JPH10287483A - 気密部品およびその製造方法 - Google Patents

気密部品およびその製造方法

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JPH10287483A
JPH10287483A JP9105400A JP10540097A JPH10287483A JP H10287483 A JPH10287483 A JP H10287483A JP 9105400 A JP9105400 A JP 9105400A JP 10540097 A JP10540097 A JP 10540097A JP H10287483 A JPH10287483 A JP H10287483A
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正雄 西岡
Yasufumi Aihara
靖文 相原
Keiichiro Watanabe
敬一郎 渡邊
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】炭化珪素を主成分とする焼結体と、焼結体の表
面を被覆する化学蒸着法で得られた炭化珪素被膜とを備
える気密部品において、気密性、耐蝕性が高く、熱衝撃
や熱サイクルを加えたときに気密性が保持できるように
する。 【解決手段】気密部品は、焼結体１７と、焼結体１７の
表面を被覆する化学蒸着法によって得られた炭化珪素被
膜１８とを備えている。炭化珪素被膜１８に亀裂１３を
生成させ、炭化珪素被膜１８に対して金属シリコン２０
を接触させ、金属シリコン２０を融点以上に加熱するこ
とによって金属シリコンを亀裂１８に充填させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気密部品およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、ガスタービン部品、ディーゼルエ
ンジン部品のライナー等、高温雰囲気で使用されるセラ
ミックス部材の表面耐酸化膜として、緻密質の炭化珪素
膜の被膜が有効であることが知られている。また、他に
も半導体製造装置など、幾つかの用途において、セラミ
ックス部材の表面を緻密質の炭化珪素薄膜によって被覆
することが知られている。こうした薄膜を形成する方法
としては、化学的気相成長法、電気化学的気相成長法、
スパッタリング法、溶射法等が知られている。例えば、
気相法によると、高純度で緻密質の良質な薄膜を形成で
きるので、現在のところ多用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特に、例えば半導体製
造用途等においては、反応性プラズマガスに対して暴露
される気密性部品の需要がある。このような反応性プラ
ズマガスとしては、ＣＦ4 、ＮＦ3 、ＣｌＦ3 、ＨＦ、
ＨＣｌ、ＨＢｒ等があるが、いずれも強い腐食性を有し
ている。このような高度に腐食性のガスに暴露される環
境下で長期間にわたって気密性を維持できるような製品
が要望されている。
【０００４】本発明者は、この問題を解決するために検
討してきたが、困難に直面した。即ち、例えば半導体製
造装置用の気密部品において、気密部品を長期間にわた
って使用できるようにするためには、炭化珪素被膜を厚
くする必要がある。また、最近は、半導体ウエハーの面
積が増大してきているが、このような大型の半導体ウエ
ハーを例えば低圧プラズマによって処理できるようにす
るためには、焼結体の面積の大きな表面を気密性の炭化
珪素被膜によって被覆する必要がある。
【０００５】しかし、このような気密部品は、現実に
は、室温と高温との間で熱衝撃にさらされるが、熱衝撃
によって気密部品の炭化珪素被膜に亀裂が生じやすい。
このように亀裂が生成すると、炭化珪素被膜の気密性が
低下するために使用できなくなるおそれがある。
【０００６】本発明の課題は、炭化珪素を主成分とする
焼結体と、この焼結体の表面を被覆する化学蒸着法によ
って得られた炭化珪素被膜とを備えている気密部品にお
いて、気密性、耐蝕性が高く、熱衝撃や熱サイクルを加
えたときにも気密性が保持されるような気密部品を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、炭化珪素を主
成分とする焼結体と、この焼結体の表面を被覆する化学
蒸着法によって得られた炭化珪素被膜とを備えている気
密部品であって、炭化珪素被膜に亀裂が生成しており、
この亀裂に金属シリコンが充填されていることを特徴と
する。
【０００８】また、本発明は、炭化珪素を主成分とする
焼結体と、この焼結体の表面を被覆する化学蒸着法によ
って得られた炭化珪素被膜とを備えている気密部品を製
造するのに際して、炭化珪素被膜に亀裂を生成させ、炭
化珪素被膜に対して金属シリコンを接触させ、金属シリ
コンを融点以上に加熱することによって金属シリコンを
亀裂に充填させることを特徴とする。
【０００９】本発明者は、種々の形態の炭化珪素焼結体
に対して化学蒸着法によって炭化珪素被膜を形成し、そ
の気密性や熱衝撃に対する耐久性を検討してきた。この
結果、次のような知見に達した。
【００１０】例えば、本発明者は、図１（ａ）、（ｂ）
に示すような気密部品１を製造してみた。ここで、焼結
体２は円盤形状をしており、焼結体２の表面２ａには炭
化珪素被膜４が形成されている。
【００１１】化学蒸着法によって焼結体の表面に炭化珪
素被膜を形成するためには、例えば図２に模式的に示す
ような装置５を使用する。ただし、化学蒸着法装置５の
炉材の中には所定の加熱ヒーター６Ａ、６Ｂ、６Ｃが収
容されている。炉の内部空間に焼結体２を固定し、供給
口８から矢印Ａのように反応性ガスおよびキャリアガス
を供給し、排出口９から矢印Ｂのように使用済みの反応
ガスを排出する。
【００１２】反応ガスとしては、例えば四塩化炭素とメ
タンとを使用する。図３に典型的なスケジュールを模式
的に示す。ここでグラフＣは温度スケジュールであり、
グラフＤは反応性ガスの供給状態を示し、グラフＥはキ
ャリアガスの供給状態を示す。
【００１３】出発温度Ｔ0 、例えば室温から化学蒸着時
の最高温度Ｔ1 まで温度を上昇させる（昇温段階Ｇ）。
この間、キャリアガスを供給する。次いで最高温度Ｔ1
に保持し、焼結体２を加熱する。キャリアガスおよび反
応性ガスを供給し、化学蒸着を実施する（化学蒸着段階
Ｈ）。この際には、ＳｉＣｌ4 ＋ＣＨ4 →ＳｉＣ＋４Ｈ
Ｃｌの反応が生じ、炭化珪素が生成し、炭化珪素が焼結
体２の表面に堆積し、炭化珪素被膜が生成する。反応性
ガスは、焼結体の表面に接触した後、矢印Ｂのように炉
の外に排出される。次いで、焼結体および炭化珪素被膜
を冷却する（冷却段階Ｉ）。
【００１４】ここで、気密部品１を熱衝撃や熱サイクル
にさらしたときに、炭化珪素被膜に亀裂が発生するの
は、炭化珪素被膜と焼結体との膨張、収縮の度合いの相
違によって、炭化珪素被膜中に引っ張り応力が働くため
と考えられる。焼結体と炭化珪素被膜とは互いに熱膨張
係数が相違している上、例えば冷却時に炭化珪素被膜の
方が焼結体よりも早く冷却され、低温になると、炭化珪
素被膜には不可避的に引っ張り応力が生ずる。従来は、
これらの不可避的な要因によって炭化珪素被膜に作用し
た引っ張り応力が、気密部品中に残留し、この残留応力
の作用と、新たに炭化珪素被膜に加わった引っ張り応力
の作用とによって、炭化珪素被膜に亀裂が生成したもの
と考えられる。
【００１５】このため、本発明者は、化学蒸着法によっ
て炭化珪素被膜を生成させる段階で、炭化珪素被膜中に
亀裂を発生させ、次いで、この亀裂を金属シリコンで充
填することを試みてみた。
【００１６】具体的には、炭化珪素被膜の亀裂の上また
はその周辺に金属シリコンを載せ、金属シリコンの融点
以上に加熱し、溶融させた。この結果、驚くべきこと
に、溶融した金属シリコンが亀裂の中に吸い込まれてい
き、亀裂を完全に充填することを発見した。この後、炭
化珪素被膜を亀裂の方向に切断し、切断面を観察したと
ころ、亀裂の末端までほぼ完全に金属シリコンによって
充填されていることを見いだし、本発明に到達した。
【００１７】そして、この方法によって製造された気密
部品においては、炭化珪素被膜には、その生成段階で既
に亀裂が生成しており、残留応力が顕著に緩和されてい
る。そして、金属シリコンの熱膨張係数は、炭化珪素の
熱膨張係数よりも若干小さいので、金属シリコンを亀裂
中に充填した後に、炭化珪素に対して圧縮応力を発生さ
せることができ、これによって、気密部品を熱衝撃や熱
サイクルにさらしたときに炭化珪素被膜に作用する引っ
張り応力を相殺できるものと考えられる。この結果、従
来では考えられなかったほどの過酷な熱衝撃や熱サイク
ルが加わるような条件下でも、炭化珪素被膜の気密性を
長期間にわたって保持できるようになった。
【００１８】そして、本発明による気密部品の微構造
は、蒸着された炭化珪素被膜と金属シリコンとの化学的
親和性が高く、濡れ性が良いため、炭化珪素被膜の微細
な亀裂の中に完全に金属シリコンが充填され、密着して
いる。この結果極めて高い気密性を実現できる。しか
も、炭化珪素被膜中に予め亀裂を生成させ、炭化珪素被
膜中の残留応力を開放しておくことができる。
【００１９】このように、本発明の気密部品およびその
製造方法によれば、気密部品の熱衝撃、熱サイクルに対
する耐久性を向上させうるだけでなく、特に従来実現で
きなかったような急速な加熱と冷却とに対しても耐えら
れるようになった。
【００２０】この結果、本発明の気密部品を、例えば半
導体製造装置用途に適用した場合には、気密部品が急速
な加熱、冷却に耐えることから、半導体ウエハーノ処理
速度を著しく向上させることができ、単位時間当たりの
半導体製造能力を大幅に高めることができる。
【００２１】また、本発明を適用することによって、従
来は亀裂のために製造でぎなかったような大型の気密部
品を作製できるようになった。例えば、焼結体が盤状の
焼結体であり、この焼結体の幅方向の寸法が３００ｍｍ
以上であり、この焼結体の主面の８０％以上が炭化珪素
被膜によって被覆されているような気密部品の場合、従
来は、炭化珪素被膜の冷却時に炭化珪素被膜に多数の亀
裂が生成し易く、製造が極めて困難であった。しかし、
本発明によれば、このような大寸法の気密部品も製造可
能である。
【００２２】このような大寸法の気密部品を半導体製造
装置の用途に適用した場合には、大型の半導体ウエハー
を処理することができる。
【００２３】また、炭化珪素被膜の厚さを０．５ｍｍ以
上とした場合にも、炭化珪素被膜の冷却時に炭化珪素被
膜中に亀裂が生成し易かったが、本発明によればこの問
題を解決できる。
【００２４】本発明の気密部品の用途は、半導体製造装
置内に設置するための気密部品に限らず、耐食性を必要
とし、かつ汚染を嫌うような気密部品に適用できる。こ
うした用途としては、化学分析装置、高純度腐食性化学
処理装置、放射性物質を扱う装置等の部品がある。
【００２５】本発明の気密部品を半導体関係装置に適用
する場合には、炭化珪素被膜の純度を９９．９９９％以
上とし、金属シリコンの純度を９９．９９９％以上とす
ることが好ましい。
【００２６】半導体製造装置内に設置される部品として
は、例えば、電磁波透過窓、高周波電極装置、高周波プ
ラズマを発生させるためのチューブ、高周波プラズマを
発生させるためのドーム、セラミック静電チャック、セ
ラミックスヒーター、ダミーウエハー、シャドーリン
グ、半導体ウエハーを支持するためのリフトピン、シャ
ワー板等がある。
【００２７】図１に概略的に示す気密部品１は、半導体
製造装置内において、反応性プラズマに接触する部位の
覆いとして使用する。一般的に、炭化珪素被膜４のう
ち、内周側はプラズマガスに暴露され、外周のエッジ側
は、気密性を保持するためのシール面となっている。プ
ラズマは強い腐食性を有しているので、耐食性であって
高純度の化学蒸着法による炭化珪素被膜４を用いる。
【００２８】本発明では、炭化珪素被膜における亀裂の
生成を促進することによって、炭化珪素被膜の耐久性を
一層向上させることができる。このためには、例えば、
化学蒸着法によって焼結体に炭化珪素被膜を形成するの
に際して、成膜時に、炭化珪素被膜の温度を焼結体の温
度よりも高くする。この結果、冷却時には炭化珪素被膜
の方が焼結体よりも大きく収縮するために、炭化珪素被
膜に大きな引っ張り応力が作用し、亀裂の生成が促進さ
れる。
【００２９】また、化学蒸着法における冷却時に、炭化
珪素被膜の温度を焼結体の温度よりも低くすることによ
って、炭化珪素被膜中の亀裂の生成を促進できる。
【００３０】この具体的方法としては、化学蒸着法にお
ける冷却時に、炭化珪素被膜側に過剰の冷却ガスを流す
ことによって、炭化珪素被膜の冷却を促進できる。ま
た、化学蒸着法を実施するための装置内において、炭化
珪素被膜側と焼結体側とに加熱用ヒーターを設置し、冷
却時に、炭化珪素被膜の加熱ヒーターの温度を焼結体側
の加熱ヒーターの温度よりも低くすることによって、炭
化珪素被膜の冷却を促進できる。
【００３１】また、焼結体の炭化珪素被膜が形成される
表面に溝を形成することによって、この表面に炭化珪素
被膜を形成した後に、炭化珪素被膜中に溝に沿って亀裂
を生成させることができる。即ち、焼結体の溝を形成し
た部分では、冷却時に炭化珪素被膜中に周囲よりも過大
な引っ張り応力が加わりやすく、この結果、焼結体の溝
に沿って炭化珪素被膜中に亀裂が生成する傾向があっ
た。
【００３２】また、化学蒸着法を実施するのに際して、
焼結体の炭化珪素被膜が形成される表面側に成形材を設
置し、炭化珪素被膜を形成した後に成形材を除去するこ
とによって、炭化珪素被膜に開口部を設け、かつこの開
口部から焼結体へと向かう亀裂を生成させることができ
る。
【００３３】この結果、炭化珪素被膜中における亀裂の
生成位置を特定、制御できるようになった。本発明の気
密部品がプラズマガス等の腐食性物質に暴露される場合
には、亀裂中に充填されている金属シリコンが、その周
囲の炭化珪素被膜よりも腐食を受けやすい傾向がある。
このため、腐食性物質に接触する部分には亀裂を生成さ
せず、腐食性物質に暴露されない部分、例えばシール面
を形成するための部分に亀裂を選択的に生成させること
ができる。
【００３４】炭化珪素を主成分とする焼結体としては、
次のものがある。 （１）炭化珪素の組成比率が９０％以上であり、かつ相
対密度が９０％以上である焼結体 （２）炭化珪素の組成比率が９０％以上であり、かつ相
対密度が５６％〜９０％である多孔質焼結体 （３）炭化珪素と金属シリコンとの混合焼結体
【００３５】
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。 （比較例）図１〜図３を参照しつつ説明した前記の方法
に従って、気密部品を製造した。純度９９％以上、相対
密度９８％の炭化珪素焼結体からなる直径５０ｍｍ、厚
さ１５ｍｍの円盤状焼結体を使用し、この表面に厚さ
０．５ｍｍの炭化珪素被膜４を化学蒸着法によって生成
させた。この場合には、炭化珪素被膜中に亀裂は生成し
なかった。
【００３６】また、図１〜図３を参照しつつ説明した前
記の方法に従って、気密部品を製造した。純度９９％以
上、相対密度９８％の炭化珪素焼結体を使用した。焼結
体２の直径は２８０ｍｍであり、厚さは約１５ｍｍであ
った。この焼結体２の表面２ａに、厚さ０．５ｍｍの炭
化珪素被膜４を形成した。ただし、図３において、Ｔ1
を１４００℃とした。炭化珪素被膜４の純度は９９．９
９９９％以上であった。
【００３７】この結果、得られた気密部品の４０％は、
図４に示すような状態となっていた。この気密部品１１
においては、炭化珪素被膜１２の中に、円盤状焼結体の
径方向へと向かって延びる亀裂１３が生成していた。
【００３８】また、炭化珪素被膜中に亀裂が生成してい
ない気密部品の一つについて、次の熱衝撃試験（１８０
℃熱衝撃試験）を行った。即ち、気密部品を電気炉中に
収容し、１８０℃に加熱しておき、次いで気密部品を室
温の水中に浸漬し、２０分間放置した。この熱衝撃試験
を行った結果、熱衝撃試験の回数が２０回以内で、炭化
珪素被膜中に亀裂１３が生成した。
【００３９】次に、亀裂１３が生成している気密部品の
炭化珪素被膜の表面を、♯４００のダイヤモンド砥石で
研磨加工し、図５に示すような測定器具を用いてヘリウ
ムリーク量を測定した。この結果、１０- 4 Ｔｏｒｒ・
リットル／秒台のリークレートが得られた。例えば半導
体製造装置中に設置する気密性部品の用途においては、
１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台のリークレートが必
要とされているため、こうした用途には適用できない。
【００４０】なお、図５（ａ）は、ヘリウムリーク量の
測定器具１５を示すものであり、左半分は正面図、右半
分は断面図を示してある。測定器具１５のエッジには、
シリコンゴムからなる気密性保持部材１６が設置されて
いる。測定器具１５の側面には真空フランジ１７が取り
付けられている。
【００４１】図５（ｃ）に示すように、測定器具１５の
気密性保持部材１６の上に気密部品１を載置し、真空フ
ランジ１７の吸引口１７ａから矢印Ｊのように内部のヘ
リウムガスを吸引し、ヘリウムガスのリークレートを測
定する。
【００４２】また、上記において、炭化珪素被膜４の厚
さを４ｍｍとしたところ、すべての気密部品において、
炭化珪素被膜中に亀裂が生成していた。この亀裂の個数
は気密部品ごとに様々であった。この気密部品を上記の
熱衝撃試験に供すると、亀裂の数が増えていき、一部の
気密部品には割れが発生した。
【００４３】（本発明例１）比較例と同様にして、気密
部品１を製造した。ただし、炭化珪素被膜の厚さを４ｍ
ｍとした。
【００４４】次のプロセスについて、図６（ａ）〜
（ｄ）の模式的断面図を参照しつつ、説明する。焼結体
１７の表面に炭化珪素被膜１８が生成しており、炭化珪
素被膜１８中には、図４に示すような形態の亀裂１３が
生じている。図６（ｂ）に示すように、この亀裂１３の
上に、純度９９．９９９９％の金属シリコン２０を設置
する。次いで、減圧雰囲気下で、気密部品を１５００℃
に加熱し、次いで冷却させた。なお、この際の加熱温度
は１４２０℃以上とすることが好ましく、１８００℃以
下とすることが好ましい。
【００４５】図７は、金属シリコンを充填した後の炭化
珪素被膜の表面の写真である。この写真および図８
（ａ）に示すように、金属シリコン２３が溶融してお
り、炭化珪素被膜１８において、溶融した金属シリコン
からなる銀白色の線が、亀裂１３に沿って延びているの
がわかる。図８（ｂ）に模式的に示すように、亀裂１３
中には、その全長にわたって金属シリコン２３が吸引さ
れ、充填されていた。
【００４６】図９は、こうして得られた気密部品を断面
方向に切って見たときのセラミックス組織の写真であ
り、図１０は、図９を拡大した、シリコンが充填された
亀裂の部分を含む、セラミックス組織を示す写真であ
る。ただし、図９においては、上から順番に、空間、炭
化珪素被膜、焼結体が撮影されている。
【００４７】冷却後の亀裂中には、特に図９および図１
０に明確に示されているように、金属シリコンが完全に
充填されている。図９の亀裂においては、図６（ｃ）に
模式的に示すように、炭化珪素被膜１８の表面から、炭
化珪素被膜１８と焼結体１７との界面に至るまで亀裂１
３が延びており、亀裂１３の全体にわたって金属シリコ
ン２２が充填されている。２１は金属シリコンである。
ただし、図９の亀裂を良く観察すると、亀裂の一部が焼
結体と炭化珪素被膜との界面を突き抜けて、焼結体の閉
気孔にまで到達していた。この幅５〜３０μｍの亀裂の
中に金属シリコンが充填され、焼結体の亀裂、および、
焼結体の亀裂とつながっている閉気孔の中にまで充填さ
れていた。図１０の拡大写真を見ると、図１１の説明図
に模式的に示すように、炭化珪素の組織５０の中に亀裂
５１Ａが生成しており、亀裂５１Ａは入り組んだ形状を
しており、例えば亀裂５１Ｂ、５１Ｃともつながってい
る。そして、亀裂５１Ａだけでなく、入り組んだ部分に
ある亀裂５１Ｂ、５１Ｃの中まで、完全に金属シリコン
５２が充填されていた。
【００４８】次いで、表面の金属シリコン２１をサンド
ブラストによって除去し、図６（ｄ）に示すような気密
部品２６を得る。
【００４９】実際の炭化珪素被膜中においては、亀裂
は、炭化珪素被膜の中で止まっていたり、あるいは炭化
珪素被膜と焼結体との界面で止まっていたり、あるいは
焼結体の中まで進展していた。しかし、これらのすべて
の種類の亀裂において、金属シリコンが充填されている
のを確認した。溶融した金属シリコンが、亀裂中に、毛
細管に水が吸い込まれていくように吸引され、伝搬して
いくのであろう。
【００５０】金属シリコンを亀裂中に充填した後、炭化
珪素被膜の表面を、♯４００砥石を使用して表面研削
し、比較例と同様にしてヘリウムリークレートを測定し
たところ、１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台であり、
まったくリークがなかった。
【００５１】また、比較例と同様の熱衝撃試験を２５０
回実施した後も、炭化珪素被膜中に新たな亀裂の生成は
見られなかった。次いで、炭化珪素被膜の表面を、♯４
００砥石を使用して表面研削し、比較例と同様にしてヘ
リウムリークレートを測定したところ、１０- 9 Ｔｏｒ
ｒ・リットル／秒台であった。
【００５２】（本発明例２）本発明例１において、焼結
体の直径を４００ｍｍに拡大させた。この他は、本発明
例１と同様にして実験を行ったところ、本発明例１と同
様の結果が得られた。
【００５３】次に、本発明例１、２の各気密部品を、そ
れぞれ２５０℃熱衝撃試験に供した。具体的には、気密
部品を電気炉に収容し、２５０℃に加熱し、次いで室温
の水中に気密部品を浸漬した。この結果、２５０℃熱衝
撃試験を２０回以上行うと、炭化珪素被膜中に亀裂が生
成することがあった。
【００５４】（本発明例３）比較例に従って焼結体に炭
化珪素被膜を形成した後、この気密部品を比較例と同様
にして１８０℃熱衝撃試験に供し、炭化珪素被膜中に亀
裂を発生させた。次いで、この炭化珪素被膜に、本発明
例１に従って金属シリコンを充填し、気密部品を作製し
た。
【００５５】この気密部品を２５０℃熱衝撃試験に供し
た。具体的には、気密部品を電気炉に収容し、２５０℃
に加熱し、次いで室温の水中に気密部品を浸漬した。２
５０℃熱衝撃試験の後にも炭化珪素被膜に新たな亀裂の
発生は見られなかった。また、比較例と同様にしてヘリ
ウムリーク試験に供したところ、ヘリウムリークレート
は１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台のままであった。
【００５６】（本発明例４）比較例と同様にして、焼結
体上に炭化珪素被膜を形成した。ただし、図１２に示す
ように、化学蒸着法によって炭化珪素被膜を形成した後
の冷却段階Ｉにおいて、炭化珪素被膜を蒸着させる側の
加熱ヒーターの温度を、グラフＬに示すように低くし、
蒸着させない側の加熱ヒーターの温度を、グラフＫに示
すように高くした。ΔＴは、これらの各加熱ヒーターの
温度差である。本例では、この温度差ΔＴの最大値を１
５０℃に調整した。
【００５７】この結果、得られた炭化珪素被膜中には、
比較例および本発明例１に比べて、より多くの亀裂が発
生した。しかし、焼結体の破壊までは至らなかった。こ
の亀裂に、本発明例と同様にして金属シリコンを充填
し、気密部品を得た。
【００５８】この気密部品について、２５０℃熱衝撃試
験を２５０回行ったところ、熱衝撃試験後も新たな亀裂
の発生は見られなかった。また、ヘリウムリークレート
は１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台のままであった。
【００５９】（本発明例５）比較例と同様にして、焼結
体上に炭化珪素被膜を形成した。ただし、図１３に示す
ように、化学蒸着法によって炭化珪素被膜を形成した後
の冷却段階Ｉにおいて、キャリアーガスの流量を、成膜
段階Ｈよりも一層大きくし、比較例の３〜５倍のキャリ
アーガスを炭化珪素被膜側に流した。
【００６０】この結果、得られた炭化珪素被膜中には、
比較例および本発明例１に比べて、より多くの亀裂が発
生した。しかし、焼結体の破壊までは至らなかった。こ
の亀裂に、本発明例と同様にして金属シリコンを充填
し、気密部品を得た。
【００６１】この気密部品について、２５０℃熱衝撃試
験を２５０回行ったところ、熱衝撃試験後も新たな亀裂
の発生は見られなかった。また、ヘリウムリークレート
は１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台のままであった。
【００６２】（本発明例６）本発明例１〜５において
は、炭化珪素被膜中において亀裂が発生する位置は、外
周部に限定されているものの、亀裂の長さや位置は様々
であり、製造上、同一の製品とはならない。更に、亀裂
が焼結体２の外周部から内周部へと向かって伸び、内周
部のプラズマと接触する領域まで連続している場合に
は、この亀裂に充填されている金属シリコンがプラズマ
ガスによって腐食を受けやすく、優先的にプラズマガス
によって腐食されることになる。更に、本発明例１にお
いては、金属シリコンを充填した後も、２５０℃熱衝撃
試験のような一層過酷な熱衝撃条件を課すと、炭化珪素
被膜のうち亀裂が発生しなかった領域に、新たに亀裂が
発生することがあった。
【００６３】そこで、図１４に示すように、焼結体３０
の外周部分上に、放射状に延びる溝３３を設けた。各溝
の位置および個数は、適宜設定する。各溝３３は、それ
ぞれ焼結体３０の外側面３０ａから内周部に向かって延
びている。
【００６４】次いで、本発明例１と同じ方法で炭化珪素
被膜を形成し、更に本発明例１と同様にして各亀裂に金
属シリコンを充填し、図１５（ａ）、（ｂ）に示す気密
部品３４を得た。気密部品３４においては、焼結体３０
の表面に、炭化珪素被膜３５が形成されているが、炭化
珪素被膜３５のうち、溝３３の角部３６の周辺に特に引
っ張り応力が加わるために、ほぼ溝３３に沿って亀裂３
１が生成している。亀裂３１中には金属シリコンが充填
されている。
【００６５】この気密部品について、２５０℃熱衝撃試
験を２５０回行ったところ、熱衝撃試験後も新たな亀裂
の発生は見られなかった。また、ヘリウムリークレート
は１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台のままであった。
【００６６】（本発明例７）図１６（ａ）に示すよう
に、焼結体４０の外周部分の表面４０ａ上に、例えばカ
ーボン製の成形材４１を対向させ、固定した。成形材４
１の先端部分４１ａはブレード状をなしている。この成
形材４１の固定位置は、炭化珪素被膜中に亀裂を発生さ
せたい位置に一致させる。具体的には、各板材の設置位
置を、図１４（ａ）に示す溝３３の位置と一致させた。
【００６７】次いで、本発明例１と同じ方法で炭化珪素
被膜を形成した。この状態では、図１６（ｂ）に示すよ
うに、表面４０ａ上に炭化珪素被膜４２Ａが生成するだ
けでなく、成形材４１を被覆するように炭化珪素被膜４
２Ｂが生成した。次いで、このカーボン製の成形材４１
の部分をサンドブラスト法によって線Ｍに沿って除去
し、図１６（ｃ）に示すような形態の炭化珪素被膜４２
Ｃを得た。
【００６８】この被膜４２Ｃにおいては、ブレード状の
先端部分４１ａと同じ形態を有する開口部４４が生成し
ており、かつ開口部４４の先端と焼結体４０の表面４０
ａとの間に亀裂４５が生成していた。この亀裂４５は、
カーボン製の板材４１を設置した部分にのみ発生してい
た。また、亀裂が焼結体の中央部にまで延びていること
はなかった。
【００６９】次いで、本発明例１と同様にして金属シリ
コンを溶融させた。この結果、図１７（ａ）に示すよう
に、開口部４４中および亀裂４５中に金属シリコンが充
填されており、かつ炭化珪素被膜４２Ｃを被覆するよう
に金属シリコン被膜４６が生成していた。次いで、サン
ドブラスト及びダイヤモンド砥石による研削加工によっ
て、金属シリコンの被膜を除去し、図１７（ｂ）に示す
ような気密部品を得た。
【００７０】この気密部品においては、炭化珪素被膜４
７中に、開口部４８と、開口部４９の下方へと向かって
延びる亀裂４５とが生成しており、開口部４８および亀
裂４５中に金属シリコン４９が充填されている。
【００７１】この気密部品について、２５０℃熱衝撃試
験を２５０回行ったところ、熱衝撃試験後も新たな亀裂
の発生は見られなかった。また、ヘリウムリークレート
は１０- 9 Ｔｏｒｒ・リットル／秒台のままであった。
【００７２】
【発明の効果】本発明によれば、炭化珪素を主成分とす
る焼結体と、この焼結体の表面を被覆する化学蒸着法に
よって得られた炭化珪素被膜とを備えている気密部品に
おいて、気密性、耐蝕性が高く、熱衝撃や熱サイクルを
加えたときにも気密性が保持されるような気密部品を提
供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、気密部品１の一例を示す断面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）の気密部品の斜視図である。
【図２】気密部品１を製造するための化学蒸着装置の一
例を模式的に示す模式図である。
【図３】焼結体に炭化珪素被膜を形成する際の温度スケ
ジュールおよびガスの供給のスケジュールを示すグラフ
である。
【図４】気密部品１１の炭化珪素被膜１２に亀裂１３が
生成している状態を示す平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、気密部品１の炭化
珪素被膜の気密性を測定する方法を説明するための参考
図である。
【図６】（ａ）は、炭化珪素被膜１８中に亀裂１３が生
成している状態を模式的に示す断面図であり、（ｂ）
は、炭化珪素被膜１８上に金属シリコン２０を設置した
状態を模式的に示す断面図であり、（ｃ）は、金属シリ
コンを炭化珪素被膜上で溶融させた後の状態を模式的に
示す断面図であり、（ｄ）は金属シリコンを除去した状
態を示す断面図である。
【図７】炭化珪素被膜上で金属シリコンを溶融させた状
態のセラミックス組織を示す写真である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、炭化珪素被膜上で金属シリ
コンを溶融させた状態について説明するための図であ
る。
【図９】炭化珪素被膜の亀裂中に金属シリコンが充填さ
れている状態を示す、炭化珪素被膜を横断面の方向に切
ってみたときのセラミックス組織を示す写真である。
【図１０】炭化珪素被膜の亀裂中に金属シリコンが充填
されている状態を拡大して示す、セラミックス組織を示
す写真である。
【図１１】図１０の写真を説明するための図である。
【図１２】本発明の好適な実施形態において採用できる
温度スケジュールを示すグラフである。
【図１３】本発明の他の好適な態様において採用できる
温度スケジュールおよびガスの供給のスケジュールを示
すグラフである。
【図１４】（ａ）は、本発明の更に他の態様において使
用する焼結体３０を示す平面図であり、（ｂ）は、
（ａ）の一部拡大斜視図である。
【図１５】（ａ）は、図１４の焼結体上に炭化珪素被膜
を形成し、更に金属シリコンを充填させた後の気密部品
３４を示す平面図であり、図１５（ｂ）はその一部拡大
断面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、炭化珪素被膜中
に開口部４４および亀裂４５を生成させるためのプロセ
スを示す断面図である。
【図１７】（ａ）および（ｂ）は、図１６（ｃ）の開口
部４４および亀裂４５に金属シリコンを充填させる工程
について説明するための断面図である。
【符号の説明】
１、１１、３４ 気密部品 ２、３０ 焼結体
４、１２、３５、４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ 炭化珪素被
膜 ５ 化学蒸着装置 １３、３１、４５ 亀裂
２２、４９ 金属シリコン ３３ 放射状に延びる
溝 ４４、４８ 開口部 Ｃ 温度スケジュールを示すグ
ラフ Ｄ 反応性ガスのスケジュールを示すグラフ
Ｅ キャリアーガスのスケジュールを示すグラフ
Ｇ 昇温段階 Ｈ 化学蒸着段階 Ｉ 冷却段階

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】炭化珪素を主成分とする焼結体と、この焼
    結体の表面を被覆する化学蒸着法によって得られた炭化
    珪素被膜とを備えている気密部品であって、前記炭化珪
    素被膜に亀裂が生成しており、この亀裂に金属シリコン
    が充填されていることを特徴とする、気密部品。
  2. 【請求項２】前記炭化珪素被膜の純度が９９．９９９％
    以上であり、前記金属シリコンの純度が９９．９９９％
    以上であることを特徴とする、請求項１記載の気密部
    品。
  3. 【請求項３】前記焼結体が、炭化珪素の組成比率が９０
    ％以上である焼結体、および炭化珪素と金属シリコンと
    の混合焼結体からなる群より選ばれた焼結体であること
    を特徴とする、請求項１または２記載の気密部品。
  4. 【請求項４】前記焼結体が盤状の焼結体であり、この焼
    結体の幅方向の寸法が３００ｍｍ以上であり、この焼結
    体の主面の８０％以上が炭化珪素被膜によって被覆され
    ていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つ
    の請求項に記載の気密部品。
  5. 【請求項５】前記炭化珪素被膜の厚さが０．５ｍｍ以上
    であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つ
    の請求項に記載の気密部品。
  6. 【請求項６】炭化珪素を主成分とする焼結体と、この焼
    結体の表面を被覆する化学蒸着法によって得られた炭化
    珪素被膜とを備えている気密部品を製造するのに際し
    て、前記炭化珪素被膜に亀裂を生成させ、前記炭化珪素
    被膜に対して金属シリコンを接触させ、金属シリコンを
    融点以上に加熱することによって金属シリコンを前記亀
    裂に充填させることを特徴とする、気密部品の製造方
    法。
  7. 【請求項７】化学蒸着法によって前記焼結体に前記炭化
    珪素被膜を形成するのに際して、前記化学蒸着法による
    成膜時に、前記炭化珪素被膜の温度を前記焼結体の温度
    よりも高くすることによって、冷却時における前記炭化
    珪素被膜の前記亀裂の生成を促進することを特徴とす
    る、請求項６記載の気密部品の製造方法。
  8. 【請求項８】前記化学蒸着法における冷却時に、前記炭
    化珪素被膜の温度を前記焼結体の温度よりも低くするこ
    とによって、前記炭化珪素被膜中の前記亀裂の生成を促
    進することを特徴とする、請求項６または７記載の気密
    部品の製造方法。
  9. 【請求項９】前記化学蒸着法における冷却時に、前記炭
    化珪素被膜側に過剰の冷却ガスを流すことによって、前
    記炭化珪素被膜の冷却を促進し、これによって前記炭化
    珪素被膜の温度を前記焼結体の温度よりも低くすること
    を特徴とする、請求項８記載の気密部品の製造方法。
  10. 【請求項１０】前記化学蒸着法を実施するための装置内
    において、前記炭化珪素被膜側と前記焼結体側とに加熱
    用ヒーターが設置されており、前記化学蒸着法における
    冷却時に、前記炭化珪素被膜側の前記加熱ヒーターの温
    度を前記焼結体側の加熱ヒーターの温度よりも低くする
    ことによって、前記炭化珪素被膜の温度を前記焼結体の
    温度よりも低くすることを特徴とする、請求項８記載の
    気密部品の製造方法。
  11. 【請求項１１】前記焼結体の前記炭化珪素被膜が形成さ
    れる表面に溝を形成することによって、この表面に前記
    炭化珪素被膜を形成した後に前記炭化珪素被膜中に前記
    溝に沿って前記亀裂を生成させることを特徴とする、請
    求項６〜１０のいずれか一つの請求項に記載の気密部品
    の製造方法。
  12. 【請求項１２】前記化学蒸着法を実施するのに際して、
    前記焼結体の前記炭化珪素被膜が形成される表面側に成
    形材を設置し、前記炭化珪素被膜を形成した後に前記成
    形材を除去することによって、前記炭化珪素被膜に開口
    部を設け、かつこの開口部から前記焼結体へと向かう亀
    裂を生成させることを特徴とする、請求項６〜１０のい
    ずれか一つの請求項に記載の気密部品の製造方法。
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TW087102930A TW382742B (en) 1997-04-09 1998-02-27 Air-tight part and its production
US09/047,525 US6063514A (en) 1997-04-09 1998-03-25 Gas-tight article and a producing process thereof
KR1019980011779A KR100285355B1 (ko) 1997-04-09 1998-04-03 기밀 부품 및 그 제조 방법
EP98302754A EP0870744B1 (en) 1997-04-09 1998-04-08 Gas-tight article and a producing process thereof
DE69800040T DE69800040T2 (de) 1997-04-09 1998-04-08 Gasdichter Körper und Verfahren zu dessen Herstellung

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DE (1) DE69800040T2 (ja)
TW (1) TW382742B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203192A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Ibiden Co Ltd 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP2016540717A (ja) * 2013-10-30 2016-12-28 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 溶浸セラミックマトリックス複合体中のマトリックスクラックの補修方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030200963A1 (en) * 1998-01-09 2003-10-30 Flament-Garcia Mary Jane Container for an inhalation anesthetic
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
JP2001253777A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Ibiden Co Ltd セラミック基板
JP3516392B2 (ja) * 2000-06-16 2004-04-05 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用ホットプレート
DE10145724A1 (de) * 2001-09-17 2003-04-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur unter Verwendung einer Schutzschicht und Halbleiterstruktur
JP4321855B2 (ja) * 2003-12-11 2009-08-26 日本碍子株式会社 セラミックチャック
TW200911036A (en) * 2007-04-13 2009-03-01 Saint Gobain Ceramics Electrostatic dissipative stage and effectors for use in forming LCD products
WO2008128244A1 (en) * 2007-04-16 2008-10-23 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Process of cleaning a substrate for microelectronic applications including directing mechanical energy through a fluid bath and apparatus of same
US8347479B2 (en) * 2009-08-04 2013-01-08 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Method for repairing cracks in structures
US10403509B2 (en) * 2014-04-04 2019-09-03 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Basal plane dislocation elimination in 4H—SiC by pulsed rapid thermal annealing

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3951587A (en) * 1974-12-06 1976-04-20 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components
US4795673A (en) * 1978-01-09 1989-01-03 Stemcor Corporation Composite material of discontinuous silicon carbide particles and continuous silicon matrix and method of producing same
JPH03153876A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 炭化珪素質部材
US5589116A (en) * 1991-07-18 1996-12-31 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment
JP3583812B2 (ja) * 1994-09-05 2004-11-04 東京電力株式会社 セラミックコーティング部材とその製造方法
US5628938A (en) * 1994-11-18 1997-05-13 General Electric Company Method of making a ceramic composite by infiltration of a ceramic preform
AU5180496A (en) * 1995-03-01 1996-09-18 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Novel silicon carbide dummy wafer
US5882807A (en) * 1995-12-26 1999-03-16 Asahi Glass Company, Ltd Jig for heat treatment and process for fabricating the jig

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203192A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Ibiden Co Ltd 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP2016540717A (ja) * 2013-10-30 2016-12-28 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 溶浸セラミックマトリックス複合体中のマトリックスクラックの補修方法

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