JPH10288787A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH10288787A JPH10288787A JP11367097A JP11367097A JPH10288787A JP H10288787 A JPH10288787 A JP H10288787A JP 11367097 A JP11367097 A JP 11367097A JP 11367097 A JP11367097 A JP 11367097A JP H10288787 A JPH10288787 A JP H10288787A
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- liquid crystal
- layer
- alignment film
- high dielectric
- dielectric substance
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電圧−透過率特性におけるＳ字現象を抑制
し、明確で安定な階調表示が可能な液晶素子を提供す
る。 【解決手段】 一対の基板上に設けられた電極間に、液
晶層及び該液晶層を配向せしめる配向層を狭持した画素
を形成し、前記電極間に外部電圧を付与することによっ
て階調駆動する液晶素子において、前記配向層は高誘電
率物質からなる超微粒子を分散させた配向膜からなる液
晶素子。
し、明確で安定な階調表示が可能な液晶素子を提供す
る。 【解決手段】 一対の基板上に設けられた電極間に、液
晶層及び該液晶層を配向せしめる配向層を狭持した画素
を形成し、前記電極間に外部電圧を付与することによっ
て階調駆動する液晶素子において、前記配向層は高誘電
率物質からなる超微粒子を分散させた配向膜からなる液
晶素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶素子に関し、特
に階調表示を行うための液晶素子に関するものである。
に階調表示を行うための液晶素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】比較的低コストで製造できるものとして
ＴＮ液晶を用いたパッシブマトリクス駆動方式の液晶表
示素子が知られている。この素子は、クロストークやコ
ントラストの点で限界があり、ＴＮ液晶を用いたパッシ
ブマトリクス駆動方式の液晶表示素子は、高密度配線数
の表示素子、例えば液晶テレビジョンパネルなどに適し
たものとは言いがたい。
ＴＮ液晶を用いたパッシブマトリクス駆動方式の液晶表
示素子が知られている。この素子は、クロストークやコ
ントラストの点で限界があり、ＴＮ液晶を用いたパッシ
ブマトリクス駆動方式の液晶表示素子は、高密度配線数
の表示素子、例えば液晶テレビジョンパネルなどに適し
たものとは言いがたい。
【０００３】この様な従来のＴＮ液晶が持つ根本的な問
題を解決するものとして、クラークとラガヴァルに付与
された米国特許４，３６７，９２４号の明細書に記載さ
れている様な、双安定性を有する強誘電性液晶素子が知
られている。この強誘電性液晶素子は使用状態において
カイラルスメクティック相を呈するスメクティック液晶
が用いられる。この状態において、この液晶は印加電圧
に応答して第一の光学的安定状態と第二の光学的安定状
態のいずれかを取り、且つ電界の印加のない時にはその
状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また電
界の変化に対する応答も速やかであり、最近、テレビの
階調駆動に用いる試みがなされている。
題を解決するものとして、クラークとラガヴァルに付与
された米国特許４，３６７，９２４号の明細書に記載さ
れている様な、双安定性を有する強誘電性液晶素子が知
られている。この強誘電性液晶素子は使用状態において
カイラルスメクティック相を呈するスメクティック液晶
が用いられる。この状態において、この液晶は印加電圧
に応答して第一の光学的安定状態と第二の光学的安定状
態のいずれかを取り、且つ電界の印加のない時にはその
状態を維持する性質、すなわち双安定性を有し、また電
界の変化に対する応答も速やかであり、最近、テレビの
階調駆動に用いる試みがなされている。
【０００４】その試みの一つに、セル厚勾配駆動があ
る。これは、表示画素内の基板と電極間に勾配層を付与
し、セル厚勾配による閾値勾配をもたせた１画素内の面
積階調法である。
る。これは、表示画素内の基板と電極間に勾配層を付与
し、セル厚勾配による閾値勾配をもたせた１画素内の面
積階調法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記階調法は、双安定
カイラルスメクティック液晶を用いた階調表示には非常
に有効な手段であるが、同時にいくつかの欠点を有する
場合がある。
カイラルスメクティック液晶を用いた階調表示には非常
に有効な手段であるが、同時にいくつかの欠点を有する
場合がある。
【０００６】その一つに、電圧−透過率特性におけるＳ
字現象がある。以下その現象を説明する。図３は、一般
的なセル厚勾配による階調表示用の液晶素子を示す模式
図である。同図３において、３１、３１’はガラス基
板、３２は勾配層、３３、３３’は透明電極、３４、３
４’は配向層、３６はカイラルスメクティック液晶であ
る。また、駆動波形を図４に示す。図４（ａ）における
４１はリセットパルス、４２は書き込みパルスである。
この波形を画素に図４（ａ）に示した様に１周期３０ｍ
ｓ（３０Ｈｚ）にパルス４１と各階調に応じた書き込み
パルス４２を印加すると、図４（ｂ）に示すような透過
率変化を生ずる。このときの４３に示す透過率が書き込
みパルス４２に対応する透過率である。
字現象がある。以下その現象を説明する。図３は、一般
的なセル厚勾配による階調表示用の液晶素子を示す模式
図である。同図３において、３１、３１’はガラス基
板、３２は勾配層、３３、３３’は透明電極、３４、３
４’は配向層、３６はカイラルスメクティック液晶であ
る。また、駆動波形を図４に示す。図４（ａ）における
４１はリセットパルス、４２は書き込みパルスである。
この波形を画素に図４（ａ）に示した様に１周期３０ｍ
ｓ（３０Ｈｚ）にパルス４１と各階調に応じた書き込み
パルス４２を印加すると、図４（ｂ）に示すような透過
率変化を生ずる。このときの４３に示す透過率が書き込
みパルス４２に対応する透過率である。
【０００７】さてこのような駆動波形で書き込みパルス
４２に対する透過率４３をプロットしたものが、電圧−
透過率特性である。その１例を図５に示す。図５のグラ
フにおいて、領域ａと領域ｂに見られるように電圧−透
過率特性になだらかな部分が存在する。以下、この現象
を、電圧−透過率曲線がＳ字になっていることから、前
述したようにＳ字現象とする。これは、微小ドメインが
徐々に成長、消滅する事が原因で表れる現象である。
４２に対する透過率４３をプロットしたものが、電圧−
透過率特性である。その１例を図５に示す。図５のグラ
フにおいて、領域ａと領域ｂに見られるように電圧−透
過率特性になだらかな部分が存在する。以下、この現象
を、電圧−透過率曲線がＳ字になっていることから、前
述したようにＳ字現象とする。これは、微小ドメインが
徐々に成長、消滅する事が原因で表れる現象である。
【０００８】この現象は、電極−基板間に勾配がない液
晶素子の場合には殆ど見られない現象で、セル厚勾配で
階調表示する液晶素子に特有の現象である。このような
Ｓ字現象が存在すると、その曲部付近の駆動電圧での色
調が不安定で、色誤差となって明確な階調表示が困難に
なるといった問題点があった。
晶素子の場合には殆ど見られない現象で、セル厚勾配で
階調表示する液晶素子に特有の現象である。このような
Ｓ字現象が存在すると、その曲部付近の駆動電圧での色
調が不安定で、色誤差となって明確な階調表示が困難に
なるといった問題点があった。
【０００９】本発明の目的は、前述のような問題を解消
した液晶素子を提供することである。つまり、配向膜に
高誘電率物質からなる超微粒子を分散させ、電圧−透過
率特性におけるＳ字現象を抑制し、明確で安定な階調表
示が可能な液晶素子を提供することである。
した液晶素子を提供することである。つまり、配向膜に
高誘電率物質からなる超微粒子を分散させ、電圧−透過
率特性におけるＳ字現象を抑制し、明確で安定な階調表
示が可能な液晶素子を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、一対の
基板上に設けられた電極間に、液晶層及び該液晶層を配
向せしめる配向層を狭持した画素を形成し、前記電極間
に外部電圧を付与することによって階調駆動する液晶素
子において、前記配向層は高誘電率物質からなる超微粒
子を分散させた配向膜からなることを特徴とする液晶素
子である。
基板上に設けられた電極間に、液晶層及び該液晶層を配
向せしめる配向層を狭持した画素を形成し、前記電極間
に外部電圧を付与することによって階調駆動する液晶素
子において、前記配向層は高誘電率物質からなる超微粒
子を分散させた配向膜からなることを特徴とする液晶素
子である。
【００１１】本発明において、少なくとも一方のガラス
基板と電極間に表示画素内で勾配層が形成され、一画素
内で液晶層の厚みに分布が付与されていることが好まし
い。また、前記高誘電率物質の誘電率が、配向膜の誘電
率よりも大きいことが好ましい。また、前記高誘電率物
質からなる超微粒子がＡ１2 Ｏ3 からなることが好まし
い。
基板と電極間に表示画素内で勾配層が形成され、一画素
内で液晶層の厚みに分布が付与されていることが好まし
い。また、前記高誘電率物質の誘電率が、配向膜の誘電
率よりも大きいことが好ましい。また、前記高誘電率物
質からなる超微粒子がＡ１2 Ｏ3 からなることが好まし
い。
【００１２】また、前記高誘電率物質からなる超微粒子
の平均粒径が、少なくとも配向膜の厚さ以上であること
が好ましい。また、前記液晶がカイラルスメクティック
液晶であることが好ましい。また、前記配向膜がポリイ
ミドであることが好ましい。
の平均粒径が、少なくとも配向膜の厚さ以上であること
が好ましい。また、前記液晶がカイラルスメクティック
液晶であることが好ましい。また、前記配向膜がポリイ
ミドであることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の液晶素子は、一対の電極
間に、液晶層及び該液晶層を配向せしめる配向層を狭持
した画素を形成し、上記電極間に外部電圧を付与するこ
とによって階調駆動する液晶素子において、上記配向層
が高誘電率物質からなる超微粒子を分散させた配向膜か
らなることを特徴とする。
間に、液晶層及び該液晶層を配向せしめる配向層を狭持
した画素を形成し、上記電極間に外部電圧を付与するこ
とによって階調駆動する液晶素子において、上記配向層
が高誘電率物質からなる超微粒子を分散させた配向膜か
らなることを特徴とする。
【００１４】図１は本発明の階調表示を行なう液晶素子
の１例を示す模式図である。同図において、本発明の液
晶素子は、一方のガラス基板１上には、透明電極３と配
向層４を順次形成し、他方のガラス基板１’上には、一
画素を形成する勾配層２を設け、その上に透明電極３’
を設け、その透明電極３’の上に高誘電率物質からなる
超微粒子５を分散した配向膜からなる配向層４’を順次
形成する。配向層４、４’に一方向ラビング処理を施
し、ガラス基板１、１’を、ラビング方向が平行になる
ように配置して、スペーサを介して貼り合わせてセルを
構成し、セル内にカイラルスメクティク液晶６を注入し
てなるものである。
の１例を示す模式図である。同図において、本発明の液
晶素子は、一方のガラス基板１上には、透明電極３と配
向層４を順次形成し、他方のガラス基板１’上には、一
画素を形成する勾配層２を設け、その上に透明電極３’
を設け、その透明電極３’の上に高誘電率物質からなる
超微粒子５を分散した配向膜からなる配向層４’を順次
形成する。配向層４、４’に一方向ラビング処理を施
し、ガラス基板１、１’を、ラビング方向が平行になる
ように配置して、スペーサを介して貼り合わせてセルを
構成し、セル内にカイラルスメクティク液晶６を注入し
てなるものである。
【００１５】ここで、高誘電率物質からなる超微粒子と
は、その誘電率が配向膜の誘電率より大きく、例えば誘
電率が５以上、好ましくは５〜２００、さらに好ましく
は１０〜１００の範囲にある、有機物、無機物、さらに
はこれら２種類以上の材料からなる微粒子である。その
高誘電率物質の具体としては、Ａ１2 Ｏ3 、ＴｉＯ2、
ＺｎＯ等が挙げられる。
は、その誘電率が配向膜の誘電率より大きく、例えば誘
電率が５以上、好ましくは５〜２００、さらに好ましく
は１０〜１００の範囲にある、有機物、無機物、さらに
はこれら２種類以上の材料からなる微粒子である。その
高誘電率物質の具体としては、Ａ１2 Ｏ3 、ＴｉＯ2、
ＺｎＯ等が挙げられる。
【００１６】また、超微粒子の平均粒径は、配向膜の厚
さ以上が好ましく、例えば０．００５〜０．１μｍ、好
ましくは０．００５〜０．０５μｍの範囲が望ましい。
また、配向膜中の超微粒子の含有量は、１０〜２００重
量％、好ましくは３０〜１５０重量％の範囲が望まし
い。
さ以上が好ましく、例えば０．００５〜０．１μｍ、好
ましくは０．００５〜０．０５μｍの範囲が望ましい。
また、配向膜中の超微粒子の含有量は、１０〜２００重
量％、好ましくは３０〜１５０重量％の範囲が望まし
い。
【００１７】また、高誘電率物質からなる超微粒子は配
向膜に分散させて配向層を形成するが、配向膜はポリイ
ミドが好ましいがこれに限定するものではない。液晶は
カイラルスメクティック液晶が好ましいがこれに限定す
るものではない。また、本発明の液晶素子は、少なくと
も一方の電極と基板の間に表示画素内に勾配層を付与
し、階調表示を行うものであることを特徴とする。
向膜に分散させて配向層を形成するが、配向膜はポリイ
ミドが好ましいがこれに限定するものではない。液晶は
カイラルスメクティック液晶が好ましいがこれに限定す
るものではない。また、本発明の液晶素子は、少なくと
も一方の電極と基板の間に表示画素内に勾配層を付与
し、階調表示を行うものであることを特徴とする。
【００１８】本発明によれば、少なくとも一方の電極と
基板の間に表示画素内に勾配層を付与し、階調表示させ
る液晶素子において、配向層に高誘電率物質からなる超
微粒子、例えば、Ａ１2 Ｏ3 を分散したポリイミドを用
いることにより、該配向層を高誘電率にすることで前述
Ｓ字現象を抑制することができる。
基板の間に表示画素内に勾配層を付与し、階調表示させ
る液晶素子において、配向層に高誘電率物質からなる超
微粒子、例えば、Ａ１2 Ｏ3 を分散したポリイミドを用
いることにより、該配向層を高誘電率にすることで前述
Ｓ字現象を抑制することができる。
【００１９】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。
説明する。
【００２０】実施例１ 図１において、本発明の階調表示を行なう液晶素子を説
明する。同図１において、１、１’はガラス基板、２は
勾配層、３、３’は透明電極、４、４’は配向層、５は
高誘電率物質からなる超微粒子、例えばＡ１2 Ｏ3 であ
り、６はカイラルスメクティック液晶である。なお、配
向層４、４’から超微粒子５の上端のみが露出していて
もかまわない。
明する。同図１において、１、１’はガラス基板、２は
勾配層、３、３’は透明電極、４、４’は配向層、５は
高誘電率物質からなる超微粒子、例えばＡ１2 Ｏ3 であ
り、６はカイラルスメクティック液晶である。なお、配
向層４、４’から超微粒子５の上端のみが露出していて
もかまわない。
【００２１】なお本実施例おいては、１、１’は１．１
ｍｍ厚のガラス基板で、２の勾配層は、高分子の樹脂を
フォトリソ工程でパターニングして形成させた。高低差
は０．５μｍに形成した。透明電極３、３’はＩＴＯ膜
を厚さ７００Åに形成したものである。配向膜４、４’
としては、Ａ１2 Ｏ3 （平均粒径２００Å）を樹脂固形
分に対し５ｗｔ％に分散させたポリアミック酸溶液（日
立化成工業株式会社製のＬＱｌ８００：商品名）をスピ
ン成膜し、２７０℃にて１時間焼成してポリイミド配向
膜を２００Åの膜厚で形成した。このようにして塗布し
た配向膜４、４’にナイロン植毛布による一方向ラビン
グ処理を施した。
ｍｍ厚のガラス基板で、２の勾配層は、高分子の樹脂を
フォトリソ工程でパターニングして形成させた。高低差
は０．５μｍに形成した。透明電極３、３’はＩＴＯ膜
を厚さ７００Åに形成したものである。配向膜４、４’
としては、Ａ１2 Ｏ3 （平均粒径２００Å）を樹脂固形
分に対し５ｗｔ％に分散させたポリアミック酸溶液（日
立化成工業株式会社製のＬＱｌ８００：商品名）をスピ
ン成膜し、２７０℃にて１時間焼成してポリイミド配向
膜を２００Åの膜厚で形成した。このようにして塗布し
た配向膜４、４’にナイロン植毛布による一方向ラビン
グ処理を施した。
【００２２】このようにして作成されたガラス基板１、
１’を、ラビング方向が平行になるようにして、ｌμｍ
径のシリカビーズのスペーサを介して貼り合わせセルを
形成した。その後、強誘電性液晶を空セル内に注入し、
液晶セルを作製した。
１’を、ラビング方向が平行になるようにして、ｌμｍ
径のシリカビーズのスペーサを介して貼り合わせセルを
形成した。その後、強誘電性液晶を空セル内に注入し、
液晶セルを作製した。
【００２３】平均粒径２００ÅのＡ１2 Ｏ3 微粒子を５
ｗｔ％分散させた場合に得られた、電圧−透過率曲線を
図２の曲線２１に示す。また、Ａ１２Ｏ３微粒子を含有
していないポリイミド配向膜の電圧−透過率曲線を曲線
２２に示す。図２の曲線２１から明らかなように、比較
例としてＡ１2 Ｏ3 微粒子を分散させていないポリイミ
ド配向膜（図２の曲線２２）と比較すると、Ｓ字現象が
改善されていることがわかる。
ｗｔ％分散させた場合に得られた、電圧−透過率曲線を
図２の曲線２１に示す。また、Ａ１２Ｏ３微粒子を含有
していないポリイミド配向膜の電圧−透過率曲線を曲線
２２に示す。図２の曲線２１から明らかなように、比較
例としてＡ１2 Ｏ3 微粒子を分散させていないポリイミ
ド配向膜（図２の曲線２２）と比較すると、Ｓ字現象が
改善されていることがわかる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
少なくとも一方の電極と基板の間に表示画素内に勾配層
を付与し、階調表示させる液晶素子において、配向膜に
高誘電率物質からなる超微粒子を分散させることで、配
向層を高誘電率化し、電圧−透過率特性のＳ字現象を改
善することができる。
少なくとも一方の電極と基板の間に表示画素内に勾配層
を付与し、階調表示させる液晶素子において、配向膜に
高誘電率物質からなる超微粒子を分散させることで、配
向層を高誘電率化し、電圧−透過率特性のＳ字現象を改
善することができる。
【図１】本発明の階調表示を行なう液晶素子の１例を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】本発明の実施例の液晶素子の電圧−透過率特性
と比較例の液晶素子の電圧−透過率特性を示すグラフで
ある。
と比較例の液晶素子の電圧−透過率特性を示すグラフで
ある。
【図３】一般的なセル厚勾配による階調表示用の液晶素
子を示す模式図である。
子を示す模式図である。
【図４】駆動波形と透過率の関係を示すグラフである。
【図５】書き込み電圧と透過率の関係を示すグラフであ
る。
る。
１、１’、３１、３１’ ガラス基板 ２、３２ 勾配層 ３、３’、３３、３３’ 透明電極 ４、４’、３４、３４’ 配向層 ５ 高誘電率物質からなる超微粒子 ６、３６ カイラルスメクティック液晶 ４１ リセットパルス ４２ 書き込みパルス
Claims (7)
- 【請求項１】 一対の基板上に設けられた電極間に、液
晶層及び該液晶層を配向せしめる配向層を狭持した画素
を形成し、前記電極間に外部電圧を付与することによっ
て階調駆動する液晶素子において、前記配向層は高誘電
率物質からなる超微粒子を分散させた配向膜からなるこ
とを特徴とする液晶素子。 - 【請求項２】 少なくとも一方の基板と電極間に表示画
素内で勾配層が形成され、一画素内で液晶層の厚みに分
布が付与されていることを特徴とする請求項１記載の液
晶素子。 - 【請求項３】 前記高誘電率物質の誘電率が、配向膜の
誘電率よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の液
晶素子。 - 【請求項４】 前記高誘電率物質からなる超微粒子がＡ
１2 Ｏ3 からなることを特徴とする請求項１または３記
載の液晶素子。 - 【請求項５】 前記高誘電率物質からなる超微粒子の平
均粒径が、少なくとも配向膜の厚さ以上であることを特
徴とする請求項１、３および４のいずれかの項に記載の
液晶素子。 - 【請求項６】 前記液晶がカイラルスメクティック液晶
であることを特徴とする請求項１記載の液晶素子。 - 【請求項７】 前記配向膜がポリイミドであることを特
徴とする請求項１記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11367097A JPH10288787A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11367097A JPH10288787A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10288787A true JPH10288787A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14618192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11367097A Pending JPH10288787A (ja) | 1997-04-16 | 1997-04-16 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10288787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438164B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2004-07-01 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-04-16 JP JP11367097A patent/JPH10288787A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100438164B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2004-07-01 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
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