JPH10284569A - ウエハ搬送装置 - Google Patents
ウエハ搬送装置Info
- Publication number
- JPH10284569A JPH10284569A JP9089341A JP8934197A JPH10284569A JP H10284569 A JPH10284569 A JP H10284569A JP 9089341 A JP9089341 A JP 9089341A JP 8934197 A JP8934197 A JP 8934197A JP H10284569 A JPH10284569 A JP H10284569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ装置において、予め加熱されているサ
セプタの上にウエハをセットする際に、ウエハに反りが
発生しにくいウエハ搬送装置を提供する。 【解決手段】 搬送装置３は、セッタ４、チャック５、
反射板６などから構成される。チャック３は、下端部に
複数の爪を備え、これらの爪でウエハ１をその縁の下側
から支持する。セッタ４は、チャック５を上下左右に駆
動して、ウエハ１をサセプタ２上にロードあるいはアン
ロードする。反射板６は、セッタ４の下面側に取付けら
れ、サセプタ２上にセットされたウエハ１を上方から覆
う様に配置されている。サセプタ２は、下面側に配置さ
れたヒータブロック９により所定の温度に加熱される。
搬送装置３によってサセプタ２上に運ばれ、セットされ
たウエハ１は、サセプタ２により下面側から加熱される
と同時に、サセプタ２からの輻射熱が反射板６で反射さ
れることにより上面側からも加熱される。
セプタの上にウエハをセットする際に、ウエハに反りが
発生しにくいウエハ搬送装置を提供する。 【解決手段】 搬送装置３は、セッタ４、チャック５、
反射板６などから構成される。チャック３は、下端部に
複数の爪を備え、これらの爪でウエハ１をその縁の下側
から支持する。セッタ４は、チャック５を上下左右に駆
動して、ウエハ１をサセプタ２上にロードあるいはアン
ロードする。反射板６は、セッタ４の下面側に取付けら
れ、サセプタ２上にセットされたウエハ１を上方から覆
う様に配置されている。サセプタ２は、下面側に配置さ
れたヒータブロック９により所定の温度に加熱される。
搬送装置３によってサセプタ２上に運ばれ、セットされ
たウエハ１は、サセプタ２により下面側から加熱される
と同時に、サセプタ２からの輻射熱が反射板６で反射さ
れることにより上面側からも加熱される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、常圧ＣＶＤ装置な
どの半導体製造装置で使用されるウエハ搬送装置に係
り、特に、予め所定の温度に加熱されたサセプタの上に
ウエハを移載する際に使用されるウエハ搬送装置に関す
る。
どの半導体製造装置で使用されるウエハ搬送装置に係
り、特に、予め所定の温度に加熱されたサセプタの上に
ウエハを移載する際に使用されるウエハ搬送装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図８に常圧ＣＶＤ装置の概要を示す。図
中、１はウエハ、２はサセプタ、３は搬送装置、１１は
反応ガスを吐出するノズルを表す サセプタ２は、その下面側に配置されたヒータブロック
９により所定の温度に加熱されている。ウエハ１は、搬
送装置３によってサセプタ２の上に運ばれる。サセプタ
２の上にセットされたウエハ１は、サセプタ２によって
下面側から加熱される。ウエハ１が所定の温度に到達
し、且つその温度分布が均一化した後、ノズル１１が下
側にガスを吐出しながら水平方向に移動して、ウエハ１
に向けて反応ガスを吹付け、ウエハ１の上面にＣＶＤ被
膜が堆積される。
中、１はウエハ、２はサセプタ、３は搬送装置、１１は
反応ガスを吐出するノズルを表す サセプタ２は、その下面側に配置されたヒータブロック
９により所定の温度に加熱されている。ウエハ１は、搬
送装置３によってサセプタ２の上に運ばれる。サセプタ
２の上にセットされたウエハ１は、サセプタ２によって
下面側から加熱される。ウエハ１が所定の温度に到達
し、且つその温度分布が均一化した後、ノズル１１が下
側にガスを吐出しながら水平方向に移動して、ウエハ１
に向けて反応ガスを吹付け、ウエハ１の上面にＣＶＤ被
膜が堆積される。
【０００３】上記の様な従来の常圧ＣＶＤ装置におい
て、室温状態のウエハ１を、所定の温度に加熱されてい
るサセプタ２の上に載せたとき、ウエハ１の下面の温度
が先に上昇するので上下面で温度差が生じ、ウエハ１に
反りが発生する。この反りは、熱伝導によってウエハ１
の上下面の温度差が縮小するに従って、次第に減少して
行く。また、ウエハ１自身の自重は、反りを減少させる
方向に働く。温度差が縮小すると、ウエハ１の下面全体
がサセプタ２の上面に接触し、最終的には、ウエハ１の
内部の温度分布が均一化される。
て、室温状態のウエハ１を、所定の温度に加熱されてい
るサセプタ２の上に載せたとき、ウエハ１の下面の温度
が先に上昇するので上下面で温度差が生じ、ウエハ１に
反りが発生する。この反りは、熱伝導によってウエハ１
の上下面の温度差が縮小するに従って、次第に減少して
行く。また、ウエハ１自身の自重は、反りを減少させる
方向に働く。温度差が縮小すると、ウエハ１の下面全体
がサセプタ２の上面に接触し、最終的には、ウエハ１の
内部の温度分布が均一化される。
【０００４】しかしながら、ウエハの径が大きくなった
場合、あるいはウエハの厚さが薄くなった場合、ウエハ
の曲げ剛性が減少すると同時に、自重による復元力も減
少するので、ウエハの反りは解消されにくくなる。
場合、あるいはウエハの厚さが薄くなった場合、ウエハ
の曲げ剛性が減少すると同時に、自重による復元力も減
少するので、ウエハの反りは解消されにくくなる。
【０００５】例えば、８インチウエハ（標準板厚７２５
μｍ）の様な大径のウエハの場合、あるいは、６インチ
ウエハ（標準板厚６２５μｍ）でその板厚を２５０μｍ
と薄くした場合、室温状態のウエハを所定の温度（例え
ば、４５０℃）に加熱されているサセプタの上に載せる
と、ウエハに反りが発生し、長時間を経過しても反りが
無くならず、従ってウエハの温度分布も均一にならない
と言う問題がある。このため、ウエハの径が大きくなる
に従ってウエハの板厚を厚く設定する必要があった。
μｍ）の様な大径のウエハの場合、あるいは、６インチ
ウエハ（標準板厚６２５μｍ）でその板厚を２５０μｍ
と薄くした場合、室温状態のウエハを所定の温度（例え
ば、４５０℃）に加熱されているサセプタの上に載せる
と、ウエハに反りが発生し、長時間を経過しても反りが
無くならず、従ってウエハの温度分布も均一にならない
と言う問題がある。このため、ウエハの径が大きくなる
に従ってウエハの板厚を厚く設定する必要があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の様な
問題に鑑み成されたもので、本発明の目的は、例えば常
圧ＣＶＤ装置の様な半導体製造装置において、予め所定
温度に加熱されているサセプタの上にウエハをセットす
る際に、ウエハに反りが発生しにくいウエハ搬送装置を
提供することにある。
問題に鑑み成されたもので、本発明の目的は、例えば常
圧ＣＶＤ装置の様な半導体製造装置において、予め所定
温度に加熱されているサセプタの上にウエハをセットす
る際に、ウエハに反りが発生しにくいウエハ搬送装置を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハ搬送装置
は、予め所定の温度に加熱されたサセプタの上にウエハ
を移載する際に使用されるウエハ搬送装置であって、ウ
エハをサセプタの上に移載した後、ウエハを上面側から
加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする。
は、予め所定の温度に加熱されたサセプタの上にウエハ
を移載する際に使用されるウエハ搬送装置であって、ウ
エハをサセプタの上に移載した後、ウエハを上面側から
加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする。
【０００８】本発明のウエハ搬送装置によれば、サセプ
タ上に移載されたウエハは、下面側からサセプタにより
加熱されると同時に、上面側から前記加熱手段により加
熱される。これによって、ウエハの上下面の温度差を小
さく抑えることができるので、熱応力に起因する反りの
発生を抑制するとともに、ウエハの温度分布が均一化す
るまでの時間を短縮することができる。
タ上に移載されたウエハは、下面側からサセプタにより
加熱されると同時に、上面側から前記加熱手段により加
熱される。これによって、ウエハの上下面の温度差を小
さく抑えることができるので、熱応力に起因する反りの
発生を抑制するとともに、ウエハの温度分布が均一化す
るまでの時間を短縮することができる。
【０００９】前記加熱手段として、例えば、前記サセプ
タから放射される赤外線を反射する熱反射板を使用する
ことができる。好ましくは、前記加熱手段として、発熱
体が面状に配置された赤外線ヒータを使用する。この場
合、更に好ましくは、赤外線ヒータとウエハの間に、カ
ーボンなどの熱伝導率が大きい素材で作られた均熱板を
配置し、ウエハの温度分布の均一性を向上させる。ま
た、前記加熱手段として、赤外線ランプを使用すること
もできる。
タから放射される赤外線を反射する熱反射板を使用する
ことができる。好ましくは、前記加熱手段として、発熱
体が面状に配置された赤外線ヒータを使用する。この場
合、更に好ましくは、赤外線ヒータとウエハの間に、カ
ーボンなどの熱伝導率が大きい素材で作られた均熱板を
配置し、ウエハの温度分布の均一性を向上させる。ま
た、前記加熱手段として、赤外線ランプを使用すること
もできる。
【００１０】
（例１）図１に、本発明に基づくウエハ搬送装置を備え
た常圧ＣＶＤ装置の概要を示す。図中、３は本発明に基
づく搬送装置、６は反射板、１はウエハ、２はサセプ
タ、１１は反応ガスを吐出するノズルを表す。
た常圧ＣＶＤ装置の概要を示す。図中、３は本発明に基
づく搬送装置、６は反射板、１はウエハ、２はサセプ
タ、１１は反応ガスを吐出するノズルを表す。
【００１１】搬送装置３は、セッタ４、チャック５、反
射板６などを備えている。チャック３は下端部に複数の
爪を備え、これらの爪でウエハ１をその縁の下側から支
持して持上げる。セッタ４は、チャック５を上下左右に
駆動して、ウエハ１をサセプタ２にロードあるいはアン
ロードする。また、セッタ４は移動機構（図示せず）に
接続され、ウエハ１をチャック５に保持して、ウエハカ
セット（図示せず）からサセプタ２へ、あるいはサセプ
タ２からウエハカセットへ移載する。反射板６は、セッ
タ４の下面側に取付けられ、サセプタ２上に移載された
ウエハ１を上方から覆う様に配置されている。
射板６などを備えている。チャック３は下端部に複数の
爪を備え、これらの爪でウエハ１をその縁の下側から支
持して持上げる。セッタ４は、チャック５を上下左右に
駆動して、ウエハ１をサセプタ２にロードあるいはアン
ロードする。また、セッタ４は移動機構（図示せず）に
接続され、ウエハ１をチャック５に保持して、ウエハカ
セット（図示せず）からサセプタ２へ、あるいはサセプ
タ２からウエハカセットへ移載する。反射板６は、セッ
タ４の下面側に取付けられ、サセプタ２上に移載された
ウエハ１を上方から覆う様に配置されている。
【００１２】サセプタ２の下面側にはヒータブロック９
が配置され、サセプタ２はヒータブロック９により所定
の温度に加熱される。ウエハ１は、搬送装置３によりサ
セプタ２の上に運ばれる。サセプタ２の上にセットされ
たウエハ１は、サセプタ２により下面側から加熱され
る。これと同時に、サセプタ２からの輻射熱が反射板６
により反射されてウエハ１の上面に到達するので、ウエ
ハ１は上面側からも加熱される。
が配置され、サセプタ２はヒータブロック９により所定
の温度に加熱される。ウエハ１は、搬送装置３によりサ
セプタ２の上に運ばれる。サセプタ２の上にセットされ
たウエハ１は、サセプタ２により下面側から加熱され
る。これと同時に、サセプタ２からの輻射熱が反射板６
により反射されてウエハ１の上面に到達するので、ウエ
ハ１は上面側からも加熱される。
【００１３】ウエハ１が所定の温度に到達し、且つその
温度分布が均一化した後、ノズル１１が下側にガスを吐
出しながら水平方向に移動して、ウエハ１に向けて反応
ガスを吹付け、ウエハ１の上面にＣＶＤ被膜が堆積され
る。
温度分布が均一化した後、ノズル１１が下側にガスを吐
出しながら水平方向に移動して、ウエハ１に向けて反応
ガスを吹付け、ウエハ１の上面にＣＶＤ被膜が堆積され
る。
【００１４】上記の様に、本発明のウエハ搬送装置を使
用すれば、サセプタ２上に移載されたウエハ１は、下面
側からサセプタ２により加熱されると同時に、上面側か
ら反射板６により加熱される。これによって、ウエハ１
の上下面の温度差を小さく抑えることができるので、熱
応力に起因する反りの発生を抑制するとともに、ウエハ
１の温度分布が均一化するまでの時間を短縮することが
できる。
用すれば、サセプタ２上に移載されたウエハ１は、下面
側からサセプタ２により加熱されると同時に、上面側か
ら反射板６により加熱される。これによって、ウエハ１
の上下面の温度差を小さく抑えることができるので、熱
応力に起因する反りの発生を抑制するとともに、ウエハ
１の温度分布が均一化するまでの時間を短縮することが
できる。
【００１５】（例２）図２に、本発明に基づくウエハ搬
送装置の第二の例を示す。この例では、ウエハ搬送装置
３は、セッタ４の下面側に赤外線ヒータ２１を備えてい
る。赤外線ヒータ２１は、複数の管状の発熱体２３を水
平に配列することにより面状の熱源を構成したもので、
サセプタ２上に移載されたウエハ１を上方から覆う様に
配置されている。
送装置の第二の例を示す。この例では、ウエハ搬送装置
３は、セッタ４の下面側に赤外線ヒータ２１を備えてい
る。赤外線ヒータ２１は、複数の管状の発熱体２３を水
平に配列することにより面状の熱源を構成したもので、
サセプタ２上に移載されたウエハ１を上方から覆う様に
配置されている。
【００１６】（例３）図３に、本発明に基づくウエハ搬
送装置の第三の例を示す。この例では、ウエハ搬送装置
３は、セッタ４の下面側に赤外線ヒータ２１を備えると
ともに、赤外線ヒータ２１の下側にカーボン製の均熱板
２５が取付けられている。赤外線ヒータ２１からの赤外
線は均熱板２５を加熱し、ウエハ１は均熱板２５から輻
射熱により加熱されるので、ウエハ１の温度分布の均一
性を向上させることができる。
送装置の第三の例を示す。この例では、ウエハ搬送装置
３は、セッタ４の下面側に赤外線ヒータ２１を備えると
ともに、赤外線ヒータ２１の下側にカーボン製の均熱板
２５が取付けられている。赤外線ヒータ２１からの赤外
線は均熱板２５を加熱し、ウエハ１は均熱板２５から輻
射熱により加熱されるので、ウエハ１の温度分布の均一
性を向上させることができる。
【００１７】（例４）図４に、本発明に基づくウエハ搬
送装置の第四の例を示す。この例では、ウエハ搬送装置
３は、セッタ４に隣接させて赤外線ランプ２７を備てい
る。赤外線ランプ２７は、セッタ４の下方のサセプタ２
上にセットされたウエハ１を、斜め上方から加熱する。
送装置の第四の例を示す。この例では、ウエハ搬送装置
３は、セッタ４に隣接させて赤外線ランプ２７を備てい
る。赤外線ランプ２７は、セッタ４の下方のサセプタ２
上にセットされたウエハ１を、斜め上方から加熱する。
【００１８】（例５）図５、図６及び図７に、本発明に
基づくウエハ搬送装置のその他の例を示す。これらは、
赤外線ヒータ２１（図５）、均熱板２５を備えた赤外線
ヒータ２１（図６）、赤外線ランプ２７（図７）を、そ
れぞれ、セッタ４に隣接させて配置したものである。こ
れらの例において、ウエハ１をサセプタ２上にセットし
た後、搬送装置３を水平移動し、赤外線ヒータ２１等が
ウエハ１の上方に位置する状態で停止させて、ウエハ１
の加熱を行う。
基づくウエハ搬送装置のその他の例を示す。これらは、
赤外線ヒータ２１（図５）、均熱板２５を備えた赤外線
ヒータ２１（図６）、赤外線ランプ２７（図７）を、そ
れぞれ、セッタ４に隣接させて配置したものである。こ
れらの例において、ウエハ１をサセプタ２上にセットし
た後、搬送装置３を水平移動し、赤外線ヒータ２１等が
ウエハ１の上方に位置する状態で停止させて、ウエハ１
の加熱を行う。
【００１９】
【発明の効果】本発明のウエハ搬送装置によれば、ウエ
ハは、下面側からサセプタにより加熱されるのに加え
て、赤外線ヒータ等の加熱手段により上面側からも加熱
されるので、反りの発生が抑制され、結果として、ウエ
ハ内部の温度分布の均一性が改善される。従って、本発
明のウエハ搬送装置を、例えば、常圧ＣＶＤ装置で使用
すれば均一で良好なＣＶＤ膜を形成する事ができる。
ハは、下面側からサセプタにより加熱されるのに加え
て、赤外線ヒータ等の加熱手段により上面側からも加熱
されるので、反りの発生が抑制され、結果として、ウエ
ハ内部の温度分布の均一性が改善される。従って、本発
明のウエハ搬送装置を、例えば、常圧ＣＶＤ装置で使用
すれば均一で良好なＣＶＤ膜を形成する事ができる。
【図１】本発明に基づくウエハ搬送装置を備えた常圧Ｃ
ＶＤ装置の概要を示す図。
ＶＤ装置の概要を示す図。
【図２】本発明に基づくウエハ搬送装置の他の例を示す
図。
図。
【図３】本発明に基づくウエハ搬送装置の他の例を示す
図。
図。
【図４】本発明に基づくウエハ搬送装置の他の例を示す
図。
図。
【図５】本発明に基づくウエハ搬送装置の他の例を示す
図。
図。
【図６】本発明に基づくウエハ搬送装置の他の例を示す
図。
図。
【図７】本発明に基づくウエハ搬送装置の他の例を示す
図。
図。
【図８】従来のウエハ搬送装置を備えた常圧ＣＶＤ装置
の概要を示す図。
の概要を示す図。
１・・・ウエハ、 ２・・・サセプタ、 ３・・・ウエハ搬送装置、 ４・・・セッタ、 ５・・・チャック、 ６・・・反射板、 ９・・・ヒータブロック、 １１・・・ノズル、 ２１・・・赤外線ヒータ、 ２３・・・発熱体、 ２５・・・均熱板、 ２７・・・赤外線ランプ。
Claims (5)
- 【請求項１】 予め所定の温度に加熱されたサセプタの
上にウエハを移載する際に使用されるウエハ搬送装置で
あって、ウエハをサセプタの上に移載した後、ウエハを
上面側から加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする
ウエハ搬送装置。 - 【請求項２】 前記加熱手段は、前記サセプタから放射
される赤外線を反射する熱反射板であることを特徴とす
る請求項１に記載のウエハ搬送装置。 - 【請求項３】 前記加熱手段は、発熱体が面状に配置さ
れた赤外線ヒータであることを特徴とする請求項１に記
載のウエハ搬送装置。 - 【請求項４】 前記加熱手段は、発熱体が面状に配置さ
れた赤外線ヒータ、及びこの赤外線ヒータの下側に配置
された均熱板で構成されることを特徴とする請求項１に
記載のウエハ搬送装置。 - 【請求項５】 前記加熱手段は、赤外線ランプであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のウエハ搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089341A JPH10284569A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | ウエハ搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9089341A JPH10284569A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | ウエハ搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284569A true JPH10284569A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13968004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9089341A Pending JPH10284569A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | ウエハ搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10284569A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101257991B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2013-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반송 장치 및 처리 시스템 |
| CN108022856A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 日新离子机器株式会社 | 加热装置、半导体制造装置 |
| CN108022857A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 日新离子机器株式会社 | 加热装置、半导体制造装置 |
| JP2022030842A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度推定方法及び成膜装置 |
| US11621180B2 (en) | 2016-10-31 | 2023-04-04 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Heating device |
-
1997
- 1997-04-08 JP JP9089341A patent/JPH10284569A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101257991B1 (ko) * | 2009-07-31 | 2013-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반송 장치 및 처리 시스템 |
| CN108022856A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 日新离子机器株式会社 | 加热装置、半导体制造装置 |
| CN108022857A (zh) * | 2016-10-31 | 2018-05-11 | 日新离子机器株式会社 | 加热装置、半导体制造装置 |
| JP2018078266A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-17 | 日新イオン機器株式会社 | 加熱装置、半導体製造装置 |
| US10916457B2 (en) | 2016-10-31 | 2021-02-09 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Heating device and semiconductor manufacturing apparatus |
| US11621180B2 (en) | 2016-10-31 | 2023-04-04 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Heating device |
| JP2022030842A (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度推定方法及び成膜装置 |
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