JPH1030174A - スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 - Google Patents
スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法Info
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- JPH1030174A JPH1030174A JP18767496A JP18767496A JPH1030174A JP H1030174 A JPH1030174 A JP H1030174A JP 18767496 A JP18767496 A JP 18767496A JP 18767496 A JP18767496 A JP 18767496A JP H1030174 A JPH1030174 A JP H1030174A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリングの放電状態を安定させうるス
パッタリング装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット１およびバッキングプレート
３を備え、スパッタリングされる基板が前記ターゲット
に対向する位置にとりつけられており、前記バッキング
プレートは、該バッキングプレート上に前記ターゲット
が接着されて保持されるとともに、接着された前記ター
ゲットの側面から一定間隔をあけてとり囲み、かつ、前
記バッキングプレートの側面と、該バッキングプレート
の前記ターゲット側の表面のうち、該ターゲットに接し
ていない部分とを所定の間隔をあけて覆うようにシール
ドが形成されてなリ、前記バッキングプレートのうちタ
ーゲットが接着された部分の周辺部分の表面粗さが大き
くされてなる。
パッタリング装置を提供する。 【解決手段】 ターゲット１およびバッキングプレート
３を備え、スパッタリングされる基板が前記ターゲット
に対向する位置にとりつけられており、前記バッキング
プレートは、該バッキングプレート上に前記ターゲット
が接着されて保持されるとともに、接着された前記ター
ゲットの側面から一定間隔をあけてとり囲み、かつ、前
記バッキングプレートの側面と、該バッキングプレート
の前記ターゲット側の表面のうち、該ターゲットに接し
ていない部分とを所定の間隔をあけて覆うようにシール
ドが形成されてなリ、前記バッキングプレートのうちタ
ーゲットが接着された部分の周辺部分の表面粗さが大き
くされてなる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
に関する。とくに、スパッタリング装置に用いられる、
ターゲットを保持するためのバッキングプレートに関す
る。
に関する。とくに、スパッタリング装置に用いられる、
ターゲットを保持するためのバッキングプレートに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つであるスパッタリ
ング装置は、薄膜を形成する材料であるターゲットの表
面をアルゴン（Ａｒ）イオンでスパッタすることによっ
て基板の表面に所望の薄膜を堆積する装置であり、主と
して配線用導電膜や、電極用導電膜の堆積に用いられ
る。
ング装置は、薄膜を形成する材料であるターゲットの表
面をアルゴン（Ａｒ）イオンでスパッタすることによっ
て基板の表面に所望の薄膜を堆積する装置であり、主と
して配線用導電膜や、電極用導電膜の堆積に用いられ
る。
【０００３】図４はスパッタリング装置のチャンバーに
とり付けられたターゲットの断面説明図である。図４に
おいて、１はターゲットであり、２はシールドであり、
３はバッキングプレートである。ターゲット１は一般に
円板状または平板状に成形されている。バッキングプレ
ート３はＣｕなどの導電材料で構成されており、バッキ
ングプレート３上には円板または平板の上面にカソード
となるターゲット１が半田付けなどの接着方法によって
とりつけられている。ターゲット１の側面から一定間隔
（以下、ターゲットとシールドのあいだの幅という）を
あけ、バッキングプレート３の側面と、ターゲット１側
のバッキングプレート３の表面のうち、ターゲット１に
接していない部分とを所定の間隔をあけて覆うように、
シールド２が設けられている。また、シールド２は、バ
ッキングプレート３がスパッタリングされないように、
かつ、電位的にはグランドレベルとなるためにも設けら
れている。
とり付けられたターゲットの断面説明図である。図４に
おいて、１はターゲットであり、２はシールドであり、
３はバッキングプレートである。ターゲット１は一般に
円板状または平板状に成形されている。バッキングプレ
ート３はＣｕなどの導電材料で構成されており、バッキ
ングプレート３上には円板または平板の上面にカソード
となるターゲット１が半田付けなどの接着方法によって
とりつけられている。ターゲット１の側面から一定間隔
（以下、ターゲットとシールドのあいだの幅という）を
あけ、バッキングプレート３の側面と、ターゲット１側
のバッキングプレート３の表面のうち、ターゲット１に
接していない部分とを所定の間隔をあけて覆うように、
シールド２が設けられている。また、シールド２は、バ
ッキングプレート３がスパッタリングされないように、
かつ、電位的にはグランドレベルとなるためにも設けら
れている。
【０００４】スパッタ装置内の構造の概略を図５に示
す。図５はスパッタ装置の平面断面説明図である。図５
において図４と同じ部分には同じ符号を付しており、６
は防着板であり、７はガス配管であり、８は基板であ
り、９は真空排気口である。
す。図５はスパッタ装置の平面断面説明図である。図５
において図４と同じ部分には同じ符号を付しており、６
は防着板であり、７はガス配管であり、８は基板であ
り、９は真空排気口である。
【０００５】前記アルゴンイオンでスパッタされてター
ゲット１より叩き出されたターゲット材は、薄膜が堆積
されるべき目的とする基板８上に堆積される他に、スパ
ッタリング装置の真空槽内の各部、とくに薄膜が形成さ
れることを防ぐための防着板６に多く付着し堆積する。
ゲット１より叩き出されたターゲット材は、薄膜が堆積
されるべき目的とする基板８上に堆積される他に、スパ
ッタリング装置の真空槽内の各部、とくに薄膜が形成さ
れることを防ぐための防着板６に多く付着し堆積する。
【０００６】スパッタ装置の真空構内の各部に付着し堆
積した膜が厚くなり、膜の内部応力が大きくなって剥離
するようになると、その一部はパーティクルとなって、
基板上に薄膜を形成する際基板上の薄膜中にとり込まれ
てしまう。このような状態の膜が形成されることは、基
板上に形成されている薄膜の膜質が低下したことになる
ので、目的とする基板以外の部分に堆積した膜の剥離を
長期にわたって防止するため、膜の付着強度を向上させ
る目的で、防着板へのブラスト処理、プラズマ溶射処
理、凹凸薄板の張りつけなどの処理がなされている。ま
た、ターゲット付近にも同様に膜が付着するので、シー
ルドへの膜付着に対する防止処理はなされている。
積した膜が厚くなり、膜の内部応力が大きくなって剥離
するようになると、その一部はパーティクルとなって、
基板上に薄膜を形成する際基板上の薄膜中にとり込まれ
てしまう。このような状態の膜が形成されることは、基
板上に形成されている薄膜の膜質が低下したことになる
ので、目的とする基板以外の部分に堆積した膜の剥離を
長期にわたって防止するため、膜の付着強度を向上させ
る目的で、防着板へのブラスト処理、プラズマ溶射処
理、凹凸薄板の張りつけなどの処理がなされている。ま
た、ターゲット付近にも同様に膜が付着するので、シー
ルドへの膜付着に対する防止処理はなされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】薄膜の形成後にシール
ドとターゲットとのあいだで膜が付着する場所として
は、ターゲット側面、シールド側面、シールド裏面、バ
ッキングプレート表面があるが、シールドには一般的に
表面粗さをあらくする処理（以下、単に表面あらしとい
う）が行われており、ターゲット側面についても膜の付
着強度を向上させるため、表面あらしがおこなわれるば
あいもある。ターゲットの周辺部は、高電圧がかかるバ
ッキングプレートに接着されたターゲットと、グランド
レベルの電位であるシールドが近接しているため、前記
パーティクルが混入することがないように正常な状態を
たもつ必要がある。
ドとターゲットとのあいだで膜が付着する場所として
は、ターゲット側面、シールド側面、シールド裏面、バ
ッキングプレート表面があるが、シールドには一般的に
表面粗さをあらくする処理（以下、単に表面あらしとい
う）が行われており、ターゲット側面についても膜の付
着強度を向上させるため、表面あらしがおこなわれるば
あいもある。ターゲットの周辺部は、高電圧がかかるバ
ッキングプレートに接着されたターゲットと、グランド
レベルの電位であるシールドが近接しているため、前記
パーティクルが混入することがないように正常な状態を
たもつ必要がある。
【０００８】バッキングプレートの表面については、タ
ーゲットをバッキングプレートに半田材にてボンディン
グして固定する際に、表面が平滑であることが必要であ
る。バッキングプレートを繰り返し再生使用するばあ
い、表面があれているつまり平滑でないことによってバ
ッキングプレートを半田材で固定する上で悪影響が生ず
ることが懸念されるので、バッキングプレートの表面あ
らしは行われていない。
ーゲットをバッキングプレートに半田材にてボンディン
グして固定する際に、表面が平滑であることが必要であ
る。バッキングプレートを繰り返し再生使用するばあ
い、表面があれているつまり平滑でないことによってバ
ッキングプレートを半田材で固定する上で悪影響が生ず
ることが懸念されるので、バッキングプレートの表面あ
らしは行われていない。
【０００９】ここで、図６は、ターゲット、シールドお
よびバッキングプレートの側面の断面拡大説明図であ
る。図６において、１、２、３はそれぞれターゲット、
シールド、およびバッキングプレートであり、４ａ、４
ｂはターゲット材からなる付着膜である。スパッタリン
グ装置内で基板に近い位置にある防着板に付着した膜が
剥離するばあいは膜中に異物が堆積することはまれであ
るが、図６に示すように薄膜の形成後にバッキングプレ
ート３にも膜付着膜４ａが付着する。すなわちシールド
２とターゲット１とのあいだに導電性の異物が混入す
る。さらに、前記導電性の膜が剥離しやすいとなると、
スパッタの放電状態の不安定が生じるという問題があ
る。
よびバッキングプレートの側面の断面拡大説明図であ
る。図６において、１、２、３はそれぞれターゲット、
シールド、およびバッキングプレートであり、４ａ、４
ｂはターゲット材からなる付着膜である。スパッタリン
グ装置内で基板に近い位置にある防着板に付着した膜が
剥離するばあいは膜中に異物が堆積することはまれであ
るが、図６に示すように薄膜の形成後にバッキングプレ
ート３にも膜付着膜４ａが付着する。すなわちシールド
２とターゲット１とのあいだに導電性の異物が混入す
る。さらに、前記導電性の膜が剥離しやすいとなると、
スパッタの放電状態の不安定が生じるという問題があ
る。
【００１０】本発明は、バッキングプレート部に付着し
た膜のバッキングプレートへの密着性を向上させること
によって、スパッタ放電中バッキングプレート部に付着
していた膜が剥離してシールドとターゲットとのあいだ
に導電性の異物（パーティクル）が混入する。さらに、
前記導電性の膜が剥離することを防止してスパッタの放
電状態を安定させうるスパッタリング装置を提供するこ
とを課題とする。
た膜のバッキングプレートへの密着性を向上させること
によって、スパッタ放電中バッキングプレート部に付着
していた膜が剥離してシールドとターゲットとのあいだ
に導電性の異物（パーティクル）が混入する。さらに、
前記導電性の膜が剥離することを防止してスパッタの放
電状態を安定させうるスパッタリング装置を提供するこ
とを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、ターゲットおよびバッキングプレートを備え、
スパッタリングされる基板が前記ターゲットに対向する
位置にとりつけられており、（ａ）前記ターゲットは、
該ターゲットの表面がイオンでスパッタリングされるこ
とによって前記基板上に薄膜を形成するための材料であ
る平板状の部材であり、（ｂ）前記バッキングプレート
は、該バッキングプレート上に前記ターゲットが接着さ
れて保持されるとともに、接着された前記ターゲットの
側面から一定間隔をあけてとり囲み、かつ前記バッキン
グプレートの側面と、該バッキングプレートの前記ター
ゲット側の表面のうち該ターゲットに接していない部分
とを所定の間隔をあけて覆うようにシールドが形成され
てなるスパッタリング装置であって、前記バッキングプ
レートのうち前記ターゲットが接着された部分の周辺部
分の表面粗さが大きくされてなることを特徴とする。
装置は、ターゲットおよびバッキングプレートを備え、
スパッタリングされる基板が前記ターゲットに対向する
位置にとりつけられており、（ａ）前記ターゲットは、
該ターゲットの表面がイオンでスパッタリングされるこ
とによって前記基板上に薄膜を形成するための材料であ
る平板状の部材であり、（ｂ）前記バッキングプレート
は、該バッキングプレート上に前記ターゲットが接着さ
れて保持されるとともに、接着された前記ターゲットの
側面から一定間隔をあけてとり囲み、かつ前記バッキン
グプレートの側面と、該バッキングプレートの前記ター
ゲット側の表面のうち該ターゲットに接していない部分
とを所定の間隔をあけて覆うようにシールドが形成され
てなるスパッタリング装置であって、前記バッキングプ
レートのうち前記ターゲットが接着された部分の周辺部
分の表面粗さが大きくされてなることを特徴とする。
【００１２】前記一定間隔をａとあらわすとき、前記周
辺部分の幅が前記ａの１〜３倍であることが好ましい。
辺部分の幅が前記ａの１〜３倍であることが好ましい。
【００１３】前記一定間隔をａとあらわすとき、前記周
辺部分の幅が前記ａの１．５〜２．５倍であることがと
くに好ましい。
辺部分の幅が前記ａの１．５〜２．５倍であることがと
くに好ましい。
【００１４】前記周辺部分の表面粗さが２〜５μｍＲで
あることが放電を安定させることができるため好まし
い。
あることが放電を安定させることができるため好まし
い。
【００１５】前記周辺部分の表面粗さが３．５〜４．５
μｍＲであることがとくに好ましい。
μｍＲであることがとくに好ましい。
【００１６】本発明の薄膜の形成方法は、ターゲットお
よびバッキングプレートを備え、スパッタリングされる
基板が前記ターゲットに対向する位置にとりつけられて
おり、（ａ）前記ターゲットは、該ターゲットの表面が
イオンでスパッタリングされることによって基板上に薄
膜を形成するための材料である平板状の部材であり、
（ｂ）前記バッキングプレートは、該バッキングプレー
ト上に前記ターゲットが接着されて保持されるととも
に、接着された前記ターゲットの側面から一定間隔をあ
けてとり囲み、かつ前記バッキングプレートの側面と、
該バッキングプレートの前記ターゲット側の表面のうち
該ターゲットに接していない部分とを、所定の間隔をあ
けて覆うようにシールドが形成されてなるスパッタリン
グ装置に用いられる前記バッキングプレートの加工方法
であって、前記バッキングプレートのうち前記ターゲッ
トが接着された部分の周辺部分の表面粗さを大きくする
ことを特徴とする。
よびバッキングプレートを備え、スパッタリングされる
基板が前記ターゲットに対向する位置にとりつけられて
おり、（ａ）前記ターゲットは、該ターゲットの表面が
イオンでスパッタリングされることによって基板上に薄
膜を形成するための材料である平板状の部材であり、
（ｂ）前記バッキングプレートは、該バッキングプレー
ト上に前記ターゲットが接着されて保持されるととも
に、接着された前記ターゲットの側面から一定間隔をあ
けてとり囲み、かつ前記バッキングプレートの側面と、
該バッキングプレートの前記ターゲット側の表面のうち
該ターゲットに接していない部分とを、所定の間隔をあ
けて覆うようにシールドが形成されてなるスパッタリン
グ装置に用いられる前記バッキングプレートの加工方法
であって、前記バッキングプレートのうち前記ターゲッ
トが接着された部分の周辺部分の表面粗さを大きくする
ことを特徴とする。
【００１７】ブラスト処理によって前記バッキングプレ
ートの表面粗さが大きくされることが、密着力を増加で
きるため好ましい。
ートの表面粗さが大きくされることが、密着力を増加で
きるため好ましい。
【００１８】このようにして、バッキングプレートにタ
ーゲットを接着またはボンディングしたのちにターゲッ
ト周辺に局所的にブラスト加工を施すことによってバッ
キングプレートを繰り返し使用しても、半田材にて固定
される面は平滑であり半田材でのボンディングによる固
定に影響はない。
ーゲットを接着またはボンディングしたのちにターゲッ
ト周辺に局所的にブラスト加工を施すことによってバッ
キングプレートを繰り返し使用しても、半田材にて固定
される面は平滑であり半田材でのボンディングによる固
定に影響はない。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明にかかわるスパッタリング
装置の実施の形態について添付図を参照しつつ説明す
る。
装置の実施の形態について添付図を参照しつつ説明す
る。
【００２０】図１はバッキングプレート表面を部分的に
ブラスト処理するばあいのバッキングプレートを示す斜
視説明図である。図１において、１はターゲットであ
り、３はバッキングプレートであり、５はブラスト処理
部である。
ブラスト処理するばあいのバッキングプレートを示す斜
視説明図である。図１において、１はターゲットであ
り、３はバッキングプレートであり、５はブラスト処理
部である。
【００２１】まず、ターゲット１をバッキングプレート
３に半田材で半田付けしてボンディングしたのち、バッ
キングプレート３のターゲット１と接触する面の表面の
うちターゲット１の周辺の部分だけをブラスト処理する
ことにより表面をあらしてブラスト処理部５を形成す
る。局所的にブラスト処理を行うために他の部分はブラ
スト処理がなされないように覆いを施す。
３に半田材で半田付けしてボンディングしたのち、バッ
キングプレート３のターゲット１と接触する面の表面の
うちターゲット１の周辺の部分だけをブラスト処理する
ことにより表面をあらしてブラスト処理部５を形成す
る。局所的にブラスト処理を行うために他の部分はブラ
スト処理がなされないように覆いを施す。
【００２２】つぎに密着力をあげる加工をするブラスト
処理を施す部分の寸法などについて、図２を用いて説明
する。図２はターゲット、シールドおよびバッキングプ
レートの側面の断面説明図である。図２において、図１
と同じ部分には同じ符号を用いており、２はシールドで
あり、ａはターゲット１とシールド２とのあいだの幅で
あり、ｎは、正の整数であり、ｎ×ａはブラスト処理部
を行った幅である。図２に示すように、ブラスト処理を
行う幅はターゲットとシールドとのあいだの幅ａのｎ倍
であり、ｎは１〜３であることが好ましい。さらに好ま
しくはｎは１．５〜２．５である。また、図４に示され
るものと同様に、ターゲット１の側面から一定間隔（以
下、ターゲットとシールドのあいだの幅という）をあ
け、バッキングプレート３の側面と、ターゲット１側の
バッキングプレート３の表面のうち、ターゲット１に接
していない部分とを所定の間隔をあけて覆うように、シ
ールド２が設けられている。
処理を施す部分の寸法などについて、図２を用いて説明
する。図２はターゲット、シールドおよびバッキングプ
レートの側面の断面説明図である。図２において、図１
と同じ部分には同じ符号を用いており、２はシールドで
あり、ａはターゲット１とシールド２とのあいだの幅で
あり、ｎは、正の整数であり、ｎ×ａはブラスト処理部
を行った幅である。図２に示すように、ブラスト処理を
行う幅はターゲットとシールドとのあいだの幅ａのｎ倍
であり、ｎは１〜３であることが好ましい。さらに好ま
しくはｎは１．５〜２．５である。また、図４に示され
るものと同様に、ターゲット１の側面から一定間隔（以
下、ターゲットとシールドのあいだの幅という）をあ
け、バッキングプレート３の側面と、ターゲット１側の
バッキングプレート３の表面のうち、ターゲット１に接
していない部分とを所定の間隔をあけて覆うように、シ
ールド２が設けられている。
【００２３】このようなブラスト処理を施したターゲッ
トをつかって成膜を行い、処理を施さないものとターゲ
ットの放電安定性を比較した結果を図３を用いて説明す
る。図３はターゲットの使用開始から使用終了までのあ
いだのターゲット電圧が降下した回数を累積で示すグラ
フであり、実線はブラスト処理を施していないバッキン
グプレートを用いたスパッタリング装置による、時間と
電圧降下回数の関係を示すグラフであり、点線はブラス
ト処理を施したバッキングプレートを用いたスパッタリ
ング装置による時間と電圧降下回数の関係を示すグラフ
である。図３に示すように、処理を施したもの（点線で
示す）はターゲット使用開始から使用終了まで電圧の降
下がなく放電は安定しているのに対し、処理を施さない
ものは使用終了時になると電圧の降下が見られ放電が安
定しなくなっていることがわかる。このことから処理を
施した効果があったことが認められる。
トをつかって成膜を行い、処理を施さないものとターゲ
ットの放電安定性を比較した結果を図３を用いて説明す
る。図３はターゲットの使用開始から使用終了までのあ
いだのターゲット電圧が降下した回数を累積で示すグラ
フであり、実線はブラスト処理を施していないバッキン
グプレートを用いたスパッタリング装置による、時間と
電圧降下回数の関係を示すグラフであり、点線はブラス
ト処理を施したバッキングプレートを用いたスパッタリ
ング装置による時間と電圧降下回数の関係を示すグラフ
である。図３に示すように、処理を施したもの（点線で
示す）はターゲット使用開始から使用終了まで電圧の降
下がなく放電は安定しているのに対し、処理を施さない
ものは使用終了時になると電圧の降下が見られ放電が安
定しなくなっていることがわかる。このことから処理を
施した効果があったことが認められる。
【００２４】ターゲットの裏面にマグネットを配したマ
グネトロンスパッタ方式であれば、ターゲットが矩形の
ばあいは、長辺の端部がとくに膜堆積が多いことがわか
っている。したがって、マグネトロンスパッタ方式に本
発明のスパッタリング装置を適用するばあいには、密着
力強化の処理を施す部分として、長辺の端部のみに限定
してもよい。
グネトロンスパッタ方式であれば、ターゲットが矩形の
ばあいは、長辺の端部がとくに膜堆積が多いことがわか
っている。したがって、マグネトロンスパッタ方式に本
発明のスパッタリング装置を適用するばあいには、密着
力強化の処理を施す部分として、長辺の端部のみに限定
してもよい。
【００２５】密着力を増加させるため、バッキングプレ
ートに表面あらしを施す方法として、他にプラズマ溶
射、凹凸薄板張りつけなどの処理法があるが、これらの
方法によると、凹凸薄板張りつけ方法は、表面が凹凸で
ある薄板を張りつけるべき場所がシールドと接近してい
ることから、表面あらしを施すことによってターゲット
とシールドとが益々接近することになるので、薄板の張
りつけは問題がある。前者、すなわちプラズマ溶射につ
いても、加熱によって変化しやすい半田がシールドのそ
ばにあり、局部的に均一に溶射する必要があるという点
でブラスト処理に劣る。したがって、バッキングプレー
トに表面あらしを施す方法としてはブラスト処理が最も
好ましい。また、このブラスト処理をした部分の表面粗
さは５〜３００μｍＲ、さらに好ましくは１０〜１００
μｍＲである。表面粗さが大きすぎると再使用が困難と
なり、表面粗さが小さすぎると密着力が小さくなるた
め、かかる範囲が最適である。
ートに表面あらしを施す方法として、他にプラズマ溶
射、凹凸薄板張りつけなどの処理法があるが、これらの
方法によると、凹凸薄板張りつけ方法は、表面が凹凸で
ある薄板を張りつけるべき場所がシールドと接近してい
ることから、表面あらしを施すことによってターゲット
とシールドとが益々接近することになるので、薄板の張
りつけは問題がある。前者、すなわちプラズマ溶射につ
いても、加熱によって変化しやすい半田がシールドのそ
ばにあり、局部的に均一に溶射する必要があるという点
でブラスト処理に劣る。したがって、バッキングプレー
トに表面あらしを施す方法としてはブラスト処理が最も
好ましい。また、このブラスト処理をした部分の表面粗
さは５〜３００μｍＲ、さらに好ましくは１０〜１００
μｍＲである。表面粗さが大きすぎると再使用が困難と
なり、表面粗さが小さすぎると密着力が小さくなるた
め、かかる範囲が最適である。
【００２６】本発明にかかわるスパッタリング装置の最
も好ましい実施の形態についてつぎに説明する。
も好ましい実施の形態についてつぎに説明する。
【００２７】最も好ましい形態においては、ターゲット
は金属からなる板であり、バッキングプレートは銅材を
用いてターゲットと同一程度の大きさとし、ターゲット
を固定する位置の周辺部に金層（たとえばステンレス鋼
（ＳＵＳ）またはアルミニウム（Ａｌ））からなるシー
ルドを形成した。バッキングプレートに表面あらしを施
す領域はターゲットとシールドとのあいだの幅ａに対
し、ａ〜３×ａとし、表面あらしをブラスト粒を吹きつ
けることによって表面ブラスト処理した。処理後の表面
粗さは１００μｍであった。
は金属からなる板であり、バッキングプレートは銅材を
用いてターゲットと同一程度の大きさとし、ターゲット
を固定する位置の周辺部に金層（たとえばステンレス鋼
（ＳＵＳ）またはアルミニウム（Ａｌ））からなるシー
ルドを形成した。バッキングプレートに表面あらしを施
す領域はターゲットとシールドとのあいだの幅ａに対
し、ａ〜３×ａとし、表面あらしをブラスト粒を吹きつ
けることによって表面ブラスト処理した。処理後の表面
粗さは１００μｍであった。
【００２８】以上説明した形成方法によって作成したバ
ッキングプレートを用いたスパッタリング装置において
は、バッキングプレートは、従来のバッキングプレート
に比べて繰り返し使用が可能となり、放電は安定し、タ
ーゲット電圧が降下しなくなり長時間の使用ができるよ
うになる。
ッキングプレートを用いたスパッタリング装置において
は、バッキングプレートは、従来のバッキングプレート
に比べて繰り返し使用が可能となり、放電は安定し、タ
ーゲット電圧が降下しなくなり長時間の使用ができるよ
うになる。
【００２９】
【発明の効果】本発明にかかわるスパッタリング装置お
よびバッキングプレートの形成方法によれば、ターゲッ
トを装着し保持するバッキングプレートのターゲット周
辺部分の表面粗さを増加させる、つまり表面をあらくす
ることによって、ターゲットとシールドとのあいだの放
電が不安定となる要因を除くことができるので、放電不
安定による成膜状態への悪影響を低減させる効率を奏す
る。
よびバッキングプレートの形成方法によれば、ターゲッ
トを装着し保持するバッキングプレートのターゲット周
辺部分の表面粗さを増加させる、つまり表面をあらくす
ることによって、ターゲットとシールドとのあいだの放
電が不安定となる要因を除くことができるので、放電不
安定による成膜状態への悪影響を低減させる効率を奏す
る。
【図１】本発明の方法にしたがってバッキングプレート
表面を局所的にブラスト処理したばあいのバッキングプ
レートを示す斜視説明図である。
表面を局所的にブラスト処理したばあいのバッキングプ
レートを示す斜視説明図である。
【図２】本発明にかかわるターゲット、シールドおよび
バッキングプレートの側面の断面説明図である。
バッキングプレートの側面の断面説明図である。
【図３】使用開始時から使用終了時までのあいだの時間
に対するターゲット電圧が降下した回数を示すグラフで
ある。
に対するターゲット電圧が降下した回数を示すグラフで
ある。
【図４】スパッタリング装置のチャンバにとりつけられ
たターゲットの断面説明図である。
たターゲットの断面説明図である。
【図５】スパッタリング装置の断面説明図である。
【図６】ターゲット、シールドおよびバッキングプレー
トの側面の断面拡大説明図である。
トの側面の断面拡大説明図である。
１ ターゲット ２ シールド ３ バッキングプレート ４ａ、４ｂ 付着膜 ５ ブラスト処理部 ６ 防着板 ７ ガス配管 ８ 基板 ９ 真空排気口
Claims (7)
- 【請求項１】 ターゲットおよびバッキングプレートを
備え、スパッタリングされる基板が前記ターゲットに対
向する位置にとりつけられており、（ａ）前記ターゲッ
トは、該ターゲットの表面がイオンでスパッタリングさ
れることによって前記基板上に薄膜を形成するための材
料である平板状の部材であり、（ｂ）前記バッキングプ
レートは、該バッキングプレート上に前記ターゲットが
接着されて保持されるとともに、接着された前記ターゲ
ットの側面から一定間隔をあけてとり囲み、かつ前記バ
ッキングプレートの側面と、該バッキングプレートの前
記ターゲット側の表面のうち該ターゲットに接していな
い部分とを所定の間隔をあけて覆うようにシールドが形
成されてなるスパッタリング装置であって、前記バッキ
ングプレートのうち前記ターゲットが接着された部分の
周辺部分の表面粗さが大きくされてなることを特徴とす
るスパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記一定間隔をａとあらわすとき、前記
周辺部分の幅が前記ａの１〜３倍である請求項１記載の
スパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記一定間隔をａとあらわすとき、前記
周辺部分の幅が前記ａの１．５〜２．５倍である請求項
１記載のスパッタリング装置。 - 【請求項４】 前記周辺部分の表面粗さが２〜５μｍＲ
である請求項１、２または３記載のスパッタリング装
置。 - 【請求項５】 前記周辺部分の表面粗さが３．５〜４．
５μｍＲである請求項１、２または３記載のスパッタリ
ング装置。 - 【請求項６】 ターゲットおよびバッキングプレートを
備え、スパッタリングされる基板が前記ターゲットに対
向する位置にとりつけられており、（ａ）前記ターゲッ
トは、該ターゲットの表面がイオンでスパッタリングさ
れることによって基板上に薄膜を形成するための材料で
ある平板状の部材であり、（ｂ）前記バッキングプレー
トは、該バッキングプレート上に前記ターゲットが接着
されて保持されるとともに、接着された前記ターゲット
の側面から一定間隔をあけてとり囲み、かつ前記バッキ
ングプレートの側面と、該バッキングプレートの前記タ
ーゲット側の表面のうち該ターゲットに接していない部
分とを所定の間隔をあけて覆うようにシールドが形成さ
れてなるスパッタリング装置に用いられる前記バッキン
グプレートの加工方法であって、前記バッキングプレー
トに前記ターゲットを接着したのち前記バッキングプレ
ートの表面粗さを大きくすることを特徴とするバッキン
グプレートの加工方法。 - 【請求項７】 ブラスト処理によって前記バッキングプ
レートの表面粗さを大きくする請求項６記載のバッキン
グプレートの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18767496A JPH1030174A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18767496A JPH1030174A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1030174A true JPH1030174A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16210172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18767496A Pending JPH1030174A (ja) | 1996-07-17 | 1996-07-17 | スパッタリング装置および該装置に用いるバッキングプレートの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1030174A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002016665A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation produisant peu de particules |
| JP2002069628A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Nikko Materials Co Ltd | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット |
| EP1125000A4 (en) * | 1998-10-14 | 2002-06-26 | Praxair Technology Inc | SPUTTER TARGET / CARRIER PLATE ARRANGEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP2009191324A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Ulvac Material Kk | バッキングプレートの製造方法、バッキングプレート、スパッタカソード、スパッタリング装置、及びバッキングプレートの洗浄方法 |
| JP2012067355A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | バッキングプレートの製造方法 |
| CN112226735A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-01-15 | 爱发科电子材料（苏州）有限公司 | 一种集成电路用溅射靶材高绑定率制作方法 |
-
1996
- 1996-07-17 JP JP18767496A patent/JPH1030174A/ja active Pending
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| TWI457455B (zh) * | 2008-02-15 | 2014-10-21 | 愛發科股份有限公司 | 支承板的製造方法、支承板、濺鍍陰極、濺鍍裝置及支承板的洗淨方法 |
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