JPH10293944A - 光記録媒体とその作製方法 - Google Patents
光記録媒体とその作製方法Info
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- JPH10293944A JPH10293944A JP9100102A JP10010297A JPH10293944A JP H10293944 A JPH10293944 A JP H10293944A JP 9100102 A JP9100102 A JP 9100102A JP 10010297 A JP10010297 A JP 10010297A JP H10293944 A JPH10293944 A JP H10293944A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクの機械特性の向上とタクトアップ
による低コスト化技術を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも第一保護下層／第二
保護下層／光記録層から構成される光記録媒体におい
て、光記録層は少なくともＴｅを含有する光記録層であ
り、第一保護下層の熱伝導率は常温で５Ｗ／ｍ／Ｋであ
り、かつ、第二保護下層はＺｎＳ混合膜であることを特
徴とする光記録媒体を製造する。
による低コスト化技術を提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも第一保護下層／第二
保護下層／光記録層から構成される光記録媒体におい
て、光記録層は少なくともＴｅを含有する光記録層であ
り、第一保護下層の熱伝導率は常温で５Ｗ／ｍ／Ｋであ
り、かつ、第二保護下層はＺｎＳ混合膜であることを特
徴とする光記録媒体を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集光したレーザによ
って、情報を読み書き消去可能な光学式の情報記録媒
体、及びその作製法、並びにそれを用いた情報記録方法
に関するものである。
って、情報を読み書き消去可能な光学式の情報記録媒
体、及びその作製法、並びにそれを用いた情報記録方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報化社会に呼応して、情報の高
度化、多量化が進んでおり、高性能大容量の記録媒体の
研究開発が活発化している。大容量の記録媒体の一つが
光ディスクであり、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどが現在大き
い市場を形成している。情報の記録、再生、消去が可能
な書き換え型光記録材料としては、主に光磁気記録方式
と相変化記録方式が知られている。相変化記録方式は単
一ビームでのオーバーライトが可能であり、かつ光学系
も単純化できることから、実用化されると共に高密度化
の研究開発が近年、急速に活発になってきている。
度化、多量化が進んでおり、高性能大容量の記録媒体の
研究開発が活発化している。大容量の記録媒体の一つが
光ディスクであり、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭなどが現在大き
い市場を形成している。情報の記録、再生、消去が可能
な書き換え型光記録材料としては、主に光磁気記録方式
と相変化記録方式が知られている。相変化記録方式は単
一ビームでのオーバーライトが可能であり、かつ光学系
も単純化できることから、実用化されると共に高密度化
の研究開発が近年、急速に活発になってきている。
【０００３】高密度化に伴い、光ディスクの機械特性が
記録材料の記録消去特性に影響を及ぼしていることが明
らかになっており、基板歪みが小さいことが要求されて
いる。基板歪みが大きいと面ぶれ、偏芯が大きくなり、
反射率むら、サーボの不安定性をはじめ、さまざまな記
録消去特性に影響を及ぼす。また、大容量の記録媒体が
市場で受け入れられるためには、記録媒体が低コストで
作製できることが必要である。しかしながら、書き換え
型の光ディスクは依然として価格が高いため、大きい市
場が形成されていない。そのため光ディスクを少しでも
安く、効率よく作製する方法の開発が急務とされてい
る。
記録材料の記録消去特性に影響を及ぼしていることが明
らかになっており、基板歪みが小さいことが要求されて
いる。基板歪みが大きいと面ぶれ、偏芯が大きくなり、
反射率むら、サーボの不安定性をはじめ、さまざまな記
録消去特性に影響を及ぼす。また、大容量の記録媒体が
市場で受け入れられるためには、記録媒体が低コストで
作製できることが必要である。しかしながら、書き換え
型の光ディスクは依然として価格が高いため、大きい市
場が形成されていない。そのため光ディスクを少しでも
安く、効率よく作製する方法の開発が急務とされてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように最近光デ
ィスクの機械特性に対する要求が厳しくなっている。こ
のような光ディスク機械特性には面ぶれ、偏芯があり、
これらの評価は通常アクシャル アクセラレーション
（Axial acceleration、以下、Aaという）,ラジアル
アクセラレーション（Radial acceleration、以下、Ra
という）で規定される。例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭでは線
速6m/sではAaは8m/s2以下、Raは1.8m/s2以下が要求され
ている。この性能を劣化させている原因としては射出成
形不良、成膜時の熱による劣化、接着時の不均一性など
が挙げられる。特に相変化型の光記録媒体の保護層は通
常ＲＦスパッタを用いて成膜が行われており、かつ基板
上の保護層は膜厚が厚いために成膜時に基板の温度が上
昇してしまい、基板歪みが増大する。ひどい場合には基
板をかなり変形させてしまうことさえ発生する。この問
題の解決のために、スパッタ成膜の速度を遅くすれば、
当然基板歪みの増加を抑えることは可能である。しかし
ながら、スパッタ成膜の速度を遅くすると、タクト時間
が増加し、生産性という点からみると好ましくない。
ィスクの機械特性に対する要求が厳しくなっている。こ
のような光ディスク機械特性には面ぶれ、偏芯があり、
これらの評価は通常アクシャル アクセラレーション
（Axial acceleration、以下、Aaという）,ラジアル
アクセラレーション（Radial acceleration、以下、Ra
という）で規定される。例えば、ＤＶＤ−ＲＡＭでは線
速6m/sではAaは8m/s2以下、Raは1.8m/s2以下が要求され
ている。この性能を劣化させている原因としては射出成
形不良、成膜時の熱による劣化、接着時の不均一性など
が挙げられる。特に相変化型の光記録媒体の保護層は通
常ＲＦスパッタを用いて成膜が行われており、かつ基板
上の保護層は膜厚が厚いために成膜時に基板の温度が上
昇してしまい、基板歪みが増大する。ひどい場合には基
板をかなり変形させてしまうことさえ発生する。この問
題の解決のために、スパッタ成膜の速度を遅くすれば、
当然基板歪みの増加を抑えることは可能である。しかし
ながら、スパッタ成膜の速度を遅くすると、タクト時間
が増加し、生産性という点からみると好ましくない。
【０００５】そこで本発明は、機械特性が向上した光デ
ィスク及び、低コストを実現できる光ディスクの作製方
法を提供することを目的とする。
ィスク及び、低コストを実現できる光ディスクの作製方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために、成膜時の熱の発生を抑える検討を繰
り返し、更にスパッタ時間の短縮によりタクトタイムを
向上させ本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、（１）基板上に少なくとも第一保護下層、第二保護
下層、光記録層が順次形成された構成の光記録媒体にお
いて、光記録層が少なくともＴｅを含有し、第一保護下
層の熱伝導率は常温で５Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、かつ、
第二保護下層がＺｎＳ混合膜であることを特徴とする光
記録媒体を提供するものである。
を解決するために、成膜時の熱の発生を抑える検討を繰
り返し、更にスパッタ時間の短縮によりタクトタイムを
向上させ本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、（１）基板上に少なくとも第一保護下層、第二保護
下層、光記録層が順次形成された構成の光記録媒体にお
いて、光記録層が少なくともＴｅを含有し、第一保護下
層の熱伝導率は常温で５Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、かつ、
第二保護下層がＺｎＳ混合膜であることを特徴とする光
記録媒体を提供するものである。
【０００７】また、本発明は、（２）第一保護下層を基
板上に真空成膜する際、希ガス以外に反応性ガスを添加
し、反応性ＤＣスパッタ法を用いることを特徴とする上
記（１）記載の光記録媒体の作製方法を提供する。さら
に、本発明は、（３）上記（１）記載の光記録媒体にマ
ークエッジ方式で記録する情報記録方法も提供するもの
である。
板上に真空成膜する際、希ガス以外に反応性ガスを添加
し、反応性ＤＣスパッタ法を用いることを特徴とする上
記（１）記載の光記録媒体の作製方法を提供する。さら
に、本発明は、（３）上記（１）記載の光記録媒体にマ
ークエッジ方式で記録する情報記録方法も提供するもの
である。
【０００８】本発明に用いられる第一保護下層の熱伝導
率は、常温で５Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることが必須であ
る。この熱伝導率が５Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると記録感度
が著しく低下し、記録媒体として好ましくない。実用
上、１２ｍＷ以下で記録できることがことが好ましい。
第一保護下層の熱伝導率はより好ましくは３Ｗ／ｍ／Ｋ
未満であり、更に好ましくは２Ｗ／ｍ／Ｋ未満である。
率は、常温で５Ｗ／ｍ／Ｋ未満であることが必須であ
る。この熱伝導率が５Ｗ／ｍ／Ｋ以上であると記録感度
が著しく低下し、記録媒体として好ましくない。実用
上、１２ｍＷ以下で記録できることがことが好ましい。
第一保護下層の熱伝導率はより好ましくは３Ｗ／ｍ／Ｋ
未満であり、更に好ましくは２Ｗ／ｍ／Ｋ未満である。
【０００９】第一保護下層の材料としては、酸化物、窒
化物、フッ化物、硫化物、セレン化物、炭化物、ホウ化
物などが使用可能である。このような材料の例として
は、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｒＯ2、Ｂ2Ｏ3、ＭｇＦ2、Ｚ
ｎＳ、Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓｅ3などを挙げることができ
る。またこれらの混合物であっても使用することができ
る。このような第一保護下層を作製する方法としては、
ＤＣスパッタ法の一つである反応性ＤＣスパッタ法を用
いることができる。ここで使用されるターゲットは、酸
化アルミニウムを成膜する場合は、アルミニウム、酸化
マグネシウムを場合は、マグネシウムというように、第
一保護下層の金属種を用いる。但し、酸化シリコンを成
膜する場合は、シリコンにボロン等の不純物を添加し、
シリコンの電気伝導率を１０Ω・ｃｍ以下にする必要が
ある。反応性ＤＣスパッタ法において使用するスパッタ
ガスは希ガスの中から選ぶことができる。このような希
ガスとしては、アルゴン、ネオン、ヘリウムを使用する
ことができるが、もっとも一般的にはアルゴンガスであ
る。反応性ガスとしては、例えば酸化物を作製する場合
はスパッタ中に酸素ガスを、硫化物を作製する場合は硫
化水素を導入する。使用する代表的な反応性ガスとして
は酸素ガス、窒素ガス、硫化水素ガスをあげることがで
きる。その量はもちろん作製する第一保護下層の組成に
よって異なるが、一般的には希ガスに対して０．１％〜
２０％である。更に好ましくは０．５％〜１５％であ
る。
化物、フッ化物、硫化物、セレン化物、炭化物、ホウ化
物などが使用可能である。このような材料の例として
は、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｒＯ2、Ｂ2Ｏ3、ＭｇＦ2、Ｚ
ｎＳ、Ｓｂ2Ｓ3，Ｓｂ2Ｓｅ3などを挙げることができ
る。またこれらの混合物であっても使用することができ
る。このような第一保護下層を作製する方法としては、
ＤＣスパッタ法の一つである反応性ＤＣスパッタ法を用
いることができる。ここで使用されるターゲットは、酸
化アルミニウムを成膜する場合は、アルミニウム、酸化
マグネシウムを場合は、マグネシウムというように、第
一保護下層の金属種を用いる。但し、酸化シリコンを成
膜する場合は、シリコンにボロン等の不純物を添加し、
シリコンの電気伝導率を１０Ω・ｃｍ以下にする必要が
ある。反応性ＤＣスパッタ法において使用するスパッタ
ガスは希ガスの中から選ぶことができる。このような希
ガスとしては、アルゴン、ネオン、ヘリウムを使用する
ことができるが、もっとも一般的にはアルゴンガスであ
る。反応性ガスとしては、例えば酸化物を作製する場合
はスパッタ中に酸素ガスを、硫化物を作製する場合は硫
化水素を導入する。使用する代表的な反応性ガスとして
は酸素ガス、窒素ガス、硫化水素ガスをあげることがで
きる。その量はもちろん作製する第一保護下層の組成に
よって異なるが、一般的には希ガスに対して０．１％〜
２０％である。更に好ましくは０．５％〜１５％であ
る。
【００１０】第二保護下層としてはＺｎＳ混合膜であ
り、ＺｎＳ以外に酸化シリコン、酸化ボロン、酸化アル
ミニウム、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウ
ム、酸化カリウム、酸化チタン、窒化シリコン、窒化ア
ルミニウムなどが含まれている膜である。もっとも好ま
しくはＺｎＳと酸化シリコンとの混合膜である。ＺｎＳ
混合膜を使用することで安定性の優れた特性を得ること
ができる。
り、ＺｎＳ以外に酸化シリコン、酸化ボロン、酸化アル
ミニウム、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウ
ム、酸化カリウム、酸化チタン、窒化シリコン、窒化ア
ルミニウムなどが含まれている膜である。もっとも好ま
しくはＺｎＳと酸化シリコンとの混合膜である。ＺｎＳ
混合膜を使用することで安定性の優れた特性を得ること
ができる。
【００１１】基板としては、ポリカーボネート、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂、ガラス、アルミニウム、セラミ
ックスなどを用いることができる。通常は射出成型など
で片面にグルーブあるいはピットなどが形成されている
基板を用いる。基板の厚みとしては０．６ｍｍ、１．２
ｍｍが最も一般的である。本発明に用いられる光記録層
の材料としては、結晶と非晶質との間で可逆的に相変化
する少なくともＴｅを含む材料であればよい。少なくと
もＴｅを含有する光記録層とは、ＧｅＴｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅなどが好ましいも
のとして挙げることができる。更に好ましくは、Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇである。これらの
光記録層に用いられるその他の添加物としては、さまざ
まな材料を挙げることができる。このような材料として
は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓ，Ａｒ，Ｋ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｓｒ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｒ，Ｂ
ａ，Ｐｔ，，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ、Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｆ，Ｂな
どを挙げることができる。また、前述の記録層にさまざ
まな有機化合物を添加することができる。また、他の層
としては光記録層の直上に上層保護層や反射層などを設
けることも可能である。また、必要ならば更に記録層を
多層にすることも可能である。
ル樹脂、エポキシ樹脂、ガラス、アルミニウム、セラミ
ックスなどを用いることができる。通常は射出成型など
で片面にグルーブあるいはピットなどが形成されている
基板を用いる。基板の厚みとしては０．６ｍｍ、１．２
ｍｍが最も一般的である。本発明に用いられる光記録層
の材料としては、結晶と非晶質との間で可逆的に相変化
する少なくともＴｅを含む材料であればよい。少なくと
もＴｅを含有する光記録層とは、ＧｅＴｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅなどが好ましいも
のとして挙げることができる。更に好ましくは、Ｇｅ−
Ｔｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｇである。これらの
光記録層に用いられるその他の添加物としては、さまざ
まな材料を挙げることができる。このような材料として
は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｓ，Ａｒ，Ｋ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓ
ｅ，Ｓｒ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｒ，Ｂ
ａ，Ｐｔ，，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ、Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｆ，Ｂな
どを挙げることができる。また、前述の記録層にさまざ
まな有機化合物を添加することができる。また、他の層
としては光記録層の直上に上層保護層や反射層などを設
けることも可能である。また、必要ならば更に記録層を
多層にすることも可能である。
【００１２】本発明に用いられる上層保護層の材料とし
ては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2，ＳｉＯ、
Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、ＧｅＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＢＮなどを用いるこ
とができるが、更にＣなどや他にも耐湿性に優れた材
料、記録層との密着性に優れた材料やレーザによる記録
・消去の際の熱的効果が大きいものを使用することがで
きる。
ては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2，ＳｉＯ、
Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、ＧｅＯ
2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＢＮなどを用いるこ
とができるが、更にＣなどや他にも耐湿性に優れた材
料、記録層との密着性に優れた材料やレーザによる記録
・消去の際の熱的効果が大きいものを使用することがで
きる。
【００１３】本発明に用いられる反射層の材料として
は、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉ
などを挙げることができ、再生信号の増幅効果やレーザ
照射によって生ずる熱の拡散効果があるものが好まし
い。光記録層やその他の上層保護層、反射層などの他の
層はスパッタあるいは蒸着等で作製することができる。
は、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉ
などを挙げることができ、再生信号の増幅効果やレーザ
照射によって生ずる熱の拡散効果があるものが好まし
い。光記録層やその他の上層保護層、反射層などの他の
層はスパッタあるいは蒸着等で作製することができる。
【００１４】また、本発明でいうマークエッジ記録と
は、レーザで記録したピットのエッジを情報信号として
用いる方法であり、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ，ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−Ｒ，ＲＶＲ−ＲＡＭなどの光ディ
スクの記録方式である。
は、レーザで記録したピットのエッジを情報信号として
用いる方法であり、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ，ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−Ｒ，ＲＶＲ−ＲＡＭなどの光ディ
スクの記録方式である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の情報記録媒体およ
びその情報記録媒体の光記録膜の成膜方法についての具
体的な例を挙げる。光ディスクの機械特性項目のAa（Ax
ial acceleration）,Ra（Radial acceleration）は小野
測器製光ディスク機械特性測定装置を用いて測定した。
測定はディスク半径が５８ｍｍの位置で行った。また、
半径５８ｍｍでの測定速度は６ｍ／ｓで行った。
びその情報記録媒体の光記録膜の成膜方法についての具
体的な例を挙げる。光ディスクの機械特性項目のAa（Ax
ial acceleration）,Ra（Radial acceleration）は小野
測器製光ディスク機械特性測定装置を用いて測定した。
測定はディスク半径が５８ｍｍの位置で行った。また、
半径５８ｍｍでの測定速度は６ｍ／ｓで行った。
【００１６】熱伝導率の測定は真空理工製の薄膜用光交
流法熱定数測定装置（ＰＩＴ−１）を用いて測定した。
記録感度の測定は株式会社シバソク製光ディスク評価装
置を用いて測定した。記録速度は6m/sを用いて、記録周
波数は５ＭＨｚで記録した。ＣＮ比が４０ｄＢとなる記
録パワーを記録感度と定めた。レーザ波長は６７０ｎｍ
を使用した。
流法熱定数測定装置（ＰＩＴ−１）を用いて測定した。
記録感度の測定は株式会社シバソク製光ディスク評価装
置を用いて測定した。記録速度は6m/sを用いて、記録周
波数は５ＭＨｚで記録した。ＣＮ比が４０ｄＢとなる記
録パワーを記録感度と定めた。レーザ波長は６７０ｎｍ
を使用した。
【００１７】
【実施例１】厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板
（サンプルＡ１）上にＳｉ＋Ｂターゲットを用いて、ア
ルゴンガスに対して８％酸素ガスを導入しながらＤＣス
パッタ法を用いて１５０ｎｍの第一保護下層を成膜し
た。その後、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜をＲＦスパッタ
法により２０ｎｍの第二保護下層を成膜した。続いて３
０ｎｍの光記録層（ＧｅＴｅＳｂ合金）、２０ｎｍのＺ
ｎＳとＳｉＯ2の混合膜、９０ｎｍの反射層（アルミ合
金）を積層した。次に、この上に紫外線（ＵＶ）硬化樹
脂を５μｍ塗布し、ＵＶで硬化させ、サンプルＡ２を作
製した。サンプルＡ１のAaは3.5m/s2であり,Raは0.9m/s
2であった。サンプルＡ２のAaは4.5m/s2であり,Raは1.3
m/s2であった。
（サンプルＡ１）上にＳｉ＋Ｂターゲットを用いて、ア
ルゴンガスに対して８％酸素ガスを導入しながらＤＣス
パッタ法を用いて１５０ｎｍの第一保護下層を成膜し
た。その後、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜をＲＦスパッタ
法により２０ｎｍの第二保護下層を成膜した。続いて３
０ｎｍの光記録層（ＧｅＴｅＳｂ合金）、２０ｎｍのＺ
ｎＳとＳｉＯ2の混合膜、９０ｎｍの反射層（アルミ合
金）を積層した。次に、この上に紫外線（ＵＶ）硬化樹
脂を５μｍ塗布し、ＵＶで硬化させ、サンプルＡ２を作
製した。サンプルＡ１のAaは3.5m/s2であり,Raは0.9m/s
2であった。サンプルＡ２のAaは4.5m/s2であり,Raは1.3
m/s2であった。
【００１８】全く同じ方法で作製した第一保護下層の熱
伝導率は２．９Ｗ／ｍ／Ｋであった。サンプルＡ２の記
録感度は8.2ｍＷであった。マークエッジ記録をするた
めＥＦＭ変調した信号を用いてサンプルＡ２に記録を行
った。その時のジッターは7.5%と良好な値を示した。こ
れによりマークエッジ記録に適していることがわかっ
た。
伝導率は２．９Ｗ／ｍ／Ｋであった。サンプルＡ２の記
録感度は8.2ｍＷであった。マークエッジ記録をするた
めＥＦＭ変調した信号を用いてサンプルＡ２に記録を行
った。その時のジッターは7.5%と良好な値を示した。こ
れによりマークエッジ記録に適していることがわかっ
た。
【００１９】
【比較例１】実施例１と全く同様に厚さ０．６ｍｍのポ
リカーボネート基板（サンプルＡ３）上に成膜を実施
し、サンプルＡ４を作製した。但し、第一保護下層は、
ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜をＲＦスパッタ法により１５
０ｎｍの膜厚で成膜した。従って、第一保護下層と第二
保護下層は実質上一層である。サンプルＡ３のAaは3.6m
/s2であり,Raは0.9m/s2であった。サンプルＡ４のAaは1
3.8m/s2であり,Raは2.7m/s2であった。
リカーボネート基板（サンプルＡ３）上に成膜を実施
し、サンプルＡ４を作製した。但し、第一保護下層は、
ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜をＲＦスパッタ法により１５
０ｎｍの膜厚で成膜した。従って、第一保護下層と第二
保護下層は実質上一層である。サンプルＡ３のAaは3.6m
/s2であり,Raは0.9m/s2であった。サンプルＡ４のAaは1
3.8m/s2であり,Raは2.7m/s2であった。
【００２０】
【比較例２】実施例１と全く同様に厚さ０．６ｍｍのポ
リカーボネート基板（サンプルＡ５）上に各層を成膜
し、サンプルＡ６を作製した。但し、第一保護下層は、
Ａｌターゲットを用いて反応性ＤＣスパッタ法により１
８０ｎｍの膜厚で成膜した。サンプルＡ５のAaは3.4m/s
2であり,Raは1.0m/s2であった。サンプルＡ６のAaは6.8
m/s2であり,Raは1.5m/s2であった。機械特性は良い結果
を得た。記録感度は14mW記録でも40dBのＣＮ比を得るこ
とができなかった。上記第一保護下層と全く同様に作製
した膜の熱伝導率は２３Ｗ／ｍ／Ｋであった。
リカーボネート基板（サンプルＡ５）上に各層を成膜
し、サンプルＡ６を作製した。但し、第一保護下層は、
Ａｌターゲットを用いて反応性ＤＣスパッタ法により１
８０ｎｍの膜厚で成膜した。サンプルＡ５のAaは3.4m/s
2であり,Raは1.0m/s2であった。サンプルＡ６のAaは6.8
m/s2であり,Raは1.5m/s2であった。機械特性は良い結果
を得た。記録感度は14mW記録でも40dBのＣＮ比を得るこ
とができなかった。上記第一保護下層と全く同様に作製
した膜の熱伝導率は２３Ｗ／ｍ／Ｋであった。
【００２１】
【比較例３】実施例１と全く同様に厚さ０．６ｍｍのポ
リカーボネート基板（サンプルＡ７）上に成膜を実施
し、サンプルＡ８を作製した。但し、第一保護下層は、
Ｔｉターゲットを用いて反応性ＤＣスパッタ法により１
３５ｎｍの膜厚で成膜した。サンプルＡ７のAaは3.4m/s
2であり,Raは1.0m/s2であった。サンプルＡ８のAaは6.8
m/s2であり,Raは1.5m/s2であった。機械特性は良い結果
を得た。記録感度は１３．５ｍＷであった。上記第一保
護下層と全く同様に作製した膜の熱伝導率は８Ｗ／ｍ／
Ｋであった。
リカーボネート基板（サンプルＡ７）上に成膜を実施
し、サンプルＡ８を作製した。但し、第一保護下層は、
Ｔｉターゲットを用いて反応性ＤＣスパッタ法により１
３５ｎｍの膜厚で成膜した。サンプルＡ７のAaは3.4m/s
2であり,Raは1.0m/s2であった。サンプルＡ８のAaは6.8
m/s2であり,Raは1.5m/s2であった。機械特性は良い結果
を得た。記録感度は１３．５ｍＷであった。上記第一保
護下層と全く同様に作製した膜の熱伝導率は８Ｗ／ｍ／
Ｋであった。
【００２２】
【実施例２】厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板
（サンプルＢ１）上にボロンターゲットを用いて、アル
ゴンガスに対して６％酸素ガスを導入しながらＤＣスパ
ッタ法を用いて１７０ｎｍの第一保護下層を成膜した。
その後、であるＺｎＳとＳｉＯ 2の混合膜をＲＦスパッ
タ法により２０ｎｍの第二保護下層を成膜した。続いて
３０ｎｍの光記録層（ＧｅＴｅＳｂ合金）、９０ｎｍの
ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜２０ｎｍ、反射層（アルミ合
金）を積層した。次にこの上にＵＶ硬化樹脂を５μｍ塗
布し、ＵＶで硬化させ、サンプルＢ２を作製した。サン
プルＢ１のAaは3.4m/s2であり,Raは0.9m/s2であった。
サンプルＢ２のAaは3.8m/s2であり,Raは1.4m/s2であっ
た。
（サンプルＢ１）上にボロンターゲットを用いて、アル
ゴンガスに対して６％酸素ガスを導入しながらＤＣスパ
ッタ法を用いて１７０ｎｍの第一保護下層を成膜した。
その後、であるＺｎＳとＳｉＯ 2の混合膜をＲＦスパッ
タ法により２０ｎｍの第二保護下層を成膜した。続いて
３０ｎｍの光記録層（ＧｅＴｅＳｂ合金）、９０ｎｍの
ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜２０ｎｍ、反射層（アルミ合
金）を積層した。次にこの上にＵＶ硬化樹脂を５μｍ塗
布し、ＵＶで硬化させ、サンプルＢ２を作製した。サン
プルＢ１のAaは3.4m/s2であり,Raは0.9m/s2であった。
サンプルＢ２のAaは3.8m/s2であり,Raは1.4m/s2であっ
た。
【００２３】全く同じ方法で作製した第一保護下層の熱
伝導率は０．９Ｗ／ｍ／Ｋであった。実施例１と同様に
サンプルＢ２を用いてマークエッジ記録を行った。得ら
れたジッターは7.3%と良好であった。
伝導率は０．９Ｗ／ｍ／Ｋであった。実施例１と同様に
サンプルＢ２を用いてマークエッジ記録を行った。得ら
れたジッターは7.3%と良好であった。
【００２４】
【比較例４】実施例２と全く同様に厚さ０．６ｍｍのポ
リカーボネート基板（サンプルＢ３）上に成膜を実施
し、サンプルＢ４を作製した。但し、第一保護下層は、
ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜をＲＦスパッタ法により１７
０ｎｍの膜厚で成膜した。従って、第一保護下層と第二
保護下層は実質上一層である。サンプルＢ３のAaは3.5m
/s2であり,Raは1.1m/s2であった。サンプルＢ４のAaは1
5.2m/s2であり,Raは3.2m/s2であった。
リカーボネート基板（サンプルＢ３）上に成膜を実施
し、サンプルＢ４を作製した。但し、第一保護下層は、
ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜をＲＦスパッタ法により１７
０ｎｍの膜厚で成膜した。従って、第一保護下層と第二
保護下層は実質上一層である。サンプルＢ３のAaは3.5m
/s2であり,Raは1.1m/s2であった。サンプルＢ４のAaは1
5.2m/s2であり,Raは3.2m/s2であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の光記録媒体、及びその作製法を
用いることにより機械特性に優れた光情報記録媒体を提
供することが可能になり、かつ低コスト化が可能とな
る。また、本発明の光記録媒体は、特にマークエッジ記
録に適している。
用いることにより機械特性に優れた光情報記録媒体を提
供することが可能になり、かつ低コスト化が可能とな
る。また、本発明の光記録媒体は、特にマークエッジ記
録に適している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも第一保護下層、第二
保護下層、光記録層が順次形成された構成の光記録媒体
において、光記録層が少なくともＴｅを含有し、第一保
護下層の熱伝導率は常温で５Ｗ／ｍ／Ｋ未満であり、か
つ、第二保護下層がＺｎＳ混合膜であることを特徴とす
る光記録媒体。 - 【請求項２】 第一保護下層を基板上に真空成膜する
際、希ガス以外に反応性ガスを添加し、反応性ＤＣスパ
ッタ法を用いることを特徴とする請求項１記載の光記録
媒体の作製方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の光記録媒体にマークエッ
ジ方式で記録する情報記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100102A JPH10293944A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 光記録媒体とその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9100102A JPH10293944A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 光記録媒体とその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293944A true JPH10293944A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14265038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9100102A Withdrawn JPH10293944A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 光記録媒体とその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10293944A (ja) |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP9100102A patent/JPH10293944A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |