JPH10294261A - Resist coating equipment - Google Patents
Resist coating equipmentInfo
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- JPH10294261A JPH10294261A JP9101802A JP10180297A JPH10294261A JP H10294261 A JPH10294261 A JP H10294261A JP 9101802 A JP9101802 A JP 9101802A JP 10180297 A JP10180297 A JP 10180297A JP H10294261 A JPH10294261 A JP H10294261A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハを真空吸着する基板ホルダの洗
浄に伴う稼働率低下を抑制したレジスト塗布装置を提供
する。
【解決手段】 レジスト塗布装置のスピンコート部１
に、スピンチャック１１を洗浄するブラシ５１ａと、ア
セトンおよびＮ2 ガスを噴出させる噴出口を有する洗浄
ヘッド部５１と、洗浄ヘッド部５１に接続する洗浄アー
ム５２と、洗浄アーム５２を垂直方向および水平方向に
移動させる駆動部５３と、アセトンの噴出制御、Ｎ2 ガ
スの噴出制御および駆動部５３の駆動制御をする制御部
５４とを有して構成される自動スピンチャック洗浄装置
５０を設ける。
(57) Abstract: Provided is a resist coating apparatus that suppresses a decrease in an operation rate due to cleaning of a substrate holder that vacuum-suctions a semiconductor wafer. SOLUTION: A spin coating section 1 of a resist coating apparatus.
In addition, a brush 51a for cleaning the spin chuck 11, a cleaning head 51 having an ejection port for ejecting acetone and N 2 gas, a cleaning arm 52 connected to the cleaning head 51, and the cleaning arm 52 are vertically and horizontally. An automatic spin chuck cleaning device 50 is provided which includes a driving unit 53 for moving in the direction and a control unit 54 for controlling ejection of acetone, ejection of N 2 gas, and driving of the driving unit 53.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト塗布装置に
関し、さらに詳しくは、スピンコート部に、半導体ウェ
ハを真空吸着させるスピンチャックの自動洗浄機構を付
加したレジスト塗布装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist coating apparatus, and more particularly, to a resist coating apparatus in which an automatic spin chuck cleaning mechanism for vacuum-sucking a semiconductor wafer is added to a spin coating section.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程で用いられるレジ
スト塗布装置は、半導体ウェハを基板ホルダ、所謂スピ
ンチャックに載置し、その後半導体ウェハを真空吸着
（真空チャック）により吸着させた後、フォトレジスト
を滴下し、その後スピンチャックを高速回転させ、遠心
力でフォトレジストを広がらせ、半導体ウェハ上全面に
フォトレジストを均一に塗布する、所謂スピンコーティ
ング法を用いて半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布
する。2. Description of the Related Art A resist coating apparatus used in a semiconductor device manufacturing process mounts a semiconductor wafer on a substrate holder, a so-called spin chuck, and then sucks the semiconductor wafer by vacuum suction (vacuum chuck). And then spin the spin chuck at high speed, spread the photoresist by centrifugal force, and apply the photoresist on the semiconductor wafer using a so-called spin coating method that uniformly applies the photoresist on the entire surface of the semiconductor wafer. .
【０００３】一般のレジスト塗布装置は、露光装置と連
結されて使用され、フォトレジスト塗布前の半導体ウェ
ハは、半導体ウェハを多数収納したウェハキャリアが載
置されるローデング部のウェハキャリアからウェハ搬送
系により搬送されて、スピンコート部に送られ、更にス
ピンコート部よりフォトレジストのプレベーク部に送ら
れ、その後プレベーク部より露光装置へと送られる構成
となっている。このレジスト塗布装置におけるスピンコ
ート部の従来例を、図３および図４を参照して説明す
る。A general resist coating apparatus is used in connection with an exposure apparatus, and a semiconductor wafer before coating with a photoresist is transferred from a wafer carrier in a loading section on which a wafer carrier containing a large number of semiconductor wafers is placed to a wafer transfer system. And then sent to the spin coat unit, further sent from the spin coat unit to the photoresist pre-baking unit, and then sent from the pre-baking unit to the exposure apparatus. A conventional example of a spin coating unit in this resist coating apparatus will be described with reference to FIGS.
【０００４】レジスト塗布装置のスピンコート部１は、
図３に示すように、半導体ウェハ１０を真空チャック
し、モータ１３により回転するスピンチャック１１と、
スピンチャック１１と連結した回転軸１２と、モータ１
３と、半導体ウェハ１０を真空チャックするための排気
ポンプ１４と、スピンチャック１１外の周辺部に設置さ
れ、遠心力により飛散するフォトレジスト等を受けとる
カップ１５と、フォトレジストを半導体ウェハ１０上に
滴下する際、半導体ウェハ１０の中央上方部に移動して
くるフォトレジスト用ノズル１６で概略構成されてい
る。[0004] The spin coating unit 1 of the resist coating apparatus includes:
As shown in FIG. 3, a semiconductor wafer 10 is vacuum-chucked, and a spin chuck 11 is rotated by a motor 13;
A rotating shaft 12 connected to a spin chuck 11;
3, an evacuation pump 14 for vacuum chucking the semiconductor wafer 10, a cup 15 installed around the spin chuck 11 for receiving photoresist or the like scattered by centrifugal force, and a photoresist on the semiconductor wafer 10. When the liquid is dropped, it is schematically constituted by a photoresist nozzle 16 which moves to the upper central portion of the semiconductor wafer 10.
【０００５】スピンチャック１１の表面構造は、図４に
示すように、円形の真空チャック溝部１１ｂとこの真空
チャック溝部１１ｂと交叉する十字状の真空チャック溝
部１１ｃが設けられ、この十字状の真空チャック溝部１
１ｃの中央がスピンチャック１１中心部の排気孔１１ａ
に接続した構造となっている。半導体ウェハ１０のスピ
ンチャック１１への真空チャックは、排気管１８の途中
に設けられたバルブ１９が開き、スピンチャック１１表
面に設けられた真空チャック溝部１１ｂに接続している
スピンチャック１１中心部の排気孔１１ａ、回転軸１２
の排気孔１２ａ、回転軸１２の周囲に、回転軸１２の回
転を妨げないように取り付けられたバキュームチャック
１７の排気孔１７ａおよび排気管１８を通した、排気ポ
ンプ１４の排気により行われる。As shown in FIG. 4, the surface structure of the spin chuck 11 is provided with a circular vacuum chuck groove 11b and a cross-shaped vacuum chuck groove 11c crossing the vacuum chuck groove 11b. Groove 1
The center of 1c is the exhaust hole 11a at the center of the spin chuck 11.
The structure is connected to The vacuum chuck of the semiconductor wafer 10 to the spin chuck 11 is formed by opening a valve 19 provided in the middle of an exhaust pipe 18 and opening the valve 19 at the center of the spin chuck 11 connected to a vacuum chuck groove 11 b provided on the surface of the spin chuck 11. Exhaust hole 11a, rotating shaft 12
This is performed by exhausting an exhaust pump 14 through an exhaust hole 17a and an exhaust pipe 18 of a vacuum chuck 17 attached around the rotary shaft 12 so as not to hinder the rotation of the rotary shaft 12.
【０００６】カップ１５の底部には、飛散したフォトレ
ジストを集めて排出する廃液配管２０と、遠心力により
飛散したフォトレジストで、半導体ウェハ１０周辺の雰
囲気に浮遊するレジストやリンス液の微粒子が半導体ウ
ェハ１０に再付着するのを防止するため、半導体ウェハ
１０周辺の雰囲気を下方に流す、排気系の排気管２１と
が取り付けられている。At the bottom of the cup 15, a waste liquid pipe 20 for collecting and discharging the scattered photoresist and a photoresist scattered by the centrifugal force, the fine particles of the resist and the rinsing liquid floating in the atmosphere around the semiconductor wafer 10 are used for the semiconductor. In order to prevent reattachment to the wafer 10, an exhaust pipe 21 of an exhaust system for flowing an atmosphere around the semiconductor wafer 10 downward is attached.
【０００７】半導体ウェハ１０の上方にあるフォトレジ
スト用ノズル１６は、フォトレジスト用の配管２３を介
して、フォトレジストの滴下量を制御するバルブ２２に
接続されており、配管２３途中より分岐した場所には、
フォトレジストを半導体ウェハ１０上に滴下後、フォト
レジスト用ノズル１６先端のフォトレジストを供給側に
引き戻し、半導体ウェハ１０上へのフォトレジストのボ
タ落ちを防ぐためのサックバック部２４が接続されてい
る。The photoresist nozzle 16 above the semiconductor wafer 10 is connected via a photoresist pipe 23 to a valve 22 for controlling the amount of photoresist dripped. In
After the photoresist is dropped on the semiconductor wafer 10, the photoresist at the tip of the photoresist nozzle 16 is pulled back to the supply side, and a suck-back unit 24 for preventing the photoresist from dropping onto the semiconductor wafer 10 is connected. .
【０００８】上記のレジスト塗布装置のスピンコート部
におけるフォトレジストの塗布動作は、まず半導体ウェ
ハ１０が、レジスト塗布装置の搬送系（図示省略）によ
って搬送され、スピンチャック１１上に載置される。次
に、排気管１８のバルブ１９が開き、半導体ウェハ１０
がスピンチャック１１に真空チャックされる。その後、
配管２３に接続したフォトレジスト用ノズル１６が、駆
動部（図示省略）により水平方向に移動して、半導体ウ
ェハ１０の中央部上方に設置され、その後バルブ２２が
所定時間だけ開き、フォトレジスト用ノズル１６先端よ
り所定量のフォトレジストを半導体ウェハ１０中央部に
滴下する。フォトレジスト滴下後、自動的にサックバッ
ク部２４が動作して、フォトレジスト用ノズル１６先端
のフォトレジストを供給側に引き戻す。その後フォトレ
ジスト用ノズル１６は、駆動部（図示省略）により水平
方向に移動して、半導体ウェハ１０の中央部上方の位置
より元の位置に戻る。In the above-described photoresist coating operation in the spin coating section of the resist coating apparatus, first, the semiconductor wafer 10 is transported by a transport system (not shown) of the resist coating apparatus and is placed on the spin chuck 11. Next, the valve 19 of the exhaust pipe 18 is opened, and the semiconductor wafer 10 is opened.
Is vacuum-chucked to the spin chuck 11. afterwards,
The photoresist nozzle 16 connected to the pipe 23 is moved in a horizontal direction by a driving unit (not shown) and is installed above the central portion of the semiconductor wafer 10. Thereafter, the valve 22 is opened for a predetermined time, and the photoresist nozzle 16 is opened. A predetermined amount of photoresist is dropped on the center of the semiconductor wafer 10 from the 16 tips. After the photoresist is dropped, the suck back unit 24 automatically operates to pull the photoresist at the tip of the photoresist nozzle 16 back to the supply side. Thereafter, the photoresist nozzle 16 is moved in the horizontal direction by a driving unit (not shown), and returns to the original position from a position above the central portion of the semiconductor wafer 10.
【０００９】次に、モータ１３によりスピンチャック１
１が回転し、半導体ウェハ１０上にほぼ均一な所定膜厚
のフォトレジストを塗布した後、スピンチャック１１の
回転が停止する。その後、排気管１８のバルブ１９が閉
じ、半導体ウェハ１０のスピンチャック１１による真空
チャックが解除される。更にその後、フォトレジストが
塗布された半導体ウェハは、レジスト塗布装置の搬送系
（図示省略）により、スピンコート部１よりプレベーク
部に搬送され、プレベーク後は、また搬送系により、露
光装置へと送られる。Next, the spin chuck 1 is driven by a motor 13.
1 rotates, and after applying a photoresist having a substantially uniform predetermined thickness on the semiconductor wafer 10, the rotation of the spin chuck 11 is stopped. Thereafter, the valve 19 of the exhaust pipe 18 is closed, and the vacuum chuck of the semiconductor wafer 10 by the spin chuck 11 is released. After that, the semiconductor wafer coated with the photoresist is transported from the spin coating unit 1 to the pre-baking unit by the transport system (not shown) of the resist coating device, and after the pre-baking, is further transported to the exposure apparatus by the transport system. Can be
【００１０】上述したスピンコート部１のスピンチャッ
ク１１に半導体ウェハ１０を真空チャックする際、スピ
ンチャック１１表面にダストやフォトレジスト等が付着
していると、半導体ウェハ１０の真空チャックが不完全
となり、スピンチャック１１が回転で半導体ウェハ１０
がスピンチャック１１から離脱して、半導体ウェハ１０
を破損させたり、カップ１５に触れて半導体ウェハ１０
を汚染させたりする。また、ダストが固いものである
と、半導体ウェハ１０を真空チャックする際、半導体ウ
ェハ１０が割れてしまう虞もある。更に、スピンチャッ
ク１１表面に付着したフォトレジストが半導体ウェハ１
０裏面に転写される形で付着すると、ベルト搬送による
搬送系が使用される場合に搬送ベルトにフォトレジスト
が付着して、搬送系の故障の原因となったり、レジスト
塗布装置に接続された露光装置の搬送系等の故障の原因
となったりする。また、スピンチャック１１表面からの
半導体ウェハ１０裏面への汚染物は、後工程で半導体ウ
ェハ１０に拡散し、半導体装置の製造歩留を低下させる
という問題もある。従来、上述した様な問題発生を抑制
するため、スピンチャック１１をスピンコート部１より
取り外した後、スピンチャック１１を洗浄する方法が採
られているために、レジスト塗布装置の稼働率低下とい
う問題が発生する。When the semiconductor wafer 10 is vacuum-chucked on the spin chuck 11 of the spin coat unit 1 described above, if dust, photoresist or the like adheres to the surface of the spin chuck 11, the vacuum chuck of the semiconductor wafer 10 becomes incomplete. The spin chuck 11 rotates and the semiconductor wafer 10
Is separated from the spin chuck 11 and the semiconductor wafer 10
The semiconductor wafer 10 by touching the cup 15 or
Or pollute. If the dust is hard, the semiconductor wafer 10 may be broken when the semiconductor wafer 10 is vacuum-chucked. Further, the photoresist attached to the surface of the spin chuck 11 is
0 When transferred on the back surface, photoresist adheres to the conveyor belt when a conveyor system using belt conveyor is used, which may cause a failure of the conveyor system or exposure to light connected to a resist coating device. It may cause a failure of the transport system of the device. Further, there is also a problem that contaminants from the front surface of the spin chuck 11 to the back surface of the semiconductor wafer 10 diffuse into the semiconductor wafer 10 in a later process, thereby lowering the production yield of the semiconductor device. Conventionally, a method of removing the spin chuck 11 from the spin coat unit 1 and then cleaning the spin chuck 11 has been adopted in order to suppress the occurrence of the above-described problem. Occurs.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した半
導体製造装置における問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、半導体ウェハを真空チャ
ックするスピンチャックの洗浄に伴う稼働率低下を抑制
したレジスト塗布装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-described problems in the semiconductor manufacturing apparatus. That is, an object of the present invention is to provide a resist coating apparatus which suppresses a decrease in an operation rate due to cleaning of a spin chuck for vacuum chucking a semiconductor wafer.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、半導体ウェハを真空吸着する基板ホルダを有するレ
ジスト塗布装置において、基板ホルダを洗浄するブラシ
と、洗浄液および気体を噴出させる噴出口を有する洗浄
ヘッド部と、洗浄ヘッド部に接続する洗浄アームと、洗
浄アームを垂直方向および水平方向に移動させる駆動部
と、洗浄液の噴出制御、気体の噴出制御および駆動部の
駆動制御をする制御部とを有して構成される自動スピン
チャック洗浄装置を有することを特徴とするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION A resist coating apparatus according to the present invention is proposed to solve the above-mentioned problem. In a resist coating apparatus having a substrate holder for vacuum-sucking a semiconductor wafer, the resist coating apparatus is used for cleaning the substrate holder. Cleaning head, having a cleaning head, having a spout for ejecting a cleaning liquid and a gas, a cleaning arm connected to the cleaning head, a driving unit for moving the cleaning arm in a vertical direction and a horizontal direction, control of the jetting of the cleaning liquid, gas And an automatic spin chuck cleaning device including a control unit for controlling the ejection of the liquid and the driving of the driving unit.
【００１３】本発明によれば、レジスト塗布装置のスピ
ンチャックを洗浄する、上述した自動スピンチャック洗
浄装置によるスピンチャック洗浄が、自動的に行えるの
で、従来のようにスピンチャックをスピンコート部より
取り外した後、スピンチャックを洗浄する作業を行う必
要がない。従ってレジスト塗布装置の稼働率が向上す
る。また、上述した自動スピンチャック洗浄手段によ
り、スピンチャックの洗浄を定期的に行えば、スピンチ
ャック表面のダストやスピンチャック表面に付着したフ
ォトレジストによる真空チャックの不良に起因した、フ
ォトレジスト塗布時の半導体ウェハ破損を軽減でき、ま
た半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダスト付
着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減でき
る。According to the present invention, the spin chuck cleaning by the above-described automatic spin chuck cleaning apparatus for cleaning the spin chuck of the resist coating apparatus can be automatically performed. After that, there is no need to perform an operation of cleaning the spin chuck. Therefore, the operation rate of the resist coating device is improved. Further, if the spin chuck is periodically cleaned by the above-described automatic spin chuck cleaning means, dust on the surface of the spin chuck or a failure of the vacuum chuck due to the photoresist adhering to the spin chuck surface may cause a problem at the time of photoresist coating. Damage to the semiconductor wafer can be reduced, and a reduction in the manufacturing yield of the semiconductor device due to adhesion of dust on the back surface of the semiconductor wafer at the spin chuck portion can be reduced.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３および図４中の構成部分と同様の
構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Components similar to those in FIGS. 3 and 4 referred to in the description of the related art are denoted by the same reference numerals.
【００１５】本実施の形態例は、半導体ウェハを真空吸
着する基板ホルダを有するレジスト塗布装置に本発明を
適用した例であり、これを図１および図２を参照して説
明する。ここで、図１はレジスト塗布装置のスピンコー
ト部１の概略図で、図２は、自動スピンチャック洗浄装
置５０の洗浄ヘッド部５１の概略図で、図２（ａ）は洗
浄ヘッド部５１の概略断面図、図２（ｂ）は、洗浄ヘッ
ド部５１を下方より見た、概略平面図である。まず、レ
ジスト塗布装置のスピンコート部１の基本構成は、図１
に示すように、従来例のレジスト塗布装置のスピンコー
ト部１とほぼ同様なので、同様な部分の説明は省略し、
特徴部分の説明を詳述する。The present embodiment is an example in which the present invention is applied to a resist coating apparatus having a substrate holder for vacuum-sucking a semiconductor wafer, which will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 1 is a schematic diagram of a spin coating unit 1 of the resist coating device, FIG. 2 is a schematic diagram of a cleaning head unit 51 of an automatic spin chuck cleaning device 50, and FIG. FIG. 2B is a schematic plan view of the cleaning head unit 51 as viewed from below. First, the basic configuration of the spin coating unit 1 of the resist coating apparatus is shown in FIG.
As shown in FIG. 5, since it is almost the same as the spin coating unit 1 of the conventional resist coating apparatus, the description of the same parts is omitted,
The description of the characteristic portion will be described in detail.
【００１６】スピンチャック１１上に載置させた半導体
ウェハを真空チャックするための排気系は、スピンチャ
ック１１の排気孔１１ａと、回転軸１２の排気孔１２ａ
と、バキュームチャック１７の排気孔１７ａと、排気管
１８と、バルブ１９および排気ポンプ１４にて構成され
ているが、この排気系の排気孔１７ａとバルブ１９間の
排気管１８には、スピンチャック１１表面の洗浄時にス
ピンチャック１１の排気孔１１ａより上方に気体、例え
ばＮ2 ガスを放出させるための配管３１が接続され、こ
の配管３１の途中にはバルブ３０が設けられている。An exhaust system for vacuum-chucking the semiconductor wafer mounted on the spin chuck 11 includes an exhaust hole 11 a of the spin chuck 11 and an exhaust hole 12 a of the rotating shaft 12.
, An exhaust hole 17 a of the vacuum chuck 17, an exhaust pipe 18, a valve 19 and an exhaust pump 14. The exhaust pipe 18 between the exhaust hole 17 a and the valve 19 of the exhaust system has a spin chuck. A pipe 31 for discharging a gas, for example, N 2 gas, is connected above the exhaust hole 11a of the spin chuck 11 at the time of cleaning the surface of the spin chuck 11, and a valve 30 is provided in the middle of the pipe 31.
【００１７】スピンチャック１１を洗浄する自動スピン
チャック洗浄装置５０は、洗浄ヘッド部５１と、洗浄ヘ
ッド部５１に接続する洗浄アーム部５２と、洗浄アーム
部５２を垂直方向および水平方向に回転移動させる駆動
部５３と、洗浄液の噴出制御、気体の噴出制御および駆
動部の駆動制御をする制御部５４とで概略構成されてい
る。洗浄ヘッド部５１には、洗浄液供給部（図示省略）
よりフォトレジスト等を溶解する洗浄液、例えばアセト
ンを送る、配管５５が接続されており、この配管５５の
途中には、制御部５４によって制御されるバルブ５６が
設けられている。また、洗浄ヘッド部５１に気体、例え
ばＮ2 ガスを送り込むための配管５７が、洗浄ヘッド部
５１とバルブ５６との間の配管５５に接続する形で設け
られ、この配管５７の途中には、制御部５４によって制
御されるバルブ５８が設けられている。An automatic spin chuck cleaning device 50 for cleaning the spin chuck 11 has a cleaning head unit 51, a cleaning arm unit 52 connected to the cleaning head unit 51, and rotationally moves the cleaning arm unit 52 in the vertical and horizontal directions. The driving unit 53 and the control unit 54 that controls the ejection of the cleaning liquid, the ejection of the gas, and the driving of the driving unit are schematically configured. The cleaning head unit 51 includes a cleaning liquid supply unit (not shown).
A pipe 55 for supplying a cleaning liquid for dissolving a photoresist or the like, for example, acetone, is connected to the pipe 55. A valve 56 controlled by the control unit 54 is provided in the pipe 55. Further, a pipe 57 for feeding a gas, for example, N 2 gas, to the cleaning head unit 51 is provided so as to be connected to a pipe 55 between the cleaning head unit 51 and the valve 56. A valve 58 controlled by the control unit 54 is provided.
【００１８】洗浄ヘッド部５１は、図２（ａ）および図
２（ｂ）に示すように、スピンチャック１１の半径より
少し大きい長辺を持つ、中空部を持つ直方体状の噴出部
５１ｂと、噴出部５１ｂに取り付けられた洗浄用のフッ
素樹脂製繊維によるブラシ、例えばテフロン製繊維によ
るブラシ５１ａと、洗浄液、又はＮ2 ガスが送られてく
る配管５５と接続する配管部５１ｃとで構成されてい
る。直方体状の噴出部５１ｂは、図２（ｂ）に示すよう
に、噴出部５１ｂの洗浄用のブラシ５１ａが噴出部５１
ｂの長辺に沿って取り付けられていて、この洗浄用のブ
ラシ５１ａに平行する形で、口径の小さな複数の噴出口
５１ｄが設けられている。なお、洗浄ヘッド部５１の下
方にあるスピンチャック１１の回転方向、例えば図２
（ｂ）に示す矢印Ｃの回転方向とした時、噴出部５１ｂ
とブラシ５１ａとの位置関係は矢印Ｃ方向に噴出部５１
ｂ、次にブラシ５１ａの順とする。As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), the cleaning head 51 has a rectangular parallelepiped ejection part 51b having a long side slightly larger than the radius of the spin chuck 11 and having a hollow part. It is composed of a brush made of a fluororesin fiber for cleaning, for example, a brush 51a made of a Teflon fiber attached to the ejection part 51b, and a pipe part 51c connected to a pipe 55 to which a cleaning liquid or N 2 gas is sent. I have. As shown in FIG. 2B, the squirting portion 51b having a rectangular parallelepiped shape is provided with a brush 51a for cleaning the squirting portion 51b.
A plurality of ejection ports 51d having a small diameter are provided along the long side of b and parallel to the cleaning brush 51a. The rotation direction of the spin chuck 11 below the cleaning head 51, for example, as shown in FIG.
When the direction of rotation is indicated by arrow C shown in FIG.
The positional relationship between the brush 51a and the ejection portion 51
b, and then the brush 51a.
【００１９】洗浄アーム５２は、洗浄ヘッド部５１を支
持し、洗浄アーム５２の駆動部５３に接続していて、駆
動部５３により、矢印Ａに示すような垂直移動と矢印Ｂ
に示すような水平方向の回転移動をする。The cleaning arm 52 supports the cleaning head unit 51 and is connected to a driving unit 53 of the cleaning arm 52.
A horizontal rotation movement as shown in FIG.
【００２０】次に、本発明の実施の形態例のレジスト塗
布装置における、スピンコート部１の動作について説明
する。まず、半導体ウェハへのフォトレジスト塗布前
に、スピンチャック１１の洗浄を行う。この洗浄動作
は、まずモータ１３を回転させ、Ｎ2 ガスの配管３１に
取り付けられたバルブ３０を開けて、Ｎ2 ガスをスピン
チャック１１の排気孔１１ａよりスピンチャック１１表
面の上方に放出させる。このＮ2 ガスのスピンチャック
１１表面上方への放出により、後述する洗浄ヘッド部５
１によるスピンチャック１１の洗浄時に、真空チャック
の排気系である、排気口１１ａ、１２ａや排気管１８等
にアセトン等の洗浄液の流入を防止する。Next, the operation of the spin coater 1 in the resist coating apparatus according to the embodiment of the present invention will be described. First, the spin chuck 11 is washed before the photoresist is applied to the semiconductor wafer. In this cleaning operation, first, the motor 13 is rotated, the valve 30 attached to the N 2 gas pipe 31 is opened, and the N 2 gas is discharged from the exhaust hole 11 a of the spin chuck 11 to above the surface of the spin chuck 11. The release of the N 2 gas above the surface of the spin chuck 11 causes the cleaning head unit 5 to be described later.
When the spin chuck 11 is washed by 1, the flow of the cleaning liquid such as acetone into the exhaust ports 11a and 12a, the exhaust pipe 18 and the like, which are the exhaust system of the vacuum chuck, is prevented.
【００２１】次に、制御部５４によりスピンチャック１
１の洗浄開始の指示を出す。洗浄開始の指示で、制御部
５４より駆動部５３に信号が送られ、駆動部５３が動作
して、洗浄アーム５２を水平方向に回転移動（矢印Ｂの
移動）し、スピンコート部１のカップ１５の外側にあっ
た洗浄ヘッド部５１がスピンチャック１１の上方に移動
し、その後洗浄アーム５２が下方向に移動（矢印Ａの移
動）する。上記の洗浄アーム５２の下方向の移動が開始
されると、洗浄ヘッド部５１にアセトンを送り込む配管
５５のバルブ５６を開くための信号が制御部５４よりバ
ルブ５６に送られ、バルブ５６が開いて、洗浄ヘッド部
５１の噴出口５１ｄよりアセトンがスピンチャック１１
表面に向かって噴出し始める。Next, the control unit 54 controls the spin chuck 1
The instruction to start the washing of 1 is issued. In response to an instruction to start cleaning, a signal is sent from the control unit 54 to the driving unit 53, and the driving unit 53 operates to rotate and move the cleaning arm 52 in the horizontal direction (movement of the arrow B), and the cup of the spin coating unit 1 The cleaning head 51 outside the portion 15 moves above the spin chuck 11, and then the cleaning arm 52 moves downward (movement of arrow A). When the downward movement of the cleaning arm 52 is started, a signal for opening the valve 56 of the pipe 55 for feeding acetone into the cleaning head unit 51 is sent from the control unit 54 to the valve 56, and the valve 56 is opened. Acetone is supplied to the spin chuck 11 from the ejection port 51 d of the cleaning head 51.
Start squirting towards the surface.
【００２２】洗浄アーム５２が下方向に移動し、洗浄ヘ
ッド部５１のブラシ５１ａがスピンチャック１１に接す
る位置で、洗浄アーム５２の下方向への移動は停止す
る。この状態において、回転しているスピンチャック１
１表面は、アセトン溶液とブラシ５１ａにより洗浄が行
われる。アセトン溶液とブラシ５１ａによる所定時間の
洗浄後、制御部５４より信号が駆動部５３に送られ、駆
動部５３が動作し、洗浄アーム５２が上方向に移動（矢
印Ａの移動）する。この洗浄アーム５２の上方向への移
動が開始し、ブラシ５１ａがスピンチャック１１から離
れると、制御部５４よりバルブ５６およびバルブ５８に
信号が送られ、バルブ５６が閉じ、バルブ５８が開き、
洗浄ヘッド部５１の噴出口５１ｄよりＮ2 を噴出させ、
スピンチャック１１表面の洗浄液の乾燥およびダストの
吹き飛ばしを行う。When the cleaning arm 52 moves downward and the brush 51a of the cleaning head 51 contacts the spin chuck 11, the downward movement of the cleaning arm 52 stops. In this state, the rotating spin chuck 1
One surface is cleaned with an acetone solution and a brush 51a. After cleaning with the acetone solution and the brush 51a for a predetermined time, a signal is sent from the control unit 54 to the driving unit 53, and the driving unit 53 is operated, and the cleaning arm 52 moves upward (movement of the arrow A). When the upward movement of the cleaning arm 52 starts and the brush 51a moves away from the spin chuck 11, a signal is sent from the control unit 54 to the valves 56 and 58, the valve 56 closes, the valve 58 opens,
N 2 is ejected from the ejection port 51d of the cleaning head unit 51,
The cleaning liquid on the surface of the spin chuck 11 is dried and dust is blown off.
【００２３】洗浄アーム５２が上方向に移動し、所定の
位置になった時点で、制御部５４よりバルブ５８に信号
が送られ、バルブ５８が閉じる。その後洗浄アーム５２
が水平方向に回転移動（矢印Ｂの移動）し、スピンコー
ト部１のカップ１５の外側の洗浄アーム５２の元の位置
に戻る。その後、Ｎ2 ガスの配管３１に取り付けられた
バルブ３０を閉じ、モータ１３の回転を停止させる。な
お、上述したスピンチャック１１の洗浄プロセスにおい
ては、バルブ３０の動作やモータ１３の動作を制御部５
４からの信号指示で行わなかったが、バルブ３０の動作
やモータ１３の動作も制御部５４からの信号指示で動作
する構成としてもよい。When the cleaning arm 52 moves upward and reaches a predetermined position, a signal is sent from the control unit 54 to the valve 58, and the valve 58 is closed. Then the cleaning arm 52
Is rotated in the horizontal direction (movement of arrow B), and returns to the original position of the cleaning arm 52 outside the cup 15 of the spin coating unit 1. Thereafter, the valve 30 attached to the N 2 gas pipe 31 is closed, and the rotation of the motor 13 is stopped. In the cleaning process of the spin chuck 11 described above, the operation of the valve 30 and the operation of the motor 13 are controlled by the control unit 5.
4, the operation of the valve 30 and the operation of the motor 13 may be operated by a signal instruction from the control unit 54.
【００２４】上述したスピンチャック１１の洗浄終了後
に、従来例と同様にして、半導体ウェハをスピンチャッ
ク１１上に載置し、真空チャックを行い、フォトレジス
ト用ノズル（図３参照）を半導体ウェハの中央部上方に
移動させ、フォトレジストを半導体ウェハ上に滴下し、
スピンチャック１１を回転させてフォトレジストを塗布
する。After the cleaning of the spin chuck 11 described above, the semiconductor wafer is placed on the spin chuck 11 and vacuum chucked, and the photoresist nozzle (see FIG. 3) is connected to the semiconductor wafer in the same manner as in the conventional example. Move to the upper part of the center, drop the photoresist on the semiconductor wafer,
The photoresist is applied by rotating the spin chuck 11.
【００２５】上述した自動スピンチャック洗浄装置５０
を設けたレジスト塗布装置によれば、フォトレジストを
塗布しようとする所定数量の半導体ウェハ（単位ロッ
ト）毎にフォトレジストの塗布前にスピンチャック１１
の洗浄を行う等の、定期的洗浄が容易となり、スピンチ
ャック表面のダストやスピンチャック表面に付着したフ
ォトレジストによる真空チャックの不良に起因した、フ
ォトレジスト塗布時の半導体ウェハ破損を軽減でき、ま
た半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダスト付
着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減でき
る。また、上述したレジスト塗布装置は、従来のように
スピンコート部１よりスピンチャック１１を取り外した
後、スピンチャック１１の洗浄作業をするものに比べ、
レジスト塗布装置の稼働率が向上する。The above-described automatic spin chuck cleaning device 50
According to the resist coating apparatus provided with the spin chuck 11, the spin chuck 11 is applied to each of a predetermined number of semiconductor wafers (unit lots) to be coated with the photoresist before the photoresist is coated.
Periodic cleaning such as cleaning of the wafer is facilitated, and semiconductor wafer damage at the time of photoresist coating caused by dust on the spin chuck surface and failure of the vacuum chuck due to photoresist adhering to the spin chuck surface can be reduced. The reduction in the manufacturing yield of the semiconductor device due to the adhesion of dust on the back surface of the semiconductor wafer in the spin chuck portion can be reduced. In addition, the above-described resist coating apparatus is different from a conventional apparatus in which the spin chuck 11 is removed from the spin coating unit 1 and then the spin chuck 11 is cleaned.
The operation rate of the resist coating device is improved.
【００２６】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、洗浄ヘ
ッド部に取り付けたブラシをテフロン製の繊維によるブ
ラシとしたが、使用する洗浄液によっては、ナイロン等
の樹脂製繊維によるブラシでもよい。また、本発明の実
施の形態例では、洗浄液にアセトンを用いて説明した
が、シンナー等のフォトレジストの溶剤を洗浄液として
もよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、スピ
ンチャックの洗浄における、自動スピンチャック洗浄装
置の動作手順は適宜変更が可能である。Although the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to this embodiment. For example, in the embodiment of the present invention, the brush attached to the cleaning head unit is a brush made of Teflon fiber, but a brush made of resin fiber such as nylon may be used depending on a cleaning liquid to be used. In the embodiment of the present invention, acetone is used as the cleaning liquid. However, a solvent for the photoresist such as a thinner may be used as the cleaning liquid. In addition, within the scope of the technical idea of the present invention, the operation procedure of the automatic spin chuck cleaning apparatus in cleaning the spin chuck can be appropriately changed.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の自動スピンチャック洗浄装置を設けたレジスト塗布装
置は、半導体ウェハを真空チャックするスピンチャック
の洗浄に伴う稼働率低下を抑制することができる。ま
た、本発明のレジスト塗布装置を半導体装置の製造に用
いれば、スピンチャックの定期的洗浄が容易となり、真
空チャックの不良による半導体ウェハの破損が軽減さ
れ、また半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダ
スト付着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減
できる。As is clear from the above description, the resist coating apparatus provided with the automatic spin chuck cleaning apparatus of the present invention can suppress a decrease in the operation rate due to the cleaning of the spin chuck for vacuum-chucking a semiconductor wafer. it can. In addition, when the resist coating apparatus of the present invention is used for manufacturing a semiconductor device, periodic cleaning of the spin chuck is facilitated, damage to the semiconductor wafer due to a defect in the vacuum chuck is reduced, and a spin chuck portion on the back surface of the semiconductor wafer is used. The reduction in the manufacturing yield of semiconductor devices due to the adhesion of dust can be reduced.
【図１】本発明の実施の形態例のレジスト塗布装置にお
ける、スピンコート部の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of a spin coating unit in a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態例のレジスト塗布装置にお
ける、自動スピンチャック洗浄装置の洗浄ヘッド部の概
略図で、（ａ）は洗浄ヘッド部の概略断面図、（ｂ）は
洗浄ヘッド部を下方より見た概略平面図である。FIGS. 2A and 2B are schematic views of a cleaning head section of an automatic spin chuck cleaning apparatus in a resist coating apparatus according to an embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A is a schematic sectional view of the cleaning head section, and FIG. FIG. 2 is a schematic plan view of the device viewed from below.
【図３】従来例のレジスト塗布装置における、スピンコ
ート部の概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a spin coating unit in a conventional resist coating apparatus.
【図４】従来例のレジスト塗布装置における、スピンコ
ート部のスピンチャックの概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of a spin chuck of a spin coating unit in a conventional resist coating apparatus.
１…スピンコート部、１０…半導体ウェハ、１１…スピ
ンチャック、１１ａ，１２ａ，１７ａ…排気孔、１１
ｂ，１１ｃ…真空チャック溝部、１２…回転軸、１３…
モータ、１４…排気ポンプ、１５…カップ、１６…フォ
トレジスト用ノズル、１７…バキュームチャック、１
８，２１…排気管、１９，２２，３０，５６，５８…バ
ルブ、２０…廃液配管、２３，３１，５５，５７…配
管、２４…サックバック部、５０…自動スピンチャック
洗浄装置、５１…洗浄ヘッド部、５１ａ…ブラシ、５１
ｂ…噴出部、５１ｃ…配管部、５１ｄ…噴出口、５２…
洗浄アーム部、５３…駆動部、５４…制御部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Spin coat part, 10 ... Semiconductor wafer, 11 ... Spin chuck, 11a, 12a, 17a ... Exhaust hole, 11
b, 11c: vacuum chuck groove, 12: rotating shaft, 13:
Motor, 14: exhaust pump, 15: cup, 16: photoresist nozzle, 17: vacuum chuck, 1
8, 21 ... exhaust pipe, 19, 22, 30, 56, 58 ... valve, 20 ... waste liquid pipe, 23, 31, 55, 57 ... pipe, 24 ... suck back part, 50 ... automatic spin chuck cleaning device, 51 ... Cleaning head part, 51a ... brush, 51
b: ejection part, 51c: piping part, 51d: ejection port, 52 ...
Cleaning arm unit, 53 ... Drive unit, 54 ... Control unit
Claims (4)
を有するレジスト塗布装置において、 前記基板ホルダを洗浄するブラシと、洗浄液および気体
を噴出させる噴出口を有する洗浄ヘッド部と、 前記洗浄ヘッド部に接続する洗浄アームと、 前記洗浄アームを垂直方向および水平方向に移動させる
駆動部と、 前記洗浄液の噴出制御、前記気体の噴出制御および前記
駆動部の駆動制御をする制御部とを有して構成される自
動スピンチャック洗浄装置を有することを特徴とするレ
ジスト塗布装置。1. A resist coating apparatus having a substrate holder for vacuum-sucking a semiconductor wafer, a brush for cleaning the substrate holder, a cleaning head having a jet port for jetting a cleaning liquid and a gas, and a connection to the cleaning head. A cleaning arm that moves the cleaning arm in a vertical direction and a horizontal direction; and a control unit that controls the ejection of the cleaning liquid, the ejection of the gas, and the drive control of the driving unit. A resist coating apparatus comprising an automatic spin chuck cleaning apparatus.
ブラシであることを特徴とする、請求項１に記載のレジ
スト塗布装置。2. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein said brush is a brush made of a fluororesin fiber.
徴とする、請求項１に記載のレジスト塗布装置。3. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid is acetone.
ち、いずれか一方のガスであることを特徴とする、請求
項１に記載のレジスト塗布装置。4. The resist coating apparatus according to claim 1, wherein the gas is one of air and N 2 gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP9101802A JPH10294261A (en) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Resist coating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP9101802A JPH10294261A (en) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Resist coating equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294261A true JPH10294261A (en) | 1998-11-04 |
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ID=14310283
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|---|---|---|---|
| JP9101802A Pending JPH10294261A (en) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | Resist coating equipment |
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