JPH10298548A - 真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法 - Google Patents
真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法Info
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- JPH10298548A JPH10298548A JP11204997A JP11204997A JPH10298548A JP H10298548 A JPH10298548 A JP H10298548A JP 11204997 A JP11204997 A JP 11204997A JP 11204997 A JP11204997 A JP 11204997A JP H10298548 A JPH10298548 A JP H10298548A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空紫外線により励起されて発光する蛍光体
の発光輝度と働程特性を改良することを目的とする。 【構成】 蛍光体の粒子表面に、硼酸系化合物が硼素
（Ｂ）として蛍光体１００重量部に対し０．００１〜１
０重量部被覆されていることを特徴とする真空紫外線励
起発光蛍光体。
の発光輝度と働程特性を改良することを目的とする。 【構成】 蛍光体の粒子表面に、硼酸系化合物が硼素
（Ｂ）として蛍光体１００重量部に対し０．００１〜１
０重量部被覆されていることを特徴とする真空紫外線励
起発光蛍光体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル、高負荷蛍光ランプ、或いは希ガス放電ランプ等
に使用される蛍光体の製造方法に係り、特に、デバイス
における発光輝度と、その働程特性の改良に関する。
パネル、高負荷蛍光ランプ、或いは希ガス放電ランプ等
に使用される蛍光体の製造方法に係り、特に、デバイス
における発光輝度と、その働程特性の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラープラズマディスプレイパネル或い
は蛍光ランプ等は、基本的に、放電空間において発生し
た紫外線を蛍光体により可視光に変換しており、これら
のデバイスは、その放電空間内壁に蛍光体粒子が層状に
塗布された蛍光体層を有する。
は蛍光ランプ等は、基本的に、放電空間において発生し
た紫外線を蛍光体により可視光に変換しており、これら
のデバイスは、その放電空間内壁に蛍光体粒子が層状に
塗布された蛍光体層を有する。
【０００３】この蛍光体層を形成するには、通常、蛍光
体と有機質のバインダー（ビヒクル）を混合した塗布組
成物をスクリーン印刷等によって所定部分に塗布し、そ
の後、有機バインダーを除去する目的で４００〜６００
℃の範囲の温度で焼成する。この焼成は未分解成分が残
留しないように空気中において十分な時間行われるが、
この際、蛍光体は高温度で空気中の酸素と接触するため
に蛍光体表面は酸化し、その結果、発光輝度が低下す
る。このような酸化は、２価のユーロピウムで付活され
たＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ蛍光体など、還元雰囲気
で焼成されている蛍光体において特に顕著である。
体と有機質のバインダー（ビヒクル）を混合した塗布組
成物をスクリーン印刷等によって所定部分に塗布し、そ
の後、有機バインダーを除去する目的で４００〜６００
℃の範囲の温度で焼成する。この焼成は未分解成分が残
留しないように空気中において十分な時間行われるが、
この際、蛍光体は高温度で空気中の酸素と接触するため
に蛍光体表面は酸化し、その結果、発光輝度が低下す
る。このような酸化は、２価のユーロピウムで付活され
たＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ蛍光体など、還元雰囲気
で焼成されている蛍光体において特に顕著である。
【０００４】また、プラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）において励起源となるのはＸｅの共鳴線１４７ｎｍ
と分子線１７２ｎｍの紫外線であり、非常に波長が短い
ため透過力が弱く、蛍光体粒子表面層部分しか励起され
ない。従って、その発光特性は酸化等による表層部分の
影響を受けやすい。
Ｐ）において励起源となるのはＸｅの共鳴線１４７ｎｍ
と分子線１７２ｎｍの紫外線であり、非常に波長が短い
ため透過力が弱く、蛍光体粒子表面層部分しか励起され
ない。従って、その発光特性は酸化等による表層部分の
影響を受けやすい。
【０００５】さらに、これら発光デバイスにおいては、
放電空間と蛍光体層は近接しており、蛍光体は放電空間
からのイオン衝撃や真空紫外線にさらされ、これらの作
用で蛍光体の発光輝度は経時的に大きく低下する。
放電空間と蛍光体層は近接しており、蛍光体は放電空間
からのイオン衝撃や真空紫外線にさらされ、これらの作
用で蛍光体の発光輝度は経時的に大きく低下する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した事
情に鑑みなされたもので、真空紫外線により励起されて
発光する蛍光体の発光輝度と働程特性を改良することを
目的とする。
情に鑑みなされたもので、真空紫外線により励起されて
発光する蛍光体の発光輝度と働程特性を改良することを
目的とする。
【０００７】
【発明を解決するための手段】本発明者等は、蛍光体粒
子表面を上述したような阻害要因から遮断し、または保
護することにより、蛍光体の輝度低下を防止することが
できると考え、鋭意検討した結果、蛍光体の粒子表面に
硼酸系化合物を保護物質として被覆することにより、蛍
光体をデバイスに実装したときの発光輝度及び働程特性
が著しく改善されることを見いだし本発明を完成させる
に至った。
子表面を上述したような阻害要因から遮断し、または保
護することにより、蛍光体の輝度低下を防止することが
できると考え、鋭意検討した結果、蛍光体の粒子表面に
硼酸系化合物を保護物質として被覆することにより、蛍
光体をデバイスに実装したときの発光輝度及び働程特性
が著しく改善されることを見いだし本発明を完成させる
に至った。
【０００８】すなわち、本発明の真空紫外線励起発光蛍
光体は、蛍光体の粒子表面に、硼酸系化合物が硼素
（Ｂ）として蛍光体に１００重量部に対し０．００１〜
１０重量部被覆されていることを特徴とする。
光体は、蛍光体の粒子表面に、硼酸系化合物が硼素
（Ｂ）として蛍光体に１００重量部に対し０．００１〜
１０重量部被覆されていることを特徴とする。
【０００９】本発明が対象とする蛍光体は、基本的に還
元雰囲気で焼成されている蛍光体があるが、Ｅｕ、Ｍｎ
のうちの少なくとも一種の付活剤により付活されたアル
ミン酸塩蛍光体に適用すると効果的である。特に、２価
のユーロピウムで付活されたＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅ
ｕ蛍光体に効果がある。
元雰囲気で焼成されている蛍光体があるが、Ｅｕ、Ｍｎ
のうちの少なくとも一種の付活剤により付活されたアル
ミン酸塩蛍光体に適用すると効果的である。特に、２価
のユーロピウムで付活されたＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅ
ｕ蛍光体に効果がある。
【００１０】また、本発明の蛍光体は、硼酸、酸化硼
素、硼酸アンモニウムの内の少なくとも一種の硼酸系化
合物を溶解した水と蛍光体を混合してスラリーを調製
し、スラリーを乾燥し、次に３００〜１０００℃の温度
で焼成することで、蛍光体粒子表面に硼素酸系化合物を
被覆させることで得ることができる。
素、硼酸アンモニウムの内の少なくとも一種の硼酸系化
合物を溶解した水と蛍光体を混合してスラリーを調製
し、スラリーを乾燥し、次に３００〜１０００℃の温度
で焼成することで、蛍光体粒子表面に硼素酸系化合物を
被覆させることで得ることができる。
【００１１】
＜硼酸系化合物の被覆量＞図１に、硼酸系化合物を被覆
したＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ蛍光体について、真空
紫外線分光光度計を用いて１４７ｎｍの真空紫外線励起
時の相対発光強度と、硼酸系化合物の被覆量の関係につ
いてプロットした。ここで硼酸系化合物の被覆量は硼素
（Ｂ）の分析値で表している。図中、実線は蛍光体を空
気中で４５０℃で３０分間のベーキングした場合であ
り、破線はベーキングをしていない蛍光体である。破線
より硼酸系化合物の付着量とともに僅かであるが、相対
輝度は低下傾向であり、その量が０．１重量部付着した
ものの相対発光強度は９５％程度である。
したＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ蛍光体について、真空
紫外線分光光度計を用いて１４７ｎｍの真空紫外線励起
時の相対発光強度と、硼酸系化合物の被覆量の関係につ
いてプロットした。ここで硼酸系化合物の被覆量は硼素
（Ｂ）の分析値で表している。図中、実線は蛍光体を空
気中で４５０℃で３０分間のベーキングした場合であ
り、破線はベーキングをしていない蛍光体である。破線
より硼酸系化合物の付着量とともに僅かであるが、相対
輝度は低下傾向であり、その量が０．１重量部付着した
ものの相対発光強度は９５％程度である。
【００１２】プラズマディスプレイ等発光デバイスの用
途には上述したように蛍光体層を形成するときに使用し
たバインダーを除去する目的でベーキングが行われてい
る。従って、実際の発光デバイスに実装する場合の蛍光
体の相対発光強度は実線のベーキングした場合に近似す
る。
途には上述したように蛍光体層を形成するときに使用し
たバインダーを除去する目的でベーキングが行われてい
る。従って、実際の発光デバイスに実装する場合の蛍光
体の相対発光強度は実線のベーキングした場合に近似す
る。
【００１３】実線で示すベーキングした蛍光体の曲線は
硼素分析値が０．０００１重量部程度まで、相対発光強
度は６０％程度と低いが、硼酸量が増加するに従い発光
輝度は改善され、０．０１重量部被覆した蛍光体の相対
発光強度は９０％を超えている。０．０１重量部以上被
覆したものはベークキングしない実線とほぼ重なり、硼
酸系化合物を被覆したことにより、ベーキングしたこと
の影響がみられなくなっている。言い換えれば、ベーキ
ングによる輝度低下はないといえる。
硼素分析値が０．０００１重量部程度まで、相対発光強
度は６０％程度と低いが、硼酸量が増加するに従い発光
輝度は改善され、０．０１重量部被覆した蛍光体の相対
発光強度は９０％を超えている。０．０１重量部以上被
覆したものはベークキングしない実線とほぼ重なり、硼
酸系化合物を被覆したことにより、ベーキングしたこと
の影響がみられなくなっている。言い換えれば、ベーキ
ングによる輝度低下はないといえる。
【００１４】図１に示すように、相対強度をみるとと本
発明において硼酸系化合物は、蛍光体１００重量部に対
して硼素として、０．００１〜１０重量部の範囲被覆し
ている必要があり、０．０１〜５重量部の範囲被覆して
いることが好ましい。硼素の被覆量が０．００１より小
さいと効果が認められず、１０重量部より多いと大幅に
輝度が低下して実用に適さない。
発明において硼酸系化合物は、蛍光体１００重量部に対
して硼素として、０．００１〜１０重量部の範囲被覆し
ている必要があり、０．０１〜５重量部の範囲被覆して
いることが好ましい。硼素の被覆量が０．００１より小
さいと効果が認められず、１０重量部より多いと大幅に
輝度が低下して実用に適さない。
【００１５】図２に、真空紫外線分光光度計を用いて１
４７ｎｍの真空紫外線励起時の相対発光強度と、硼酸系
化合物の被覆量の関係についてプロットした。図中、実
線は４５０℃で３０分間ベーキングしたＢａＭｇ2Ａｌ1
6Ｏ27：Ｅｕ蛍光体を示し、破線は、同蛍光体をＫｒ−
Ｘｅ−Ｈｅの混合ガスを４ｔｏｒｒ封入したガラス管へ
セットし、１．２Ａの電流、１３０ｖの電圧で１時間ア
ーク放電し、表面を劣化した蛍光体をそれぞれ示してい
る。
４７ｎｍの真空紫外線励起時の相対発光強度と、硼酸系
化合物の被覆量の関係についてプロットした。図中、実
線は４５０℃で３０分間ベーキングしたＢａＭｇ2Ａｌ1
6Ｏ27：Ｅｕ蛍光体を示し、破線は、同蛍光体をＫｒ−
Ｘｅ−Ｈｅの混合ガスを４ｔｏｒｒ封入したガラス管へ
セットし、１．２Ａの電流、１３０ｖの電圧で１時間ア
ーク放電し、表面を劣化した蛍光体をそれぞれ示してい
る。
【００１６】図２より硼酸系化合物を粒子表面に付着し
た蛍光体はそのＢの付着量の増加に応じてＫｒ−Ｘｅ−
Ｈｅの混合ガスの放電管による劣化率は小さくなってい
る。ただ、硼酸系化合物の付着量が多くなると相対発光
強度が低下するので、被覆量は蛍光体１００重量部に対
し、Ｂとして１０重量部より少なくすることが実用上必
要である。
た蛍光体はそのＢの付着量の増加に応じてＫｒ−Ｘｅ−
Ｈｅの混合ガスの放電管による劣化率は小さくなってい
る。ただ、硼酸系化合物の付着量が多くなると相対発光
強度が低下するので、被覆量は蛍光体１００重量部に対
し、Ｂとして１０重量部より少なくすることが実用上必
要である。
【００１７】硼酸系化合物としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｙ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ等の金属
硼酸塩を使用することも可能であるが、これらは励起源
である真空紫外線を吸収する性質があり、輝度は低下し
やすいため、非金属塩であるＢ2Ｏ3、Ｂ4Ｏ5などの酸化
物、或いはＨ3ＢＯ3、Ｈ3Ｂ4Ｏ7、ＨＢＯ2等の硼酸類、
または、硼酸類のアンモニウム塩を用いるのが好まし
い。
ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｙ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ等の金属
硼酸塩を使用することも可能であるが、これらは励起源
である真空紫外線を吸収する性質があり、輝度は低下し
やすいため、非金属塩であるＢ2Ｏ3、Ｂ4Ｏ5などの酸化
物、或いはＨ3ＢＯ3、Ｈ3Ｂ4Ｏ7、ＨＢＯ2等の硼酸類、
または、硼酸類のアンモニウム塩を用いるのが好まし
い。
【００１８】＜硼酸系化合物の被覆方法＞蛍光体粒子表
面に硼酸系化合物を被覆するために、先ず、蛍光体に対
し所定量の硼酸系化合物を混合する。この混合は、でき
るだけ均質な混合を行うことが好ましい。それは蛍光体
粒子表面に形成される硼酸系化合物の被膜はできるだけ
均質であることが好ましいからである。実際の被覆は次
工程の焼成により行われるが、この工程でより均質に行
うことで、焼成温度は低めに設定することができ好まし
い。
面に硼酸系化合物を被覆するために、先ず、蛍光体に対
し所定量の硼酸系化合物を混合する。この混合は、でき
るだけ均質な混合を行うことが好ましい。それは蛍光体
粒子表面に形成される硼酸系化合物の被膜はできるだけ
均質であることが好ましいからである。実際の被覆は次
工程の焼成により行われるが、この工程でより均質に行
うことで、焼成温度は低めに設定することができ好まし
い。
【００１９】均質な混合のためには、硼酸化合物を水溶
性のものを選択し、これを蛍光体懸濁液に添加し、乾燥
（蒸発乾固）することで蛍光体粒子表面に均一に被覆す
ることができる。このような水溶性硼酸化合物としてＢ
2Ｏ3、Ｂ4Ｏ5などの酸化物、或いはＨ3ＢＯ3、Ｈ3Ｂ4Ｏ
7、ＨＢＯ2等の硼酸類、または、硼酸類のアンモニウム
塩等がある。
性のものを選択し、これを蛍光体懸濁液に添加し、乾燥
（蒸発乾固）することで蛍光体粒子表面に均一に被覆す
ることができる。このような水溶性硼酸化合物としてＢ
2Ｏ3、Ｂ4Ｏ5などの酸化物、或いはＨ3ＢＯ3、Ｈ3Ｂ4Ｏ
7、ＨＢＯ2等の硼酸類、または、硼酸類のアンモニウム
塩等がある。
【００２０】これら硼酸系化合物の中で、溶解度の低い
ものは必要量が所定量の水に溶解せず、一部あるいは大
部分が蛍光体の粒子表面に粒子状に付着するが、この中
でも融点が高いものは粒子径が小さい方が少量で蛍光体
粒子表面に被覆することができるため、その被覆の効果
が大きい。従って、蛍光体粒子表面に付着する硼酸系化
合物の粒径は０．１μｍ程度以下であることが好まし
い。
ものは必要量が所定量の水に溶解せず、一部あるいは大
部分が蛍光体の粒子表面に粒子状に付着するが、この中
でも融点が高いものは粒子径が小さい方が少量で蛍光体
粒子表面に被覆することができるため、その被覆の効果
が大きい。従って、蛍光体粒子表面に付着する硼酸系化
合物の粒径は０．１μｍ程度以下であることが好まし
い。
【００２１】＜焼成温度＞蛍光体表面に均質に被覆した
硼酸系化合物をさらに３００〜１０００℃の温度で焼成
するのは、硼酸系化合物を高温で焼成することで、蛍光
体粒子表面にガラス状の強固な被覆物が生成し、被覆物
の光学的透明性を向上すると同時に、被覆物が化学的物
理的に安定化するからである。焼成温度は３００℃より
低いと硼酸系化合物の被覆剤が蛍光体粒子表面に十分拡
散せず、本発明の効果は期待できなくなる。逆に、焼成
温度が１０００℃より高いと、蛍光体粒子内部まで被覆
剤が拡散し、蛍光体が劣化し硼酸による表面のガラス化
による効果を失うばかりか、逆に蛍光体の発光輝度を低
下する。従って、焼成温度は６００〜９００℃の範囲が
さらに望ましい。最も好ましいのは８００℃付近であ
る。前記したように、焼成温度はできるだけ低温度で行
うことが蛍光体母体にとって好ましいが、低温度で行う
ほどガラスの前記した効果は低減する。そこで、前工程
で蛍光体粒子表面にできるだけ均質に硼酸系化合物を付
着しておくことが低温下に効果がある。
硼酸系化合物をさらに３００〜１０００℃の温度で焼成
するのは、硼酸系化合物を高温で焼成することで、蛍光
体粒子表面にガラス状の強固な被覆物が生成し、被覆物
の光学的透明性を向上すると同時に、被覆物が化学的物
理的に安定化するからである。焼成温度は３００℃より
低いと硼酸系化合物の被覆剤が蛍光体粒子表面に十分拡
散せず、本発明の効果は期待できなくなる。逆に、焼成
温度が１０００℃より高いと、蛍光体粒子内部まで被覆
剤が拡散し、蛍光体が劣化し硼酸による表面のガラス化
による効果を失うばかりか、逆に蛍光体の発光輝度を低
下する。従って、焼成温度は６００〜９００℃の範囲が
さらに望ましい。最も好ましいのは８００℃付近であ
る。前記したように、焼成温度はできるだけ低温度で行
うことが蛍光体母体にとって好ましいが、低温度で行う
ほどガラスの前記した効果は低減する。そこで、前工程
で蛍光体粒子表面にできるだけ均質に硼酸系化合物を付
着しておくことが低温下に効果がある。
【００２２】＜焼成雰囲気＞３００〜５００℃の範囲の
比較的低温度で焼成する場合、その焼成雰囲気は空気中
でも良いが、５００〜１０００℃範囲の比較的高温度で
焼成する場合、Ｎ2、Ａｒのような中性雰囲気か、或い
はＮ2−Ｈ2混合ガス雰囲気、ＣＯ2−ＣＯ混合ガス雰囲
気のような弱還元性雰囲気が望ましい。
比較的低温度で焼成する場合、その焼成雰囲気は空気中
でも良いが、５００〜１０００℃範囲の比較的高温度で
焼成する場合、Ｎ2、Ａｒのような中性雰囲気か、或い
はＮ2−Ｈ2混合ガス雰囲気、ＣＯ2−ＣＯ混合ガス雰囲
気のような弱還元性雰囲気が望ましい。
【００２３】
【作用】蛍光体励起発光に使用される紫外線は主とし
て、高圧水銀灯からの３６５ｎｍ、低圧水銀蒸気放電か
ら高効率に得られる２５３．７ｎｍ、同放電から一部放
射されている１８４．９ｎｍ、キセノン放電から放射さ
れる１４７ｎｍの紫外線があるが、紫外線の波長が短い
ほど、透過力が小さく、逆に紫外線の波長が長いほど透
過力が大きくなる。すなわち、１８４．９ｎｍ或いは１
４７ｎｍ等の真空紫外線で励起されるのは蛍光体の比較
的表面付近である。一方、ベーキングにより、酸化され
るのは蛍光体の表面付近であり、必ずしも蛍光体内部ま
で酸化されることはない。従って、真空紫外線で励起発
光するものほど、ベーキングによる酸化の影響を被りや
すい。言い換えれば、真空紫外線励起蛍光体はベーキン
グ改良により蛍光体性能を大幅に改善することができる
ということになる。
て、高圧水銀灯からの３６５ｎｍ、低圧水銀蒸気放電か
ら高効率に得られる２５３．７ｎｍ、同放電から一部放
射されている１８４．９ｎｍ、キセノン放電から放射さ
れる１４７ｎｍの紫外線があるが、紫外線の波長が短い
ほど、透過力が小さく、逆に紫外線の波長が長いほど透
過力が大きくなる。すなわち、１８４．９ｎｍ或いは１
４７ｎｍ等の真空紫外線で励起されるのは蛍光体の比較
的表面付近である。一方、ベーキングにより、酸化され
るのは蛍光体の表面付近であり、必ずしも蛍光体内部ま
で酸化されることはない。従って、真空紫外線で励起発
光するものほど、ベーキングによる酸化の影響を被りや
すい。言い換えれば、真空紫外線励起蛍光体はベーキン
グ改良により蛍光体性能を大幅に改善することができる
ということになる。
【００２４】従って、本発明が効果的に作用するのは、
付活剤が、Ｅｕ2+、Ｍｎ2+、Ｃｅ3+、Ｔｂ3+、Ｓｂ3+、
或いはＳｎ2+である蛍光体である。酸化されやすくしか
も真空紫外線により効率的に励起発光する蛍光体であ
る。このような蛍光体として、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：
Ｅｕ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｓｒ4Ａｌ14
Ｏ25：Ｅｕ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，
Ｔｂ、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔ
ｂ、等がある。この中でも、特にＥｕ2+或いはＭｎ 2+を
付活剤とするアルミン塩酸系の蛍光体に対し効果的であ
る。
付活剤が、Ｅｕ2+、Ｍｎ2+、Ｃｅ3+、Ｔｂ3+、Ｓｂ3+、
或いはＳｎ2+である蛍光体である。酸化されやすくしか
も真空紫外線により効率的に励起発光する蛍光体であ
る。このような蛍光体として、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：
Ｅｕ、ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｓｒ4Ａｌ14
Ｏ25：Ｅｕ、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＬａＰＯ4：Ｃｅ，
Ｔｂ、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔ
ｂ、等がある。この中でも、特にＥｕ2+或いはＭｎ 2+を
付活剤とするアルミン塩酸系の蛍光体に対し効果的であ
る。
【００２５】
【実施例】２価ユーロピウムで付活したアルミン酸塩蛍
光体の一つであるＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕを例とし
て本発明の実施例を説明する。
光体の一つであるＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕを例とし
て本発明の実施例を説明する。
【００２６】先ず、この蛍光体は従来より通常行われる
方法で次のように作製することができる。原料として下
記のものを秤量し、 ＢａＣＯ3 ・・・・・・・・・・・・・・・・ ０．９０モル ３ＭｇＣＯ3・Ｍｇ（ＯＨ）2・３Ｈ2Ｏ・・・・ ０．５０モル γ−Ａｌ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・・・・・・ ８．００モル Ｅｕ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ ０．０５モル これらの全量１００重量部に対し、１．０重量部のＡｌ
Ｆ3を添加し、磁性ポット中でボールミル混合する。
方法で次のように作製することができる。原料として下
記のものを秤量し、 ＢａＣＯ3 ・・・・・・・・・・・・・・・・ ０．９０モル ３ＭｇＣＯ3・Ｍｇ（ＯＨ）2・３Ｈ2Ｏ・・・・ ０．５０モル γ−Ａｌ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・・・・・・ ８．００モル Ｅｕ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ ０．０５モル これらの全量１００重量部に対し、１．０重量部のＡｌ
Ｆ3を添加し、磁性ポット中でボールミル混合する。
【００２７】得られた混合原料を蓋付きアルミナ坩堝に
充填し、空気中で１５００℃８時間焼成する。冷却後さ
らにＮ2−Ｈ2の還元性雰囲気中で１５００℃で８時間焼
成する。冷却後分散処理を行い、３００メッシュの篩を
通した後、脱水乾燥した。
充填し、空気中で１５００℃８時間焼成する。冷却後さ
らにＮ2−Ｈ2の還元性雰囲気中で１５００℃で８時間焼
成する。冷却後分散処理を行い、３００メッシュの篩を
通した後、脱水乾燥した。
【００２８】得られた蛍光体はＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：
Ｅｕ0.1の組成で１４７ｎｍ紫外線励起で青色に発光す
る。（以下ＢＡＭ蛍光体と称す）
Ｅｕ0.1の組成で１４７ｎｍ紫外線励起で青色に発光す
る。（以下ＢＡＭ蛍光体と称す）
【００２９】［実施例１］得られたＢＡＭ蛍光体１００
ｇにＨ3ＢＯ3を０．１ｇと水１００ｇを添加混合し、ス
ラリー状とした後、１００℃で乾燥させる。乾燥後アル
ミナ坩堝に充填し、電気炉を用いて空気中４００℃で１
時間焼成し本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学分析の
結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し０．０１
７重量部であった。
ｇにＨ3ＢＯ3を０．１ｇと水１００ｇを添加混合し、ス
ラリー状とした後、１００℃で乾燥させる。乾燥後アル
ミナ坩堝に充填し、電気炉を用いて空気中４００℃で１
時間焼成し本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学分析の
結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し０．０１
７重量部であった。
【００３０】［実施例２］ＢＡＭ蛍光体１００ｇにＨ3
ＢＯ3を０．５ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と同
様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学分
析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し０．
０８５重量部であった。
ＢＯ3を０．５ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と同
様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学分
析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し０．
０８５重量部であった。
【００３１】［実施例３］ＢＡＭ蛍光体１００ｇにＨ3
ＢＯ3を２．５ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と同
様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学分
析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し０．
４３重量部であった。
ＢＯ3を２．５ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と同
様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学分
析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し０．
４３重量部であった。
【００３２】［実施例４］ＢＡＭ蛍光体１００ｇにＨ3
ＢＯ3を１２．５ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と
同様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学
分析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し
２．１重量部であった。
ＢＯ3を１２．５ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と
同様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学
分析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し
２．１重量部であった。
【００３３】［実施例５］ＢＡＭ蛍光体１００ｇにＨ3
ＢＯ3を２５．０ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と
同様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学
分析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し
４．３重量部であった。
ＢＯ3を２５．０ｇと水１００ｇを添加し、実施例１と
同様の操作を行い本発明の蛍光体を得た。蛍光体の化学
分析の結果によると硼素は蛍光体１００重量部に対し
４．３重量部であった。
【００３４】［実施例６］ＢＡＭ蛍光体１００ｇに硼酸
アンモニウム１ｇと水１００ｇを添加し混合して、スラ
リー状とした後乾燥する。乾燥後、アルミナ坩堝に充填
しＨ2−Ｎ2雰囲気中で８００℃１時間焼成し本発明の蛍
光体を得た。蛍光体の化学分析の結果によると硼素は蛍
光体１００重量部に対し０．１４重量部であった。
アンモニウム１ｇと水１００ｇを添加し混合して、スラ
リー状とした後乾燥する。乾燥後、アルミナ坩堝に充填
しＨ2−Ｎ2雰囲気中で８００℃１時間焼成し本発明の蛍
光体を得た。蛍光体の化学分析の結果によると硼素は蛍
光体１００重量部に対し０．１４重量部であった。
【００３５】［実施例７］ＢＡＭ蛍光体１００ｇを５０
０ｇの水に攪拌しながら投入し蛍光体を完全に懸濁さ
せ、５０ｇの水に溶解したＹ（ＮＯ3）3０．９３ｇを滴
下し、続いて５０ｇの水に溶解したＨ3ＢＯ3を．３４ｇ
滴下後、アンモニア水を加えてｐＨを８にする。１時間
放置した後、脱水しながら十分水洗し乾燥し本発明の蛍
光体を得た。蛍光体の化学分析の結果によると硼素は蛍
光体１００重量部に対し０．０２２重量部であった。
０ｇの水に攪拌しながら投入し蛍光体を完全に懸濁さ
せ、５０ｇの水に溶解したＹ（ＮＯ3）3０．９３ｇを滴
下し、続いて５０ｇの水に溶解したＨ3ＢＯ3を．３４ｇ
滴下後、アンモニア水を加えてｐＨを８にする。１時間
放置した後、脱水しながら十分水洗し乾燥し本発明の蛍
光体を得た。蛍光体の化学分析の結果によると硼素は蛍
光体１００重量部に対し０．０２２重量部であった。
【００３６】［比較例１］本実施例で施したようなＨ3
ＢＯ3等の硼酸系化合物の蛍光体粒子表面への被覆を一
切行わない蛍光体を選択する。すなわち、実施例１〜実
施例７の蛍光体の被覆処理する前の蛍光体である。
ＢＯ3等の硼酸系化合物の蛍光体粒子表面への被覆を一
切行わない蛍光体を選択する。すなわち、実施例１〜実
施例７の蛍光体の被覆処理する前の蛍光体である。
【００３７】［比較例２］蛍光体の粒子表面に被覆する
のではなく、蛍光体の原料の中に硼酸系化合物を仕込み
焼成して得られる蛍光体を次のように調製した。
のではなく、蛍光体の原料の中に硼酸系化合物を仕込み
焼成して得られる蛍光体を次のように調製した。
【００３８】原料として下記のものを秤量し、 ＢａＣＯ3 ・・・・・・・・・・・・・・・・ ０．９０モル ３ＭｇＣＯ3・Ｍｇ（ＯＨ）2・３Ｈ2Ｏ・・・・ ０．５０モル γ−Ａｌ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・・・・・・ ８．００モル Ｅｕ2Ｏ3 ・・・・・・・・・・・・・・・・・ ０．０５モル これらの全量１００重量部に対し、１．０重量部のＡｌ
Ｆ3に加えて０．１重量部のＨ3ＢＯ3を添加し、磁性ポ
ット中でボールミル混合する。得られた混合原料を上記
した実施例１〜７で使用した硼酸化合物被覆前のＢＡＭ
蛍光体と同じ方法で製造した。
Ｆ3に加えて０．１重量部のＨ3ＢＯ3を添加し、磁性ポ
ット中でボールミル混合する。得られた混合原料を上記
した実施例１〜７で使用した硼酸化合物被覆前のＢＡＭ
蛍光体と同じ方法で製造した。
【００３９】実施例１〜７及び比較例１及び２で得られ
たＢＡＭ蛍光体５ｇを磁性坩堝に詰め、電気炉を用いて
４５０℃で３０分間ベーキング行い、ベーキング前後の
輝度比較試験、及び希ガス放電管の試験を行った。結果
を表１に示す。また、発光強度維持率は、ベーキング後
の発光強度／ベーキング前の発光強度×１００％として
算出した。
たＢＡＭ蛍光体５ｇを磁性坩堝に詰め、電気炉を用いて
４５０℃で３０分間ベーキング行い、ベーキング前後の
輝度比較試験、及び希ガス放電管の試験を行った。結果
を表１に示す。また、発光強度維持率は、ベーキング後
の発光強度／ベーキング前の発光強度×１００％として
算出した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、蛍光体粒子表面を
硼酸系化合物で被覆することによって、蛍光体のベーキ
ング時の酸化による劣化を防止し、放電空間中でのイオ
ン衝撃による劣化も防止することができる。すなわち、
本発明の蛍光体を使用することにより、紫外線、特に主
としてキセノンの１４７ｎｍ真空紫外線を利用するカラ
ープラズマディスプレイパネルや、キセノン放電型蛍光
ランプ等の発光デバイスを高輝度化し、しかも働程特性
を改善することが可能となる。
硼酸系化合物で被覆することによって、蛍光体のベーキ
ング時の酸化による劣化を防止し、放電空間中でのイオ
ン衝撃による劣化も防止することができる。すなわち、
本発明の蛍光体を使用することにより、紫外線、特に主
としてキセノンの１４７ｎｍ真空紫外線を利用するカラ
ープラズマディスプレイパネルや、キセノン放電型蛍光
ランプ等の発光デバイスを高輝度化し、しかも働程特性
を改善することが可能となる。
【図１】１４７ｎｍの真空紫外線励起時の相対発光強度
と、硼酸系化合物の被覆量の関係を示す特性図（実線は
ベーク後、破線はベーク前）
と、硼酸系化合物の被覆量の関係を示す特性図（実線は
ベーク後、破線はベーク前）
【図２】１４７ｎｍの真空紫外線励起時の相対発光強度
と、硼酸系化合物の被覆量の関係を示す特性図（実線は
放電管の劣化前、破線は劣化後）
と、硼酸系化合物の被覆量の関係を示す特性図（実線は
放電管の劣化前、破線は劣化後）
Claims (3)
- 【請求項１】 蛍光体の粒子表面に、硼酸系化合物が硼
素（Ｂ）として蛍光体１００重量部に対し０．００１〜
１０重量部被覆されていることを特徴とする真空紫外線
励起発光蛍光体。 - 【請求項２】 前記蛍光体はＥｕ、Ｍｎのうちの少なく
とも一種の付活剤により付活されたアルミン酸塩蛍光体
であることを特徴とする特許請求項１に記載の真空紫外
線励起蛍光体。 - 【請求項３】 蛍光体を、硼酸、酸化硼素、硼酸アンモ
ニウムの内の少なくとも一種の硼酸系化合物を溶解した
水と蛍光体を混合してスラリーを調製し、該スラリーを
乾燥し、次に３００〜１０００℃の温度で焼成すること
で、蛍光体粒子表面に硼酸系化合物を被覆させることを
特徴とする真空紫外線励起発光蛍光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11204997A JP3783329B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11204997A JP3783329B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10298548A true JPH10298548A (ja) | 1998-11-10 |
| JP3783329B2 JP3783329B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=14576751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11204997A Expired - Fee Related JP3783329B2 (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 真空紫外線励起発光蛍光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3783329B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001240856A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 真空紫外線励起発光素子用蛍光体 |
| JP2003253259A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Okayama Prefecture | 表示素子用蛍光体およびその製造方法 |
| WO2004087833A1 (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-14 | Sakai Chemical Industry Co. Ltd. | 蛍光体及びその製造方法 |
| JP2004323576A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体およびプラズマディスプレイ装置 |
| JP2008303230A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 蛍光体およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP11204997A patent/JP3783329B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001240856A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | 真空紫外線励起発光素子用蛍光体 |
| JP2003253259A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Okayama Prefecture | 表示素子用蛍光体およびその製造方法 |
| WO2004087833A1 (ja) | 2003-03-14 | 2004-10-14 | Sakai Chemical Industry Co. Ltd. | 蛍光体及びその製造方法 |
| EP2361959A2 (en) | 2003-03-14 | 2011-08-31 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Phosphor and method for producing same |
| US8580148B2 (en) | 2003-03-14 | 2013-11-12 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Phosphor and method for producing same |
| JP2004323576A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蛍光体およびプラズマディスプレイ装置 |
| JP2008303230A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 蛍光体およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP3783329B2 (ja) | 2006-06-07 |
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