JPH10284952A - 異常検出回路 - Google Patents
異常検出回路Info
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- JPH10284952A JPH10284952A JP9081332A JP8133297A JPH10284952A JP H10284952 A JPH10284952 A JP H10284952A JP 9081332 A JP9081332 A JP 9081332A JP 8133297 A JP8133297 A JP 8133297A JP H10284952 A JPH10284952 A JP H10284952A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイアス電流の異常低下時に、電源電圧が正
常に印加されている状態である場合にのみ異常と判断す
る異常検出回路を提供すること。 【解決手段】 バイアス供給電源から被バイアス供給物
１に対して供給されるバイアス電流をバイアス電流検出
手段２により検出する。このバイアス電流が所定の値よ
り低下した場合に、警報出力としてバイアス低下検出時
警報出力手段３に出力する。バイアス低下検出時警報出
力手段３では、切替手段４のスイッチ手段６をＯＦＦと
することにより、警報出力端子１１に負荷手段５を通じ
てバイアス電源電圧を出力する。この結果、警報出力端
子１１においては、正常時ロウレベル、異常時ハイレベ
ルとして出力する。
常に印加されている状態である場合にのみ異常と判断す
る異常検出回路を提供すること。 【解決手段】 バイアス供給電源から被バイアス供給物
１に対して供給されるバイアス電流をバイアス電流検出
手段２により検出する。このバイアス電流が所定の値よ
り低下した場合に、警報出力としてバイアス低下検出時
警報出力手段３に出力する。バイアス低下検出時警報出
力手段３では、切替手段４のスイッチ手段６をＯＦＦと
することにより、警報出力端子１１に負荷手段５を通じ
てバイアス電源電圧を出力する。この結果、警報出力端
子１１においては、正常時ロウレベル、異常時ハイレベ
ルとして出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス電流値の
異常検出回路に関し、特にトランジスタを用いた増幅器
のトランジスタのバイアス電流値異常検出回路に関す
る。
異常検出回路に関し、特にトランジスタを用いた増幅器
のトランジスタのバイアス電流値異常検出回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の電流値異常検出回路は、主
に、トランジスタ等の被バイアス素子が過電流状態にな
った場合など電源を断とし、素子および周辺部品の焼損
を防止し、電源を保護する目的で設けられる。このよう
な目的とした電流値異常検出回路としては、例えば、Ｆ
ＥＴのバイアス電圧異常検出回路として実開昭５６−９
６７２４号公報（第１の従来技術）、増幅器過電流検出
回路として特開昭６２−２７６９０７号公報（第２の従
来技術）、電力増幅器の過電流防止回路として特開平３
−１８４４０５号公報（第３の従来技術）に記載された
ものなどがある。また、電流の減少も検出し警報を出力
する機能も備えたものとして、増幅装置の電源電流の異
常増加および異常減少検出警報回路である特開平２−２
１４３１６号公報（第４の従来技術）などがある。
に、トランジスタ等の被バイアス素子が過電流状態にな
った場合など電源を断とし、素子および周辺部品の焼損
を防止し、電源を保護する目的で設けられる。このよう
な目的とした電流値異常検出回路としては、例えば、Ｆ
ＥＴのバイアス電圧異常検出回路として実開昭５６−９
６７２４号公報（第１の従来技術）、増幅器過電流検出
回路として特開昭６２−２７６９０７号公報（第２の従
来技術）、電力増幅器の過電流防止回路として特開平３
−１８４４０５号公報（第３の従来技術）に記載された
ものなどがある。また、電流の減少も検出し警報を出力
する機能も備えたものとして、増幅装置の電源電流の異
常増加および異常減少検出警報回路である特開平２−２
１４３１６号公報（第４の従来技術）などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記種々の従来技術の
中で第１から第３の従来技術は、主に過電流状態の検出
に関するものであり、電流減少時の検出に関しては特に
記載は無い。
中で第１から第３の従来技術は、主に過電流状態の検出
に関するものであり、電流減少時の検出に関しては特に
記載は無い。
【０００４】一方、第４の従来技術は電流の異常増加お
よび異常減少状態を検出する回路に関してのものである
が、これは、単に電流値をモニターし電流の増加および
減少を検出して装置の異常を判断する機構を提案するに
過ぎない。
よび異常減少状態を検出する回路に関してのものである
が、これは、単に電流値をモニターし電流の増加および
減少を検出して装置の異常を判断する機構を提案するに
過ぎない。
【０００５】ここで、第４の従来技術に関して図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００６】図５は、第４の従来技術のバイアス電流の
異常低下検出手段を説明するためのブロック図である。
異常低下検出手段を説明するためのブロック図である。
【０００７】本図において、被バイアス供給物１に対し
てバイアス供給電源端子１０から供給し、その間にバイ
アス電流検出手段２を設けている。
てバイアス供給電源端子１０から供給し、その間にバイ
アス電流検出手段２を設けている。
【０００８】そして、バイアス電流検出手段２で得られ
たバイアス電流は、バイアス電流低下時警報出力手段３
に入力し、バイアス電流が所定の値よりも低下した場合
には警報出力端子１１に出力する。
たバイアス電流は、バイアス電流低下時警報出力手段３
に入力し、バイアス電流が所定の値よりも低下した場合
には警報出力端子１１に出力する。
【０００９】ここで、バイアス電流低下時警報出力手段
３の供給電源は、警報回路用別電源供給端子１０ｂより
被バイアス供給物１やバイアス電流検出手段２とは別の
電源より供給されている。
３の供給電源は、警報回路用別電源供給端子１０ｂより
被バイアス供給物１やバイアス電流検出手段２とは別の
電源より供給されている。
【００１０】実際には、通常、警報出力時には電源を断
とするなどして焼損等を防止する回路を設けるが、前記
図５のごとく単に警報出力するのみでは、電源投入時に
初期電流値は零であるため異常状態と誤認識するという
不都合がある。これを回避するには、特別のシーケンス
回路等の誤動作防止手段を付加する必要があった。すな
わち、この従来技術によれば、単に電流の減少を検出す
るのみであり、電流の減少が、被バイアス素子等の故障
によるものなのか電源が印加されていないためなのかを
判別する手段についての記載はなく、前記誤動作に対す
る不具合に対処されていなかった。
とするなどして焼損等を防止する回路を設けるが、前記
図５のごとく単に警報出力するのみでは、電源投入時に
初期電流値は零であるため異常状態と誤認識するという
不都合がある。これを回避するには、特別のシーケンス
回路等の誤動作防止手段を付加する必要があった。すな
わち、この従来技術によれば、単に電流の減少を検出す
るのみであり、電流の減少が、被バイアス素子等の故障
によるものなのか電源が印加されていないためなのかを
判別する手段についての記載はなく、前記誤動作に対す
る不具合に対処されていなかった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】以上説明したように本発
明の異常検出回路は、バイアス供給電源と共通の電源を
用いつつ、かつ、特別のシーケンス回路等の誤動作防止
手段を付加することなく、簡易な手段により電源投入時
の誤認識を防止することを目的としている。
明の異常検出回路は、バイアス供給電源と共通の電源を
用いつつ、かつ、特別のシーケンス回路等の誤動作防止
手段を付加することなく、簡易な手段により電源投入時
の誤認識を防止することを目的としている。
【００１２】本発明の異常検出回路は、請求項１による
と、バイアス電流値の異常を検出する異常検出回路にお
いて、該異常検出回路は、被バイアス供給物に対してバ
イアス電流を供給するバイアス供給電源と同一の電源を
用いて動作し、かつ該バイアス供給電源が供給された場
合にのみバイアス電流異常検出を行うことを特徴とす
る。
と、バイアス電流値の異常を検出する異常検出回路にお
いて、該異常検出回路は、被バイアス供給物に対してバ
イアス電流を供給するバイアス供給電源と同一の電源を
用いて動作し、かつ該バイアス供給電源が供給された場
合にのみバイアス電流異常検出を行うことを特徴とす
る。
【００１３】また、本発明の異常検出回路は、請求項２
によると、バイアス電流値の異常を検出する異常検出回
路において、該異常検出回路は、被バイアス供給物に対
してバイアス電流を供給するバイアス供給電源と同一の
電源を用いて動作し、前記バイアス電流値が異常の場合
は第１の信号を出力し、正常時は第２の信号を出力する
ことにより該バイアス供給電源が供給された場合にのみ
バイアス電流の異常を検出を行うことを特徴とする。
によると、バイアス電流値の異常を検出する異常検出回
路において、該異常検出回路は、被バイアス供給物に対
してバイアス電流を供給するバイアス供給電源と同一の
電源を用いて動作し、前記バイアス電流値が異常の場合
は第１の信号を出力し、正常時は第２の信号を出力する
ことにより該バイアス供給電源が供給された場合にのみ
バイアス電流の異常を検出を行うことを特徴とする。
【００１４】そして、請求項３によると、前記第１の信
号はハイレベルの直流信号、前記第２の信号はロウレベ
ルの直流信号であって、共に、前記バイアス供給電源と
同一の極性を有することを特徴としている。
号はハイレベルの直流信号、前記第２の信号はロウレベ
ルの直流信号であって、共に、前記バイアス供給電源と
同一の極性を有することを特徴としている。
【００１５】さらに、請求項４によると、前記異常検出
回路は、バイアス電流値が所定の値より低下したことを
検出する電流低下検出手段と、前記電流低下検出手段の
出力に応じて警報出力の状態を切り替える切替手段と、
バイアス電源と前記切替手段との間に接続し、負荷電流
を制限する負荷手段とを有し、前記負荷手段の両端を警
報出力とすることを特徴とする請求項２記載の異常検出
回路である。
回路は、バイアス電流値が所定の値より低下したことを
検出する電流低下検出手段と、前記電流低下検出手段の
出力に応じて警報出力の状態を切り替える切替手段と、
バイアス電源と前記切替手段との間に接続し、負荷電流
を制限する負荷手段とを有し、前記負荷手段の両端を警
報出力とすることを特徴とする請求項２記載の異常検出
回路である。
【００１６】請求項５によると、前記異常検出回路は、
バイアス電流値が規定値より低下した場合を検出する電
流低下検出手段およびバイアス電流値が規定値より増加
した場合を検出する電流増加検出手段を含むことを特徴
とする請求項１、２、３、４記載の異常検出回路であ
る。
バイアス電流値が規定値より低下した場合を検出する電
流低下検出手段およびバイアス電流値が規定値より増加
した場合を検出する電流増加検出手段を含むことを特徴
とする請求項１、２、３、４記載の異常検出回路であ
る。
【００１７】請求項６によると、前記異常検出回路は、
ＦＥＴトランジスタを用いた高周波電力増幅器におい
て、該ＦＥＴトランジスタのバイアス電流値の異常を検
出することを特徴とする請求項１、２、３、４、５記載
の異常検出回路である。
ＦＥＴトランジスタを用いた高周波電力増幅器におい
て、該ＦＥＴトランジスタのバイアス電流値の異常を検
出することを特徴とする請求項１、２、３、４、５記載
の異常検出回路である。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１９】図１は、本発明の異常検出回路の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【００２０】本図において、バイアス供給電源端子１０
から被バイアス供給物１に供給するバイアス電流をバイ
アス電流検出手段２により検出する。
から被バイアス供給物１に供給するバイアス電流をバイ
アス電流検出手段２により検出する。
【００２１】そして、バイアス電流はバイアス電流低下
検出時警報出力手段３に供給される。バイアス電流低下
検出時警報出力手段３は、負荷手段５および切替手段４
から構成されている。
検出時警報出力手段３に供給される。バイアス電流低下
検出時警報出力手段３は、負荷手段５および切替手段４
から構成されている。
【００２２】切替手段４は、バイアス電流検出手段２か
らのバイアス電流をもとに、正常時にスイッチ手段６を
閉じてＤ点の電位を地気（ＧＮＤ）に接続し、ＬＯＷレ
ベルとする。一方、異常時には、スイッチ手段６を開放
してＤ点をＨＩＧＨレベルとする。
らのバイアス電流をもとに、正常時にスイッチ手段６を
閉じてＤ点の電位を地気（ＧＮＤ）に接続し、ＬＯＷレ
ベルとする。一方、異常時には、スイッチ手段６を開放
してＤ点をＨＩＧＨレベルとする。
【００２３】負荷手段５は、バイアス電源端子１０と切
替手段４の間に配置され、警報回路の負荷電流を制限
し、また、動作特性を改善する機能を有している。
替手段４の間に配置され、警報回路の負荷電流を制限
し、また、動作特性を改善する機能を有している。
【００２４】次に、バイアス電流検出手段２の構成につ
いては、種々の回路が考えられるが、例えば、図２に示
すようなオペアンプ（ＯＰ１）２４と電流検出用抵抗
（ＲL）２２を用いた構成が用いることができる。
いては、種々の回路が考えられるが、例えば、図２に示
すようなオペアンプ（ＯＰ１）２４と電流検出用抵抗
（ＲL）２２を用いた構成が用いることができる。
【００２５】すなわち、図２において、電流検出用抵抗
２２の両端の電圧をオペアンプ２４と抵抗（Ｒ１，Ｒ
２）２２で構成される差動増幅器で検出することができ
る。
２２の両端の電圧をオペアンプ２４と抵抗（Ｒ１，Ｒ
２）２２で構成される差動増幅器で検出することができ
る。
【００２６】また、バイアス電流低下時警報出力手段３
の構成については、図３のようなブロック図が適用でき
る。
の構成については、図３のようなブロック図が適用でき
る。
【００２７】すなわち、図３において、切替手段４は、
トランジスタ（ＴＲ１）４１とバイアス抵抗（Ｒ４，Ｒ
５）４２とから構成される。トランジスタ４１は、バイ
アス電流検出手段２の出力電圧が所定の値以上になると
オン状態となり、コレクタ電圧は地気となる。
トランジスタ（ＴＲ１）４１とバイアス抵抗（Ｒ４，Ｒ
５）４２とから構成される。トランジスタ４１は、バイ
アス電流検出手段２の出力電圧が所定の値以上になると
オン状態となり、コレクタ電圧は地気となる。
【００２８】一方、バイアス電流検出手段２の出力電圧
が所定の値以下となると、トランジスタ４１はオープン
状態となる。
が所定の値以下となると、トランジスタ４１はオープン
状態となる。
【００２９】負荷手段５については、例えば、トランジ
スタ４１のコレクタに接続した抵抗（Ｒ３）５２とツェ
ナーダイオード（Ｄ１）５３から構成される。 〔実施例〕次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
スタ４１のコレクタに接続した抵抗（Ｒ３）５２とツェ
ナーダイオード（Ｄ１）５３から構成される。 〔実施例〕次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
【００３０】図４は電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ
と記す）を用いた高周波電力増幅器のドレインバイアス
供給回路に本発明の異常検出回路を適用した具体的実施
例を示す回路図である。本回路では、過電流時および電
流低下時のどちらの場合にも警報を出力するように機能
を構成している。
と記す）を用いた高周波電力増幅器のドレインバイアス
供給回路に本発明の異常検出回路を適用した具体的実施
例を示す回路図である。本回路では、過電流時および電
流低下時のどちらの場合にも警報を出力するように機能
を構成している。
【００３１】一般に、ＦＥＴが破壊した場合には、通常
ショートモードないしオープンモードとなる。ショート
モードとなると電源が過負荷となったり、抵抗その他の
周辺部品が焼損する恐れがある。一方、オープンモード
の場合には、シングルエンド構成では上記ショートモー
ドのような焼損等は生じないが、並列動作して合成する
ような増幅器においては、並列動作の一つが破壊した場
合にＲＦ的にバランスをくずし他のＦＥＴを破損したり
終端器等を破損する恐れがある。従って、ＦＥＴがオー
プンモードで破壊した場合にも異常を検出して電源を断
とするなどして保護する必要がある。
ショートモードないしオープンモードとなる。ショート
モードとなると電源が過負荷となったり、抵抗その他の
周辺部品が焼損する恐れがある。一方、オープンモード
の場合には、シングルエンド構成では上記ショートモー
ドのような焼損等は生じないが、並列動作して合成する
ような増幅器においては、並列動作の一つが破壊した場
合にＲＦ的にバランスをくずし他のＦＥＴを破損したり
終端器等を破損する恐れがある。従って、ＦＥＴがオー
プンモードで破壊した場合にも異常を検出して電源を断
とするなどして保護する必要がある。
【００３２】図４の実施例においては、ＦＥＴ１にはド
レイン電流として１０Ａｔｙｐに設定され、約２倍の２
０Ａ以上の過電流時に過電流の警報を出力し、約半分の
５Ａ以下になった場合に電流低下状態として警報を出力
する。
レイン電流として１０Ａｔｙｐに設定され、約２倍の２
０Ａ以上の過電流時に過電流の警報を出力し、約半分の
５Ａ以下になった場合に電流低下状態として警報を出力
する。
【００３３】電流検出手段２は、検出用の低抵抗ＲL の
電圧降下を検出しオペアンプ２４により増幅の後、過電
流警報として端子１１′に警報信号が出力され、また、
電流低下時警報出力手段３を通じて低電流時には端子１
１に警報信号が出力される。
電圧降下を検出しオペアンプ２４により増幅の後、過電
流警報として端子１１′に警報信号が出力され、また、
電流低下時警報出力手段３を通じて低電流時には端子１
１に警報信号が出力される。
【００３４】電流低下時警報出力手段３は電流検出手段
２の出力電圧によりＴＲ１をＯＮ／ＯＦＦするように設
定されている。本実施例の場合には、Ｃ点の電圧は通常
約１．５Ｖ程度となるが、Ｒ４とＲ５の接続点がＴＲ１
のベースエミッタ間電圧ＶBE（〜０．７Ｖ）以下になっ
た場合にＴＲ１はＯＦＦとなり、端子１１にはツェナー
ダイオードＤ１、Ｒ３，ＯＲ用ダイオードＤ３、および
抵抗Ｒ７を経て電源電圧のＨＩＧＨレベルが出力され異
常と認識される。
２の出力電圧によりＴＲ１をＯＮ／ＯＦＦするように設
定されている。本実施例の場合には、Ｃ点の電圧は通常
約１．５Ｖ程度となるが、Ｒ４とＲ５の接続点がＴＲ１
のベースエミッタ間電圧ＶBE（〜０．７Ｖ）以下になっ
た場合にＴＲ１はＯＦＦとなり、端子１１にはツェナー
ダイオードＤ１、Ｒ３，ＯＲ用ダイオードＤ３、および
抵抗Ｒ７を経て電源電圧のＨＩＧＨレベルが出力され異
常と認識される。
【００３５】正常時はＴＲ１がＯＮ状態にある故、点Ｄ
はＧＮＤレベルであり、従って端子１１はＬＯＷレベル
（ＯＰＥＮ）となる。
はＧＮＤレベルであり、従って端子１１はＬＯＷレベル
（ＯＰＥＮ）となる。
【００３６】従って、電源投入時はＬＯＷレベルから変
化していく故、低電流警報が誤動作することはなく、電
源電圧が正常に印加されているにも関わらず電流値が低
下している場合を検出することが可能となる。
化していく故、低電流警報が誤動作することはなく、電
源電圧が正常に印加されているにも関わらず電流値が低
下している場合を検出することが可能となる。
【００３７】図中ツェナーダイオードＤ１は必ずしも必
要ではないが、ツェナー電圧分以上に電源電圧が上昇す
るまでは異常状態と誤動作しないように作用し、回路動
作がより正確になる。
要ではないが、ツェナー電圧分以上に電源電圧が上昇す
るまでは異常状態と誤動作しないように作用し、回路動
作がより正確になる。
【００３８】Ｒ３は１ｋΩであるから、正常時はＴＲ１
がＯＮ状態にある故、ＴＲ１のコレクタ電流は約１０ｍ
Ａとなる。
がＯＮ状態にある故、ＴＲ１のコレクタ電流は約１０ｍ
Ａとなる。
【００３９】低電流異常時はツェナー電圧＝６Ｖ、ダイ
オードＤ３のドロップを〜０．７Ｖとして、端子１１に
は負荷抵抗Ｒ１０との分圧比で決まる電圧が出力され
る。
オードＤ３のドロップを〜０．７Ｖとして、端子１１に
は負荷抵抗Ｒ１０との分圧比で決まる電圧が出力され
る。
【００４０】端子１１，１１′はダイオードＯＲが可能
な構成となっているため、双方を接続しまとめて一つの
警報として出力することも可能である。
な構成となっているため、双方を接続しまとめて一つの
警報として出力することも可能である。
【００４１】図４に示した電流検出手段２や電流低下時
警報出力手段３はあくまで本発明の機能を実現するため
の一実施例に過ぎず、同様の機能を有する他の手段によ
り実現してもよいことは言うまでもない。例えば、オペ
アンプはトランジスタで同機能を達成可能であるし、ま
た、ＴＲ１はＦＥＴまたはリレー等でも可能である。
警報出力手段３はあくまで本発明の機能を実現するため
の一実施例に過ぎず、同様の機能を有する他の手段によ
り実現してもよいことは言うまでもない。例えば、オペ
アンプはトランジスタで同機能を達成可能であるし、ま
た、ＴＲ１はＦＥＴまたはリレー等でも可能である。
【００４２】
【発明の効果】第一の効果は、本発明の異常検出回路に
よれば、バイアス供給電源と共通の電源を用いつつ、か
つ、特別のシーケンス回路等の誤動作防止手段を付加す
ることなく、簡易な手段により電源投入時の低電流異常
の誤認識、誤動作を防止することを可能とすることがで
きる。
よれば、バイアス供給電源と共通の電源を用いつつ、か
つ、特別のシーケンス回路等の誤動作防止手段を付加す
ることなく、簡易な手段により電源投入時の低電流異常
の誤認識、誤動作を防止することを可能とすることがで
きる。
【００４３】その理由は、バイアス供給電源と共通の電
源を用い、バイアス供給電源と同一の極性のＨＩＧＨレ
ベルを異常状態時の警報信号として設定しているからで
ある。これにより、電源投入時に、装置（電源）が立ち
上がらないような不具合を防止し、特別のシーケンス回
路等の誤動作防止手段を付加することなく実現すること
が可能となる。
源を用い、バイアス供給電源と同一の極性のＨＩＧＨレ
ベルを異常状態時の警報信号として設定しているからで
ある。これにより、電源投入時に、装置（電源）が立ち
上がらないような不具合を防止し、特別のシーケンス回
路等の誤動作防止手段を付加することなく実現すること
が可能となる。
【００４４】第二の効果は電源電圧が正常に印加されて
いる状態で電流値が規定の値より低い場合のみを異常と
認識することを簡易な構成により実現できる。
いる状態で電流値が規定の値より低い場合のみを異常と
認識することを簡易な構成により実現できる。
【００４５】その理由は、警報出力手段の出力信号とし
てバイアス電源電圧を意図的に利用して論理回路を構成
しているからである。
てバイアス電源電圧を意図的に利用して論理回路を構成
しているからである。
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す図である。
【図２】図１のバイアス電流検出手段２の構成を示す図
である。
である。
【図３】図１のバイアス電流低下時警報出力手段３の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】本発明の異常検出回路の実施例を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の異常検出回路の構成を示す図である。
１ 被バイアス供給物 ２ バイアス電流検出手段 ３ バイアス電流低下時警報出力手段 ４ 切替手段 ５ 負荷手段 ６ スイッチ手段 １０ バイアス供給電源端子 １０ｂ 警報回路用別電源供給端子 １１ 警報出力端子 ２１ トランジスタ ２２，４２，５２，６２，６３ 抵抗 ５３ ツェナーダイオード ２４ ＦＥＴ ２５，６１ ダイオード ２４ オペアンプ
Claims (6)
- 【請求項１】 バイアス電流値の異常を検出する異常検
出回路において、 該異常検出回路は、被バイアス供給物に対してバイアス
電流を供給するバイアス供給電源と同一の電源を用いて
動作し、かつ該バイアス供給電源が供給された場合にの
みバイアス電流異常検出を行うことを特徴とする異常検
出回路。 - 【請求項２】 バイアス電流値の異常を検出する異常検
出回路において、 該異常検出回路は、被バイアス供給物に対してバイアス
電流を供給するバイアス供給電源と同一の電源を用いて
動作し、前記バイアス電流値が異常の場合は第１の信号
を出力し、正常時は第２の信号を出力することにより該
バイアス供給電源が供給された場合にのみバイアス電流
の異常を検出を行うことを特徴とする異常検出回路。 - 【請求項３】 前記第１の信号は、ハイレベルの直流信
号、前記第２の信号は、ロウレベルの直流信号であっ
て、共に、前記バイアス電源供給電源と同一の極性を有
することを特徴とする請求項２記載の異常検出回路。 - 【請求項４】 前記異常検出回路は、 バイアス電流値が所定の値より低下したことを検出する
電流低下検出手段と、 前記電流低下検出手段の出力に応じて警報出力の状態を
切り替える切替手段と、 バイアス電源と前記切替手段との間に接続し、負荷電流
を制限する負荷手段とを有し、前記負荷手段の両端を警
報出力とすることを特徴とする請求項２記載の異常検出
回路。 - 【請求項５】 前記異常検出回路は、バイアス電流値が
規定値より低下した場合を検出する電流低下検出手段お
よびバイアス電流値が規定値より増加した場合を検出す
る電流増加検出手段を有することを特徴とする請求項
１、２、３、４記載の異常検出回路。 - 【請求項６】 前記異常検出回路は、ＦＥＴトランジス
タを用いた高周波電力増幅器において、該ＦＥＴトラン
ジスタのバイアス電流値の異常を検出することを特徴と
する請求項１、２、３、４、５記載の異常検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08133297A JP3147808B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 異常検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08133297A JP3147808B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 異常検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284952A true JPH10284952A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3147808B2 JP3147808B2 (ja) | 2001-03-19 |
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ID=13743436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08133297A Expired - Fee Related JP3147808B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 異常検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147808B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650524B2 (en) | 2001-04-16 | 2003-11-18 | Denso Corporation | Power supply circuit with adaptive error detection and an electronic control circuit including the same |
| JP2008035221A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Yamaha Corp | 検出回路 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP08133297A patent/JP3147808B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650524B2 (en) | 2001-04-16 | 2003-11-18 | Denso Corporation | Power supply circuit with adaptive error detection and an electronic control circuit including the same |
| JP2008035221A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Yamaha Corp | 検出回路 |
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