブロモエ
チル基、１，１，２−トリブロモエチル基、１，１，
２，２−テトラブロモエチル基、２−フルオロフェニル
基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル
基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオ
ロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６
−ジフルオロフェニル基、２，３，４−トリフルオロフ
ェニル基、２，３，５−トリフルオロフェニル基、２，
３，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５−テ
トラフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフル
オロフェニル基、パーフルオロフェニル基、２−クロロ
フェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニ
ル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロ
フェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジ
クロロフェニル基、２，３，４−トリクロロフェニル
基、２，３，５−トリクロロフェニル基、２，３，６−
トリクロロフェニル基、２，３，４，５−テトラクロロ
フェニル基、２，３，４，６−テトラクロロフェニル
基、ペンタクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、
３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，３
−ジブロモフェニル基、２，４−ジブロモフェニル基、
２，５−ジブロモフェニル基、２，６−ジブロモフェニ
ル基、２，３，４−トリブロモフェニル基、２，３，５
−トリブロモフェニル基、２，３，６−トリブロモフェ
ニル基、２，３，４，５−テトラブロモフェニル基、
２，３，４，６−テトラブロモフェニル基、ペンタブロ
モフェニル基等が挙げられる。
【００１６】酸素含有置換基を持つ炭化水素基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、第一級ブトキシ基、第二級ブトキシ基、第三
級ブトキシ基、イソブトキシ基、フェノキシ基、２−メ
チルフェノキシ基、３−メチルフェノキシ基、４−メチ
ルフェノキシ基等が、ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、挙げられる。
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロ
ポキシ基、第一級ブトキシ基、第二級ブトキシ基、第三
級ブトキシ基、イソブトキシ基、フェノキシ基、２−メ
チルフェノキシ基、３−メチルフェノキシ基、４−メチ
ルフェノキシ基等が、ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が、挙げられる。
【００１７】これらの中で、Ａ、Ａ’として好ましくは
（置換）フェニレン基であって、Ｒ 5、Ｒ6としては、メ
チル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、第二級ブチル基、第三級ブチル
基、フェニル基、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子、
臭素原子であり、Ａ、Ａ’として、より好ましくは、
１，２−フェニレン、１，２−（６−メチルフェニレ
ン）、１，２−（６−第三級ブチルフェニレン）、１，
２−（４，６−ジメチルフェニレン）、１，２−（４，
６−ジ−第三級ブチルフェニレン）、１，２−（６−第
三級ブチル−４−メチルフェニレン）、１，２ー（６−
第三級ブチル−４−メトキシフェニレン）、１，２−
（６−第三級ブチル−４−ブロモフェニレン）である。
（置換）フェニレン基であって、Ｒ 5、Ｒ6としては、メ
チル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、第二級ブチル基、第三級ブチル
基、フェニル基、メトキシ基、エトキシ基、塩素原子、
臭素原子であり、Ａ、Ａ’として、より好ましくは、
１，２−フェニレン、１，２−（６−メチルフェニレ
ン）、１，２−（６−第三級ブチルフェニレン）、１，
２−（４，６−ジメチルフェニレン）、１，２−（４，
６−ジ−第三級ブチルフェニレン）、１，２−（６−第
三級ブチル−４−メチルフェニレン）、１，２ー（６−
第三級ブチル−４−メトキシフェニレン）、１，２−
（６−第三級ブチル−４−ブロモフェニレン）である。
【００１８】上記の一般式［Ｉ］で表される遷移金属化
合物におけるＸ、Ｘ’は、ハロゲン原子あるいは炭素原
子数１〜２０の炭化水素基であり、具体例としては、例
えば、ハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基
として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イ
ソプロピル基、ノルマルブチル基、フェニル基、ベンジ
ル基などが挙げられる。これらの中でも好ましくは、塩
素原子、メチル基、ベンジル基である。
合物におけるＸ、Ｘ’は、ハロゲン原子あるいは炭素原
子数１〜２０の炭化水素基であり、具体例としては、例
えば、ハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基
として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イ
ソプロピル基、ノルマルブチル基、フェニル基、ベンジ
ル基などが挙げられる。これらの中でも好ましくは、塩
素原子、メチル基、ベンジル基である。
【００１９】また、上記の一般式［Ｉ］で表される遷移
金属化合物におけるＰは、元素の周期律表の第１５族の
原子を表し、例えば窒素原子、リン原子である。好まし
くはＰはリン原子である。
金属化合物におけるＰは、元素の周期律表の第１５族の
原子を表し、例えば窒素原子、リン原子である。好まし
くはＰはリン原子である。
【００２０】また、上記の一般式［Ｉ］で表される遷移
金属化合物におけるＹは、炭素原子数１〜２０個の炭化
水素基もしくはハロゲン化炭化水素基を表す。
金属化合物におけるＹは、炭素原子数１〜２０個の炭化
水素基もしくはハロゲン化炭化水素基を表す。
【００２１】具体例として、炭化水素基としては、メチ
ル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基、第二級ブチル
基、第三級ブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチ
ル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルオクチル基、フェ
ニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリ
メチルフェニル基、テトラメチルフェニル基、ペンタメ
チルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、イソプロピルフェニル基、第一級ブチルフェニル
基、第二級ブチルフェニル基、第三級ブチルフェニル
基、ナフチル基等が挙げられる。
ル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル
基、ノルマルブチル基、イソブチル基、第二級ブチル
基、第三級ブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチ
ル基、ノルマルヘキシル基、ノルマルオクチル基、フェ
ニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリ
メチルフェニル基、テトラメチルフェニル基、ペンタメ
チルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル
基、イソプロピルフェニル基、第一級ブチルフェニル
基、第二級ブチルフェニル基、第三級ブチルフェニル
基、ナフチル基等が挙げられる。
【００２２】ハロゲン化炭化水素基としては、フルオロ
メチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、
１，２−ジフルオロエチル基、１，１，２−トリフルオ
ロエチル基、パーフルオロエチル基、クロロメチル基、
ジクロロメチル基、クロロエチル基、１，１−ジクロロ
エチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，１，２−ト
リクロロエチル基、１，１，２，２−テトラクロロエチ
ル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、ブロモエチ
ル基、１，１−ジブロモエチル基、１，２−ジブロモエ
チル基、１，１，２−トリブロモエチル基、１，１，
２，２−テトラブロモエチル基、２−フルオロフェニル
基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル
基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオ
ロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６
−ジフルオロフェニル基、２，３，４−トリフルオロフ
ェニル基、２，３，５−トリフルオロフェニル基、２，
３，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５−テ
トラフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフル
オロフェニル基、パーフルオロフェニル基、２−クロロ
フェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニ
ル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロ
フェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジ
クロロフェニル基、２，３，４−トリクロロフェニル
基、２，３，５−トリクロロフェニル基、２，３，６−
トリクロロフェニル基、２，３，４，５−テトラクロロ
フェニル基、２，３，４，６−テトラクロロフェニル
基、ペンタクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、
３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，３
−ジブロモフェニル基、２，４−ジブロモフェニル基、
２，５−ジブロモフェニル基、２，６−ジブロモフェニ
ル基、２，３，４−トリブロモフェニル基、２，３，５
−トリブロモフェニル基、２，３，６−トリブロモフェ
ニル基、２，３，４，５−テトラブロモフェニル基、
２，３，４，６−テトラブロモフェニル基、ペンタブロ
モフェニル基等が挙げられる。これらの中でＹとしては
（置換）フェニル基が好ましい。
メチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル
基、フルオロエチル基、１，１−ジフルオロエチル基、
１，２−ジフルオロエチル基、１，１，２−トリフルオ
ロエチル基、パーフルオロエチル基、クロロメチル基、
ジクロロメチル基、クロロエチル基、１，１−ジクロロ
エチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，１，２−ト
リクロロエチル基、１，１，２，２−テトラクロロエチ
ル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、ブロモエチ
ル基、１，１−ジブロモエチル基、１，２−ジブロモエ
チル基、１，１，２−トリブロモエチル基、１，１，
２，２−テトラブロモエチル基、２−フルオロフェニル
基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル
基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオ
ロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６
−ジフルオロフェニル基、２，３，４−トリフルオロフ
ェニル基、２，３，５−トリフルオロフェニル基、２，
３，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５−テ
トラフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフル
オロフェニル基、パーフルオロフェニル基、２−クロロ
フェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニ
ル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロ
フェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジ
クロロフェニル基、２，３，４−トリクロロフェニル
基、２，３，５−トリクロロフェニル基、２，３，６−
トリクロロフェニル基、２，３，４，５−テトラクロロ
フェニル基、２，３，４，６−テトラクロロフェニル
基、ペンタクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、
３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，３
−ジブロモフェニル基、２，４−ジブロモフェニル基、
２，５−ジブロモフェニル基、２，６−ジブロモフェニ
ル基、２，３，４−トリブロモフェニル基、２，３，５
−トリブロモフェニル基、２，３，６−トリブロモフェ
ニル基、２，３，４，５−テトラブロモフェニル基、
２，３，４，６−テトラブロモフェニル基、ペンタブロ
モフェニル基等が挙げられる。これらの中でＹとしては
（置換）フェニル基が好ましい。
【００２３】また、上記の一般式［Ｉ］で表される遷移
金属化合物におけるＬはルイス塩基である。ｗは０以上
の整数であり、好ましくは０もしくは１である。ルイス
塩基の具体例としては、例えば、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、第３級ブチルメチルエーテル、フラン、テトラヒド
ロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジメチルチオエ
ーテル、ジエチルチオエーテル、ジプロピルチオエーテ
ル、ジブチルチオエーテル、チオフェン、テトラヒドロ
チオフェン、メチルテトラヒドロチオフェン、トリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリノルマルプロピルア
ミン、トリイソプロピルアミン、トリノルマルブチルア
ミン、トリノルマルヘキシルアミン、ジメチルアミン、
ジエチルアミン、ジノルマルプロピルアミン、ジイソプ
ロピルアミン、ジノルマルブチルアミン、ジノルマルヘ
キシルアミン、メチルアミン、エチルアミン、ノルマル
プロピルアミン、イソプロピルアミン、ノルマルブチル
アミン、ノルマルヘキシルアミン、ピリジン、メチルピ
リジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、テト
ラメチルピリジン、ペンタメチルピリジン、ピペリジ
ン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチ
ルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチル
ピペリジン、アセトニトリル、プロピオノニトリル、ブ
タノニトリル、ヘキサノニトリル、ベンゾニトリル等が
挙げられる。
金属化合物におけるＬはルイス塩基である。ｗは０以上
の整数であり、好ましくは０もしくは１である。ルイス
塩基の具体例としては、例えば、ジメチルエーテル、ジ
エチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテ
ル、第３級ブチルメチルエーテル、フラン、テトラヒド
ロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジメチルチオエ
ーテル、ジエチルチオエーテル、ジプロピルチオエーテ
ル、ジブチルチオエーテル、チオフェン、テトラヒドロ
チオフェン、メチルテトラヒドロチオフェン、トリメチ
ルアミン、トリエチルアミン、トリノルマルプロピルア
ミン、トリイソプロピルアミン、トリノルマルブチルア
ミン、トリノルマルヘキシルアミン、ジメチルアミン、
ジエチルアミン、ジノルマルプロピルアミン、ジイソプ
ロピルアミン、ジノルマルブチルアミン、ジノルマルヘ
キシルアミン、メチルアミン、エチルアミン、ノルマル
プロピルアミン、イソプロピルアミン、ノルマルブチル
アミン、ノルマルヘキシルアミン、ピリジン、メチルピ
リジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、テト
ラメチルピリジン、ペンタメチルピリジン、ピペリジ
ン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチ
ルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチル
ピペリジン、アセトニトリル、プロピオノニトリル、ブ
タノニトリル、ヘキサノニトリル、ベンゾニトリル等が
挙げられる。
【００２４】一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物と
して表される化合物の具体例としては、例えば、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビスフェノキシチタニウ
ムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（６−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−
（フェニルホスフィド）ビス（６−フェニルフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（４，６−ジメチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２， ２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（４，６−ジ−第三級ブチルフェノキシ）チタ
ニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノキシ）
チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフ
ィド）ビス（６−メチル−４−第三級ブチルフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメチル
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フ
ェニルホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級ブチル−
３−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
−４−フルオロフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チル−４−クロロフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三
級ブチル−４−ブロモフェノキシ）チタニウムジクロラ
イド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第
三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）チタニウムジク
ロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６
−第三級ブチル−４−エトキシフェノキシ）チタニウム
ジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−ノルマルプロポキシフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−イソプロポキ
シフェノキシ）チタニウムジクロライド、
して表される化合物の具体例としては、例えば、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビスフェノキシチタニウ
ムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（６−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−
（フェニルホスフィド）ビス（６−フェニルフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（４，６−ジメチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２， ２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（４，６−ジ−第三級ブチルフェノキシ）チタ
ニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノキシ）
チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフ
ィド）ビス（６−メチル−４−第三級ブチルフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメチル
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フ
ェニルホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級ブチル−
３−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
−４−フルオロフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チル−４−クロロフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三
級ブチル−４−ブロモフェノキシ）チタニウムジクロラ
イド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第
三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）チタニウムジク
ロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６
−第三級ブチル−４−エトキシフェノキシ）チタニウム
ジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−ノルマルプロポキシフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−イソプロポキ
シフェノキシ）チタニウムジクロライド、
【００２５】２，２’−（４−メチルフェニルホスフィ
ド）ビスフェノキシチタニウムジクロライド、２，２’
−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−メチル
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４
−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４
−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−フェニルフェ
ノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−メ
チルフェニルホスフィド）ビス（４，６−ジメチルフェ
ノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−メ
チルフェニルホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級ブ
チルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−
（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チル−４−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス
（６−メチル−４−第三級ブチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド、２，２’−（４−メチルフェニルホス
フィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメチルフ
ェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−
メチルフェニルホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級
ブチル−３−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−フルオロフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２，２’−（４−メチルフェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−クロロフェノ
キシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−メチ
ルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−
ブロモフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’
−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級
ブチル４−メトキシフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−エトキシフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２，２’−（４−メチルフェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−ノルマルプロ
ポキシフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’
−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級
ブチル−４−イソプロポキシフェノキシ）チタニウムジ
クロライド、
ド）ビスフェノキシチタニウムジクロライド、２，２’
−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−メチル
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４
−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４
−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−フェニルフェ
ノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−メ
チルフェニルホスフィド）ビス（４，６−ジメチルフェ
ノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−メ
チルフェニルホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級ブ
チルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−
（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チル−４−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス
（６−メチル−４−第三級ブチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド、２，２’−（４−メチルフェニルホス
フィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメチルフ
ェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−
メチルフェニルホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級
ブチル−３−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−フルオロフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２，２’−（４−メチルフェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−クロロフェノ
キシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−メチ
ルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−
ブロモフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’
−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級
ブチル４−メトキシフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−エトキシフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２，２’−（４−メチルフェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−ノルマルプロ
ポキシフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’
−（４−メチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級
ブチル−４−イソプロポキシフェノキシ）チタニウムジ
クロライド、
【００２６】２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホ
スフィド）ビスフェノキシチタニウムジクロライド、
２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビ
ス（６−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビ
ス（６−第三級ブチルフェノキシ）チタニウムジクロラ
イド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィ
ド）ビス（６−フェニルフェノキシ）チタニウムジクロ
ライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフ
ィド）ビス（４，６−ジメチルフェノキシ）チタニウム
ジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニル
ホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級ブチルフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−第三級
ブチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−
４−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，
２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス
（６−メチル−４−第三級ブチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニ
ルホスフィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメ
チルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−
（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス（４，６
−ジ−第三級ブチル−３−メチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニ
ルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−フルオロ
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４
−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級
ブチル−４−クロロフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−ブロモフェノキシ）
チタニウムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチ
ルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−
メトキシフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，
２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−エトキシフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェ
ニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−ノルマ
ルプロポキシフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビ
ス（６−第三級ブチル−４−イソプロポキシフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビスフェノキシ（テトラヒドロフラン）チタ
ニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−メチルフェノキシ）（テトラヒドロフラ
ン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチルフェノキシ）（テト
ラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、２，２’−
（フェニルホスフィド）ビス（６−フェニルフェノキ
シ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（４，６−ジメ
チルフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジ
クロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（４，６−ジ−第三級ブチルフェノキシ）（テトラヒド
ロフラン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェ
ニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチル
フェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロ
ライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−
メチル−４−第三級ブチルフェノキシ）（テトラヒドロ
フラン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニ
ルホスフィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメ
チルフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジ
クロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（４，６−ジ−第三級ブチル−３−メチルフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
−４−フルオロフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チ
タニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−クロロフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
−４−ブロモフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタ
ニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキ
シ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チル−４−エトキシフェノキシ）（テトラヒドロフラ
ン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−ノルマルプロ
ポキシフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウム
ジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−イソプロポキシフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド等が挙
げられる。
スフィド）ビスフェノキシチタニウムジクロライド、
２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビ
ス（６−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビ
ス（６−第三級ブチルフェノキシ）チタニウムジクロラ
イド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィ
ド）ビス（６−フェニルフェノキシ）チタニウムジクロ
ライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフ
ィド）ビス（４，６−ジメチルフェノキシ）チタニウム
ジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニル
ホスフィド）ビス（４，６−ジ−第三級ブチルフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４−第三級
ブチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−
４−メチルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，
２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス
（６−メチル−４−第三級ブチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニ
ルホスフィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメ
チルフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−
（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス（４，６
−ジ−第三級ブチル−３−メチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニ
ルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−フルオロ
フェノキシ）チタニウムジクロライド、２，２’−（４
−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級
ブチル−４−クロロフェノキシ）チタニウムジクロライ
ド、２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−ブロモフェノキシ）
チタニウムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチ
ルフェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−
メトキシフェノキシ）チタニウムジクロライド、２，
２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−エトキシフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド、２，２’−（４−第三級ブチルフェ
ニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−ノルマ
ルプロポキシフェノキシ）チタニウムジクロライド、
２，２’−（４−第三級ブチルフェニルホスフィド）ビ
ス（６−第三級ブチル−４−イソプロポキシフェノキ
シ）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビスフェノキシ（テトラヒドロフラン）チタ
ニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−メチルフェノキシ）（テトラヒドロフラ
ン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチルフェノキシ）（テト
ラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、２，２’−
（フェニルホスフィド）ビス（６−フェニルフェノキ
シ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（４，６−ジメ
チルフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジ
クロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（４，６−ジ−第三級ブチルフェノキシ）（テトラヒド
ロフラン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェ
ニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチル
フェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロ
ライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−
メチル−４−第三級ブチルフェノキシ）（テトラヒドロ
フラン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニ
ルホスフィド）ビス（３−第三級ブチル−４，６−ジメ
チルフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジ
クロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（４，６−ジ−第三級ブチル−３−メチルフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
−４−フルオロフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チ
タニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−クロロフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、２，
２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル
−４−ブロモフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタ
ニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィ
ド）ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキ
シ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド、
２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（６−第三級ブ
チル−４−エトキシフェノキシ）（テトラヒドロフラ
ン）チタニウムジクロライド、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−ノルマルプロ
ポキシフェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウム
ジクロライド、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−イソプロポキシフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライド等が挙
げられる。
【００２７】本発明の触媒は、上記の一般式［Ｉ］で表
される化合物と、下記化合物（Ｂ）および／または下記
化合物（Ｃ）とからなる。 （Ｂ）下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそ
れらの２〜３種類の混合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1〜Ｅ3は炭素数１〜８の炭化水素基であり、
全てのＥ1、全てのＥ2及び全てのＥ3は同じであっても
異なっていても良い。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を
表し、全てのＺは同じであっても異なっていても良い。
ａは０〜３の数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の
整数を表す。） （Ｃ）下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭
化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化
水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１
〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基又は２〜２０個
の炭素原子を含むアミノ基であり、それらは同じであっ
ても異なっていても良い。Ｇ+は無機または有機のカチ
オンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+
はブレンステッド酸である。）
される化合物と、下記化合物（Ｂ）および／または下記
化合物（Ｃ）とからなる。 （Ｂ）下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそ
れらの２〜３種類の混合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1〜Ｅ3は炭素数１〜８の炭化水素基であり、
全てのＥ1、全てのＥ2及び全てのＥ3は同じであっても
異なっていても良い。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を
表し、全てのＺは同じであっても異なっていても良い。
ａは０〜３の数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の
整数を表す。） （Ｃ）下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭
化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化
水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１
〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基又は２〜２０個
の炭素原子を含むアミノ基であり、それらは同じであっ
ても異なっていても良い。Ｇ+は無機または有機のカチ
オンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+
はブレンステッド酸である。）
【００２８】一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機ア
ルミニウム化合物（Ｂ１）の具体例としては、トリメチ
ルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピ
ルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘ
キシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；ジ
メチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウム
クロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハクロライド、ジヘキシルアルミ
ニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムクロライ
ド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニ
ウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライ
ド、イソブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシルア
ルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジク
ロライド；ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチ
ルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウム
ハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド等のジアルキ
ルアルミニウムハイドライド等を例示することができ
る。好ましくは、トリアルキルアルミニウムであり、よ
り好ましくは、トリエチルアルミニウム、トリイソブチ
ルアルミニウムである。
ルミニウム化合物（Ｂ１）の具体例としては、トリメチ
ルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピ
ルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘ
キシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；ジ
メチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウム
クロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイ
ソブチルアルミニウムハクロライド、ジヘキシルアルミ
ニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムクロライ
ド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニ
ウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライ
ド、イソブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシルア
ルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジク
ロライド；ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチ
ルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウム
ハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド等のジアルキ
ルアルミニウムハイドライド等を例示することができ
る。好ましくは、トリアルキルアルミニウムであり、よ
り好ましくは、トリエチルアルミニウム、トリイソブチ
ルアルミニウムである。
【００２９】一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示さ
れる構造を有する環状のアルミノキサン（Ｂ２）、一般
式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3 2で示される
構造を有する線状のアルミノキサン（Ｂ３）における、
Ｅ2、Ｅ3の具体例としては、メチル基、エチル基、ノル
マルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、
イソブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基等
のアルキル基を例示することができる。ｂは２以上の整
数であり、ｃは１以上の整数である。好ましくは、Ｅ2
及びＥ3はメチル基、イソブチル基であり、ｂは２〜４
０であり、ｃは１〜４０である。
れる構造を有する環状のアルミノキサン（Ｂ２）、一般
式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3 2で示される
構造を有する線状のアルミノキサン（Ｂ３）における、
Ｅ2、Ｅ3の具体例としては、メチル基、エチル基、ノル
マルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、
イソブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基等
のアルキル基を例示することができる。ｂは２以上の整
数であり、ｃは１以上の整数である。好ましくは、Ｅ2
及びＥ3はメチル基、イソブチル基であり、ｂは２〜４
０であり、ｃは１〜４０である。
【００３０】上記のアルミノキサンは各種の方法で作ら
れる。その方法については特に制限はなく、公知の方法
に準じて作ればよい。例えば、トリアルキルアルミニウ
ム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を適当な有
機溶剤（ベンゼン、脂肪族炭化水素など）に溶かした溶
液を水と接触させて作る。また、トリアルキルアルミニ
ウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を結晶水
を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物など）に接
触させて作る方法が例示できる。
れる。その方法については特に制限はなく、公知の方法
に準じて作ればよい。例えば、トリアルキルアルミニウ
ム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を適当な有
機溶剤（ベンゼン、脂肪族炭化水素など）に溶かした溶
液を水と接触させて作る。また、トリアルキルアルミニ
ウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を結晶水
を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物など）に接
触させて作る方法が例示できる。
【００３１】上記の一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホ
ウ素化合物（Ｃ１）の具体例としては、トリス（ペンタ
フルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，５，６−
テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，
４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス
（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、トリス
（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、フェニ
ルビス（ペンタフルオロフェニル）ボラン等が挙げられ
るが、最も好ましくは、トリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボランである。
ウ素化合物（Ｃ１）の具体例としては、トリス（ペンタ
フルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，５，６−
テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，
４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス
（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、トリス
（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、フェニ
ルビス（ペンタフルオロフェニル）ボラン等が挙げられ
るが、最も好ましくは、トリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボランである。
【００３２】一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表され
るホウ素化合物（Ｃ２）の具体例としては、無機のカチ
オンであるＧ+には、フェロセニウムカチオン、アルキ
ル置換フェロセニウムカチオン、銀陽イオンなどが、有
機のカチオンであるＧ+には、トリフェニルメチルカチ
オンなどが挙げられる。（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-には、テ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラ
キス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレ
ート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロフ
ェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフル
オロフェニル）ボレート、テトラキス（２，２，４ート
リフルオロフェニル）ボレート、フェニルビス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレ−ト、テトラキス（３，５−ビ
ストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げら
れる。
るホウ素化合物（Ｃ２）の具体例としては、無機のカチ
オンであるＧ+には、フェロセニウムカチオン、アルキ
ル置換フェロセニウムカチオン、銀陽イオンなどが、有
機のカチオンであるＧ+には、トリフェニルメチルカチ
オンなどが挙げられる。（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-には、テ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラ
キス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレ
ート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロフ
ェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフル
オロフェニル）ボレート、テトラキス（２，２，４ート
リフルオロフェニル）ボレート、フェニルビス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレ−ト、テトラキス（３，５−ビ
ストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げら
れる。
【００３３】これらの具体的な組み合わせとしては、フ
ェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、１，１’−ジメチルフェロセニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメ
チルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフル
オロメチルフェニル）ボレートなどを挙げることができ
るが、最も好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
ェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボ
レート、１，１’−ジメチルフェロセニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメ
チルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、
トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフル
オロメチルフェニル）ボレートなどを挙げることができ
るが、最も好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【００３４】一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-
で表されるホウ素化合物（Ｃ３）の具体例としては、ブ
レンステッド酸である（Ｌ−Ｈ）+には、トリアルキル
置換アンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、
ジアルキルアンモニウム、トリアリールホスホニウムな
どが挙げられ、（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-には、前述と同様
のものが挙げられる。
で表されるホウ素化合物（Ｃ３）の具体例としては、ブ
レンステッド酸である（Ｌ−Ｈ）+には、トリアルキル
置換アンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、
ジアルキルアンモニウム、トリアリールホスホニウムな
どが挙げられ、（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-には、前述と同様
のものが挙げられる。
【００３５】これらの具体的な組み合わせとしては、ト
リエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマル
ブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウム
テトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニ
ル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニ
リニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５
−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソ
プロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニ
ルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ジメ
チルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレートなどを挙げることができるが、最
も好ましくは、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、もしく
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートである。
リエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス
（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマル
ブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウム
テトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニ
ル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニ
リニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレー
ト、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５
−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソ
プロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェ
ニル）ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニ
ルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）
ボレート、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラ
キス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ジメ
チルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオ
ロフェニル）ボレートなどを挙げることができるが、最
も好ましくは、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテ
トラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、もしく
は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタ
フルオロフェニル）ボレートである。
【００３６】本発明における触媒として好ましくは、上
記の一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物（Ａ）、化
合物（Ｂ）、および化合物（Ｃ）からなるものである。
記の一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物（Ａ）、化
合物（Ｂ）、および化合物（Ｃ）からなるものである。
【００３７】本発明においては、一般式［Ｉ］で表され
る遷移金属化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）及び／又は化
合物（Ｃ）とを、重合時に任意の順序で投入し使用する
ことができるが、又それらの任意の化合物の組合せを予
め接触させて得られた反応物を用いても良い。
る遷移金属化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）及び／又は化
合物（Ｃ）とを、重合時に任意の順序で投入し使用する
ことができるが、又それらの任意の化合物の組合せを予
め接触させて得られた反応物を用いても良い。
【００３８】各触媒成分の使用量は、化合物（Ｂ）又は
化合物（Ｃ）／遷移金属化合物（Ａ）のモル比が通常
０．０１〜１００００で、好ましくは０．５〜２０００
の範囲にあるように各成分を用いることが望ましい。各
触媒成分を溶液状態で使う場合の濃度については、遷移
金属化合物（Ａ）が、通常０．０００１〜５ミリモル／
リットルで、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リ
ットルの範囲にあるように用いることが望ましい。使用
される全モノマーの合計に対しては通常０．００００１
〜１モル％、好ましくは０．０００１〜０．１モル％で
ある。
化合物（Ｃ）／遷移金属化合物（Ａ）のモル比が通常
０．０１〜１００００で、好ましくは０．５〜２０００
の範囲にあるように各成分を用いることが望ましい。各
触媒成分を溶液状態で使う場合の濃度については、遷移
金属化合物（Ａ）が、通常０．０００１〜５ミリモル／
リットルで、好ましくは、０．００１〜１ミリモル／リ
ットルの範囲にあるように用いることが望ましい。使用
される全モノマーの合計に対しては通常０．００００１
〜１モル％、好ましくは０．０００１〜０．１モル％で
ある。
【００３９】本発明において使用される環状オレフィン
類とは各種の置換基を有してもよい４個以上の炭素原子
が環を形成し、該環の中に１個の炭素−炭素二重結合を
含む化合物のことである．このような環状オレフィン類
としてはシクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン等の単環状オレフィン；３−メチルシクロペンテン、
３−メチルシクロヘキセン等の置換単環状オレフィン；
ノルボルネンや１，２−ジヒドロジシクロペンタジエン
等の多環状オレフィン；１−メチルノルボルネンや５−
メチルノルボルネン等の置換多環状オレフィンが例示さ
れる．
類とは各種の置換基を有してもよい４個以上の炭素原子
が環を形成し、該環の中に１個の炭素−炭素二重結合を
含む化合物のことである．このような環状オレフィン類
としてはシクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセ
ン等の単環状オレフィン；３−メチルシクロペンテン、
３−メチルシクロヘキセン等の置換単環状オレフィン；
ノルボルネンや１，２−ジヒドロジシクロペンタジエン
等の多環状オレフィン；１−メチルノルボルネンや５−
メチルノルボルネン等の置換多環状オレフィンが例示さ
れる．
【００４０】環状オレフィン類は好ましくは、下記一般
式［II］で表される化合物である。 （式中、Ｒ9〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、水酸基、アミノ基および炭素数１〜２０の有機
基からなる群から選ばれる置換基を示し、Ｒ13〜Ｒ16は
環を形成してもよい。ｎは０以上の整数を示す。）
式［II］で表される化合物である。 （式中、Ｒ9〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、水酸基、アミノ基および炭素数１〜２０の有機
基からなる群から選ばれる置換基を示し、Ｒ13〜Ｒ16は
環を形成してもよい。ｎは０以上の整数を示す。）
【００４１】ここに置換基の一員である炭素数１〜２０
の有機基の具体例としてはメチル基，エチル基，プロピ
ル基，ブチル基，ヘキシル基，オクチル基，ドデシル基
等のアルキル基；フェニル基，トリル基，ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基，フェネチル基等のアラルキ
ル基；メチリデン基，エチリデン基等のアルキリデン
基；ビニル基，アリル基等のアルケニル基；メトキシ
基，エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のア
リーロキシ基；メトキシカルボニル基，エトキシカルボ
ニル基等のアルコキシカルボニル基；アセチル基等のア
シル基；アセチルオキシ基等のアシルオキシ基；トリメ
チルシリル基等のシリル基；ジメチルアミノ基，ジエチ
ルアミノ基等のアルキルアミノ基；カルボキシル基；シ
アノ基；並びに上記アルキル基，アリール基およびアラ
ルキール基の水素原子の一部がハロゲン原子，水酸基，
アミノ基，カルボキシル基，アルコキシ基，アルコキシ
カルボニル基，アシルオキシ基，シリル基，アルキルア
ミノ基あるいはシアノ基で置換された基を挙げることが
できる．好ましい置換基は，水素原子；炭素数１〜２０
のアルキル基，炭素数１〜２０のアリール基，炭素数１
〜２０のアラルキル基，炭素数１〜２０のアルキリデン
基，炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０の
アシル基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基及
び炭素数１〜２０のシアノ基からなる群から選ばれる置
換基である．ｎは０以上の整数であり、好ましくは０≦
ｎ≦３を満たす整数であり、さらに好ましくはｎは０ま
たは１である。
の有機基の具体例としてはメチル基，エチル基，プロピ
ル基，ブチル基，ヘキシル基，オクチル基，ドデシル基
等のアルキル基；フェニル基，トリル基，ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基，フェネチル基等のアラルキ
ル基；メチリデン基，エチリデン基等のアルキリデン
基；ビニル基，アリル基等のアルケニル基；メトキシ
基，エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基等のア
リーロキシ基；メトキシカルボニル基，エトキシカルボ
ニル基等のアルコキシカルボニル基；アセチル基等のア
シル基；アセチルオキシ基等のアシルオキシ基；トリメ
チルシリル基等のシリル基；ジメチルアミノ基，ジエチ
ルアミノ基等のアルキルアミノ基；カルボキシル基；シ
アノ基；並びに上記アルキル基，アリール基およびアラ
ルキール基の水素原子の一部がハロゲン原子，水酸基，
アミノ基，カルボキシル基，アルコキシ基，アルコキシ
カルボニル基，アシルオキシ基，シリル基，アルキルア
ミノ基あるいはシアノ基で置換された基を挙げることが
できる．好ましい置換基は，水素原子；炭素数１〜２０
のアルキル基，炭素数１〜２０のアリール基，炭素数１
〜２０のアラルキル基，炭素数１〜２０のアルキリデン
基，炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０の
アシル基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基及
び炭素数１〜２０のシアノ基からなる群から選ばれる置
換基である．ｎは０以上の整数であり、好ましくは０≦
ｎ≦３を満たす整数であり、さらに好ましくはｎは０ま
たは１である。
【００４２】一般式［II］で表される好ましい環状オレ
フィン類の具体例としては、ノルボルネン、５−メチル
ノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−ブチルノ
ルボルネン、５−フェニルノルボルネン、５−ベンジル
ノルボルネン、テトラシクロドデセン、トリシクロデセ
ン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロペンタデセ
ン、ペンタシクロヘキサデセン、エチリデンノルボルネ
ン、８−メチルテトラシクロドデセン、８−エチルテト
ラシクロドデセン、５−アセチルノルボルネン、５−ア
セチルオキシノルボルネン、５−メトキシカルボニルノ
ルボルネン、５−エトキシカルボニルノルボルネン、５
−メチル−５−メトキシカルボニルノルボルネン、５−
シアノノルボルネン、８−メトキシカルボニルテトラシ
クロドデセン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテ
トラシクロドデセン、８−シアノテトラシクロドデセン
等を列挙することができる。
フィン類の具体例としては、ノルボルネン、５−メチル
ノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−ブチルノ
ルボルネン、５−フェニルノルボルネン、５−ベンジル
ノルボルネン、テトラシクロドデセン、トリシクロデセ
ン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロペンタデセ
ン、ペンタシクロヘキサデセン、エチリデンノルボルネ
ン、８−メチルテトラシクロドデセン、８−エチルテト
ラシクロドデセン、５−アセチルノルボルネン、５−ア
セチルオキシノルボルネン、５−メトキシカルボニルノ
ルボルネン、５−エトキシカルボニルノルボルネン、５
−メチル−５−メトキシカルボニルノルボルネン、５−
シアノノルボルネン、８−メトキシカルボニルテトラシ
クロドデセン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテ
トラシクロドデセン、８−シアノテトラシクロドデセン
等を列挙することができる。
【００４３】重合に際してこれらの環状オレフィン類は
単独または複数で使用される。また、環状オレフィン系
重合体の有する優れた性質を損なわない範囲、すなわち
一般には全単量体中の環状オレフィン類の割合が１０重
量％を下回らない範囲で環状オレフィン類と共重合性を
有する他の単量体を環状オレフィン類と一緒に用いるこ
とは何ら差し支えない。かかる他の単量体の例としては
エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチルペンテ
ン−１、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィ
ン；スチレン等のアルケニル芳香族炭化水素；メチルビ
ニルエーテル、エチルビニルエーテル等のアルキルビニ
ルエーテル；塩化ビニル等の不飽和ハロゲン化炭化水
素；メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチル
メタクリレート等のα，β−不飽和カルボン酸エステ
ル；アクリロニトリル等の不飽和ニトリル；酢酸ビニル
等のカルボン酸ビニル等を挙げることができる。好まし
くはα−オレフィンであり、さらに好ましくはエチレン
である。
単独または複数で使用される。また、環状オレフィン系
重合体の有する優れた性質を損なわない範囲、すなわち
一般には全単量体中の環状オレフィン類の割合が１０重
量％を下回らない範囲で環状オレフィン類と共重合性を
有する他の単量体を環状オレフィン類と一緒に用いるこ
とは何ら差し支えない。かかる他の単量体の例としては
エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチルペンテ
ン−１、１−ヘキセン、１−オクテン等のα−オレフィ
ン；スチレン等のアルケニル芳香族炭化水素；メチルビ
ニルエーテル、エチルビニルエーテル等のアルキルビニ
ルエーテル；塩化ビニル等の不飽和ハロゲン化炭化水
素；メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチル
メタクリレート等のα，β−不飽和カルボン酸エステ
ル；アクリロニトリル等の不飽和ニトリル；酢酸ビニル
等のカルボン酸ビニル等を挙げることができる。好まし
くはα−オレフィンであり、さらに好ましくはエチレン
である。
【００４４】本発明において、重合方法は特に限定され
るべきものではないが、例えば、ブタン、ペンタン、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチレ
ンジクロライド、エチレンジクロライド等のハロゲン化
炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール類、ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン等のエーテル、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のケトン類を単独、あ
るいは複数の混合液として溶媒に用いる溶媒重合、又は
スラリー重合、ガス状のモノマー中での気相重合や高圧
イオン重合等が可能であり、また、連続重合、回分式重
合のどちらでも可能である。
るべきものではないが、例えば、ブタン、ペンタン、ヘ
キサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチレ
ンジクロライド、エチレンジクロライド等のハロゲン化
炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、ブ
タノール等のアルコール類、ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン等のエーテル、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン等のケトン類を単独、あ
るいは複数の混合液として溶媒に用いる溶媒重合、又は
スラリー重合、ガス状のモノマー中での気相重合や高圧
イオン重合等が可能であり、また、連続重合、回分式重
合のどちらでも可能である。
【００４５】溶媒重合やスラリー重合において、重合温
度は−５０〜２００℃の範囲を取り得るが、特に、−２
０〜１００℃の範囲が好ましく、重合圧力は、常圧〜６
０ｋｇ／ｃｍ2Ｇが好ましい。気相重合においては、重
合温度は６０〜１２０℃、重合圧力は１〜３０ｋｇ／ｃ
ｍ2Ｇが好ましい。高圧イオン重合では、重合温度は１
５０〜３００℃、重合圧力は３００〜２５００ｋｇ／ｃ
ｍ2Ｇが好ましい。重合時間は、一般的に、目的とする
ポリマーの種類、反応装置により適宜決定されるが、１
分間〜２０時間の範囲を取ることができる。また、本発
明は共重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移
動剤を添加することもできる。
度は−５０〜２００℃の範囲を取り得るが、特に、−２
０〜１００℃の範囲が好ましく、重合圧力は、常圧〜６
０ｋｇ／ｃｍ2Ｇが好ましい。気相重合においては、重
合温度は６０〜１２０℃、重合圧力は１〜３０ｋｇ／ｃ
ｍ2Ｇが好ましい。高圧イオン重合では、重合温度は１
５０〜３００℃、重合圧力は３００〜２５００ｋｇ／ｃ
ｍ2Ｇが好ましい。重合時間は、一般的に、目的とする
ポリマーの種類、反応装置により適宜決定されるが、１
分間〜２０時間の範囲を取ることができる。また、本発
明は共重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移
動剤を添加することもできる。
【００４６】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はかかる実施例によりその範囲を限定され
るものではない。
るが、本発明はかかる実施例によりその範囲を限定され
るものではない。
【００４７】なお、実施例中における配位子及び錯体
は、1Ｈ−ＮＭＲ測定（日本電子社製ＥＸ−２７０）に
より同定した。また、［η］とは、ウベローデ型粘度計
を用い、テトラリンを溶媒として１３５℃で測定した極
限粘度のことである。
は、1Ｈ−ＮＭＲ測定（日本電子社製ＥＸ−２７０）に
より同定した。また、［η］とは、ウベローデ型粘度計
を用い、テトラリンを溶媒として１３５℃で測定した極
限粘度のことである。
【００４８】参考例１ （１）ビス（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−
メチルフェニル）フェニルホスフィンの合成 窒素雰囲気中、２−第３級ブチル−４−メチルフェニル
メトキシメチルエーテル１０．４１ｇをテトラヒドロフ
ラン１００ｍｌに溶解させ、−７８℃でｎ−ブチルリチ
ウム３１．３ｍｌ（１．６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）を滴
下し、その後室温に昇温し１２時間攪拌を続けた。生成
したスラリーにヘキサメチルホスホリックアミド１０ｍ
ｌを加え均一溶液とし−７８℃に冷却した後にジクロロ
フェニルホスフィン４．７１ｇを加え、室温に昇温し、
さらに３０分還流させた。放冷後、水を加え反応を停止
しトルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し無
水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。得られた残
さにエタノール２００ｍｌ、１０％塩酸水溶液１５ｍｌ
を加え２時間還流させた。放冷後、水を加え反応を停止
させトルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し
無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残さをシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、ビス
（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−メチルフェ
ニル）フェニルホスフィンの無色結晶４．３ｇを得た。
融点、１１７−１１８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨｚ） δ １．３９（ｓ，１８Ｈ）、２．１８（ｓ，６Ｈ）、
６．２６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、６．７３（ｄ
ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．３，２．０Ｈｚ）、７．１４（ｄ，
２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ）、７．２３−７．３６（ｍ，５
Ｈ）
メチルフェニル）フェニルホスフィンの合成 窒素雰囲気中、２−第３級ブチル−４−メチルフェニル
メトキシメチルエーテル１０．４１ｇをテトラヒドロフ
ラン１００ｍｌに溶解させ、−７８℃でｎ−ブチルリチ
ウム３１．３ｍｌ（１．６Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）を滴
下し、その後室温に昇温し１２時間攪拌を続けた。生成
したスラリーにヘキサメチルホスホリックアミド１０ｍ
ｌを加え均一溶液とし−７８℃に冷却した後にジクロロ
フェニルホスフィン４．７１ｇを加え、室温に昇温し、
さらに３０分還流させた。放冷後、水を加え反応を停止
しトルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し無
水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。得られた残
さにエタノール２００ｍｌ、１０％塩酸水溶液１５ｍｌ
を加え２時間還流させた。放冷後、水を加え反応を停止
させトルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し
無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残さをシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、ビス
（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−メチルフェ
ニル）フェニルホスフィンの無色結晶４．３ｇを得た。
融点、１１７−１１８℃1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨｚ） δ １．３９（ｓ，１８Ｈ）、２．１８（ｓ，６Ｈ）、
６．２６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．３Ｈｚ）、６．７３（ｄ
ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．３，２．０Ｈｚ）、７．１４（ｄ，
２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ）、７．２３−７．３６（ｍ，５
Ｈ）
【００４９】（２）２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノキシ）チタ
ニウムジクロライドの合成 アルゴン雰囲気下、ビス（２−ヒドロキシ−３−第三級
ブチル−５−メチルフェニル）フェニルホスフィン０．
４３５ｇとトルエン２０ｍｌの溶液を２０℃に保った。
この溶液に四塩化チタン０．１１ｍｌを滴下した。この
溶液を１２時間攪拌し、不溶物をろ別し、ろ液を濃縮
し、ヘキサンから再結晶させ、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノ
キシ）チタニウムジクロライドの固体０．３０ｇを得
た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、２７０ＭＨｚ） δ １．３９（ｓ，１８Ｈ）、２．１３（ｓ，６Ｈ）、
６．９２−７．８０（ｍ，９Ｈ）
ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノキシ）チタ
ニウムジクロライドの合成 アルゴン雰囲気下、ビス（２−ヒドロキシ−３−第三級
ブチル−５−メチルフェニル）フェニルホスフィン０．
４３５ｇとトルエン２０ｍｌの溶液を２０℃に保った。
この溶液に四塩化チタン０．１１ｍｌを滴下した。この
溶液を１２時間攪拌し、不溶物をろ別し、ろ液を濃縮
し、ヘキサンから再結晶させ、２，２’−（フェニルホ
スフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノ
キシ）チタニウムジクロライドの固体０．３０ｇを得
た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2、２７０ＭＨｚ） δ １．３９（ｓ，１８Ｈ）、２．１３（ｓ，６Ｈ）、
６．９２−７．８０（ｍ，９Ｈ）
【００５０】実施例１ エチレンで置換した３００ｍｌの丸底セパラブルフラス
コ中に脱水トルエン８ｍｌ、５モル／リットル濃度のノ
ルボルネンのトルエン溶液６ｍｌ（ノルボルネンとして
３０ミリモル）およびメチルアルモキサンのトルエン溶
液〔東ソー・アクゾ（株）製：ＭＭＡＯ、タイプ３Ａ、
Ａｌ６．０ｗｔ％〕０．６２ｍｌ（Ａｌとして１．２ミ
リモル）を仕込み、加温して３０℃の均一溶液となし
た。ここへ、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド０．３μｍｏｌを脱水トルエン１．２ｍ
ｌに溶解した溶液を加え、エチレン雰囲気下に３０℃で
１０分間撹拌を続けた。その後反応液を塩酸５ｍｌとメ
タノール３００ｍｌとの混合物中に投じ、沈殿した白色
固体をロ取した。該固体をメタノールで洗浄後、減圧乾
燥し、重合体６５５ｍｇを得た。この値は触媒活性とし
て１３１００ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒに相当する。該重
合体は、１３５℃テトラリンに不溶の高分子量体で、融
点２３０℃以上の高濃度ノルボルネン含有共重合体であ
った。
コ中に脱水トルエン８ｍｌ、５モル／リットル濃度のノ
ルボルネンのトルエン溶液６ｍｌ（ノルボルネンとして
３０ミリモル）およびメチルアルモキサンのトルエン溶
液〔東ソー・アクゾ（株）製：ＭＭＡＯ、タイプ３Ａ、
Ａｌ６．０ｗｔ％〕０．６２ｍｌ（Ａｌとして１．２ミ
リモル）を仕込み、加温して３０℃の均一溶液となし
た。ここへ、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニウ
ムジクロライド０．３μｍｏｌを脱水トルエン１．２ｍ
ｌに溶解した溶液を加え、エチレン雰囲気下に３０℃で
１０分間撹拌を続けた。その後反応液を塩酸５ｍｌとメ
タノール３００ｍｌとの混合物中に投じ、沈殿した白色
固体をロ取した。該固体をメタノールで洗浄後、減圧乾
燥し、重合体６５５ｍｇを得た。この値は触媒活性とし
て１３１００ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒに相当する。該重
合体は、１３５℃テトラリンに不溶の高分子量体で、融
点２３０℃以上の高濃度ノルボルネン含有共重合体であ
った。
【００５１】実施例２ エチレンで置換した３００ｍｌの丸底セパラブルフラス
コ中に脱水トルエン８ｍｌ、５モル／リットル濃度のノ
ルボルネンのトルエン溶液６ｍｌ（ノルボルネンとして
３０ミリモル）、トリイソブチルアルミニウムのトルエ
ン溶液（東ソー・アクゾ社製）７５μｌ（Ａｌとして７
５μｍｏｌ）及び２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド０．３μｍｏｌを脱水トルエン１．２
ｍｌに溶解した溶液を仕込み、加温して３０℃の均一溶
液とした。ここへ、トリフェニルメチルテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート１．８μｍｏｌを加
え、エチレン雰囲気下に３０℃で１０分間撹拌を続け
た。その後反応液を塩酸５ｍｌとメタノール３００ｍｌ
との混合物中に投じ、沈殿した白色固体をロ取した。該
固体をメタノールで洗浄後、減圧乾燥し、重合体６３８
ｍｇを得た。この値は触媒活性として１２７６０ｋｇ／
モル−Ｔｉ・ｈｒに相当する。該重合体の[η]は２．６
９ｄｌ／ｇであった。
コ中に脱水トルエン８ｍｌ、５モル／リットル濃度のノ
ルボルネンのトルエン溶液６ｍｌ（ノルボルネンとして
３０ミリモル）、トリイソブチルアルミニウムのトルエ
ン溶液（東ソー・アクゾ社製）７５μｌ（Ａｌとして７
５μｍｏｌ）及び２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライド０．３μｍｏｌを脱水トルエン１．２
ｍｌに溶解した溶液を仕込み、加温して３０℃の均一溶
液とした。ここへ、トリフェニルメチルテトラキス（ペ
ンタフルオロフェニル）ボレート１．８μｍｏｌを加
え、エチレン雰囲気下に３０℃で１０分間撹拌を続け
た。その後反応液を塩酸５ｍｌとメタノール３００ｍｌ
との混合物中に投じ、沈殿した白色固体をロ取した。該
固体をメタノールで洗浄後、減圧乾燥し、重合体６３８
ｍｇを得た。この値は触媒活性として１２７６０ｋｇ／
モル−Ｔｉ・ｈｒに相当する。該重合体の[η]は２．６
９ｄｌ／ｇであった。
【００５２】実施例３ 実施例１におけるエチレン雰囲気を窒素雰囲気に変えた
以外は実施例１と同様の操作を行ったところ、重合体５
７２ｍｇを得た。この値は触媒活性として１１４４０ｋ
ｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒに相当する。
以外は実施例１と同様の操作を行ったところ、重合体５
７２ｍｇを得た。この値は触媒活性として１１４４０ｋ
ｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒに相当する。
【００５３】比較例１ 実施例１における２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを特開平３−１６３０８８号公報に記
載の方法によって合成した（第三級ブチルアミド）ジメ
チル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランチタ
ニウムジクロリドに変えた以外は実施例１と同様に操作
したところ、重合体３７６ｍｇを得た。チタン１モル当
り、１時間当りの触媒活性としては、７５２０ｋｇ／モ
ル−Ｔｉ・ｈｒであった。該重合体の[η]は０．８９ｄ
ｌ／ｇであった。
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを特開平３−１６３０８８号公報に記
載の方法によって合成した（第三級ブチルアミド）ジメ
チル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シランチタ
ニウムジクロリドに変えた以外は実施例１と同様に操作
したところ、重合体３７６ｍｇを得た。チタン１モル当
り、１時間当りの触媒活性としては、７５２０ｋｇ／モ
ル−Ｔｉ・ｈｒであった。該重合体の[η]は０．８９ｄ
ｌ／ｇであった。
【００５４】比較例２ 実施例３における２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを比較例１記載の（第三級ブチルアミ
ド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シ
ランチタニウムジクロリドに変え、撹拌時間１０分間を
１時間に変えた以外は実施例３と同様に操作したとこ
ろ、重合体４ｍｇを得た。チタン１モル当り、１時間当
りの触媒活性としては、１３ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒで
あった。
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを比較例１記載の（第三級ブチルアミ
ド）ジメチル（テトラメチルシクロペンタジエニル）シ
ランチタニウムジクロリドに変え、撹拌時間１０分間を
１時間に変えた以外は実施例３と同様に操作したとこ
ろ、重合体４ｍｇを得た。チタン１モル当り、１時間当
りの触媒活性としては、１３ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒで
あった。
【００５５】参考例２ （１）２，２’−（フェニルホスフィド）ビス（３−第
三級ブチル−５−メチルフェノキシ）（テトラヒドロフ
ラン）チタニウムジクロライドの合成 アルゴン雰囲気下、攪拌子を備えた５０ｍｌシュレンク
管に、ビス（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−
メチルフェニル）フェニルホスフィン０．４３５ｇのＴ
ＨＦ１０ｍｌ溶液を入れ、−７８℃に冷却後、１．６Ｍ
ｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液１．２５ｍｌを滴下した。
室温に昇温後、１２時間攪拌させることにより、白色ス
ラリーを得た。別の反応容器中、１Ｍトルエン溶液の四
塩化チタン０．５ｍｌを１０ｍｌの凍結（−１９６℃）
ＴＨＦに加えた。混合物を−７８℃に昇温し黄色溶液を
得た。この溶液に前述の白色スラリー液を滴下し、１２
時間攪拌を行いつつ溶液を室温に昇温させた。生成した
濃赤色溶液から溶媒を除去し、残さをトルエンで抽出し
た。母液を濃縮しｎ−ヘキサンを加え、沈殿物をろ別し
ｎ−ヘキサンで洗浄を行い、２，２’−（フェニルホス
フィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノキ
シ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライドの
茶褐色粉末０．３０ｇを取得した。1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ
6、２７０ＭＨｚ） δ １．０９（Ｍ，４Ｈ）、１．６３（ｓ，１８Ｈ）、
１．９８（ｓ，６Ｈ）、４．０６（ｍ，４Ｈ）、６．９
６−７．１８（ｍ，７Ｈ）、７．７９（ｍ，２Ｈ）
三級ブチル−５−メチルフェノキシ）（テトラヒドロフ
ラン）チタニウムジクロライドの合成 アルゴン雰囲気下、攪拌子を備えた５０ｍｌシュレンク
管に、ビス（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−
メチルフェニル）フェニルホスフィン０．４３５ｇのＴ
ＨＦ１０ｍｌ溶液を入れ、−７８℃に冷却後、１．６Ｍ
ｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液１．２５ｍｌを滴下した。
室温に昇温後、１２時間攪拌させることにより、白色ス
ラリーを得た。別の反応容器中、１Ｍトルエン溶液の四
塩化チタン０．５ｍｌを１０ｍｌの凍結（−１９６℃）
ＴＨＦに加えた。混合物を−７８℃に昇温し黄色溶液を
得た。この溶液に前述の白色スラリー液を滴下し、１２
時間攪拌を行いつつ溶液を室温に昇温させた。生成した
濃赤色溶液から溶媒を除去し、残さをトルエンで抽出し
た。母液を濃縮しｎ−ヘキサンを加え、沈殿物をろ別し
ｎ−ヘキサンで洗浄を行い、２，２’−（フェニルホス
フィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メチルフェノキ
シ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライドの
茶褐色粉末０．３０ｇを取得した。1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ
6、２７０ＭＨｚ） δ １．０９（Ｍ，４Ｈ）、１．６３（ｓ，１８Ｈ）、
１．９８（ｓ，６Ｈ）、４．０６（ｍ，４Ｈ）、６．９
６−７．１８（ｍ，７Ｈ）、７．７９（ｍ，２Ｈ）
【００５６】実施例４ 実施例１における２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）（テ
トラヒドロフラン）チタニウムジクロライドに変えた以
外は実施例１と同様に操作したところ、重合体５８１ｍ
ｇを得た。チタン１モル当り、１時間当りの触媒活性と
しては、１１６２０ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒであった。
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）（テ
トラヒドロフラン）チタニウムジクロライドに変えた以
外は実施例１と同様に操作したところ、重合体５８１ｍ
ｇを得た。チタン１モル当り、１時間当りの触媒活性と
しては、１１６２０ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒであった。
【００５７】実施例５ 実施例３における２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）（テ
トラヒドロフラン）チタニウムジクロライドに変えた以
外は実施例３と同様に操作したところ、重合体５１７ｍ
ｇを得た。チタン１モル当り、１時間当りの触媒活性と
しては、１０３４０ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒであった。
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）（テ
トラヒドロフラン）チタニウムジクロライドに変えた以
外は実施例３と同様に操作したところ、重合体５１７ｍ
ｇを得た。チタン１モル当り、１時間当りの触媒活性と
しては、１０３４０ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒであった。
【００５８】参考例３ （１）２−ブロモ−４−メトキシ−６−第３級ブチルフ
ェノールの合成 ２−第３級ブチル−４−メトキシフェノール１８．０３
ｇのジメチルホルムアミド１００ｍｌ溶液に、攪拌下Ｎ
−ブロモスクシンイミド１７．８０ｇのジメチルホルム
アミド１００ｍｌ溶液を０℃で滴下し、室温に昇温させ
５時間攪拌を続けた。減圧下で溶媒を除去し残さに水を
加え酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を除
去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製し、油状の２−ブロモ−４−メトキシ−６−第３級
ブチルフェノール１２．３１ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲ
（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨｚ） δ １．３８（ｓ，９Ｈ）、３．７４（ｓ，３Ｈ）、
５．４２（ｓ，１Ｈ）、６．８５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．
０Ｈｚ）、６．８８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）
ェノールの合成 ２−第３級ブチル−４−メトキシフェノール１８．０３
ｇのジメチルホルムアミド１００ｍｌ溶液に、攪拌下Ｎ
−ブロモスクシンイミド１７．８０ｇのジメチルホルム
アミド１００ｍｌ溶液を０℃で滴下し、室温に昇温させ
５時間攪拌を続けた。減圧下で溶媒を除去し残さに水を
加え酢酸エチルで抽出した。一緒にした有機層を飽和食
塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を除
去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製し、油状の２−ブロモ−４−メトキシ−６−第３級
ブチルフェノール１２．３１ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲ
（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨｚ） δ １．３８（ｓ，９Ｈ）、３．７４（ｓ，３Ｈ）、
５．４２（ｓ，１Ｈ）、６．８５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．
０Ｈｚ）、６．８８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）
【００５９】（２）１−ブロモ−２−メトキシメチルオ
キシ−３−第３級ブチル−５−メトキシベンゼンの合成 水素化ナトリウム（６０％）２．４０ｇの５０ｍｌＴＨ
Ｆ懸濁液に、攪拌下０℃で２−ブロモ−４−メトキシ−
５−第３級ブチルフェノール１２．３１ｇのＴＨＦ５０
ｍｌ溶液を滴下した。２時間後、メトキシメチルクロリ
ド（８０％）６．０４ｇのＴＨＦ溶液を滴下した。室温
に昇温後１０時間攪拌を続けた。反応液を０℃に冷却し
水を加え、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後
溶媒を除去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、１−ブロモ−２−メトキシメチルオキ
シ−３−第３級ブチル−５−メトキシベンゼンの無色オ
イル８．７２ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７
０ＭＨｚ） δ １．４１（ｓ，９Ｈ）、３．６８（ｓ，３Ｈ）、
３．７５（ｓ，３Ｈ）、５．１７（ｓ，２Ｈ）、６．８
７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）、６．９４（ｄ，１
Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）
キシ−３−第３級ブチル−５−メトキシベンゼンの合成 水素化ナトリウム（６０％）２．４０ｇの５０ｍｌＴＨ
Ｆ懸濁液に、攪拌下０℃で２−ブロモ−４−メトキシ−
５−第３級ブチルフェノール１２．３１ｇのＴＨＦ５０
ｍｌ溶液を滴下した。２時間後、メトキシメチルクロリ
ド（８０％）６．０４ｇのＴＨＦ溶液を滴下した。室温
に昇温後１０時間攪拌を続けた。反応液を０℃に冷却し
水を加え、水層をトルエンで抽出した。一緒にした有機
層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後
溶媒を除去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、１−ブロモ−２−メトキシメチルオキ
シ−３−第３級ブチル−５−メトキシベンゼンの無色オ
イル８．７２ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７
０ＭＨｚ） δ １．４１（ｓ，９Ｈ）、３．６８（ｓ，３Ｈ）、
３．７５（ｓ，３Ｈ）、５．１７（ｓ，２Ｈ）、６．８
７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）、６．９４（ｄ，１
Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）
【００６０】（３）ビス（２−ヒドロキシ−３−第三級
ブチル−５−メトキシフェニル）フェニルホスフィンの
合成 窒素雰囲気中、２−第３級ブチル−４−メトキシ−６−
ブロモフェニルメトキシメチルエーテル８．７２ｇのテ
トラヒドロフラン溶液をマグネシウム１．０５ｇと触媒
量のヨウ素のテトラヒドロフランスラリー液に滴下し、
滴下終了後１時間還流させた。生成する均一溶液を−７
８℃に冷却した後にジクロロフェニルホスフィン２．６
８ｇのテトラヒドロフラン溶液を加え、室温に昇温し、
さらに１２時間攪拌を続けた。水を加え反応を停止しト
ルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し無水硫
酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。得られた残さに
エタノールと１０％塩酸水溶液を加え２時間還流させ
た。放冷後、水を加え反応を停止させ、トルエン（２０
０ｍｌ×２）で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し
無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残さをシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、ビス
（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−メトキシフ
ェニル）フェニルホスフィンの無色結晶３．８３ｇを得
た。融点、１１１−１１２℃ 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3、２７０ＭＨｚ） δ １．３９（ｓ，１８Ｈ）、３．５９（ｓ，６Ｈ）、
５．９６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９Ｈｚ）、６．４９（ｄ
ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．０，２．０Ｈｚ）、７．０５（ｄ，
２Ｈ，２．０Ｈｚ）、７．２６−７．４９（ｍ，５Ｈ）
ブチル−５−メトキシフェニル）フェニルホスフィンの
合成 窒素雰囲気中、２−第３級ブチル−４−メトキシ−６−
ブロモフェニルメトキシメチルエーテル８．７２ｇのテ
トラヒドロフラン溶液をマグネシウム１．０５ｇと触媒
量のヨウ素のテトラヒドロフランスラリー液に滴下し、
滴下終了後１時間還流させた。生成する均一溶液を−７
８℃に冷却した後にジクロロフェニルホスフィン２．６
８ｇのテトラヒドロフラン溶液を加え、室温に昇温し、
さらに１２時間攪拌を続けた。水を加え反応を停止しト
ルエンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し無水硫
酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。得られた残さに
エタノールと１０％塩酸水溶液を加え２時間還流させ
た。放冷後、水を加え反応を停止させ、トルエン（２０
０ｍｌ×２）で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し
無水硫酸ナトリウムで乾燥後溶媒を留去した。残さをシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーで単離精製し、ビス
（２−ヒドロキシ−３−第三級ブチル−５−メトキシフ
ェニル）フェニルホスフィンの無色結晶３．８３ｇを得
た。融点、１１１−１１２℃ 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3、２７０ＭＨｚ） δ １．３９（ｓ，１８Ｈ）、３．５９（ｓ，６Ｈ）、
５．９６（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．９Ｈｚ）、６．４９（ｄ
ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．０，２．０Ｈｚ）、７．０５（ｄ，
２Ｈ，２．０Ｈｚ）、７．２６−７．４９（ｍ，５Ｈ）
【００６１】（４）２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライドの合成 アルゴン雰囲気下、ビス（２−ヒドロキシ−３−三級ブ
チル−５−メトキシフェニル）フェニルホスフィン０．
２３３ｇのＴＨＦ１０ｍｌ溶液に−７８℃で１．６Ｍ
ｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液０．６３ｍｌを滴下し、室温
に昇温後１２時間攪拌させることにより、白色スラリー
を得た。別の反応容器中、１Ｍトルエン溶液の四塩化チ
タン１．０ｍｌを１０ｍｌの凍結（−１９６℃）ＴＨＦ
に加えた。混合物を−７８℃に昇温し黄色溶液を得た。
この溶液に前述の白色スラリー液を滴下し、１２時間攪
拌を行いつつ溶液を室温に昇温させた。生成した濃赤色
溶液を除去し、残さをトルエンで抽出した。母液を濃縮
しｎ−ヘキサンを加え、沈殿物をろ別しｎ−ヘキサンで
洗浄を行い、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）（テト
ラヒドロフラン）チタニウムジクロライドの粉末０．１
５ｇを取得した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨ
ｚ） δ １．１５（ｍ，４Ｈ）、１．６０（ｓ，１８Ｈ）、
３．２２（ｓ，３Ｈ）、４．０４（ｍ，４Ｈ）、６．７
７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０，３．０Ｈｚ）、７．０１
（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）、７．０８（ｍ，３
Ｈ）、７．７４（ｍ，２Ｈ）
ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライドの合成 アルゴン雰囲気下、ビス（２−ヒドロキシ−３−三級ブ
チル−５−メトキシフェニル）フェニルホスフィン０．
２３３ｇのＴＨＦ１０ｍｌ溶液に−７８℃で１．６Ｍ
ｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液０．６３ｍｌを滴下し、室温
に昇温後１２時間攪拌させることにより、白色スラリー
を得た。別の反応容器中、１Ｍトルエン溶液の四塩化チ
タン１．０ｍｌを１０ｍｌの凍結（−１９６℃）ＴＨＦ
に加えた。混合物を−７８℃に昇温し黄色溶液を得た。
この溶液に前述の白色スラリー液を滴下し、１２時間攪
拌を行いつつ溶液を室温に昇温させた。生成した濃赤色
溶液を除去し、残さをトルエンで抽出した。母液を濃縮
しｎ−ヘキサンを加え、沈殿物をろ別しｎ−ヘキサンで
洗浄を行い、２，２’−（フェニルホスフィド）ビス
（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）（テト
ラヒドロフラン）チタニウムジクロライドの粉末０．１
５ｇを取得した。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、２７０ＭＨ
ｚ） δ １．１５（ｍ，４Ｈ）、１．６０（ｓ，１８Ｈ）、
３．２２（ｓ，３Ｈ）、４．０４（ｍ，４Ｈ）、６．７
７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．０，３．０Ｈｚ）、７．０１
（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ）、７．０８（ｍ，３
Ｈ）、７．７４（ｍ，２Ｈ）
【００６２】実施例６ 実施例１における２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライドに変え
た以外は実施例１と同様に操作したところ、重合体５１
３ｍｇを得た。チタン１モル当り、１時間当りの触媒活
性としては、１０２６０ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒであっ
た。
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを２，２’−（フェニルホスフィド）
ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシフェノキシ）
（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロライドに変え
た以外は実施例１と同様に操作したところ、重合体５１
３ｍｇを得た。チタン１モル当り、１時間当りの触媒活
性としては、１０２６０ｋｇ／モル−Ｔｉ・ｈｒであっ
た。
【００６３】実施例７ 実施例３における２，２’−（フェニルホスフィド）ビ
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを実施例６記載の２，２’−（フェニ
ルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシ
フェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロ
ライドに変えた以外は実施例３と同様に操作したとこ
ろ、重合体４９６ｍｇを得た。チタン１モル当り、１時
間当りの触媒活性としては、９９２０ｋｇ／モル−Ｔｉ
・ｈｒであった。
ス（３−第三級ブチル−５−メチルフェノキシ）チタニ
ウムジクロライドを実施例６記載の２，２’−（フェニ
ルホスフィド）ビス（６−第三級ブチル−４−メトキシ
フェノキシ）（テトラヒドロフラン）チタニウムジクロ
ライドに変えた以外は実施例３と同様に操作したとこ
ろ、重合体４９６ｍｇを得た。チタン１モル当り、１時
間当りの触媒活性としては、９９２０ｋｇ／モル−Ｔｉ
・ｈｒであった。
【００６４】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、特定の遷移金属化合物を主成分とする触媒を用いる
ことにより、環状オレフィン系重合体等のオレフィン重
合体を極めて効率的に生産できるのであり、その工業的
価値は頗る大である。
ば、特定の遷移金属化合物を主成分とする触媒を用いる
ことにより、環状オレフィン系重合体等のオレフィン重
合体を極めて効率的に生産できるのであり、その工業的
価値は頗る大である。
Claims (7)
- 【請求項１】下記化合物（Ａ）と、下記化合物（Ｂ）お
よび／または下記化合物（Ｃ）とからなる触媒の存在下
に、一般式［II］で表される環状オレフィン類を重合せ
しめることを特徴とするオレフィン系重合体の製造方
法。 （Ａ）下記一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物。 （式中、Ｍは元素の周期律表の第４族又はランタナイド
系列の遷移金属原子である。Ａ、Ａ’は炭素原子数１〜
５０の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基または酸素原
子含有置換基を持つ炭化水素基もしくはハロゲン化炭化
水素基であり、ＡとＡ’は同一でも異なっても良い。
Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の炭
化水素基であり、ＸとＸ’は同一でも異なっても良い。
Ｙは炭素原子数１〜２０個の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基を表す。Ｏは酸素原子を表し、Ｐは元素
の周期律表の第１５族の原子を表す。Ｌはルイス塩基で
あり、ｗは０以上の整数である。） （Ｂ）下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそ
れらの２〜３種類の混合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1〜Ｅ3は炭素数１〜８の炭化水素基であり、
全てのＥ1、全てのＥ2及び全てのＥ3は同じであっても
異なっていても良い。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を
表し、全てのＺは同じであっても異なっていても良い。
ａは０〜３の数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の
整数を表す。） （Ｃ）下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭
化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化
水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１
〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基又は２〜２０個
の炭素原子を含むアミノ基であり、それらは同じであっ
ても異なっていても良い。Ｇ+は無機または有機のカチ
オンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+
はブレンステッド酸である。） （式中、Ｒ9〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、水酸基、アミノ基および炭素数１〜２０の有機
基からなる群から選ばれる置換基を示し、Ｒ13〜Ｒ16は
環を形成してもよい。ｎは０以上の整数を示す。） - 【請求項２】下記化合物（Ａ）と、下記化合物（Ｂ）お
よび／または下記化合物（Ｃ）とからなる触媒の存在下
に、一般式［II］で表される環状オレフィン類および環
状オレフィン類と共重合性を有する他の単量体を共重合
せしめることを特徴とするオレフィン系重合体の製造方
法。 （Ａ）下記一般式［Ｉ］で表される遷移金属化合物。 （式中、Ｍは元素の周期律表の第４族又はランタナイド
系列の遷移金属原子である。Ａ、Ａ’は炭素原子数１〜
５０の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基または酸素原
子含有置換基を持つ炭化水素基もしくはハロゲン化炭化
水素基であり、ＡとＡ’は同一でも異なっても良い。
Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０個の炭
化水素基であり、ＸとＸ’は同一でも異なっても良い。
Ｙは炭素原子数１〜２０個の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基を表す。Ｏは酸素原子を表し、Ｐは元素
の周期律表の第１５族の原子を表す。Ｌはルイス塩基で
あり、ｗは０以上の整数である。） （Ｂ）下記（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそ
れらの２〜３種類の混合物 （Ｂ１）一般式 Ｅ1 aＡｌＺ3-aで示される有機アルミ
ニウム化合物 （Ｂ２）一般式 ｛−Ａｌ（Ｅ2）−Ｏ−｝bで示される
構造を有する環状のアルミノキサン （Ｂ３）一般式 Ｅ3｛−Ａｌ（Ｅ3）−Ｏ−｝cＡｌＥ3
2で示される構造を有する線状のアルミノキサン （但し、Ｅ1〜Ｅ3は炭素数１〜８の炭化水素基であり、
全てのＥ1、全てのＥ2及び全てのＥ3は同じであっても
異なっていても良い。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を
表し、全てのＺは同じであっても異なっていても良い。
ａは０〜３の数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の
整数を表す。） （Ｃ）下記（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか （Ｃ１）一般式 ＢＱ1Ｑ2Ｑ3で表されるホウ素化合
物、 （Ｃ２）一般式 Ｇ+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表されるホ
ウ素化合物、 （Ｃ３）一般式 （Ｌ−Ｈ）+（ＢＱ1Ｑ2Ｑ3Ｑ4）-で表
されるホウ素化合物 （但し、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ
1〜Ｑ4はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭
化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化
水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１
〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基又は２〜２０個
の炭素原子を含むアミノ基であり、それらは同じであっ
ても異なっていても良い。Ｇ+は無機または有機のカチ
オンであり、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+
はブレンステッド酸である。） （式中、Ｒ9〜Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲ
ン原子、水酸基、アミノ基および炭素数１〜２０の有機
基からなる群から選ばれる置換基を示し、Ｒ13〜Ｒ16は
環を形成してもよい。ｎは０以上の整数を示す。） - 【請求項３】環状オレフィン類と共重合性を有する他の
単量体が、α−オレフィン、アルケニル芳香族炭化水
素、アルキルビニルエーテル、不飽和ハロゲン化炭化水
素、α，β−不飽和カルボン酸エステル、不飽和ニトリ
ル、カルボン酸ビニルからなる群から選ばれる化合物で
あることを特徴とする請求項２記載のオレフィン系重合
体の製造方法。 - 【請求項４】一般式［Ｉ］において、Ａ及び／または
Ａ’が（置換）アルキレン基、（置換）ビニレン基、
（置換）フェニレン基、（置換）ナフタレン基、あるい
はこれらの任意の組み合わせであることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載のオレフィン系重合体の製
造方法。 - 【請求項５】一般式［１］において、Ｐがリン原子であ
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のオ
レフィン系重合体の製造方法。 - 【請求項６】一般式［１］において、Ｘ及び／または
Ｘ’が塩素原子、臭素原子、メチル基またはベンジル基
であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
のオレフィン系重合体の製造方法。 - 【請求項７】一般式［１］において、Ｙが（置換）フェ
ニル基であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載のオレフィン系重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8641797A JPH10279630A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | オレフィン系重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8641797A JPH10279630A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | オレフィン系重合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10279630A true JPH10279630A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=13886313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8641797A Pending JPH10279630A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | オレフィン系重合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10279630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115884996A (zh) * | 2020-08-31 | 2023-03-31 | 住友化学株式会社 | 膜 |
| WO2024084974A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | ポリプラスチックス株式会社 | 環状オレフィン共重合体の製造方法 |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP8641797A patent/JPH10279630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115884996A (zh) * | 2020-08-31 | 2023-03-31 | 住友化学株式会社 | 膜 |
| WO2024084974A1 (ja) * | 2022-10-18 | 2024-04-25 | ポリプラスチックス株式会社 | 環状オレフィン共重合体の製造方法 |
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