JPH1029153A - 半導体ウェーハ研磨装置 - Google Patents
半導体ウェーハ研磨装置Info
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- JPH1029153A JPH1029153A JP18332496A JP18332496A JPH1029153A JP H1029153 A JPH1029153 A JP H1029153A JP 18332496 A JP18332496 A JP 18332496A JP 18332496 A JP18332496 A JP 18332496A JP H1029153 A JPH1029153 A JP H1029153A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- polishing
- pressure
- wafer
- holding plate
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
- H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H10P90/129—Preparing bulk and homogeneous wafers by polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】研磨圧力を精密に制御することができ、半導体
ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることがで
きるとともに、半導体ウェーハと研磨体とを高度に平行
に保つことができる、半導体ウェーハ研磨装置を提供す
る。 【解決手段】ウェーハ保持盤５２を、支持枠体４６に遊
挿し、研磨布１６に対して揺動自在かつ垂直方向及び水
平方向に移動自在に支持する。そして、ウェーハ保持盤
５２と支持枠体４６との間に、空気室２２を形成する。
したがって、空気室２２の内圧を制御することで、ウェ
ーハ保持盤５２にかかる力、すなわち研磨圧力を制御す
ることができる。また、ウェーハ保持盤５２の上面全域
に均一に加圧できるので、半導体ウェーハ１２の面内全
域に均一に研磨圧力をかけることができる。さらに、研
磨布１６の傾きが変動しても、ウェーハ保持盤５２はそ
れに追従して傾くので、半導体ウェーハ１２と研磨布１
６とは平行に保たれる。
ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることがで
きるとともに、半導体ウェーハと研磨体とを高度に平行
に保つことができる、半導体ウェーハ研磨装置を提供す
る。 【解決手段】ウェーハ保持盤５２を、支持枠体４６に遊
挿し、研磨布１６に対して揺動自在かつ垂直方向及び水
平方向に移動自在に支持する。そして、ウェーハ保持盤
５２と支持枠体４６との間に、空気室２２を形成する。
したがって、空気室２２の内圧を制御することで、ウェ
ーハ保持盤５２にかかる力、すなわち研磨圧力を制御す
ることができる。また、ウェーハ保持盤５２の上面全域
に均一に加圧できるので、半導体ウェーハ１２の面内全
域に均一に研磨圧力をかけることができる。さらに、研
磨布１６の傾きが変動しても、ウェーハ保持盤５２はそ
れに追従して傾くので、半導体ウェーハ１２と研磨布１
６とは平行に保たれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ研
磨装置に係り、特に、研磨圧力を制御しながら研磨を行
う半導体ウェーハ研磨装置に関する。
磨装置に係り、特に、研磨圧力を制御しながら研磨を行
う半導体ウェーハ研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高密度化、多層
化が進み、その製作過程において半導体ウェーハを高い
精度で平坦化する技術が重要視されている。この平坦化
のためには、半導体ウェーハと研磨布との間に研磨液を
供給し、半導体ウェーハと研磨布とを押し付けながら相
対運動させて研磨する方法が有力である。
化が進み、その製作過程において半導体ウェーハを高い
精度で平坦化する技術が重要視されている。この平坦化
のためには、半導体ウェーハと研磨布との間に研磨液を
供給し、半導体ウェーハと研磨布とを押し付けながら相
対運動させて研磨する方法が有力である。
【０００３】この研磨を高精度に行うためには、半導体
ウェーハと研磨布との間の押し付け力（研磨圧力）を精
密に制御し、さらに、半導体ウェーハと研磨布とを高度
に平行に保つ必要がある。従来の半導体ウェーハ研磨装
置では、エアシリンダを用いて研磨圧力をかけ、その出
力を制御することによって研磨圧力を制御する方法がと
られている。
ウェーハと研磨布との間の押し付け力（研磨圧力）を精
密に制御し、さらに、半導体ウェーハと研磨布とを高度
に平行に保つ必要がある。従来の半導体ウェーハ研磨装
置では、エアシリンダを用いて研磨圧力をかけ、その出
力を制御することによって研磨圧力を制御する方法がと
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エアシ
リンダには、出力を精密に制御できず、出力が脈動して
しまうという欠点があるので、この方法では研磨圧力を
精密に制御できない。一方、従来、半導体ウェーハと研
磨布とを平行に保つために、ウェーハ保持盤を球面軸受
を介して支持することによって、半導体ウェーハを研磨
布の傾きに追従させる方法がとられている。
リンダには、出力を精密に制御できず、出力が脈動して
しまうという欠点があるので、この方法では研磨圧力を
精密に制御できない。一方、従来、半導体ウェーハと研
磨布とを平行に保つために、ウェーハ保持盤を球面軸受
を介して支持することによって、半導体ウェーハを研磨
布の傾きに追従させる方法がとられている。
【０００５】しかしながら、球面軸受には摩擦抵抗があ
るので、この方法では研磨布の傾きの変動にウェーハ保
持盤を完全に追従させることはできない。さらに、この
方法では、ウェーハ保持盤の中心部に応力が偏在するの
で、研磨される半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨
圧力をかけることができない。そのために、研磨を均一
に行えないという欠点がある。
るので、この方法では研磨布の傾きの変動にウェーハ保
持盤を完全に追従させることはできない。さらに、この
方法では、ウェーハ保持盤の中心部に応力が偏在するの
で、研磨される半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨
圧力をかけることができない。そのために、研磨を均一
に行えないという欠点がある。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、研磨圧力を精密に制御することができ、半導
体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることが
できるとともに、半導体ウェーハと研磨布とを高度に平
行に保つことができる、半導体ウェーハ研磨装置を提供
することを目的とする。
たもので、研磨圧力を精密に制御することができ、半導
体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることが
できるとともに、半導体ウェーハと研磨布とを高度に平
行に保つことができる、半導体ウェーハ研磨装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】前記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェーハ研磨装置は、半導体ウェー
ハと研磨体とを押し付けながら相対運動させて、半導体
ウェーハを研磨する半導体ウェーハ研磨装置において、
前記半導体ウェーハを保持するウェーハ保持盤を、支持
枠体に遊挿し、前記ウェーハ保持盤と前記支持枠体との
間に、内圧を自在に制御可能である圧力室を介在させ、
この圧力室の内圧を制御することによって、前記半導体
ウェーハと前記研磨体との間の押し付け力を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
に、本発明の半導体ウェーハ研磨装置は、半導体ウェー
ハと研磨体とを押し付けながら相対運動させて、半導体
ウェーハを研磨する半導体ウェーハ研磨装置において、
前記半導体ウェーハを保持するウェーハ保持盤を、支持
枠体に遊挿し、前記ウェーハ保持盤と前記支持枠体との
間に、内圧を自在に制御可能である圧力室を介在させ、
この圧力室の内圧を制御することによって、前記半導体
ウェーハと前記研磨体との間の押し付け力を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
【０００８】本発明の半導体ウェーハ研磨装置では、ウ
ェーハ保持盤と支持枠体との間に圧力室を介在させてい
るので、その内圧を制御することによって研磨圧力を精
密に制御することができる。また、研磨される半導体ウ
ェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることができ
る。さらに、本発明では、ウェーハ保持盤を、支持枠体
に遊挿することによって研磨体に対して揺動自在かつ垂
直方向及び水平方向に移動自在に支持している。したが
って、研磨体の傾きに変動があっても、ウェーハ保持盤
がそれに追従して傾くので、半導体ウェーハと研磨体と
を高度に平行に保つことができる。
ェーハ保持盤と支持枠体との間に圧力室を介在させてい
るので、その内圧を制御することによって研磨圧力を精
密に制御することができる。また、研磨される半導体ウ
ェーハの面内全域に均一に研磨圧力をかけることができ
る。さらに、本発明では、ウェーハ保持盤を、支持枠体
に遊挿することによって研磨体に対して揺動自在かつ垂
直方向及び水平方向に移動自在に支持している。したが
って、研磨体の傾きに変動があっても、ウェーハ保持盤
がそれに追従して傾くので、半導体ウェーハと研磨体と
を高度に平行に保つことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って、本発明に
係る半導体ウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態につ
いて詳説する。図１に、本発明の実施の形態の半導体ウ
ェーハ研磨装置１０の要部断面構造を示す。この半導体
ウェーハ研磨装置１０は、半導体ウェーハ１２を、定盤
１４上の研磨布１６に押し付けて、研磨するものであ
る。
係る半導体ウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態につ
いて詳説する。図１に、本発明の実施の形態の半導体ウ
ェーハ研磨装置１０の要部断面構造を示す。この半導体
ウェーハ研磨装置１０は、半導体ウェーハ１２を、定盤
１４上の研磨布１６に押し付けて、研磨するものであ
る。
【００１０】前記定盤１４は、図示しない駆動装置によ
って、回転軸１８を中心に図中矢印ａ方向に所定の速度
で回転される。定盤１４の上面には、前記研磨布１６が
接着されていて、この研磨布１６上に、図示しないノズ
ルから研磨液が供給される。そして、半導体ウェーハ１
２が、昇降装置２０及び空気室２２によって研磨布１６
に押し付けられて、研磨される。
って、回転軸１８を中心に図中矢印ａ方向に所定の速度
で回転される。定盤１４の上面には、前記研磨布１６が
接着されていて、この研磨布１６上に、図示しないノズ
ルから研磨液が供給される。そして、半導体ウェーハ１
２が、昇降装置２０及び空気室２２によって研磨布１６
に押し付けられて、研磨される。
【００１１】前記昇降装置２０は、アーム２４を介して
コラム２６に取り付けられている。昇降装置２０のロッ
ド２８は、昇降装置２０内部の図示しない送りねじ及び
モータからなる昇降機構によって、図中上下方向に移動
される。このロッド２８の下端には、カップリング３０
を介して回転軸３２が固着され、この回転軸３２は、ベ
アリング３４を介してベース３６に軸支されている。そ
して、ベース３６は、ガイド３８及び図示しない直動式
ベアリングを介して、コラム２６に上下動自在に支持さ
れている。
コラム２６に取り付けられている。昇降装置２０のロッ
ド２８は、昇降装置２０内部の図示しない送りねじ及び
モータからなる昇降機構によって、図中上下方向に移動
される。このロッド２８の下端には、カップリング３０
を介して回転軸３２が固着され、この回転軸３２は、ベ
アリング３４を介してベース３６に軸支されている。そ
して、ベース３６は、ガイド３８及び図示しない直動式
ベアリングを介して、コラム２６に上下動自在に支持さ
れている。
【００１２】したがって、回転軸３２は、昇降装置２０
の動作によって図中上下方向に移動される。さらに、回
転軸３２は、ギヤ４０、４２を介して、ベース３６に取
り付けられたモータ４４のスピンドルに連結されてい
て、モータ４４によって図中矢印ｂ方向に所定の速度で
回転駆動される。前記回転軸３２の下端には支持枠体４
６が取り付けられていて、この支持枠体４６によって、
ウェーハ保持盤５２が定盤１４に対向する位置に支持さ
れている。支持枠体４６は、ガイドリング４８及び円盤
状のベースプレート５０から構成され、ウェーハ保持盤
５２は、円柱部５４及び円盤部５６から構成されてい
る。この円盤部５６の下面には、半導体ウェーハ１２が
エア吸着等の適当な保持手段によって保持される。一
方、円柱部５４は、ガイドリング４８内に遊挿され、円
柱部５４の外周面とガイドリング４８の内周面との間に
は、隙間５８が形成されている。また、円盤部５６の上
面とガイドリング４８の下面との間には、隙間６０が形
成されている。
の動作によって図中上下方向に移動される。さらに、回
転軸３２は、ギヤ４０、４２を介して、ベース３６に取
り付けられたモータ４４のスピンドルに連結されてい
て、モータ４４によって図中矢印ｂ方向に所定の速度で
回転駆動される。前記回転軸３２の下端には支持枠体４
６が取り付けられていて、この支持枠体４６によって、
ウェーハ保持盤５２が定盤１４に対向する位置に支持さ
れている。支持枠体４６は、ガイドリング４８及び円盤
状のベースプレート５０から構成され、ウェーハ保持盤
５２は、円柱部５４及び円盤部５６から構成されてい
る。この円盤部５６の下面には、半導体ウェーハ１２が
エア吸着等の適当な保持手段によって保持される。一
方、円柱部５４は、ガイドリング４８内に遊挿され、円
柱部５４の外周面とガイドリング４８の内周面との間に
は、隙間５８が形成されている。また、円盤部５６の上
面とガイドリング４８の下面との間には、隙間６０が形
成されている。
【００１３】したがって、ウェーハ保持盤５２は、支持
枠体４６に対して、隙間６０の範囲内で垂直方向に、隙
間５８の範囲内で水平方向に、それぞれ移動自在であっ
て、揺動自在である。さらに、円柱部５４は、図示しな
い脱落防止ピンによってガイドリング４８に係止されて
いるので、ウェーハ保持盤５２は、支持枠体４６の回転
運動及び上下移動に追随する。
枠体４６に対して、隙間６０の範囲内で垂直方向に、隙
間５８の範囲内で水平方向に、それぞれ移動自在であっ
て、揺動自在である。さらに、円柱部５４は、図示しな
い脱落防止ピンによってガイドリング４８に係止されて
いるので、ウェーハ保持盤５２は、支持枠体４６の回転
運動及び上下移動に追随する。
【００１４】一方、ベースプレート５０とガイドリング
４８との間には、Ｏリング６２と弾性膜６４とが挟持さ
れ、この弾性膜６４の上面とベースプレート５０の下面
との間に、圧力室である空気室２２が形成されている。
そして、ベースプレート５０及び回転軸３２の内部に
は、空気室２２に接続する空気供給路６６が形成されて
いる。この空気供給路６６は、回転軸３２の内部に設け
られたロータリジョイント６８を介して、外部の圧力調
整装置７０に接続されている。この圧力調整装置７０
は、エアポンプ７２及びエアレギュレータ７４から構成
され、それによって任意の圧力の空気が空気室２２に供
給される。
４８との間には、Ｏリング６２と弾性膜６４とが挟持さ
れ、この弾性膜６４の上面とベースプレート５０の下面
との間に、圧力室である空気室２２が形成されている。
そして、ベースプレート５０及び回転軸３２の内部に
は、空気室２２に接続する空気供給路６６が形成されて
いる。この空気供給路６６は、回転軸３２の内部に設け
られたロータリジョイント６８を介して、外部の圧力調
整装置７０に接続されている。この圧力調整装置７０
は、エアポンプ７２及びエアレギュレータ７４から構成
され、それによって任意の圧力の空気が空気室２２に供
給される。
【００１５】したがって、圧力調整装置７０によって空
気室２２に空気が供給されることで、弾性膜６４の下面
が円柱部５４の上面に密着し、ウェーハ保持盤５２に図
中下方向に圧力がかかる。この圧力は、半導体ウェーハ
１２にそのまま伝わり、研磨圧力となる。次に、以上の
ように構成された半導体ウェーハ研磨装置１０による、
半導体ウェーハ１２の研磨方法について説明する。
気室２２に空気が供給されることで、弾性膜６４の下面
が円柱部５４の上面に密着し、ウェーハ保持盤５２に図
中下方向に圧力がかかる。この圧力は、半導体ウェーハ
１２にそのまま伝わり、研磨圧力となる。次に、以上の
ように構成された半導体ウェーハ研磨装置１０による、
半導体ウェーハ１２の研磨方法について説明する。
【００１６】まず、半導体ウェーハ１２を、研磨を受け
る面を下にしてウェーハ保持盤５２に取り付ける。次い
で、昇降装置２０を動作させて半導体ウェーハ１２を研
磨布１６に接近させ、圧力調整装置７０を動作させて空
気室２２に加圧することによって、半導体ウェーハ１２
を研磨布１６に所定の研磨圧力で押し付ける。そして、
研磨布１６上に図示しないノズルから研磨液を供給しな
がら、半導体ウェーハ１２と研磨布１６とを回転させ
て、半導体ウェーハ１２を研磨する。
る面を下にしてウェーハ保持盤５２に取り付ける。次い
で、昇降装置２０を動作させて半導体ウェーハ１２を研
磨布１６に接近させ、圧力調整装置７０を動作させて空
気室２２に加圧することによって、半導体ウェーハ１２
を研磨布１６に所定の研磨圧力で押し付ける。そして、
研磨布１６上に図示しないノズルから研磨液を供給しな
がら、半導体ウェーハ１２と研磨布１６とを回転させ
て、半導体ウェーハ１２を研磨する。
【００１７】このとき、圧力調整装置７０によって空気
室２２の内圧を制御することで、研磨圧力を精密に制御
することができる。また、ウェーハ保持盤５２に空気室
２２を介して加圧することで、ウェーハ保持盤５２の上
面全域に均一に加圧することができるので、半導体ウェ
ーハ１２の面内全域に均一に研磨圧力をかけることがで
きる。
室２２の内圧を制御することで、研磨圧力を精密に制御
することができる。また、ウェーハ保持盤５２に空気室
２２を介して加圧することで、ウェーハ保持盤５２の上
面全域に均一に加圧することができるので、半導体ウェ
ーハ１２の面内全域に均一に研磨圧力をかけることがで
きる。
【００１８】さらに、ウェーハ保持盤５２は、支持枠体
４６に対して揺動自在に支持されているので、研磨布１
６の傾きに変動があっても、ウェーハ保持盤５２はそれ
に追従して傾く。したがって、半導体ウェーハ１２と研
磨布１６とを高度に平行に保つことができる。このと
き、ウェーハ保持盤５２の傾くことができる範囲は、隙
間５８及び隙間６０の大きさによって限定されている。
それによって、ウェーハ保持盤５２が過度に傾くことが
防止されているので、半導体ウェーハ１２の縁が研磨布
１６に食い込むことはない。
４６に対して揺動自在に支持されているので、研磨布１
６の傾きに変動があっても、ウェーハ保持盤５２はそれ
に追従して傾く。したがって、半導体ウェーハ１２と研
磨布１６とを高度に平行に保つことができる。このと
き、ウェーハ保持盤５２の傾くことができる範囲は、隙
間５８及び隙間６０の大きさによって限定されている。
それによって、ウェーハ保持盤５２が過度に傾くことが
防止されているので、半導体ウェーハ１２の縁が研磨布
１６に食い込むことはない。
【００１９】また、この研磨中には、半導体ウェーハ１
２及び研磨布１６の回転数を等しくし、両者の回転方向
を逆方向にする。これによって、研磨布１６に対する相
対的な移動距離が、半導体ウェーハ１２の面内全ての場
所において等しくなるので、研磨が均一に進む。次に、
研磨を終了した半導体ウェーハの回収について述べる。
既存の、半導体ウェーハに直接エアバッグ等を接触させ
て研磨圧力をかける方式の半導体ウェーハ研磨装置で
は、半導体ウェーハは単に研磨布上に載置されているの
で、半導体ウェーハを自動的に回収することはできな
い。それに対して、この半導体ウェーハ研磨装置１０で
は、半導体ウェーハ１２をウェーハ保持盤５２によって
吸着保持しているので、研磨を終了した半導体ウェーハ
を自動的に回収することができる。
２及び研磨布１６の回転数を等しくし、両者の回転方向
を逆方向にする。これによって、研磨布１６に対する相
対的な移動距離が、半導体ウェーハ１２の面内全ての場
所において等しくなるので、研磨が均一に進む。次に、
研磨を終了した半導体ウェーハの回収について述べる。
既存の、半導体ウェーハに直接エアバッグ等を接触させ
て研磨圧力をかける方式の半導体ウェーハ研磨装置で
は、半導体ウェーハは単に研磨布上に載置されているの
で、半導体ウェーハを自動的に回収することはできな
い。それに対して、この半導体ウェーハ研磨装置１０で
は、半導体ウェーハ１２をウェーハ保持盤５２によって
吸着保持しているので、研磨を終了した半導体ウェーハ
を自動的に回収することができる。
【００２０】なお、本実施の形態の半導体ウェーハ研磨
装置では、圧力室の内圧を制御するための圧力媒体とし
て、空気を用いているが、これに限定することなく、他
の気体や液体を圧力媒体として用いてもよい。また、研
磨圧力の制御には、昇降装置２０による半導体ウェーハ
１２の上下移動を併用してもよい。
装置では、圧力室の内圧を制御するための圧力媒体とし
て、空気を用いているが、これに限定することなく、他
の気体や液体を圧力媒体として用いてもよい。また、研
磨圧力の制御には、昇降装置２０による半導体ウェーハ
１２の上下移動を併用してもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体ウ
ェーハ研磨装置では、研磨圧力を精密に制御することが
でき、半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をか
けることができるとともに、半導体ウェーハと研磨布と
を高度に平行に保つことができる。
ェーハ研磨装置では、研磨圧力を精密に制御することが
でき、半導体ウェーハの面内全域に均一に研磨圧力をか
けることができるとともに、半導体ウェーハと研磨布と
を高度に平行に保つことができる。
【図１】本発明の実施の形態の半導体ウェーハ研磨装置
の要部断面構造図
の要部断面構造図
１０…半導体ウェーハ研磨装置 １２…半導体ウェーハ １６…研磨布 ２０…昇降装置 ２２…空気室 ４４…モータ ４６…支持枠体 ５２…ウェーハ保持盤 ５８、６０…隙間 ７０…圧力調整装置
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェーハと研磨体とを押し付けなが
ら相対運動させて、半導体ウェーハを研磨する半導体ウ
ェーハ研磨装置において、 前記半導体ウェーハを保持するウェーハ保持盤を、支持
枠体に遊挿し、 前記ウェーハ保持盤と前記支持枠体との間に、内圧を自
在に制御可能である圧力室を介在させ、 この圧力室の内圧を制御することによって、前記半導体
ウェーハと前記研磨体との間の押し付け力を制御するよ
うにしたことを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18332496A JP3183388B2 (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体ウェーハ研磨装置 |
| US08/885,870 US5876272A (en) | 1996-07-12 | 1997-06-30 | Semiconductor wafer polishing machine |
| DE19728428A DE19728428B4 (de) | 1996-07-12 | 1997-07-03 | Halbleiterwafer-Poliermaschine |
| GB9714588A GB2315365B (en) | 1996-07-12 | 1997-07-10 | Semiconductor wafer polishing machine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18332496A JP3183388B2 (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体ウェーハ研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1029153A true JPH1029153A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3183388B2 JP3183388B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=16133722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18332496A Expired - Fee Related JP3183388B2 (ja) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | 半導体ウェーハ研磨装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5876272A (ja) |
| JP (1) | JP3183388B2 (ja) |
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