JPH1027987A

JPH1027987A - 低ｅｍｉ回路基板及び低ｅｍｉケーブルコネクタ

Info

Publication number: JPH1027987A
Application number: JP8180863A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Akiba; 豊秋庭
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-07-10
Filing date: 1996-07-10
Publication date: 1998-01-27
Also published as: EP0914032A4; WO1998002025A1; EP0914032A1; US6188297B1

Abstract

(57)【要約】【課題】多層回路基板の搭載部品などから発生するデ
ィファレンシャルモードを中心とした輻射を効率良く低
減する。【解決手段】多層回路基板１の表面にＬＳＩ素子８な
どのディファレンシャルモードの輻射を発生するような
回路部品が搭載されており、かかる回路部品を含めて多
層回路基板１の表面全体を基板１側に損失層１４を設け
たシールド板１２で覆う。このシールド板１２は、多層
回路基板１の周辺部分全体に沿い、グランド層２にスル
ーホール５を介して電気的に接続された電極パターン６
ａ，６ｇ，６ｈ，６ｎなどの多数の電極パターンにハン
ダ７などで固定されており、この場合、グランド層２と
スルーホール５によって直接、あるいは整合終端チップ
抵抗１０を介して接続されている。これにより、発生し
た不要輻射はグランド層２とシールド板１２との間に閉
じ込められ、かつジュール熱に変換され、また、多層回
路基板１の側面から漏れるコモンモードの不要輻射も抑
制される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩなど
の回路素子を搭載した低ＥＭＩ回路基板に係り、特に、
かかる搭載部品からのディファレンシャルモードを中心
とした輻射を抑制するように低ＥＭＩ回路基板と伝送ケ
ーブルでの不要輻射を抑圧する低ＥＭＩケーブルコネク
タに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、基板内部に信号線や電源線，グラ
ンド線が設けられ、表面にＩＣ素子やＬＳＩ素子、回路
などが搭載された多層回路基板においては、その高速
化，高密度化に伴ってその高調波による不要輻射が発生
し易くなり、これが他の装置などに影響を与えることに
なって大きな問題となっている。

【０００３】かかる不要輻射としては、電源層やグラン
ド層の電位変動に伴う共振によって生ずるコモンモード
の輻射と信号ライン層や搭載部品から発生するディファ
レンシャルモードの輻射との２つのものに大別すること
ができ、従来では、かかる不要輻射を低減するための方
法が種々提案されている。

【０００４】かかるディファレンシャルモードの輻射を
低減する方法としては、従来、シールドによる方法が一
般的であり、具体的には、基板表面に抵抗材を含有した
導電ペーストを塗布する方法がとられている。

【０００５】また、かかる基板に外部から信号を送りこ
むために、外部の送信源との間に、コネクタにより、例
えば、同軸ケーブルのような伝送路を接続する。図１３
はかかる接続状態を概略的に示したものである。

【０００６】同図においては、送信源を送端装置１０
０，これから信号を受ける上記基板を受端装置１０１と
し、これら間を同軸ケーブル１０２が接続されているも
のとする。この受端装置１０１である基板は、図示しな
いコネクタによって同軸ケーブル１０２に接続されてお
り、また、送端装置１００も図示しないコネクタによっ
て同軸ケーブル１０２と接続されている。

【０００７】送端装置１００では、周波数がωｊで電圧
Ｖ₀のパルス状の信号を発生する信号源１００ｃに接続
された往線路１００ａが同軸ケーブル１０２の内部導体
１０２ａに、また、復線路１００ｂが同軸ケーブル１０
２の外部導体１０２ｂに夫々図示しないコネクタによっ
て接続されている。また、受端装置１０１は、等価的
に、受線路１０１ａと、帰線路１０１ｂと、これら間に
接続される負荷インピーダンスＺ_Lとで表わされ、この
受線路１０１ａが同軸ケーブル１０２の内部導体１０２
ａと、また、帰線路１０１ｂが同軸ケーブル１０２の外
部導体１０２ｂと夫々図示しないコネクタによって接続
されている。そして、送端装置１００での復線路１００
ｂと受端装置１０１での帰線路１０１ｂとが夫々アース
され、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂをグラン
ド線路としている。

【０００８】かかる構成により、送端装置１００での信
号源１００ｃから往線路１００ａ，同軸ケーブル１０２
の内部導体１０２ａ，受端装置１０１での受線路１０１
ａ，負荷抵抗Ｒ，帰線路１０１ｂ，同軸ケーブル１０２
の外部導体１０２ｂ及び送端装置１００での復線路１０
０ｂによって信号路が形成される。

【０００９】かかる信号路において、送端装置１００で
は、信号源１００ｃから出力される信号が、電圧Ｖ_1a，
電流ｉ_1aとして同軸ケーブル１０２の内部導体１０２ａ
に送り込まれ、受端装置１０１では、電圧Ｖ_1b，電流ｉ
_1bとして受信される。また、この信号路の帰路では、受
端装置１０１から電圧Ｖ_2b，電流ｉ_2bの信号が同軸ケー
ブル１０２の外部導体１０２ｂの内面を流れるが、それ
ばかりではなく、同軸ケーブル１０２と受端装置１０１
との接続点Ｂで、そこでの等価的なインピーダンスによ
って電流の反射が生じ、同軸ケーブル１０２の外部導体
１０２ｂの外面に電流の漏れが生ずる。これが漏れ電流
ｉ_3bとして同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの外
面に流れることになる。外部導体１０２ｂの内面を流れ
る信号は、電圧Ｖ_2a，電流ｉ_2aとして送端装置１００に
入力されるが、この同軸ケーブル１０２と送端装置１０
０との接続点Ａでも、そこでの等価的なインピーダンス
によって電流の反射が生じ、これにより、この電流ｉ_2a
の一部が同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの外面
に漏れ、漏れ電流ｉ_3aとして同軸ケーブル１０２の外部
導体１０２ｂの外面を流れることになる。

【００１０】ところで、かかる信号線路としての同軸ケ
ーブル１０２は、その長さをＬとすると、Ｌ＝（２ｎ−
１）・λ／４を満足する波長λ（但し、ｎ＝正整数）の
共振点を有している。そこで、同軸ケーブル１０２の外
部導体１０２ｂの外面を流れる電流ｉ_3a，ｉ_3bの波長が
かかる波長λから充分離れていれば、本来かかる電流は
非常に微小なものであるから、特に問題とはならない
が、電流ｉ_3a，ｉ_3bの波長が同軸ケーブル１０２の共振
点に近いものとなると、同軸ケーブル１０２は共振を起
こし、モノポールアンテナとして動作して、不要な電磁
放射を発生する。例えば、同軸ケーブル１０２の長さＬ
を１ｍとすると、ｆ＝３×１０⁸／４×１＝７５ＭＨｚ
の奇数倍の周波数の共振点を持つことになる。

【００１１】送端装置１００のケースと同軸ケーブル１
０２の外部導体１０２ｂの外面とを完全に一体化し、同
様に、受端装置１０１のケースと同軸ケーブル１０２の
外部導体１０２ｂの外面とを完全に一体化して、送端装
置１００のケース内と同軸ケーブル１０２の内部と受端
装置１０１のケース内を完全に密閉できれば、上記のよ
うな漏れ電流をなくすことができるが、このように構成
することは、実際上、ほとんど不可能であり、従って、
上記のような不要輻射の発生をを避けることができな
い。

【００１２】そこで、従来では、かかる不要輻射を抑圧
するために、同軸ケーブル１０２の送端装置１００側端
部に、コモンモードコア，コモンモードチョークなどと
呼ばれるフェライトコア１０３ａを設け、同様にして、
受端装置１０１側端部にも、フェライトコア１０３ｂを
設けるようにしている。

【００１３】かかるフェライトコア１０３ａ，１０３ｂ
を設けると、これらによるインダクタンスと分極によ
り、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの外面での
信号路にインダクタンスと抵抗との直列回路が挿入され
たことになり、これにより、この外面を流れる漏れ電流
ｉ３ａ，ｉ３ｂが抑圧されることになる。これらフェラ
イトコア１０３ａ，１０３ｂのインピーダンスの絶対値
としては、従来、材料，構造の面から１００Ω程度に設
定されている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる従来の
方法によると、導電ペーストは基板表面の比較的平らな
部分に塗布されるものであり、搭載部品やそれが取り付
けられている部分には塗布することができない。このた
め、基板表面を導電ペーストでシールドするといって
も、かかる搭載部品の取付け部分でシールド層が開口し
てしまい、この開口部から不要輻射が漏れてしまうこと
や、開口部で共振による新たな不要輻射（コモンモード
の輻射）が発生することになり、不要輻射の充分な抑制
を達成することができなかった。

【００１５】また、基板に接続される同軸ケーブルなど
の伝送線路からの不要輻射は、図１３で説明したよう
に、かかる伝送線路の両端部にフェライトコアを設ける
ことにより、ある程度の抑圧が可能であるが、必ずしも
充分に抑圧することができなかった。上記の図１３によ
る説明では、フェライトコア１０３ａ，１０３ｂのイン
ピーダンスの絶対値を１００Ωとしているとしたが、１
００Ωで充分でなければ、これらフェライトコア１０３
ａ，１０３ｂを夫々複数個設けるなどすることにより、
インピーダンスの絶対値を大きくしてさらに漏れ電流ｉ
_3a，ｉ_3bの抑圧効果を高めることができるが、このため
に、大型で重いフェライトコアを使用しなければならな
いという問題があるし、複数個のフェライトを用いる
と、コイルを複数回巻き付けたのと同等となり、それら
間に静電容量が生じて新たな共振を起こすなどの問題も
ある。

【００１６】これとともに、さらに重要な問題は、これ
らフェライトコア１０３ａ，１０３ｂに良質のフェライ
ト材を用いたとしても、その透磁率μに周波数特性があ
り、ほぼ３００ＭＨｚ以上になると、透磁率μが急激に
低下して充分に大きなインダンタンスが得られなくなる
いうことである。このため、このような周波数以上にな
ると、これらフェライトコア１０３ａ，１０３ｂは漏れ
電流ｉ_3a，ｉ_3bを低減する効果が低減し、従って、同軸
ケーブル１０２から発生する不要輻射を抑圧できなくな
る。

【００１７】取り扱う信号のクロック周波数が、例え
ば、１０ＭＨｚ程度と低い場合には、３００ＭＨｚに比
べて充分低いため、フェライトコア１０３ａ，１０３ｂ
としても、透磁率μを充分に大きな状態で使用すること
ができるから、不要輻射として問題となる漏れ電流ｉ３
ａ，ｉ３ｂの基本波、３倍高調波を充分抑圧できて、そ
の透磁率μの周波数特性は各別問題とならないが、近年
では、例えば、パソコンなどにおいて、クロック周波数
として、１００ＭＨｚ以上，２００ＭＨｚ以上と益々高
くなってきており、この程度となると、信号の基本波，
３倍高調波では、フェライトコア１０３ａ，１０３ｂの
透磁率μが減少して、その不要輻射の低減作用が発揮さ
れなくなる。

【００１８】本発明の目的は、かかる問題を解消し、デ
ィファレンシャルモードを中心とした輻射を効果的に抑
制することを可能とした低ＥＭＩ回路基板を提供するこ
とにある。

【００１９】本発明の他の目的は、小形で構成が簡単で
あって、信号伝送線路での不要輻射を効果的に抑圧する
ことができるようにした低ＥＭＩケーブルコネクタを提
供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による低ＥＭＩ回路基板は、搭載部品を含め
た基板表面全体をシールド板で覆い、該シールド板を内
挿されたグランド層と電気的に接続する。これにより、
搭載部品や信号線から発生するディファレンシャルモー
ドの不要輻射が該シールド板と該グランド層との間に閉
じ込められて外部に出ることがない。

【００２１】また、本発明による低ＥＭＩ回路基板は、
上記シールド板における導電層の少なくとも一方の表面
に損失層が設けられる。ディファレンシャルモードの不
要輻射の閉じ込めによって上記シールド板とグランド層
とで形成される貫流ループに高周波電流が流れると、こ
れによる共振によって外部に不要な輻射（コモンモード
輻射）が生ずるが、かかる損失層によって電流が減衰
し、かかる不要輻射が抑制される。

【００２２】さらに、本発明による低ＥＭＩ回路基板
は、上記シールド板の基板周辺部を上記グランド層に多
点接続する。これにより、シールド板とグランド層とか
らなるループの共振周波数を抑制すべき周波数領域より
も高周波帯に移すことができ、ディファレンシャルモー
ドの輻射をノイズ源とした基板側面からのコモンモード
の輻射を充分抑制することができる。

【００２３】さらに、本発明による低ＥＭＩ回路基板
は、上記シールド板の基板周辺部を整合終端抵抗を介し
て上記グランド層と接続し、電位変動を抑制する。これ
により、基板側面からのコモンモードの輻射を抑圧して
外部に漏れないようにすることができる。

【００２４】さらに、本発明による低ＥＭＩ回路基板
は、上記シールド板は、ＬＳＩ素子や駆動ＩＣ素子など
の高速動作する基板搭載部品の周りで、上記シールド板
を上記グランド層に多点接続する。高速動作する搭載部
品はディファレンシャルモード輻射を発生しやすい。従
って、かかる搭載部品の周りでシールド板をグランド層
と多点接続することにより、かかる搭載部品が個々にシ
ールドされるので、かかる搭載部品からのディファレン
シャルモードの輻射が低減され、さらに、基板周辺部で
も、シールド板が上記グランド層と多点接続されている
ため、シールドにおける電気的接続構造が二重になされ
ていることになり、シールド効果が顕著となる。

【００２５】上記他の目的を達成するために、本発明に
よる低ＥＭＩケーブルコネクタは、伝送ケーブルの全周
を囲う誘電体部を内面に設けたｎ個（但し、ｎ＝１，
２，……）の筒状体からなり、該筒状体の終端側に該伝
送ケーブルの全周を囲う短絡部材を設けて短絡終端線路
を形成し、該短絡終端線路の共振周波数を該伝送ケーブ
ルの共振周波数と等しくなるように構成する。

【００２６】また、本発明による低ＥＭＩケーブルコネ
クタは、短絡終端線路を形成するｉ番目（但し、ｉ＝
１，２，……，ｎ）の前記筒状体の長さｌ_iを、

【００２７】

【数１】

【００２８】とする。

【００２９】さらに、本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタは、短絡終端線路を形成する複数個の前記筒状体
は同軸状に配置される。

【００３０】さらに、本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタは、前記短絡部材が着脱可能に構成したことを特
徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。

【００３１】さらに、本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタは、短絡終端線路を形成する複数個の前記筒状体
は、中心軸を共通にして、かつ該中心軸に沿って配置さ
れている。

【００３２】さらに、本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタは、短絡終端線路を形成する前記筒状体は、夫々
中心軸の方向の位置調整が可能とする。

【００３３】かかる構成によると、短絡終端線路では、
その共振周波数でこの線路のインピーダンスがほぼ無限
大となり、この線路に流れるこの共振周波数の電流はほ
とんど０に抑圧される。そこで、この短絡終端線路の共
振周波数を伝送ケーブルが共振して不要輻射を発生する
周波数に等しく設定することにより、かかる不要輻射を
生じさせる電流を効果的に抑圧することができる。

【００３４】そして、この短絡終端線路が有底円筒部に
誘電体部を設けたもので構成することにより、この誘電
体部の誘電率をε_riとし、導体部を流れる電流の波長を
λ_iとすると、この短絡終端線路中では、波長λ_i'がλ_i
／√ε_riとなり、短絡終端線路の有底円筒部の長さを伝
送ケーブルの長さの１／√ε_ri倍と短いものとすること
ができる。例えば、ε_ri＝９００の誘電体材料を用いる
と、有底円筒部の長さは、使用する伝送ケーブルの１／
３０倍の長さとすることができ、例えば、１００ＭＨｚ
で共振する長さ７５ｃｍの同軸ケーブルに対しては、有
底円筒部はわずかに２．５ｃｍとなる。

【００３５】同軸ケーブルの外部導体が途中でアースさ
れているなどして、伝送ケーブルが異なる基本共振周波
数を持つ場合、これら基本周波数に応じた不要輻射を発
生するが、複数の上記短絡終端線路を同軸状、あるいは
中心軸に沿って配列することにより、夫々の基本共振周
波数に対する不要輻射を発生させる電流を、夫々の短絡
終端線路でもって効果的に抑圧される。

【００３６】上記他の目的を達成するために、本発明に
よる低ＥＭＩケーブルコネクタは、伝送ケーブルの全周
を囲う誘電体部を内面に設けた筒状体をなし、該筒状体
の終端側に整合終端抵抗となる抵抗体を設ける。

【００３７】かかる構成によると、整合終端抵抗がある
ために、この誘電体部内を反射せずに電流が流れ、この
電流がこの整合終端抵抗で熱変換されて効果的に抑圧さ
れる。この場合、筒状体の長さは任意であるが、これに
整合する上記の整合終端抵抗を設ける。

【００３８】上記他の目的を達成するために、本発明に
よる低ＥＭＩケーブルコネクタは、伝送ケーブルの全周
を囲う誘電体部を内面に設けたｎ個（但し、ｎ＝１，
２，……）の筒状体からなり、該筒状体の終端側を開放
端として開放終端線路を形成し、該開放終端線路の共振
周波数を該伝送ケーブルの共振周波数と等しくなるよう
に構成する。

【００３９】また、本発明による低ＥＭＩケーブルコネ
クタは、開放終端線路を形成するｉ番目（但し、ｉ＝
１，２，……，ｎ）の前記筒状体の長さｌ_iは、

【００４０】

【数２】

【００４１】とする。

【００４２】さらに、本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタは、開放終端線路を形成する複数個の前記筒状体
は、中心軸を共通にして、かつ該中心軸に沿って配置さ
れている。

【００４３】さらに、本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタは、開放終端線路を形成する前記筒状体は、夫々
中心軸の方向の位置調整が可能に構成する。

【００４４】かかる構成によると、開放終端線路では、
共振周波数でこの線路の中間位置、即ち、円筒部の中間
位置に短絡終端が設けられたものと等価な状態となり、
このときのインピーダンスがほぼ無限大となる。従っ
て、この共振周波数を伝送ケーブルの不要輻射が生ずる
共振周波数に等しく設定することにより、伝送ケーブル
の不要輻射を発生させる周波数の電流を効果的に抑圧す
ることができる。

【００４５】但し、この場合には、開放終端線路の長
さ、即ち、上記円筒部の長さは短絡終端線路とする上記
の本発明の場合の２倍となるが、それでも、この円筒部
は小形なものとなる。

【００４６】また、上記の短欄終端線路の発明の場合と
同様に、伝送ケーブルが異なる基本共振周波数を持って
これら基本周波数に応じた不要輻射を発生する場合に
は、複数の上記開放終端線路を同軸状、あるいは中心軸
に沿って配列することにより、夫々の基本共振周波数に
対する不要輻射を発生させる電流を、夫々の開放終端線
路でもって効果的に抑圧される。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図１は本発明による低ＥＭＩ回路基板の
一実施形態を示す断面図であって、１は多層回路基板、
２はグランド層、２ａは損失層、３は電源層、３ａは損
失層、４は信号ライン層、５はスルーホール、６ａ〜６
ｎは電極パターン、７はハンダ、８はＬＳＩ素子、９は
ＩＣ素子、１０は整合終端抵抗素子、１１は抵抗素子、
１２はシールド板、１３は導電箔、１４は損失層、１５
ａ，１５ｂ，１６は絶縁層、１７は誘電体層である。

【００４８】同図において、この実施形態は、グランド
層２や電源層３，信号ライン層４が設けられた多層回路
基板１の表面に、シールド板１２が取り付けられた構成
をなしている。このときに使用するハンダ７は、特に、
シールド板１２の取付けで、耐熱性などの点から、導電
性接着材を用いることもある。

【００４９】かかる多層回路基板１は、誘電体層１７内
にグランド層２と電源層３とが設けられ、一方の表面層
とグランド層２との間に１層の信号ライン層４が、グラ
ンド層２と電源層３との間に２層の信号ライン層４が、
電源層３と他方の表面層との間に１層の信号ライン層４
が夫々設けられており、さらに、夫々の表面層に信号ラ
イン層が設けられた、いわゆる８層基板の構成をなして
いる。

【００５０】夫々の表面層に設けられた信号ライン層４
の所定の個所に電極パターンが設けられており、それら
のいくつかはグランド層２に、他のいくつかは電源層３
に夫々電気的に接続されている。ここでは、電極パター
ン６ａ〜６ｎのみ示されており、以下では、電極パター
ンについてはこれら電極パターン６ａ〜６ｎについて説
明する。これらについては、電極パターン６ｂ，６ｃ，
６ｅ〜６ｇ，６ｉ〜６ｋ，６ｍ，６ｎがスルーホール５
を介してグランド層２に電気的に接続されており、ま
た、電極パターン６ｄ，６ｌがスルーホール５を介して
電源層３に電気的に接続されている。

【００５１】ここで、電源層３に接続された電極パター
ン６ｄとグランド層２に接続された電極パターン６ｃと
に所望回路を構成する抵抗素子１１の端子がハンダ７に
よって取り付けられ、この電極パターン６ｄとグランド
層２に接続された電極パターン６ｅとにモールドされた
ＬＳＩ素子８のリードがハンダ７によって取り付けら
れ、電源層３に接続された電極パターン６ｌとグランド
層２に接続された電極パターン６ｋとにパッケージ化さ
れたＩＣ素子９のリードがハンダ７によって取り付けら
れているものとする。このとき、ＩＣ素子９はベアチッ
プの状態で取り付ける場合もある。

【００５２】かかる多層回路基板１の両面に、そこに搭
載されているＬＳＩ素子８やＩＣ素子９，抵抗素子１１
なども含めて全面を覆うように、シールド板１２が設け
られている。シールド板１２は、薄板のベタ状平面を持
つが、ＩＣ素子，ＬＳＩ素子などの放熱性などの点か
ら、小さい穴を多数均等に配置する場合もある。このと
きの穴径（形状）φは、不要輻射の抑制領域を考慮し
て、λ／６０（但し、λは輻射波長）以下とする。この
実施形態は、このシールド板１２とグランド層２とによ
り、ディファレンシャルモードを中心とした輻射を抑制
するものである。

【００５３】このシールド板１２は、多層回路基板１の
周辺部の電極パターンにハンダ７でもって取り付けられ
ている。図１では、かかる周辺部の電極パターンとして
電極パターン６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｎを示している。

【００５４】ここで、このシールド板１２は、多層回路
基板１側の面に損失層１４が設けられた導電箔（例え
ば、銅箔）１３の両面が絶縁層１５ａ，１５ｂで被覆さ
れてなり、かかる損失層１４により、グランド層２との
間で減衰定数αの大きい線路を形成している。この導電
箔１３の損失層１４側の面を被覆する絶縁層１５ａは、
ポリイミドやポリエステルなどの耐熱性の絶縁フィルム
からなり、また、これとは反対側の面の絶縁層１５ｂ
は、導電膜１３の酸化防止や電気的絶縁を図るために、
レジスト材などを印刷，塗装あるいは吹き付けたもので
ある。勿論、かかる絶縁層１５ｂは必須のものではな
く、これを設けない場合には、導電層１３の表面を酸化
防止処理を施す。また、上記の絶縁フィルムを用いるこ
ともある。

【００５５】かかるシールド板１２は、導電箔１３がハ
ンダ７と接続されるようにして、電極パターン６ａ，６
ｇ，６ｈ，６ｎに電気的に接続されている。

【００５６】なお、かかる損失層１４としては、抵抗率
の大きい、例えば、ニッケルメッキ層やクロムメッキ層
を用いることができるが、その代りに、導電箔１３の表
面を凸凹にし、伝送路を長くして等価的に抵抗値を増す
ようにしてもよい。この場合には、導電層１３と絶縁層
１５ａとしてのポリイミドなどの絶縁フィルムとの接着
性が向上する。

【００５７】また、シールド板１２は可撓性であって、
多層回路基板１上の搭載部品による凹凸に応じて型成形
されたものが望ましい。このように型成形されていれ
ば、これを多層回路基板１に取り付けるのが容易になる
し、また、電極パターン６ａ，６ｇ，６ｈ，６ｎへの取
付け部が無理なくこれら電極パターン６ａ，６ｇ，６
ｈ，６ｎに近接して配置されることになり、ハンダ付け
が簡単になる。

【００５８】ところで、この実施形態では、ＬＳＩ素子
８やＩＣ素子９などから発生したディファレンシャルモ
ードの輻射をシールド板１２とグランド層２との間に閉
じ込めるようにするものであるが、単にシールド板１２
を取り付けただけであって、このシールド板１２をグラ
ンド層２と独立なものとすると、高速動作部品からの高
速クロックやこれに基づいて処理される信号の高調波に
よるディファレンシャルモードの輻射の発生によってシ
ールド板１２とグランド層２との間にエネルギーが蓄積
され、これにより、シールド板１２とグランド層２との
間に電位差が生じて共振が発生して、その周辺部で反射
が生じて定在波が発生し、シールド板１２とグランド層
２との周辺部に電界が生じて不要輻射が発生する。つま
り、シールド板１２により、ディファレンシャルモード
の輻射を抑制した結果、新たなコモンモードの輻射が発
生する。

【００５９】そこで、これを防止するために、この実施
形態では、シールド層１２とグランド層２とがほぼ平行
線路となることから、これらを電気的に終端接続するこ
とにより、シールド板１２に定在波を発生しにくくし、
シールド板１２の周辺部からの不要輻射を抑制するもの
である。その接続方法としては、整合終端抵抗値に近い抵抗値の抵抗素子を介して接続
する方法直接接続してシールド的な機能をもたせる方法とがある。図１では、これら２つの方法によりシールド
板１２をグランド層２に接続した場合を示しているが、
いずれか一方を採用するようにしてもよい。

【００６０】まず、上記の方法について説明する。

【００６１】多層回路基板１の表面層の周辺部に設けら
れた電極パターン６ａ，６ｈにシールド板１２をハンダ
７で接続し、整合終端抵抗値に近い終端抵抗値が得られ
るように、この電極パターン６ａとスルーホール５を介
してグランド層２に接続された多層回路基板１の周辺部
の電極パターン６ｂとに、所定の抵抗値のチップ抵抗１
０の端子をハンダ７で取り付け、また、電極パターン６
ｈとスルーホール５を介してグランド層２に接続された
多層回路基板１の周辺部の電極パターン６ｉとに、所定
の抵抗値のチップ抵抗１０の端子をハンダ７で取り付け
るようにする。即ち、シールド板１２の周辺部をグラン
ド層２とチップ抵抗１０を介して接続する。この場合、
分布定数的に終端することが必要であるために、実際に
は、多層回路基板１の周辺部において、この多層回路基
板１の構造などで決まるピッチ（例えば、Ａ４版程度の
大きさの８層基板の場合、２５〜５０ｍｍピッチ）でチ
ップ抵抗１０を複数子並列接続によりほぼ等間隔で終端
する。この場合、スルーホール５や電極パターン６ａ，
６ｂ，６ｈ，６ｉの構造に依存するインダクタンス成分
を終端抵抗値に比べてインピーダンスが充分小さくなる
ように設定している。

【００６２】これにより、ディファレンシャルモードの
輻射をシールドしたシールド板１２の周辺部から発生す
る新たなコモンモードの不要輻射が抑制される。

【００６３】次に、上記の方法について説明する。

【００６４】シールド板１２の周辺部は、スルーホール
５を介してグランド層２に電気的に接続された電極パタ
ーン６ｇ，６ｎなどとハンダ７によって接続されてい
る。即ち、シールド板１２とグランド層２とが、スルー
ホール５を介するのみで、直接電気的に接続され、シー
ルド板１２がグランド層２と同電位となるようにしてい
る。

【００６５】かかる構成により、高速動作を行なうＬＳ
Ｉ素子８やＩＣ素子９，高周波信号やクロックを伝送す
る信号ライン層（高速信号ライン層）４からはディファ
レンスモードの輻射が発生するが（以下、かかる搭載部
品や高速信号ライン層４を高速動作部品ともいう）、か
かる輻射発生源となる高速動作部品がスルーホール５を
介してグランド層２，シールド板１２によって包み込ま
れるようにしてシールドされることになり、かかる輻射
がグランド層２，シールド板１２間に閉じ込められると
ともに、シールド層１２とグランド層２とがスルーホー
ル５を介して電気的に接続されて同電位とされているの
で、シールド板１２とグランド層２との内部に定在波が
発生しても、外部には現われず、実効的にシールド板１
２の周辺部からの不要輻射も抑制することができる。

【００６６】このようにグランド層２とシールド板１２
とをスルーホール５で短絡することは、また、これらに
よるループの共振周波数が不要輻射抑制領域よりも高い
周波数域に移すことになり、これにより、この周波数領
域内での共振が抑制されてこの周波数領域での不要輻射
が少なくなるのである。なお、このような周波数の移行
は１ＧＨｚ以上とすることもでき、これにより、不要輻
射の周波数を規制外の周波数帯域のものとすることがで
きるのである。

【００６７】また、かかるディファレンシャルモードの
輻射の発生により、グランド層２とスルーホール５とシ
ールド板１２とで構成されるループに上記定在波による
高周波電流が発生する。しかし、かかる高周波電流はグ
ランド層２に対向するシールド板１２の導電箔１３の内
側の面（多層回路基板１側の面）を流れ、その面側に損
失層１４を設けているので、これによりこの高周波電流
がジュール熱に変換されて減衰する。このために、定在
波の発生が抑制され、これによっても、このシールド板
１２の周辺部から発生する不要輻射が低減されることに
なる。

【００６８】以上のようにして、シールド板１２とクラ
ンド層２とを、直接あるいは整合終端抵抗を介して接続
することにより、ディファレンシャルモードの輻射を、
新たに発生するコモンモードの輻射を抑制しながら、効
果的に抑制できるのである。

【００６９】ところで、ＬＳＩ素子や駆動ＩＣ素子は、
特に、ディファレンシャルモードの輻射を多量に発生す
る。このような回路素子に対しては、シールド板１２に
よって二重に接続領域を設けてシールドするようにす
る。具体的には、いま、ＬＳＩ素子８やＩＣ素子９がか
かる素子とすると、電極パターン６ｆ，６ｊ，６ｍのよ
うに、これらＬＳＩ素子８やＩＣ素子９の周辺に動作周
波数などに応じたピッチでグランド層２に電気的に接続
された電極パターンを設け、これら電極パターンをシー
ルド板１２とハンダでもって電気的に接続する。即ち、
シールド板１２におけるこれらＬＳＩ素子８やＩＣ素子
９の周りの部分をグランド層２と多点接続し、シールド
板１２で部分的にシールドするものである。これによ
り、このシールド部分のシールド板１２とグランド層２
との電流ループによって、ディファレンシャルモードの
不要輻射が閉じ込められ、損失層１４により、抑制され
ることになる。

【００７０】このようにして、これらＬＳＩ素子８やＩ
Ｃ素子９などにより発生するディファレンシャルモード
の輻射は、シールド板１２とグランド層２とにより、そ
れらの周辺でシールドされるとともに、多層回路基板１
の周辺でもシールドされて二重のシールドが施されるこ
とになり、夫々で輻射の吸収がなされて、さらにこれら
から発生するコモンモードの強い輻射も効果的に抑制さ
れることになる。

【００７１】ところで、図示しないが、内挿されている
信号ライン層４も、直接あるいは搭載部品などを介して
電源層３やグランド層２に接続されており、特に、高速
動作部品が動作すると、グランド層２や電源層３に高周
波電流が流れる。そして、かかる高周波電流はグランド
層２や電源層３の周辺部にも流れ、これらの共振による
コモンモードの輻射が生ずる。

【００７２】これを防止するために、この実施形態で
は、グランド層２や電源層３での多層回路基板１の周辺
部わたって損失層２ａ，３ａを設け、かかる共振による
高周波電流を減衰するようにしている。かかる損失層２
ａ，３ａを設ける範囲としては、多層回路基板１に搭載
されている部品や回路の動作を妨げないように、グラン
ド層２や電源層３での信号ライン層４とのスルーホール
５による接続点よりも外側である。かかる損失層２ａ，
３ａも、シールド板１２での損失層１４と同様のものと
することができる。

【００７３】図２（ａ）はグランド層２での損失層２ａ
を示すものであり、グランド層２は多層回路基板１のほ
ぼ断面全体に設けられるから、その周辺全体にわたって
損失層２ａが設けられる。また、図２（ｂ）は電源層３
での損失層３ａを示すものであり、ここでは、電源電圧
が互いに異なる４つの電源層３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄが
あるものとしている。この場合には、これら電源層３で
の多層回路基板１の周辺部に相当する部分に損失層３ａ
が設けられる。従って、図２（ｂ）の場合、電源層３
Ａ，３Ｂ，３Ｃには、その周辺部の一部に損失層３ａが
設けられるが、多層回路基板１の中央部に配置される電
源層３Ｄには、損失層は設けられない。

【００７４】以上のようにして、この実施形態では、搭
載部品や信号ライン層から発生するディファレンシャル
モードの輻射を非常に効果的に抑制することができる。

【００７５】なお、この実施形態では、シールド板１２
がハンダ７によって多層回路基板１に固定されているの
で、ハンダ７を取り除くことにより、シールド板１２を
簡単に外すことができて搭載部品の交換を簡単に行なう
ことができる。従って、搭載部品の１つが故障しても、
それを簡単に取り替えることができて、回路基板の再利
用が可能となる。耐熱性，環境対応の点から、ハンダ７
に代り、導電性接着材（例えば、熱硬化性樹脂にＡｇ
（Ｃｕ，Ａｕ）粉を含む）を用いる場合もある。

【００７６】また、ここでは、多層回路基板１の両面に
シールド板１２を設けるものであったが、一方の面側に
のみ高速動作する搭載部品や信号ライン層があるように
配置がなされている場合には、その面にのみシールド板
１２を設ければよいことは明らかである。

【００７７】さらに、多層回路基板１においては、輻射
発生源となる高速信号ラインが多層回路基板１の周辺部
に配置されるほど、そこから発生するディファレンシャ
ルモードの輻射量が増加する。従って、高速信号ライン
を多層回路基板１内の中央側に配置した方が好ましい。

【００７８】図３は本発明による低ＥＭＩ回路基板の他
の実施形態を示す断面図であって、６ｐ，６ｑ，６ｒは
電極パターン、１８は誘電体層、１９はグランド層、２
０は抵抗素子であり、図１に対応する部分には同一符号
をつけて重複する説明を省略し、符号も一部省略してい
る。

【００７９】この実施形態は、上記のディファレンスモ
ードの輻射の抑制に加え、新たに上記のコモンモードの
輻射も抑制することができるようにしたものである。

【００８０】図３において、電源層３に対してグランド
層２とは反対側の、この電源層３と信号ライン層４との
間に他のグランド層１９を設け、かつ、このグランド層
１９と電源層３との間に、誘電体層１７とは異なる誘電
率εr の誘電体層１８を設ける。この誘電体層１８は、
電源層３，グランド層１９を電極とするコンデンサＣを
形成し、高速クロックなどの高調波に対して充分小さい
インピーダンスを呈するように構成されている。

【００８１】多層回路基板１の周辺部側で、その一方の
表面層で電極パターン６ｐ，６ｑ間に抵抗素子２０が接
続され、また、他方の表面層で電極パターン６ｍ，６ｒ
間に抵抗素子２０が接続されている。そして、これら電
極パターン６ｐ，６ｒは一方のグランド層２にスルーホ
ール５を介して接続され、また、電極パターン６ｑ，６
ｍがスルーホール５を介して他方のグランド層１９に接
続されている。

【００８２】従って、電源層３とグランド層１９は誘電
体層１８からなるコンデンサＣを介して接続され、この
グランド層１９は抵抗素子２０を介してグランド層２に
接続されている。

【００８３】かかる構成によると、高速クロックなどの
高調波によって電源層３の電位が変動しようとしても、
その高調波電流は誘電体層１８からなるコンデンサＣを
通って抵抗素子２０に供給され、さらにグランド層２に
流れるが、抵抗素子２０でジュール熱に変換されて低減
する。このため、グランド層２と電源層３との間に生ず
る高調波による電位の変動、特に、共振電流が抑制さ
れ、コモンモードの輻射が抑制される。

【００８４】ここで、電源層３とグランド層２との間で
は、誘電体層１７により、層間浮遊容量としてのコンデ
ンサＣ’が介在している。このコンデンサＣ’のＱが高
いため、搭載部品のＬＳＩ素子，ＩＣ素子，チップコン
デンサなどが高調波領域でインダクタンス性のインピー
ダンス成分をもつことになり、これらの並列共振によ
り、コモンモードの輻射が発生することになる。

【００８５】しかし、この実施形態では、誘電体層１８
によるコンデンサＣと抵抗素子２０とによる直列回路
は、このコンデンサＣ’に並列に接続された関係にあ
り、ここで、このコンデンサＣのインピーダンスを抵抗
素子２０の抵抗値と比べて充分小さくなるように設定す
ることにより、コンデンサＣは無視されて抵抗素子２０
がコンデンサＣ’に並列に接続された関係にある。実装
時に発生するスルーホール５や電極パターン６ｐ，６ｒ
によるインダクタンス成分は、抵抗素子２０に比べてイ
ンピーダンスが充分無視できるように設定されている。
そして、この抵抗素子２０の抵抗値を適宜小さく設定す
ることにより、コンデンサＣ’の低Ｑ化が達成できる。
これにより、抵抗素子２０での消費エネルギーが大きく
なり、電源層３での電位変動が効果的に抵抗素子２０で
吸収され、コモンモードの輻射が低減されるのである。

【００８６】なお、コンデンサＣは、直流カット用のコ
ンデンサであり、電源層３からグランド層１９への直流
電圧をカットするものである。

【００８７】また、この実施形態では、図面上下側のシ
ールド板１２は、スルーホール５と多層回路基板１周辺
部の電極パターン６ｎ，６ｑなどにより、各グランド層
２，グランド層１９に接続されている。従って、基板１
の両側表面がこれらシールド１２，グランド層２，グラ
ンド層１９及び多点のスルーホール５でシールドる構造
を有し、このシールド構造の内部に配置されている信号
ライン層４や搭載部品によるディファレンスモードの輻
射も抑制している。

【００８８】図４（ａ）は本発明による低ＥＭＩケーブ
ルコネクタの第１の実施形態を示す縦断面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）での分断線Ｘ−Ｘ’からみた横断面
図であって、２１はベース円筒部、２１ａは雌ねじ部、
２１ｂははんだ付け部、２２は有底円筒部、２２ａは短
絡終端部、２２ｂは誘電体部、２３は有底円筒部、２３
ａは短絡終端部、２３ｂは誘電体部である。

【００８９】同図において、導体からなるベース円筒部
２１の外周面に長さｌ₁の導体からなる有底円筒部２２
が、さらにその外周面に長さｌ₂の導体からなる有底円
筒部２３が、夫々互いに同心状に重ねられている。有底
円筒部２２は短絡終端部２２ａで奥部が閉じられてお
り、これにより、短絡終端された線路を形成している。
同様にして、有底円筒部２３も短絡終端部２３ａで奥部
が閉じられており、これにより、短絡終端された線路を
形成している。また、有底円筒部２２内には、誘電率ε
_r1の誘電体が充填されて誘電体部２２ｂが形成されてお
り、同様にして、有底円筒部２３内でも、誘電率ε_r2の
誘電体が充填されて誘電体部２３ｂが形成されている。

【００９０】ベース円筒部２１の内径には同軸ケーブル
が嵌め込まれるものであって、このために、図示しない
同軸ケーブルの外周面に形成された雄ねじ部と螺合する
雌ねじ部２１ａが形成されており、また、このベース円
筒部２１の外周面の有底円筒部２２が設けられている部
分とは反対側の端部に、Ａｕメッキなどが施されてはん
だ付け部２１ｂが形成されている。

【００９１】有底円筒部２２による長さｌ₁の短絡終端
線路は、ｌ₁＝λ₀₁／４を満足する波長λ₀₁に対し、λ
₀₁／（２ｎ−１）で共振し（但し、ｎ＝１，２，３，…
…）、かかる共振点で有底円筒部２２の開放側（矢印）
からみたインピーダンスＺ₀₁がほぼ無限大となる線路で
ある。同様にして、有底円筒部２３による長さｌ₂の短
絡終端線路は、ｌ₂＝λ₀₂／４を満足する波長λ₀₂に対
し、λ₀₂／（２ｎ−１）で共振し、かかる共振点で有底
円筒部２３の開放側（矢印）からみたインピーダンスＺ
₀₂がほぼ無限大となる線路である。

【００９２】ここで、波長λ₀₁に対する角周波数（共振
角周波数）をω₀（＝２πｆ₀）とすると、有底円筒部２
２による短絡終端線路のインピーダンスＺ₀₁は、角周波
数ωに応じて図５に示す実線のように変化し、角周波数
ω₀，３ω₀，５ω₀，７ω₀，９ω₀，……で共振してほ
ぼ無限大となる。また、λ₀₂＝λ₀₁／２とすると、共振
角周波数は上記の２倍のものとなり、有底円筒部２３に
よる短絡終端線路のインピーダンスＺ₀₂は、角周波数ω
に応じて図５に示す破線のように変化して、角周波数２
ω₀，６ω₀，１０ω₀，……で共振してほぼ無限大とな
る。なお、これらインピーダンスＺ₀₁,Ｚ₀₂は、夫々の
線路が持つ整合終端抵抗値Ｒ₀₁，Ｒ₀₂に収斂していく。

【００９３】次に、かかる低ＥＭＩケーブルコネクタを
図１３に示した同軸ケーブルによる伝送線路に適用にし
た場合について説明する。

【００９４】図６は、図１３において、同軸ケーブル１
０２の送端装置１００側の端部に、上記の低ＥＭＩケー
ブルコネクタを設けた状態を示す図であって、前出図面
に対応する部分には同一符号を付けている。

【００９５】同図において、同軸ケーブル１０２の端部
に、有底円筒部２２，２３の開放側が送端装置１００側
を向くように、上記の低ＥＭＩケーブルコネクタが取り
付けられる。この取付けは、図４で説明したように、同
軸ケーブル１０２の端部に設けられた雄ねじ部（図示せ
ず）が低ＥＭＩケーブルコネクタのベース円筒部２１に
設けられた雌ねじ部２１ａに螺合することによってなさ
れ、また、このベース円筒部２１のはんだ付け部２１ｂ
が送端装置１００のケースなどにはんだ付けされる。但
し、図６では、このベース円筒部２１を省略している。

【００９６】図１３で説明したように、同軸ケーブル１
０２の外部導体１０２ｂの内面側を送端装置１００の方
に流れてきた電流ｉ_2aは、同軸ケーブル１０２の外部導
体１０２ｂと送端装置の復線路１００ｂとの接続点Ａ
で、その一部が漏れて外部導体１０２ｂの外面側を流れ
ようとする。

【００９７】ここで、この漏れ電流として、伝送信号の
基本周波数（クロック周波数）ｆ₀に対応する波長λ
₀（＝ｃ／ｆ₀）の１／（２ｎ−１）倍の波長（但し、ｎ
＝１，２，３，……）の漏れ電流をｉ_3a、この波長λ₀
の１／｛２×（２ｎ−１）｝倍の波長の漏れ電流をｉ_4a
とし、それ以外の波長の漏れ電流をｉ_5aとして、同軸ケ
ーブル１０２はこの基本周波数ｆ₀で共振するものとす
る（従って、その奇数倍の周波数（２ｎ−１)・ｆ₀でも
共振する）。

【００９８】これら電流ｉ_3a，ｉ_4a，ｉ_5aは、接続点Ａ
から有底円筒部２２からなる短絡終端線路に流れ込むこ
とになる。

【００９９】ところで、この長さｌ₁の有底円筒部２２
による短絡終端線路では、上記のように、ｌ₁＝λ₀₁／
４を満足する波長λ₀₁に対する周波数ｆ₀₁（＝ｃ／
λ₀₁：但し、ｃは光速）の（２ｎ−１）倍の周波数を共
振周波数とし、この共振周波数でインピーダンスＺ₀₁が
ほぼ無限大となる。また、一方、誘電率ε_rの誘電体中
に波長λの電流が流れると、この誘電体中でのこの電流
の波長はλ／√ε_rに短縮される。

【０１００】そこで、有底円筒部２２からなる短絡終端
線路に流れ込む電流ｉ_3a，ｉ_4a，ｉ_5aのうち、電流ｉ_3a
についてみると、この電流ｉ_3aのこの短絡終端線路内で
の波長λ_3aに対し、

【０１０１】

【数３】

【０１０２】となる。かかる波長λ₀’で共振するよう
に、即ち、λ₀’＝λ₀₁とするように、有底円筒部２２
からなる短絡終端線路の長さｌ₁を設定することによ
り、波長λ₀／（２ｎ−１）の電流ｉ_3aに対して有底円
筒部２２からなる短絡終端線路のインピーダンスＺ₀₁が
ほぼ無限大となり、この電流ｉ_3aをほとんど完全に抑圧
することができる。

【０１０３】従って、このときの有底円筒部２２からな
る短絡終端線路の長さｌ₁は、

【０１０４】

【数４】

【０１０５】となる。

【０１０６】このようにして、漏れ電流ｉ_3aを有底円筒
部２２からなる短絡終端線路でほとんど０にすることが
できるが、これ以外の漏れ電流ｉ_4a，ｉ_5aに対しては、
この有底円筒部２２からなる短絡終端線路で共振しない
から、ある程度の減衰はあるものの、ほとんどそのまま
の振幅でこの有底円筒部２２からなる短絡終端線路を通
過し、次に、有底円筒部２３からなる短絡終端線路に流
れ込む。

【０１０７】この有底円筒部２３からなる短絡終端線路
で漏れ電流ｉ_4aを抑圧するようにする。このためには、
この有底円筒部２３からなる短絡終端線路がこの漏れ電
流ｉ_4a の周波数で共振するように、この有底円筒部２
３からなる短絡終端線路の長さｌ₂を設定すればよい。

【０１０８】そこで、この電流ｉ_4aの波長λ₁は、上記
のように、λ₁＝λ₀／２であるから、有底円筒部２３内
の誘電体部２３ｂ（図４）の誘電体の誘電率ε_r2が有底
円筒部２２内の誘電体部２２ｂ（図４）の誘電体の誘電
率ε_r1と等しく、ε_r2＝ε_ｒ１とすると、上記数４か
ら、ｌ₂＝ｌ₁／２である。これにより、有底円筒部２３からなる短絡終端
線路のインピーダンスＺ₀₂は、図５に破線で示す特性と
なり、２ω₀，６ω₀，１０ω₀，……の角周波数の漏れ
電流ｉ_4aをほとんど０に抑圧することができる。

【０１０９】なお、上記のように、同軸ケーブル１０２
が基本周波数ｆ₀及びその奇数倍の周波数で共振を起こ
すものであるから、この基本周波数ｆ₀の偶数倍の周波
数については各別問題ではなく、従って、この場合に
は、格別有底円筒部２３を設ける必要はないが、この有
底円筒部２３を設ける理由については、後に説明する。

【０１１０】図７は以上の構成の等価回路を示すもので
あって、２４が送端装置１００側の低ＥＭＩケーブルコ
ネクタの有底円筒部２２からなる短絡終端線路、２４’
が受端装置１０１側の低ＥＭＩケーブルコネクタの有底
円筒部２２からなる短絡終端線路であり、２５が送端装
置１００側の低ＥＭＩケーブルコネクタの有底円筒部２
３からなる短絡終端線路、２５’が受端装置１０１側の
低ＥＭＩケーブルコネクタの有底円筒部２３からなる短
絡終端線路であって、Ｚａ，Ｚｂは同軸ケーブル１０２
の外部導体１０２ｂなどのインピーダンスである。

【０１１１】以上のようにして、送端装置１００側で
は、有底円筒部２２，２３からなる短絡終端線路２４，
２５により、伝送する信号のクロック周波数ｆ₀（＝ω₀
／２π）に対し、接続点Ａ，接地点Ａ’間に生ずる等価
的なインピーダンスによって接続点Ａで反射される周波
数ｆ₀，２ｆ₀，３ｆ₀，５ｆ₀，６ｆ₀，７ｆ₀，９ｆ₀，
１０ｆ₀，……の電流をほとんど０に抑圧することがで
きる。その他の周波数の漏れ電流ｉ_5aについては、充分
振幅が小さい場合、あるいは、同軸ケーブル１０２が共
振を起こすように周波数を持つものでない場合には、そ
のまま有底円筒部２２，２３からなる短絡終端線路から
同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの外面に流すよ
うにしても問題はないが、やはり同軸ケーブル１０２が
発振して不要輻射を生ずる場合には、有底円筒部２３の
外側に、さらに、同様にしてかかる電流ｉ_5aを抑圧する
ための有底円筒部による短絡終端線路を設ければよい。

【０１１２】受端装置１０１側についても同様であり、
接続点Ｂと接地点Ｂ’との間に生ずるインピーダンスに
よって接続点Ｂで反射される上記周波数の電流が、低Ｅ
ＭＩケーブルコネクタの有底円筒部２２，２３からなる
短絡終端線路２４’，２５’によって充分に抑圧され
る。

【０１１３】上記数４から明らかなように、有底円筒部
２２，２３における誘電体部２２ｂ，２３ｂの誘電体材
料として、誘電率ε_r1，ε_r2が大きいものを使用するこ
とにより、有底円筒部２２，２３の長さｌ₁，ｌ₂を短く
することができる。チタン酸ストロンチウム系やチタン
酸バリウム系の誘電体材料は３００〜１０００の誘電率
を持っている。

【０１１４】そこで、いま、有底円筒部２２における誘
電体部２２ｂに誘電率ε_r1＝９００の誘電体を用い、ク
ロック周波数ｆ₀＝２００ＭＨｚとすると、 λ₀＝ｃ／ｆ₀＝３×１０⁸／（２００×１０⁶）＝１５０
ｃｍであるから、上記数４により、ｌ₁＝１５０／（４×√９００）＝１.２５ｃｍとなる。また、有底円筒部２３の誘電体部２３ｂに同じ
誘電体材料を用いると、この有底円筒部２３の長さｌ₂
は、ｌ₂＝ｌ₁／２＝０.６２５ｃｍとなる。

【０１１５】このように、２００ＭＨｚという非常に高
いクロック周波数に対し、２ｃｍにも満たない短い短絡
終端線路からなるケーブルコネクタにより、従来のフェ
ライトコアを用いていたときの１００Ωに比べて極端に
高いインピーダンスを得ることができ、同軸ケーブル１
０２からの不要輻射をほとんど完全に抑圧することがで
きることになる。

【０１１６】また、有底円筒部２２，２３の厚さは、そ
れによる短絡終端線路が所定の周波数で無限大のインピ
ーダンスを持てばよく、その整合終端抵抗を特定な値に
することが要求されるものではないから、任意に薄くす
ることができる。従って、この実施形態は、小形軽量で
嵩張らず、同軸ケーブル１０２からの不要輻射の発生を
充分効果的に抑圧することができる。

【０１１７】なお、図４（ａ）において、有底円筒部２
２，２３をベース円筒部２１に一体に形成してもよい
が、また、有底円筒部２２，２３を夫々誘電体部２２
ｂ，２２３ｂを有する別体の円筒部とし、有底円筒部２
２，２３の内面に雌ねじが設けられ、ベース円筒部２１
と有底円筒部２２の外周面に雄ねじが設けられ、かかる
ねじを螺合させることにより、ベース円筒部２１に有底
円筒部２２を取り付け、さらに、この有底円筒部２２に
有底円筒部２３を取り付けるようにしてもよい。この場
合には、ベース円筒部２１に対する有底円筒部２２の位
置関係や有底円筒部２２に対する有底円筒部２３の位置
関係を適宜調整することができる。

【０１１８】また、このように、ねじによって低ＥＭＩ
ケーブルコネクタを同軸ケーブル１０２に取付け可能と
しておくと、異なる周波数の抑圧を行なう低ＥＭＩケー
ブルコネクタを設けておき、同軸ケーブルの長さ（従っ
て、その共振周波数）に応じて、適宜所望の低ＥＭＩケ
ーブルコネクタを選択して使用することができる。

【０１１９】また、ベース円筒部２１には、雌ねじ部２
１ａなどにより、同軸ケーブル１０２を螺合して取り付
けるものとしたが（これにより、ケーブルの取り替えな
どが可能となる。）、勿論、ベース円筒部２１と同軸ケ
ーブル１０２とを一体に固定したものとしてもよい。

【０１２０】さらに、有底円筒部２２，２３の誘電体部
２２ｂ，２３ｂには、同じ誘電率の誘電体材料を使用す
るものとしたが、勿論、これらで異なる誘電率の誘電体
材料を用いるようにしてもよい。この場合、例えば、有
底円筒部２２での誘電体部２２ｂの誘電体材料に対し、
有底円筒部２３の誘電体部２３ｂでの誘電体材料を誘電
率の小さいものを使用することにより、有底円筒部２
２，２３の長さをほぼ揃えるようにすることもできる。

【０１２１】図８は、図１３において、同軸ケーブル１
０２の受端装置１０１（即ち、図１〜図３で説明した低
ＥＭＩ回路基板）側の端部に図４で示した低ＥＭＩケー
ブルコネクタを設けた状態を示す図であって、前出図面
に対応する部分には同一符号を付けている。

【０１２２】同図において、上記のようにして低ＥＭＩ
ケーブルコネクタが端部に取り付けられた同軸ケーブル
１０２は、低ＥＭＩ回路基板の入出力端子に接続され
る。この接続では、同軸ケーブル１０２の内部導体１０
２ａが低ＥＭＩ回路基板の信号ライン層４に設けられた
電極パターン６にハンダ７でもって電気的に接続され、
また、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂは、その
先端部が広げられて、低ＥＭＩ回路基板のグランド層２
とハンダ７で電気的に接続されている。この場合、外部
導体１０２ｂの先端部全体がハンダ付けされるのではな
く、一般には、例えば、４点などの多点接合され、完全
密閉することは非常に困難である。

【０１２３】かかる構成により、同軸ケーブル１０２の
内部導体１０２ａを流れてきた信号電流ｉ_1bは、電極パ
ターン６を介して低ＥＭＩ回路基板の信号ライン層４に
流れ込み、また、グランド層２の内面側を流れる復電流
ｉ_2bは、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの内面
を流れるが、外部導体１０２ｂは例えば４点でハンダ付
けされて完全密閉されていないので、同軸ケーブル１０
２の外部導体１０２ｂのハンダ付けされていない隙間か
ら、この復電流ｉ_2bの一部が外部導体１０２ｂの外面側
に漏れてしまい、電流ｉ_3bとしてこの外部導体１０２ｂ
の外面を流れようとする。

【０１２４】これに対し、同軸ケーブル１０２と低ＥＭ
Ｉ回路基板との継ぎ目に低ＥＭＩケーブルコネクタが取
り付けられており、漏れ電流ｉ_3bはこの低ＥＭＩケーブ
ルコネクタに流れ込む。このとき、図６で説明したのと
同様に、低ＥＭＩケーブルコネクタでの有底円筒部２
２，２３の長さを適宜設定し、これら有底円筒部２２，
２３に適宜の誘電率の誘電体材料を使用することによ
り、同軸ケーブル１０２で不要輻射を生じさせる周波数
の漏れ電流ｉ_3bをほとんど０に抑圧することができる。

【０１２５】勿論、低ＥＭＩ回路基板から同軸ケーブル
１０２に流れ込む電流としては、グランド層２の内面を
流れる電流ばかりとは限らず、基板表面に設けられたグ
ランド層２の外面を流れてくる電流や、シールド板１２
の導電箔１３の表面を流れてくる電流などもあり、かか
る電流は、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの先
端部がグランド層２と多点接続されて隙間があるなどの
理由から、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの外
面に漏れるものもあるが、このような漏れ電流に対して
も、低ＥＭＩケーブルコネクタは、上記のように、効果
的に作用する。

【０１２６】なお、以上図４〜図７で示した実施形態で
は、低ＥＭＩケーブルコネクタを２つの有底円筒部２
２，２３をもつ２段構成のものとしたが、同軸ケーブル
１０２が共振して不要輻射を発生するのは、基本周波数
ｆ₀の基本波と、その奇数倍高調波（２ｎ−１)・ｆ₀であ
る。従って、低ＥＭＩケーブルコネクタとしては、図５
に実線で示したように、基本周波数ω₀とその奇数倍の
周波数３ω₀，５ω₀，……に対してインピーダンスＺ₀₁
が無限大となるようにすればない。このことからする
と、低ＥＭＩケーブルコネクタとしては、図４〜図８に
おいて、有底円筒部２２のみを備えた１段構成のもので
充分である。

【０１２７】しかしながら、これに対し、同軸ケーブル
１０２の外部導体１０２ｂの適当な個所にグランド線を
設けたり、あるいはこの外部導体１０２ｂがグランドと
接触するなどしてグランド線と接続されたのと同等とな
る場合があるが、このような場合、同軸ケーブル１０２
は、それ自体のみばかりではなく、同軸ケーブル１０２
のグランド線との接続部分までの同軸ケーブル１０２の
一部とこのグランド線とからなる線路で基本周波数ω₀
の２倍の周波数２ω₀で共振を起こし、不要輻射を発生
する場合がある。このような場合、図４〜図８に示した
ように、有底円筒部２２の外側にこの周波数２ω₀でイ
ンピーダンスＺ₀₂が無限大となる有底円筒部２３による
短絡終端線路を設けることにより、かかる周波数２ω₀
の共振による不要輻射の発生を抑圧することができる。

【０１２８】また、複数の同軸ケーブルがパラレルに設
けられている場合、１つの低ＥＭＩケーブルコネクタで
これらを一括して囲うようにして、これら同軸ケーブル
での不要輻射を生じさせる電流を同時に抑圧するように
することもできる。この場合においても、夫々の同軸ケ
ーブルの長さの違いにより、基本周波数ω₀とその奇数
倍の周波数で共振を起こす同軸ケーブルもあるし、ま
た、この基本周波数ω₀の偶数倍の周波数で共振を起こ
すものもあり得る。このような場合にも、低ＥＭＩケー
ブルコネクタを、図４〜図８で示したように、２段構成
とすることにより、全体として不要輻射が生じないよう
にすることができる。

【０１２９】多数本の信号線とグランド線を１つにまと
めてシールドするようにしたようなケーブルにも、同様
の低ＥＭＩケーブルコネクタを適用することがでは、上
記と同様の効果が得られる。

【０１３０】図９は本発明による低ＥＭＩケーブルコネ
クタの第２の実施形態を示す縦断面図であって、２２’
は円筒部、２２ｃは整合終端抵抗であり、前出図面に対
応する部分には同一符号を付けている。

【０１３１】同図において、この実施形態は、有底でな
い円筒部２２’の奥部に、短絡終端を設ける代わりに、
整合終端抵抗２２ｃを設けたものであり、それ以外の構
成は、図４〜図８で説明した実施形態と同様である。

【０１３２】この実施形態では、円筒部２２ｃの長さは
重要ではなく、円筒部２２’に誘電体部２２ｂを設けた
線路に、この線路に対する整合終端抵抗２２ｃを設ける
ことにより、この線路に流れる漏れ電流が反射せずに整
合終端抵抗２２ｃに流れ、この整合終端抵抗２２ｃで熱
エネルギーに変換することにより、この漏れ電流を抑圧
するものである。

【０１３３】同様のことから、図４〜図８で示した実施
形態において、有底円筒部２２，２３の短絡終端部２２
ａ，２３ａに少しでも隙間があると、その隙間から電流
が漏れ、同軸ケーブル１０２の外部導体１０２ｂの外面
に流れるおそれがある。このために、これら短絡終端部
２２ａ，２３ａの部分にこの有底円筒部２２，２３によ
る線路に整合した整合終端抵抗を設け、隙間から漏れよ
うとする電流をこの整合終端抵抗で熱的に消費させるよ
うにすることもできる。

【０１３４】図１０は本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタの第３の実施形態を示す縦断面図であって、２２
ａ’は短絡板であり、前出図面に対応する部分には同一
符号を付けている。

【０１３５】同図において、この実施形態は、円筒部２
２'において、蓋状の短絡板２２ａ'をねじなどによって
取外し可能としたものである。この短絡板２２ａ’を円
筒部２２’に取り付けた場合には、図４に示した第１の
実施形態と同様であって、ｌ₁＝λ₀₁／４を満たす波長
λ₀₁に対する周波数ｆ₀₁及びその奇数倍の周波数で共振
し、これらの周波数でインピーダンスＺ₀₁が無限大とな
る。

【０１３６】また、短絡板２２ａ’を取り外した場合に
は、開放端となるが、この場合には、この円筒部２２’
の長さｌ₁の１／２の位置が短絡終端となる。従って、ｌ₁／２＝λ₀₁’／４を満足する周波数でインピーダンスＺ₀₁’が無限大とな
る。この波長λ₀₁’は上記の波長λ₀₁の１／２である。
従って、短絡板２２ａ’を外したときには、これを付け
ている場合の共振周波数の２倍の周波数が共振周波数と
なる。

【０１３７】このようにして、短絡板２２ａ’を着脱す
ることにより、２種類の異なるクロック周波数のケーブ
ルに適用することができる。従って、例えば、クロック
周波数が１００ＭＨｚのケーブルとクロック周波数が２
００ＭＨｚのケーブルとに同一の低ＥＭＩケーブルコネ
クタを使用することができることになる。

【０１３８】なお、この第３の実施形態においても、図
４で示したように、２段構造とし、夫々に短絡板の着脱
ができるようにすることができる。

【０１３９】図１１は本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタの第４の実施形態を示す縦断面図であって、２
３'は有底円筒部、２３ｂ'は誘電体部、２６は中心軸で
あり、前出図面に対応する部分には同一符号を付けてい
る。

【０１４０】先の実施形態では、複数の有底円筒部を設
ける場合、これらをベース円筒部２１に同軸状に配置し
たが、この第４の実施形態では、図１１に示すように、
ベース円筒部２１にその中心軸２６に沿って配置するも
のである。

【０１４１】ここで、有底円筒部２２では、基本周波数
をｆ₀としたとき、この基本周波数ｆ₀を含めて、その奇
数倍の周波数で共振し、その共振周波数でインピーダン
スＺ₀₁がほぼ無限大になるものであり、これに対し、有
底円筒部２３’では、この有底円筒部２２での共振周波
数の２倍の周波数で共振し、この共振周波数でインピー
ダンスＺ₀₂がほぼ無限大となるものである。

【０１４２】かかる構成によると、図４〜図８で示した
第１の実施形態と同様の効果が得られるが、さらに、次
のような効果も得られる。即ち、有底円筒部２２が短絡
終端部２２ａによって電気的に短絡されていても、構造
的に短絡終端部２２ａで隙間がある場合がある。

【０１４３】いま、有底円筒部２２での共振周波数をｆ
_A（＝（２ｎ−１)・ｆ₀）とすると、誘電体部２２ｂを内
蔵した有底円筒部２２は周波数ｆ_Aの電流に対しては、
短絡終端線路となるが、有底円筒部２３’の共振周波数
ｆ_B（＝２ｆ_A）に等しい周波数の電流などの周波数ｆ_A
とは異なる周波数の電流ｉ_Bは、有底円筒部２２の短絡
終端部２２ａで構造的に隙間があるから、この隙間から
漏れてしまう。図４に示した低ＥＭＩケーブルコネクタ
では、かかる漏れ電流ｉ_Bを抑圧することができない。

【０１４４】図１１に示す実施形態では、かかる漏れ電
流ｉ_Bは次の有底円筒部２３’に流れ込み、ここで、周
波数ｆ_Bの電流をほとんど０に抑圧することができる。

【０１４５】図１２は本発明による低ＥＭＩケーブルコ
ネクタの第５の実施形態を示す縦断面図であって、２
２’，２３”は有底円筒部、２２ｂ’，２３ｂ”は誘電
体部、２６は中心軸であり、前出図面に対応する部分に
は同一符号を付けている。

【０１４６】この第５の実施形態は、短絡終端部がない
円筒部２２’，２３”をベース円筒部２１にその中心軸
２６に沿って配置したものである。

【０１４７】図１０で説明したように、かかる開放端の
円筒部２２',２３'による伝送線路では、夫々の長さを
ｌ₁,ｌ₂とすると、夫々ｌ₁／２＝λ／４を満たす周波数
ｆ_A’の奇数倍の周波数，ｌ₂／２＝λ'／４を満たす周
波数ｆ_B'の奇数倍の周波数で共振し、夫々インピーダン
スがほぼ無限大となる。従って、かかる周波数ｆ_A’，
ｆ_B’の周波数の電流ｉ_A，ｉ_Bが円筒部２２’に流れ込
むと、この周波数ｆ_A’の電流ｉ_Aはほとんど０に抑圧さ
れるが、周波数ｆ_B’の電流ｉ_Bはそのまま円筒部２２'
内を通過してします。

【０１４８】しかしながら、この円筒部２２’を通過し
た電流ｉ_Bは円筒部２３”に供給され、ここでほとんど
０に抑圧される。

【０１４９】このようにして、この実施形態では、伝送
線路で異なるｆ_A’，ｆ_B’という周波数の不要輻射を発
生する場合でも、これらの発生を効果的に抑圧すること
ができる。

【０１５０】なお、以上説明した実施形態では、伝送線
路として同軸ケーブルの場合について説明したが、本発
明は、これに限るものではないことはあきらかである。

【０１５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による低Ｅ
ＭＩ回路基板によると、低ＥＭＩ回路基板において、高
損失なシールド構造を形成することにより、ディファレ
ンシャルモードの輻射（放射）の抑制，除去及び同時に
発生する高周波の共振電流によるコモンモードの輻射の
抑制，除去を効果的に実現することができる。

【０１５２】また、本発明による低ＥＭＩケーブルコネ
クタによると、小形軽量で簡単な構成でもって、ケーブ
ルから不要輻射を発生される電流を、従来のフェライト
コアを用いたものに比べて、充分効果的に抑圧すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による低ＥＭＩ回路基板の一実施形態を
示す断面図である。

【図２】図１におけるグランド層や電源層での損失層の
形成位置を示す図である。

【図３】本発明による低ＥＭＩ回路基板の一実施形態を
示す断面図である。

【図４】本発明による低ＥＭＩケーブルコネクタの一実
施形態を示す断面図である。

【図５】図４に示した低ＥＭＩケーブルコネクタのイン
ピーダンス特性図である。

【図６】図４に示した低ＥＭＩケーブルコネクタの送端
装置側の取付け状態とその作用を示す断面図である。

【図７】図６に示した取付け状態での等価回路を示す回
路図である。

【図８】図４に示した低ＥＭＩケーブルコネクタの低Ｅ
ＭＩ回路基板側の取付け状態とその作用を示す断面図で
ある。

【図９】本発明による低ＥＭＩケーブルコネクタの他の
実施形態を示す断面図である。

【図１０】本発明による低ＥＭＩケーブルコネクタのさ
らに他の実施形態を示す断面図である。

【図１１】本発明による低ＥＭＩケーブルコネクタのさ
らに他の実施形態を示す断面図である。

【図１２】本発明による低ＥＭＩケーブルコネクタのさ
らに他の実施形態を示す断面図である。

【図１３】伝送ケーブルからの不要輻射の発生の説明図
である。

【符号の説明】

１多層回路基板２グランド層２ａ損失層３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ電源層４信号ライン層５スルーホール６ａ〜６ｎ，６ｐ〜６ｒ電極パターン７ハンダ８ＬＳＩ素子９ＩＣ素子１０整合終端抵抗素子１１抵抗素子１２シールド板１３導電箔１４損失層１５，１６絶縁層１７，１８誘電体層１９グランド層２０抵抗素子２１ベース円筒部２１ａ雌ねじ部２１ｂハンダ付け部２２有底円筒部２２’ 円筒部２２ａ短絡終端部２２ａ’ 短絡板２２ｂ，２２ｂ’ 誘電体部２２ｃ整合終端抵抗２３，２３’ 有底円筒部２３” 円筒部２３ａ短絡終端部２３ｂ，２３ｂ’ 誘電体部２４，２５短絡終端線路２６中心軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板内に電源層やグランド層，信号ライ
ン層が設けられ、基板表面に信号ライン層設けられて回
路素子が搭載された低ＥＭＩ回路基板において、該搭載部品を含めて該基板表面全体を覆い、かつ該グラ
ンド層に電気的に接続されたシールド板を設けたことを
特徴とする低ＥＭＩ回路基板。
【請求項２】請求項１に記載の低ＥＭＩ回路基板にお
いて、前記シールド板は、少なくとも一方の表面に損失層が設
けられた導電層からなることを特徴とする低ＥＭＩ回路
基板。
【請求項３】請求項１または２に記載の低ＥＭＩ回路
基板において、前記シールド板は、前記グランド層との間で平行板線路
をなしていることを特徴とする低ＥＭＩ回路基板。
【請求項４】請求項１，２または３に記載の低ＥＭＩ
回路基板において、前記シールド板は、基板周辺全体にわたって前記グラン
ド層と多点接続されていることを特徴とする低ＥＭＩ回
路基板。
【請求項５】請求項１，２，３または４に記載の低Ｅ
ＭＩ回路基板において、前記シールド板は、基板周辺部で整合終端抵抗を介して
前記グランド層と接続されていることを特徴とする低Ｅ
ＭＩ回路基板。
【請求項６】請求項１，２，３，４または５に記載の
低ＥＭＩ回路基板において、前記シールド板は、ＬＳＩ素子や駆動ＩＣ素子などの高
速動作する前記搭載部品の周りで前記グランド層と多点
接続されていることを特徴とする低ＥＭＩ回路基板。
【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６に記
載の低ＥＭＩ回路基板において、前記グランド層及び前記電源層の少なくとも一方の表面
での基板周辺部分に損失層を設けたことを特徴とする低
ＥＭＩ回路基板。
【請求項８】装置間を接続する伝送ケーブルに取り付
けられる低ＥＭＩケーブルコネクタであって、該伝送ケーブルの全周を囲う誘電体部を内面に設けたｎ
個（但し、ｎ＝１，２，……）の筒状体からなり、該筒状体の終端側に該伝送ケーブルの全周を囲う短絡部
材を設けて短絡終端線路を形成し、該短絡終端線路の共振周波数を該伝送ケーブルの共振周
波数と等しくなるように構成したことを特徴とする低Ｅ
ＭＩケーブルコネクタ。
【請求項９】請求項８に記載の低ＥＭＩケーブルコネ
クタにおいて、ｉ番目（但し、ｉ＝１，２，……，ｎ）の前記筒状体の
長さｌ_iは、【数１】であることを特徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１０】請求項８または９に記載の低ＥＭＩケ
ーブルコネクタにおいて、前記有底円筒部の終端側に整合終端抵抗値の抵抗体を設
けたことを特徴とする低ＥＭＩケーブルコルクタ。
【請求項１１】請求項８または９に記載の低ＥＭＩケ
ーブルコネクタにおいて、複数個の前記筒状体は同軸状に配置されていることを特
徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１２】請求項８，９，１０または１１に記載
の低ＥＭＩケーブルコネクタにおいて、前記短絡部材が着脱可能に構成したことを特徴とする低
ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１３】請求項８または９に記載の低ＥＭＩケ
ーブルコネクタにおいて、複数個の前記筒状体は、中心軸を共通にして、かつ該中
心軸に沿って配置されていることを特徴とする低ＥＭＩ
ケーブルコネクタ。
【請求項１４】請求項８〜１３のいずれか１つに記載
の低ＥＭＩケーブルコネクタにおいて、前記筒状体は、夫々中心軸の方向の位置調整が可能に構
成したことを特徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１５】装置間を接続する伝送ケーブルに取り
付けられる低ＥＭＩケーブルコネクタであって、該伝送ケーブルの全周を囲う誘電体部を内面に設けた筒
状体をなし、該筒状体の終端側に整合終端抵抗となる抵抗体を設けて
なることを特徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１６】装置間を接続する伝送ケーブルに取り
付けられる低ＥＭＩケーブルコネクタであって、該伝送ケーブルの全周を囲う誘電体部を内面に設けたｎ
個（但し、ｎ＝１，２，……）の筒状体からなり、該筒状体の終端側を開放端として開放終端線路を形成
し、該短絡終端線路の共振周波数を該伝送ケーブルの共振周
波数と等しくなるように構成したことを特徴とする低Ｅ
ＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１７】請求項１６に記載の低ＥＭＩケーブル
コネクタにおいて、ｉ番目（但し、ｉ＝１，２，……，ｎ）の前記筒状体の
長さｌ_iは、【数２】であることを特徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項１８】請求項１６または１７に記載の低ＥＭ
Ｉケーブルコネクタにおいて、複数個の前記筒状体は、中心軸を共通にして、かつ該中
心軸に沿って配置されていることを特徴とする低ＥＭＩ
ケーブルコネクタ。
【請求項１９】請求項１６，１７または１８に記載の
低ＥＭＩケーブルコネクタにおいて、前記筒状体は、夫々中心軸の方向の位置調整が可能に構
成したことを特徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。
【請求項２０】請求項８〜１９のいずれか１つに記載
の低ＥＭＩケーブルコネクタにおいて、前記誘電体部の誘電率がほぼ３００以上であることを特
徴とする低ＥＭＩケーブルコネクタ。