JPH10280138A - 高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH10280138A JPH10280138A JP9090460A JP9046097A JPH10280138A JP H10280138 A JPH10280138 A JP H10280138A JP 9090460 A JP9090460 A JP 9090460A JP 9046097 A JP9046097 A JP 9046097A JP H10280138 A JPH10280138 A JP H10280138A
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- zinc sulfide
- powder
- protective film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ビームを用いて情報の記録および消去を行
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる高
強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲ
ットを提供する。 【解決手段】平均粒径：１０〜１００μｍの二酸化ケイ
素粉末２の表面に二酸化ケイ素粉末２の平均粒径の３〜
２０％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜５を被覆してな
る二酸化ケイ素複合粉末４が、１０〜３０ｖｏｌ％の割
合で硫化亜鉛の素地１中に均一分散している組織を有す
る
う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜を形
成するための硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる高
強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲ
ットを提供する。 【解決手段】平均粒径：１０〜１００μｍの二酸化ケイ
素粉末２の表面に二酸化ケイ素粉末２の平均粒径の３〜
２０％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜５を被覆してな
る二酸化ケイ素複合粉末４が、１０〜３０ｖｏｌ％の割
合で硫化亜鉛の素地１中に均一分散している組織を有す
る
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリング時にクラック
が発生することのない高強度スパッタリングターゲット
に関するものである。
て情報の記録および消去を行う光ディスクなどの光メデ
ィアに用いられる保護膜を形成するための硫化亜鉛−二
酸化ケイ素焼結体からなるスパッタリング時にクラック
が発生することのない高強度スパッタリングターゲット
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビームを用いて情報の記録および消去
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛の焼結体からなるスパ
ッタリングターゲットは知られている（特開平６−６５
７２５号公報参照）。この従来の光記録保護膜形成用ス
パッタリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％
以上を有し、平均粒径：５μｍ以下を有する微細な硫化
亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上を有
し、平均粒径：１０〜１００μｍを有する二酸化ケイ素
粉末を１０〜３０ｖｏｌ％添加し、均一に混合して得ら
れた混合粉末を加圧焼結（ホットプレス）することによ
り製造することも知られている。
を行う光ディスクなどの光メディアに用いられる保護膜
を形成するためのスパッタリングターゲットとして、純
度：９９．９９９重量％以上の二酸化ケイ素と純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛の焼結体からなるスパ
ッタリングターゲットは知られている（特開平６−６５
７２５号公報参照）。この従来の光記録保護膜形成用ス
パッタリングターゲットは、純度：９９．９９９重量％
以上を有し、平均粒径：５μｍ以下を有する微細な硫化
亜鉛粉末に対し、純度：９９．９９９重量％以上を有
し、平均粒径：１０〜１００μｍを有する二酸化ケイ素
粉末を１０〜３０ｖｏｌ％添加し、均一に混合して得ら
れた混合粉末を加圧焼結（ホットプレス）することによ
り製造することも知られている。
【０００３】このようにして得られた従来の光記録保護
膜形成用スパッタリングターゲットの顕微鏡組織を図２
に示す。図２の組織図に示されるように、従来の光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットは平均粒径：５
μｍ以下の微細な硫化亜鉛粉末の焼結体からなる素地１
中に、平均粒径：１０〜１００μｍを有する二酸化ケイ
素粉末２が均一分散している組織を有しており、この従
来の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットのス
パッタ中に発生するクラック３は、図２に示されるよう
に、二酸化ケイ素粉末２と他の二酸化ケイ素粉末２の間
を伝播し、ターゲットに割れが発生すると言われてい
る。
膜形成用スパッタリングターゲットの顕微鏡組織を図２
に示す。図２の組織図に示されるように、従来の光記録
保護膜形成用スパッタリングターゲットは平均粒径：５
μｍ以下の微細な硫化亜鉛粉末の焼結体からなる素地１
中に、平均粒径：１０〜１００μｍを有する二酸化ケイ
素粉末２が均一分散している組織を有しており、この従
来の光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットのス
パッタ中に発生するクラック３は、図２に示されるよう
に、二酸化ケイ素粉末２と他の二酸化ケイ素粉末２の間
を伝播し、ターゲットに割れが発生すると言われてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、光記録保護膜の
成膜速度の改善に対する要求は益々厳しく、特にスパッ
タリングによる成膜速度を早めてもスパッタリング中に
クラックが発生しない高強度を有するターゲットが求め
られているが、未だスパッタリング時にクラックが発生
しない高強度を有するターゲットは得られていない。
成膜速度の改善に対する要求は益々厳しく、特にスパッ
タリングによる成膜速度を早めてもスパッタリング中に
クラックが発生しない高強度を有するターゲットが求め
られているが、未だスパッタリング時にクラックが発生
しない高強度を有するターゲットは得られていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、スパッタ
リング中にクラックが発生することのない高強度スパッ
タリングターゲットを得るべく研究を行なった結果、光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットの組織を、
図１に示されるように、硫化亜鉛の素地１中に二酸化ケ
イ素粉末２の表面に硫化亜鉛膜５を被覆した二酸化ケイ
素複合粉末４を均一分散させた組織にすると、クラック
３の伝播は二酸化ケイ素複合粉末４の硫化亜鉛皮膜５に
より阻止されるために、スパッタリング時にクラックが
発生したとしてもクラックはこれ以上に伝播することが
なく、従って、スパッタリング時にターゲットが割れる
ことはなく、さらにターゲット自体の強度も向上すると
いう知見を得たのである。
リング中にクラックが発生することのない高強度スパッ
タリングターゲットを得るべく研究を行なった結果、光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットの組織を、
図１に示されるように、硫化亜鉛の素地１中に二酸化ケ
イ素粉末２の表面に硫化亜鉛膜５を被覆した二酸化ケイ
素複合粉末４を均一分散させた組織にすると、クラック
３の伝播は二酸化ケイ素複合粉末４の硫化亜鉛皮膜５に
より阻止されるために、スパッタリング時にクラックが
発生したとしてもクラックはこれ以上に伝播することが
なく、従って、スパッタリング時にターゲットが割れる
ことはなく、さらにターゲット自体の強度も向上すると
いう知見を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）二酸化ケイ素粉末の表面に硫化
亜鉛皮膜を被覆してなる二酸化ケイ素複合粉末が硫化亜
鉛の素地中に均一に分散している組織を有する高強度を
有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、
に特徴を有するものである。
たものであって、（１）二酸化ケイ素粉末の表面に硫化
亜鉛皮膜を被覆してなる二酸化ケイ素複合粉末が硫化亜
鉛の素地中に均一に分散している組織を有する高強度を
有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット、
に特徴を有するものである。
【０００７】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットの硫化亜鉛の素地中に均一分散している
二酸化ケイ素複合粉末は、平均粒径：１０〜１００μｍ
の二酸化ケイ素粉末の表面に二酸化ケイ素粉末の平均粒
径の３〜２０％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜を被覆
してなる複合粉末であることが好ましい。したがって、
この発明は、平均粒径：１０〜１００μｍの二酸化ケイ
素粉末の表面に二酸化ケイ素粉末の平均粒径の３〜２０
％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜を被覆してなる二酸
化ケイ素複合粉末が、硫化亜鉛の素地中に均一分散して
いる組織を有する高強度を有する光記録保護膜形成用ス
パッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
ングターゲットの硫化亜鉛の素地中に均一分散している
二酸化ケイ素複合粉末は、平均粒径：１０〜１００μｍ
の二酸化ケイ素粉末の表面に二酸化ケイ素粉末の平均粒
径の３〜２０％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜を被覆
してなる複合粉末であることが好ましい。したがって、
この発明は、平均粒径：１０〜１００μｍの二酸化ケイ
素粉末の表面に二酸化ケイ素粉末の平均粒径の３〜２０
％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜を被覆してなる二酸
化ケイ素複合粉末が、硫化亜鉛の素地中に均一分散して
いる組織を有する高強度を有する光記録保護膜形成用ス
パッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００８】前記二酸化ケイ素複合粉末は、硫化亜鉛の
素地中に１０〜３０ｖｏｌ％の割合で均一分散している
ことが好ましい。したがって、この発明は、平均粒径：
１０〜１００μｍの二酸化ケイ素粉末の表面に二酸化ケ
イ素粉末の平均粒径の３〜２０％の平均厚さを有する硫
化亜鉛皮膜で被覆されている二酸化ケイ素複合粉末が１
０〜３０ｖｏｌ％の割合で硫化亜鉛の素地中に均一分散
している高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲット、に特徴を有するものである。
素地中に１０〜３０ｖｏｌ％の割合で均一分散している
ことが好ましい。したがって、この発明は、平均粒径：
１０〜１００μｍの二酸化ケイ素粉末の表面に二酸化ケ
イ素粉末の平均粒径の３〜２０％の平均厚さを有する硫
化亜鉛皮膜で被覆されている二酸化ケイ素複合粉末が１
０〜３０ｖｏｌ％の割合で硫化亜鉛の素地中に均一分散
している高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００９】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリ
ングターゲットは、平均粒径：５μｍ以下で純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛粉末に対し、平均粒
径：１０〜１００μｍを有する純度：９９．９９９重量
％以上の二酸化ケイ素粉末の表面に硫化亜鉛皮膜を形成
してなる二酸化ケイ素複合粉末を１０〜３０ｖｏｌ％添
加し、これらを均一に混合し、得られた混合粉末をホッ
トプレスすることにより製造する。前記二酸化ケイ素粉
末の表面に硫化亜鉛皮膜を形成してなる二酸化ケイ素複
合粉末は、スパッタリング、メカニカルアロイング、メ
ッキなどの手段により製造することができる。
ングターゲットは、平均粒径：５μｍ以下で純度：９
９．９９９重量％以上の硫化亜鉛粉末に対し、平均粒
径：１０〜１００μｍを有する純度：９９．９９９重量
％以上の二酸化ケイ素粉末の表面に硫化亜鉛皮膜を形成
してなる二酸化ケイ素複合粉末を１０〜３０ｖｏｌ％添
加し、これらを均一に混合し、得られた混合粉末をホッ
トプレスすることにより製造する。前記二酸化ケイ素粉
末の表面に硫化亜鉛皮膜を形成してなる二酸化ケイ素複
合粉末は、スパッタリング、メカニカルアロイング、メ
ッキなどの手段により製造することができる。
【００１０】得られた混合粉末を、真空雰囲気中、圧
力：１５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度：１０００〜
１１５０℃（好ましくは、１０００〜１１００℃）、２
〜１２時間保持の条件でホットプレスすることにより光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造す
る。
力：１５０〜２００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度：１０００〜
１１５０℃（好ましくは、１０００〜１１００℃）、２
〜１２時間保持の条件でホットプレスすることにより光
記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造す
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】平均粒径：５μｍで純度：９９．
９９９重量％以上のＺｎＳ粉末および平均粒径：３０μ
ｍで純度：９９．９９９重量％以上のＳｉＯ2 粉末を用
意し、ＺｎＳ粉末およびＳｉＯ2 粉末をボールミルに装
入し、ボールミルを回転してメカニカルアロイングする
ことによりＳｉＯ2 粉末の表面に表１に示される厚さの
異なるＺｎＳ皮膜を形成し、表面にＺｎＳ皮膜を有する
ＳｉＯ2 複合粉末を製造した。なお、表面に形成するＺ
ｎＳ皮膜の厚さは撹拌時間を変えることにより調整し、
このようにして得られたＳｉＯ2 複合粉末のＺｎＳ皮膜
の厚さはメカニカルアロイングによる被覆前後の粉末の
重量変化から求め、ＳｉＯ2 粉末の平均粒径（Ｌ）に対
するＺｎＳ皮膜の厚さ（ｌ）の比率（ｌ／Ｌ×１００
％）を求めた。
９９９重量％以上のＺｎＳ粉末および平均粒径：３０μ
ｍで純度：９９．９９９重量％以上のＳｉＯ2 粉末を用
意し、ＺｎＳ粉末およびＳｉＯ2 粉末をボールミルに装
入し、ボールミルを回転してメカニカルアロイングする
ことによりＳｉＯ2 粉末の表面に表１に示される厚さの
異なるＺｎＳ皮膜を形成し、表面にＺｎＳ皮膜を有する
ＳｉＯ2 複合粉末を製造した。なお、表面に形成するＺ
ｎＳ皮膜の厚さは撹拌時間を変えることにより調整し、
このようにして得られたＳｉＯ2 複合粉末のＺｎＳ皮膜
の厚さはメカニカルアロイングによる被覆前後の粉末の
重量変化から求め、ＳｉＯ2 粉末の平均粒径（Ｌ）に対
するＺｎＳ皮膜の厚さ（ｌ）の比率（ｌ／Ｌ×１００
％）を求めた。
【００１２】これらＳｉＯ2 複合粉末をＺｎＳ粉末に対
して表１に示される割合に配合し、混合し、得られた混
合粉末を真空雰囲気中において圧力：２００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、温度：１０００℃、２時間保持の条件でホットプ
レスすることにより、直径：８インチ、厚さ：６ｍｍの
寸法を有する本発明光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜８お
よび比較光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
（以下、比較ターゲットという）１〜２を作製した。さ
らにＳｉＯ2 粉末をＺｎＳ粉末に対して表１に示される
割合に配合し、混合し、得られた混合粉末を真空雰囲気
中において圧力：２００ｋｇｆ／ｃｍ2、温度：１００
０℃、２時間保持の条件でホットプレスすることによ
り、直径：８インチ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する従来
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット（以下、
従来ターゲットという）を作製した。
して表１に示される割合に配合し、混合し、得られた混
合粉末を真空雰囲気中において圧力：２００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2、温度：１０００℃、２時間保持の条件でホットプ
レスすることにより、直径：８インチ、厚さ：６ｍｍの
寸法を有する本発明光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲット（以下、本発明ターゲットという）１〜８お
よび比較光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
（以下、比較ターゲットという）１〜２を作製した。さ
らにＳｉＯ2 粉末をＺｎＳ粉末に対して表１に示される
割合に配合し、混合し、得られた混合粉末を真空雰囲気
中において圧力：２００ｋｇｆ／ｃｍ2、温度：１００
０℃、２時間保持の条件でホットプレスすることによ
り、直径：８インチ、厚さ：６ｍｍの寸法を有する従来
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット（以下、
従来ターゲットという）を作製した。
【００１３】得られた本発明ターゲット１〜８、比較タ
ーゲット１〜２および従来ターゲットから縦：５ｍｍ、
横：５ｍｍ、長さ：４０ｍｍの寸法を有する試験片を作
製し、両支点間の距離を３０ｍｍとし、両支点間の中央
から荷重をかけて試験片が折損した荷重を抗折強度とし
て測定し、その結果を表１に示した。
ーゲット１〜２および従来ターゲットから縦：５ｍｍ、
横：５ｍｍ、長さ：４０ｍｍの寸法を有する試験片を作
製し、両支点間の距離を３０ｍｍとし、両支点間の中央
から荷重をかけて試験片が折損した荷重を抗折強度とし
て測定し、その結果を表１に示した。
【００１４】さらに本発明ターゲット１〜８、比較ター
ゲット１〜２および従来ターゲットを銅製の冷却用バッ
キングプレートにハンダ付けし、これを高周波マグネト
ロンスパッタリング装置にセットし、スパッタガス：Ａ
ｒ、スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ
時間：１０分間、電力：６ＫＷの条件でスパッタを行
い、スパッタ終了後のターゲットの割れの有無を観察
し、その結果を表１に示した。
ゲット１〜２および従来ターゲットを銅製の冷却用バッ
キングプレートにハンダ付けし、これを高周波マグネト
ロンスパッタリング装置にセットし、スパッタガス：Ａ
ｒ、スパッタガス圧力：５×１０-3Ｔｏｒｒ、スパッタ
時間：１０分間、電力：６ＫＷの条件でスパッタを行
い、スパッタ終了後のターゲットの割れの有無を観察
し、その結果を表１に示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１に示される結果から、６ＫＷの高出力
をかけてスパッタリングを行った場合、本発明ターゲッ
ト１〜８は従来ターゲットに比べていずれも抗折強度が
高く、さらに割れがないことが分かる。また、ＳｉＯ2
粉末の直径に対するＺｎＳ皮膜の厚さの比率がこの発明
の条件から外れたＳｉＯ2 複合粉末を使用して作製した
比較ターゲット１〜２は、割れが発生するかまたはター
ゲット自体の強度が十分に得られないことが分かる。
をかけてスパッタリングを行った場合、本発明ターゲッ
ト１〜８は従来ターゲットに比べていずれも抗折強度が
高く、さらに割れがないことが分かる。また、ＳｉＯ2
粉末の直径に対するＺｎＳ皮膜の厚さの比率がこの発明
の条件から外れたＳｉＯ2 複合粉末を使用して作製した
比較ターゲット１〜２は、割れが発生するかまたはター
ゲット自体の強度が十分に得られないことが分かる。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、この発明の光記録保護膜
形成用スパッタリングターゲットは、抗折強度が優れ、
さらに高出力スパッタリングを行っても発生するクラッ
クの伝播がないところから、スパッタリング時に割れる
ことのない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することができるので、光メディア産業の発展
に大いに貢献し得るものである。
形成用スパッタリングターゲットは、抗折強度が優れ、
さらに高出力スパッタリングを行っても発生するクラッ
クの伝播がないところから、スパッタリング時に割れる
ことのない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲッ
トを提供することができるので、光メディア産業の発展
に大いに貢献し得るものである。
【図１】この発明の光記録保護膜形成用スパッタリング
ターゲットの組織の概略説明図である。
ターゲットの組織の概略説明図である。
【図２】従来の光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲットの組織の概略説明図である。
ゲットの組織の概略説明図である。
１ 素地、 ２ 二酸化ケイ素粉末、 ３ クラック、 ４ 二酸化ケイ素複合粉末、 ５ 硫化亜鉛皮膜、
Claims (3)
- 【請求項１】 二酸化ケイ素粉末の表面に硫化亜鉛皮膜
を被覆してなる二酸化ケイ素複合粉末が、硫化亜鉛の素
地中に均一分散している組織を有することを特徴とする
高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングター
ゲット。 - 【請求項２】 平均粒径：１０〜１００μｍの二酸化ケ
イ素粉末の表面に該二酸化ケイ素粉末の平均粒径の３〜
２０％の平均厚さを有する硫化亜鉛皮膜を被覆してなる
二酸化ケイ素複合粉末が、硫化亜鉛の素地中に均一分散
している組織を有することを特徴とする高強度を有する
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】 前記二酸化ケイ素複合粉末は１０〜３０
ｖｏｌ％の割合で硫化亜鉛の素地中に均一分散している
組織を有することを特徴とする請求項１または２記載の
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090460A JPH10280138A (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9090460A JPH10280138A (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10280138A true JPH10280138A (ja) | 1998-10-20 |
Family
ID=13999232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9090460A Withdrawn JPH10280138A (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 高強度を有する光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10280138A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1008670A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-14 | Japan Energy Corporation | Sputtering target for forming optical disk protective film |
| KR100745745B1 (ko) | 2006-02-21 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노복합재료 및 그 제조방법 |
| JP2007211345A (ja) * | 1998-12-07 | 2007-08-23 | Nikko Kinzoku Kk | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
-
1997
- 1997-04-09 JP JP9090460A patent/JPH10280138A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1008670A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-14 | Japan Energy Corporation | Sputtering target for forming optical disk protective film |
| JP2007211345A (ja) * | 1998-12-07 | 2007-08-23 | Nikko Kinzoku Kk | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット |
| KR100745745B1 (ko) | 2006-02-21 | 2007-08-02 | 삼성전기주식회사 | 나노복합재료 및 그 제조방법 |
| US7611750B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanocomposite material and method of manufacturing the same comprising forming an inorganic matrix by sol-gel reaction |
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