JPH10294272A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH10294272A JPH10294272A JP9115053A JP11505397A JPH10294272A JP H10294272 A JPH10294272 A JP H10294272A JP 9115053 A JP9115053 A JP 9115053A JP 11505397 A JP11505397 A JP 11505397A JP H10294272 A JPH10294272 A JP H10294272A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェハ表面における空気揺らぎに起因する、
オートフォーカスやアライメントの精度劣化の問題を解
決することのできる露光装置を提供する。 【解決手段】 露光装置１の投影光学系ＰＬとウェハＷ
との間の空間を遮風する遮風筒７を設け、同空間内の気
流を抑止する。アライメント中や露光中は遮風筒７を下
降させて遮風筒内の気流を抑止し、アライメント光やＡ
Ｆ光、露光光の揺らぎを防止する。
オートフォーカスやアライメントの精度劣化の問題を解
決することのできる露光装置を提供する。 【解決手段】 露光装置１の投影光学系ＰＬとウェハＷ
との間の空間を遮風する遮風筒７を設け、同空間内の気
流を抑止する。アライメント中や露光中は遮風筒７を下
降させて遮風筒内の気流を抑止し、アライメント光やＡ
Ｆ光、露光光の揺らぎを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ等の感応基
板表面に半導体回路パターン等を形成するのに用いる露
光装置及び露光方法に関する。特には、空気揺らぎに起
因する、オートフォーカスやアライメントの精度劣化の
問題を解決することのできる露光装置及び露光方法に関
する。
板表面に半導体回路パターン等を形成するのに用いる露
光装置及び露光方法に関する。特には、空気揺らぎに起
因する、オートフォーカスやアライメントの精度劣化の
問題を解決することのできる露光装置及び露光方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子や液晶表示素子製造の
リソグラフィー工程では、マスク又はレチクル（以下、
レチクルと称す。）のパターンを投影光学系を介して感
応基板（例えば、表面にレジスト層が形成されたウエハ
やガラスプレート）上に転写する装置として、ステップ
・アンド・リピート方式の投影型露光装置（ステッパ）
が多用されている。この種の露光装置は、投影光学系と
感応基板としてのウエハ表面との間隔を、一例でおよそ
１５mm程度設けている。また、投影光学系の露光フィー
ルド内の中央の計測点あるいは複数の計測点でのウエハ
の焦点位置（高さ）を検出するオートフォーカスセンサ
（以下、適宜ＡＦセンサと称す。）が備えられている。
このＡＦセンサは、ウエハ表面に対して送光系から光を
斜めに照射し、その反射光を受光系が受光する、いわゆ
る斜入射式ＡＦセンサを用いることが一般的であり、例
えば特開昭６０−１６８１１２号公報に詳述されてい
る。
リソグラフィー工程では、マスク又はレチクル（以下、
レチクルと称す。）のパターンを投影光学系を介して感
応基板（例えば、表面にレジスト層が形成されたウエハ
やガラスプレート）上に転写する装置として、ステップ
・アンド・リピート方式の投影型露光装置（ステッパ）
が多用されている。この種の露光装置は、投影光学系と
感応基板としてのウエハ表面との間隔を、一例でおよそ
１５mm程度設けている。また、投影光学系の露光フィー
ルド内の中央の計測点あるいは複数の計測点でのウエハ
の焦点位置（高さ）を検出するオートフォーカスセンサ
（以下、適宜ＡＦセンサと称す。）が備えられている。
このＡＦセンサは、ウエハ表面に対して送光系から光を
斜めに照射し、その反射光を受光系が受光する、いわゆ
る斜入射式ＡＦセンサを用いることが一般的であり、例
えば特開昭６０−１６８１１２号公報に詳述されてい
る。
【０００３】この斜入射式ＡＦセンサにおいて、送光系
から照射される光（以下、ＡＦ光と称す。）の入射角度
は、ウェハに対して極めて浅く、例えば８度くらいであ
る（図１参照）。これは、次の理由による。投影レンズ
の露光領域が直径３５mmとすれば、１５mm上空からＮ．
Ａ．０．６くらいの光が通るためには、投影レンズは半
径で露光領域よりも１１mm大きくなくてはならない。し
たがって、レンズの直径は５７mm以上必要である。レン
ズを支える金物（鏡筒）の直径は更に大きく、半径で２
０mm大きく見込むと、金物の外形は直径１００mm近い。
ＡＦ光は、その直径１００mmにも及ぶ投影レンズを挟む
形で送光系、受光系が構成されるため、ＡＦ光がＡＦ送
光光学系を出て受光光学系に入射するまでに空気中を通
る距離は１５０mm〜２００mmになってしまう。
から照射される光（以下、ＡＦ光と称す。）の入射角度
は、ウェハに対して極めて浅く、例えば８度くらいであ
る（図１参照）。これは、次の理由による。投影レンズ
の露光領域が直径３５mmとすれば、１５mm上空からＮ．
Ａ．０．６くらいの光が通るためには、投影レンズは半
径で露光領域よりも１１mm大きくなくてはならない。し
たがって、レンズの直径は５７mm以上必要である。レン
ズを支える金物（鏡筒）の直径は更に大きく、半径で２
０mm大きく見込むと、金物の外形は直径１００mm近い。
ＡＦ光は、その直径１００mmにも及ぶ投影レンズを挟む
形で送光系、受光系が構成されるため、ＡＦ光がＡＦ送
光光学系を出て受光光学系に入射するまでに空気中を通
る距離は１５０mm〜２００mmになってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】通常、露光装置を覆う
チャンバ内では、温度、圧力及び湿度等を所定の値に保
つために空調されている。しかし、この空調による空気
流を主たる原因として、上記ＡＦ光の光路中の空気揺ら
ぎが発生するため、検出精度が悪化し、正確なウエハの
焦点位置検出ができないという不都合が生じる。つま
り、投影光学系とウエハとの間の空間に空調気流による
空気揺らぎが発生し、この空気揺らぎがウエハの焦点位
置検出に悪影響を与えていた。
チャンバ内では、温度、圧力及び湿度等を所定の値に保
つために空調されている。しかし、この空調による空気
流を主たる原因として、上記ＡＦ光の光路中の空気揺ら
ぎが発生するため、検出精度が悪化し、正確なウエハの
焦点位置検出ができないという不都合が生じる。つま
り、投影光学系とウエハとの間の空間に空調気流による
空気揺らぎが発生し、この空気揺らぎがウエハの焦点位
置検出に悪影響を与えていた。
【０００５】さらに、例えば投影光学系と、一定の距離
を隔てて設けられ、ウエハ上に設けられたアライメント
用マーク等を検出するウエハ用アライメント顕微鏡にお
いても同様に、ウエハ用アライメント顕微鏡とウエハ表
面と間の空間における空気揺らぎがアライメント精度に
悪影響を及ぼすという不都合が生じていた。
を隔てて設けられ、ウエハ上に設けられたアライメント
用マーク等を検出するウエハ用アライメント顕微鏡にお
いても同様に、ウエハ用アライメント顕微鏡とウエハ表
面と間の空間における空気揺らぎがアライメント精度に
悪影響を及ぼすという不都合が生じていた。
【０００６】本発明は、上記不都合に鑑みてなされたも
のであり、空気揺らぎの悪影響を受けることなく、ウエ
ハの焦点位置検出あるいはアライメント用マークの検出
を行うことができる露光装置及び露光方法を提供するこ
とを目的とする。
のであり、空気揺らぎの悪影響を受けることなく、ウエ
ハの焦点位置検出あるいはアライメント用マークの検出
を行うことができる露光装置及び露光方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様の露光装置は、マスクに形成され
たパターンの像を投影光学系を介して感応基板上に転写
する露光装置において、前記投影光学系と前記感応基板
との間の空間及び／又は前記投影光学系と前記マスクと
の間の空間を遮風する遮風部材を設け、 該遮風部材に
よって遮られた空間内の気流を抑止したことを特徴とす
る。
め、本発明の第１態様の露光装置は、マスクに形成され
たパターンの像を投影光学系を介して感応基板上に転写
する露光装置において、前記投影光学系と前記感応基板
との間の空間及び／又は前記投影光学系と前記マスクと
の間の空間を遮風する遮風部材を設け、 該遮風部材に
よって遮られた空間内の気流を抑止したことを特徴とす
る。
【０００８】本発明の第２態様の露光装置は、マスクに
形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基板
上に転写する露光装置において、 前記投影光学系と前
記感応基板との間の空間及び／又は前記投影光学系と前
記マスクとの間の空間を遮風する第１の遮風部材と、
前記投影光学系の外側に設けられ、前記感応基板上に設
けられたアライメントマークの位置を検出するアライメ
ント光学系と、 該アライメント光学系と前記感応基板
との間の空間を遮風する第２の遮風手段とを設け、 前
記第１及び第２の遮風部材によって遮られた空間内の気
流を抑止したことを特徴とする。
形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基板
上に転写する露光装置において、 前記投影光学系と前
記感応基板との間の空間及び／又は前記投影光学系と前
記マスクとの間の空間を遮風する第１の遮風部材と、
前記投影光学系の外側に設けられ、前記感応基板上に設
けられたアライメントマークの位置を検出するアライメ
ント光学系と、 該アライメント光学系と前記感応基板
との間の空間を遮風する第２の遮風手段とを設け、 前
記第１及び第２の遮風部材によって遮られた空間内の気
流を抑止したことを特徴とする。
【０００９】本発明においては、前記遮風部材によって
遮風される空間を開閉するために、前記遮風部材を駆動
する駆動手段をさらに設けることもできる。ウェハ交換
時に遮風部材が障害となる場合には、遮風部材を開放し
てウェハの出し入れを可能とし、アライメント中や露光
中は遮風部材を閉じて遮風部材内の気流を抑止し、アラ
イメント光やＡＦ光、露光光の揺らぎを防止する。
遮風される空間を開閉するために、前記遮風部材を駆動
する駆動手段をさらに設けることもできる。ウェハ交換
時に遮風部材が障害となる場合には、遮風部材を開放し
てウェハの出し入れを可能とし、アライメント中や露光
中は遮風部材を閉じて遮風部材内の気流を抑止し、アラ
イメント光やＡＦ光、露光光の揺らぎを防止する。
【００１０】本発明の第１態様の露光方法は、 マスク
に形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基
板上に転写する露光方法において、 感応基板に対し
て、少なくともアライメントする時、高さ位置検出する
時及び露光する時に、前記投影光学系と前記感応基板と
の間の空間及び／又は前記投影光学系と前記マスクとの
間の空間を遮風し、該空間内の気流を抑止するととも
に、 感応基板の交換時は、前記空間の遮風を解除する
ことを特徴とする。
に形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基
板上に転写する露光方法において、 感応基板に対し
て、少なくともアライメントする時、高さ位置検出する
時及び露光する時に、前記投影光学系と前記感応基板と
の間の空間及び／又は前記投影光学系と前記マスクとの
間の空間を遮風し、該空間内の気流を抑止するととも
に、 感応基板の交換時は、前記空間の遮風を解除する
ことを特徴とする。
【００１１】本発明の第２態様の露光方法は、 マスク
に形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基
板上に転写する露光方法において、 感応基板に対し
て、少なくともアライメントする時、高さ位置検出する
時及び露光する時に、前記投影光学系と前記感応基板と
の間の空間及び／又は前記投影光学系と前記マスクとの
間の空間を遮風し、該空間内の気流を抑止するととも
に、 感応基板の交換時は、遮風を保ったまま、感応基
板を載置したステージを移動させて感応基板を交換する
ことを特徴とする。
に形成されたパターンの像を投影光学系を介して感応基
板上に転写する露光方法において、 感応基板に対し
て、少なくともアライメントする時、高さ位置検出する
時及び露光する時に、前記投影光学系と前記感応基板と
の間の空間及び／又は前記投影光学系と前記マスクとの
間の空間を遮風し、該空間内の気流を抑止するととも
に、 感応基板の交換時は、遮風を保ったまま、感応基
板を載置したステージを移動させて感応基板を交換する
ことを特徴とする。
【００１２】本発明の露光装置は、 さらに、 前記感
応基板上に設けられたアライメントマークの位置を検出
するアライメント光学系と、 前記投影光学系の光軸方
向に対する前記感応基板の位置を検出する高さ位置検出
手段とを有し、 前記遮風部材は、前記投影光学系を囲
むように、又は、前記投影光学系と前記アライメント光
学系及び／又は前記高さ位置検出手段とを囲むように設
けることができる。
応基板上に設けられたアライメントマークの位置を検出
するアライメント光学系と、 前記投影光学系の光軸方
向に対する前記感応基板の位置を検出する高さ位置検出
手段とを有し、 前記遮風部材は、前記投影光学系を囲
むように、又は、前記投影光学系と前記アライメント光
学系及び／又は前記高さ位置検出手段とを囲むように設
けることができる。
【００１３】本発明においては、上記遮風部材を、上記
投影光学系、アライメント光学系又は対物光学系の鏡筒
の外周から感応基板側に突き出すように設けた、該光学
系光軸に添って上昇下降（開閉）可能な遮風筒とし、該
筒下降（閉）時に、この遮風筒の下端が感応基板表面と
微小な間隔を隔てて位置決めするものとすることができ
る。極力遮風部材内の空間の体積を減らすことにより遮
風部材内の環境条件の不均一さに起因する空気揺らぎを
抑制することができる。また、遮風筒の開閉時には、該
遮風筒を軸方向に動かすので、遮風筒の動きに伴う空気
流を最小とすることができる。
投影光学系、アライメント光学系又は対物光学系の鏡筒
の外周から感応基板側に突き出すように設けた、該光学
系光軸に添って上昇下降（開閉）可能な遮風筒とし、該
筒下降（閉）時に、この遮風筒の下端が感応基板表面と
微小な間隔を隔てて位置決めするものとすることができ
る。極力遮風部材内の空間の体積を減らすことにより遮
風部材内の環境条件の不均一さに起因する空気揺らぎを
抑制することができる。また、遮風筒の開閉時には、該
遮風筒を軸方向に動かすので、遮風筒の動きに伴う空気
流を最小とすることができる。
【００１４】本発明においては、上記露光装置はオート
フォーカスセンサを有し、上記遮風筒に、該オートフォ
ーカスセンサビームが通過する穴が開いていることとす
ることができる。オートフォーカスセンサを遮風筒内に
収納することもできるが、その場合は遮風筒径が大きく
なるとともに、オートフォーカスセンサの配置に制約が
生じる。したがって、遮風筒は必要最小限の寸法とし、
オートフォーカスセンサビームが通る穴を最小限の寸法
で（例後述）遮風筒に開ける方が有利である。
フォーカスセンサを有し、上記遮風筒に、該オートフォ
ーカスセンサビームが通過する穴が開いていることとす
ることができる。オートフォーカスセンサを遮風筒内に
収納することもできるが、その場合は遮風筒径が大きく
なるとともに、オートフォーカスセンサの配置に制約が
生じる。したがって、遮風筒は必要最小限の寸法とし、
オートフォーカスセンサビームが通る穴を最小限の寸法
で（例後述）遮風筒に開ける方が有利である。
【００１５】なお、本発明の遮風部材を、オフアクシス
のアライメント顕微鏡やアライメント検査装置（レジス
トレーション測定装置）のみについて設置することもで
きる。これらの装置においても、検出光や検査光の揺ら
ぎを防止して、より精度の高い検出や測定を行うことが
できる。
のアライメント顕微鏡やアライメント検査装置（レジス
トレーション測定装置）のみについて設置することもで
きる。これらの装置においても、検出光や検査光の揺ら
ぎを防止して、より精度の高い検出や測定を行うことが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつより具体
的に説明する。まず、図２を参照しつつ本発明の適用対
象例である露光装置（ステッパー）の全体構成を説明す
る。図２は本例のステッパーの全体の構成を示し、この
図２において、１０１は水銀ランプである。水銀ランプ
１０１からの露光光ＩＬは楕円鏡１０２で焦光された後
に、インプットレンズ１０３でほぼ平行光束に変換され
る。楕円鏡１０２とインプットレンズ１０３との間にシ
ャッター１０５が配置され、駆動モータ１０６によりそ
のシャッター１０５を閉じることにより、露光光ＩＬの
インプットレンズ１０３に対する供給を停止することが
できる。１０７は装置全体の動作を制御する主制御系を
示し、主制御系１０７が駆動モータ１０６の動作を制御
する。なお、水銀ランプ１０１の他に、ＫｒＦエキシマ
レーザー等のパルスレーザー光源又はその他の光源を使
用できる。
的に説明する。まず、図２を参照しつつ本発明の適用対
象例である露光装置（ステッパー）の全体構成を説明す
る。図２は本例のステッパーの全体の構成を示し、この
図２において、１０１は水銀ランプである。水銀ランプ
１０１からの露光光ＩＬは楕円鏡１０２で焦光された後
に、インプットレンズ１０３でほぼ平行光束に変換され
る。楕円鏡１０２とインプットレンズ１０３との間にシ
ャッター１０５が配置され、駆動モータ１０６によりそ
のシャッター１０５を閉じることにより、露光光ＩＬの
インプットレンズ１０３に対する供給を停止することが
できる。１０７は装置全体の動作を制御する主制御系を
示し、主制御系１０７が駆動モータ１０６の動作を制御
する。なお、水銀ランプ１０１の他に、ＫｒＦエキシマ
レーザー等のパルスレーザー光源又はその他の光源を使
用できる。
【００１７】インプットレンズ１０３から射出された露
光光ＩＬは、オプティカルインテグレータとしてのフラ
イアイレンズ１０４に入射し、フライアイレンズ１０４
の射出側（レチクルＲ側）の焦平面に多数の２次光源が
形成される。また、この２次光源の形成面には可変開口
絞り１０８が配置されている。
光光ＩＬは、オプティカルインテグレータとしてのフラ
イアイレンズ１０４に入射し、フライアイレンズ１０４
の射出側（レチクルＲ側）の焦平面に多数の２次光源が
形成される。また、この２次光源の形成面には可変開口
絞り１０８が配置されている。
【００１８】その可変開口絞り１０８の開口部、すなわ
ち２次光源より射出された露光光ＩＬは、透過率が高く
反射率の低いビームスプリッター１０９、第１リレーレ
ンズ１１０、可変レチクルブラインド１１１及び第２リ
レーレンズ１１２を経て主コンデンサレンズ１１３に入
射する。主コンデンサレンズ１１３により適度に集光さ
れた露光光ＩＬがミラー１１４でほぼ鉛直下方に反射さ
れて、ほぼ均一な照度でレチクルＲを照明する。この場
合、可変レチクルブラインド１１１はレチクルＲと共役
な面に配置され、レチクルＲに対する露光光ＩＬの照明
視野絞りとして機能しており、主制御系１０７は、駆動
装置１１５を介して可変レチクルブラインド１１１の開
口部の形状を所定の状態に設定する。
ち２次光源より射出された露光光ＩＬは、透過率が高く
反射率の低いビームスプリッター１０９、第１リレーレ
ンズ１１０、可変レチクルブラインド１１１及び第２リ
レーレンズ１１２を経て主コンデンサレンズ１１３に入
射する。主コンデンサレンズ１１３により適度に集光さ
れた露光光ＩＬがミラー１１４でほぼ鉛直下方に反射さ
れて、ほぼ均一な照度でレチクルＲを照明する。この場
合、可変レチクルブラインド１１１はレチクルＲと共役
な面に配置され、レチクルＲに対する露光光ＩＬの照明
視野絞りとして機能しており、主制御系１０７は、駆動
装置１１５を介して可変レチクルブラインド１１１の開
口部の形状を所定の状態に設定する。
【００１９】レチクルＲのパターン領域を通過した露光
光ＩＬは、投影光学系ＰＬによりウエハＷ上のショット
領域に集束され、これによりレチクルＲのパターンがウ
エハＷのそのショット領域に所定の縮小倍率で転写され
る。投影光学系ＰＬのフーリエ変換面（瞳面）はフライ
アイレンズ１０４の２次光源形成面と共役である。ま
た、ウエハＷはウエハホルダ１１６上に保持され、ウエ
ハホルダ１１６はウエハステージ１１７上に載置されて
いる。ウエハステージ１１７は、投影光学系ＰＬの光軸
に垂直な面内でウエハＷを２次元的に位置決めするＸＹ
ステージ及び投影光学系ＰＬの光軸に平行な方向にウエ
ハＷを位置決めするＺステージ等より構成されている。
光ＩＬは、投影光学系ＰＬによりウエハＷ上のショット
領域に集束され、これによりレチクルＲのパターンがウ
エハＷのそのショット領域に所定の縮小倍率で転写され
る。投影光学系ＰＬのフーリエ変換面（瞳面）はフライ
アイレンズ１０４の２次光源形成面と共役である。ま
た、ウエハＷはウエハホルダ１１６上に保持され、ウエ
ハホルダ１１６はウエハステージ１１７上に載置されて
いる。ウエハステージ１１７は、投影光学系ＰＬの光軸
に垂直な面内でウエハＷを２次元的に位置決めするＸＹ
ステージ及び投影光学系ＰＬの光軸に平行な方向にウエ
ハＷを位置決めするＺステージ等より構成されている。
【００２０】ウエハステージ１１７上のウエハホルダ１
１６の近傍には、光電変換素子よりなる照射量モニタ１
１９を配置し、ウエハステージ１１７の上面に移動ミラ
ー１２０を固定する。ウエハステージ１１７を駆動して
照射量モニタ１１９を投影光学系ＰＬの露光領域に設定
することにより、投影光学系ＰＬを介して実際にウエハ
Ｗに照射される露光光ＩＬのパワーを計測することがで
き、その照射量モニタ１１９の検出信号を主制御系１０
７に供給する。
１６の近傍には、光電変換素子よりなる照射量モニタ１
１９を配置し、ウエハステージ１１７の上面に移動ミラ
ー１２０を固定する。ウエハステージ１１７を駆動して
照射量モニタ１１９を投影光学系ＰＬの露光領域に設定
することにより、投影光学系ＰＬを介して実際にウエハ
Ｗに照射される露光光ＩＬのパワーを計測することがで
き、その照射量モニタ１１９の検出信号を主制御系１０
７に供給する。
【００２１】１２１はレーザー干渉計を示し、このレー
ザー干渉計１２１からのレーザービームを移動ミラー１
２０で反射することにより、ウエハステージ１１７の投
影光学系ＰＬの光軸に垂直な面内での座標を検出するこ
とができる。この座標情報を主制御系１０７及び後述の
座標計測回路１２６に供給する。主制御系１０７は、供
給された座標をモニターしつつ駆動部１２２を介してウ
エハステージ１１７の位置決めを制御する。
ザー干渉計１２１からのレーザービームを移動ミラー１
２０で反射することにより、ウエハステージ１１７の投
影光学系ＰＬの光軸に垂直な面内での座標を検出するこ
とができる。この座標情報を主制御系１０７及び後述の
座標計測回路１２６に供給する。主制御系１０７は、供
給された座標をモニターしつつ駆動部１２２を介してウ
エハステージ１１７の位置決めを制御する。
【００２２】次に、ウエハＷから反射された露光光は、
投影光学系ＰＬ、レチクルＲ、ミラー１１４、主コンデ
ンサレンズ１１３、第２リレーレンズ１１２、可変レチ
クルブラインド１１１及び第１リレーレンズ１１０を経
てビームスプリッター１０９に戻る。このビームスプリ
ッター１０９で反射された露光光ＩＬは光電変換素子よ
りなる反射率モニタ１２３の受光面に入射する。反射率
モニタ１２３による検出信号が主制御系１０７に供給さ
れている。主制御系１０７は、駆動部１２２を介してウ
エハステージ１１７を移動させて、順次ウエハＷ及び図
示省略した基準反射板を投影光学系ＰＬの露光領域内に
設定することにより、ウエハＷ及び基準反射板に対応す
る反射率モニタ１２３の検出信号を得る。そして、予め
基準反射板の反射率を記憶しておくことにより、例えば
比例関係からそのウエハＷの反射率を求めることができ
る。
投影光学系ＰＬ、レチクルＲ、ミラー１１４、主コンデ
ンサレンズ１１３、第２リレーレンズ１１２、可変レチ
クルブラインド１１１及び第１リレーレンズ１１０を経
てビームスプリッター１０９に戻る。このビームスプリ
ッター１０９で反射された露光光ＩＬは光電変換素子よ
りなる反射率モニタ１２３の受光面に入射する。反射率
モニタ１２３による検出信号が主制御系１０７に供給さ
れている。主制御系１０７は、駆動部１２２を介してウ
エハステージ１１７を移動させて、順次ウエハＷ及び図
示省略した基準反射板を投影光学系ＰＬの露光領域内に
設定することにより、ウエハＷ及び基準反射板に対応す
る反射率モニタ１２３の検出信号を得る。そして、予め
基準反射板の反射率を記憶しておくことにより、例えば
比例関係からそのウエハＷの反射率を求めることができ
る。
【００２３】１２４はオフアクシスのアライメント光学
系を示し、このアライメント光学系１２４からのアライ
メントビームを投影光学系ＰＬに導くためのミラー１２
５がレチクルＲと投影光学系ＰＬとの間に配置されてい
る。また、ウエハＷの各ショット領域の近傍にはそれぞ
れＸ軸用のアライメントマーク（ウエハマーク）及びＹ
軸用のウエハマークが形成されている。そして、ウエハ
Ｗの所定のショット領域の座標を計測する場合には、ア
ライメント光学系１２４からのアライメントビームをミ
ラー１２５及び投影光学系ＰＬを介してそのショット領
域のＸ軸用のウエハマークに照射し、このウエハマーク
から反射（又は回折）されるビームを投影光学系ＰＬ及
びミラー１２５を介してアライメント光学系１２４で受
光する。アライメント光学系１２４ではそのウエハマー
クからのビームを用いてそのウエハマークのＸ座標に対
応する位置信号を検出して座標計測回路１２６に供給す
る。
系を示し、このアライメント光学系１２４からのアライ
メントビームを投影光学系ＰＬに導くためのミラー１２
５がレチクルＲと投影光学系ＰＬとの間に配置されてい
る。また、ウエハＷの各ショット領域の近傍にはそれぞ
れＸ軸用のアライメントマーク（ウエハマーク）及びＹ
軸用のウエハマークが形成されている。そして、ウエハ
Ｗの所定のショット領域の座標を計測する場合には、ア
ライメント光学系１２４からのアライメントビームをミ
ラー１２５及び投影光学系ＰＬを介してそのショット領
域のＸ軸用のウエハマークに照射し、このウエハマーク
から反射（又は回折）されるビームを投影光学系ＰＬ及
びミラー１２５を介してアライメント光学系１２４で受
光する。アライメント光学系１２４ではそのウエハマー
クからのビームを用いてそのウエハマークのＸ座標に対
応する位置信号を検出して座標計測回路１２６に供給す
る。
【００２４】座標計測回路１２６にはレーザー干渉計１
２１で計測された現在のウエハステージ１１７のＸ座標
及びＹ座標が常時供給されている。したがって、座標計
測回路１２６は、ウエハＷのそのショット領域のＸ軸用
のウエハマークのウエハステージ１１７上でのＸ座標を
求めることができる。同様にアライメント光学系１２４
はウエハＷのＹ軸用のウエハマークに対するアライメン
トビームも発生しており、座標検出回路１２６は、ウエ
ハＷのそのショット領域のＹ軸用のウエハマークのウエ
ハステージ１１７上でのＹ座標を求めることができる。
これらＸ軸用のウエハマークの座標及びＹ軸用のウエハ
マークの座標によりそのショット領域の２次元的な座標
が特定される。
２１で計測された現在のウエハステージ１１７のＸ座標
及びＹ座標が常時供給されている。したがって、座標計
測回路１２６は、ウエハＷのそのショット領域のＸ軸用
のウエハマークのウエハステージ１１７上でのＸ座標を
求めることができる。同様にアライメント光学系１２４
はウエハＷのＹ軸用のウエハマークに対するアライメン
トビームも発生しており、座標検出回路１２６は、ウエ
ハＷのそのショット領域のＹ軸用のウエハマークのウエ
ハステージ１１７上でのＹ座標を求めることができる。
これらＸ軸用のウエハマークの座標及びＹ軸用のウエハ
マークの座標によりそのショット領域の２次元的な座標
が特定される。
【００２５】図１は、本発明の１実施例に係る露光装置
の全体構成を模式的に示す側面図である。図３は、図１
の露光装置のウエハステージ及び投影光学系周辺を拡大
して示す側面図である。この実施例の露光装置１は、投
影光学系ＰＬとウェハＷとの間を遮風する遮風筒７を有
するとともに、レチクルＲと投影光学系ＰＬとの間を遮
風する遮風筒５５も有している。この遮風筒５５によ
り、レチクルＲと投影光学系ＰＬ間の空気揺らぎを抑止
して、アライメント光（Through The Reticle 型）や露
光光の揺らぎを防止することができる。なお、この遮風
筒５５も、レチクル交換時には下に移動して、レチクル
ステージＲＳＴの動きと干渉しないようになっている。
の全体構成を模式的に示す側面図である。図３は、図１
の露光装置のウエハステージ及び投影光学系周辺を拡大
して示す側面図である。この実施例の露光装置１は、投
影光学系ＰＬとウェハＷとの間を遮風する遮風筒７を有
するとともに、レチクルＲと投影光学系ＰＬとの間を遮
風する遮風筒５５も有している。この遮風筒５５によ
り、レチクルＲと投影光学系ＰＬ間の空気揺らぎを抑止
して、アライメント光（Through The Reticle 型）や露
光光の揺らぎを防止することができる。なお、この遮風
筒５５も、レチクル交換時には下に移動して、レチクル
ステージＲＳＴの動きと干渉しないようになっている。
【００２６】図 1の露光装置１のウェハステージＷＳ
は、感応基板であるウェハＷを載置して３次元的に移動
するステージであり、真空チャックや、Ｘ、Ｙ、Ｚステ
ージから構成されている。なお、通常光軸方向をＺ軸、
光軸に垂直な面内にＸ、Ｙ軸をとる。
は、感応基板であるウェハＷを載置して３次元的に移動
するステージであり、真空チャックや、Ｘ、Ｙ、Ｚステ
ージから構成されている。なお、通常光軸方向をＺ軸、
光軸に垂直な面内にＸ、Ｙ軸をとる。
【００２７】ウェハステージＷＳ上方には、投影レンズ
等の投影光学系ＰＬが、通常は地球鉛直線と平行な光軸
５に沿って配置されている。投影レンズ鏡筒３は、投影
光学系ＰＬの最下端の投影レンズの外周を覆う金物であ
る。
等の投影光学系ＰＬが、通常は地球鉛直線と平行な光軸
５に沿って配置されている。投影レンズ鏡筒３は、投影
光学系ＰＬの最下端の投影レンズの外周を覆う金物であ
る。
【００２８】投影レンズ鏡筒３の下端部両サイドには、
オートフォーカスセンサであるＡＦ送光系ＡＦＳとＡＦ
受光系ＡＦＲとが配置されている。ＡＦ送光系ＡＦＳ
は、斜め下方に向けられており、ウェハＷ表面に向けて
ＡＦビームＡＦＢを発する。ＡＦ受光系ＡＦＲは、ウェ
ハＷ表面で反射してきたＡＦビームＡＦＢを受光し、そ
のビーム入射位置（ウェハＷ表面高さ）を検出する。こ
のＡＦ信号に基づいてウェハステージＷＳのＺステージ
を動かして投影光学系の焦点がウェハＷ表面に来るよう
にオートフォーカスをかける。
オートフォーカスセンサであるＡＦ送光系ＡＦＳとＡＦ
受光系ＡＦＲとが配置されている。ＡＦ送光系ＡＦＳ
は、斜め下方に向けられており、ウェハＷ表面に向けて
ＡＦビームＡＦＢを発する。ＡＦ受光系ＡＦＲは、ウェ
ハＷ表面で反射してきたＡＦビームＡＦＢを受光し、そ
のビーム入射位置（ウェハＷ表面高さ）を検出する。こ
のＡＦ信号に基づいてウェハステージＷＳのＺステージ
を動かして投影光学系の焦点がウェハＷ表面に来るよう
にオートフォーカスをかける。
【００２９】投影レンズ鏡筒３の下端部外周には遮風筒
（スカート）７が設けられている。遮風筒７は、薄肉の
円筒状のものであり、投影レンズ鏡筒３の下端部外周
に、エアーシリンダー９ａ及び９ｂによって上下動可能
に装備されている。この例では、エアーシリンダー９は
遮風筒７内に設けられているが、遮風筒外に設けること
もできる。遮風筒７の材料は、特に限定されず、金属
板、プラスチック板（アクリル等）等を利用できる。そ
の厚さは、歪が生じない程度に薄くても問題はない。
（スカート）７が設けられている。遮風筒７は、薄肉の
円筒状のものであり、投影レンズ鏡筒３の下端部外周
に、エアーシリンダー９ａ及び９ｂによって上下動可能
に装備されている。この例では、エアーシリンダー９は
遮風筒７内に設けられているが、遮風筒外に設けること
もできる。遮風筒７の材料は、特に限定されず、金属
板、プラスチック板（アクリル等）等を利用できる。そ
の厚さは、歪が生じない程度に薄くても問題はない。
【００３０】図３における符号１１の二点鎖線は、遮風
筒７の上昇時の下端の位置を示し、符号１３の実線は、
遮風筒７の下降時の下端の位置を示す。上昇位置１１
は、ほぼ投影レンズ鏡筒３の下端と同じレベルであり、
この位置１１とウェハＷ上面との間のスキマＨは約１５
mmである。本実施例の露光装置では、このスキマＨの間
で、図３の右端に描かれているウェハ交換アーム４１が
動いて、ウェハ交換を行う。なお、ウェハ交換の際に
は、ウェハＷを投影レンズ鏡筒７から外側に出す方式の
露光装置もある。その場合は、アーム４１は投影レンズ
鏡筒７内には入らないので、遮風部材７が上下する必要
はない。
筒７の上昇時の下端の位置を示し、符号１３の実線は、
遮風筒７の下降時の下端の位置を示す。上昇位置１１
は、ほぼ投影レンズ鏡筒３の下端と同じレベルであり、
この位置１１とウェハＷ上面との間のスキマＨは約１５
mmである。本実施例の露光装置では、このスキマＨの間
で、図３の右端に描かれているウェハ交換アーム４１が
動いて、ウェハ交換を行う。なお、ウェハ交換の際に
は、ウェハＷを投影レンズ鏡筒７から外側に出す方式の
露光装置もある。その場合は、アーム４１は投影レンズ
鏡筒７内には入らないので、遮風部材７が上下する必要
はない。
【００３１】遮風筒７の下降時下端位置１３と、ウェハ
Ｗの上面との間には微小なスキマが存在し、遮風筒７が
ウェハＷと接触しないようになっている。このスキマ
は、遮風筒７内外の空気流動通路となるため、できるだ
け狭いほうが好ましい。具体的には、０．１〜５mmが好
ましく、０．２〜１mmが実際的でより好ましい。
Ｗの上面との間には微小なスキマが存在し、遮風筒７が
ウェハＷと接触しないようになっている。このスキマ
は、遮風筒７内外の空気流動通路となるため、できるだ
け狭いほうが好ましい。具体的には、０．１〜５mmが好
ましく、０．２〜１mmが実際的でより好ましい。
【００３２】図４は、図１の露光装置の遮風筒を示す斜
視図である。図５は、図４の遮風筒のビーム通過穴の形
状例を示す。遮風筒７の下降時において、ＡＦビームＡ
ＦＢが通過する左右の部分にはビーム通過穴１８ａ及び
１８ｂが開いている。ビーム１７は、左側のビーム通過
穴１８ａを通って遮風筒７内に入射し、ウェハ表面で反
射して、右側のビーム通過穴１８ｂを通って遮風筒７の
外に出る。
視図である。図５は、図４の遮風筒のビーム通過穴の形
状例を示す。遮風筒７の下降時において、ＡＦビームＡ
ＦＢが通過する左右の部分にはビーム通過穴１８ａ及び
１８ｂが開いている。ビーム１７は、左側のビーム通過
穴１８ａを通って遮風筒７内に入射し、ウェハ表面で反
射して、右側のビーム通過穴１８ｂを通って遮風筒７の
外に出る。
【００３３】ビーム通過穴１８の形状例としては、図５
（Ａ）のような単一の円形、図５（Ｂ）のような細長い
長円形、図５（Ｃ）のような複数の円をある間隔置いて
並べて配置したものを挙げることができる。ＡＦビーム
を当てる位置を複数として、ＡＦの精度向上を図ること
を行うが、その場合には、長円形や円の複数配置が好ま
しい。
（Ａ）のような単一の円形、図５（Ｂ）のような細長い
長円形、図５（Ｃ）のような複数の円をある間隔置いて
並べて配置したものを挙げることができる。ＡＦビーム
を当てる位置を複数として、ＡＦの精度向上を図ること
を行うが、その場合には、長円形や円の複数配置が好ま
しい。
【００３４】ビーム通過穴の寸法は、図中のｒで、１〜
１０mmが好ましく、２．５〜４mmがより好ましい。ま
た、長円の幅ｂは１０〜３０mmが好ましい。２個の穴の
巾ｂ’は、１０〜５０mmが好ましい。ＡＦビームの径、
及び、走査角度を考慮した上の数値である。
１０mmが好ましく、２．５〜４mmがより好ましい。ま
た、長円の幅ｂは１０〜３０mmが好ましい。２個の穴の
巾ｂ’は、１０〜５０mmが好ましい。ＡＦビームの径、
及び、走査角度を考慮した上の数値である。
【００３５】再び図１を参照しつつ説明する。図の右に
描かれているアライメント顕微鏡ＡＭは、オフアクシス
でのアライメント用の装置である。Through The Lens
（ＴＴＬ）やThrough The Reticle （ＴＴＲ）といった
オンアクシスのアライメント方式では、アライメント光
（照明・反射）が露光系の投影レンズを通るようになっ
ているが、オフアクシスでは、露光系の脇に別途のアラ
イメント光学系を設けてアライメント光が露光系を通ら
ないようになっている。なお、上記アライメント方式の
選択は、露光光やアライメント光の波長、光学系の収
差、ウェハステージの精度等を考慮して決定される。
描かれているアライメント顕微鏡ＡＭは、オフアクシス
でのアライメント用の装置である。Through The Lens
（ＴＴＬ）やThrough The Reticle （ＴＴＲ）といった
オンアクシスのアライメント方式では、アライメント光
（照明・反射）が露光系の投影レンズを通るようになっ
ているが、オフアクシスでは、露光系の脇に別途のアラ
イメント光学系を設けてアライメント光が露光系を通ら
ないようになっている。なお、上記アライメント方式の
選択は、露光光やアライメント光の波長、光学系の収
差、ウェハステージの精度等を考慮して決定される。
【００３６】アライメント顕微鏡ＡＭの鏡筒３３にも、
上述の投影レンズ鏡筒同様に、エアーシリンダー３７に
よって上下移動式の遮風筒３５が設けられている。遮風
筒３５の上昇時下端位置３８及び下降時下端位置３９と
ウェハＷ上面との寸法関係も、前述の露光系投影レンズ
用の遮風筒７の場合と同様である。このアライメント顕
微鏡ＡＭ用の鏡筒３３は、ウェハＷのアライメント時
（ウェハステージＷＳ及びウェハＷはアライメント顕微
鏡ＡＭの下に来ている）に下に降りて、同顕微鏡３１の
視野内における空気揺らぎを防止する。
上述の投影レンズ鏡筒同様に、エアーシリンダー３７に
よって上下移動式の遮風筒３５が設けられている。遮風
筒３５の上昇時下端位置３８及び下降時下端位置３９と
ウェハＷ上面との寸法関係も、前述の露光系投影レンズ
用の遮風筒７の場合と同様である。このアライメント顕
微鏡ＡＭ用の鏡筒３３は、ウェハＷのアライメント時
（ウェハステージＷＳ及びウェハＷはアライメント顕微
鏡ＡＭの下に来ている）に下に降りて、同顕微鏡３１の
視野内における空気揺らぎを防止する。
【００３７】図１の露光装置においては、露光が終了す
るとウェハステージＷＳがウェハ交換位置まで移動し、
同時にエアーシリンダー９ａ、９ｂに空気が送り込ま
れ、投影レンズ遮風筒７が上に持ち上げられる。このと
き、アライメント顕微鏡ＡＭの遮風筒３５は、すでにエ
アーシリンダー３７によって上に持ち上げられており、
結果としてウェハ交換時は投影レンズ下およびアライメ
ント顕微鏡下には高さＨの空間ができ、スムーズにウェ
ハ交換が行われる。
るとウェハステージＷＳがウェハ交換位置まで移動し、
同時にエアーシリンダー９ａ、９ｂに空気が送り込ま
れ、投影レンズ遮風筒７が上に持ち上げられる。このと
き、アライメント顕微鏡ＡＭの遮風筒３５は、すでにエ
アーシリンダー３７によって上に持ち上げられており、
結果としてウェハ交換時は投影レンズ下およびアライメ
ント顕微鏡下には高さＨの空間ができ、スムーズにウェ
ハ交換が行われる。
【００３８】ウェハ交換が終わると、ウェハステージＷ
Ｓは、ウェハＷがアライメント顕微鏡ＡＭの下にくるよ
うに移動する。同時にエアーシリンダー３７から空気が
抜かれ、アライメント顕微鏡遮風筒３５が下に降りる。
遮風筒３５は、その先端がウェハＷに衝突することの無
いようになっており、例えばウェハＷ上約１mmの地点で
停止する。同時に、投影レンズ用の遮風筒７駆動用エア
ーシリンダー９ａ、９ｂからも空気が抜かれて、投影レ
ンズ遮風筒７が下に下がる。この遮風筒７も、アライメ
ント顕微鏡遮風筒３５と同様にウェハ上約１mmで停止す
る。
Ｓは、ウェハＷがアライメント顕微鏡ＡＭの下にくるよ
うに移動する。同時にエアーシリンダー３７から空気が
抜かれ、アライメント顕微鏡遮風筒３５が下に降りる。
遮風筒３５は、その先端がウェハＷに衝突することの無
いようになっており、例えばウェハＷ上約１mmの地点で
停止する。同時に、投影レンズ用の遮風筒７駆動用エア
ーシリンダー９ａ、９ｂからも空気が抜かれて、投影レ
ンズ遮風筒７が下に下がる。この遮風筒７も、アライメ
ント顕微鏡遮風筒３５と同様にウェハ上約１mmで停止す
る。
【００３９】アライメント中には、ウェハＷ上のアライ
メントマーク（不図示）が、順次ウェハステージＷＳに
よってアライメント顕微鏡ＡＭの下に位置決めされてい
く。なお、アライメント顕微鏡ＡＭのオートフォーカス
は同顕微鏡３１に付設されている不図示のスルー・ザ・
レンズ（ＴＴＬ）センサにより行われる。
メントマーク（不図示）が、順次ウェハステージＷＳに
よってアライメント顕微鏡ＡＭの下に位置決めされてい
く。なお、アライメント顕微鏡ＡＭのオートフォーカス
は同顕微鏡３１に付設されている不図示のスルー・ザ・
レンズ（ＴＴＬ）センサにより行われる。
【００４０】予め決められた数のアライメント検出が行
われると、ウェハＷが露光投影レンズ下に移動して、ア
ライメント結果を反映した露光位置に位置決めされる。
この時同時にエアーシリンダー３７に空気が送り込ま
れ、アライメント顕微鏡遮風筒３５が上に上がる。な
お、とくにこのタイミングで上げる必要はなく、露光終
了後に投影レンズ遮風筒７と同時に上げても、もちろん
構わない。露光中に遮風筒を上げると、動作時の振動が
ウェハステージの位置決めに影響を与えることがあるの
で控えた方がよい。
われると、ウェハＷが露光投影レンズ下に移動して、ア
ライメント結果を反映した露光位置に位置決めされる。
この時同時にエアーシリンダー３７に空気が送り込ま
れ、アライメント顕微鏡遮風筒３５が上に上がる。な
お、とくにこのタイミングで上げる必要はなく、露光終
了後に投影レンズ遮風筒７と同時に上げても、もちろん
構わない。露光中に遮風筒を上げると、動作時の振動が
ウェハステージの位置決めに影響を与えることがあるの
で控えた方がよい。
【００４１】露光中は、露光系のオートフォーカス用の
ＡＦ送光系ＡＦＳから出射されたビーム１７がウェハＷ
に反射されてＡＦ受光系ＡＦＲへ到達する。ウェハステ
ージの高さ変化はビーム入射位置変化となるため、受光
系１９内にて検知されてオートフォーカスが掛かり、最
適な焦点位置になるようにウェハステージのＺステージ
が上下する。
ＡＦ送光系ＡＦＳから出射されたビーム１７がウェハＷ
に反射されてＡＦ受光系ＡＦＲへ到達する。ウェハステ
ージの高さ変化はビーム入射位置変化となるため、受光
系１９内にて検知されてオートフォーカスが掛かり、最
適な焦点位置になるようにウェハステージのＺステージ
が上下する。
【００４２】図６は、本発明の他の１実施例に係る露光
装置の投影レンズ遮風筒回りを示す側面図である。図１
の実施例との違いは、投影レンズ遮風筒７′の配置の違
いである。図１の実施例ではオートフォーカス送受光系
ＡＦＳ及びＡＦＲの内側に筒壁があり、遮風筒７にオー
トフォーカスビームＡＦＢが通過するための穴１８が開
いていたが、図６の実施例では、オートフォーカス送受
光系ＡＦＳ′及びＡＦＲ′の外側に遮風筒７′が配置さ
れている。つまり遮風筒７′の直径が大きいわけであ
る。この場合筒にはＡＦビーム用の穴を開ける必要はな
い。
装置の投影レンズ遮風筒回りを示す側面図である。図１
の実施例との違いは、投影レンズ遮風筒７′の配置の違
いである。図１の実施例ではオートフォーカス送受光系
ＡＦＳ及びＡＦＲの内側に筒壁があり、遮風筒７にオー
トフォーカスビームＡＦＢが通過するための穴１８が開
いていたが、図６の実施例では、オートフォーカス送受
光系ＡＦＳ′及びＡＦＲ′の外側に遮風筒７′が配置さ
れている。つまり遮風筒７′の直径が大きいわけであ
る。この場合筒にはＡＦビーム用の穴を開ける必要はな
い。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、アライメント光や露光光の通路を遮風部材で
覆ってのその中の気流を抑止し、アライメント光やＡＦ
光、露光光の揺らぎを防止することができる。その結果
アライメントやＡＦの再現精度を向上させることができ
る。
によれば、アライメント光や露光光の通路を遮風部材で
覆ってのその中の気流を抑止し、アライメント光やＡＦ
光、露光光の揺らぎを防止することができる。その結果
アライメントやＡＦの再現精度を向上させることができ
る。
【図１】本発明の１実施例に係る露光装置の全体構成を
模式的に示す側面図である。
模式的に示す側面図である。
【図２】本発明の適用対象例である露光装置（ステッパ
ー）の全体構成を示す側面図である。
ー）の全体構成を示す側面図である。
【図３】図１の露光装置のウエハステージ及び投影光学
系周辺を拡大して示す側面図である。
系周辺を拡大して示す側面図である。
【図４】図１の露光装置の遮風筒を示す斜視図である。
【図５】図４の遮風筒のビーム通過穴の形状例を示す。
【図６】本発明の他の１実施例に係る露光装置の投影レ
ンズ遮風筒回りを示す側面図である。
ンズ遮風筒回りを示す側面図である。
１ 露光装置 ３ 投影レンズ鏡筒 ５ 光軸 ７ 遮風筒（スカート） ９ エアーシリン
ダー １１ スカート下端上昇位置 １３ スカート下
端下降位置 １８ ビーム通過穴 ３１ アライメント顕微鏡 ３３ 鏡筒 ３５ 遮風筒（スカート） ３７ エアーシリ
ンダー ３８ スカート下端上昇位置 ３９ スカート下
端下降位置 ４１ ウェハ交換アーム ＰＬ 投影光学系 ＡＦＳ オートフォーカス送光系 ＡＦＢ オートフ
ォーカスビーム ＡＦＳ オートフォーカス受光系 Ｗ ウェハ ＷＳ ウェハステ
ージ
ダー １１ スカート下端上昇位置 １３ スカート下
端下降位置 １８ ビーム通過穴 ３１ アライメント顕微鏡 ３３ 鏡筒 ３５ 遮風筒（スカート） ３７ エアーシリ
ンダー ３８ スカート下端上昇位置 ３９ スカート下
端下降位置 ４１ ウェハ交換アーム ＰＬ 投影光学系 ＡＦＳ オートフォーカス送光系 ＡＦＢ オートフ
ォーカスビーム ＡＦＳ オートフォーカス受光系 Ｗ ウェハ ＷＳ ウェハステ
ージ
Claims (6)
- 【請求項１】 マスクに形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感応基板上に転写する露光装置におい
て、 前記投影光学系と前記感応基板との間の空間及び／又は
前記投影光学系と前記マスクとの間の空間を遮風する遮
風部材を設け、 該遮風部材によって遮られた空間内の気流を抑止したこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の露光装置において、 前記遮風部材によって遮風される空間を開閉するため
に、前記遮風部材を駆動する駆動手段をさらに設けたこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の露光装置は、さらに、 前記感応基板上に設けられたアライメントマークの位置
を検出するアライメント光学系と、 前記投影光学系の光軸方向に対する前記感応基板の位置
を検出する高さ位置検出手段とを有し、 前記遮風部材は、前記投影光学系を囲むように、又は、
前記投影光学系と前記アライメント光学系及び／又は前
記高さ位置検出手段とを囲むように設けられていること
を特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項４】 マスクに形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感応基板上に転写する露光装置におい
て、 前記投影光学系と前記感応基板との間の空間及び／又は
前記投影光学系と前記マスクとの間の空間を遮風する第
１の遮風部材と、 前記投影光学系の外側に設けられ、前記感応基板上に設
けられたアライメントマークの位置を検出するアライメ
ント光学系と、 該アライメント光学系と前記感応基板との間の空間を遮
風する第２の遮風手段とを設け、 前記第１及び第２の遮風部材によって遮られた空間内の
気流を抑止したことを特徴とする露光装置。 - 【請求項５】 マスクに形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感応基板上に転写する露光方法におい
て、 感応基板に対して、少なくともアライメントする時、高
さ位置検出する時及び露光する時に、前記投影光学系と
前記感応基板との間の空間及び／又は前記投影光学系と
前記マスクとの間の空間を遮風し、該空間内の気流を抑
止するとともに、 感応基板の交換時は、前記空間の遮風を解除することを
特徴とする露光方法。 - 【請求項６】 マスクに形成されたパターンの像を投影
光学系を介して感応基板上に転写する露光方法におい
て、 感応基板に対して、少なくともアライメントする時、高
さ位置検出する時及び露光する時に、前記投影光学系と
前記感応基板との間の空間及び／又は前記投影光学系と
前記マスクとの間の空間を遮風し、該空間内の気流を抑
止するとともに、 感応基板の交換時は、遮風を保ったまま、感応基板を載
置したステージを移動させて感応基板を交換することを
特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115053A JPH10294272A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115053A JPH10294272A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294272A true JPH10294272A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14653018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9115053A Pending JPH10294272A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294272A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6463119B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-10-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure apparatus and semiconductor manufacturing apparatus |
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-
1997
- 1997-04-18 JP JP9115053A patent/JPH10294272A/ja active Pending
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| US10345717B2 (en) | 2014-08-15 | 2019-07-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
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