JPH10300988A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
- Publication number
- JPH10300988A JPH10300988A JP10452497A JP10452497A JPH10300988A JP H10300988 A JPH10300988 A JP H10300988A JP 10452497 A JP10452497 A JP 10452497A JP 10452497 A JP10452497 A JP 10452497A JP H10300988 A JPH10300988 A JP H10300988A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- case
- fixed
- metal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 7
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 101000573513 Homo sapiens Muskelin Proteins 0.000 description 1
- 102100026301 Muskelin Human genes 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属板非搭載面に突起する部品をなくし、光
モジュールのケース高さ寸法を小さくできると同時に、
電子冷却器の高さ寸法を大きくすることができる光モジ
ュールを提供する。 【解決手段】 上下に貫通した複数の電極部123を有
する金属板107にレーザダイオードを搭載し、電子冷
却器112の上面を構成しているセラミック基板115
をコの字型に形成して中央部に空間部115Aを設け、
この空間部115Aのペルチェ素子117をなくし、前
記レーザダイオードが前記空間部115Aに配置され、
ケース外部に固定される光ファイバ方向に前記レーザダ
イオードが向くように、前記電子冷却器112のコの字
型のセラミック基板116上に熱伝導性接着剤により、
前記金属板107を固定するようにしたものである。
モジュールのケース高さ寸法を小さくできると同時に、
電子冷却器の高さ寸法を大きくすることができる光モジ
ュールを提供する。 【解決手段】 上下に貫通した複数の電極部123を有
する金属板107にレーザダイオードを搭載し、電子冷
却器112の上面を構成しているセラミック基板115
をコの字型に形成して中央部に空間部115Aを設け、
この空間部115Aのペルチェ素子117をなくし、前
記レーザダイオードが前記空間部115Aに配置され、
ケース外部に固定される光ファイバ方向に前記レーザダ
イオードが向くように、前記電子冷却器112のコの字
型のセラミック基板116上に熱伝導性接着剤により、
前記金属板107を固定するようにしたものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換素子と、
光ファイバとを光学的に結合させる光モジュールに係
り、特に、光電変換素子から発生する熱を冷却する機
能、光電変換素子を一定温度にするため加熱、冷却する
機能を有する電子冷却器を備えた光モジュールに関する
ものである。
光ファイバとを光学的に結合させる光モジュールに係
り、特に、光電変換素子から発生する熱を冷却する機
能、光電変換素子を一定温度にするため加熱、冷却する
機能を有する電子冷却器を備えた光モジュールに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】光通信装置は、発光素子や受光素子等の
光電変換素子と光ファイバとを光学的に結合させる構造
を有した光モジュールが必要とされ、その実用化が図ら
れている。その一例として、光電変換素子から発生する
熱を冷却するための電子冷却器を備えたものがある。
光電変換素子と光ファイバとを光学的に結合させる構造
を有した光モジュールが必要とされ、その実用化が図ら
れている。その一例として、光電変換素子から発生する
熱を冷却するための電子冷却器を備えたものがある。
【0003】図8はかかる従来の光モジュールの断面
図、図9はその光モジュールの電子冷却器の平面図、図
10はその電子冷却器の断面図である。これらの図にお
いて、1は発光素子としてのレーザダイオード(以下、
LDと略す)、2はLD1を半田で固定し、そのLD1
の発熱を放熱するヒートシンク、3はヒートシンク2を
半田で固定したLDヘッダ、4はLD1の出力をモニタ
する受光素子であるモニタフォトダイオード(以下、モ
ニタPDと略す)である。
図、図9はその光モジュールの電子冷却器の平面図、図
10はその電子冷却器の断面図である。これらの図にお
いて、1は発光素子としてのレーザダイオード(以下、
LDと略す)、2はLD1を半田で固定し、そのLD1
の発熱を放熱するヒートシンク、3はヒートシンク2を
半田で固定したLDヘッダ、4はLD1の出力をモニタ
する受光素子であるモニタフォトダイオード(以下、モ
ニタPDと略す)である。
【0004】また、5はモニタPD4を半田で固定した
PDヘッダ、6は温度検出用手段としてのサーミスタ抵
抗(以下、サーミスタと略す)、7は金属板で、表面に
前記のLDヘッダ3、PDヘッダ5、サーミスタ6が放
熱のため半田固定等で取り付けられている。8はLD1
の出力光を集光するレンズであり、金属ホルダを有して
おり、レンズ8とLD1の光軸調整後、YAGレーザ等
で金属板7に溶接固定されている。
PDヘッダ、6は温度検出用手段としてのサーミスタ抵
抗(以下、サーミスタと略す)、7は金属板で、表面に
前記のLDヘッダ3、PDヘッダ5、サーミスタ6が放
熱のため半田固定等で取り付けられている。8はLD1
の出力光を集光するレンズであり、金属ホルダを有して
おり、レンズ8とLD1の光軸調整後、YAGレーザ等
で金属板7に溶接固定されている。
【0005】更に、9はLD1から発生する熱を冷却す
るための電子冷却器であり、図9及び図10に示すよう
に、互いの対向面にメタライズパターン10,11を施
したセラミック基板12,13と、この間にメタライズ
パターン10,11に沿って挟まれた、冷却用のペルチ
ェ効果(通電すると素子の上下端面に温度差を生じる)
を有する半導体(以下、ペルチェ素子と略す)14とで
構成されている。
るための電子冷却器であり、図9及び図10に示すよう
に、互いの対向面にメタライズパターン10,11を施
したセラミック基板12,13と、この間にメタライズ
パターン10,11に沿って挟まれた、冷却用のペルチ
ェ効果(通電すると素子の上下端面に温度差を生じる)
を有する半導体(以下、ペルチェ素子と略す)14とで
構成されている。
【0006】ここで、セラミック基板12,13とペル
チェ素子14は、熱伝導性を良好にするため、半田で固
定されている。セラミック基板12,13のメタライズ
パターン10,11には、軟銅等で形成された通電用リ
ード線15,16が半田で固定されている。セラミック
基板13は金属板7の裏面に半田固定され、セラミック
基板12は、ケース17に半田で固定されている。
チェ素子14は、熱伝導性を良好にするため、半田で固
定されている。セラミック基板12,13のメタライズ
パターン10,11には、軟銅等で形成された通電用リ
ード線15,16が半田で固定されている。セラミック
基板13は金属板7の裏面に半田固定され、セラミック
基板12は、ケース17に半田で固定されている。
【0007】セラミック基板12,13にはAl2 O3
やAlN等が用いられ、メタライズパターン10,11
にはAu等が用いられている。ケース17は一端に透孔
が形成され、バタフライ型の構造で底面が平板なため、
電子冷却器9の高温側からの熱を外部に伝導する構造と
なっている。LDヘッダ3、PDヘッダ5、サーミスタ
6、レンズ8を取り付けた金属板7が、電子冷却器9と
一体にケース17に収納し固定され、保護されている。
やAlN等が用いられ、メタライズパターン10,11
にはAu等が用いられている。ケース17は一端に透孔
が形成され、バタフライ型の構造で底面が平板なため、
電子冷却器9の高温側からの熱を外部に伝導する構造と
なっている。LDヘッダ3、PDヘッダ5、サーミスタ
6、レンズ8を取り付けた金属板7が、電子冷却器9と
一体にケース17に収納し固定され、保護されている。
【0008】また、ケース17内面の所定高さにセラミ
ック端子部18が形成され、このセラミック端子部18
に設けられたAu等のメタライズパターンとLDヘッダ
3、PDヘッダ5、サーミスタ6がワイヤボンディング
等で電気的に結線され、電子冷却器9のリード線15,
16が半田固定により電気的に接続されている。カバー
19はケース17の内部を窒素ガス等で充填後、ケース
17の上面開放部を塞ぐようにケース17にシーム溶接
固定されている。20はフェルール、21は光ファイ
バ、22はスリーブであり、光ファイバ21の端部はフ
ェルール20の中心部に固定保持されており、このフェ
ルール20は、スリーブ22内に挿入されている。光フ
ァイバ21をLD1及びレンズ8に対して光軸調整した
後、フェルール20とスリーブ22がYAGレーザ等で
溶接固定され、スリーブ22は、ケース17にYAGレ
ーザ等で溶接固定される。LD1からの出力光はレンズ
8で集束され、この集束ビームの焦点位置に光軸調整さ
れた光ファイバ21の端面に照射され、光ファイバ21
に光結合される。
ック端子部18が形成され、このセラミック端子部18
に設けられたAu等のメタライズパターンとLDヘッダ
3、PDヘッダ5、サーミスタ6がワイヤボンディング
等で電気的に結線され、電子冷却器9のリード線15,
16が半田固定により電気的に接続されている。カバー
19はケース17の内部を窒素ガス等で充填後、ケース
17の上面開放部を塞ぐようにケース17にシーム溶接
固定されている。20はフェルール、21は光ファイ
バ、22はスリーブであり、光ファイバ21の端部はフ
ェルール20の中心部に固定保持されており、このフェ
ルール20は、スリーブ22内に挿入されている。光フ
ァイバ21をLD1及びレンズ8に対して光軸調整した
後、フェルール20とスリーブ22がYAGレーザ等で
溶接固定され、スリーブ22は、ケース17にYAGレ
ーザ等で溶接固定される。LD1からの出力光はレンズ
8で集束され、この集束ビームの焦点位置に光軸調整さ
れた光ファイバ21の端面に照射され、光ファイバ21
に光結合される。
【0009】また、LD1は通電による光出力時に、レ
ンズ8と逆側端面からも光出力する。これをモニタPD
4で受光することにより、LD1の出力パワーをモニタ
することができる。この光結合時に、LD1から発生し
た熱がヒートシンク2及びLDヘッダ3を介して金属板
7に伝達され、金属板7が一定の温度に達したことがサ
ーミスタ6により検出されると、その検出信号をもとに
電子冷却器9に通電され、ペルチェ素子14により金属
板7が冷却され、したがって、LD1が冷却される。
ンズ8と逆側端面からも光出力する。これをモニタPD
4で受光することにより、LD1の出力パワーをモニタ
することができる。この光結合時に、LD1から発生し
た熱がヒートシンク2及びLDヘッダ3を介して金属板
7に伝達され、金属板7が一定の温度に達したことがサ
ーミスタ6により検出されると、その検出信号をもとに
電子冷却器9に通電され、ペルチェ素子14により金属
板7が冷却され、したがって、LD1が冷却される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の光モジュールの構造では、以下の問題がある。
電子冷却器9の上部に金属板7を固定し、その上部にL
Dヘッダ3、LD1、レンズ8等を固定しており、ケー
ス17内の実装高さは、金属板7の厚み、金属板7搭載
面に固定された突起部品の高さ、電子冷却器9の高さの
加算で決定される。
た従来の光モジュールの構造では、以下の問題がある。
電子冷却器9の上部に金属板7を固定し、その上部にL
Dヘッダ3、LD1、レンズ8等を固定しており、ケー
ス17内の実装高さは、金属板7の厚み、金属板7搭載
面に固定された突起部品の高さ、電子冷却器9の高さの
加算で決定される。
【0011】ところが、ケース17には装置実装による
高さ制限があり、ケース17内に収納するには、金属板
搭載面に固定された突起部品の高さを低くできない場
合、金属板7の厚みや電子冷却器9の高さを低くする必
要があった。電子冷却器9の高さを低くすることは、ペ
ルチェ素子14の高さを低くすることとなり、素子自身
のジュール熱発生、高温側からの熱伝導により、冷却能
力が低下する。
高さ制限があり、ケース17内に収納するには、金属板
搭載面に固定された突起部品の高さを低くできない場
合、金属板7の厚みや電子冷却器9の高さを低くする必
要があった。電子冷却器9の高さを低くすることは、ペ
ルチェ素子14の高さを低くすることとなり、素子自身
のジュール熱発生、高温側からの熱伝導により、冷却能
力が低下する。
【0012】また、環境温度が高くなり、設定された冷
却温度との差が大きくなると、ペルチェ素子14への通
電電流が増加して、ジュール熱増加により冷却限界がさ
らに低下する。このような状況からケース17の高さ寸
法を低くすることは難しく、小型化が困難であるという
問題があった。また、電子冷却器9の冷却能力が制限さ
れると、環境温度が高くなった場合に、金属板7の冷却
設定温度を低くできないという問題が発生し、使用可能
な環境温度も高く設定できないといった問題が発生して
いた。
却温度との差が大きくなると、ペルチェ素子14への通
電電流が増加して、ジュール熱増加により冷却限界がさ
らに低下する。このような状況からケース17の高さ寸
法を低くすることは難しく、小型化が困難であるという
問題があった。また、電子冷却器9の冷却能力が制限さ
れると、環境温度が高くなった場合に、金属板7の冷却
設定温度を低くできないという問題が発生し、使用可能
な環境温度も高く設定できないといった問題が発生して
いた。
【0013】さらに、金属板7の冷却設定温度が高いと
いうことは、LD1の温度が高い状態になり、長期信頼
性を悪化させるという問題にも関係していた。本発明
は、上記問題点を除去し、金属板非搭載面に突起する部
品をなくし、光モジュールのケース高さ寸法の小型化を
図ると同時に、電子冷却器の高さ寸法を大きくすること
ができる光モジュールを提供することを目的とする。
いうことは、LD1の温度が高い状態になり、長期信頼
性を悪化させるという問題にも関係していた。本発明
は、上記問題点を除去し、金属板非搭載面に突起する部
品をなくし、光モジュールのケース高さ寸法の小型化を
図ると同時に、電子冷却器の高さ寸法を大きくすること
ができる光モジュールを提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕ケース内に光電変換素子、レンズ、及びメタライ
ズパターンを有する一対のセラミック基板と、この一対
のセラミック基板間に挟まれた半導体ペルチェ素子を具
備し、前記光電変換素子から発生する熱を冷却する電子
冷却器を固定すると共に、前記光電変換素子及び前記電
子冷却器を前記ケース内に設けられた端子部に電気的に
接続し、前記ケースの外部に前記光電変換素子と前記レ
ンズを介して光学的に結合される光ファイバを固定した
光モジュールにおいて、上下に貫通した複数の電極部
(123)を有する金属板(107)に前記光電変換素
子(101)を搭載し、前記電子冷却器(112)の上
面を構成しているセラミック基板(115)をコの字型
に形成して中央部に空間部(115A)を設け、この空
間部(115A)のペルチェ素子(117)をなくし、
前記光電変換素子(101)が前記空間部(115A)
に配置され、前記ケース(120)の外部に固定される
光ファイバ(126)方向に前記光電変換素子(10
1)が向くように、前記電子冷却器(112)のコの字
型のセラミック基板(115)上に熱伝導性接着剤によ
り、前記金属板(107)を固定するようにしたもので
ある。
成するために、 〔1〕ケース内に光電変換素子、レンズ、及びメタライ
ズパターンを有する一対のセラミック基板と、この一対
のセラミック基板間に挟まれた半導体ペルチェ素子を具
備し、前記光電変換素子から発生する熱を冷却する電子
冷却器を固定すると共に、前記光電変換素子及び前記電
子冷却器を前記ケース内に設けられた端子部に電気的に
接続し、前記ケースの外部に前記光電変換素子と前記レ
ンズを介して光学的に結合される光ファイバを固定した
光モジュールにおいて、上下に貫通した複数の電極部
(123)を有する金属板(107)に前記光電変換素
子(101)を搭載し、前記電子冷却器(112)の上
面を構成しているセラミック基板(115)をコの字型
に形成して中央部に空間部(115A)を設け、この空
間部(115A)のペルチェ素子(117)をなくし、
前記光電変換素子(101)が前記空間部(115A)
に配置され、前記ケース(120)の外部に固定される
光ファイバ(126)方向に前記光電変換素子(10
1)が向くように、前記電子冷却器(112)のコの字
型のセラミック基板(115)上に熱伝導性接着剤によ
り、前記金属板(107)を固定するようにしたもので
ある。
【0015】このように、電子冷却器(112)上面の
セラミック基板(115)がコの字となるように中央部
に空間部(115A)を設ける形状とし、金属板(10
7)に搭載したLDヘッダ(103)とPDヘッダ(1
05)を、その中央部の空間部(115A)に入るよう
に上下反転させて金属板(107)の搭載面(108)
を前記コの字型のセラミック基板(115)上面に固定
するようにしたので、金属板(107)の非搭載面(1
22)に突起する部品がなくなり、光モジュールのケー
ス(120)高さ寸法を小さくできると同時に、ペルチ
ェ素子(117)の高さ寸法を大きくすることができ
る。
セラミック基板(115)がコの字となるように中央部
に空間部(115A)を設ける形状とし、金属板(10
7)に搭載したLDヘッダ(103)とPDヘッダ(1
05)を、その中央部の空間部(115A)に入るよう
に上下反転させて金属板(107)の搭載面(108)
を前記コの字型のセラミック基板(115)上面に固定
するようにしたので、金属板(107)の非搭載面(1
22)に突起する部品がなくなり、光モジュールのケー
ス(120)高さ寸法を小さくできると同時に、ペルチ
ェ素子(117)の高さ寸法を大きくすることができ
る。
【0016】〔2〕ケース内に光電変換素子、レンズ、
及びメタライズパターンを有する一対のセラミック基板
と、この一対のセラミック基板間に挟まれた半導体ペル
チェ素子を具備し、前記光電変換素子から発生する熱を
冷却する電子冷却器を固定すると共に、前記光電変換素
子及び前記電子冷却器を前記ケース内に設けられた端子
部に電気的に接続し、前記ケースの外部に前記光電変換
素子と前記レンズを介して光学的に結合される光ファイ
バを固定した光モジュールにおいて、上下に貫通した複
数の電極部(207,208)を有する金属板(20
5)に前記光電変換素子(201)を搭載し、前記電子
冷却器(213)の上面を構成しているセラミック基板
を平行な2分されたセラミック基板(217−1,21
7−2)として、中央部に空間部(218)を設け、こ
の空間部(218)のペルチェ素子(219)をなく
し、前記光電変換素子(201)が前記空間部(21
8)に配置され、前記ケース(222)外部に固定され
る光ファイバ方向に前記光電変換素子(201)が向く
ように、前記電子冷却器(213)の平行な2分された
セラミック基板(217−1,217−2)上に熱伝導
性接着剤により、前記金属板(205)を固定するよう
にしたものである。
及びメタライズパターンを有する一対のセラミック基板
と、この一対のセラミック基板間に挟まれた半導体ペル
チェ素子を具備し、前記光電変換素子から発生する熱を
冷却する電子冷却器を固定すると共に、前記光電変換素
子及び前記電子冷却器を前記ケース内に設けられた端子
部に電気的に接続し、前記ケースの外部に前記光電変換
素子と前記レンズを介して光学的に結合される光ファイ
バを固定した光モジュールにおいて、上下に貫通した複
数の電極部(207,208)を有する金属板(20
5)に前記光電変換素子(201)を搭載し、前記電子
冷却器(213)の上面を構成しているセラミック基板
を平行な2分されたセラミック基板(217−1,21
7−2)として、中央部に空間部(218)を設け、こ
の空間部(218)のペルチェ素子(219)をなく
し、前記光電変換素子(201)が前記空間部(21
8)に配置され、前記ケース(222)外部に固定され
る光ファイバ方向に前記光電変換素子(201)が向く
ように、前記電子冷却器(213)の平行な2分された
セラミック基板(217−1,217−2)上に熱伝導
性接着剤により、前記金属板(205)を固定するよう
にしたものである。
【0017】このように、電子冷却器(213)上面の
セラミック基板を平行な2分されたセラミック基板(2
17−1,217−2)として、中央部に空間部(21
8)を設け、この空間部(218)のペルチェ素子(2
19)をなくし、金属板(205)に搭載したTWAヘ
ッダ(203)とサーミスタ(204)が、その空間部
(218)に入るように上下反転させて金属板(20
5)の搭載面(206)と電子冷却器(213)の2分
されたセラミック基板(217−1,217−2)の上
面に固定するようにしたので、金属板(205)の非搭
載面(224)に突起する部品がなくなり、光モジュー
ルのケース高さ寸法を小さくできると同時に、ペルチェ
素子(219)の高さ寸法を大きくすることができる。
セラミック基板を平行な2分されたセラミック基板(2
17−1,217−2)として、中央部に空間部(21
8)を設け、この空間部(218)のペルチェ素子(2
19)をなくし、金属板(205)に搭載したTWAヘ
ッダ(203)とサーミスタ(204)が、その空間部
(218)に入るように上下反転させて金属板(20
5)の搭載面(206)と電子冷却器(213)の2分
されたセラミック基板(217−1,217−2)の上
面に固定するようにしたので、金属板(205)の非搭
載面(224)に突起する部品がなくなり、光モジュー
ルのケース高さ寸法を小さくできると同時に、ペルチェ
素子(219)の高さ寸法を大きくすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
第1実施例を示す光モジュールの断面図、図2はその光
モジュールの金属板の斜視図、図3はその金属板上の搭
載図、図4はその光モジュールの内部の電子冷却器と組
み立て説明図である。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の
第1実施例を示す光モジュールの断面図、図2はその光
モジュールの金属板の斜視図、図3はその金属板上の搭
載図、図4はその光モジュールの内部の電子冷却器と組
み立て説明図である。
【0019】これらの図において、101は光電変換素
子としてのレーザダイオード(以下、LDと略す)、1
02はLD101を半田で固定し、LD101の発熱を
放熱するヒートシンク、103はヒートシンク102を
半田で固定したLDヘッダである。104はLD101
の出力をモニタする受光素子であるモニタPD、105
はモニタPD104を半田で固定したPDヘッダ、10
6は温度検出用手段としてのサーミスタである。
子としてのレーザダイオード(以下、LDと略す)、1
02はLD101を半田で固定し、LD101の発熱を
放熱するヒートシンク、103はヒートシンク102を
半田で固定したLDヘッダである。104はLD101
の出力をモニタする受光素子であるモニタPD、105
はモニタPD104を半田で固定したPDヘッダ、10
6は温度検出用手段としてのサーミスタである。
【0020】また、107は金属板であり、図2に示す
ように、上下に電気的に貫通した電極部123を有して
いる。そして、LDヘッダ103、PDヘッダ105、
サーミスタ106は、図3に示すように金属板107の
搭載面108に半田で固定され、金属板搭載面の電極部
109,110とワイヤボンディングで所定の位置に電
気的に結線するようにしている。
ように、上下に電気的に貫通した電極部123を有して
いる。そして、LDヘッダ103、PDヘッダ105、
サーミスタ106は、図3に示すように金属板107の
搭載面108に半田で固定され、金属板搭載面の電極部
109,110とワイヤボンディングで所定の位置に電
気的に結線するようにしている。
【0021】111はLD101の出力光を集光するレ
ンズであり、金属ホルダを有しており、レンズ111と
LD101の光軸調整後、YAGレーザで、図3に示す
ように金属板107の搭載面108に溶接固定されてい
る。112はLD101から発生する熱を冷却するため
の電子冷却器であり、図4に示すように、互いの対向面
にメタライズパターン113,114を施したセラミッ
ク基板115,116と、この間にメタライズパターン
113,114に沿って挟まれた、冷却用のペルチェ素
子117とで構成されている。セラミック基板115,
116とペルチェ素子117は、熱伝導性を良好にする
ため、半田で固定されている。セラミック基板115,
116のメタライズパターン113,114には、軟銅
で形成された通電用リード線118,119が半田で固
定されている。
ンズであり、金属ホルダを有しており、レンズ111と
LD101の光軸調整後、YAGレーザで、図3に示す
ように金属板107の搭載面108に溶接固定されてい
る。112はLD101から発生する熱を冷却するため
の電子冷却器であり、図4に示すように、互いの対向面
にメタライズパターン113,114を施したセラミッ
ク基板115,116と、この間にメタライズパターン
113,114に沿って挟まれた、冷却用のペルチェ素
子117とで構成されている。セラミック基板115,
116とペルチェ素子117は、熱伝導性を良好にする
ため、半田で固定されている。セラミック基板115,
116のメタライズパターン113,114には、軟銅
で形成された通電用リード線118,119が半田で固
定されている。
【0022】また、図4に示すように、セラミック基板
116は、平板であり、セラミック基板115は「コ」
の字型に形成され、中央が空間部115Aを有してい
る。金属板107の搭載面108に固定されたLDヘッ
ダ103、PDヘッダ105、サーミスタ106が、セ
ラミック基板115の中央の空間部115Aに入り、レ
ンズ111が開放部に向くように、図4に示すように、
上下反転させ、金属板107の搭載面108と電子冷却
器112の「コ」の字型セラミック基板115とが半田
で固定される。
116は、平板であり、セラミック基板115は「コ」
の字型に形成され、中央が空間部115Aを有してい
る。金属板107の搭載面108に固定されたLDヘッ
ダ103、PDヘッダ105、サーミスタ106が、セ
ラミック基板115の中央の空間部115Aに入り、レ
ンズ111が開放部に向くように、図4に示すように、
上下反転させ、金属板107の搭載面108と電子冷却
器112の「コ」の字型セラミック基板115とが半田
で固定される。
【0023】セラミック基板116はケース120に半
田で固定されている。なお、セラミック基板115,1
16にはAl2 O3 が用いられ、メタライズパターン1
13,114にはAuが用いられている。ケース120
には一端に透孔が形成され、バタフライ型の構造で底面
が平板なため、電子冷却器112の高温側からの熱を外
部に伝導する構造となっている。
田で固定されている。なお、セラミック基板115,1
16にはAl2 O3 が用いられ、メタライズパターン1
13,114にはAuが用いられている。ケース120
には一端に透孔が形成され、バタフライ型の構造で底面
が平板なため、電子冷却器112の高温側からの熱を外
部に伝導する構造となっている。
【0024】また、LDヘッダ103、PDヘッダ10
5、サーミスタ106、レンズ111を取り付けた金属
板107が、電子冷却器112と一体にケース120に
収納固定され、保護されている。ケース120内面の所
定高さに形成されたセラミック端子部121に設けられ
たAuのメタライズパターンと、金属板非搭載面の電極
部123とは、ワイヤボンディングで所定の位置に電気
的結線することにより、ケース120のセラミック端子
部121とLDヘッダ103、PDヘッダ105、サー
ミスタ106が電気的に結線され、電子冷却器112の
通電用リード線118,119が半田固定により電気的
に接続されている。
5、サーミスタ106、レンズ111を取り付けた金属
板107が、電子冷却器112と一体にケース120に
収納固定され、保護されている。ケース120内面の所
定高さに形成されたセラミック端子部121に設けられ
たAuのメタライズパターンと、金属板非搭載面の電極
部123とは、ワイヤボンディングで所定の位置に電気
的結線することにより、ケース120のセラミック端子
部121とLDヘッダ103、PDヘッダ105、サー
ミスタ106が電気的に結線され、電子冷却器112の
通電用リード線118,119が半田固定により電気的
に接続されている。
【0025】また、カバー124は、ケース120の内
部を窒素ガス等で充填した後、ケース120の上面開放
部を塞ぐようにケース120にシーム溶接固定されてい
る。125はフェルール、126は光ファイバ、127
はスリーブであり、光ファイバ126の端部はフェルー
ル125の中心部に固定保持されており、このフェルー
ル125はスリーブ127内に挿入されている。
部を窒素ガス等で充填した後、ケース120の上面開放
部を塞ぐようにケース120にシーム溶接固定されてい
る。125はフェルール、126は光ファイバ、127
はスリーブであり、光ファイバ126の端部はフェルー
ル125の中心部に固定保持されており、このフェルー
ル125はスリーブ127内に挿入されている。
【0026】そこで、光ファイバ126をLD101及
びレンズ111に対して光軸調整した後、フェルール1
25とスリーブ127がYAGレーザ等で溶接固定さ
れ、スリーブ127は、ケース120にYAGレーザ等
で溶接固定される。LD101からの出力光はレンズ1
11で集束され、この集束ビームの焦点位置に光軸調整
された光ファイバ126の端面に照射され、光ファイバ
126に光結合される。
びレンズ111に対して光軸調整した後、フェルール1
25とスリーブ127がYAGレーザ等で溶接固定さ
れ、スリーブ127は、ケース120にYAGレーザ等
で溶接固定される。LD101からの出力光はレンズ1
11で集束され、この集束ビームの焦点位置に光軸調整
された光ファイバ126の端面に照射され、光ファイバ
126に光結合される。
【0027】また、LD101は通電による光出力時
に、レンズ111と逆側端面からも光出力する。これを
モニタPD104で受光することにより、LD101の
出力パワーをモニタすることができる。この光結合時
に、LD101から発生した熱がヒートシンク102及
びLDヘッダ103を介して金属板107に伝達され、
金属板107が一定の温度に達したことがサーミスタ1
06により検出されると、その検出信号を基に電子冷却
器112に通電され、ペルチェ素子117により金属板
107が冷却され、したがって、LD101が冷却され
る。
に、レンズ111と逆側端面からも光出力する。これを
モニタPD104で受光することにより、LD101の
出力パワーをモニタすることができる。この光結合時
に、LD101から発生した熱がヒートシンク102及
びLDヘッダ103を介して金属板107に伝達され、
金属板107が一定の温度に達したことがサーミスタ1
06により検出されると、その検出信号を基に電子冷却
器112に通電され、ペルチェ素子117により金属板
107が冷却され、したがって、LD101が冷却され
る。
【0028】なお、上述した第1実施例では、光電変換
素子としてLD101を用いたが他の発光素子にも適用
できる。また、受光素子(モニタPD104)を発光素
子(LD101)の位置に実装して光ファイバ126と
結合させる光モジュールに適用でき、その場合、モニタ
PD104及びPDヘッダ105は不要となる。このよ
うに、第1実施例によれば、ケース内に、少なくとも光
電変換素子及びこの光電変換素子から発生する熱を、冷
却ないしは温度安定化するための電子冷却器を固定する
と共に、この光電変換素子、及び前記電子冷却器を前記
ケース内に設けられた端子部に電気的に接続し、前記ケ
ースに光電変換素子と光学的に結合される光ファイバを
固定した光モジュールにおいて、電子冷却器上面のセラ
ミック基板中央部をコの字型になるように形成し、金属
板に搭載したLDヘッダとPDヘッダが、電子冷却器の
コの字型部分の中央部の空間部に入るように金属板を電
子冷却器に固定することにより、金属板非搭載面に突起
する部品がなくなり、光モジュールのケース高さ寸法を
小さくできると同時に、電子冷却器の高さ寸法を大きく
することができる。
素子としてLD101を用いたが他の発光素子にも適用
できる。また、受光素子(モニタPD104)を発光素
子(LD101)の位置に実装して光ファイバ126と
結合させる光モジュールに適用でき、その場合、モニタ
PD104及びPDヘッダ105は不要となる。このよ
うに、第1実施例によれば、ケース内に、少なくとも光
電変換素子及びこの光電変換素子から発生する熱を、冷
却ないしは温度安定化するための電子冷却器を固定する
と共に、この光電変換素子、及び前記電子冷却器を前記
ケース内に設けられた端子部に電気的に接続し、前記ケ
ースに光電変換素子と光学的に結合される光ファイバを
固定した光モジュールにおいて、電子冷却器上面のセラ
ミック基板中央部をコの字型になるように形成し、金属
板に搭載したLDヘッダとPDヘッダが、電子冷却器の
コの字型部分の中央部の空間部に入るように金属板を電
子冷却器に固定することにより、金属板非搭載面に突起
する部品がなくなり、光モジュールのケース高さ寸法を
小さくできると同時に、電子冷却器の高さ寸法を大きく
することができる。
【0029】これは、金属板搭載面の突起している部品
が電子冷却器内部に入ることにより、ケース内の金属板
非搭載面に突起する部品がなくなり、ケース内の実装高
さが金属板の厚みと金属板搭載面に突起する部品高さ寸
法の加算でほぼ決定されることになるためで、概略、電
子冷却器の厚み分、ケース高さ寸法を低くすることがで
きる。
が電子冷却器内部に入ることにより、ケース内の金属板
非搭載面に突起する部品がなくなり、ケース内の実装高
さが金属板の厚みと金属板搭載面に突起する部品高さ寸
法の加算でほぼ決定されることになるためで、概略、電
子冷却器の厚み分、ケース高さ寸法を低くすることがで
きる。
【0030】また、電子冷却器内に入った金属板搭載面
の突起部品が、ケースに接触して熱が伝達されないよう
にするため、電子冷却器の高さ寸法を高くする必要性が
あるが、電子冷却器の高さ寸法が大きくなると、ペルチ
ェ素子を大きくすることができ、通電時のジュール熱、
高温側からの熱伝導の影響を小さくできるために、電子
冷却器の能力が向上し、光電変換素子を一定温度に冷却
できる環境温度をより高く設定できると共に、同一環境
温度において光電変換素子をより低い温度設定で冷却可
能となり、光電変換素子の長期信頼性を向上させること
ができる。
の突起部品が、ケースに接触して熱が伝達されないよう
にするため、電子冷却器の高さ寸法を高くする必要性が
あるが、電子冷却器の高さ寸法が大きくなると、ペルチ
ェ素子を大きくすることができ、通電時のジュール熱、
高温側からの熱伝導の影響を小さくできるために、電子
冷却器の能力が向上し、光電変換素子を一定温度に冷却
できる環境温度をより高く設定できると共に、同一環境
温度において光電変換素子をより低い温度設定で冷却可
能となり、光電変換素子の長期信頼性を向上させること
ができる。
【0031】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。図5は本発明の第2実施例を示す光モジュールの断
面図、図6はその光モジュールの金属板上の搭載図、図
7はその光モジュールの内部の電子冷却器の組み立て説
明図である。これらの図において、201は光電変換素
子としての進行波形型光半導体増幅素子(以下、TWA
と略す)、202はTWAを半田で固定しTWA201
の発熱を放熱するヒートシンク、203はヒートシンク
202を半田で固定したTWAヘッダ、204は温度検
出用手段としてのサーミスタである。
る。図5は本発明の第2実施例を示す光モジュールの断
面図、図6はその光モジュールの金属板上の搭載図、図
7はその光モジュールの内部の電子冷却器の組み立て説
明図である。これらの図において、201は光電変換素
子としての進行波形型光半導体増幅素子(以下、TWA
と略す)、202はTWAを半田で固定しTWA201
の発熱を放熱するヒートシンク、203はヒートシンク
202を半田で固定したTWAヘッダ、204は温度検
出用手段としてのサーミスタである。
【0032】205は金属板であり、上下に電気的に貫
通した電極部230を有している。TWAヘッダ20
3、サーミスタ204と、金属板搭載面の電極部20
7,208とは、ワイヤボンディングで所定の位置に電
気的結線されている。210は入力光ファイバ209の
出力光を集光し、TWA201に入力させるためのレン
ズであり、金属ホルダを有しており、レンズ210とT
WA201の光軸調整後、YAGレーザで金属板205
に溶接固定されている。
通した電極部230を有している。TWAヘッダ20
3、サーミスタ204と、金属板搭載面の電極部20
7,208とは、ワイヤボンディングで所定の位置に電
気的結線されている。210は入力光ファイバ209の
出力光を集光し、TWA201に入力させるためのレン
ズであり、金属ホルダを有しており、レンズ210とT
WA201の光軸調整後、YAGレーザで金属板205
に溶接固定されている。
【0033】211はTWA201の出力光を集光し、
出力光ファイバ212に入力させるためのレンズであ
り、金属ホルダを有しており、レンズ211とTWA2
01の光軸調整後、YAGレーザで金属板205に溶接
固定されている。213はTWA201から発生する熱
を冷却するための電子冷却器であり、図7に示すよう
に、互いの対向面にメタライズパターン214,215
を施したセラミック基板216と、空間部218を有す
る2分されたセラミック基板217−1,217−2
と、これらの間にメタライズパターンに沿って挟まれ
た、冷却用のペルチェ素子219とで構成されている。
出力光ファイバ212に入力させるためのレンズであ
り、金属ホルダを有しており、レンズ211とTWA2
01の光軸調整後、YAGレーザで金属板205に溶接
固定されている。213はTWA201から発生する熱
を冷却するための電子冷却器であり、図7に示すよう
に、互いの対向面にメタライズパターン214,215
を施したセラミック基板216と、空間部218を有す
る2分されたセラミック基板217−1,217−2
と、これらの間にメタライズパターンに沿って挟まれ
た、冷却用のペルチェ素子219とで構成されている。
【0034】ここで、セラミック基板216,217−
1,217−2とペルチェ素子219は、熱伝導性を良
好にするため半田で固定されている。セラミック基板2
16,217−1,217−2のメタライズパターン2
14,215には、軟銅で形成された通電用リード線2
20,221が半田で固定されている。金属板205の
搭載面206に固定されたTWAヘッダ203、サーミ
スタ204がセラミック基板217−1,217−2の
間に入るように半田で固定される。
1,217−2とペルチェ素子219は、熱伝導性を良
好にするため半田で固定されている。セラミック基板2
16,217−1,217−2のメタライズパターン2
14,215には、軟銅で形成された通電用リード線2
20,221が半田で固定されている。金属板205の
搭載面206に固定されたTWAヘッダ203、サーミ
スタ204がセラミック基板217−1,217−2の
間に入るように半田で固定される。
【0035】セラミック基板216は、ケース222に
半田で固定されている。なお、セラミック基板216,
217−1,217−2にはAl2 O3 が用いられ、メ
タライズパターン214,215にはAuが用いられて
いる。ケース222は両端に透孔が形成され、バタフラ
イ型の構造で底面が平板なため、電子冷却器213の高
温側からの熱を外部に伝導する構造となっている。
半田で固定されている。なお、セラミック基板216,
217−1,217−2にはAl2 O3 が用いられ、メ
タライズパターン214,215にはAuが用いられて
いる。ケース222は両端に透孔が形成され、バタフラ
イ型の構造で底面が平板なため、電子冷却器213の高
温側からの熱を外部に伝導する構造となっている。
【0036】TWAヘッダ203、サーミスタ204、
レンズ210,211を取り付けた金属板205が、電
子冷却器213と一体にケース222に収納固定され、
保護されている。ケース222内面の所定高さに形成さ
れたセラミック端子部223に設けられたAuのメタラ
イズパターンと、金属板205の非搭載面224の電極
部230とは、ワイヤボンディングで所定の位置に電気
的に結線することにより、ケース222のセラミック端
子部223とTWAヘッダ203、サーミスタ204が
電気的に接続され、電子冷却器213の通電用リード線
220、221が半田固定により、電気的に接続されて
いる。
レンズ210,211を取り付けた金属板205が、電
子冷却器213と一体にケース222に収納固定され、
保護されている。ケース222内面の所定高さに形成さ
れたセラミック端子部223に設けられたAuのメタラ
イズパターンと、金属板205の非搭載面224の電極
部230とは、ワイヤボンディングで所定の位置に電気
的に結線することにより、ケース222のセラミック端
子部223とTWAヘッダ203、サーミスタ204が
電気的に接続され、電子冷却器213の通電用リード線
220、221が半田固定により、電気的に接続されて
いる。
【0037】カバー225はケース222の内部を窒素
ガス等で充填した後、ケース222の上面開放部を塞ぐ
ようにケース222にシーム溶接固定されている。22
6はフェルール、227はスリーブであり、入力光ファ
イバ209の端部はフェルール226の中心部に固定保
持されており、このフェルール226はスリーブ227
内に挿入されている。
ガス等で充填した後、ケース222の上面開放部を塞ぐ
ようにケース222にシーム溶接固定されている。22
6はフェルール、227はスリーブであり、入力光ファ
イバ209の端部はフェルール226の中心部に固定保
持されており、このフェルール226はスリーブ227
内に挿入されている。
【0038】入力光ファイバ209をTWA201及び
レンズ210に対して光軸調整した後、フェルール22
6とスリーブ227がYAGレーザ等で溶接固定され、
スリーブ227は、ケース222にYAGレーザ等で溶
接固定される。また、228はフェルール、229はス
リーブで、出力光ファイバ212の端部はフェルール2
28の中心部に固定保持されており、このフェルール2
28はスリーブ229内に挿入されている。出力光ファ
イバをTWA201及びレンズ211に対して光軸調整
後、フェルール228とスリーブ229をYAGレーザ
等で溶接固定され、スリーブ229は、ケース222に
YAGレーザ等で溶接固定される。
レンズ210に対して光軸調整した後、フェルール22
6とスリーブ227がYAGレーザ等で溶接固定され、
スリーブ227は、ケース222にYAGレーザ等で溶
接固定される。また、228はフェルール、229はス
リーブで、出力光ファイバ212の端部はフェルール2
28の中心部に固定保持されており、このフェルール2
28はスリーブ229内に挿入されている。出力光ファ
イバをTWA201及びレンズ211に対して光軸調整
後、フェルール228とスリーブ229をYAGレーザ
等で溶接固定され、スリーブ229は、ケース222に
YAGレーザ等で溶接固定される。
【0039】入力光ファイバ209からの出力光はレン
ズ210で集束され、この集束ビームの焦点位置にTW
A201の端面が位置するように入力光ファイバ209
が光軸調整される。TWA201からの出力光はレンズ
211で集束され、この集束ビームの焦点位置に光軸調
整された出力光ファイバ212の端面に照射され、出力
光ファイバ212に光結合される。
ズ210で集束され、この集束ビームの焦点位置にTW
A201の端面が位置するように入力光ファイバ209
が光軸調整される。TWA201からの出力光はレンズ
211で集束され、この集束ビームの焦点位置に光軸調
整された出力光ファイバ212の端面に照射され、出力
光ファイバ212に光結合される。
【0040】入力光ファイバ209からTWA201に
入力された光信号はTWA201内部で増幅して、出力
光ファイバ212から出力される。TWA201の増幅
率は通電される電流により制御される。この光結合時
に、TWA201から発生した熱が、ヒートシンク20
2及びTWAヘッダ203を介して金属板205に伝達
され、金属板205が一定の温度に達したことがサーミ
スタ204により検出されると、その検出信号を基に電
子冷却器213に通電され、ペルチェ素子219により
金属板205が冷却され、したがって、TWA201が
冷却される。
入力された光信号はTWA201内部で増幅して、出力
光ファイバ212から出力される。TWA201の増幅
率は通電される電流により制御される。この光結合時
に、TWA201から発生した熱が、ヒートシンク20
2及びTWAヘッダ203を介して金属板205に伝達
され、金属板205が一定の温度に達したことがサーミ
スタ204により検出されると、その検出信号を基に電
子冷却器213に通電され、ペルチェ素子219により
金属板205が冷却され、したがって、TWA201が
冷却される。
【0041】なお、第2実施例では、光電変換素子とし
てTWA201を用いたが、光スイッチ、光変調器等の
光電変換素子を有した光機能素子や、光集積回路素子
で、温度制御が必要な素子の両端に光ファイバ209,
212を結合させる光モジュールにも適用できる。この
ように、第2実施例によれば、ケース内に、少なくとも
光電変換素子及び前記光電変換素子から発生する熱を冷
却ないしは温度安定化するための電子冷却器を固定する
と共に、この光電変換素子、及び前記電子冷却器を前記
ケース内に設けられた端子部に電気的に接続し、前記ケ
ースに光電変換素子と光学的に結合される光ファイバを
固定した光モジュールにおいて、電子冷却器上面のセラ
ミック基板を2分して、中央部に空間部を設け、金属板
に搭載したTWAヘッダが、その冷却器の中央部の空間
部に入るように金属板を電子冷却器に固定することによ
り、金属板の上面に突起する部品がなくなり、光モジュ
ールのケース高さ寸法を小さくできると同時に、電子冷
却器の高さ寸法を大きくすることができる。
てTWA201を用いたが、光スイッチ、光変調器等の
光電変換素子を有した光機能素子や、光集積回路素子
で、温度制御が必要な素子の両端に光ファイバ209,
212を結合させる光モジュールにも適用できる。この
ように、第2実施例によれば、ケース内に、少なくとも
光電変換素子及び前記光電変換素子から発生する熱を冷
却ないしは温度安定化するための電子冷却器を固定する
と共に、この光電変換素子、及び前記電子冷却器を前記
ケース内に設けられた端子部に電気的に接続し、前記ケ
ースに光電変換素子と光学的に結合される光ファイバを
固定した光モジュールにおいて、電子冷却器上面のセラ
ミック基板を2分して、中央部に空間部を設け、金属板
に搭載したTWAヘッダが、その冷却器の中央部の空間
部に入るように金属板を電子冷却器に固定することによ
り、金属板の上面に突起する部品がなくなり、光モジュ
ールのケース高さ寸法を小さくできると同時に、電子冷
却器の高さ寸法を大きくすることができる。
【0042】これは、金属板搭載面の突起している部品
が電子冷却器内部に入ることで、ケース内の金属板非搭
載面に突起する部品がなくなり、ケース内の実装高さが
金属板の厚みと金属板搭載面に突起する部品高さ寸法の
加算でほぼ決定されることになるためで、概略、電子冷
却器の厚み分、ケース高さ寸法を低くすることができ
る。
が電子冷却器内部に入ることで、ケース内の金属板非搭
載面に突起する部品がなくなり、ケース内の実装高さが
金属板の厚みと金属板搭載面に突起する部品高さ寸法の
加算でほぼ決定されることになるためで、概略、電子冷
却器の厚み分、ケース高さ寸法を低くすることができ
る。
【0043】また、電子冷却器内に入った金属板上面の
突起部品が、ケースに接触して熱が伝達されないように
するため、電子冷却器の高さ寸法を高くする必要がある
が、電子冷却器の高さ寸法が大きくなると、ペルチェ素
子を大きくすることができ、通電時のジュール熱、高温
側からの熱伝導の影響を小さくできるために、電子冷却
器の冷却能力が向上し、光電変換素子を一定温度に冷却
できる環境温度をより高く設定できると共に、同一環境
温度において、光電変換素子をより低い温度設定で冷却
可能となり、光電変換素子の長期信頼性を向上させるこ
とができる。
突起部品が、ケースに接触して熱が伝達されないように
するため、電子冷却器の高さ寸法を高くする必要がある
が、電子冷却器の高さ寸法が大きくなると、ペルチェ素
子を大きくすることができ、通電時のジュール熱、高温
側からの熱伝導の影響を小さくできるために、電子冷却
器の冷却能力が向上し、光電変換素子を一定温度に冷却
できる環境温度をより高く設定できると共に、同一環境
温度において、光電変換素子をより低い温度設定で冷却
可能となり、光電変換素子の長期信頼性を向上させるこ
とができる。
【0044】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【0045】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、金属板非搭載面に突起する部品がなくなり、光
モジュールのケース高さ寸法を低くできると同時に、電
子冷却器の高さ寸法を大きくすることができる。したが
って、ペルチェ素子を大きくすることができ、通電時の
ジュール熱、高温側からの熱伝導の影響を小さくできる
ために、電子冷却器の冷却能力が向上し、光電変換素子
を一定温度に冷却できる環境温度をより高く設定できる
と共に、同一環境温度において、光電変換素子をより低
い温度設定で冷却可能となり、光電変換素子の長期信頼
性を向上させることができる。
よれば、金属板非搭載面に突起する部品がなくなり、光
モジュールのケース高さ寸法を低くできると同時に、電
子冷却器の高さ寸法を大きくすることができる。したが
って、ペルチェ素子を大きくすることができ、通電時の
ジュール熱、高温側からの熱伝導の影響を小さくできる
ために、電子冷却器の冷却能力が向上し、光電変換素子
を一定温度に冷却できる環境温度をより高く設定できる
と共に、同一環境温度において、光電変換素子をより低
い温度設定で冷却可能となり、光電変換素子の長期信頼
性を向上させることができる。
【図1】本発明の第1実施例を示す光モジュールの断面
図である。
図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す光モジュールの金属
板の斜視図である。
板の斜視図である。
【図3】本発明の第1実施例を示す光モジュールの金属
板上の搭載図である。
板上の搭載図である。
【図4】本発明の第1実施例を示す光モジュールの内部
の電子冷却器と組み立て説明図である。
の電子冷却器と組み立て説明図である。
【図5】本発明の第2実施例を示す光モジュールの断面
図である。
図である。
【図6】本発明の第2実施例を示す光モジュールの金属
板上の搭載図である。
板上の搭載図である。
【図7】本発明の第2実施例を示す光モジュールの内部
の電子冷却器の組み立て説明図である。
の電子冷却器の組み立て説明図である。
【図8】従来の光モジュールの断面図である。
【図9】従来の光モジュールの電子冷却器の平面図であ
る。
る。
【図10】従来の光モジュールの電子冷却器の断面図で
ある。
ある。
101 レーザダイオード(LD)〔光電変換素子〕 102,202 ヒートシンク 103 LDヘッダ 104 モニタPD 105 PDヘッダ 106,204 サーミスタ 107,205 金属板 108,206 金属板の搭載面 109,110,207,208 金属板搭載面の電
極部 111,210,211 レンズ 112,213 電子冷却器 113,114,214,215 メタライズパター
ン 115 コの字型のセラミック基板 115A,218 空間部 116,216 セラミック基板 117,219 ペルチェ素子 118,119,220,221 通電用リード線 120,222 ケース 121,223 セラミック端子部 122,224 金属板の非搭載面 123,230 金属板非搭載面の電極部 124,225 カバー 125,226,228 フェルール 126 光ファイバ 127,227,229 スリーブ 201 進行波形型光半導体増幅素子(TWA) 203 TWAヘッダ 209 入力光ファイバ 212 出力光ファイバ 217−1,217−2 2分されたセラミック基板
極部 111,210,211 レンズ 112,213 電子冷却器 113,114,214,215 メタライズパター
ン 115 コの字型のセラミック基板 115A,218 空間部 116,216 セラミック基板 117,219 ペルチェ素子 118,119,220,221 通電用リード線 120,222 ケース 121,223 セラミック端子部 122,224 金属板の非搭載面 123,230 金属板非搭載面の電極部 124,225 カバー 125,226,228 フェルール 126 光ファイバ 127,227,229 スリーブ 201 進行波形型光半導体増幅素子(TWA) 203 TWAヘッダ 209 入力光ファイバ 212 出力光ファイバ 217−1,217−2 2分されたセラミック基板
Claims (2)
- 【請求項1】 ケース内に光電変換素子、レンズ、及び
メタライズパターンを有する一対のセラミック基板と、
該一対のセラミック基板間に挟まれた半導体ペルチェ素
子を具備し、前記光電変換素子から発生する熱を冷却す
る電子冷却器を固定すると共に、前記光電変換素子及び
前記電子冷却器を前記ケース内に設けられた端子部に電
気的に接続し、前記ケースの外部に前記光電変換素子と
前記レンズを介して光学的に結合される光ファイバを固
定した光モジュールにおいて、 上下に貫通した複数の電極部を有する金属板に前記光電
変換素子を搭載し、前記電子冷却器の上面を構成してい
るセラミック基板をコの字型に形成して中央部に空間部
を設け、該空間部のペルチェ素子をなくし、前記光電変
換素子が前記空間部に配置され、前記ケースの外部に固
定される光ファイバ方向に前記光電変換素子が向くよう
に、前記電子冷却器のコの字型のセラミック基板上に熱
伝導性接着剤により、前記金属板を固定することを特徴
とする光モジュール。 - 【請求項2】 ケース内に光電変換素子、レンズ、及び
メタライズパターンを有する一対のセラミック基板と、
該一対のセラミック基板間に挟まれた半導体ペルチェ素
子を具備し、前記光電変換素子から発生する熱を冷却す
る電子冷却器を固定すると共に、前記光電変換素子及び
前記電子冷却器を前記ケース内に設けられた端子部に電
気的に接続し、前記ケースの外部に前記光電変換素子と
前記レンズを介して光学的に結合される光ファイバを固
定した光モジュールにおいて、 上下に貫通した複数の電極部を有する金属板に前記光電
変換素子を搭載し、前記電子冷却器の上面を構成してい
るセラミック基板を平行な2分されたセラミック基板と
して、中央部に空間部を設け、該空間部のペルチェ素子
をなくし、前記光電変換素子が前記空間部に配置され、
前記ケースの外部に固定される光ファイバ方向に前記光
電変換素子が向くように、前記電子冷却器の平行な2分
されたセラミック基板上に熱伝導性接着剤により、前記
金属板を固定したことを特徴とする光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10452497A JPH10300988A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10452497A JPH10300988A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300988A true JPH10300988A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14382890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10452497A Withdrawn JPH10300988A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10300988A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721341B2 (en) | 1999-02-04 | 2004-04-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Mounting structure for semiconductor laser module |
| KR100524778B1 (ko) * | 2003-10-06 | 2005-10-31 | 엘지전자 주식회사 | 실리콘 광벤치 제조 방법 |
| JP2019021866A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ装置 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP10452497A patent/JPH10300988A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6721341B2 (en) | 1999-02-04 | 2004-04-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Mounting structure for semiconductor laser module |
| KR100524778B1 (ko) * | 2003-10-06 | 2005-10-31 | 엘지전자 주식회사 | 실리콘 광벤치 제조 방법 |
| JP2019021866A (ja) * | 2017-07-21 | 2019-02-07 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6027256A (en) | Composite laser diode enclosure and method for making the same | |
| US6490303B1 (en) | Laser diode module | |
| US6703561B1 (en) | Header assembly having integrated cooling device | |
| JP2937791B2 (ja) | ペルチエクラーク | |
| US6404042B1 (en) | Subcarrier and semiconductor device | |
| JP3909257B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JP3076246B2 (ja) | ペルチェクーラ内蔵半導体レーザモジュール | |
| CN114514663B (zh) | 具有用于高频信号传输的电子部件的壳体的基座 | |
| JP2003198042A (ja) | 光モジュール、および光送信もしくは光受信装置 | |
| TWI870154B (zh) | 光模組 | |
| JP2001358398A (ja) | 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール | |
| JPH10282373A (ja) | 光モジュールおよび光モジュールの形成方法 | |
| JPH10300988A (ja) | 光モジュール | |
| JP7544304B1 (ja) | 光モジュールおよび光トランシーバ | |
| JP4609818B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2004303750A (ja) | 熱電装置用パッケージおよびその製造方法 | |
| JP2002329920A (ja) | 光モジュール | |
| JP2008211025A (ja) | 電子モジュール | |
| JPH0567844A (ja) | 半導体レーザモジユール | |
| JP2002270906A (ja) | 熱電モジュール | |
| US6385222B1 (en) | Semiconductor laser module, and method for driving the semiconductor laser module | |
| JP2001168447A (ja) | レーザーダイオード光モジュール | |
| JP2005518100A (ja) | 一体型冷却装置を有するヘッダアセンブリ | |
| JP2005026333A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05175520A (ja) | 光電気回路混載モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |