JPH10286471A - 芳香族化合物製造触媒またはリフォーミング触媒の再生のための改良方法および改良装置 - Google Patents
芳香族化合物製造触媒またはリフォーミング触媒の再生のための改良方法および改良装置Info
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- JPH10286471A JPH10286471A JP10102664A JP10266498A JPH10286471A JP H10286471 A JPH10286471 A JP H10286471A JP 10102664 A JP10102664 A JP 10102664A JP 10266498 A JP10266498 A JP 10266498A JP H10286471 A JPH10286471 A JP H10286471A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 使用済み触媒の再生について、該触媒に当初
触媒性能を回復させる、芳香族化合物製造触媒またはリ
フォーミング触媒の再生のための改良方法および改良装
置を提供する。 【解決手段】 リフォーミング触媒または芳香族炭化水
素製造触媒の移動床再生方法は、連続する少なくとも２
つの燃焼帯域内での移動床触媒処理を用いる燃焼工程
と、オキシクロレーション工程と、焼成工程とを含む。
前記触媒は、担体と貴金属とハロゲンとを含んでいる。
燃焼工程の各帯域内での操作条件の苛酷度は触媒の流れ
方向と共に増大し、ガスは、オキシクロレーション工程
について塩素化剤と、酸素および水を含むガスとをＨ2
Ｏ／ＨＣｌモル比１〜５０で導入され、オキシクロレー
ション工程は、酸素を２１％以下で含みかつ塩素を少な
くとも５０重量ｐｐｍで含むオキシクロレーション・ガ
スの存在下に温度３５０〜６００℃で行われる。
触媒性能を回復させる、芳香族化合物製造触媒またはリ
フォーミング触媒の再生のための改良方法および改良装
置を提供する。 【解決手段】 リフォーミング触媒または芳香族炭化水
素製造触媒の移動床再生方法は、連続する少なくとも２
つの燃焼帯域内での移動床触媒処理を用いる燃焼工程
と、オキシクロレーション工程と、焼成工程とを含む。
前記触媒は、担体と貴金属とハロゲンとを含んでいる。
燃焼工程の各帯域内での操作条件の苛酷度は触媒の流れ
方向と共に増大し、ガスは、オキシクロレーション工程
について塩素化剤と、酸素および水を含むガスとをＨ2
Ｏ／ＨＣｌモル比１〜５０で導入され、オキシクロレー
ション工程は、酸素を２１％以下で含みかつ塩素を少な
くとも５０重量ｐｐｍで含むオキシクロレーション・ガ
スの存在下に温度３５０〜６００℃で行われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族炭化水素を
製造するための、特にリフォーミングのための移動床方
法に関する。本発明は、より詳しくは、使用済み触媒の
再生に関しかつ該触媒に当初触媒性能を回復させる、芳
香族化合物製造触媒またはリフォーミング触媒の再生の
ための改良方法および改良装置に関する。
製造するための、特にリフォーミングのための移動床方
法に関する。本発明は、より詳しくは、使用済み触媒の
再生に関しかつ該触媒に当初触媒性能を回復させる、芳
香族化合物製造触媒またはリフォーミング触媒の再生の
ための改良方法および改良装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】触媒は、一般に担体（例えば少なくとも
１つの耐火性酸化物から形成され、さらに担体は１つま
たは複数のゼオライトを含んでよい）と、少なくとも１
つの貴金属（好ましくは白金）と、好ましくは少なくと
も１つの金属助触媒（例えばスズまたはレニウム）と、
少なくとも１つのハロゲンと、場合によっては１つまた
は複数の追加元素（例えばアルカリ、アルカリ土類、ラ
ンタニド、ケイ素、IVＢ族元素、非貴金属、IIIＡ 族元
素等）とを含む。この型の触媒は、例えば塩素含有アル
ミナ担体上に担持された白金および少なくとも１つの金
属を含む。一般に、これらの触媒は、ナフテン系または
パラフィン系炭化水素の転換に使用される。これらナフ
テン系またはパラフィン系炭化水素は、リフォーミング
または芳香族炭化水素の製造（例えばベンゼン、トルエ
ン、オルト−、メタ−またはパラキシレンの製造）にお
いて脱水素環化および／または脱水素により転換し得
る。これらの炭化水素は、蒸留または他の転換方法によ
る原油の分別蒸留（分留）に由来する。
１つの耐火性酸化物から形成され、さらに担体は１つま
たは複数のゼオライトを含んでよい）と、少なくとも１
つの貴金属（好ましくは白金）と、好ましくは少なくと
も１つの金属助触媒（例えばスズまたはレニウム）と、
少なくとも１つのハロゲンと、場合によっては１つまた
は複数の追加元素（例えばアルカリ、アルカリ土類、ラ
ンタニド、ケイ素、IVＢ族元素、非貴金属、IIIＡ 族元
素等）とを含む。この型の触媒は、例えば塩素含有アル
ミナ担体上に担持された白金および少なくとも１つの金
属を含む。一般に、これらの触媒は、ナフテン系または
パラフィン系炭化水素の転換に使用される。これらナフ
テン系またはパラフィン系炭化水素は、リフォーミング
または芳香族炭化水素の製造（例えばベンゼン、トルエ
ン、オルト−、メタ−またはパラキシレンの製造）にお
いて脱水素環化および／または脱水素により転換し得
る。これらの炭化水素は、蒸留または他の転換方法によ
る原油の分別蒸留（分留）に由来する。
【０００３】これらの触媒は、文献において十分に記載
されている。
されている。
【０００４】これらリフォーミングまたは芳香族化合物
製造方法の収率を増加させる手段の１つは、種々の有益
な反応が行われる操作圧力を低下させることである。例
えば、３０年前には、リフォーミング反応は、４０バー
ルで行われた。２０年前には、１５バールで行われた。
今日、１０バール未満、特に３〜８バールの圧力で作動
するリフォーミング反応器を目撃するのはよくあること
である。
製造方法の収率を増加させる手段の１つは、種々の有益
な反応が行われる操作圧力を低下させることである。例
えば、３０年前には、リフォーミング反応は、４０バー
ルで行われた。２０年前には、１５バールで行われた。
今日、１０バール未満、特に３〜８バールの圧力で作動
するリフォーミング反応器を目撃するのはよくあること
である。
【０００５】圧力の低下による有益な反応の改善は、コ
ーキングによる触媒のより急速な失活を伴う。コークス
は、高分子量で構成されかつ主として炭素および水素か
らなり、触媒の活性部位に堆積する。
ーキングによる触媒のより急速な失活を伴う。コークス
は、高分子量で構成されかつ主として炭素および水素か
らなり、触媒の活性部位に堆積する。
【０００６】形成されたコークスのＨ／Ｃモル比は、約
０．３〜１．０に変化する。炭素原子および水素原子
は、凝縮された多芳香族構造を形成し、その結晶構造の
程度は、触媒の種類と反応器の運転条件とに応じて変化
する。炭化水素のコークスへの転換の選択性が非常に低
いにもかかわらず、触媒上に蓄積されたコークスの含有
量は大きいものである。
０．３〜１．０に変化する。炭素原子および水素原子
は、凝縮された多芳香族構造を形成し、その結晶構造の
程度は、触媒の種類と反応器の運転条件とに応じて変化
する。炭化水素のコークスへの転換の選択性が非常に低
いにもかかわらず、触媒上に蓄積されたコークスの含有
量は大きいものである。
【０００７】典型的には、固定床装置においては、これ
らの含有量は、２．０〜２０．０重量％、２５．５重量
％未満である。循環床装置においては、これらの含有量
は１０．０重量％未満である。
らの含有量は、２．０〜２０．０重量％、２５．５重量
％未満である。循環床装置においては、これらの含有量
は１０．０重量％未満である。
【０００８】さらに低圧力でのより急速なコークスの堆
積は、触媒のより急速な再生を必要とする。現実の再生
サイクルは、２〜３日まで降下し得る。
積は、触媒のより急速な再生を必要とする。現実の再生
サイクルは、２〜３日まで降下し得る。
【０００９】本出願人の特許ＥＰ−Ａ−０３７８４８２
には、リフォーミング触媒または芳香族化合物製造触媒
の連続的再生方法が記載されている。この方法により、
これらの次第に短くなるサイクルに固有の不都合を抑制
することが可能になる。再生工程の１つは、触媒のオキ
シクロレーションである。本発明は、この工程に関す
る。
には、リフォーミング触媒または芳香族化合物製造触媒
の連続的再生方法が記載されている。この方法により、
これらの次第に短くなるサイクルに固有の不都合を抑制
することが可能になる。再生工程の１つは、触媒のオキ
シクロレーションである。本発明は、この工程に関す
る。
【００１０】特許ＥＰ−Ａ−０３７８４８２によれば、
使用済触媒は、漸進的に上から下に再生容器内を前進
し、この再生容器内で、触媒は、第一移動床放射状燃焼
帯域、第二移動床放射状燃焼帯域、軸方向移動床オキシ
クロレーション帯域および軸方向移動床焼成帯域に相次
いで遭遇し、 (a) 第一燃焼帯域において、触媒は、第一リフォーミン
グ反応器内を支配する圧力にほぼ等しい圧力３〜８バー
ル下に、触媒と並流で循環する、酸素０．０１〜１容量
％を含む不活性ガスをベースとする燃焼ガスによる温度
３５０〜４５０℃で処理され、この燃焼ガスは、燃焼、
オキシクロレーションおよび焼成から生じたガスの洗浄
帯域に由来する。
使用済触媒は、漸進的に上から下に再生容器内を前進
し、この再生容器内で、触媒は、第一移動床放射状燃焼
帯域、第二移動床放射状燃焼帯域、軸方向移動床オキシ
クロレーション帯域および軸方向移動床焼成帯域に相次
いで遭遇し、 (a) 第一燃焼帯域において、触媒は、第一リフォーミン
グ反応器内を支配する圧力にほぼ等しい圧力３〜８バー
ル下に、触媒と並流で循環する、酸素０．０１〜１容量
％を含む不活性ガスをベースとする燃焼ガスによる温度
３５０〜４５０℃で処理され、この燃焼ガスは、燃焼、
オキシクロレーションおよび焼成から生じたガスの洗浄
帯域に由来する。
【００１１】(b) 第二燃焼帯域において、触媒は、前記
第一反応器内を支配する圧力にほぼ等しい圧力３〜８バ
ール下に、第一燃焼帯域内を支配する温度より少なくと
も２０℃高い温度で、第一燃焼帯域から来るガスの存在
下に、また酸素の２０容量％までの追加が行われる補給
不活性ガスの存在下に処理されて、触媒が、酸素０．０
１〜１容量％を含むガスと接触され、これらガスは触媒
との並流で循環する。
第一反応器内を支配する圧力にほぼ等しい圧力３〜８バ
ール下に、第一燃焼帯域内を支配する温度より少なくと
も２０℃高い温度で、第一燃焼帯域から来るガスの存在
下に、また酸素の２０容量％までの追加が行われる補給
不活性ガスの存在下に処理されて、触媒が、酸素０．０
１〜１容量％を含むガスと接触され、これらガスは触媒
との並流で循環する。
【００１２】(c) 焼却ガスは、第二燃焼帯域から排出さ
れ、予めオキシクロレーション帯域および焼成帯域から
抜き出されたガスと混合された後に洗浄回路に向けて搬
送される。
れ、予めオキシクロレーション帯域および焼成帯域から
抜き出されたガスと混合された後に洗浄回路に向けて搬
送される。
【００１３】(d) オキシクロレーション帯域において、
触媒は、焼成帯域から来るガスと前記塩素含有ガスとの
混合により３０〜６０分間並流で処理される。前記混合
物は、圧力３〜８バール下に酸素４〜１０容量％を含む
オキシクロレーション・ガスを形成する。水含有量は、
添加された水を除いて５００〜７０００ｐｐｍ程度であ
り、水は、燃焼から生じた、洗浄されかつ乾燥されたガ
スに由来し、該ガスは一部オキシクロレーションに使用
されるが、ガスの大部分は焼成からも生じる。
触媒は、焼成帯域から来るガスと前記塩素含有ガスとの
混合により３０〜６０分間並流で処理される。前記混合
物は、圧力３〜８バール下に酸素４〜１０容量％を含む
オキシクロレーション・ガスを形成する。水含有量は、
添加された水を除いて５００〜７０００ｐｐｍ程度であ
り、水は、燃焼から生じた、洗浄されかつ乾燥されたガ
スに由来し、該ガスは一部オキシクロレーションに使用
されるが、ガスの大部分は焼成からも生じる。
【００１４】(e) 軸方向焼成帯域では、触媒は、洗浄回
路および乾燥帯域から来る、水１００ｐｐｍ以上を含ま
ないガスの一部により、圧力３〜８バール下、温度３５
０〜５５０℃、向流で４５〜８０分間処理される。
路および乾燥帯域から来る、水１００ｐｐｍ以上を含ま
ないガスの一部により、圧力３〜８バール下、温度３５
０〜５５０℃、向流で４５〜８０分間処理される。
【００１５】本発明者により、本方法の操作条件の制御
が改善され得ることが証明された。燃焼工程、さらには
焼成工程の操作条件を正確に調節し得るガスの管理が探
求されていた。
が改善され得ることが証明された。燃焼工程、さらには
焼成工程の操作条件を正確に調節し得るガスの管理が探
求されていた。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明による方法および
装置は、上記の目標に応じるものである。
装置は、上記の目標に応じるものである。
【００１７】より正確には、本発明による方法は、リフ
ォーミング触媒または芳香族炭化水素製造触媒の移動床
再生方法である。前記触媒は、担体と、少なくとも１つ
の貴金属と、少なくとも１つのハロゲンとを含み、方法
は、少なくとも２つの連続燃焼帯域内で移動床触媒処理
を用いる燃焼工程と、オキシクロレーション工程と、焼
成工程とを含み、該方法において、各燃焼帯域は、隣接
する燃焼帯域から分離されて、触媒を通過させるままに
しかつガスの通過を妨げるようにする。燃焼工程の各帯
域内に、少なくとも１つの酸素含有ガスが導入され、生
成ガスが各帯域から抜き出される。燃焼工程の各帯域内
での操作条件の苛酷度は、触媒の流れ方向と共に増大す
る。オキシクロレーション工程に対して、少なくとも１
つの塩素化剤と、Ｈ2 Ｏ／ＨＣｌモル比１〜５０である
ような酸素および水を含む少なくとも１つのガスとが導
入され、オキシクロレーション工程は、酸素２１％未満
と（ＨＣｌで計算された）塩素少なくとも５０重量ｐｐ
ｍとを含むオキシクロレーション・ガスの存在下に温度
３５０〜６００℃で行われる。
ォーミング触媒または芳香族炭化水素製造触媒の移動床
再生方法である。前記触媒は、担体と、少なくとも１つ
の貴金属と、少なくとも１つのハロゲンとを含み、方法
は、少なくとも２つの連続燃焼帯域内で移動床触媒処理
を用いる燃焼工程と、オキシクロレーション工程と、焼
成工程とを含み、該方法において、各燃焼帯域は、隣接
する燃焼帯域から分離されて、触媒を通過させるままに
しかつガスの通過を妨げるようにする。燃焼工程の各帯
域内に、少なくとも１つの酸素含有ガスが導入され、生
成ガスが各帯域から抜き出される。燃焼工程の各帯域内
での操作条件の苛酷度は、触媒の流れ方向と共に増大す
る。オキシクロレーション工程に対して、少なくとも１
つの塩素化剤と、Ｈ2 Ｏ／ＨＣｌモル比１〜５０である
ような酸素および水を含む少なくとも１つのガスとが導
入され、オキシクロレーション工程は、酸素２１％未満
と（ＨＣｌで計算された）塩素少なくとも５０重量ｐｐ
ｍとを含むオキシクロレーション・ガスの存在下に温度
３５０〜６００℃で行われる。
【００１８】本方法は、移動床であるいは触媒の断続的
流れを用いて行われる（この場合、各工程は、少なくと
も１つの異なる帯域内で行われ、触媒は一方の帯域から
他方の帯域に流れる）。
流れを用いて行われる（この場合、各工程は、少なくと
も１つの異なる帯域内で行われ、触媒は一方の帯域から
他方の帯域に流れる）。
【００１９】再生は、炭素含有物質の燃焼工程から始ま
る。この再生の後にオキシクロレーション工程、次いで
焼成工程が行われる。
る。この再生の後にオキシクロレーション工程、次いで
焼成工程が行われる。
【００２０】燃焼から生じたガスとオキシクロレーショ
ンから生じたガスとは、一般に再生方法から別々に抜き
出される。これらのガスの混合を回避するために、有利
には、移動床方法において燃焼帯域とオキシクロレーシ
ョン帯域とを分離するために板または別の手段が配置さ
れる。その代わりに、これら移動床方法では、焼成から
生じたガスは、一般にオキシクロレーション帯域内を自
由に通過する。
ンから生じたガスとは、一般に再生方法から別々に抜き
出される。これらのガスの混合を回避するために、有利
には、移動床方法において燃焼帯域とオキシクロレーシ
ョン帯域とを分離するために板または別の手段が配置さ
れる。その代わりに、これら移動床方法では、焼成から
生じたガスは、一般にオキシクロレーション帯域内を自
由に通過する。
【００２１】燃焼工程に関して、この工程は、分離され
かつ隣接する連続的な少なくとも２つの帯域内で行われ
る。すなわち、燃焼帯域からでた触媒は、直接次の燃焼
帯域内を通過し、２帯域間での処理を受けない。燃焼帯
域から抜き出されたガスは、少なくとも一部、好ましく
は全部、（触媒の流れ方向に）次の帯域内に（例えば空
気による）場合によっては酸素の補給を伴って搬送され
る。
かつ隣接する連続的な少なくとも２つの帯域内で行われ
る。すなわち、燃焼帯域からでた触媒は、直接次の燃焼
帯域内を通過し、２帯域間での処理を受けない。燃焼帯
域から抜き出されたガスは、少なくとも一部、好ましく
は全部、（触媒の流れ方向に）次の帯域内に（例えば空
気による）場合によっては酸素の補給を伴って搬送され
る。
【００２２】一般に、操作条件の苛酷化は、温度および
／または導入ガスの酸素含有量を増加させて得られる。
好ましくは、各帯域に対して、導入ガスの酸素含有量
は、０．０１〜２％、好ましくは０．５〜１．５％、一
般に０．５％を越える。導入ガス温度は、３５０〜６０
０℃、好ましくは４００〜６００℃である。帯域内での
触媒の滞留時間は、５分〜３時間であり、ＰＰＨ（ガス
／ガスと接触する触媒の毎時比流量）は１〜５０ｈ-1で
ある。
／または導入ガスの酸素含有量を増加させて得られる。
好ましくは、各帯域に対して、導入ガスの酸素含有量
は、０．０１〜２％、好ましくは０．５〜１．５％、一
般に０．５％を越える。導入ガス温度は、３５０〜６０
０℃、好ましくは４００〜６００℃である。帯域内での
触媒の滞留時間は、５分〜３時間であり、ＰＰＨ（ガス
／ガスと接触する触媒の毎時比流量）は１〜５０ｈ-1で
ある。
【００２３】有利には、燃焼工程は、燃焼達成の制御と
称する最終帯域で終了する。該帯域では、酸素の消費量
は、前記帯域に入る酸素の１０％未満である。温度は、
好ましくはほぼ一定である。
称する最終帯域で終了する。該帯域では、酸素の消費量
は、前記帯域に入る酸素の１０％未満である。温度は、
好ましくはほぼ一定である。
【００２４】好ましくは、制御帯域は、最終燃焼帯域の
下部部分内、つまり炎の正面の終了の後に位置する。
下部部分内、つまり炎の正面の終了の後に位置する。
【００２５】さらに一般に制御帯域内に、酸素含有ガス
が、（触媒の流れ方向に）上流レベルで導入されるガス
の量よりも大きい量で導入される。
が、（触媒の流れ方向に）上流レベルで導入されるガス
の量よりも大きい量で導入される。
【００２６】従って、本発明において、複数帯域（また
は段階）での燃焼が定義され、この燃焼において、各段
階は、より効果的な燃焼を得るために、前記段階を支配
する温度、酸素含有ガスの入口温度、導入ガスの酸素含
有量、ガス流量およびこれらの条件下でコークス化され
る触媒のさらし時間により特徴づけられる。
は段階）での燃焼が定義され、この燃焼において、各段
階は、より効果的な燃焼を得るために、前記段階を支配
する温度、酸素含有ガスの入口温度、導入ガスの酸素含
有量、ガス流量およびこれらの条件下でコークス化され
る触媒のさらし時間により特徴づけられる。
【００２７】燃焼工程を受けた触媒は、オキシクロレー
ション工程に付されるための準備ができている。この工
程は、軸方向または放射状型の１つまたは複数の帯域内
で行われる。オキシクロレーション帯域内に、少なくと
も１つの塩素化剤、および酸素と水とを含む少なくとも
１つのガスが導入される。塩素化剤は、塩素、ＨＣｌま
たは炭素原子数４未満および塩素原子数１〜６を含むハ
ロゲン化炭化水素（例えばＣＣｌ4 ）または塩素を放出
するためのこれら再生方法において公知のあらゆる塩素
化剤であってよい。塩素化剤は、好ましくは酸素含有ガ
スと共に導入される。有利には、該塩素化剤は、オキシ
クロレーション帯域が軸方向である場合、触媒と向流で
流れるようにオキシクロレーション帯域の下部部分に導
入される。
ション工程に付されるための準備ができている。この工
程は、軸方向または放射状型の１つまたは複数の帯域内
で行われる。オキシクロレーション帯域内に、少なくと
も１つの塩素化剤、および酸素と水とを含む少なくとも
１つのガスが導入される。塩素化剤は、塩素、ＨＣｌま
たは炭素原子数４未満および塩素原子数１〜６を含むハ
ロゲン化炭化水素（例えばＣＣｌ4 ）または塩素を放出
するためのこれら再生方法において公知のあらゆる塩素
化剤であってよい。塩素化剤は、好ましくは酸素含有ガ
スと共に導入される。有利には、該塩素化剤は、オキシ
クロレーション帯域が軸方向である場合、触媒と向流で
流れるようにオキシクロレーション帯域の下部部分に導
入される。
【００２８】導入される塩素化剤の量は、オキシクロレ
ーション・ガス（すなわち、移動床での方法において、
オキシクロレーション帯域に導入されるガス＋焼成帯域
から来るガス）と称するオキシクロレーション帯域内で
触媒と接触するガス中の（ＨＣｌで計算される）塩素濃
度が、少なくとも５０重量ｐｐｍ、一般に５０〜８００
０重量ｐｐｍ、有利には６５０重量ｐｐｍを越え、好ま
しくは１０００〜８０００重量ｐｐｍであるようなもの
である。さらに（例えば腐食または塩素化ガスの後処理
に関する）技術的理由において、４０００または５００
０重量ｐｐｍを越えない含有量で作用を行うのが好まし
い。
ーション・ガス（すなわち、移動床での方法において、
オキシクロレーション帯域に導入されるガス＋焼成帯域
から来るガス）と称するオキシクロレーション帯域内で
触媒と接触するガス中の（ＨＣｌで計算される）塩素濃
度が、少なくとも５０重量ｐｐｍ、一般に５０〜８００
０重量ｐｐｍ、有利には６５０重量ｐｐｍを越え、好ま
しくは１０００〜８０００重量ｐｐｍであるようなもの
である。さらに（例えば腐食または塩素化ガスの後処理
に関する）技術的理由において、４０００または５００
０重量ｐｐｍを越えない含有量で作用を行うのが好まし
い。
【００２９】さらに少なくとも１つの酸素含有ガスがオ
キシクロレーション帯域に導入される。
キシクロレーション帯域に導入される。
【００３０】有利には、このガスは、例えば空気による
酸素補給物と混合され、好ましくは洗浄されかつ乾燥さ
れた、燃焼工程から生じたガスの一部を含む。軸方向の
オキシクロレーション帯域を用いる移動床方法では、こ
のガスは、好ましくは触媒と向流で流通する。
酸素補給物と混合され、好ましくは洗浄されかつ乾燥さ
れた、燃焼工程から生じたガスの一部を含む。軸方向の
オキシクロレーション帯域を用いる移動床方法では、こ
のガスは、好ましくは触媒と向流で流通する。
【００３１】触媒は、オキシクロレーション帯域でこの
ように導入されたガスと接触され、さらになお酸素を充
填されかつ焼成により生じた水を少量含む、焼成帯域か
ら来るガスと接触される。オキシクロレーション・ガス
の酸素含有量は、２１（容量）％未満である。この含有
量は、一般に１０容量％以上である。
ように導入されたガスと接触され、さらになお酸素を充
填されかつ焼成により生じた水を少量含む、焼成帯域か
ら来るガスと接触される。オキシクロレーション・ガス
の酸素含有量は、２１（容量）％未満である。この含有
量は、一般に１０容量％以上である。
【００３２】本発明によれば、先行技術ＥＰ−０３７８
４８２に反して、移動床方法の好ましい実施の形態で
は、オキシクロレーション工程（例えば軸方向のオキシ
クロレーション帯域）に、焼成工程（例えば軸方向の焼
成帯域）内に導入された酸素含有ガスとは無関係に、少
なくとも１つの酸素含有ガスが導入される。
４８２に反して、移動床方法の好ましい実施の形態で
は、オキシクロレーション工程（例えば軸方向のオキシ
クロレーション帯域）に、焼成工程（例えば軸方向の焼
成帯域）内に導入された酸素含有ガスとは無関係に、少
なくとも１つの酸素含有ガスが導入される。
【００３３】さらに本発明から逸脱しないで、オキシク
ロレーション工程に塩素化剤および水だけを導入するこ
とが考えられてよい。この場合、塩素および水の十分な
配分を得るのはより困難である。従って、酸素含有ガス
は焼成帯域からのみ来る。
ロレーション工程に塩素化剤および水だけを導入するこ
とが考えられてよい。この場合、塩素および水の十分な
配分を得るのはより困難である。従って、酸素含有ガス
は焼成帯域からのみ来る。
【００３４】特許ＥＰ−０３７８４８２に比して新規方
法では、水は、オキシクロレーション工程に導入され
る。この水は、有利には導入された酸素含有ガスとの混
合物状で導入される。
法では、水は、オキシクロレーション工程に導入され
る。この水は、有利には導入された酸素含有ガスとの混
合物状で導入される。
【００３５】こうして導入された水の量は、Ｈ2 Ｏ／Ｈ
Ｃｌモル比１〜５０である。一般に、この比は少なくと
も３である。好ましくはこの比は、４〜５０、または４
〜３０、有利には７〜５０、より好ましくは７〜３０で
ある。水は、液体形態または好ましくは水蒸気形態で導
入される。
Ｃｌモル比１〜５０である。一般に、この比は少なくと
も３である。好ましくはこの比は、４〜５０、または４
〜３０、有利には７〜５０、より好ましくは７〜３０で
ある。水は、液体形態または好ましくは水蒸気形態で導
入される。
【００３６】従って、オキシクロレーション・ガスは、
水を十分に充填される。その水含有量は、７０００ｐｐ
ｍを越える。一般にその水含有量は、少なくとも８００
０重量ｐｐｍ、さらには１００００重量ｐｐｍ、好まし
くは１００００重量ｐｐｍを越える。
水を十分に充填される。その水含有量は、７０００ｐｐ
ｍを越える。一般にその水含有量は、少なくとも８００
０重量ｐｐｍ、さらには１００００重量ｐｐｍ、好まし
くは１００００重量ｐｐｍを越える。
【００３７】貴金属の再分散は、明記された条件下、酸
素、塩素および水の存在下にオキシクロレーション工程
での温度３５０〜６００℃、好ましくは３５０〜５５０
℃、しかしながらほとんどの場合、少なくとも４５０
℃、好ましくは４９０〜５３０℃で得られる。オキシク
ロレーション工程での触媒の滞留時間は、多くの場合２
時間未満である。この滞留時間は、一般に４５分〜２時
間で設定される。
素、塩素および水の存在下にオキシクロレーション工程
での温度３５０〜６００℃、好ましくは３５０〜５５０
℃、しかしながらほとんどの場合、少なくとも４５０
℃、好ましくは４９０〜５３０℃で得られる。オキシク
ロレーション工程での触媒の滞留時間は、多くの場合２
時間未満である。この滞留時間は、一般に４５分〜２時
間で設定される。
【００３８】この帯域内を支配する圧力は、触媒が流通
する場合、隣接する帯域の圧力と平衡でなければなら
ず、低圧力のリフォーミング方法で作用する触媒の移動
床再生方法については３〜８バールである。
する場合、隣接する帯域の圧力と平衡でなければなら
ず、低圧力のリフォーミング方法で作用する触媒の移動
床再生方法については３〜８バールである。
【００３９】さらに移動床方法では、オキシクロレーシ
ョン・ガスは、焼成帯域から来るガスを含む。この焼成
帯域では、酸素と水１モル％未満、好ましくは水０．１
モル％未満、より良くは水少なくとも０．０５モル％と
を含むガスが導入される。一般に水含有量は、１５０モ
ルｐｐｍ未満、より良くは１００モルｐｐｍ未満、有利
には５０モルｐｐｍ未満である。
ョン・ガスは、焼成帯域から来るガスを含む。この焼成
帯域では、酸素と水１モル％未満、好ましくは水０．１
モル％未満、より良くは水少なくとも０．０５モル％と
を含むガスが導入される。一般に水含有量は、１５０モ
ルｐｐｍ未満、より良くは１００モルｐｐｍ未満、有利
には５０モルｐｐｍ未満である。
【００４０】酸素含有ガスは、空気であってよい。有利
には、このガスは、燃焼工程から生じ、洗浄されかつ乾
燥され、酸素補給物（空気）と混合されたガスの一部を
含む。この有利な場合には、焼成工程に導入されたガス
の酸素含有量は、２１容量％未満である。一般に、焼成
工程に導入されたガスの酸素含有量は、多くとも２１容
量％である。
には、このガスは、燃焼工程から生じ、洗浄されかつ乾
燥され、酸素補給物（空気）と混合されたガスの一部を
含む。この有利な場合には、焼成工程に導入されたガス
の酸素含有量は、２１容量％未満である。一般に、焼成
工程に導入されたガスの酸素含有量は、多くとも２１容
量％である。
【００４１】焼成工程の温度は、公知では３５０〜６０
０℃、好ましくは３５０〜５５０℃である。酸素含有ガ
スは、軸方向焼成帯域を用いる移動床方法において触媒
と向流で流通する。一般に、滞留時間は１時間未満であ
る。
０℃、好ましくは３５０〜５５０℃である。酸素含有ガ
スは、軸方向焼成帯域を用いる移動床方法において触媒
と向流で流通する。一般に、滞留時間は１時間未満であ
る。
【００４２】オキシクロレーション帯域での操作条件を
厳重に調節することを可能にするために、好ましくはオ
キシクロレーション・ガスの再循環を用いないで操作を
行う。
厳重に調節することを可能にするために、好ましくはオ
キシクロレーション・ガスの再循環を用いないで操作を
行う。
【００４３】さらに再循環の不存在により、酸素割合の
より正確な調節が可能になりかつ経済的に酸素の高含有
量（希釈の不存在）に達することが可能になる。
より正確な調節が可能になりかつ経済的に酸素の高含有
量（希釈の不存在）に達することが可能になる。
【００４４】しかしながら、実施の形態には再循環が含
まれてよい。
まれてよい。
【００４５】再循環がない場合（好ましい場合）、オキ
シクロレーション帯域から出るオキシクロレーション・
ガス（または再循環が存在する場合、このガスのパー
ジ）は、少なくとも塩素含有不純物を除去するために処
理された後、装置外（例えば大気中）に投棄される。
シクロレーション帯域から出るオキシクロレーション・
ガス（または再循環が存在する場合、このガスのパー
ジ）は、少なくとも塩素含有不純物を除去するために処
理された後、装置外（例えば大気中）に投棄される。
【００４６】さらに、オキシクロレーション帯域に導入
された燃焼から生じたガスを乾燥させることに関心が持
たれ、その場合には、添加された水の量からオキシクロ
レーション・ガス中に存在する水の量を制御するように
する。この乾燥は、オキシクロレーション帯域に一部を
導入するために、その分留前に燃焼から抜き出されたガ
スについてか、さもなければ分留された一部について行
なわれてよい。さらに空気は、好ましくは乾燥される。
された燃焼から生じたガスを乾燥させることに関心が持
たれ、その場合には、添加された水の量からオキシクロ
レーション・ガス中に存在する水の量を制御するように
する。この乾燥は、オキシクロレーション帯域に一部を
導入するために、その分留前に燃焼から抜き出されたガ
スについてか、さもなければ分留された一部について行
なわれてよい。さらに空気は、好ましくは乾燥される。
【００４７】本発明による方法の条件では、先行技術に
比して、触媒の金属相の再分散の顕著な改善が得られ
る。
比して、触媒の金属相の再分散の顕著な改善が得られ
る。
【００４８】触媒の金属相の分散状態は、Ｈ2 ／Ｏ2 化
学吸着技術により量的に測定される。
学吸着技術により量的に測定される。
【００４９】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を説
明する。
明する。
【００５０】図１は、本発明の第１の実施形態を示すフ
ローシートである。
ローシートである。
【００５１】本発明の方法は、本発明の対象装置を示す
図１を参照して、より良く理解される。
図１を参照して、より良く理解される。
【００５２】同図を参照すると、本発明の方法は、担
体、少なくとも１つの貴金属および少なくとも１つのハ
ロゲン、並びに閉鎖容器の触媒の少なくとも１つの導入
導管(1) および排出導管(4) を含むリフォーミング触媒
または芳香族化合物削減触媒の再生装置を対象とする。
移動床形態での前記触媒は、燃焼帯域、オキシクロレー
ション帯域および焼成帯域を相次いで通過する。
体、少なくとも１つの貴金属および少なくとも１つのハ
ロゲン、並びに閉鎖容器の触媒の少なくとも１つの導入
導管(1) および排出導管(4) を含むリフォーミング触媒
または芳香族化合物削減触媒の再生装置を対象とする。
移動床形態での前記触媒は、燃焼帯域、オキシクロレー
ション帯域および焼成帯域を相次いで通過する。
【００５３】前記閉鎖容器は、直列状に配置された放射
状の少なくとも２つの燃焼帯域(A1)(A2)であり、該燃焼
帯域の間に、導管内の前記帯域の間の触媒の通過をこの
ために可能にするが、前記帯域間のガスの通過を妨げる
分離手段が配置されているものと、最終燃焼帯域の下部
に位置する燃焼達成制御帯域(FC)と、第一燃焼帯域内で
の少なくとも１つの酸素含有ガス導入用導管(30)、燃焼
帯域のガス排出用および次の燃焼帯域内へのそれらガス
の導入用の少なくとも１つの導管(32)、並びに制御帯域
への酸素含有ガス導入用の少なくとも１つの導管(31)
と、閉鎖容器の外側での燃焼工程から生じたガス排出用
の少なくとも１つの導管(5) であって、前記導管は、オ
キシクロレーション帯域の前に位置するものであり、閉
鎖容器は、少なくとも１つの前記ガス冷却用手段、少な
くとも１つの不純物除去用前記ガス処理手段、少なくと
も１つのガス乾燥用手段、および少なくとも１つのガス
圧縮用手段を含むものと、圧縮されかつ導管(30)(31)に
連結された、燃焼から生じたガスの一部を排出するため
の少なくとも１つの導管(9) と、圧縮された、燃焼から
生じたガスの別の一部を排出するための少なくとも１つ
の導管(10)であって、前記導管上に少なくとも１つのガ
ス加熱手段(16)が配置されており、前記導管は、少なく
とも１つの導管(17)に連結され、該導管は、前記ガスの
少なくとも一部をオキシクロレーション帯域に導き、前
記導管(17)は、少なくとも１つの水導入用導管(20)およ
び少なくとも１つの塩素化剤導入用導管(19)に連結され
るものと、焼成帯域への少なくとも１つの酸素含有ガス
導入用導管(18)と、装置外でガスを排出する前の前記ガ
スの少なくとも１つの処理手段(22)を含むオキシクロレ
ーション帯域から生じたガスの少なくとも１つの排出用
導管(21)とを備える。
状の少なくとも２つの燃焼帯域(A1)(A2)であり、該燃焼
帯域の間に、導管内の前記帯域の間の触媒の通過をこの
ために可能にするが、前記帯域間のガスの通過を妨げる
分離手段が配置されているものと、最終燃焼帯域の下部
に位置する燃焼達成制御帯域(FC)と、第一燃焼帯域内で
の少なくとも１つの酸素含有ガス導入用導管(30)、燃焼
帯域のガス排出用および次の燃焼帯域内へのそれらガス
の導入用の少なくとも１つの導管(32)、並びに制御帯域
への酸素含有ガス導入用の少なくとも１つの導管(31)
と、閉鎖容器の外側での燃焼工程から生じたガス排出用
の少なくとも１つの導管(5) であって、前記導管は、オ
キシクロレーション帯域の前に位置するものであり、閉
鎖容器は、少なくとも１つの前記ガス冷却用手段、少な
くとも１つの不純物除去用前記ガス処理手段、少なくと
も１つのガス乾燥用手段、および少なくとも１つのガス
圧縮用手段を含むものと、圧縮されかつ導管(30)(31)に
連結された、燃焼から生じたガスの一部を排出するため
の少なくとも１つの導管(9) と、圧縮された、燃焼から
生じたガスの別の一部を排出するための少なくとも１つ
の導管(10)であって、前記導管上に少なくとも１つのガ
ス加熱手段(16)が配置されており、前記導管は、少なく
とも１つの導管(17)に連結され、該導管は、前記ガスの
少なくとも一部をオキシクロレーション帯域に導き、前
記導管(17)は、少なくとも１つの水導入用導管(20)およ
び少なくとも１つの塩素化剤導入用導管(19)に連結され
るものと、焼成帯域への少なくとも１つの酸素含有ガス
導入用導管(18)と、装置外でガスを排出する前の前記ガ
スの少なくとも１つの処理手段(22)を含むオキシクロレ
ーション帯域から生じたガスの少なくとも１つの排出用
導管(21)とを備える。
【００５４】有利には、導管(9) は、制御帯域内に導入
されるガスの少なくとも１つの加熱手段を備える。
されるガスの少なくとも１つの加熱手段を備える。
【００５５】有利には、少なくとも１つのガス加熱手段
(36)(37)が、各導管(30)(31)に配置される。
(36)(37)が、各導管(30)(31)に配置される。
【００５６】有利には、導管(5) は、少なくとも１つの
冷却手段の後に少なくとも１つの乾燥機次いで少なくと
も１つの圧縮手段を備える。
冷却手段の後に少なくとも１つの乾燥機次いで少なくと
も１つの圧縮手段を備える。
【００５７】閉鎖容器レベルでのガスの全体管理によ
り、燃焼帯域とオキシクロレーション帯域と焼成帯域と
に最適化されて組合わされる作動（運転）が確実に行わ
れる。
り、燃焼帯域とオキシクロレーション帯域と焼成帯域と
に最適化されて組合わされる作動（運転）が確実に行わ
れる。
【００５８】従って、燃焼工程から生じたガスは、冷却
され、不純物を除去するために処理され、乾燥され、圧
縮され、次いで２つの流れに分留される。第一流は、酸
素補給と場合による再加熱後に第一燃焼帯域内に搬送さ
れる。第二流は、酸素、水および塩素化剤の補給後、並
びに加熱後にオキシクロレーション工程に搬送される。
オキシクロレーションから生じたガスは、処理されて、
装置外に排出される。
され、不純物を除去するために処理され、乾燥され、圧
縮され、次いで２つの流れに分留される。第一流は、酸
素補給と場合による再加熱後に第一燃焼帯域内に搬送さ
れる。第二流は、酸素、水および塩素化剤の補給後、並
びに加熱後にオキシクロレーション工程に搬送される。
オキシクロレーションから生じたガスは、処理されて、
装置外に排出される。
【００５９】２つの燃焼帯域を備える図１の場合、これ
ら帯域は、触媒を通過させたままにして、ガスの通過を
妨げるようにして分離される。第二燃焼帯域は、その下
部に燃焼達成の制御帯域を備える。第一燃焼帯域から抜
き出されたガスは、酸素の補給後、第二燃焼帯域に全部
搬送される。第二燃焼帯域から生じたガスは冷却され、
不純物を除去するために処理され、パージされ、乾燥さ
れ、圧縮され、次いで２つの流に分離される。第一流
は、酸素補給後に第一燃焼帯域に導入されかつ場合によ
る再加熱後に制御帯域に導入される。第二流は、酸素含
有乾燥ガスを添加され、再加熱され、水および塩素化剤
の添加後にオキシクロレーション帯域に搬送される。
ら帯域は、触媒を通過させたままにして、ガスの通過を
妨げるようにして分離される。第二燃焼帯域は、その下
部に燃焼達成の制御帯域を備える。第一燃焼帯域から抜
き出されたガスは、酸素の補給後、第二燃焼帯域に全部
搬送される。第二燃焼帯域から生じたガスは冷却され、
不純物を除去するために処理され、パージされ、乾燥さ
れ、圧縮され、次いで２つの流に分離される。第一流
は、酸素補給後に第一燃焼帯域に導入されかつ場合によ
る再加熱後に制御帯域に導入される。第二流は、酸素含
有乾燥ガスを添加され、再加熱され、水および塩素化剤
の添加後にオキシクロレーション帯域に搬送される。
【００６０】上記実施の形態によれば、第一流は、２つ
の留分に分離される。一方の留分は、酸素補給後に第一
燃焼帯域に導入され、他方の留分は、酸素を添加され、
再加熱され、制御帯域に導入される。
の留分に分離される。一方の留分は、酸素補給後に第一
燃焼帯域に導入され、他方の留分は、酸素を添加され、
再加熱され、制御帯域に導入される。
【００６１】別の実施の形態では、第一流は、２つの留
分に分離され、各留分は酸素を添加され、一方の留分に
ついては第一燃焼帯域への導入前に、他方の留分につい
ては制御帯域への導入前に再加熱される。
分に分離され、各留分は酸素を添加され、一方の留分に
ついては第一燃焼帯域への導入前に、他方の留分につい
ては制御帯域への導入前に再加熱される。
【００６２】さらに、実施の形態によれば、再加熱され
た第二流は、２つの留分に分離される。一方の留分は、
水および塩素化剤の添加後、オキシクロレーション帯域
に搬送され、他方の留分は、焼成帯域に搬送される。
た第二流は、２つの留分に分離される。一方の留分は、
水および塩素化剤の添加後、オキシクロレーション帯域
に搬送され、他方の留分は、焼成帯域に搬送される。
【００６３】さらに別の実施の形態において、第一流か
ら生じた２つの留分または制御帯域に導入される留分の
みが再加熱され得る。
ら生じた２つの留分または制御帯域に導入される留分の
みが再加熱され得る。
【００６４】従来例では、再生されるべき使用済触媒
は、導管(1) を経て再生閉鎖容器(E)の頂部(2) に導入
される。
は、導管(1) を経て再生閉鎖容器(E)の頂部(2) に導入
される。
【００６５】次いで触媒は、導管または脚部(3) を経て
第一燃焼帯域(A1)に導入される。この帯域で、触媒は、
導管(30)を経て導入される酸素含有ガスにより第一焼却
または第一燃焼を受ける。
第一燃焼帯域(A1)に導入される。この帯域で、触媒は、
導管(30)を経て導入される酸素含有ガスにより第一焼却
または第一燃焼を受ける。
【００６６】一般に燃焼帯域は、放射状型、好ましくは
環状型である。この場合、床は、共軸の２つの円筒状壁
により境界を画定された環状空間内を流れる。ガスは一
方の壁を経て入り、他方の壁を経て出る。
環状型である。この場合、床は、共軸の２つの円筒状壁
により境界を画定された環状空間内を流れる。ガスは一
方の壁を経て入り、他方の壁を経て出る。
【００６７】ガスは、この第一燃焼帯域を通過後、導管
(32)を経て前記帯域から抜き出される。このガスは、少
なくとも一部、好ましくは全部第二燃焼帯域(A2)に再導
入される。触媒は、この第二燃焼帯域内を流れる。
(32)を経て前記帯域から抜き出される。このガスは、少
なくとも一部、好ましくは全部第二燃焼帯域(A2)に再導
入される。触媒は、この第二燃焼帯域内を流れる。
【００６８】一般に燃焼帯域から抜き出されたガスは、
少なくとも一部、好ましくは全部次の燃焼帯域に再導入
される。
少なくとも一部、好ましくは全部次の燃焼帯域に再導入
される。
【００６９】必要であれば、酸素の補給が導管(35)を経
て行われる。この配置により、残留酸素の最大限の活用
と最小限の酸素補給とが可能になる。
て行われる。この配置により、残留酸素の最大限の活用
と最小限の酸素補給とが可能になる。
【００７０】本発明によれば、燃焼帯域(A1)(A2)は、触
媒を通過させておくために物理的に分離されるが、ガス
の通過、例えばガスの(A1)から(A2)への直接通過を妨げ
る。
媒を通過させておくために物理的に分離されるが、ガス
の通過、例えばガスの(A1)から(A2)への直接通過を妨げ
る。
【００７１】当業者により、この機能を満たすために最
も適用される手段が選ばれる。図１の実施の形態では、
このために板(29)は、触媒の通過に充当される断面（脚
部または他の導管）を除いて、再生閉鎖容器(E) のあら
ゆる断面での帯域(A1)および帯域(A2)の間に配置され
る。しかしながら、少量のガスは、脚部内の触媒と共に
帯域(A2)を通過する。しかしながら、それはガスの小部
分である。
も適用される手段が選ばれる。図１の実施の形態では、
このために板(29)は、触媒の通過に充当される断面（脚
部または他の導管）を除いて、再生閉鎖容器(E) のあら
ゆる断面での帯域(A1)および帯域(A2)の間に配置され
る。しかしながら、少量のガスは、脚部内の触媒と共に
帯域(A2)を通過する。しかしながら、それはガスの小部
分である。
【００７２】この第二燃焼帯域を通過した後のガスは、
導管(5) を経て前記帯域から抜き出される。
導管(5) を経て前記帯域から抜き出される。
【００７３】各燃焼帯域レベルでのガスから分離された
この管理により、導入ガスおよび排出ガスの温度および
それらのガスの酸素量を絶えず正確に知ることが可能に
なる。酸素の最大限の活用以外に、この管理により、各
帯域レベルでの操作条件の抑制によりコークス燃焼の抑
制が可能になる。
この管理により、導入ガスおよび排出ガスの温度および
それらのガスの酸素量を絶えず正確に知ることが可能に
なる。酸素の最大限の活用以外に、この管理により、各
帯域レベルでの操作条件の抑制によりコークス燃焼の抑
制が可能になる。
【００７４】燃焼達成の制御操作が燃焼工程の最終帯域
内で行われる。
内で行われる。
【００７５】図１の実施の形態では、この操作は、最終
燃焼帯域(A2)の（触媒の流れ方向の）下部内で行われ
る。この場合、この下部は、制御と称するＦＣ帯域を構
成する。
燃焼帯域(A2)の（触媒の流れ方向の）下部内で行われ
る。この場合、この下部は、制御と称するＦＣ帯域を構
成する。
【００７６】表示されない別の実施の形態では、制御帯
域(FC)は、最終燃焼帯域((A2) 内に含まれない帯域であ
る。
域(FC)は、最終燃焼帯域((A2) 内に含まれない帯域であ
る。
【００７７】制御帯域(FC)は、酸素消費量が、帯域(FC)
では導入酸素の約１０％未満である点において燃焼帯域
から区別される。
では導入酸素の約１０％未満である点において燃焼帯域
から区別される。
【００７８】有利には、この帯域を支配する温度は、測
定誤差および熱損失を除けば、ほぼ一定（最大３％、よ
り良くは最大２％の変化）にとどまる。
定誤差および熱損失を除けば、ほぼ一定（最大３％、よ
り良くは最大２％の変化）にとどまる。
【００７９】この帯域(FC)内に、導管(31)を経て酸素含
有ガスが導入される。酸素は、導管(34)を経て導入され
る。ガスは、導管(5) を経て帯域(FC)を通過した後に抜
き出されるものであり、さらにこの導管(5) から、最終
燃焼帯域(A2)を通過したガスの排出が行われる。
有ガスが導入される。酸素は、導管(34)を経て導入され
る。ガスは、導管(5) を経て帯域(FC)を通過した後に抜
き出されるものであり、さらにこの導管(5) から、最終
燃焼帯域(A2)を通過したガスの排出が行われる。
【００８０】当業者により、帯域(FC)での酸素消費量を
測定するために適用される手段が選ばれる。例えば、
（ガスの同じ全体流量での）入口での含有量の変化と、
帯域の出口での含有量の変化の測定とから帯域(FC)の入
口および出口間の酸素含有量の変化を測定することが可
能である。一般に、先行段階の運転が正確である場合、
帯域(FC)の酸素消費量は、低いものでなければならない
（２〜３％未満）。
測定するために適用される手段が選ばれる。例えば、
（ガスの同じ全体流量での）入口での含有量の変化と、
帯域の出口での含有量の変化の測定とから帯域(FC)の入
口および出口間の酸素含有量の変化を測定することが可
能である。一般に、先行段階の運転が正確である場合、
帯域(FC)の酸素消費量は、低いものでなければならない
（２〜３％未満）。
【００８１】別の手段は、排出ガス（例えば、ガスが、
燃焼から生じた別のガスと無関係に排出する場合）につ
いてか、あるいは帯域(FC)のガスが排出される壁レベル
での温度および／または酸素含有量の測定手段を用いる
ものである。
燃焼から生じた別のガスと無関係に排出する場合）につ
いてか、あるいは帯域(FC)のガスが排出される壁レベル
での温度および／または酸素含有量の測定手段を用いる
ものである。
【００８２】さらに触媒床または制御帯域の導入および
排出触媒の温度を測定するために手段が適用される。
排出触媒の温度を測定するために手段が適用される。
【００８３】従って、燃焼段階の十分な運転を制御する
ための簡単な手段が用いられる。各段階のガスとは独立
した管理により、１つまたは複数帯域での温度または酸
素割合を変化させて燃焼損失を急速にかつ容易に改善し
得る。
ための簡単な手段が用いられる。各段階のガスとは独立
した管理により、１つまたは複数帯域での温度または酸
素割合を変化させて燃焼損失を急速にかつ容易に改善し
得る。
【００８４】従って、ガスおよび／または触媒について
の酸素含有量または温度の比較により、方法について許
容できる値を越える変化（酸素について１０％未満およ
び温度について多くとも３％）が導かれるならば、この
場合、少なくとも１つの燃焼帯域の少なくとも１つの操
作条件が、誤差を修正するために変更される。これは、
酸素含有量および／または導入ガスの温度の変更による
ものである。
の酸素含有量または温度の比較により、方法について許
容できる値を越える変化（酸素について１０％未満およ
び温度について多くとも３％）が導かれるならば、この
場合、少なくとも１つの燃焼帯域の少なくとも１つの操
作条件が、誤差を修正するために変更される。これは、
酸素含有量および／または導入ガスの温度の変更による
ものである。
【００８５】操作条件は、各帯域について選択され、か
つ触媒についての燃焼の有害作用をできる限り軽減する
ために（先行技術に反して）各帯域レベルで厳重に制御
される。
つ触媒についての燃焼の有害作用をできる限り軽減する
ために（先行技術に反して）各帯域レベルで厳重に制御
される。
【００８６】各段階（帯域）は、ＰＰＨ１〜５０ｈ-1、
好ましくは１０〜４０ｈ-1、より好ましくは１５〜３５
ｈ-1、温度(T) ３５０〜６００℃、好ましくは４００〜
６００℃、酸素含有量０．２％、多くとも２％、好まし
くは０．５〜１．５％で、少なくとも１つの酸素含有ガ
スを収容し、各帯域は、触媒の滞留時間５分〜３時間に
相当する容積(V) を有する。
好ましくは１０〜４０ｈ-1、より好ましくは１５〜３５
ｈ-1、温度(T) ３５０〜６００℃、好ましくは４００〜
６００℃、酸素含有量０．２％、多くとも２％、好まし
くは０．５〜１．５％で、少なくとも１つの酸素含有ガ
スを収容し、各帯域は、触媒の滞留時間５分〜３時間に
相当する容積(V) を有する。
【００８７】各帯域について、酸素含有ガスの入口温度
と酸素含有量は、床の出口の最大温度は、使用される物
質の機能（例えば、弱合金鋼については７７０℃であ
る）、許容できる最大値より低いものである。
と酸素含有量は、床の出口の最大温度は、使用される物
質の機能（例えば、弱合金鋼については７７０℃であ
る）、許容できる最大値より低いものである。
【００８８】使用される物質の機能（例えば、弱合金鋼
については７７０℃である）、床の入口および出口間の
温度の最大上昇は、２００℃未満、好ましくは１００℃
程度である、帯域内の温度は、少なくとも３５０℃、有
利には少なくとも４００〜６００℃未満、好ましくは５
８０℃未満、より良くは多くとも５５０℃であり、帯域
内の温度は、その帯域のすぐに先行する帯域の温度より
も高い。従って、帯域(A2)では、温度(T2)は帯域(A1)の
温度(T1)より高い。
については７７０℃である）、床の入口および出口間の
温度の最大上昇は、２００℃未満、好ましくは１００℃
程度である、帯域内の温度は、少なくとも３５０℃、有
利には少なくとも４００〜６００℃未満、好ましくは５
８０℃未満、より良くは多くとも５５０℃であり、帯域
内の温度は、その帯域のすぐに先行する帯域の温度より
も高い。従って、帯域(A2)では、温度(T2)は帯域(A1)の
温度(T1)より高い。
【００８９】次第に高くなるこれらの温度は、先行帯域
の熱触媒の移転、酸素含有熱ガスの導入、展開される燃
焼の発熱反応、および操作条件の増大する苛酷度により
生じる。
の熱触媒の移転、酸素含有熱ガスの導入、展開される燃
焼の発熱反応、および操作条件の増大する苛酷度により
生じる。
【００９０】好ましくは、燃焼の十分な作動を保証する
ために、触媒の流れの際に遭遇する帯域レベルに次第に
熱くなるガスを導入する。
ために、触媒の流れの際に遭遇する帯域レベルに次第に
熱くなるガスを導入する。
【００９１】従って、第二帯域に導入されるガスの温度
(T2)は、有利には第一帯域に導入されるガスの温度(T1)
よりも高いものである。(T3)は、(T2)よりも高い（T3：
制御帯域の温度）。
(T2)は、有利には第一帯域に導入されるガスの温度(T1)
よりも高いものである。(T3)は、(T2)よりも高い（T3：
制御帯域の温度）。
【００９２】より正確には、帯域(FC)内に、最終燃焼帯
域の燃焼達成を支配する温度に少なくともほぼ等しい温
度を有するガスが導入される。さらに導入されたガスの
酸素含有量は、触媒により遭遇される帯域レベルにおい
て次第に大きくなる。制御帯域は、最も大きい酸素含有
量に相当する（上流レベルに導入されるガスの量よりも
多い量）。
域の燃焼達成を支配する温度に少なくともほぼ等しい温
度を有するガスが導入される。さらに導入されたガスの
酸素含有量は、触媒により遭遇される帯域レベルにおい
て次第に大きくなる。制御帯域は、最も大きい酸素含有
量に相当する（上流レベルに導入されるガスの量よりも
多い量）。
【００９３】燃焼を受けた後、炭素含有物質を低含有量
で有する触媒が、導管または脚部を通過してオキシクロ
レーション帯域(B) に到着する。次いで、触媒は焼成帯
域(C) に流れ、導管(4) を経て閉鎖容器から再び出る。
で有する触媒が、導管または脚部を通過してオキシクロ
レーション帯域(B) に到着する。次いで、触媒は焼成帯
域(C) に流れ、導管(4) を経て閉鎖容器から再び出る。
【００９４】図１は、オキシクロレーション帯域と焼成
帯域とを示す。いくつかのものが可能である。これらの
帯域は、非常に有利には軸方向型である。
帯域とを示す。いくつかのものが可能である。これらの
帯域は、非常に有利には軸方向型である。
【００９５】一方では燃焼帯域と他方ではオキシクロレ
ーション帯域との間に、有利には触媒を通過させておく
ことを可能にするが、ガスの通過を可能にさせない帯域
の分離用板またはあらゆる別の手段が配置される。
ーション帯域との間に、有利には触媒を通過させておく
ことを可能にするが、ガスの通過を可能にさせない帯域
の分離用板またはあらゆる別の手段が配置される。
【００９６】これに反して、ガスは、焼成帯域からオキ
シクロレーション帯域へと自由に流通する。実際は、図
１において、焼成およびオキシクロレーション用の単一
触媒床を有する。
シクロレーション帯域へと自由に流通する。実際は、図
１において、焼成およびオキシクロレーション用の単一
触媒床を有する。
【００９７】本発明は、ガスおよび触媒の流通を伴って
互いに区別される床を使用してよい。
互いに区別される床を使用してよい。
【００９８】燃焼から生じたガスは、少なくとも１つの
導管(5) を経て排出され、該導管は、不純物を除去する
ための処理帯域(6) 、例えば洗浄帯域に通じる。乾燥機
(7)および圧縮器(8) 内での圧搾後、ガスは２つの流に
分割される。第一流は、導管(33)による酸素補給および
場合による再加熱後に、導管(9) を経て燃焼帯域(A)内
に再循環される一方で、他方の流は導管(10)を経て通過
する。
導管(5) を経て排出され、該導管は、不純物を除去する
ための処理帯域(6) 、例えば洗浄帯域に通じる。乾燥機
(7)および圧縮器(8) 内での圧搾後、ガスは２つの流に
分割される。第一流は、導管(33)による酸素補給および
場合による再加熱後に、導管(9) を経て燃焼帯域(A)内
に再循環される一方で、他方の流は導管(10)を経て通過
する。
【００９９】乾燥酸素（冷却器に先行する乾燥機(13)）
の補給が、圧縮器(12)に連結される導管(11)を介して、
導管(10)内で第二ガス流に追加される。該圧縮器は、ガ
ス中に要求される酸素割合に応じて、例えば弁により規
制される、例えば空気の流量を確保する。導管(14)内に
おいて、酸素含有ガスが得られる。ガスは、有利には炉
(16)（またはあらゆる他の加熱手段）を通過する前に、
熱交換器(15)内で予備加熱される。
の補給が、圧縮器(12)に連結される導管(11)を介して、
導管(10)内で第二ガス流に追加される。該圧縮器は、ガ
ス中に要求される酸素割合に応じて、例えば弁により規
制される、例えば空気の流量を確保する。導管(14)内に
おいて、酸素含有ガスが得られる。ガスは、有利には炉
(16)（またはあらゆる他の加熱手段）を通過する前に、
熱交換器(15)内で予備加熱される。
【０１００】図１の実施の形態によれば、このガスの一
部が、導管(17)を経てオキシクロレーション帯域に直接
供給される一方で、別の一部が、導管(18)を経て焼成帯
域に供給されるものである。オキシクロレーション帯域
へのガスの注入は、少なくとも１つの導管(19)を経て水
蒸気の調節された量と、少なくとも１つの導管(20)を経
て塩素化剤の調節された量とを添加した後に行われる。
部が、導管(17)を経てオキシクロレーション帯域に直接
供給される一方で、別の一部が、導管(18)を経て焼成帯
域に供給されるものである。オキシクロレーション帯域
へのガスの注入は、少なくとも１つの導管(19)を経て水
蒸気の調節された量と、少なくとも１つの導管(20)を経
て塩素化剤の調節された量とを添加した後に行われる。
【０１０１】導管(17)および導管(18)は、ガス・固体の
向流を生じるように軸方向帯域の各々の下部に到着す
る。導管(17)のレベルにおいて、有利には触媒床内にガ
スの十分な分配用の少なくとも１つの偏向板(24)が配置
される。ガスは、導管(21)を経てオキシクロレーション
帯域から排出され、有利には洗浄帯域(22)に搬送される
前に熱交換器(15)内を通過する。
向流を生じるように軸方向帯域の各々の下部に到着す
る。導管(17)のレベルにおいて、有利には触媒床内にガ
スの十分な分配用の少なくとも１つの偏向板(24)が配置
される。ガスは、導管(21)を経てオキシクロレーション
帯域から排出され、有利には洗浄帯域(22)に搬送される
前に熱交換器(15)内を通過する。
【０１０２】次いで洗浄されたガスは、導管(23)を経て
大気中に投棄されてよいし、あるいはより一般には装置
外に排出されてよい。
大気中に投棄されてよいし、あるいはより一般には装置
外に排出されてよい。
【０１０３】好ましくは、酸素含有ガスを焼成帯域内に
導入するために導管(14)に連結される導管(18)が配置さ
れる。好ましくは導管(18)は炉(16)の後に配置される。
図１の場合、導管(17)および導管(18)により導入された
ガスは、ほぼ同じ酸素含有量を有するのが認められる。
導入するために導管(14)に連結される導管(18)が配置さ
れる。好ましくは導管(18)は炉(16)の後に配置される。
図１の場合、導管(17)および導管(18)により導入された
ガスは、ほぼ同じ酸素含有量を有するのが認められる。
【０１０４】図１の実施の形態は、焼成帯域での燃焼に
より生じたガスを使用するガスの最適化管理に一致す
る。すなわち再加熱されたガスを炉(16)内で分留しない
で、乾燥されかつ再加熱された空気を直接焼成帯域内に
導入することも可能であった。つまり、このガスは、オ
キシクロレーション帯域に搬送された少なくとも一部で
ある。
より生じたガスを使用するガスの最適化管理に一致す
る。すなわち再加熱されたガスを炉(16)内で分留しない
で、乾燥されかつ再加熱された空気を直接焼成帯域内に
導入することも可能であった。つまり、このガスは、オ
キシクロレーション帯域に搬送された少なくとも一部で
ある。
【０１０５】図２は、本発明の第２の実施形態を示すフ
ローシートである。
ローシートである。
【０１０６】同図を参照すると、この第２の実施の形態
は、導管に配置された設備（乾燥機、炉、熱交換器等）
により図１の第１実施形態から区別される。
は、導管に配置された設備（乾燥機、炉、熱交換器等）
により図１の第１実施形態から区別される。
【０１０７】この図２は、本発明の枠内における設備お
よび導管の配置を変化させる手段を例証するために提供
される。
よび導管の配置を変化させる手段を例証するために提供
される。
【０１０８】燃焼から生じたガスの排出導管(5) が認め
られる。該導管は洗浄タンク(6) に通じる。洗浄後、ガ
スは、一部分留され、これは導管(9) を経て燃焼帯域に
戻る。この導管における設備は表示されていない。
られる。該導管は洗浄タンク(6) に通じる。洗浄後、ガ
スは、一部分留され、これは導管(9) を経て燃焼帯域に
戻る。この導管における設備は表示されていない。
【０１０９】導管(10)から排出された別の一部は、圧縮
酸素（空気）を添加される（導管(11)を経て導かれる圧
縮器(12)）。
酸素（空気）を添加される（導管(11)を経て導かれる圧
縮器(12)）。
【０１１０】酸素を充填されたガスは、熱交換器(25)、
乾燥機(26)、熱交換器(15)および炉(16)内を通過する。
再加熱後、ガスは、導管(19)を経る塩素化剤と導管(20)
を経る水との追加と共に導管(17)を経てオキシクロレー
ション帯域に向かう流に分割される。別の流は、導管(1
8)を経て焼成帯域に向かう。
乾燥機(26)、熱交換器(15)および炉(16)内を通過する。
再加熱後、ガスは、導管(19)を経る塩素化剤と導管(20)
を経る水との追加と共に導管(17)を経てオキシクロレー
ション帯域に向かう流に分割される。別の流は、導管(1
8)を経て焼成帯域に向かう。
【０１１１】オキシクロレーションから生じた流出物
は、導管(21)を経て排出され、熱交換器(15)、冷却器(2
7)および洗浄タンク(22)を通過して、導管(23)を経て大
気中に搬送される。
は、導管(21)を経て排出され、熱交換器(15)、冷却器(2
7)および洗浄タンク(22)を通過して、導管(23)を経て大
気中に搬送される。
【０１１２】示された実施の形態は、オキシクロレーシ
ョン・ガスの再循環回路を用いないで行われる。
ョン・ガスの再循環回路を用いないで行われる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示すフローシートで
ある。
ある。
【図２】本発明の第２の実施形態を示すフローシートで
ある。
ある。
Ａ１ 燃焼帯域 Ａ２ 燃焼帯域 ＦＣ 燃焼達成制御帯域 １ 導入導管 ４ 排出導管 ５ ガス排出用の導管 ８ 圧縮手段 ９ ガス一部排出用導管 １０ ガス一部排出用導管 １２ 圧縮手段 １３ 乾燥機 １６ ガス加熱手段 １７ 導管 １８ 酸素含有ガス導入用導管 １９ 塩素化剤導入用導管 ２０ 水導入用導管 ２１ ガス排出用導管 ２２ ガスの処理手段 ２７ 冷却手段 ３０ 酸素含有ガス導入用導管 ３１ 酸素含有ガス導入用導管 ３２ ガス導入用導管 ３６ ガス加熱手段 ３７ ガス加熱手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャン マリー ドゥヴェ フランス国 ヴェルヌイエ アレ デ ヴ ェルジェ 30 (72)発明者 フレデリック オフマン フランス国 パリー ケ ドゥ ジェマッ プ 68 (72)発明者 ミシェル テリー フランス国 ヴェルネゾン ルート デ コンダミン シャルリー 181 アー （番地なし) (72)発明者 フランソワ グザヴィエ ブリュネ フランス国 ヴェルネゾン ルート ドゥ ジヴォール 620 (72)発明者 エマニュエル ブロメ フランス国 リイル マルメゾン アヴニ ュー ポール ドゥメール 220−２
Claims (19)
- 【請求項１】 リフォーミング触媒または芳香族炭化水
素製造触媒の移動床再生方法であって、前記触媒は、担
体と、少なくとも１つの貴金属と、少なくとも１つのハ
ロゲンとを含んでおり、連続する少なくとも２つの燃焼
帯域内での移動床触媒処理を用いる燃焼工程と、オキシ
クロレーション工程と、焼成工程とを含む方法におい
て、各燃焼帯域は、触媒を通過させておくために、また
ガスの通過を妨げるために隣接する燃焼帯域から分離さ
れており、燃焼工程の各帯域内に酸素を含む少なくとも
１つのガスが導入され、生成ガスが各帯域から抜き出さ
れ、燃焼工程の各帯域内での操作条件の苛酷度は、触媒
の流れ方向と共に増大し、ガスは、オキシクロレーショ
ン工程について少なくとも１つの塩素化剤と、酸素およ
び水を含む少なくとも１つのガスとをＨ2 Ｏ／ＨＣｌモ
ル比１〜５０で導入され、オキシクロレーション工程
は、酸素を２１％以下で含みかつ塩素を少なくとも５０
重量ｐｐｍ（ＨＣＬで計算された）で含むオキシクロレ
ーション・ガスの存在下に温度３５０〜６００℃で行わ
れる、再生方法。 - 【請求項２】 燃焼帯域から抜き出されたガスの少なく
とも一部が、場合によっては行われる酸素の供給を伴っ
て（触媒の流れ方向における）次の帯域内に搬送され
る、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 燃焼帯域から抜き出されたガスの全部
が、場合によっては行われる酸素の供給を伴って次の帯
域内に搬送される、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 燃焼工程が、燃焼達成の制御と称される
最終帯域内で終了し、この帯域内において、酸素の消費
量が前記帯域内に入る酸素の１０％未満である、請求項
１〜３のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 燃焼工程から生じたガスは、冷却され、
不純物を除去するために処理され、乾燥され、圧縮さ
れ、次いで２つの流に分別され、第一流は、酸素供給お
よび場合による再加熱後に第一燃焼帯域内に搬送され、
第二流は、酸素、水および塩素化剤の供給後、並びに加
熱後にオキシクロレーション工程に搬送され、オキシク
ロレーションから生じたガスは処理されて、装置外に排
出される、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 第一燃焼帯域に次ぐ第二燃焼帯域内での
触媒処理を用いる燃焼工程を含む請求項５による方法で
あって、この方法において、帯域は、触媒を通過させて
おくために、またガスの通過を妨げるために分離されて
おり、第二燃焼帯域は、その下部に燃焼達成の制御帯域
を有しており、第一燃焼帯域から抜き出されたガスは、
酸素供給後に全部第二燃焼帯域内に搬送され、第二燃焼
帯域から生じたガスは、冷却され、不純物を除去するた
めに処理され、パージされ、乾燥され、圧縮され、次い
で２つの流に分離され、第一流は、酸素供給後に第一燃
焼帯域内に導入されかつ場合による再加熱後に制御帯域
に導入され、第二流は、再加熱された酸素を含む乾燥ガ
スを添加されて、水および塩素化剤の添加後にオキシク
ロレーション帯域に搬送される方法。 - 【請求項７】 第一流は、２つの留分に分離され、一方
の留分は、酸素供給後に第一燃焼帯域内に導入され、他
方の留分は、酸素を添加され、再加熱され次いで制御帯
域内に導入される、請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 第一流は、２つの留分に分離され、各留
分は、酸素を添加され、一方の留分については第一燃焼
帯域に導入される前に、また他方の留分については制御
帯域に導入される前に再加熱される、請求項６記載の方
法。 - 【請求項９】 燃焼工程から生じたガスは、冷却され、
不純物を除去するために処理され、圧縮され、乾燥さ
れ、次いで２つの流に分別され、第一流は、酸素供給お
よび場合による再加熱後に第一燃焼帯域内に搬送され、
第二流は、酸素、水および塩素化剤の供給後、並びに加
熱後にオキシクロレーション工程に搬送され、オキシク
ロレーションから生じたガスは処理されて、装置外に排
出される、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１０】 第一流は、２つの留分に分離され、一
方の留分は、水および塩素化剤の添加後にオキシクロレ
ーション帯域に搬送され、他方の留分は、焼成帯域に搬
送される、請求項５〜８のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１１】 第一流から生じた２つの留分が再加熱
される、請求項５〜９のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１２】 第一流の留分が、制御帯域内に導入さ
れる前に再加熱される、請求項５〜９のいずれか１項記
載の方法。 - 【請求項１３】 各燃焼または制御帯域において、導入
ガスの酸素含有量は０．０１〜２％であり、導入ガスの
温度は３５０〜６００℃であり、帯域内での触媒の滞留
時間は、５分〜３時間であり、ＰＰＨは１〜５０ｈ-1で
あり、操作条件の苛酷化は、温度および／または導入ガ
スの酸素含有量を増加させて得られる、請求項１〜１２
記載の方法。 - 【請求項１４】 温度が、制御帯域内でほぼ一定であ
る、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１５】 焼成工程が、酸素多くとも２１％と水
１％未満とを含むガスの存在下に行われる、請求項１〜
１４のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１６】 担体、少なくとも１つの貴金属および
少なくとも１つのハロゲン、並びに閉鎖容器の触媒の少
なくとも１つの導入導管および排出導管(4)を含むリフ
ォーミング触媒または芳香族化合物削減触媒の再生装置
であって、移動床形態での前記触媒は、燃焼帯域、オキ
シクロレーション帯域および焼成帯域を相次いで通過
し、前記閉鎖容器は、直列状に配置された放射状の少な
くとも２つの燃焼帯域(A1)(A2)であり、該燃焼帯域の間
に、導管内の前記帯域の間の触媒の通過をこのために可
能にするが、前記帯域間のガスの通過を妨げる分離手段
が配置されているものと、最終燃焼帯域の下部に位置す
る燃焼達成制御帯域(FC)と、第一燃焼帯域内での少なく
とも１つの酸素含有ガス導入用導管(30)、燃焼帯域のガ
ス排出用および次の燃焼帯域内へのそれらガスの導入用
の少なくとも１つの導管(32)、並びに制御帯域への酸素
含有ガス導入用の少なくとも１つの導管(31)と、閉鎖容
器の外側での燃焼工程から生じたガス排出用の少なくと
も１つの導管(5) であって、前記導管は、オキシクロレ
ーション帯域の前に位置するものであり、閉鎖容器は、
少なくとも１つの前記ガス冷却用手段、少なくとも１つ
の不純物除去用前記ガス処理手段、少なくとも１つのガ
ス乾燥用手段、および少なくとも１つのガス圧縮用手段
を含むものと、圧縮されかつ導管(30)(31)に連結され
た、燃焼から生じたガスの一部を排出するための少なく
とも１つの導管(9) と、圧縮された、燃焼から生じたガ
スの別の一部を排出するための少なくとも１つの導管(1
0)であって、前記導管上に少なくとも１つのガス加熱手
段(16)が配置されており、前記導管は、少なくとも１つ
の導管(17)に連結され、該導管は、前記ガスの少なくと
も一部をオキシクロレーション帯域に導き、前記導管(1
7)は、少なくとも１つの水導入用導管(20)および少なく
とも１つの塩素化剤導入用導管(19)に連結されるもの
と、焼成帯域への少なくとも１つの酸素含有ガス導入用
導管(18)と、装置外でガスを排出する前の前記ガスの少
なくとも１つの処理手段(22)を含むオキシクロレーショ
ン帯域から生じたガスの少なくとも１つの排出用導管(2
1)とを備える再生装置。 - 【請求項１７】 導管(9) が、制御帯域に導入されるガ
スの少なくとも１つの加熱手段を備える、請求項１６記
載の閉鎖容器。 - 【請求項１８】 各導管(30)(31)に少なくとも１つのガ
ス加熱手段(36)(37)が配置される、請求項１６または１
７記載の閉鎖容器。 - 【請求項１９】 導管(5) が、少なくとも１つの冷却手
段の後に少なくとも１つの乾燥機、次いで少なくとも１
つの圧縮手段を備える、請求項１６記載の閉鎖容器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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