JPH10284292A - プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、半導体装置の製造方法及び電界強度分布制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空容器に導入されるマイクロ波の電界強度
分布を容易且つ正確に制御すること。 【解決手段】 真空容器（１２，１４）に導入されるマ
イクロ波の通過範囲を規制する複数の開口部（５２ａ，
５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）の各々に対してマイクロ波を
別々に導いている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や半導体
素子の製造工程におけるエッチングや薄膜形成等の処理
をプラズマを利用して行うプラズマ処理技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ処理装置においては、微量の反
応ガスを含む真空容器内にマイクロ波を導入し、当該真
空容器内でガス放電を生起させてプラズマを生成する。
そして、このプラズマを試料基板の表面に照射すること
によって、エッチング及び薄膜形成等の処理が行われ
る。このようなプラズマ処理装置は、高集積半導体素子
の製造に欠かせないものとして、その研究が進められて
いる。特に、プラズマの励起に電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonace）を利用した
ＥＣＲプラズマ処理装置は、低ガス圧領域下で活性度の
高いプラズマを生成できる装置として有望視されてい
る。

【０００３】ところで、プラズマ処理装置における処理
品質の向上のためには、プラズマが試料の全範囲にわた
って均等な密度を有することが重要である。特に、近年
開発の進んでいる直径３００ｍｍの半導体ウエハのよう
に試料の処理面積が大きくなると、その試料上における
プラズマ（特にイオン）の強度分布を均一に保つことが
今まで以上に重要となる。仮に、真空容器内で生成され
るプラズマ粒子の分布が不均一であると、試料上におい
て高イオン密度領域と低イオン密度領域とが形成され、
エッチング処理においては、異方性を悪化させる等の不
都合が生じる。また、試料上で電位差が生じて電流が流
れ、当該試料上に形成される半導体素子を破壊するとい
う事態も生じかねない。一方、ＣＶＤ処理においては、
半導体基板等の試料上のイオン電流密度が不均一である
と、当該基板上に生成される膜厚の偏りなどが生じて均
一な成膜が困難になる。そして、最終的にはプラズマ処
理を経て製造される半導体装置の性能劣化につながる。

【０００４】そこで、従来においては、所定形状のスリ
ットが形成されたマイクロ波分散板を真空容器のマイク
ロ波導入側の端面に配置し、真空容器に導入されるマイ
クロ波の電界強度分布の均一化を図っていた。例えば、
特開平２−２０９４８４に開示されているように、円盤
状のマイクロ波分散板（スロット板）の一部に開口部を
形成し、当該開口部を介してマイクロ波を真空容器内に
導入するようになっている。マイクロ波が分散板に入射
すると、導体である分散板の中に電界が生じ、開口部か
らその電界が漏れ出すため、この開口部がアンテナ（所
謂スロットアンテナ）のように作用する。これによっ
て、真空容器内に導入されるマイクロ波の伝播モードや
強度分布が変化し、均一なプラズマ生成を行うことが可
能となる。

【０００５】図７は、従来のプラズマ処理装置の構成を
示す。このプラズマ処理装置は、シリコンウエハ１１０
に対してエッチング等の所定のプラズマ処理を行うもの
であり、プラズマを生成する中空円筒形状のプラズマ生
成室１１２と、プラズマ生成室１１２に連通した反応室
１１４とを備えている。プラズマ生成室１１２の上部に
は、マグネトロン等のマイクロ波発振器（図示せず）に
接続された単一の円形導波管１１６が接続されている。

【０００６】円形導波管１１６とプラズマ生成室１１２
との間には、マイクロ波分散板１１８及びマイクロ波導
入窓１２０が配置されている。マイクロ波分散板１１８
は、円盤状に成形された導体板に複数のスリット（開口
部）が形成されている。これらのスリットをマイクロ波
が透過することによって、プラズマ生成室１１２に導入
されるマイクロ波の電界強度分布の均一化が図れるよう
になっている。

【０００７】マイクロ波分散板１１８の下方に配置され
たマイクロ波導入窓１２０は、石英ガラス等のマイクロ
波透過物質からなり、プラズマ生成室１１２を気密に封
止するように設計されている。プラズマ生成室１１２の
外側には、円形導波管１１６の接続部を含み、これらを
同心円状に囲む様に３段のメインコイル１２２，１２
４，１２６が配置されている。メインコイル１２２，１
２４，１２６の下方には、１段のサブコイル１２８が配
置されている。これらのメインコイル１２２，１２４，
１２６とサブコイル１２８は、電流供給部１４０から必
要な電流の供給を受け、プラズマ生成室１１２内に磁束
密度８７５ガウス（マイクロ波周波数ｆ=２．４５ＧＨ
ｚの場合）の軸方向磁界を印加し、ＥＣＲ現象を引き起
こすようになっている。

【０００８】プラズマ生成室１１２に連通された反応室
１１４内には、静電吸着等の固定手段によってシリコン
ウエハ１１０を保持する試料台１３２が設置されてい
る。反応室１１４の側壁には、プラズマ生成室１１２及
び反応室１１４のガスを排気する排気管１３４が設けら
れており、当該排気管１３４からの真空排気によりプラ
ズマ生成室１１２と反応室１１４を高真空状態に維持で
きるようになっている。反応室１１４には、プラズマ生
成に必要な反応ガスを供給するためのガス供給管１３６
が設けられている。

【０００９】上記のような従来のプラズマ処理装置にお
いて、シリコンウエハ１１０上に形成されたポリシリコ
ン膜のエッチングを行う場合には、まず、処理対象とな
るシリコンウエハ１１０を試料台１３２上に固定する。
その後、排気管１３４からの真空排気により、プラズマ
生成室１１２及び反応室１１４の内圧を所定圧にまで減
圧する。次に、ガス供給管１３６からプラズマ生成室１
１２及び反応室１１４内に反応ガス（Ｃｌ₂）を導入
し、プラズマ生成室１１２及び反応室１１４の内圧を１
×１０^-3Torr 前後に保つ。

【００１０】その後、メインコイル１２２，１２４，１
２６及びサブコイル１２８の通電によりプラズマ生成室
１１２の内部に磁界を形成すると共に、円形導波管１１
６からマイクロ波導入窓１２０及びマイクロ波分散板１
１８を経てプラズマ生成室１１２内にマイクロ波を導入
する。プラズマ生成室１１２内にマイクロ波が導入され
ると、ＥＣＲ面２００において反応ガスを共鳴励起し、
プラズマを生成する。プラズマ生成室１１２で生成され
たプラズマは、発散磁界の作用により反応室１１４に引
き出され、試料台１３２上のシリコンウエハ１１０表面
に照射されて、エッチングが行われる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来のプ
ラズマ処理装置においては、単一のマイクロ波導波管１
１６をマイクロ波分散板１１８に接続しているため、単
一の導波管１１６内のマイクロ波の電界強度分布によっ
てマイクロ波分散板１１８の複数の開口部を通過するマ
イクロ波のパワーが決まってしまう。このため、均一な
プラズマを生成するのに最適な電界強度分布を分散板１
１８の通過後に得るためには、マイクロ波分散板１１８
のスリット形状以外に、単一の導波管１１６内の電界強
度分布を制御しなければならない。このような電界強度
分布の制御は、一般に、マイクロ波モード変換器（図示
せず）等を用いてマイクロ波の伝播モードを制御するこ
とによって行われる。しかしながら、所期の伝播モード
を偏り無く形成するためには、装置が大型化及び複雑化
するという問題があった。また、マイクロ波のモード制
御にも限界があり、モード変換器によって理想の電界強
度分布を得るのは非常に困難であった。このため、理想
の電界強度分布を得るには、マイクロ波分散板１１８の
スリットの配置や形状を極めて精密に調整する必要があ
り、非実用的であった。

【００１２】本発明は上記のような状況に鑑みてなされ
たものであり、真空容器に導入されるマイクロ波の電界
強度分布を容易且つ正確に制御できるプラズマ処理方法
を提供することを第１の目的とする。

【００１３】また、真空容器に導入されるマイクロ波の
電界強度分布を容易且つ正確に制御できるプラズマ処理
装置を提供することを本発明の第２の目的とする。

【００１４】また、真空容器に導入されるマイクロ波の
電界強度分布を容易且つ正確に制御することにより、品
質の高い半導体装置の製造に寄与し得る半導体装置の製
造方法を提供することを本発明の第３の目的とする。

【００１５】更に、真空容器に導入されるマイクロ波の
電界強度分布を容易且つ正確に制御できる電界強度分布
制御装置を提供することを本発明の第４の目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の態様は、複数の開口部（５２ａ，５
２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）によって通過範囲を規制された
マイクロ波を真空容器（１２，１４）内に導入し、当該
マイクロ波によって生成されるプラズマを用いて真空容
器（１２，１４）内に配置された試料（１０）に対して
所定の処理を施すプラズマ処理方法において、複数の開
口部（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）の各々に対し
てマイクロ波を別々に導いている。

【００１７】本発明の第２の態様は、マイクロ波の通過
範囲を規制する複数の開口部（５２ａ，５２ｂ，５２
ｃ，５２ｄ）を有するマイクロ波分散板（４８）を備
え、当該分散板（４８）を介して真空容器（１２，１
４）に導入されるマイクロ波によって生成されるプラズ
マを用いて真空容器（１２，１４）内に配置された試料
（１０）に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置に
おいて、マイクロ波分散板（４８）の複数の開口部（５
２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）の各々に対してマイク
ロ波を別々に導く複数の導波管（４６ａ，４６ｂ，４６
ｃ，４６ｄ）を備えている。

【００１８】本発明の第３の態様は、複数の開口部（５
２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）によって通過範囲を規
制されたマイクロ波を真空容器（１２，１４）内に導入
し、当該マイクロ波によって生成されるプラズマを用い
て真空容器（１２，１４）内に配置された半導体基板
（１０）に対して所定の処理を施すプラズマ処理工程を
含む半導体装置の製造方法において、複数の開口部（５
２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）の各々に対してマイク
ロ波を別々に導いている。

【００１９】本発明の第４の態様は、真空容器（１２，
１４）内に導入されたマイクロ波によって生成されるプ
ラズマを用いて真空容器（１２，１４）内に配置された
試料（１０）に対して所定の処理を施すプラズマ処理装
置に使用され、真空容器（１２，１４）内に導かれるマ
イクロ波の電界強度分布を制御する電界強度分布制御装
置において、真空容器（１２，１４）に導入されるマイ
クロ波の通過範囲を規制する複数の開口部（５２ａ，５
２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）を有するマイクロ波分散板（４
８）を備える。また、マイクロ波分散板（４８）の複数
の開口部（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）の各々に
対してマイクロ波を別々に導く複数の導波管（４６ａ，
４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ）を備える。更に、複数の導波
管（４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ）内を進行するマ
イクロ波のパワーを各々独立に制御する制御手段（４４
ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ）とを備えている。

【００２０】

【作用】以上のように、本発明においては、真空容器
（１２，１４）に導入されるマイクロ波の通過範囲を規
制する複数の開口部（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２
ｄ）の各々に対してマイクロ波を別々に導いているた
め、各開口部（５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ）に導
かれるマイクロ波のパワーを独立に制御することが可能
となり、真空容器（１２，１４）に導入されるマイクロ
波の電界強度分布を制御するためにモード変換器等の複
雑な構成を採る必要がなく、また、分散板の開口部の加
工精度等に依存することもない。このため、真空容器
（１２，１４）に導入されるマイクロ波の電界強度分布
を極めて容易且つ正確に制御することが可能となる。そ
の結果、上記のようなプラズマ処理工程を含む半導体装
置の製造方法の簡略化、及び製造される半導体装置自体
の品質向上に貢献することになる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て実施例を用いて説明する。本実施例は、半導体装置の
製造工程の一部であるシリコンウエハのプラズマ処理に
本発明の技術的思想を適用したものである。

【００２２】

【実施例】図１は、本発明の第１実施例にかかるプラズ
マ処理装置の構成を示す。本実施例のプラズマ処理装置
は、直径３００ｍｍのシリコンウエハ１０に対してエッ
チング等の所定のプラズマ処理を行うものであり、プラ
ズマを生成する中空円筒形状のプラズマ生成室１２と、
プラズマ生成室１２に連通した反応室１４とを備えてい
る。本装置で処理される試料としては、直径３００ｍｍ
のシリコンウエハ１０以外にも直径２００ｍｍのウエハ
やＬＣＤ用ガラス基板等、均一なプラズマ処理が要求さ
れる各種の試料を対象とすることが出来る。

【００２３】プラズマ生成室１２の上部には、当該プラ
ズマ生成室１２に導入されるマイクロ波の電界強度分布
を制御するマイクロ波調整部４２が設けられている。マ
イクロ波調整部４２を構成する矩形導波管４６ａ，４６
ｂ，４６ｃ，４６ｄ（図２参照）には、マイクロ波のパ
ワーを各々独立に制御するパワー調整機構４４ａ，４４
ｂ，４４ｃ，４４ｄが接続されている。なお、マイクロ
波調整部４２の詳細については後述する。マイクロ波調
整部４２とプラズマ生成室１２との間には、石英ガラス
等のマイクロ波透過物質からなり、プラズマ生成室１２
を気密に封止するように設計されたマイクロ波導入窓２
０が配置されている。

【００２４】プラズマ生成室１２の外周には、３段のメ
インコイル２２，２４，２６及び１段のサブコイル２８
が配置されている。これらのメインコイル２２，２４，
２６とサブコイル２８は、電流供給部４０から必要な電
流の供給を受け、プラズマ生成室１２内に磁束密度８７
５ガウスの軸方向磁界を印加し、ＥＣＲ現象を引き起こ
すようになっている。

【００２５】プラズマ生成室１２に連通された反応室１
４内には、静電吸着等の固定手段によってシリコンウエ
ハ１０を保持する試料台３２が設置されている。反応室
１４の側壁には、プラズマ生成室１２及び反応室１４の
ガスを排気する排気管３４が設けられており、当該排気
管３４からの真空排気によりプラズマ生成室１２と反応
室１４を高真空状態に維持できるようになっている。

【００２６】反応室１４には、プラズマ生成に必要な反
応ガスを供給するためのガス供給管３６が設けられてい
る。また、図示しないが、プラズマ生成室１２の周囲に
はクーラントパスが形成され、このクーラントパスを循
環する冷却水（クーラント）によってプラズマ生成室１
２を冷却するようになっている。

【００２７】図２は、上述したマイクロ波調整部４２の
構成を示す。マイクロ波調整部４２は、マイクロ波の通
過範囲を規制するマイクロ波分散板４８と、４つの矩形
導波管４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄとを備えてい
る。図４にも示すように、マイクロ波分散板４８は、円
盤状に成形された導体板５０に放射状に延びる４つのス
リット（開口部）５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄが形
成されている。これらのスリット５２ａ，５２ｂ，５２
ｃ，５２ｄをマイクロ波が透過することによって、プラ
ズマ生成室１２に導入されるマイクロ波の電界強度分布
の均一化が図れるようになっている。すなわち、マイク
ロ波分散板４８は、プラズマ生成室１２及び反応室１４
から成る真空容器に導入されるマイクロ波の進行方向と
直交する断面において、当該マイクロ波の通過範囲を規
制する。

【００２８】図３は、マイクロ波分散板４８のスリット
５２ａの形状を他のスリット５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを
代表して示す。スリット５２ａは、１０ｍｍ×６０ｍｍ
の略矩形に形成されている。なお、他のスリット，５２
ｂ，５２ｃ，５２ｄも同一の構造である。スリット５２
ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄには、それぞれ矩形導波管
４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄが連結されている。導
波管４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄは、各々上述した
パワー調整機構４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄに接続
されており、各スリット５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２
ｄに供給されるマイクロ波のパワーを独立に制御できる
ようになっている。

【００２９】４つの矩形導波管４６ａ，４６ｂ，４６
ｃ，４６ｄの内部を伝播するマイクロ波のパワー制御
は、いくつかの方法で達成することができる。例えば、
各導波管４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに別々の発振
器を接続し、これらの発振器の出力を直接制御する。或
いは、単一の発振器から出力されたマイクロ波を立体回
路等によって４分割し、分割されたマイクロ波を各導波
管４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに導く。マイクロ波
の分配方法としては、例えば、単一の発振器に接続され
た単一の導波管を１本の同軸ケーブルに変換し、その同
軸ケーブルを４分配器によって４つの同軸ケーブルに取
り出す。そして、４本の同軸ケーブルを４つの導波管４
６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄに各々変換する。なお、
各導波管４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを通過するマ
イクロ波のパワーは、各々均一に制御することもできる
が、試料（シリコンウエハ１０）上でのイオン電流密度
分布等に基づいて調整しても良い。

【００３０】次に、本実施例の全体的な動作について説
明する。本実施例の装置を用い、半導体製造工程の一部
として、シリコンウエハ１０上に形成されたポリシリコ
ン膜のエッチングを行う場合には、まず、処理対象とな
るシリコンウエハ１０を試料台３２上に固定する。その
後、排気管３４からの真空排気により、プラズマ生成室
１２及び反応室１４の内圧を所定圧にまで減圧する。次
に、ガス供給管３６からプラズマ生成室１２及び反応室
１４内に反応ガス（Ｃｌ₂）を導入し、プラズマ生成室
１２及び反応室１４の内圧を１×１０^-3Torr 前後に保
つ。

【００３１】その後、メインコイル２２，２４，２６及
びサブコイル２８の通電によりプラズマ生成室１２の内
部に磁界を形成する。これと同時に、マイクロ波調整部
４２によって電界強度分布が制御されたマイクロ波をマ
イクロ波導入窓２０を介してプラズマ生成室１２内に導
入する。このマイクロ波は、周波数ｆ=２．４５ＧＨｚ
（波長λ=約１２．２ｃｍ）、トータルパワー１０００
Ｗに設定される。すなわち、各導波管４６ａ，４６ｂ，
４６ｃ，４６ｄの各々から２５０Ｗずつのマイクロ波が
導入されるようになる。

【００３２】プラズマ生成室１２内にマイクロ波が導入
されると、ＥＣＲ面１００において反応ガスを共鳴励起
し、プラズマを生成する。メインコイル２２，２４，２
６及びサブコイル２８により形成される磁界は、反応室
１４側に向かうに従って磁束密度が低下する発散磁界で
あり、プラズマ生成室１２で生成されたプラズマは、こ
の発散磁界の作用により反応室１４に引き出され、試料
台３２上のシリコンウエハ１０表面に照射されて、エッ
チングが行われる。

【００３３】一方、本実施例の装置を用いてシリコンウ
エハ１０への薄膜形成を行う場合には、以上の各手順に
加え、ガス供給管３６を経て所定の原料ガスを導入し、
当該ガスにより生成されたプラズマをシリコンウエハ１
０に照射する。これによりシリコンウエハ１０の表面に
は、原料ガスの反応により生成される物質の薄膜が形成
される。上記のように、エッチング又は薄膜形成処理が
行われたシリコンウエハ１０は、他のプロセス処理を行
った後に各チップ毎にカッティングされ、ボンディング
やパッケージング等の工程を経てＩＣやＬＳＩ等の半導
体デバイスとなる。

【００３４】次に、シリコンウエハ１０上でのイオン電
流密度分布について、図５及び図６を参照して説明す
る。図５は、本実施例のプラズマ処理装置（図１）を使
用した場合のデータであり、図６は従来のプラズマ処理
装置（図７）を使用した場合のデータである。図５及び
図６のグラフにおいて、黒丸はウエハ上のＸ方向のデー
タを示し、白抜き三角はＹ方向のデータを示す（図４参
照）。この実験は、反応ガスとして５０sccm のＡｒを
用い、プラズマ生成室１２及び反応室１４内の圧力を１
×１０^-3Torr に保ち、マイクロ波入射電力を１０００
Ｗとした条件の下で行われた。本実施例の場合、マイク
ロ波入射電力は各導波管４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６
ｄで、各々約２５０Ｗとし、トータルで１０００Ｗとす
る。

【００３５】図５のグラフに示すように、本実施例の場
合には、シリコンウエハ１０上の位置に関わらずイオン
電流密度が均一に保たれていることが判る。一方、従来
の装置を用いた場合には、図６に示すように、本実施例
の場合に比べてイオン電流密度の分布が不均一となって
いる。すなわち、Ｘ，Ｙ何れの方向においても、外縁側
においてのイオン電流密度のばらつきが顕著となってい
る。このように、本実施例によれば、常に均一なプラズ
マをシリコンウエハ１０に対して照射することができ、
プラズマ処理の品質が安定する。その結果、最終生成品
である半導体装置の品質が安定することになる。

【００３６】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、上記実施例においては、マイクロ波分散板４８
に形成されるスリットの数は４つであるが、４つに限ら
ず２つ以上のものを使用することができる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空容器に導入されるマイクロ波の電界強度分布を容易
且つ正確に制御することができるという効果がある。そ
の結果、上記のようなプラズマ処理工程を経て製造され
る半導体装置の品質の向上を図ることが可能となる。こ
こで、半導体装置としては、トランジスタのような半導
体素子自体や、ＲＡＭ等の完成された半導体デバイス
（ＩＣ，ＬＳＩ）等を含むものとする。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施例にかかるプラズマ処理
装置の概略構成を示す概念図である。

【図２】図２は、図１に示すプラズマ処理装置に使用さ
れるマイクロ波調整部の構成を示す斜視図である。

【図３】図３は、マイクロ波分散板のスリットの形状を
示す説明図である。

【図４】図４は、マイクロ波分散板の構成を示す平面図
である。

【図５】図５は本実施例の効果を説明するためのグラフ
であり、ウエハ上のイオン電流密度分布を示す。

【図６】図６は従来技術の比較作用を説明するためのグ
ラフであり、ウエハ上のイオン電流密度分布を示す。

【図７】図７は、従来のプラズマ処理装置の構成を示す
概略図である。

【符号の説明】

１０・・・シリコンウエハ（試料） １２・・・プラズマ生成室 １４・・・反応室 ２２，２４，２６・・・メインコイル ２８・・・サブコイル ４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ・・・パワー調整機構 ４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ・・・矩形導波管 ４８・・・マイクロ波分散板 ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ・・・スリット（開口
部）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の開口部によって通過範囲を規制され
   たマイクロ波を真空容器内に導入し、当該マイクロ波に
   よって生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配
   置された試料に対して所定の処理を施すプラズマ処理方
   法において、 前記複数の開口部の各々に対して前記マイクロ波を別々
   に導くことを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】前記複数の開口部に導かれる前記マイクロ
   波のパワーを各々独立に制御することを特徴とする請求
   項１に記載のプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】マイクロ波の通過範囲を規制する複数の開
   口部を有するマイクロ波分散板を備え、当該分散板を介
   して真空容器に導入される前記マイクロ波によって生成
   されるプラズマを用いて前記真空容器内に配置された試
   料に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置におい
   て、 前記マイクロ波分散板の複数の開口部の各々に対して前
   記マイクロ波を別々に導く複数の導波管を備えたことを
   特徴とするプラズマ処理装置。
4. 【請求項４】前記複数の導波管内を進行する前記マイク
   ロ波のパワーを各々独立に制御する制御手段を備えたこ
   とを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
5. 【請求項５】前記真空容器内において前記マイクロ波に
   よる電子サイクロトロン共鳴を励起するための磁場を印
   加する励磁コイルを備えたことを特徴とする請求項３又
   は４に記載のプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】複数の開口部によって通過範囲を規制され
   たマイクロ波を真空容器内に導入し、当該マイクロ波に
   よって生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配
   置された半導体基板に対して所定の処理を施すプラズマ
   処理工程を含む半導体装置の製造方法において、 前記複数の開口部の各々に対して前記マイクロ波を別々
   に導くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】前記複数の開口部に導かれる前記マイクロ
   波のパワーを各々独立に制御することを特徴とする請求
   項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】真空容器内に導入されたマイクロ波によっ
   て生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配置さ
   れた試料に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置に
   使用され、前記真空容器内に導かれるマイクロ波の電界
   強度分布を制御する電界強度分布制御装置において、 前記真空容器に導入される前記マイクロ波の通過範囲を
   規制する複数の開口部を有するマイクロ波分散板と；前
   記マイクロ波分散板の複数の開口部の各々に対して前記
   マイクロ波を別々に導く複数の導波管と；前記複数の導
   波管内を進行する前記マイクロ波のパワーを各々独立に
   制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電界強度
   分布制御装置。