JPH10287498A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPH10287498A JPH10287498A JP10085897A JP10085897A JPH10287498A JP H10287498 A JPH10287498 A JP H10287498A JP 10085897 A JP10085897 A JP 10085897A JP 10085897 A JP10085897 A JP 10085897A JP H10287498 A JPH10287498 A JP H10287498A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単結晶を、他の元素を含む気体中で加熱を行
い、単結晶の構成元素の少なくとも一つの構成元素を他
の元素で置換することにより、元の単結晶の構成元素の
少なくとも一つが異なる単結晶膜を前記単結晶表面に作
製する方法において、平坦で良質な膜が得られる方法を
提供する。 【解決手段】 単結晶部分のみを所定の温度に加熱する
コールドウォール法により、構成元素を置換するための
物質により前記単結晶の構成元素の少なくとも一つの構
成元素を他の元素で置換し、前期単結晶表面に単結晶膜
を作製する。 【効果】 平坦でかつ高品質な単結晶膜を形成すること
ができる。
い、単結晶の構成元素の少なくとも一つの構成元素を他
の元素で置換することにより、元の単結晶の構成元素の
少なくとも一つが異なる単結晶膜を前記単結晶表面に作
製する方法において、平坦で良質な膜が得られる方法を
提供する。 【解決手段】 単結晶部分のみを所定の温度に加熱する
コールドウォール法により、構成元素を置換するための
物質により前記単結晶の構成元素の少なくとも一つの構
成元素を他の元素で置換し、前期単結晶表面に単結晶膜
を作製する。 【効果】 平坦でかつ高品質な単結晶膜を形成すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶の構成元素を他
の元素と置換することで、単結晶表面に単結晶膜を製造
する技術に関する。
の元素と置換することで、単結晶表面に単結晶膜を製造
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶基板の構成元素の一部を固相で置
換することにより所望の単結晶基板を得る方法は、蒸気
圧の高い物質を蒸気圧の低い物質で置換する方法が報告
されている。蒸気圧の高い物質が基板の構成元素より蒸
気圧の低い物質に連続的に置換することで固相置換が行
われる。封管内で、すなわち、アンプル等に封入された
ZnSe基板を炉内に配置し、基板の構成元素である蒸気圧
の高いSeをTeで置換しZnTe膜を形成する方法が報告され
ている（L.A.Kosyachenko et. al.:Journal of Crystal
Growth 110 (1991) P 523‐527）。
換することにより所望の単結晶基板を得る方法は、蒸気
圧の高い物質を蒸気圧の低い物質で置換する方法が報告
されている。蒸気圧の高い物質が基板の構成元素より蒸
気圧の低い物質に連続的に置換することで固相置換が行
われる。封管内で、すなわち、アンプル等に封入された
ZnSe基板を炉内に配置し、基板の構成元素である蒸気圧
の高いSeをTeで置換しZnTe膜を形成する方法が報告され
ている（L.A.Kosyachenko et. al.:Journal of Crystal
Growth 110 (1991) P 523‐527）。
【０００３】封管内で固層置換を行う場合、原料が高温
において容易に分解し、しかもその分解生成物が安定で
ある場合、置換反応速度が遅くなり、工業的に十分な速
度で、所望の化合物が得られない。そのような場合、解
決策として、開管法で原料を連続的に供給する方法が報
告されている。例えば、開管法でアンモニアを連続的に
供給することでGaAs表面にGaNを形成する方法が報告さ
れている（川口等：第43回応用物理学関係連合講演会10
p-ZG-5 P305（1996））。
において容易に分解し、しかもその分解生成物が安定で
ある場合、置換反応速度が遅くなり、工業的に十分な速
度で、所望の化合物が得られない。そのような場合、解
決策として、開管法で原料を連続的に供給する方法が報
告されている。例えば、開管法でアンモニアを連続的に
供給することでGaAs表面にGaNを形成する方法が報告さ
れている（川口等：第43回応用物理学関係連合講演会10
p-ZG-5 P305（1996））。
【０００４】この方法では、原料の使用効率が悪く、原
料を多く消費する間題点がある。また、同時に、基板表
面の蒸気圧の高い元素が大量の原料ガスの輸送とともに
取り去られ表面荒れを起こす問題点もある。表面荒れを
防ぐには、取り去られる元素を補償するガスを同時に流
すか、また、育成温度を低下させる必要がある。いずれ
の方法でも、新たな、ガスの導入によるコストの増加
や、育成温度を下げることによる置換反応速度の低下と
いう問題が発生する。
料を多く消費する間題点がある。また、同時に、基板表
面の蒸気圧の高い元素が大量の原料ガスの輸送とともに
取り去られ表面荒れを起こす問題点もある。表面荒れを
防ぐには、取り去られる元素を補償するガスを同時に流
すか、また、育成温度を低下させる必要がある。いずれ
の方法でも、新たな、ガスの導入によるコストの増加
や、育成温度を下げることによる置換反応速度の低下と
いう問題が発生する。
【０００５】特に、GaAsを基板として用い、窒素元素と
置換反応によりGaNを形成する場合、アンモニアが窒素
源として使用される。アンモニアと育成温度において表
面に過剰状態となったGaは、容易に反応し、GaNを形成
する。しかし、育成温度において大部分のアンモニアが
窒素と水素に分解する。Gaと窒素からGaNとなる反応は
熱力学的に不安定であり置換反応によりGaNを形成する
ことは期待できない。
置換反応によりGaNを形成する場合、アンモニアが窒素
源として使用される。アンモニアと育成温度において表
面に過剰状態となったGaは、容易に反応し、GaNを形成
する。しかし、育成温度において大部分のアンモニアが
窒素と水素に分解する。Gaと窒素からGaNとなる反応は
熱力学的に不安定であり置換反応によりGaNを形成する
ことは期待できない。
【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従
来の技術が有していた前述の課題、すなわち、固相置換
により単結晶を得る方法において、原料が高温において
容易に分解し、しかも、その分解生成物が安定である場
合、置換反応速度が遅くなり、工業的に十分な速度で、
所望の化合物が得られないという問題、また、基板から
過剰に構成元素の一部が取り去られることで発生する表
面荒れの問題を解決しようとするものである。
来の技術が有していた前述の課題、すなわち、固相置換
により単結晶を得る方法において、原料が高温において
容易に分解し、しかも、その分解生成物が安定である場
合、置換反応速度が遅くなり、工業的に十分な速度で、
所望の化合物が得られないという問題、また、基板から
過剰に構成元素の一部が取り去られることで発生する表
面荒れの問題を解決しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述したように、開管法
でアンモニアを連続的に供給することでGaNを形成する
方法が報告されているが、原料となるアンモニアが輪送
途中で分解され原料を大量に消費する問題点がある。ま
た、連続的にアンモニアが供給されることで、同時に、
基板表面のAsが過剰に取り去られ、表面荒れの原因とな
る。そこで、本発明者らは、単結晶部分のみを加熱する
コールドウォール法を用いることで、原料が置換反応前
に分解することを防止し、原料が、効率よく基板と置換
し、所望の単結晶基板を得ることができるのではないか
と考え、鋭意検討を重ねた結果、本発明に至った。
でアンモニアを連続的に供給することでGaNを形成する
方法が報告されているが、原料となるアンモニアが輪送
途中で分解され原料を大量に消費する問題点がある。ま
た、連続的にアンモニアが供給されることで、同時に、
基板表面のAsが過剰に取り去られ、表面荒れの原因とな
る。そこで、本発明者らは、単結晶部分のみを加熱する
コールドウォール法を用いることで、原料が置換反応前
に分解することを防止し、原料が、効率よく基板と置換
し、所望の単結晶基板を得ることができるのではないか
と考え、鋭意検討を重ねた結果、本発明に至った。
【０００８】すなわち、本発明は、単結晶のみを加熱
し、構成元素を置換するための物質により、前記単結晶
の構成元素の少なくとも一つの構成元素を、他の元素で
置換し、単結晶表面に単結晶膜を作製することを特徴と
する単結晶の製造方法である。固相置換において、単結
晶部分のみを加熱するコールドウォール法を用いること
で、構成元素を置換するための物質が置換反応前に分解
することを防止し、構成元素を置換するための物質が、
効率よく基板と置換し、所望の単結晶基板を得ることが
できる。上記のような単結晶としては、GaP単結晶やGaA
s単結晶等の化合物半導体が挙げられる。特に、Asの解
離が問題となるGaAs単結晶はAs蒸気圧を印加しながら所
望の単結晶膜を育成する。
し、構成元素を置換するための物質により、前記単結晶
の構成元素の少なくとも一つの構成元素を、他の元素で
置換し、単結晶表面に単結晶膜を作製することを特徴と
する単結晶の製造方法である。固相置換において、単結
晶部分のみを加熱するコールドウォール法を用いること
で、構成元素を置換するための物質が置換反応前に分解
することを防止し、構成元素を置換するための物質が、
効率よく基板と置換し、所望の単結晶基板を得ることが
できる。上記のような単結晶としては、GaP単結晶やGaA
s単結晶等の化合物半導体が挙げられる。特に、Asの解
離が問題となるGaAs単結晶はAs蒸気圧を印加しながら所
望の単結晶膜を育成する。
【０００９】前記単結晶膜としては、AlN単結晶膜、InN
単結晶膜、GaN単結晶膜や、これらの混晶（例えばAl-Ga
-In-N、Al-Ga-N、Ga-In-N）等のような窒化物が挙げら
れる。特に、GaN単結晶膜は、発光材料として有望であ
り、応用範囲が広い。
単結晶膜、GaN単結晶膜や、これらの混晶（例えばAl-Ga
-In-N、Al-Ga-N、Ga-In-N）等のような窒化物が挙げら
れる。特に、GaN単結晶膜は、発光材料として有望であ
り、応用範囲が広い。
【００１０】窒化物を形成する場合、他の元素を含む気
体として、NH3、ヒドラジン、モノメチルヒドラジン、
ジメチルヒドラジン等を用いる。特に、NH3は、安価で
あり、また取り扱いが容易であり好ましい。この反応
は、開管、封管内の固相置換反応の両方に適用可能であ
る。
体として、NH3、ヒドラジン、モノメチルヒドラジン、
ジメチルヒドラジン等を用いる。特に、NH3は、安価で
あり、また取り扱いが容易であり好ましい。この反応
は、開管、封管内の固相置換反応の両方に適用可能であ
る。
【００１１】また、本発明は、単結晶の表面が荒れを起
こさない範囲で予め置換を行い表面キャップ層を形成し
た後、所定の温度に上昇させて単結晶膜を育成すること
を特徴とする単結晶の製造方法である。GaAs単結晶から
GaN膜を作製する場合、構成元素を置換するための物質
としてNH3を用い、GaAs単結晶の温度を400℃〜700℃と
し、置換反応を行い表面キャップ層を形成した後、700
℃〜1100℃に上昇させてGaN単結晶膜を育成することを
特徴とする単結晶の製造方法である。初期段階において
低温で置換反応を行い、その後、単結晶の温度を上昇さ
せ置換反応を促進する。初期段階で表面に形成された薄
膜により、単結晶からの構成元素の揮発を防止でき、表
面荒れを抑制することができる。以下に、本発明の詳細
について説明する。
こさない範囲で予め置換を行い表面キャップ層を形成し
た後、所定の温度に上昇させて単結晶膜を育成すること
を特徴とする単結晶の製造方法である。GaAs単結晶から
GaN膜を作製する場合、構成元素を置換するための物質
としてNH3を用い、GaAs単結晶の温度を400℃〜700℃と
し、置換反応を行い表面キャップ層を形成した後、700
℃〜1100℃に上昇させてGaN単結晶膜を育成することを
特徴とする単結晶の製造方法である。初期段階において
低温で置換反応を行い、その後、単結晶の温度を上昇さ
せ置換反応を促進する。初期段階で表面に形成された薄
膜により、単結晶からの構成元素の揮発を防止でき、表
面荒れを抑制することができる。以下に、本発明の詳細
について説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に示すように、反応ガスを導
入口を有する、単結晶２の設置部を有する反応管（石英
管）１を用いて、単結晶膜を育成する。加熱炉のヒータ
ーは、単結晶２部分のみを加熱できるヒーター４を有す
る。単結晶２の温度分布を均一化するために、必要に応
じてグラファイト製サセプター５上に載置する。
入口を有する、単結晶２の設置部を有する反応管（石英
管）１を用いて、単結晶膜を育成する。加熱炉のヒータ
ーは、単結晶２部分のみを加熱できるヒーター４を有す
る。単結晶２の温度分布を均一化するために、必要に応
じてグラファイト製サセプター５上に載置する。
【００１３】単結晶膜作製にあたって、単結晶２の設置
部、グラファイト製サセプター５上に単結晶２を反応管
１内をおく。その反応管１を加熱炉内の所定の位置に配
置し、ヒーター４の出力を調整し単結晶２が所定の温度
となるように加熱する。窒素ガスや不活性ガス等の雰囲
気ガス、構成元素を置換するための物質の反応ガス、単
結晶の分解を抑制するための単結晶の構成元素を含むガ
スを必要に応じ反応ガス導入口３より流しながら単結晶
２を所定の温度に保持する。単結晶部分のみを加熱する
コールドウォール法を用いることで、原料が置換反応前
に分解することを防止し、原料が、効率よく基板まで到
達する。
部、グラファイト製サセプター５上に単結晶２を反応管
１内をおく。その反応管１を加熱炉内の所定の位置に配
置し、ヒーター４の出力を調整し単結晶２が所定の温度
となるように加熱する。窒素ガスや不活性ガス等の雰囲
気ガス、構成元素を置換するための物質の反応ガス、単
結晶の分解を抑制するための単結晶の構成元素を含むガ
スを必要に応じ反応ガス導入口３より流しながら単結晶
２を所定の温度に保持する。単結晶部分のみを加熱する
コールドウォール法を用いることで、原料が置換反応前
に分解することを防止し、原料が、効率よく基板まで到
達する。
【００１４】所定の温度で所望の膜厚となるまで保持し
たのち、冷却し、単結晶を反応管より取りだす。表面が
単結晶膜の単結晶が得られる。
たのち、冷却し、単結晶を反応管より取りだす。表面が
単結晶膜の単結晶が得られる。
【００１５】また、表面の荒れを抑制するためには、一
旦低温で置換反応を行い、単結晶の表面に薄膜を形成し
た後、単結晶の温度を上昇させ置換反応を促進する。初
期段階で表面に形成された薄膜により、単結晶からの構
成元素の揮発を防止でき、表面荒れを抑制することがで
きる。この方法により、例えばAsH3等の単結晶の分解を
抑制するためのガスは単結晶の表面に薄膜を形成するま
での間のみ流すだけで、大量に消費しなくても済む。
旦低温で置換反応を行い、単結晶の表面に薄膜を形成し
た後、単結晶の温度を上昇させ置換反応を促進する。初
期段階で表面に形成された薄膜により、単結晶からの構
成元素の揮発を防止でき、表面荒れを抑制することがで
きる。この方法により、例えばAsH3等の単結晶の分解を
抑制するためのガスは単結晶の表面に薄膜を形成するま
での間のみ流すだけで、大量に消費しなくても済む。
【００１６】封管法の場合は、単結晶の設置部を有する
気密容器（石英アンプル）を用いて、単結晶膜を育成す
る。加熱炉のヒーターは、単結晶を独立に制御できるヒ
ーターを有する。結晶育成にあたって、単結晶の設置部
に単結晶を気密容器内をおく。気密容器を一旦真空排気
した後、構成元素を置換するための物質の反応ガスを含
む気体を所定圧封入した後封止する。その後、単結晶の
設置部の温度を制御しながら、単結晶の過剰な分解を抑
制しながら単結晶膜を育成する。この場合も、一旦低温
で置換反応を行えば、表面の荒れを抑制できる。
気密容器（石英アンプル）を用いて、単結晶膜を育成す
る。加熱炉のヒーターは、単結晶を独立に制御できるヒ
ーターを有する。結晶育成にあたって、単結晶の設置部
に単結晶を気密容器内をおく。気密容器を一旦真空排気
した後、構成元素を置換するための物質の反応ガスを含
む気体を所定圧封入した後封止する。その後、単結晶の
設置部の温度を制御しながら、単結晶の過剰な分解を抑
制しながら単結晶膜を育成する。この場合も、一旦低温
で置換反応を行えば、表面の荒れを抑制できる。
【００１７】
（実施例１）以下に、GaAs単結晶基板を用い、開管中で
基板部分のみを加熱するコールドヴォール法で置換反応
によりGaN単結晶膜を形成する場合の実施例について説
明する。
基板部分のみを加熱するコールドヴォール法で置換反応
によりGaN単結晶膜を形成する場合の実施例について説
明する。
【００１８】図1の育成装置を用いた。表面を清浄化さ
れたGaAs基板は、グラファイトで形成されたサセプター
上におかれる。基板が装置の所定の位置に設置された
後、反応ガス導入口から表面からの砒素抜けを防止する
のに十分なAsH3をフローさせながら、基板を650℃に加
熱し、表面を清浄化する。その温度に基板を保ちながら
NH3を導入するとともにAsH3のフローを30分かけてゼロ
とする。この過程で、基板表面より砒素抜けが起こり、
表面の過剰なGa表面のチッ化が起こる。さらに、基板を
この温度に保ち、チッ化を進行させる。
れたGaAs基板は、グラファイトで形成されたサセプター
上におかれる。基板が装置の所定の位置に設置された
後、反応ガス導入口から表面からの砒素抜けを防止する
のに十分なAsH3をフローさせながら、基板を650℃に加
熱し、表面を清浄化する。その温度に基板を保ちながら
NH3を導入するとともにAsH3のフローを30分かけてゼロ
とする。この過程で、基板表面より砒素抜けが起こり、
表面の過剰なGa表面のチッ化が起こる。さらに、基板を
この温度に保ち、チッ化を進行させる。
【００１９】その後、基板温度をl000℃に昇温し、更に
チッ化を促進させる。650℃で基板表面に形成されたGaN
膜が保護膜として働き、基板温度1000℃における急激な
砒素抜けによる表面荒れは防止できる。さらに、基板温
度を上げれば置換反応を促進できる。
チッ化を促進させる。650℃で基板表面に形成されたGaN
膜が保護膜として働き、基板温度1000℃における急激な
砒素抜けによる表面荒れは防止できる。さらに、基板温
度を上げれば置換反応を促進できる。
【００２０】650℃で1時間の置換反応で2ミクロンのGaN
単結晶膜が形成でき、それに続くl000℃の置換反応5時
間で50ミクロンの厚さのGaN単結晶膜が形成できた。電
子線回折の結果、形成されたGaN単結晶膜は立方晶であ
った。
単結晶膜が形成でき、それに続くl000℃の置換反応5時
間で50ミクロンの厚さのGaN単結晶膜が形成できた。電
子線回折の結果、形成されたGaN単結晶膜は立方晶であ
った。
【００２１】（実施例２）GaAsを基板として用い、封管
中に基板とアンモニアを封じ込め基板部分のみを加熱す
るコールドウォール法で置換反応によりGaNを形成する
場合の実施例について説明する。育成装置は反応管を封
管として用いる以外は図1と同じである。
中に基板とアンモニアを封じ込め基板部分のみを加熱す
るコールドウォール法で置換反応によりGaNを形成する
場合の実施例について説明する。育成装置は反応管を封
管として用いる以外は図1と同じである。
【００２２】基板部分のみを加熱する目的で、横型の高
周波加熱炉を用いた。表面を清浄化されたGaAs基板は、
グラファイトで形成されたサセプター上におかれる。基
板が装置の所定の位置に設置された後、反応管中に0.5
気圧のアンモニアを導入する。基板を400℃に加熱し、
その温度に1時間保持した後、700℃まで3時間かけて昇
温する。400℃未満では置換反応がほとんど起こらな
い。なお、700℃以上に急激に昇温すると表面荒れを起
こす。
周波加熱炉を用いた。表面を清浄化されたGaAs基板は、
グラファイトで形成されたサセプター上におかれる。基
板が装置の所定の位置に設置された後、反応管中に0.5
気圧のアンモニアを導入する。基板を400℃に加熱し、
その温度に1時間保持した後、700℃まで3時間かけて昇
温する。400℃未満では置換反応がほとんど起こらな
い。なお、700℃以上に急激に昇温すると表面荒れを起
こす。
【００２３】その後、基板温度を1000℃に昇温し5時間
保持する。基板温度700℃以下で、表面に形成されたGaN
膜が保護膜として働き、育成温度1000℃においても急激
な砒素抜けによる表面荒れは防止できる。さらに、基板
温度を上げれば置換反応を促進できる。コールドウォー
ルを用いているためアンモニアを効率よく置換反応に利
用できるため封管中にさらに原料のアンモニアを導入す
る必要がない。
保持する。基板温度700℃以下で、表面に形成されたGaN
膜が保護膜として働き、育成温度1000℃においても急激
な砒素抜けによる表面荒れは防止できる。さらに、基板
温度を上げれば置換反応を促進できる。コールドウォー
ルを用いているためアンモニアを効率よく置換反応に利
用できるため封管中にさらに原料のアンモニアを導入す
る必要がない。
【００２４】前半のプロセスで2ミクロンのGaN単結晶膜
が形成でき、それに続く1000℃の置換反応5時間で50ミ
クロンの厚さのGaN単結晶膜が形成できる。電子線回折
の結果、形成されたGaN単結晶膜は立方晶であった。
が形成でき、それに続く1000℃の置換反応5時間で50ミ
クロンの厚さのGaN単結晶膜が形成できる。電子線回折
の結果、形成されたGaN単結晶膜は立方晶であった。
【００２５】また、前半の400℃、1時間保持のプロセス
で形成されたGaN膜が保護膜として働いた為、砒素抜け
による表面の荒れは観測されなかった。
で形成されたGaN膜が保護膜として働いた為、砒素抜け
による表面の荒れは観測されなかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、単結晶の構成元素の少なくと
も一つの構成元素を、単結晶部分のみを加熱し、構成元
素を置換するための物質により、他の元素で置換し、こ
の単結晶表面に単結晶膜を作製する。コールドウォール
法で置換反応を行うため、構成元素を置換するための物
質が置換反応前に分解することを防止でき、構成元素を
置換するための物質を効率よく使用することができる。
従って、構成元素を置換するための物質が、効率よく基
板と置換し、所望の速度で単結晶膜を得ることができ
る。
も一つの構成元素を、単結晶部分のみを加熱し、構成元
素を置換するための物質により、他の元素で置換し、こ
の単結晶表面に単結晶膜を作製する。コールドウォール
法で置換反応を行うため、構成元素を置換するための物
質が置換反応前に分解することを防止でき、構成元素を
置換するための物質を効率よく使用することができる。
従って、構成元素を置換するための物質が、効率よく基
板と置換し、所望の速度で単結晶膜を得ることができ
る。
【００２７】また、本発明は、単結晶の表面が荒れを起
こさない範囲で予め置換を行い表面キャップ層を形成し
た後、所定の温度に上昇させて単結晶膜を育成する。2
段階で置換反応を行うことで基板からの蒸気圧の高い成
分の抜けによる表面荒れを防止できる。
こさない範囲で予め置換を行い表面キャップ層を形成し
た後、所定の温度に上昇させて単結晶膜を育成する。2
段階で置換反応を行うことで基板からの蒸気圧の高い成
分の抜けによる表面荒れを防止できる。
【図1】 本発明の開管法による反応装置の１例を示し
たものである。
たものである。
1 反応管 2 単結晶 3 反応ガス導人口 4 ヒーター 5 グラファイトサセプター
Claims (8)
- 【請求項１】 単結晶のみを所定の温度に加熱し、構成
元素を置換するための物質により前記単結晶の構成元素
の少なくとも一つの構成元素を他の元素で置換し、前期
単結晶表面に単結晶膜を作製することを特徴とする単結
晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記単結晶が化合物半導体単結晶であ
り、単結晶膜の少なくとも一部が窒化物であることを特
徴とする請求項１記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記化合物半導体単結晶がGaAs単結晶で
あり、前記窒化物がGaNであることを特徴とする請求項
２記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 構成元素を置換するための物質がNH3で
あることを特徴とする請求項２または３記載の単結晶の
製造方法。 - 【請求項５】 封管内で行うことを特徴とする請求項１
〜４記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項６】 開管内で行うことを特徴とする請求項１
〜４記載の単結晶基板製造方法。 - 【請求項７】 単結晶の表面が荒れを起こさない範囲で
予め置換を行い表面キャップ層を形成した後、所定の温
度に上昇させて単結晶膜を育成することを特徴とする請
求項１〜６記載の単結晶の製造方法。 - 【請求項８】 構成元素を置換するための物質としてNH
3を用い、GaAs単結晶の温度を400℃〜700℃として、置
換反応を行い表面キャップ層を形成した後、700℃〜110
0℃に上昇させてGaN単結晶膜を育成することを特徴とす
る請求項４〜７記載の単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085897A JPH10287498A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10085897A JPH10287498A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10287498A true JPH10287498A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14285019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10085897A Withdrawn JPH10287498A (ja) | 1997-04-04 | 1997-04-04 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10287498A (ja) |
-
1997
- 1997-04-04 JP JP10085897A patent/JPH10287498A/ja not_active Withdrawn
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