JPH10294406A - ハードドライブされたｇｔｏ用のゲートユニット - Google Patents
ハードドライブされたｇｔｏ用のゲートユニットInfo
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- JPH10294406A JPH10294406A JP10043560A JP4356098A JPH10294406A JP H10294406 A JPH10294406 A JP H10294406A JP 10043560 A JP10043560 A JP 10043560A JP 4356098 A JP4356098 A JP 4356098A JP H10294406 A JPH10294406 A JP H10294406A
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- Japan
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- circuit board
- printed circuit
- gto
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W40/10—Arrangements for heating
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- H—ELECTRICITY
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- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
- H10W44/601—Capacitive arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
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- Thyristors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】構造がコンパクトで、安価であり、機械的に安
定しており、同時に低インピーダンス接続と良好なシー
ルドを維持するゲートユニットを提供する。 【解決手段】ハードドタイブしたＧＴＯ（１０）用のゲ
ートユニット（４７）において、駆動に必要な少なくと
も幾つかの電子要素（３７，．．．，４２）がプリント
回路基板上に配列される。このプリント回路基板は、低
インダクタンスコンタクトを達成するために、ＧＴＯ
（１０）の半導体基板（１７）に平行なＧＴＯ（１０）
のアノード側とカソード側間にある平面にＧＴＯ（１
０）を囲み、ＧＴＯ（１０）のカソードコンタクト（１
４）とゲート接続（２２）に直接接続される。同時に向
上した機械的安定性のあるコンパクトな構造が達成され
る。要素（３７，．．．，４２）は、ＧＴＯ（１０）の
ごく近くにＧＴＯ（１０）の周にプリント回路基板（３
４）上に配列される。
定しており、同時に低インピーダンス接続と良好なシー
ルドを維持するゲートユニットを提供する。 【解決手段】ハードドタイブしたＧＴＯ（１０）用のゲ
ートユニット（４７）において、駆動に必要な少なくと
も幾つかの電子要素（３７，．．．，４２）がプリント
回路基板上に配列される。このプリント回路基板は、低
インダクタンスコンタクトを達成するために、ＧＴＯ
（１０）の半導体基板（１７）に平行なＧＴＯ（１０）
のアノード側とカソード側間にある平面にＧＴＯ（１
０）を囲み、ＧＴＯ（１０）のカソードコンタクト（１
４）とゲート接続（２２）に直接接続される。同時に向
上した機械的安定性のあるコンパクトな構造が達成され
る。要素（３７，．．．，４２）は、ＧＴＯ（１０）の
ごく近くにＧＴＯ（１０）の周にプリント回路基板（３
４）上に配列される。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、パワーエレクトロニク
スの分野に関する。本発明は、ハードドライブされたＧ
ＴＯ用のゲートユニットに関し、そしてハードドライブ
されたＧＴＯのゲートユニットにおいて、駆動のために
必要な少なくとも幾つかの電子要素はプリント回路基板
上に配列され、シールドによって囲われており、またこ
のプリント回路基板は、低インピーダンスコンタクトを
達成するために、ＧＴＯの半導体基板に平行な、ＧＴＯ
のアノード側とカソード側間にある面でＧＴＯを囲んで
おり、且つＧＴＯのカソードコンタクトとゲート接続に
直接接続される。
スの分野に関する。本発明は、ハードドライブされたＧ
ＴＯ用のゲートユニットに関し、そしてハードドライブ
されたＧＴＯのゲートユニットにおいて、駆動のために
必要な少なくとも幾つかの電子要素はプリント回路基板
上に配列され、シールドによって囲われており、またこ
のプリント回路基板は、低インピーダンスコンタクトを
達成するために、ＧＴＯの半導体基板に平行な、ＧＴＯ
のアノード側とカソード側間にある面でＧＴＯを囲んで
おり、且つＧＴＯのカソードコンタクトとゲート接続に
直接接続される。
【０００２】
【発明の背景】このようなゲートユニットは、例えば、
９６年５月に発行のＡＢＢ技報の１４−２０頁（特に図
５参照）に開示されている。近年、ＧＴＯ:(Gate Turn
Off Thyristors: ゲートターンオフサイリスタ) の型式
で高電力半導体要素を用いるとき、所謂、ハードドライ
ビングする（hard driving) ことは、非常に大きな関心
を引いている。特に、例えば、主接続等に対する高電力
コンバータにおいて必要とされる、多数のＧＴＯｓを含
む直列回路の場合、ハードドライビングは、直列回路に
おける個々のＧＴＯｓが同時に、非常に正確にターンオ
フされ、個々のＧＴＯｓの両端に有害な過電圧が発生し
ないことを確実にする。ハードドライビングモードにお
いて、ＧＴＯは、非常に高い傾斜（従来のドライビング
におけるような３０Ａ／μｓに代えて３ｋＡ／μｓ）を
伴うゲート電流ＩG によって駆動される。
９６年５月に発行のＡＢＢ技報の１４−２０頁（特に図
５参照）に開示されている。近年、ＧＴＯ:(Gate Turn
Off Thyristors: ゲートターンオフサイリスタ) の型式
で高電力半導体要素を用いるとき、所謂、ハードドライ
ビングする（hard driving) ことは、非常に大きな関心
を引いている。特に、例えば、主接続等に対する高電力
コンバータにおいて必要とされる、多数のＧＴＯｓを含
む直列回路の場合、ハードドライビングは、直列回路に
おける個々のＧＴＯｓが同時に、非常に正確にターンオ
フされ、個々のＧＴＯｓの両端に有害な過電圧が発生し
ないことを確実にする。ハードドライビングモードにお
いて、ＧＴＯは、非常に高い傾斜（従来のドライビング
におけるような３０Ａ／μｓに代えて３ｋＡ／μｓ）を
伴うゲート電流ＩG によって駆動される。
【０００３】この傾斜を生成することができるために、
ＧＴＯのゲート回路は極端に低いインダクタンス（＜５
ｎＨ）を有するように設計されなければならない。そし
てそれは駆動のために使用されるゲートユニット（Ｇ
Ｕ）ばかりでなく、ＧＴＯ自体に対しても特別な設計対
策や注意を必要とする。ハードドライビングに関する詳
細な情報は、導入部に示された文献、欧州特許出願EP-A
1-0 498 945 、ＷＯ−９３／０９６００に見られること
ができる。またH. Greuing外による記事 "High Power H
ard-Driven GTO Module for 4.5 kV/3 kA Snubberless
Operation", PCIM'96, Nuremberg, Germany, May 21-2
3, 1996,に見られることができ、その内容は、この出願
の開示の一部であるように明白に意図されている。図１
は、ハードドライビング用の既知のＧＵの例として、基
本的な回路図を示し、それは本質的に、高電流スイッチ
（Ｓ３）、複数の電解コンデンサーから形成され、逆接
続された並列ダイオード（Ｄ２）を有するたキャパシタ
ーバンク（Ｃ２）、電源（１３）および駆動装置（図示
せず）を有するターンオフチャネル；第２のスイッチは
ターンオフされたＧＴＯ（１０）を維持し；抵抗（Ｒ
２）とダイオード（Ｄ３）を有する他の直列回路が更に
設けられており；中間の電流スイッチ、電源（１２）お
よびパルス電流源（逆接続された並列ダイオード（Ｄ
１）を有するキャパシター（Ｃ１））；直列に抵抗（Ｒ
１）を有する第２のスイッチ（Ｓ１）はターンオンされ
たＧＴＯ（１０）を維持し；光ファイバー入力、増幅器
と遅延ステージ、および電圧コンバーターを有する論理
ユニット（図１には図示されていない）；及びもし、必
要なら、状態信号装置、を有する。
ＧＴＯのゲート回路は極端に低いインダクタンス（＜５
ｎＨ）を有するように設計されなければならない。そし
てそれは駆動のために使用されるゲートユニット（Ｇ
Ｕ）ばかりでなく、ＧＴＯ自体に対しても特別な設計対
策や注意を必要とする。ハードドライビングに関する詳
細な情報は、導入部に示された文献、欧州特許出願EP-A
1-0 498 945 、ＷＯ−９３／０９６００に見られること
ができる。またH. Greuing外による記事 "High Power H
ard-Driven GTO Module for 4.5 kV/3 kA Snubberless
Operation", PCIM'96, Nuremberg, Germany, May 21-2
3, 1996,に見られることができ、その内容は、この出願
の開示の一部であるように明白に意図されている。図１
は、ハードドライビング用の既知のＧＵの例として、基
本的な回路図を示し、それは本質的に、高電流スイッチ
（Ｓ３）、複数の電解コンデンサーから形成され、逆接
続された並列ダイオード（Ｄ２）を有するたキャパシタ
ーバンク（Ｃ２）、電源（１３）および駆動装置（図示
せず）を有するターンオフチャネル；第２のスイッチは
ターンオフされたＧＴＯ（１０）を維持し；抵抗（Ｒ
２）とダイオード（Ｄ３）を有する他の直列回路が更に
設けられており；中間の電流スイッチ、電源（１２）お
よびパルス電流源（逆接続された並列ダイオード（Ｄ
１）を有するキャパシター（Ｃ１））；直列に抵抗（Ｒ
１）を有する第２のスイッチ（Ｓ１）はターンオンされ
たＧＴＯ（１０）を維持し；光ファイバー入力、増幅器
と遅延ステージ、および電圧コンバーターを有する論理
ユニット（図１には図示されていない）；及びもし、必
要なら、状態信号装置、を有する。
【０００４】既知のＧＵｓの設計は、本願の導入部に述
べられた公報の図５における写真、および本願の図３に
おける概略図に示されている。完全な論理ユニット、タ
ーンオンチャネルの電力ステージ、およびゲートユニッ
ト２８におけるターンオフチャネルのステージ（図３に
おいて点線で示されている要素３０）は、ＧＴＯ２５の
側で、ＧＴＯ２５からある距離のところに配列された、
プリント回路基板（基板）２９上に一緒に非常に接近し
て配置される。要素３０を有するゲートユニット２８
は、分離したハウジング３２によって囲まれ、従って外
側からシールドされる。ゲートユニット２８は、その隣
に配列されたＧＴＯ２５を囲んでいるプリント回路基板
の一部によって、ＧＴＯ２５に接続されている。ＧＴＯ
２５のアノードコンタクト２７は、上から自由にアクセ
スすることができる。ＧＴＯ２５の（環状）ゲート接続
はプリント回路基板２９に直接接続されている。接続領
域３１は、光ウェーブガイドを介して制御信号を供給す
るために設けられる。
べられた公報の図５における写真、および本願の図３に
おける概略図に示されている。完全な論理ユニット、タ
ーンオンチャネルの電力ステージ、およびゲートユニッ
ト２８におけるターンオフチャネルのステージ（図３に
おいて点線で示されている要素３０）は、ＧＴＯ２５の
側で、ＧＴＯ２５からある距離のところに配列された、
プリント回路基板（基板）２９上に一緒に非常に接近し
て配置される。要素３０を有するゲートユニット２８
は、分離したハウジング３２によって囲まれ、従って外
側からシールドされる。ゲートユニット２８は、その隣
に配列されたＧＴＯ２５を囲んでいるプリント回路基板
の一部によって、ＧＴＯ２５に接続されている。ＧＴＯ
２５のアノードコンタクト２７は、上から自由にアクセ
スすることができる。ＧＴＯ２５の（環状）ゲート接続
はプリント回路基板２９に直接接続されている。接続領
域３１は、光ウェーブガイドを介して制御信号を供給す
るために設けられる。
【０００５】ＧＴＯ２５自体は、同軸設計の要素であ
る。このようなＧＴＯの（既知の）内部構造は、図２の
例によって、部分的に斜線をつけた部分に示されてい
る。ＧＴＯ１０のコアは、多数の個々の素子が既知の方
法で互いに隣合って配列されているディスク形状の半導
体基板１７である。半導体基板１７のエッジには、エッ
ジ不動態化２０が施される。この半導体基板は、ＧＴＯ
が組み立てられたとき、アノードＡとカソードＫとの電
気的および熱的コンタクトを生成するために、圧力の下
で（メタライズされた）半導体基板１７に対して押圧さ
れる、ディスク状のアノードコンタクト１９とディスク
状のカソードコンタクト１４間に配置される。異なる膨
張係数に対して補償するために、Ｍｏディスク１６と１
８が、通常コンタクト１４，１９および半導体基板１７
間にも設けられる。ゲートＧと接触させるために、環状
の低インダクタンスのゲートコンタクト２１が設けら
れ、環状の、ゲート接続２２を介してセラミックの絶縁
ハウジング２３を通して外側へ放射状に接続されてい
る。絶縁ハウジング２３は、取付けられたフランジ１５
ｂ，２４ｂおよびこれらのフランジに溶接されたカバー
１５ａ，２４ａによって頂部と底部において外側から密
封される。
る。このようなＧＴＯの（既知の）内部構造は、図２の
例によって、部分的に斜線をつけた部分に示されてい
る。ＧＴＯ１０のコアは、多数の個々の素子が既知の方
法で互いに隣合って配列されているディスク形状の半導
体基板１７である。半導体基板１７のエッジには、エッ
ジ不動態化２０が施される。この半導体基板は、ＧＴＯ
が組み立てられたとき、アノードＡとカソードＫとの電
気的および熱的コンタクトを生成するために、圧力の下
で（メタライズされた）半導体基板１７に対して押圧さ
れる、ディスク状のアノードコンタクト１９とディスク
状のカソードコンタクト１４間に配置される。異なる膨
張係数に対して補償するために、Ｍｏディスク１６と１
８が、通常コンタクト１４，１９および半導体基板１７
間にも設けられる。ゲートＧと接触させるために、環状
の低インダクタンスのゲートコンタクト２１が設けら
れ、環状の、ゲート接続２２を介してセラミックの絶縁
ハウジング２３を通して外側へ放射状に接続されてい
る。絶縁ハウジング２３は、取付けられたフランジ１５
ｂ，２４ｂおよびこれらのフランジに溶接されたカバー
１５ａ，２４ａによって頂部と底部において外側から密
封される。
【０００６】図３に示されるＧＴＯ２５を有する既知の
ゲートユニット２８は駆動装置とパワー半導体間に所要
の低インダクタンス接続を生じる。ゲート回路における
寄生インダクタンス（図１の符号１１）は、５ｎＨより
小さい。固い、プリント回路基板２９によって、ＧＴＯ
２５とゲートユニット２８を直接接続することによっ
て、ユニットとして作られ、テストされ、且つ直列回路
のスタックに挿入されることができるモジュールが通常
作られる。駆動エレクトロニクスは、全ての側に接近さ
れた、ハウジングによってＥＭＩに対して良くシールド
される。既知のゲートユニットに対するこれらの重要な
利点は、多くの欠点と対照的である。しかし： −ゲートユニットのエレクトロニクスは、かなりのサイ
ズと量の構造に集約される； ゲート電流のための電流
源として用いられる電解コンデンサーは、特にこれに対
して寄与するものである。性能スペック４ｋＡ／４．５
ｋＶを有するＧＴＯは、例えば、それぞれ１５００μＦ
／３５Ｖの４０個の電解コンデンサーを必要とし、（小
さな）逆導通６００Ａ／６ｋＶのＧＴＯは、それぞれ１
５００μＦ／３５Ｖのおよそ１０個の電解コンデンサー
を必要とする； この構造はＧＴＯと冷却器の一方の側
に配置される。 それは、アノード側の冷却器に接近し
すぎないように冷却器から付加的な距離をもって維持さ
れなければならない（絶縁距離）。これは、機械的に固
定するのが非常に難しく、振動や発振をまともに受け
て、非常に耐久性が悪い。 −固定するのに費用がかかる。 −ゲートユニットはコンバーターの構造上のサイズをか
なり増加する。何故ならば、それは困難性のみを伴う大
きなスペースにわたるからである。
ゲートユニット２８は駆動装置とパワー半導体間に所要
の低インダクタンス接続を生じる。ゲート回路における
寄生インダクタンス（図１の符号１１）は、５ｎＨより
小さい。固い、プリント回路基板２９によって、ＧＴＯ
２５とゲートユニット２８を直接接続することによっ
て、ユニットとして作られ、テストされ、且つ直列回路
のスタックに挿入されることができるモジュールが通常
作られる。駆動エレクトロニクスは、全ての側に接近さ
れた、ハウジングによってＥＭＩに対して良くシールド
される。既知のゲートユニットに対するこれらの重要な
利点は、多くの欠点と対照的である。しかし： −ゲートユニットのエレクトロニクスは、かなりのサイ
ズと量の構造に集約される； ゲート電流のための電流
源として用いられる電解コンデンサーは、特にこれに対
して寄与するものである。性能スペック４ｋＡ／４．５
ｋＶを有するＧＴＯは、例えば、それぞれ１５００μＦ
／３５Ｖの４０個の電解コンデンサーを必要とし、（小
さな）逆導通６００Ａ／６ｋＶのＧＴＯは、それぞれ１
５００μＦ／３５Ｖのおよそ１０個の電解コンデンサー
を必要とする； この構造はＧＴＯと冷却器の一方の側
に配置される。 それは、アノード側の冷却器に接近し
すぎないように冷却器から付加的な距離をもって維持さ
れなければならない（絶縁距離）。これは、機械的に固
定するのが非常に難しく、振動や発振をまともに受け
て、非常に耐久性が悪い。 −固定するのに費用がかかる。 −ゲートユニットはコンバーターの構造上のサイズをか
なり増加する。何故ならば、それは困難性のみを伴う大
きなスペースにわたるからである。
【０００７】
【発明の概要】従って、本発明の目的は、これらの欠点
を避ける新規なゲートユニットを提供することであり、
構造がコンパクトで、容易に且つ安価に作ることがで
き、また機械的な高安定性を有し、同時に、低インピー
ダンス接続と良好なシールドを維持する。この目的は、
要素がＧＴＯのごく近くにあるプリント回路基板上に配
列されている点において、導入部で述べた型式のゲート
ユニットによって達成される。ＧＴＯの直ぐ近くに要素
或いは駆動エレクトロニクスを配列することは、サイド
にある長い通路を突出して発振することができる大きさ
を避け、従って、機械的安定性が非常に増大される。同
時に、ゲートユニットは、ＧＴＯの周りはコンパクトな
構造になるので、スペースを節約する。ＧＴＯとゲート
ユニットを有するモジュールも扱いやすくなり、容易に
取り付けられ、且つ取り外すことができる。
を避ける新規なゲートユニットを提供することであり、
構造がコンパクトで、容易に且つ安価に作ることがで
き、また機械的な高安定性を有し、同時に、低インピー
ダンス接続と良好なシールドを維持する。この目的は、
要素がＧＴＯのごく近くにあるプリント回路基板上に配
列されている点において、導入部で述べた型式のゲート
ユニットによって達成される。ＧＴＯの直ぐ近くに要素
或いは駆動エレクトロニクスを配列することは、サイド
にある長い通路を突出して発振することができる大きさ
を避け、従って、機械的安定性が非常に増大される。同
時に、ゲートユニットは、ＧＴＯの周りはコンパクトな
構造になるので、スペースを節約する。ＧＴＯとゲート
ユニットを有するモジュールも扱いやすくなり、容易に
取り付けられ、且つ取り外すことができる。
【０００８】新規なゲートユニットの第１の好適な実施
の形態は、ＧＴＯがカソード側のヒートシンクに接近し
ているという点で、プリント回路基板は、カソード側に
ある冷却器を越えて横方向に突出している点で、プリン
ト回路基板上に配列された電子要素は、ＧＴＯにおける
パルス化したのゲート電流のために、ゲートユニットの
内部に電流源を形成する複数のキャパシタ、特に電解コ
ンデンサーを有する点で、且つそられのキャパシタは、
冷却器を越えて突出するプリント回路基板の一部に冷却
器に非常に接近して配列されている点で、特徴づけられ
ている。これは、比較的大きなボリュームの大量のキャ
パシタさえＧＴＯに非常に接近して配列されているの
で、機械的安定性の著しい利得が生じることを意味す
る。本発明のクレームされたゲートユニットの他の好適
な実施の形態は、要素がＧＴＯの冷却側あるいはカソー
ド側に面したプリント回路基板の側に主に配列されてお
り、プリント回路基板はカソード側にある冷却器から離
間されている点で、また要素の幾つかは、プリント回路
基板と冷却器間に配列されている点で、特徴づけられて
いる。これは、カソード側にある冷却器において、特に
小さな要素（例えば、ＳＭＤｓ）を保護し、シールドす
るためだけでなく、材料とスペースを節約するために用
いられる。
の形態は、ＧＴＯがカソード側のヒートシンクに接近し
ているという点で、プリント回路基板は、カソード側に
ある冷却器を越えて横方向に突出している点で、プリン
ト回路基板上に配列された電子要素は、ＧＴＯにおける
パルス化したのゲート電流のために、ゲートユニットの
内部に電流源を形成する複数のキャパシタ、特に電解コ
ンデンサーを有する点で、且つそられのキャパシタは、
冷却器を越えて突出するプリント回路基板の一部に冷却
器に非常に接近して配列されている点で、特徴づけられ
ている。これは、比較的大きなボリュームの大量のキャ
パシタさえＧＴＯに非常に接近して配列されているの
で、機械的安定性の著しい利得が生じることを意味す
る。本発明のクレームされたゲートユニットの他の好適
な実施の形態は、要素がＧＴＯの冷却側あるいはカソー
ド側に面したプリント回路基板の側に主に配列されてお
り、プリント回路基板はカソード側にある冷却器から離
間されている点で、また要素の幾つかは、プリント回路
基板と冷却器間に配列されている点で、特徴づけられて
いる。これは、カソード側にある冷却器において、特に
小さな要素（例えば、ＳＭＤｓ）を保護し、シールドす
るためだけでなく、材料とスペースを節約するために用
いられる。
【０００９】本発明の他の実施の形態に基づくと、プリ
ント回路基板がＧＴＯのカソード側から離れて面する側
上にメタライゼーションが設けられ、そのメタライゼー
ションがゲートユニットに対してシールドとして用いら
れて、シールドが達成される。本発明の他の実施形態に
基づくと、要素をシールドするために、電気的導電性ケ
ーシングが設けられて、シールドが達成され、このケー
シングはＧＴＯを横方向に取り囲み、ＧＴＯのカソード
側から離れて面する側に、要素を取り付けたプリント回
路基板を覆っている。本発明で請求されたゲートユニッ
トの他の好適な実施形態は、プリント回路基板がカソー
ド側にある冷却器をこえて横方向に突出している点、周
囲の空間が冷却器およびケーシングあるいはケーシング
の側壁間にあいているような方法で、ケーシングの側壁
が冷却器の一部も囲んでいる点、および幾つかの要素が
その空間に配列されている点に特徴がある。これは、簡
単な方法で、特に、ゲートユニットの大きな要素、例え
ばターンオフチャネル（図１のＣ２）における電解コン
デンサーが安全に収容される、保護され、且つシールド
された領域を形成する。
ント回路基板がＧＴＯのカソード側から離れて面する側
上にメタライゼーションが設けられ、そのメタライゼー
ションがゲートユニットに対してシールドとして用いら
れて、シールドが達成される。本発明の他の実施形態に
基づくと、要素をシールドするために、電気的導電性ケ
ーシングが設けられて、シールドが達成され、このケー
シングはＧＴＯを横方向に取り囲み、ＧＴＯのカソード
側から離れて面する側に、要素を取り付けたプリント回
路基板を覆っている。本発明で請求されたゲートユニッ
トの他の好適な実施形態は、プリント回路基板がカソー
ド側にある冷却器をこえて横方向に突出している点、周
囲の空間が冷却器およびケーシングあるいはケーシング
の側壁間にあいているような方法で、ケーシングの側壁
が冷却器の一部も囲んでいる点、および幾つかの要素が
その空間に配列されている点に特徴がある。これは、簡
単な方法で、特に、ゲートユニットの大きな要素、例え
ばターンオフチャネル（図１のＣ２）における電解コン
デンサーが安全に収容される、保護され、且つシールド
された領域を形成する。
【００１０】特に高い機械的安定性に優れた他の好適な
実施形態は、固定素子がプリント回路基板上に配列さ
れ、プリント回路基板をその下にある冷却器に固定する
ために用いられることができる点、および／または付加
手段がプリント回路基板をケーシング上に支持するため
に設けられる点で特徴がある。他の実施の形態は従属請
求項に示されている。
実施形態は、固定素子がプリント回路基板上に配列さ
れ、プリント回路基板をその下にある冷却器に固定する
ために用いられることができる点、および／または付加
手段がプリント回路基板をケーシング上に支持するため
に設けられる点で特徴がある。他の実施の形態は従属請
求項に示されている。
【００１１】
【好適な実施の形態】図面（ここで幾つかの図面をとお
して同じ参照番号は同一あるいは対応するパーツを示
す）を参照すると、図４は本発明の好適な実施の形態に
基づくゲートユニット４７を有する、図２に示された既
知のＧＴＯの断面図を示す。図２と同じ参照番号が図４
のＧＴＯ１０に対して用いられている。唯一の相違は、
ＧＴＯ１０が図２の概略図に関して、即ち下向きのカソ
ードコンタクト１４と上向きのアノードコンタクトに関
して、１８０°回転されて配列されている。同軸の（軸
対称に設計された）ＧＴＯ１０は、ゲート接続２２のレ
ベルにある半導体基板の面に平行に配列された（一般に
多層の）プリント回路基板３４によってトロイダル状に
囲まれている。プリント回路基板３４は上面を下にし
て、取付けられている、即ち基板に取付けられた相互接
続された要素３７，．．．，４２は下側に配列されてい
る。従って、要素３７，．．．，４２は、カソード側に
あって、ＧＴＯ１０のカソードコンタクト１４と熱接触
し、そして水冷器として、或いは他の空冷器として設計
されてもよい冷却器４８の方へ主として向けられてい
る。冷却機能の外に、冷却器４８は、同時に、その金属
部分によって、プリント回路基板の側にある要素３
７，．．．，４２に対して電気的なシールド機能を有す
る。プリント回路基板３４の他の側で、プリント回路基
板３４上に設けられたメタライゼーションは、原則的に
シールドとして用いられることができる。このことは、
（比較的小さなＧＴＯ１０の場合）プリント回路基板３
４自体は、接続されたＧＴＯ１０を取扱い中安全に支持
することができるように、充分丈夫である場合を表して
いる。
して同じ参照番号は同一あるいは対応するパーツを示
す）を参照すると、図４は本発明の好適な実施の形態に
基づくゲートユニット４７を有する、図２に示された既
知のＧＴＯの断面図を示す。図２と同じ参照番号が図４
のＧＴＯ１０に対して用いられている。唯一の相違は、
ＧＴＯ１０が図２の概略図に関して、即ち下向きのカソ
ードコンタクト１４と上向きのアノードコンタクトに関
して、１８０°回転されて配列されている。同軸の（軸
対称に設計された）ＧＴＯ１０は、ゲート接続２２のレ
ベルにある半導体基板の面に平行に配列された（一般に
多層の）プリント回路基板３４によってトロイダル状に
囲まれている。プリント回路基板３４は上面を下にし
て、取付けられている、即ち基板に取付けられた相互接
続された要素３７，．．．，４２は下側に配列されてい
る。従って、要素３７，．．．，４２は、カソード側に
あって、ＧＴＯ１０のカソードコンタクト１４と熱接触
し、そして水冷器として、或いは他の空冷器として設計
されてもよい冷却器４８の方へ主として向けられてい
る。冷却機能の外に、冷却器４８は、同時に、その金属
部分によって、プリント回路基板の側にある要素３
７，．．．，４２に対して電気的なシールド機能を有す
る。プリント回路基板３４の他の側で、プリント回路基
板３４上に設けられたメタライゼーションは、原則的に
シールドとして用いられることができる。このことは、
（比較的小さなＧＴＯ１０の場合）プリント回路基板３
４自体は、接続されたＧＴＯ１０を取扱い中安全に支持
することができるように、充分丈夫である場合を表して
いる。
【００１２】しかし、大きく、且つ重い（１ｋｇ以上）
ＧＴＯ１０の場合、金属薄板から作られたケーシング３
５が、更なるシールドのため、更なる機械的安定性を得
るため、そしてユニットの改善された取扱いのために、
冷却器４８から離れて面しているプリント回路基板３４
のその側に設けられる。好ましくは、このケーシング３
５は、実質的に平らな基体３５ａとその基体３５ａから
曲げられた側壁３５ｂを有している。このケーシング３
５は、プリント回路基板３４に平行な基体３５ａを有し
ていて、プリント回路基板３４とＧＴＯ１０のアノード
側間に配列される。側壁３５ｂは、プリント回路基板３
４を横から囲んでいる。ケーシング３５は、基体にある
中央の孔３５ｃを有していて、そこを通してＧＴＯ１０
が延びている。それは、基体３５ａによって、特にやや
下に曲げられた孔３５ｃのエッジによって、プリント回
路基板３４に固定され、従って、装置の機械的安定性に
著しく貢献する。支持を確実にするために、追加の支持
手段が、特にシリコンビーズ４９，５０等の形態で、プ
リント回路基板３４とケーシング３５間で外側に向かっ
て更に設けられてもよい。
ＧＴＯ１０の場合、金属薄板から作られたケーシング３
５が、更なるシールドのため、更なる機械的安定性を得
るため、そしてユニットの改善された取扱いのために、
冷却器４８から離れて面しているプリント回路基板３４
のその側に設けられる。好ましくは、このケーシング３
５は、実質的に平らな基体３５ａとその基体３５ａから
曲げられた側壁３５ｂを有している。このケーシング３
５は、プリント回路基板３４に平行な基体３５ａを有し
ていて、プリント回路基板３４とＧＴＯ１０のアノード
側間に配列される。側壁３５ｂは、プリント回路基板３
４を横から囲んでいる。ケーシング３５は、基体にある
中央の孔３５ｃを有していて、そこを通してＧＴＯ１０
が延びている。それは、基体３５ａによって、特にやや
下に曲げられた孔３５ｃのエッジによって、プリント回
路基板３４に固定され、従って、装置の機械的安定性に
著しく貢献する。支持を確実にするために、追加の支持
手段が、特にシリコンビーズ４９，５０等の形態で、プ
リント回路基板３４とケーシング３５間で外側に向かっ
て更に設けられてもよい。
【００１３】ゲートユニット４７は、例えば表面に取付
けられた抵抗、ＭＯＳＦＥＴスイッチ或いはパルス化し
た電流源用の電解コンデンサーのような異なるサイズの
電子要素を有する。これらの要素は、サイズに依存し
て、プリント回路基板３４と冷却器４８間の異なる点に
配列されるのが好ましい。抵抗４１，４２或いはＭＯＳ
ＦＥＴｓ３９，４０のような平らな要素に対しては、プ
リント回路基板がカソード側にある冷却器４８から離間
され、またこれらの要素がプリント回路基板３４と冷却
器４８間に直接配列されれば充分である。このようにし
て、かなりのスペースが節約され、同時に非常に良好な
シールドを与える。電解コンデンサー３７，３８のよう
な高い要素に対しては、プリント回路基板３４は、カソ
ード側にある冷却器４８を越えてよこに突出するように
設計されるのが好ましい。ケーシング３５の側壁３５ｂ
は、空間３６が冷却器４８とケーシング３５即ちケーシ
ングの側壁３５ｂとの間にあくようにして、冷却器４８
の一部を囲んでいる。従って、これらの要素は、冷却器
４８にごく接近して、この空間３６に配置される。
けられた抵抗、ＭＯＳＦＥＴスイッチ或いはパルス化し
た電流源用の電解コンデンサーのような異なるサイズの
電子要素を有する。これらの要素は、サイズに依存し
て、プリント回路基板３４と冷却器４８間の異なる点に
配列されるのが好ましい。抵抗４１，４２或いはＭＯＳ
ＦＥＴｓ３９，４０のような平らな要素に対しては、プ
リント回路基板がカソード側にある冷却器４８から離間
され、またこれらの要素がプリント回路基板３４と冷却
器４８間に直接配列されれば充分である。このようにし
て、かなりのスペースが節約され、同時に非常に良好な
シールドを与える。電解コンデンサー３７，３８のよう
な高い要素に対しては、プリント回路基板３４は、カソ
ード側にある冷却器４８を越えてよこに突出するように
設計されるのが好ましい。ケーシング３５の側壁３５ｂ
は、空間３６が冷却器４８とケーシング３５即ちケーシ
ングの側壁３５ｂとの間にあくようにして、冷却器４８
の一部を囲んでいる。従って、これらの要素は、冷却器
４８にごく接近して、この空間３６に配置される。
【００１４】もし、冷却器４８が矩形断面を有していれ
ば、電解コンデンサー３７，３８は冷却器４８の少なく
とも２つの（特に反対の）側に配置されるのがよい。も
し、冷却器４８が円形断面を有していれば、電解コンデ
ンサー３７，３８は冷却器４８の周りにリング状に配列
されるのが好ましく、その結果、重量が均等に分布した
コンパクトな構造になる。更に、安定性を増加するため
に、プリント回路基板が冷却器の上に取外し可能に取付
けられるようにすることが可能である。この目的のため
に、例えば、レール或いは案内ボルトの形状で取付け素
子４３，４４がプリント回路基板状に配列され、そして
例えば、レールの形状でその下にある冷却器４８上に、
プリント回路基板３４を取付け装置４５，４６に取り付
けるために用いられることができる。しかし、冷却器が
それに取付けられるクリップを有することが同様に考え
られ、プリント回路基板３４は、積み重ねられて組み立
てられたとき、正しい位置にそれをロックするために冷
却器にスナップされる。
ば、電解コンデンサー３７，３８は冷却器４８の少なく
とも２つの（特に反対の）側に配置されるのがよい。も
し、冷却器４８が円形断面を有していれば、電解コンデ
ンサー３７，３８は冷却器４８の周りにリング状に配列
されるのが好ましく、その結果、重量が均等に分布した
コンパクトな構造になる。更に、安定性を増加するため
に、プリント回路基板が冷却器の上に取外し可能に取付
けられるようにすることが可能である。この目的のため
に、例えば、レール或いは案内ボルトの形状で取付け素
子４３，４４がプリント回路基板状に配列され、そして
例えば、レールの形状でその下にある冷却器４８上に、
プリント回路基板３４を取付け装置４５，４６に取り付
けるために用いられることができる。しかし、冷却器が
それに取付けられるクリップを有することが同様に考え
られ、プリント回路基板３４は、積み重ねられて組み立
てられたとき、正しい位置にそれをロックするために冷
却器にスナップされる。
【００１５】更に、プリント回路基板はＧＴＯ１０を収
容するため、その中央に孔３４ａを有する。孔３４ａ
は、ＧＴＯ１０のカソードコンタクト１４が挿入され、
そしてカソードコンタクト１４をプリント回路基板３４
とゲートユニット４７へ電気的に接続する（金属薄板か
ら作られる）導電性のトローフ（trough: 凹んだ部分）
３３で塞がれる。この目的のために、トローフ３３はプ
リント回路基板の下側に接続されるか、取付けられる。
最後にＧＴＯ１０は、ケーシング３５と共に環状のゲー
ト接続２２によってプリント回路基板の上側に接続され
る。本発明の枠組み内で、ゲートユニット４７が図４に
示された実施の形態とは異なる多くの方法で実行され得
る。例えば、入力増幅器と光学的な結合素子は、電解コ
ンデンサー３７，３８に加えて、空間３６に収納されて
もよい。ゲートユニットを動作するために必要な論理ユ
ニットが母板として作用するプリント回路基板３４上に
垂直に取付けられる分離したＳＭＤ板上に配列されるこ
とが考えられる。しかし、最後にコンバーターや電源素
子におけるいろいろなゲートユニット用の論理ユニット
がゲートユニットの外側のコンバーターの中心の位置に
配列されることもできる。その結果、光学的な駆動接続
（オプトリンクス）の接続及び個々のゲートユニット間
のラッチングが著しく容易になされる。
容するため、その中央に孔３４ａを有する。孔３４ａ
は、ＧＴＯ１０のカソードコンタクト１４が挿入され、
そしてカソードコンタクト１４をプリント回路基板３４
とゲートユニット４７へ電気的に接続する（金属薄板か
ら作られる）導電性のトローフ（trough: 凹んだ部分）
３３で塞がれる。この目的のために、トローフ３３はプ
リント回路基板の下側に接続されるか、取付けられる。
最後にＧＴＯ１０は、ケーシング３５と共に環状のゲー
ト接続２２によってプリント回路基板の上側に接続され
る。本発明の枠組み内で、ゲートユニット４７が図４に
示された実施の形態とは異なる多くの方法で実行され得
る。例えば、入力増幅器と光学的な結合素子は、電解コ
ンデンサー３７，３８に加えて、空間３６に収納されて
もよい。ゲートユニットを動作するために必要な論理ユ
ニットが母板として作用するプリント回路基板３４上に
垂直に取付けられる分離したＳＭＤ板上に配列されるこ
とが考えられる。しかし、最後にコンバーターや電源素
子におけるいろいろなゲートユニット用の論理ユニット
がゲートユニットの外側のコンバーターの中心の位置に
配列されることもできる。その結果、光学的な駆動接続
（オプトリンクス）の接続及び個々のゲートユニット間
のラッチングが著しく容易になされる。
【００１６】結局、本発明は以下の特徴と利点によっ
て、特徴づけられるゲートユニットを提供する。 −ゲートユニットが小さい、 −それはＧＴＯを取り囲み、（カソード側にある）冷却
器と共にユニットを形成する、 −ＧＴＯのカソードに対する接続が特に安く作られる、 −ゲートユニットとアノード間のシールドが１つのステ
ップで作られる：それは動作において２つの機能（支持
とシールド）を行い、取扱中にＧＴＯとゲートユニット
を支持する、 −ゲートユニットとＧＴＯを有するユニットは、更に積
み重ねられる、且つ −重い要素は機械的に最適な方法で固定される。
て、特徴づけられるゲートユニットを提供する。 −ゲートユニットが小さい、 −それはＧＴＯを取り囲み、（カソード側にある）冷却
器と共にユニットを形成する、 −ＧＴＯのカソードに対する接続が特に安く作られる、 −ゲートユニットとアノード間のシールドが１つのステ
ップで作られる：それは動作において２つの機能（支持
とシールド）を行い、取扱中にＧＴＯとゲートユニット
を支持する、 −ゲートユニットとＧＴＯを有するユニットは、更に積
み重ねられる、且つ −重い要素は機械的に最適な方法で固定される。
【００１７】明らかに、本発明のいろいろな変形や変更
が上述の教示にてらして可能である。従って、特許請求
の範囲の範囲内で、本発明が特にここに記載されたもの
以外で実行されることが理解されるべきである。
が上述の教示にてらして可能である。従って、特許請求
の範囲の範囲内で、本発明が特にここに記載されたもの
以外で実行されることが理解されるべきである。
【図１】従来の技術に記載されたＧＴＯ用のハードドラ
イブの基本的回路図を示す。
イブの基本的回路図を示す。
【図２】環状の、低インダクタンスのゲート接続のある
公知の同軸ＧＴＯの内部構造の断面図を示す。
公知の同軸ＧＴＯの内部構造の断面図を示す。
【図３】従来の技術に記載されたハードドライブ用の、
同軸ＧＴＯおよび直接接続されたゲートユニットを有す
るモジュールの平面図を示す。
同軸ＧＴＯおよび直接接続されたゲートユニットを有す
るモジュールの平面図を示す。
【図４】本発明の好適な実施の形態に基づくゲートユニ
ットを有する、図２に示されたＧＴＯの断面図を示す。
ットを有する、図２に示されたＧＴＯの断面図を示す。
１０ ＧＴＯ (Gate Turn Off Thyristor)、 １１ ストレイインダクタンス、 １２ 電源（ターンオン回路）、 １３ 電源（ターンオフ回路）、 １４ カソードコンタクト、 １５ａ，２４ａ カバー、 １５ｂ，２４ｂ フランジ、 １６，１８ Ｍｏディスク、 １７ 半導体基板、 １９ アノードコンタクト、 ２０ エッジの不動態化、 ２１ ゲートコンタクト（環状） ２２ ゲート接続、 ２３ 絶縁ハウジング（例えば、セラミック）、 ２５ ＧＴＯ（同軸の）、 ２６ ゲート接続、 ２７ アノードコンタクト、 ２８ ゲートユニット、 ２９ プリント回路基板、 ３０ 要素（電子的）、 ３１ 接続領域、 ３２ ハウジング（ゲートユニット）、 ３３ トロフ、 ３４ プリント回路基板、 ３４ａ 孔（プリント回路基板）、 ３５ ケーシング（シールド）、 ３５ａ 基体（ケーシング）、 ３５ｂ 側壁（ケーシング）、 ３５ｃ 孔（ケーシング）、 ３６ 空間（冷却器のケーシング）、 ３７，３８ 電解コンデンサー、 ３９，４０ ＭＯＳＦＥＴ、 ４１，４２ 要素（抵抗等）、 ４３，４４ 固定要素、 ４５，４６ 固定装置、 ４７ ゲートユニット、 ４８ 冷却器、 ４９，５０ シリコンビード、 Ａ アノード（ＧＴＯ）、 Ｃ１，Ｃ２ キャパシタ、 Ｄ１，．．．，Ｄ３ ダイオード、 Ｇ ゲート（ＧＴＯ）、 Ｋ カソード（ＧＴＯ）、 Ｒ１，Ｒ２ 抵抗、 Ｓ１，．．．，Ｓ３ スイッチ（例えば、ＭＯＳＦＥ
Ｔ）、
Ｔ）、
Claims (16)
- 【請求項１】ハードドライブされたＧＴＯ（１０）用の
ゲートユニット（４７）であって、そのゲートユニット
（４７）において、駆動のために必要な少なくとも幾つ
かの電子要素（３７，．．．，４２）が、プリント回路
基板上に配列され、且つシールドによって囲まれてお
り、前記プリント回路基板は、低インダクタンスコンタ
クトを達成するために、ＧＴＯの半導体基板（１７）に
平行で、ＧＴＯ（１０）のカソード側とアノード側間に
ある面で前記ＧＴＯ（１０）を取り囲んでおり、且つＧ
ＴＯ（１０）のカソードコンタクト（１４）とゲート接
続に直接接続されており、更に前記要素（３
７，．．．，４２）は、ＧＴＯ（１０）に非常に接近し
てプリント回路基板（３４）上に配列されていることを
特徴とするゲートユニット。 - 【請求項２】前記ＧＴＯ（１０）は、カソード側にある
冷却器（４８）に隣接し、前記プリント回路基板（３
４）は、カソード側にある冷却器（４８）を越えて横に
突出し、前記プリント回路基板（３４）上に配列された
電子要素は、前記ＧＴＯ（１０）のパルス化したゲート
電流に対して、ゲートユニット（４７）の内側に電流源
を形成する複数のキャパシタ、特に電解コンデンサー
（３７，３８）を有し、且つ前記キャパシタ（３７，３
８）は、前記冷却器（４８）を越えて突出するプリント
回路基板上の一部に、前記冷却器（４８）に非常に接近
して配列されていることを特徴とする請求項１に記載の
ゲートユニット。 - 【請求項３】前記冷却器（４８）は矩形断面を有し、且
つ前記キャバシタ、または電解コンデンサー（３７，３
８）は前記冷却器（４８）の少なくとも２つの側に配列
されていることを特徴とする請求項２に記載のゲートユ
ニット。 - 【請求項４】前記冷却器（４８）は円形断面を有し、且
つ前記キャバシタ、または電解コンデンサー（３７，３
８）は前記冷却器（４８）の周りにリング状に配列され
ていることを特徴とする請求項２に記載のゲートユニッ
ト。 - 【請求項５】前記要素（３７，．．．，４２）は冷却器
（４８）即ちＧＴＯ（１０）のカソード側に面したプリ
ント回路基板上に主に配列されていることを特徴とする
請求項１ないし請求項４の何れかに記載のゲートユニッ
ト。 - 【請求項６】前記プリント回路基板（３４）はＧＴＯ
（１０）のカソード側にある冷却器（４８）から離間し
て配置され、且つ幾つかの要素（３７，．．．，４２）
は前記プリント回路基板（３４）と冷却器（４８）間に
配列されることを特徴とする請求項５に記載のゲートユ
ニット。 - 【請求項７】前記プリント回路基板（３４）はＧＴＯ
（１０）のカソード側から離れて面している側にメタラ
イゼーションが設けられ、且つ前記メタライゼーション
はゲートユニット（４７）のためのシールドとして用い
られることを特徴とする請求項５または請求項６に記載
のゲートユニット。 - 【請求項８】電気的に導電性のケーシング（３５）は要
素（３７，．．．，４２）をシールドするために設けら
れ、前記ケーシングはＧＴＯ（１０）を横から囲み、前
記ＧＴＯ（１０）のカソード側から離れて面する側に要
素（３７，．．．，４２）を有して取付けられた前記プ
リント回路基板３４を覆っていることを特徴とする請求
項１ないし請求項６の何れかに記載のゲートユニット。 - 【請求項９】前記ケーシング（３５）は実質的に平らな
基体（３５ａ）と前記基体（３５ａ）からある角度に曲
げられた側壁（３５ｂ）を有し、前記ケーシング（３
５）は前記プリント回路基板に平行な基体（３５ａ）を
有していて、プリント回路基板（３４）とＧＴＯ（１
０）のアノード側間に配置され、且つ前記側壁（３５
ｂ）は前記プリント回路基板（３４）を横から囲んでい
ることを特徴とする請求項８に記載のゲートユニット。 - 【請求項１０】前記ケーシング（３５）はその基体（３
５ａ）によってプリント回路基板（３４）に固定されて
いることを特徴とする請求項９に記載のゲートユニッ
ト。 - 【請求項１１】前記ケーシング（３５）は金属薄板から
形成されていることを特徴とする請求項８乃至請求項１
０の何れかに記載のゲートユニット。 - 【請求項１２】前記プリント回路基板（３４）はカソー
ド側にある冷却器を越えて横に突出し、前記ケーシング
（３５）の側壁（３５ｂ）は、空間（３６）が冷却器
（４８）とケーシング（３５）即ちケーシングの側壁
（３５ｂ）間にあくように、冷却器（４８）の一部を囲
んでおり、且つ前記要素（３７，．．．，４２）は幾つ
かはその空間に配列されていることを特徴とする請求項
９に記載のゲートユニット。 - 【請求項１３】前記プリント回路基板（３４）はＧＴＯ
（１０）を収容するためその中央に孔（３４ａ）を有
し、前記孔（３４ａ）はＧＴＯ（１０）のカソードコン
タクト（１４）が挿入され、前記カソードコンタクト
（１４）を前記プリント回路基板（３４）とゲートユニ
ット（４７）に電気的に接続する導電性のトロフ（３
３）で閉じられていることを特徴とする請求項１乃至請
求項１２の何れかに記載のゲートユニット。 - 【請求項１４】前記トロフ（３３）は前記プリント回路
基板（３４）の下側に接続或いは取付けられ、前記ＧＴ
Ｏ（１０）はその環状ゲート接続（２２）によって前記
プリント回路基板（３４）の上側に接続されていること
を特徴とする請求項１３に記載のゲートユニット。 - 【請求項１５】取付け素子（４３，４４）はプリント回
路基板（３４）上に配列され、且つ前記プリント回路基
板（３４）をその下にある冷却器（４８）に取付けられ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項１４の何れか
に記載のゲートユニット。 - 【請求項１６】追加の手段（４９，５０）は前記プリン
ト回路基板（３４）をケーシング（３５）上に支持する
ために設けられることを特徴とする請求項８乃至請求項
１２の何れかに記載のゲートユニット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19708873A DE19708873A1 (de) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | Gateeinheit für einen hart angesteuerten GTO |
| DE19708873:2 | 1997-03-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294406A true JPH10294406A (ja) | 1998-11-04 |
| JP4180141B2 JP4180141B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=7822250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04356098A Expired - Lifetime JP4180141B2 (ja) | 1997-03-05 | 1998-02-25 | 冷却器、ｇｔｏ及びゲートユニットのサブアッセンブリー |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6072200A (ja) |
| EP (1) | EP0863547B1 (ja) |
| JP (1) | JP4180141B2 (ja) |
| CN (1) | CN1123070C (ja) |
| DE (2) | DE19708873A1 (ja) |
Cited By (1)
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| US6445013B1 (en) | 2000-04-13 | 2002-09-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Gate commutated turn-off semiconductor device |
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1997
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