JPH10294217A - スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッド - Google Patents
スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH10294217A JPH10294217A JP9117554A JP11755497A JPH10294217A JP H10294217 A JPH10294217 A JP H10294217A JP 9117554 A JP9117554 A JP 9117554A JP 11755497 A JP11755497 A JP 11755497A JP H10294217 A JPH10294217 A JP H10294217A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cofe
- nife
- layers
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 92
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 4
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スピンバルブ膜の自由層にＣｏ若しくはＣｏ
Ｆｅを使用すると軟磁気特性が十分ではなく、ＮｉＦｅ
を使用すると満足すべき抵抗変化率が得られない。ま
た、ＣｏとＮｉＦｅとの積層体の場合は、選択すべき膜
厚範囲が非常に狭く、製造が困難である。 【解決手段】 スピンバルブ膜の自由層をＣｏＦｅ層と
ＮｉＦｅ層との積層体とし、かつ、各層の厚さを各々３
ｎｍ以下とする。このスピンバルブ膜のを基板上に形成
して磁気ヘッドを得ることができる。
Ｆｅを使用すると軟磁気特性が十分ではなく、ＮｉＦｅ
を使用すると満足すべき抵抗変化率が得られない。ま
た、ＣｏとＮｉＦｅとの積層体の場合は、選択すべき膜
厚範囲が非常に狭く、製造が困難である。 【解決手段】 スピンバルブ膜の自由層をＣｏＦｅ層と
ＮｉＦｅ層との積層体とし、かつ、各層の厚さを各々３
ｎｍ以下とする。このスピンバルブ膜のを基板上に形成
して磁気ヘッドを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスピンバルブ型磁気
抵抗効果膜及びそれを利用した磁気ヘッドに関し、特
に、ＨＤＤなどの磁気ディスク装置、あるいは、ＤＣＣ
などの磁気テープ装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッ
ドとして優れた特性を有するスピンバルブ型磁気抵抗効
果膜及び磁気ヘッドに関する。
抵抗効果膜及びそれを利用した磁気ヘッドに関し、特
に、ＨＤＤなどの磁気ディスク装置、あるいは、ＤＣＣ
などの磁気テープ装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッ
ドとして優れた特性を有するスピンバルブ型磁気抵抗効
果膜及び磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＨＤＤなどの磁気記録装置におい
て、再生用に磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド
という）が用いられている。このＭＲヘッドは、従来の
コイル式のインダクティブヘッドよりも高感度、高出力
であるという利点があり、装置の小型化、高密度化に有
用である。また、最近、より高いＭＲ効果を得られるＭ
Ｒヘッドに関する技術が発表されている。これは、スピ
ンバルブ型ＭＲヘッドと称され、その素子の中心部は、
非磁性金属の薄膜によって隔てられた２つの磁性薄膜で
構成されている。そして、２つの磁性膜の磁化方向は、
外部磁界に対して各々異なった変化をするように設定さ
れている。すなわち、第１の磁性膜（以下、自由層とい
う）は、媒体からの信号磁界により磁化方向が回転する
ように設定され、一方、第２の磁性膜（以下、固定層と
いう）は、同じく媒体からの信号磁界に対し、磁化方向
が保持されるように設定されている。
て、再生用に磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッド
という）が用いられている。このＭＲヘッドは、従来の
コイル式のインダクティブヘッドよりも高感度、高出力
であるという利点があり、装置の小型化、高密度化に有
用である。また、最近、より高いＭＲ効果を得られるＭ
Ｒヘッドに関する技術が発表されている。これは、スピ
ンバルブ型ＭＲヘッドと称され、その素子の中心部は、
非磁性金属の薄膜によって隔てられた２つの磁性薄膜で
構成されている。そして、２つの磁性膜の磁化方向は、
外部磁界に対して各々異なった変化をするように設定さ
れている。すなわち、第１の磁性膜（以下、自由層とい
う）は、媒体からの信号磁界により磁化方向が回転する
ように設定され、一方、第２の磁性膜（以下、固定層と
いう）は、同じく媒体からの信号磁界に対し、磁化方向
が保持されるように設定されている。
【０００３】したがって、自由層には保磁力の小さい磁
性膜、すなわち、軟磁気特性に優れた磁性膜を用い、固
定層には反強磁性膜を積層して交換結合を利用し固着す
る方法、あるいは、保磁力の大きな磁性膜を用いて固着
する方法などを利用することが一般的である。このとき
の電気抵抗は、２層の磁化方向のなす角度の余弦として
変化するので、２層の磁化が同一方向を向いたときに電
気抵抗は最小となり、逆に磁化が反対を向いたときに最
大となる。記録媒体からの信号磁界により、このような
変化が起き、再生信号が得られる。
性膜、すなわち、軟磁気特性に優れた磁性膜を用い、固
定層には反強磁性膜を積層して交換結合を利用し固着す
る方法、あるいは、保磁力の大きな磁性膜を用いて固着
する方法などを利用することが一般的である。このとき
の電気抵抗は、２層の磁化方向のなす角度の余弦として
変化するので、２層の磁化が同一方向を向いたときに電
気抵抗は最小となり、逆に磁化が反対を向いたときに最
大となる。記録媒体からの信号磁界により、このような
変化が起き、再生信号が得られる。
【０００４】上記のようなスピンバルブ膜を用いた磁気
ヘッドの特性を向上させるためには、次の２点が重要で
ある。すなわち、 １）抵抗変化率を大きくする。 ２）自由層の軟磁気特性を向上させる（低保磁力化）。 この２点を満足するスピンバルブ膜を得るために、自由
層及び固定層を構成する磁性材料について種々検討が重
ねられている。例えば、抵抗変化率を向上させるために
は、自由層、固定層に用いる磁性材料としてＣｏやＣｏ
Ｆｅを使用することが有効である。しかし、これらの材
料は軟磁気特性が十分ではないという問題がある。一
方、軟磁気特性が良好なＮｉＦｅなどの磁性材料を使用
すると、Ｃｏ系材料の半分程度の抵抗変化率しか得るこ
とができない。そこで、最近、自由層をＣｏ層とＮｉＦ
ｅ層とからなる多層膜とし、高磁気抵抗変化率と低保磁
力とを同時に達成しようとするものが提案されている
（特開平８−２７３１２４号公報参照）。
ヘッドの特性を向上させるためには、次の２点が重要で
ある。すなわち、 １）抵抗変化率を大きくする。 ２）自由層の軟磁気特性を向上させる（低保磁力化）。 この２点を満足するスピンバルブ膜を得るために、自由
層及び固定層を構成する磁性材料について種々検討が重
ねられている。例えば、抵抗変化率を向上させるために
は、自由層、固定層に用いる磁性材料としてＣｏやＣｏ
Ｆｅを使用することが有効である。しかし、これらの材
料は軟磁気特性が十分ではないという問題がある。一
方、軟磁気特性が良好なＮｉＦｅなどの磁性材料を使用
すると、Ｃｏ系材料の半分程度の抵抗変化率しか得るこ
とができない。そこで、最近、自由層をＣｏ層とＮｉＦ
ｅ層とからなる多層膜とし、高磁気抵抗変化率と低保磁
力とを同時に達成しようとするものが提案されている
（特開平８−２７３１２４号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｏ層
とＮｉＦｅ層の多層膜においては、Ｃｏ膜の膜厚が非常
に薄く、しかも、選択しうる膜厚範囲が非常に狭い範囲
に限定されてしまうので、製造時にこの膜厚を再現性良
く実現することが極めて困難であるという問題がある。
とＮｉＦｅ層の多層膜においては、Ｃｏ膜の膜厚が非常
に薄く、しかも、選択しうる膜厚範囲が非常に狭い範囲
に限定されてしまうので、製造時にこの膜厚を再現性良
く実現することが極めて困難であるという問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、自由層を構
成する磁性材料として、高い抵抗変化率を有するＣｏＦ
ｅを選択し、さらに、このＣｏＦｅの結晶構造が面心立
方であり、その（１１１）面に配向した膜が良好な軟磁
気特性を示すという事実から、ＣｏＦｅの（１１１）面
配向を促進し、軟磁気特性を向上させるため、このＣｏ
Ｆｅと同じく面心立方の結晶構造を有し、しかも、格子
定数が近いＮｉＦｅを選択して、ＣｏＦｅと積層させる
ことにより上記課題を解決し得ることを確認した。
成する磁性材料として、高い抵抗変化率を有するＣｏＦ
ｅを選択し、さらに、このＣｏＦｅの結晶構造が面心立
方であり、その（１１１）面に配向した膜が良好な軟磁
気特性を示すという事実から、ＣｏＦｅの（１１１）面
配向を促進し、軟磁気特性を向上させるため、このＣｏ
Ｆｅと同じく面心立方の結晶構造を有し、しかも、格子
定数が近いＮｉＦｅを選択して、ＣｏＦｅと積層させる
ことにより上記課題を解決し得ることを確認した。
【０００７】すなわち、本発明によれば、強磁性自由層
上に、非磁性中間層を介して強磁性固定層が形成された
スピンバルブ膜を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果膜
において、強磁性自由層が、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層と
の積層体よりなり、かつ、このＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層
の厚さが、各々３ｎｍ以下であるものが提供される。
上に、非磁性中間層を介して強磁性固定層が形成された
スピンバルブ膜を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果膜
において、強磁性自由層が、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層と
の積層体よりなり、かつ、このＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層
の厚さが、各々３ｎｍ以下であるものが提供される。
【０００８】さらに本発明によれば基板上に、強磁性自
由層、非磁性中間層及び強磁性固定層よりなるスピンバ
ルブ型磁気抵抗効果膜が形成された磁気ヘッドの強磁性
自由層が、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層との積層体よりな
り、かつ、このＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層の厚さが、各々
３ｎｍ以下であるものが提供される。
由層、非磁性中間層及び強磁性固定層よりなるスピンバ
ルブ型磁気抵抗効果膜が形成された磁気ヘッドの強磁性
自由層が、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層との積層体よりな
り、かつ、このＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層の厚さが、各々
３ｎｍ以下であるものが提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のスピンバルブ型磁気抵抗
効果膜は、図１に示すように、例えば、ガラス基板１上
に、ＣｏＦｅ層２１、２２、…とＮｉＦｅ層２１’、２
２’、…とが交互に積層された自由層２、例えばＣｕよ
りなる非磁性中間層３、及び、例えばＣｏＦｅ層４１と
ＦｅＭｎ層４１’の２層膜よりなる固定層４が順次積層
されたものである。そして、基板１と自由層２との間に
は、例えばＴａよりなる下地層５、さらに、固定層４の
上には、例えばＴａよりなる保護層６が形成されていて
もよい。
効果膜は、図１に示すように、例えば、ガラス基板１上
に、ＣｏＦｅ層２１、２２、…とＮｉＦｅ層２１’、２
２’、…とが交互に積層された自由層２、例えばＣｕよ
りなる非磁性中間層３、及び、例えばＣｏＦｅ層４１と
ＦｅＭｎ層４１’の２層膜よりなる固定層４が順次積層
されたものである。そして、基板１と自由層２との間に
は、例えばＴａよりなる下地層５、さらに、固定層４の
上には、例えばＴａよりなる保護層６が形成されていて
もよい。
【００１０】自由層２は、上述したように、ＣｏＦｅ層
２１、２２、…とＮｉＦｅ層２１’、２２’、…の積層
膜であるが、このとき、各々の層の厚さを３ｎｍ以下と
する必要がある。このＣｏＦｅ層の厚さが３ｎｍを超え
ると、保磁力が増加し、また、ＮｉＦｅ層の厚さが３ｎ
ｍを超えると、抵抗変化率が低下してしまう。ＣｏＦｅ
層の好ましい厚さは、１．０〜３．０ｎｍであり、さら
に好ましくは、１．５〜２．５ｎｍである。そして、Ｎ
ｉＦｅ層の好ましい厚さは、０．５〜３．０ｎｍであ
り、さらに好ましくは、１．０〜２．０ｎｍである。な
お、この自由層２において、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層の
積層数は、特に限定されるものではなく、各層の膜厚な
どに応じて適宜決定すればよい。
２１、２２、…とＮｉＦｅ層２１’、２２’、…の積層
膜であるが、このとき、各々の層の厚さを３ｎｍ以下と
する必要がある。このＣｏＦｅ層の厚さが３ｎｍを超え
ると、保磁力が増加し、また、ＮｉＦｅ層の厚さが３ｎ
ｍを超えると、抵抗変化率が低下してしまう。ＣｏＦｅ
層の好ましい厚さは、１．０〜３．０ｎｍであり、さら
に好ましくは、１．５〜２．５ｎｍである。そして、Ｎ
ｉＦｅ層の好ましい厚さは、０．５〜３．０ｎｍであ
り、さらに好ましくは、１．０〜２．０ｎｍである。な
お、この自由層２において、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層の
積層数は、特に限定されるものではなく、各層の膜厚な
どに応じて適宜決定すればよい。
【００１１】図２はＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ積層膜におい
て、ＣｏＦｅの膜厚を１．５ｎｍに固定し、ＮｉＦｅの
膜厚を種々に変化させた時の膜厚と保磁力との関係を示
したものであり、図３は同様にそのときのＸ線回折パタ
ーンを示したものである。なお、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅの
積層数は６とした。図２からも明らかなように、保磁力
は、ＮｉＦｅの膜厚の増加と共に低下することが判っ
た。一方、図３のＸ線回折パターンから、ＮｉＦｅの膜
厚の増加と共に２θ＝４３°付近にピークが出現する。
これは、ＣｏＦｅとＮｉＦｅの（１１１）面のピークで
あり、両者を積層することによって、結晶性が改善さ
れ、その結果軟磁気特性が向上したことが確認された。
て、ＣｏＦｅの膜厚を１．５ｎｍに固定し、ＮｉＦｅの
膜厚を種々に変化させた時の膜厚と保磁力との関係を示
したものであり、図３は同様にそのときのＸ線回折パタ
ーンを示したものである。なお、ＣｏＦｅ／ＮｉＦｅの
積層数は６とした。図２からも明らかなように、保磁力
は、ＮｉＦｅの膜厚の増加と共に低下することが判っ
た。一方、図３のＸ線回折パターンから、ＮｉＦｅの膜
厚の増加と共に２θ＝４３°付近にピークが出現する。
これは、ＣｏＦｅとＮｉＦｅの（１１１）面のピークで
あり、両者を積層することによって、結晶性が改善さ
れ、その結果軟磁気特性が向上したことが確認された。
【００１２】なお、本発明の磁気ヘッドは、例えばアル
チック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）基板上に、上記のスピンバ
ルブ型磁気抵抗効果膜を通常の方法により積層して製造
することができる。
チック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）基板上に、上記のスピンバ
ルブ型磁気抵抗効果膜を通常の方法により積層して製造
することができる。
【００１３】
【実施例】以下に示す実施例により、本発明を具体的に
説明する。 ＜実施例１〜４、比較例１〜４＞次のようにして図１に
示した層構成を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果膜を
作製した。すなわち、ガラス基板１上にスパッタ法を用
いて厚さ５ｎｍのＴａ下地層５、下記表１に示した膜
厚、積層数を有するＣｏＦｅ（９０−１０ａｔ％）／Ｎ
ｉＦｅ（８２−１８ａｔ％）自由層２、厚さ２．５ｎｍ
のＣｕ中間層３、厚さ３．０ｎｍのＣｏＦｅ（９０−１
０ａｔ％）と厚さ８．０ｎｍのＦｅＭｎ（５０−５０ａ
ｔ％）の２層構造を有する固定層４、並びに、厚さ５．
０ｎｍのＴａ保護層６を順次積層した。なお、上記各層
の成膜は、基板面内方向に磁界を印加しながら行った。
説明する。 ＜実施例１〜４、比較例１〜４＞次のようにして図１に
示した層構成を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果膜を
作製した。すなわち、ガラス基板１上にスパッタ法を用
いて厚さ５ｎｍのＴａ下地層５、下記表１に示した膜
厚、積層数を有するＣｏＦｅ（９０−１０ａｔ％）／Ｎ
ｉＦｅ（８２−１８ａｔ％）自由層２、厚さ２．５ｎｍ
のＣｕ中間層３、厚さ３．０ｎｍのＣｏＦｅ（９０−１
０ａｔ％）と厚さ８．０ｎｍのＦｅＭｎ（５０−５０ａ
ｔ％）の２層構造を有する固定層４、並びに、厚さ５．
０ｎｍのＴａ保護層６を順次積層した。なお、上記各層
の成膜は、基板面内方向に磁界を印加しながら行った。
【００１４】
【表１】 （自由層の膜厚及び積層数） 実施例１ ［ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１．６ｎｍ）］×３＋ ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ） 〃 ２ ［ＣｏＦｅ（１．０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１．６ｎｍ）］×６＋ ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ） 〃 ３ ［ＣｏＦｅ（２．０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１．６ｎｍ）］×３＋ ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ） 〃 ４ ［ＣｏＦｅ（３．０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１．６ｎｍ）］×２＋ ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ） 比較例１ ［ＣｏＦｅ（３．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（１．６ｎｍ）］×３＋ ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ） 〃 ２ ［ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３．５ｎｍ）］×３＋ ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ） 〃 ３ ＣｏＦｅ（６．０ｎｍ） 〃 ４ ＮｉＦｅ（６．０ｎｍ）
【００１５】以上のようにして得られた各スピンバルブ
膜の抵抗変化率と保磁力を測定して、その結果を表２に
示した。
膜の抵抗変化率と保磁力を測定して、その結果を表２に
示した。
【００１６】
【表２】 抵抗変化率（％） 保磁力（Ｏｅ） 実施例１ ５．６６ ２．８ 〃 ２ ６．６０ ３．２ 〃 ３ ６．５３ ２．０ 〃 ４ ６．６０ ２．５ 比較例１ ６．５０ １０．５ 〃 ２ ３．６０ １．８ 〃 ３ ６．０７ ５８ 〃 ４ ３．２０ １．６
【００１７】表２の結果からも明らかなとおり、膜厚
３．０ｎｍ以下のＣｏＦｅとＮｉＦｅの積層膜からなる
自由層を有する本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果膜
（実施例１〜４）は、抵抗変化率、保磁力が共に優れて
いることが確認された。また、本発明においては、積層
膜の膜厚を広範囲から選択することができ、設計自由度
が向上し、製造時の再現性の向上に有用である。それに
対して、同様の積層膜ではあるものの、ＣｏＦｅ、Ｎｉ
Ｆｅの何れかの膜厚が３．０ｎｍを超えるもの（比較例
１、２）は、抵抗変化率及び保磁力のうち何れかの特性
劣化が始まる。さらに、ＣｏＦｅの単層膜を用いたもの
（比較例３）は抵抗変化率は良好なものの、保磁力が著
しく高くなってしまい、ＮｉＦｅの単層膜を用いたもの
（比較例４）は、保磁力は良好なものの、抵抗変化率が
小さく実用に適さないことが確認された。
３．０ｎｍ以下のＣｏＦｅとＮｉＦｅの積層膜からなる
自由層を有する本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果膜
（実施例１〜４）は、抵抗変化率、保磁力が共に優れて
いることが確認された。また、本発明においては、積層
膜の膜厚を広範囲から選択することができ、設計自由度
が向上し、製造時の再現性の向上に有用である。それに
対して、同様の積層膜ではあるものの、ＣｏＦｅ、Ｎｉ
Ｆｅの何れかの膜厚が３．０ｎｍを超えるもの（比較例
１、２）は、抵抗変化率及び保磁力のうち何れかの特性
劣化が始まる。さらに、ＣｏＦｅの単層膜を用いたもの
（比較例３）は抵抗変化率は良好なものの、保磁力が著
しく高くなってしまい、ＮｉＦｅの単層膜を用いたもの
（比較例４）は、保磁力は良好なものの、抵抗変化率が
小さく実用に適さないことが確認された。
【００１８】さらに、このようなスピンバルブ型磁気抵
抗効果膜を使用した磁気ヘッドは、高感度並びに高出力
であることが確認された。
抗効果膜を使用した磁気ヘッドは、高感度並びに高出力
であることが確認された。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、本発明によ
れば、大きな抵抗変化率と、良好な軟磁気特性すなわち
低保磁力を同時に満足するスピンバルブ型磁気抵抗効果
膜が得られるため、各種磁気抵抗効果型ヘッドとして極
めて有用である。
れば、大きな抵抗変化率と、良好な軟磁気特性すなわち
低保磁力を同時に満足するスピンバルブ型磁気抵抗効果
膜が得られるため、各種磁気抵抗効果型ヘッドとして極
めて有用である。
【図１】本発明のスピンバルブ型磁気抵抗効果膜の層構
成の一例を示す縦断面図である。
成の一例を示す縦断面図である。
【図２】図１の自由層を構成するＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ積
層膜におけるＮｉＦｅ膜厚と保磁力との関係を示すグラ
フである。
層膜におけるＮｉＦｅ膜厚と保磁力との関係を示すグラ
フである。
【図３】図１の自由層を構成するＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ積
層膜のＸ線回折パターン図である。
層膜のＸ線回折パターン図である。
１ 基板（ガラス基板） ２ 自由層 ３ 非磁性中間層 ４ 固定層 ５ 下地層 ６ 保護層 ２１、２２… ＣｏＦｅ層 ２１’、２２’… ＮｉＦｅ層
Claims (2)
- 【請求項１】 強磁性自由層上に、非磁性中間層を介し
て、強磁性固定層が形成されたスピンバルブ膜を有する
スピンバルブ型磁気抵抗効果膜において、前記強磁性自
由層が、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層との積層体よりなり、
かつ、このＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層の厚さが、各々３ｎ
ｍ以下であることを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗
効果膜。 - 【請求項２】 基板上に、強磁性自由層、非磁性中間層
及び強磁性固定層よりなるスピンバルブ型磁気抵抗効果
膜が形成された磁気ヘッドにおいて、前記強磁性自由層
が、ＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層との積層体よりなり、か
つ、このＣｏＦｅ層とＮｉＦｅ層の厚さが、各々３ｎｍ
以下であることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9117554A JPH10294217A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9117554A JPH10294217A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294217A true JPH10294217A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14714697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9117554A Withdrawn JPH10294217A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294217A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466417B1 (en) | 1999-11-02 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Laminated free layer structure for a spin valve sensor |
| US6580589B1 (en) | 2000-10-06 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Pinned layer structure for a spin valve sensor having cobalt iron (CoFe) and cobalt iron oxide (CoFeO) laminated layers |
| US6624986B2 (en) | 2001-03-08 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Free layer structure for a spin valve sensor with a specular reflecting layer composed of ferromagnetic oxide |
| US6820322B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of making a spin valve sensor with a free layer structure sputter deposited in a nitrogen atmosphere |
| US7140096B2 (en) * | 2001-03-16 | 2006-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a magnetoresistance effect device |
| US7292415B2 (en) | 2001-12-25 | 2007-11-06 | Fujitsu Limited | Ferromagnetic layered material having reliable uniaxial anisotropy |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP9117554A patent/JPH10294217A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6466417B1 (en) | 1999-11-02 | 2002-10-15 | International Business Machines Corporation | Laminated free layer structure for a spin valve sensor |
| US6580589B1 (en) | 2000-10-06 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Pinned layer structure for a spin valve sensor having cobalt iron (CoFe) and cobalt iron oxide (CoFeO) laminated layers |
| US6624986B2 (en) | 2001-03-08 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Free layer structure for a spin valve sensor with a specular reflecting layer composed of ferromagnetic oxide |
| US7140096B2 (en) * | 2001-03-16 | 2006-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a magnetoresistance effect device |
| US6820322B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-11-23 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method of making a spin valve sensor with a free layer structure sputter deposited in a nitrogen atmosphere |
| US7292415B2 (en) | 2001-12-25 | 2007-11-06 | Fujitsu Limited | Ferromagnetic layered material having reliable uniaxial anisotropy |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3180027B2 (ja) | スピン・バルブ磁気抵抗センサと、このセンサを使用した磁気記録システム | |
| KR100308102B1 (ko) | 자기저항성디바이스 | |
| US6340520B1 (en) | Giant magnetoresistive material film, method of producing the same magnetic head using the same | |
| US7463457B2 (en) | CPP giant magnetoresistive element with particular bulk scattering coefficient | |
| US5648885A (en) | Giant magnetoresistive effect sensor, particularly having a multilayered magnetic thin film layer | |
| GB2387711A (en) | Magnetic sensing element with multi-layer free layer | |
| KR100272872B1 (ko) | 자기저항효과소자및그제조방법 | |
| US6083632A (en) | Magnetoresistive effect film and method of manufacture thereof | |
| JP2002151757A (ja) | 薄膜磁気素子及びその製造方法 | |
| JP3490362B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド | |
| JP2000215421A (ja) | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法 | |
| JPH10294217A (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗効果膜及びこれを有する磁気ヘッド | |
| JPH04280483A (ja) | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 | |
| JPH0963021A (ja) | スピンバルブ構造を有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP3083237B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド | |
| JPH0936455A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH0992904A (ja) | 巨大磁気抵抗効果材料膜およびその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH06325329A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002299723A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びこの磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06310329A (ja) | 多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド | |
| JPH1131312A (ja) | 二重スピンバルブセンサ | |
| JPH07182629A (ja) | 磁気センサ | |
| JPH08279116A (ja) | 巨大磁気抵抗材料膜および磁気抵抗材料膜の磁化の調整方法 | |
| JP2000020926A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3021785B2 (ja) | 磁気抵抗効果材料およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |