JPH10294019A - イオン分極型誘電膜及びその製造方法 - Google Patents
イオン分極型誘電膜及びその製造方法Info
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- H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電膜の厚さを減少させ、キャパシタの静電
容量を増加させるときに、誘電膜の厚さの減少に従う有
効誘電率の減少を抑制して有効厚さを線形的に減少し得
るイオン分極型誘電膜を提供する。 【解決手段】 ぺロブスカイト（perovskite）結晶構造
を有する誘電膜の酸素未結合数を、酸素と原子価の異な
る元素にて置換する。
容量を増加させるときに、誘電膜の厚さの減少に従う有
効誘電率の減少を抑制して有効厚さを線形的に減少し得
るイオン分極型誘電膜を提供する。 【解決手段】 ぺロブスカイト（perovskite）結晶構造
を有する誘電膜の酸素未結合数を、酸素と原子価の異な
る元素にて置換する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体メモリのキ
ャパシタの誘電膜に係るもので、詳しくは、半導体メモ
リのキャパシタのイオン分極型誘電膜及びその製造方法
に関するものである。
ャパシタの誘電膜に係るもので、詳しくは、半導体メモ
リのキャパシタのイオン分極型誘電膜及びその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来、半導体メモリ素子の高集積化に従
い、素子内のキャパシタ面積が減少され、狭い面積で素
子動作用のキャパシタ静電容量を確保する方法として、
高誘電物質の（Ｂａ1-X ＳｒX ）ＴｉＯ3 （barium str
ontium titanium oxide ：以下、ＢＳＴと称する）をキ
ャパシタの誘電膜に用いる研究が盛んに行われている。
い、素子内のキャパシタ面積が減少され、狭い面積で素
子動作用のキャパシタ静電容量を確保する方法として、
高誘電物質の（Ｂａ1-X ＳｒX ）ＴｉＯ3 （barium str
ontium titanium oxide ：以下、ＢＳＴと称する）をキ
ャパシタの誘電膜に用いる研究が盛んに行われている。
【０００３】一般に、誘電膜には、電子分極型（electr
onic polarization ）誘電膜とイオン分極型（ion pola
rization）誘電膜とがある。そして、電子分極型誘電膜
においては、図２に示したように、誘電膜の厚さ（ｄ）
と誘電率（εr ）との関係が、誘電膜の厚さ（ｄ）にか
かわらず誘電率（εr ）が一定になり（実線参照）、有
効厚さ（Teff）は、誘電膜の厚さ（ｄ）の減少に従って
線形的に減少する（点線参照）。又、図３に示したよう
に、電子分極型誘電膜は、印加する電圧（Ｖ）にかかわ
らず恒常一定の誘電率（εr ）を示す。
onic polarization ）誘電膜とイオン分極型（ion pola
rization）誘電膜とがある。そして、電子分極型誘電膜
においては、図２に示したように、誘電膜の厚さ（ｄ）
と誘電率（εr ）との関係が、誘電膜の厚さ（ｄ）にか
かわらず誘電率（εr ）が一定になり（実線参照）、有
効厚さ（Teff）は、誘電膜の厚さ（ｄ）の減少に従って
線形的に減少する（点線参照）。又、図３に示したよう
に、電子分極型誘電膜は、印加する電圧（Ｖ）にかかわ
らず恒常一定の誘電率（εr ）を示す。
【０００４】且つ、図４（Ａ）に示したように、変位
（displacement）距離（χ）と電位障壁（potential ba
rrier ）との関係は、原点（０，０）を基準にして幅の
狭い放物線状を呈し、図４（Ｂ）に示したように、エネ
ルギー帯の電極と誘電膜の境界面とに所定高さの障壁
（barrier ）が形成される。又、従来キャパシタの誘電
膜として適用する電子分極型物質は、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 、及びＴａ2 Ｏ5 であり、図２に示した有効厚さ
（Teff）は、一般の誘電膜としてＳｉＯ2 の厚さを基準
に換算したものである。
（displacement）距離（χ）と電位障壁（potential ba
rrier ）との関係は、原点（０，０）を基準にして幅の
狭い放物線状を呈し、図４（Ｂ）に示したように、エネ
ルギー帯の電極と誘電膜の境界面とに所定高さの障壁
（barrier ）が形成される。又、従来キャパシタの誘電
膜として適用する電子分極型物質は、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3
Ｎ4 、及びＴａ2 Ｏ5 であり、図２に示した有効厚さ
（Teff）は、一般の誘電膜としてＳｉＯ2 の厚さを基準
に換算したものである。
【０００５】更に、半導体の製造工程で適用するイオン
分極型誘電膜としては、ＢＳＴ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
3 （lead zirconium titanium oxide ：以下、ＰＺＴと
称する）及びＳｒＴｉＯ3 （strontium titanium oxid
e：以下、ＳＴＯと称する）が適用されている。以下、
それらイオン分極型誘電膜材中、ＢＳＴについて説明す
る。
分極型誘電膜としては、ＢＳＴ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
3 （lead zirconium titanium oxide ：以下、ＰＺＴと
称する）及びＳｒＴｉＯ3 （strontium titanium oxid
e：以下、ＳＴＯと称する）が適用されている。以下、
それらイオン分極型誘電膜材中、ＢＳＴについて説明す
る。
【０００６】図５に示したように、誘電膜の厚さ（ｄ）
が500 Åであると、誘電率（εr ）は200 である（点線
参照）。即ち、ＢＳＴを用いると、誘電膜の有効厚さ
（Teff）を減少することができる（実線参照）。且つ、
図６に示したように、ＢＳＴのイオン分極型誘電膜は、
電圧（Ｖ）の印加が増加すると、増加に従い誘電率（ε
r ）が徐々に減少され、図７に示したように、強誘電性
誘電膜の場合は、自発分極現象が行われる。即ち、イオ
ン分極型は、電子分極型よりも原点を基準にして放物線
の傾斜が緩やかである。
が500 Åであると、誘電率（εr ）は200 である（点線
参照）。即ち、ＢＳＴを用いると、誘電膜の有効厚さ
（Teff）を減少することができる（実線参照）。且つ、
図６に示したように、ＢＳＴのイオン分極型誘電膜は、
電圧（Ｖ）の印加が増加すると、増加に従い誘電率（ε
r ）が徐々に減少され、図７に示したように、強誘電性
誘電膜の場合は、自発分極現象が行われる。即ち、イオ
ン分極型は、電子分極型よりも原点を基準にして放物線
の傾斜が緩やかである。
【０００７】又、図８に示したように、イオン分極型誘
電膜のＢＳＴは、Ｔｉイオンを中心に酸素イオンが囲ま
れて結合されたぺロブスカイト（perovskite）型結晶構
造を有する。更に、図９に示したように、電極と誘電膜
間電気的コンタクトが形成され仕事関数（Work functio
n ）の差により分極が容易に行われ、相互電子フェルミ
準位（Electron Fermi Level）を合わせるが、誘電膜部
位中、傾斜された部位は、イオン分極による空間分極層
（space polarization layer）であって、低い誘電率を
示し、誘電膜の平坦な部分は、イオン分極が行われない
層で、固有誘電率を維持している。
電膜のＢＳＴは、Ｔｉイオンを中心に酸素イオンが囲ま
れて結合されたぺロブスカイト（perovskite）型結晶構
造を有する。更に、図９に示したように、電極と誘電膜
間電気的コンタクトが形成され仕事関数（Work functio
n ）の差により分極が容易に行われ、相互電子フェルミ
準位（Electron Fermi Level）を合わせるが、誘電膜部
位中、傾斜された部位は、イオン分極による空間分極層
（space polarization layer）であって、低い誘電率を
示し、誘電膜の平坦な部分は、イオン分極が行われない
層で、固有誘電率を維持している。
【０００８】通常、キャパシタは、両方側の電極とそれ
ら該両方側電極間に印加された電圧による電気場に従い
分極が行われる誘電膜物質にて形成され、それら誘電膜
間に仕事関数の差がある場合には、電極と誘電膜とのコ
ンタクト時に、その差を減らし、二層の電子フェルミ準
位（electron fermi level）を合わせるため、電荷が移
動してエネルギー障壁を形成する。
ら該両方側電極間に印加された電圧による電気場に従い
分極が行われる誘電膜物質にて形成され、それら誘電膜
間に仕事関数の差がある場合には、電極と誘電膜とのコ
ンタクト時に、その差を減らし、二層の電子フェルミ準
位（electron fermi level）を合わせるため、電荷が移
動してエネルギー障壁を形成する。
【０００９】即ち、仕事関数の差を減少させ、フェルミ
準位を合わせる方法は、誘電膜の性質（例えば、電子分
極型誘電膜、イオン分極型誘電膜、移動電荷（mobilcha
rge）を有する半導体）により大いに異なる。ところ
が、電子分極型誘電膜は、電子分極が激しい（stiff ）
ため、一切のバンドバンディング（Band bending）無し
にコンタクトが形成される。
準位を合わせる方法は、誘電膜の性質（例えば、電子分
極型誘電膜、イオン分極型誘電膜、移動電荷（mobilcha
rge）を有する半導体）により大いに異なる。ところ
が、電子分極型誘電膜は、電子分極が激しい（stiff ）
ため、一切のバンドバンディング（Band bending）無し
にコンタクトが形成される。
【００１０】しかし、半導体においては、移動電荷が発
生し、該移動電荷の動きにより蓄積（accumulation）又
は空乏層（Depletion layer ）を形成し、バンドバンデ
ィング現象を発生するが、このような現象は、ドーピン
グ形態及びドーピング濃度により異なる。且つ、イオン
分極型誘電膜においては、半導体のような、電荷の移動
は無いが、イオン分極が容易に行われて空間分極層が生
成され、バンドバンディングが行われる。このように、
イオン分極が容易に行われるだけ電気場の増加が鈍くな
り、弱い電気場では、電気場の強さに線形的に誘導率が
増加するが、強い電気場では誘導率の増加が急速に減少
される。即ち、電気場の強さの増加に従い、誘電率が減
少されるため、電極と仕事関数との差により電極及び境
界面の誘電膜にイオン分極層が生成されると、該イオン
分極層の誘電率は、分極の行われない誘電膜固有の誘電
率よりも小さくなる。又、イオン分極型誘電膜を用いた
キャパシタにおいては、誘電膜の厚さの減少に従い分極
が行われない層よりも、イオン分極の行われた（誘電率
が小さい場合）分極層の厚さの比率が増加され、誘電膜
の実際の誘電率が減少される。
生し、該移動電荷の動きにより蓄積（accumulation）又
は空乏層（Depletion layer ）を形成し、バンドバンデ
ィング現象を発生するが、このような現象は、ドーピン
グ形態及びドーピング濃度により異なる。且つ、イオン
分極型誘電膜においては、半導体のような、電荷の移動
は無いが、イオン分極が容易に行われて空間分極層が生
成され、バンドバンディングが行われる。このように、
イオン分極が容易に行われるだけ電気場の増加が鈍くな
り、弱い電気場では、電気場の強さに線形的に誘導率が
増加するが、強い電気場では誘導率の増加が急速に減少
される。即ち、電気場の強さの増加に従い、誘電率が減
少されるため、電極と仕事関数との差により電極及び境
界面の誘電膜にイオン分極層が生成されると、該イオン
分極層の誘電率は、分極の行われない誘電膜固有の誘電
率よりも小さくなる。又、イオン分極型誘電膜を用いた
キャパシタにおいては、誘電膜の厚さの減少に従い分極
が行われない層よりも、イオン分極の行われた（誘電率
が小さい場合）分極層の厚さの比率が増加され、誘電膜
の実際の誘電率が減少される。
【００１１】このような誘電膜厚さの減少に従う誘電率
の減少は、ＢＳＴ、ＰＺＴ及びＳＴＯ等のイオン分極型
高誘電物質を半導体メモリ素子に適用するときに、最も
問題化されている。それで、このような問題を改善する
ために、ＢＳＴ膜を高温下でＮ2 の熱処理を施して、大
きい成果を得ていた（日本応用物理学会誌、1995年第34
巻5178〜5183頁参照）。
の減少は、ＢＳＴ、ＰＺＴ及びＳＴＯ等のイオン分極型
高誘電物質を半導体メモリ素子に適用するときに、最も
問題化されている。それで、このような問題を改善する
ために、ＢＳＴ膜を高温下でＮ2 の熱処理を施して、大
きい成果を得ていた（日本応用物理学会誌、1995年第34
巻5178〜5183頁参照）。
【００１２】この場合、ＢＳＴ膜を高温下で、Ｎ2 の熱
処理するときに、酸素未結合数（vacancy ）が発生さ
れ、このとき、生成された電子が移動して、境界面との
仕事関数を減少させる役割を行うため、イオンの分極量
が減少され（分極層の厚さが薄くなる）、イオン分極層
による誘電膜の誘電率の減少を抑止していた。且つ、誘
導膜の有効厚さ2.4 Åで、漏洩電流が２Ｖまで、10-8A/
cm-2であった。
処理するときに、酸素未結合数（vacancy ）が発生さ
れ、このとき、生成された電子が移動して、境界面との
仕事関数を減少させる役割を行うため、イオンの分極量
が減少され（分極層の厚さが薄くなる）、イオン分極層
による誘電膜の誘電率の減少を抑止していた。且つ、誘
導膜の有効厚さ2.4 Åで、漏洩電流が２Ｖまで、10-8A/
cm-2であった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来イオン分極型誘電膜及びその製造方法においては、具
現性に乏しく、酸素未結合数が、誘電膜の信頼性を低下
するという不都合な点があった。且つ、酸素未結合数に
よる誘電率の減少は抑止し得るが、障壁減少（barrierl
owering）により漏洩電流現象が発生するという不都合
な点があった。
来イオン分極型誘電膜及びその製造方法においては、具
現性に乏しく、酸素未結合数が、誘電膜の信頼性を低下
するという不都合な点があった。且つ、酸素未結合数に
よる誘電率の減少は抑止し得るが、障壁減少（barrierl
owering）により漏洩電流現象が発生するという不都合
な点があった。
【００１４】そこで、本発明の目的は、誘電膜の厚さを
減少させてキャパシタの静電容量を増加させる場合に、
該誘電膜の厚さの減少により有効誘電率が減少すること
を抑止し、有効厚さを線形的に減少し得るイオン分極型
誘電膜及びその製造方法を提供しようとするものであ
る。
減少させてキャパシタの静電容量を増加させる場合に、
該誘電膜の厚さの減少により有効誘電率が減少すること
を抑止し、有効厚さを線形的に減少し得るイオン分極型
誘電膜及びその製造方法を提供しようとするものであ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るイオン分極型誘電膜においては、
ぺロブスカイト（perovskite）結晶構造を有する誘電膜
の酸素未結合数を、該酸素と原子価の異なる元素にて置
換した構成とする。ここで、望ましくは、以下のように
構成する。
るため、本発明に係るイオン分極型誘電膜においては、
ぺロブスカイト（perovskite）結晶構造を有する誘電膜
の酸素未結合数を、該酸素と原子価の異なる元素にて置
換した構成とする。ここで、望ましくは、以下のように
構成する。
【００１６】前記誘電膜は、ＢＳＴ、ＰＺＴ、及びＳＴ
Ｏ中、いずれか１つでなる。また、前記元素は、フッ素
（Ｆ）及び窒素（Ｎ）中、いずれか１つである。そし
て、本発明に係るイオン分極型誘電膜の製造方法におい
ては、半導体基板上に形成されたぺロブスカイト結晶構
造を有する誘電膜に真空熱処理を施す段階と、該熱処理
された誘電膜に酸素と原子価の異なる元素を注入する段
階と、を順次行うようになっている。
Ｏ中、いずれか１つでなる。また、前記元素は、フッ素
（Ｆ）及び窒素（Ｎ）中、いずれか１つである。そし
て、本発明に係るイオン分極型誘電膜の製造方法におい
ては、半導体基板上に形成されたぺロブスカイト結晶構
造を有する誘電膜に真空熱処理を施す段階と、該熱処理
された誘電膜に酸素と原子価の異なる元素を注入する段
階と、を順次行うようになっている。
【００１７】ここで、望ましくは、以下のように製造す
る。前記誘電膜は、ＢＳＴ、ＰＺＴ、及びＳＴＯ中、い
ずれか１つでなる。前記真空熱処理は、500 〜600 ℃下
で施す。前記元素を注入する段階は、前記誘電膜に生成
された酸素未結合数を前記元素に置換するために施す。
前記元素の注入は、フッ素（Ｆ）及び窒素（Ｎ）中、い
ずれか１つを注入する。
る。前記誘電膜は、ＢＳＴ、ＰＺＴ、及びＳＴＯ中、い
ずれか１つでなる。前記真空熱処理は、500 〜600 ℃下
で施す。前記元素を注入する段階は、前記誘電膜に生成
された酸素未結合数を前記元素に置換するために施す。
前記元素の注入は、フッ素（Ｆ）及び窒素（Ｎ）中、い
ずれか１つを注入する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。本発明に係るイオン分極型誘
電膜においては、ぺロブスカイト結晶構造を有する複数
の膜中、酸素未結合数を酸素と原子価の異なる元素にて
置換するようになっている。
て図面を用いて説明する。本発明に係るイオン分極型誘
電膜においては、ぺロブスカイト結晶構造を有する複数
の膜中、酸素未結合数を酸素と原子価の異なる元素にて
置換するようになっている。
【００１９】そして、本発明に係るイオン分極型誘電膜
の製造方法の第１実施形態においては、基板上に形成さ
れたぺロブスカイト結晶構造を有する誘電膜に真空熱処
理を施す段階と、該熱処理された誘電膜に酸素と原子価
の異なる元素を注入する段階と、を順次行うようになっ
ている。且つ、本発明に係るイオン分極型誘電膜の製造
方法の第２実施形態においては、半導体基板上に形成さ
れたＢＳＴ膜を真空熱処理する段階と、該ＢＳＴ膜内の
酸素未結合数を置換するために、フッ素Ｆ又は窒素Ｎを
注入して拡散する段階と、を順次行うようになってい
る。
の製造方法の第１実施形態においては、基板上に形成さ
れたぺロブスカイト結晶構造を有する誘電膜に真空熱処
理を施す段階と、該熱処理された誘電膜に酸素と原子価
の異なる元素を注入する段階と、を順次行うようになっ
ている。且つ、本発明に係るイオン分極型誘電膜の製造
方法の第２実施形態においては、半導体基板上に形成さ
れたＢＳＴ膜を真空熱処理する段階と、該ＢＳＴ膜内の
酸素未結合数を置換するために、フッ素Ｆ又は窒素Ｎを
注入して拡散する段階と、を順次行うようになってい
る。
【００２０】以下、このような本発明に係るイオン分極
型誘電膜について詳しく説明する。本発明に係るイオン
分極型誘電膜においては、ＢＳＴ膜内部の酸素未結合数
を除去しながら、電極との仕事関数を減少させる移動電
荷を生成する。このとき、酸素未結合数は、ぺロブスカ
イト結晶構造の各酸素原子の位置から酸素が離脱して結
晶が不安定になり、該未結合数が移動した場合には、素
子の安定性に問題が発生するため、該酸素未結合数を、
酸素と原子価の異なる７族元素のフッ素Ｆ、又は５族元
素の窒素Ｎにて置換させ、移動を抑制するようになって
いる。
型誘電膜について詳しく説明する。本発明に係るイオン
分極型誘電膜においては、ＢＳＴ膜内部の酸素未結合数
を除去しながら、電極との仕事関数を減少させる移動電
荷を生成する。このとき、酸素未結合数は、ぺロブスカ
イト結晶構造の各酸素原子の位置から酸素が離脱して結
晶が不安定になり、該未結合数が移動した場合には、素
子の安定性に問題が発生するため、該酸素未結合数を、
酸素と原子価の異なる７族元素のフッ素Ｆ、又は５族元
素の窒素Ｎにて置換させ、移動を抑制するようになって
いる。
【００２１】且つ、フッ素Ｆ又は窒素Ｎを結合するため
には、先ず、ＢＳＴを高温（500 〜600 ℃）下で、真空
熱処理をし、その後、Ｆ又はＮ2 Ｏの雰囲気下で熱処理
（annealing ）をし、Ｆ又はＮＯをＢＳＴ膜に拡散させ
て酸素未結合数を補う。又、このとき、Ｆの結合方法と
して、ＷＦ6 ガスを利用する化学気相蒸着法ＣＶＤを施
して、ＷをＢＳＴの上部電極にて蒸着することもでき
る。
には、先ず、ＢＳＴを高温（500 〜600 ℃）下で、真空
熱処理をし、その後、Ｆ又はＮ2 Ｏの雰囲気下で熱処理
（annealing ）をし、Ｆ又はＮＯをＢＳＴ膜に拡散させ
て酸素未結合数を補う。又、このとき、Ｆの結合方法と
して、ＷＦ6 ガスを利用する化学気相蒸着法ＣＶＤを施
して、ＷをＢＳＴの上部電極にて蒸着することもでき
る。
【００２２】このようにして製造された本発明に係るイ
オン分極型誘電膜のエネルギー帯を、従来イオン分極型
誘電膜のエネルギー帯の分布と比較すると、図１に示し
たように、図９の従来イオン分極誘電膜に比べ、誘電膜
内の移動電荷により空間電荷層が形成され、イオン分極
量（図中の点線）が減少して誘電膜の誘電率の減少が抑
制される。
オン分極型誘電膜のエネルギー帯を、従来イオン分極型
誘電膜のエネルギー帯の分布と比較すると、図１に示し
たように、図９の従来イオン分極誘電膜に比べ、誘電膜
内の移動電荷により空間電荷層が形成され、イオン分極
量（図中の点線）が減少して誘電膜の誘電率の減少が抑
制される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るイオン
分極型誘電膜においては、キャパシタの静電容量Ｃを増
加させ、誘電膜厚さｄは減少させる場合に、この誘電膜
厚さの減少に従う有効誘電率の減少を従来よりも抑制
し、有効厚さを、線形的に減少し得るという効果があ
る。
分極型誘電膜においては、キャパシタの静電容量Ｃを増
加させ、誘電膜厚さｄは減少させる場合に、この誘電膜
厚さの減少に従う有効誘電率の減少を従来よりも抑制
し、有効厚さを、線形的に減少し得るという効果があ
る。
【図１】 本発明に係るイオン分極型誘電膜のエネルギ
ー帯を示したグラフ
ー帯を示したグラフ
【図２】 従来電子分極型誘電膜の厚さ（ｄ）に対する
誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
【図３】 従来電子分極型誘電膜の電圧（Ｖ）に対する
誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
【図４】 従来電子分極型誘電膜の変位距離（χ）に対
す電位障壁の関係を示したグラフ
す電位障壁の関係を示したグラフ
【図５】 従来イオン分極型誘電膜の厚さ（ｄ）に対す
る誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
る誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
【図６】 従来イオン分極型誘電膜の電圧（Ｖ）に対す
る誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
る誘電率（εr ）の関係を示したグラフ
【図７】 従来イオン分極型誘電膜の変位距離（χ）に
対する電位障壁の関係を示したグラフ
対する電位障壁の関係を示したグラフ
【図８】 従来イオン分極型誘電膜の結晶構造を示した
斜視図
斜視図
【図９】 従来イオン分極型誘電膜のエネルギー帯を示
したグラフ
したグラフ
Claims (8)
- 【請求項１】ぺロブスカイト結晶構造を有する誘電膜の
酸素未結合数を、該酸素と原子価の異なる元素にて置換
したイオン分極型誘電膜。 - 【請求項２】前記誘電膜は、ＢＳＴ、ＰＺＴ、及びＳＴ
Ｏ中、いずれか１つでなることを特徴とする請求項１記
載のイオン分極型誘電膜。 - 【請求項３】前記元素は、フッ素（Ｆ）及び窒素（Ｎ）
中、いずれか１つであることを特徴とする請求項１記載
のイオン分極型誘電膜。 - 【請求項４】半導体基板上に形成されたぺロブスカイト
結晶構造を有する誘電膜に真空熱処理を施す段階と、該
熱処理された誘電膜に酸素と原子価の異なる元素を注入
する段階と、を順次行うことを特徴とするイオン分極型
誘電膜の製造方法。 - 【請求項５】前記誘電膜は、ＢＳＴ、ＰＺＴ、及びＳＴ
Ｏ中、いずれか１つでなることを特徴とする請求項４記
載のイオン分極型誘電膜の製造方法。 - 【請求項６】前記真空熱処理は、500 〜600 ℃下で施す
ことを特徴とする請求項４記載のイオン分極型誘電膜の
製造方法。 - 【請求項７】前記元素を注入する段階は、前記誘電膜に
生成された酸素未結合数を前記元素に置換するために施
すことを特徴とする請求項４記載のイオン分極型誘電膜
の製造方法。 - 【請求項８】前記元素の注入は、フッ素（Ｆ）及び窒素
（Ｎ）中、いずれか１つを注入することを特徴とする請
求項４記載のイオン分極型誘電膜の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970008916A KR19980073562A (ko) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 이온분극형 유전막 및 그 제조방법 |
| KR8916/1997 | 1997-03-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294019A true JPH10294019A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3013168B2 JP3013168B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=19499890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10055115A Expired - Fee Related JP3013168B2 (ja) | 1997-03-17 | 1998-03-06 | イオン分極型誘電膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013168B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980073562A (ja) |
-
1997
- 1997-03-17 KR KR1019970008916A patent/KR19980073562A/ko not_active Ceased
-
1998
- 1998-03-06 JP JP10055115A patent/JP3013168B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3013168B2 (ja) | 2000-02-28 |
| KR19980073562A (ko) | 1998-11-05 |
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