JPH10302231A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH10302231A JPH10302231A JP9120329A JP12032997A JPH10302231A JP H10302231 A JPH10302231 A JP H10302231A JP 9120329 A JP9120329 A JP 9120329A JP 12032997 A JP12032997 A JP 12032997A JP H10302231 A JPH10302231 A JP H10302231A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 硬磁性膜や電極膜を所望の形状で精度よく形
成することができ、良好にバイアス磁界を最適化するこ
とができる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ポジ型レジストによる第１のマスクパタ
ーン１８によって、絶縁膜１０上に磁気抵抗効果素子２
０を形成する。この第１のマスクパターンを残しつつ、
ネガ型レジストによる第２のマスクパターン２４を形成
する。次に、基板表面全体に、硬磁性層２６及び電極層
２８を順次スパッタリングにより連続的に積層形成す
る。そして、第１及び第２のマスクパターン２４をリフ
トオフ法により剥離除去することによって、マスクパタ
ーン上の硬磁性層２６及び電極層２８を除去する。
成することができ、良好にバイアス磁界を最適化するこ
とができる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ポジ型レジストによる第１のマスクパタ
ーン１８によって、絶縁膜１０上に磁気抵抗効果素子２
０を形成する。この第１のマスクパターンを残しつつ、
ネガ型レジストによる第２のマスクパターン２４を形成
する。次に、基板表面全体に、硬磁性層２６及び電極層
２８を順次スパッタリングにより連続的に積層形成す
る。そして、第１及び第２のマスクパターン２４をリフ
トオフ法により剥離除去することによって、マスクパタ
ーン上の硬磁性層２６及び電極層２８を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクな
どの磁気記録再生装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッ
ド及びその製造方法に関するものである。
どの磁気記録再生装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッ
ド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】磁気記録再生装置，例えばハードディスク
では情報記録の高密度化が進み、１平方インチあたり１
ギガビット以上の記録密度が実用化されつつある。この
ような高密度を達成するためには、再生ヘッドとして、
従来の誘導型ヘッドに代わり、媒体の磁束を直接検出す
る磁気抵抗効果型ヘッドの採用が必要不可欠となってき
ている。
では情報記録の高密度化が進み、１平方インチあたり１
ギガビット以上の記録密度が実用化されつつある。この
ような高密度を達成するためには、再生ヘッドとして、
従来の誘導型ヘッドに代わり、媒体の磁束を直接検出す
る磁気抵抗効果型ヘッドの採用が必要不可欠となってき
ている。
【０００３】磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果膜
に流れる電流の方向と磁化のなす角度をθとすると、抵
抗ＲがＲ＝Ｒ0＋ΔＲ(cosθ)2（ΔＲは最大抵抗変化
量）となり、媒体からの漏れ磁界を抵抗変化として直接
検出するため、ヘッドと媒体間の相対速度に依存しない
高感度化が可能となる。
に流れる電流の方向と磁化のなす角度をθとすると、抵
抗ＲがＲ＝Ｒ0＋ΔＲ(cosθ)2（ΔＲは最大抵抗変化
量）となり、媒体からの漏れ磁界を抵抗変化として直接
検出するため、ヘッドと媒体間の相対速度に依存しない
高感度化が可能となる。
【０００４】代表的な磁気抵抗効果型ヘッドの構造を、
図９に示す。まず図９（A）に示す磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、基板（図示せず）表面に形成された絶縁膜９００
上に、磁気抵抗効果膜に横バイアスを加えて素子出力の
線形性を向上させる軟磁性膜９０２，磁気抵抗効果膜９
０６が、磁気的分離膜９０４としての非磁性膜を介して
積層されており、この上部に、再生トラック幅分の間隔
Ｗを隔てて反強磁性膜９０８及び電極９１０が形成され
ている。この反強磁性膜９０８は、磁気抵抗効果膜９０
６に縦バイアスを加えて単磁区化し、バルクハウゼンノ
イズを抑制するためのものであり、電極９１０はこの反
強磁性膜９０８の上層に選択的に形成される。
図９に示す。まず図９（A）に示す磁気抵抗効果型ヘッ
ドは、基板（図示せず）表面に形成された絶縁膜９００
上に、磁気抵抗効果膜に横バイアスを加えて素子出力の
線形性を向上させる軟磁性膜９０２，磁気抵抗効果膜９
０６が、磁気的分離膜９０４としての非磁性膜を介して
積層されており、この上部に、再生トラック幅分の間隔
Ｗを隔てて反強磁性膜９０８及び電極９１０が形成され
ている。この反強磁性膜９０８は、磁気抵抗効果膜９０
６に縦バイアスを加えて単磁区化し、バルクハウゼンノ
イズを抑制するためのものであり、電極９１０はこの反
強磁性膜９０８の上層に選択的に形成される。
【０００５】ところで、この構造の磁気抵抗効果型ヘッ
ドでは、反強磁性膜９０８として通常ＦｅＭｎが用いら
れている。しかし、このＦｅＭｎは、耐蝕性の面で不都
合があって好ましくない。また、このタイプのヘッドで
は、電極９１０の下側にも磁気抵抗効果膜９０６が形成
されており、磁気抵抗効果膜９０６が再生トラック幅Ｗ
よりも広くなっている。このため、実効的な再生トラッ
ク幅が広がってしまう傾向があり、記録密度の向上には
不利となる。
ドでは、反強磁性膜９０８として通常ＦｅＭｎが用いら
れている。しかし、このＦｅＭｎは、耐蝕性の面で不都
合があって好ましくない。また、このタイプのヘッドで
は、電極９１０の下側にも磁気抵抗効果膜９０６が形成
されており、磁気抵抗効果膜９０６が再生トラック幅Ｗ
よりも広くなっている。このため、実効的な再生トラッ
ク幅が広がってしまう傾向があり、記録密度の向上には
不利となる。
【０００６】これに対し、図９（B）に示すような構造
の磁気抵抗効果型ヘッドが提案されている（特開平３−
１２５３１１号公報や特開平８−１８０３３０号公報参
照）。同図に示すように、このタイプは、軟磁性膜９０
２，磁気的分離膜９０４，磁気抵抗効果膜９０６による
磁気抵抗効果素子が、硬磁性膜９１２及び電極９１０に
よって側方から囲まれた構造となっている。硬磁性膜９
１２は、磁気抵抗効果膜９０６に静磁気的な作用を及ぼ
して単磁区化するためのものであり、図９（A）の反強
磁性膜９０８と同様に縦バイアス膜として作用する。
の磁気抵抗効果型ヘッドが提案されている（特開平３−
１２５３１１号公報や特開平８−１８０３３０号公報参
照）。同図に示すように、このタイプは、軟磁性膜９０
２，磁気的分離膜９０４，磁気抵抗効果膜９０６による
磁気抵抗効果素子が、硬磁性膜９１２及び電極９１０に
よって側方から囲まれた構造となっている。硬磁性膜９
１２は、磁気抵抗効果膜９０６に静磁気的な作用を及ぼ
して単磁区化するためのものであり、図９（A）の反強
磁性膜９０８と同様に縦バイアス膜として作用する。
【０００７】図９（B）に示した構造のヘッドの製造方
法は、図１０〜図１３に主要工程を示す通りである。な
お、それらの図中、（A）は主要断面，（B）は主要平面
を示す。まず、図１０に示すように、基板上の下シール
ド膜（図示せず）表面に形成された絶縁膜９００上に、
軟磁性膜９０２，磁気的分離膜９０４，磁気抵抗効果膜
９０６を、順次連続的に積層する。次に、マスク９２０
を形成してイオンミリングを行う。これによって、マス
ク以外の部分が除去され、図１１に示すようになる。次
に、図１１の主面全体に、図１２に示すように、硬磁性
層９２２，電極層９２４を順次積層形成する。その後、
リフトオフ法によりマスク９２０とともに、この上に形
成された硬磁性層及び電極層を除去すると図１３に示す
構造のヘッドが得られる。
法は、図１０〜図１３に主要工程を示す通りである。な
お、それらの図中、（A）は主要断面，（B）は主要平面
を示す。まず、図１０に示すように、基板上の下シール
ド膜（図示せず）表面に形成された絶縁膜９００上に、
軟磁性膜９０２，磁気的分離膜９０４，磁気抵抗効果膜
９０６を、順次連続的に積層する。次に、マスク９２０
を形成してイオンミリングを行う。これによって、マス
ク以外の部分が除去され、図１１に示すようになる。次
に、図１１の主面全体に、図１２に示すように、硬磁性
層９２２，電極層９２４を順次積層形成する。その後、
リフトオフ法によりマスク９２０とともに、この上に形
成された硬磁性層及び電極層を除去すると図１３に示す
構造のヘッドが得られる。
【０００８】このタイプによれば、再生時の実効トラッ
ク幅の広がりが、図９（A）に示したものよりも少ない
という利点がある。また、縦バイアス膜として、耐蝕性
に優れたＣｏ系の硬磁性膜を使うことができる。
ク幅の広がりが、図９（A）に示したものよりも少ない
という利点がある。また、縦バイアス膜として、耐蝕性
に優れたＣｏ系の硬磁性膜を使うことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、背景技術
では、図１２，図１３に示したように、マスクのリフト
オフによって硬磁性膜及び電極膜が形成されている。し
かしながら、このような手法では、硬磁性膜及び電極膜
の形状パターンの調整が難しく、必ずしも精度のよい境
界面で最適な形状に形成することができないという不都
合がある。特に、硬磁性膜の形状が不適切であると、磁
気抵抗効果素子に対するバイアス磁界の最適化も極めて
困難となってしまう。
では、図１２，図１３に示したように、マスクのリフト
オフによって硬磁性膜及び電極膜が形成されている。し
かしながら、このような手法では、硬磁性膜及び電極膜
の形状パターンの調整が難しく、必ずしも精度のよい境
界面で最適な形状に形成することができないという不都
合がある。特に、硬磁性膜の形状が不適切であると、磁
気抵抗効果素子に対するバイアス磁界の最適化も極めて
困難となってしまう。
【００１０】本発明は、このような点に着目したもの
で、硬磁性膜や電極膜を所望の形状で精度よく形成する
ことができ、良好にバイアス磁界を最適化することがで
きる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供する
ことを、その目的とする。
で、硬磁性膜や電極膜を所望の形状で精度よく形成する
ことができ、良好にバイアス磁界を最適化することがで
きる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供する
ことを、その目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法は、基
板上に磁気抵抗効果素子（20）の積層体（12,14,16）を
形成する工程；この積層体に、第１のレジストによって
第１のマスクパターン（18）を形成する工程；この第１
のマスクパターンを利用して前記積層体をパターニング
し、磁気抵抗効果素子（20）を形成する工程；基板上
に、前記第１のマスクパターンが残るように、第１のレ
ジストとは異なるタイプの第２のレジストによって第２
のマスクパターン（24）を形成する工程；前記第１及び
第２のマスクパターンを利用して、硬磁性膜（30）及び
電極（32）を形成する工程；を含むことを特徴とする。
め、この発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法は、基
板上に磁気抵抗効果素子（20）の積層体（12,14,16）を
形成する工程；この積層体に、第１のレジストによって
第１のマスクパターン（18）を形成する工程；この第１
のマスクパターンを利用して前記積層体をパターニング
し、磁気抵抗効果素子（20）を形成する工程；基板上
に、前記第１のマスクパターンが残るように、第１のレ
ジストとは異なるタイプの第２のレジストによって第２
のマスクパターン（24）を形成する工程；前記第１及び
第２のマスクパターンを利用して、硬磁性膜（30）及び
電極（32）を形成する工程；を含むことを特徴とする。
【００１２】主要な形態によれば、前記硬磁性膜及び電
極を形成する工程は、前記第１及び第２のマスクパター
ンが形成された基板の表面上に硬磁性層（26）及び電極
層（28）を形成する工程；前記第１及び第２のマスクパ
ターンを剥離除去して、硬磁性膜及び電極を形成する工
程；を含むことを特徴とする。
極を形成する工程は、前記第１及び第２のマスクパター
ンが形成された基板の表面上に硬磁性層（26）及び電極
層（28）を形成する工程；前記第１及び第２のマスクパ
ターンを剥離除去して、硬磁性膜及び電極を形成する工
程；を含むことを特徴とする。
【００１３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵
抗効果膜を含み、第１のレジストによる第１のマスクパ
ターンによって形成された磁気抵抗効果素子；前記第１
のレジストとは異なるタイプの第２のレジストによる第
２のマスクパターン及び前記第１のマスクパターンの双
方を利用して形成された硬磁性膜及び電極；含むことを
特徴とする。
抗効果膜を含み、第１のレジストによる第１のマスクパ
ターンによって形成された磁気抵抗効果素子；前記第１
のレジストとは異なるタイプの第２のレジストによる第
２のマスクパターン及び前記第１のマスクパターンの双
方を利用して形成された硬磁性膜及び電極；含むことを
特徴とする。
【００１４】主要な形態によれば、前記磁気抵抗効果素
子は、軟磁性膜（12），磁気的分離膜（14），磁気抵抗
効果膜（16）を含むことを特徴とする。
子は、軟磁性膜（12），磁気的分離膜（14），磁気抵抗
効果膜（16）を含むことを特徴とする。
【００１５】本発明によれば、磁気抵抗効果素子形成用
の第１のマスクパターンをそのまま残しつつ、それに影
響を与えることなく、第２のマスクパターンが形成され
る。そして、これら第１及び第２のマスクパターンを利
用して、リフトオフ法により硬磁性膜及び電極が形成さ
れる。従って、磁気抵抗効果素子に対して所望形状の硬
磁性膜及び電極を形成することができ、また、硬磁性膜
と電極との境界面も精度よく、高品位に形成することが
できる。このため、好適な縦バイアス磁界を得ることが
できる。
の第１のマスクパターンをそのまま残しつつ、それに影
響を与えることなく、第２のマスクパターンが形成され
る。そして、これら第１及び第２のマスクパターンを利
用して、リフトオフ法により硬磁性膜及び電極が形成さ
れる。従って、磁気抵抗効果素子に対して所望形状の硬
磁性膜及び電極を形成することができ、また、硬磁性膜
と電極との境界面も精度よく、高品位に形成することが
できる。このため、好適な縦バイアス磁界を得ることが
できる。
【００１６】この発明の前記及び他の目的，特徴，利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図８を参照しながら詳細に説明する。なお、
それらの図中、（A）は主要工程の断面，（B）は対応す
る平面を示す。まず、図１に示すように、基板（図示せ
ず）表面の下シールド膜（図示せず）上に形成された絶
縁膜１０上に、例えばＣｏＺｒＭｂ膜による軟磁性膜１
２，例えばタンタル膜による磁気的分離膜１４，例えば
ＮｉＦｅ膜による磁気抵抗効果膜１６を、順次スパッタ
リングなどにより連続的に積層する。
て、図１〜図８を参照しながら詳細に説明する。なお、
それらの図中、（A）は主要工程の断面，（B）は対応す
る平面を示す。まず、図１に示すように、基板（図示せ
ず）表面の下シールド膜（図示せず）上に形成された絶
縁膜１０上に、例えばＣｏＺｒＭｂ膜による軟磁性膜１
２，例えばタンタル膜による磁気的分離膜１４，例えば
ＮｉＦｅ膜による磁気抵抗効果膜１６を、順次スパッタ
リングなどにより連続的に積層する。
【００１８】次に、図１の基板の表面全体にポジ型レジ
ストを塗布するとともに、図８（A）に示すような四角
形の遮光部ＳＡを有するフォトマスクを使用して露光を
行う。すると、ポジ型であるため、露光された部分のレ
ジストが現像により除去される。これによって、図２に
示すように、磁気抵抗効果素子を形成するための第１の
マスクパターン１８が形成される。そして、この第１の
マスクパターン１８をマスクとして、図２に矢印で示す
ようにイオンミリングを行う。すなわち、基板全体を公
転及び自転させながら斜め上方からイオンビームを入射
する。これにより、磁気抵抗効果膜１６，磁気的分離膜
１４，軟磁性膜１２を、上層となるに従って断面積が小
さくなるようなテーパ状に順次パターニングし、図３に
示すように、磁気抵抗効果素子２０を形成する。
ストを塗布するとともに、図８（A）に示すような四角
形の遮光部ＳＡを有するフォトマスクを使用して露光を
行う。すると、ポジ型であるため、露光された部分のレ
ジストが現像により除去される。これによって、図２に
示すように、磁気抵抗効果素子を形成するための第１の
マスクパターン１８が形成される。そして、この第１の
マスクパターン１８をマスクとして、図２に矢印で示す
ようにイオンミリングを行う。すなわち、基板全体を公
転及び自転させながら斜め上方からイオンビームを入射
する。これにより、磁気抵抗効果膜１６，磁気的分離膜
１４，軟磁性膜１２を、上層となるに従って断面積が小
さくなるようなテーパ状に順次パターニングし、図３に
示すように、磁気抵抗効果素子２０を形成する。
【００１９】次に、図４に示すように、図３の基板の表
面全体にネガ型のフォトレジスト２２を塗布し、図８
（B）に示すようなコ字状の遮光部ＳＢを有するフォト
マスクを使用して露光を行う。すると、フォトレジスト
２２はネガ型であるため、露光されない部分のレジスト
が現像により除去される。なお、このとき、前記第１の
マスクパターン１８は露光されない。しかし、ポジ型で
あるためにフォトレジストが構造変化を起こさず、フォ
トレジスト２２の現像によって除去されることはなく、
そのまま残る。現像後は、図５に示すようになり、第１
のマスクパターン１８及び第２のマスクパターン２４が
存在する状態となる。
面全体にネガ型のフォトレジスト２２を塗布し、図８
（B）に示すようなコ字状の遮光部ＳＢを有するフォト
マスクを使用して露光を行う。すると、フォトレジスト
２２はネガ型であるため、露光されない部分のレジスト
が現像により除去される。なお、このとき、前記第１の
マスクパターン１８は露光されない。しかし、ポジ型で
あるためにフォトレジストが構造変化を起こさず、フォ
トレジスト２２の現像によって除去されることはなく、
そのまま残る。現像後は、図５に示すようになり、第１
のマスクパターン１８及び第２のマスクパターン２４が
存在する状態となる。
【００２０】次に、図６に示すように、図５の基板の表
面全体に、硬磁性層２６及び電極層２８を順次スパッタ
リングにより連続的に積層形成する。そして、第１のマ
スクパターン１８と第２のマスクパターン２４をリフト
オフ法により剥離除去することによって、この第１のマ
スクパターン１８と第２のマスクパターン２４の上の硬
磁性層２６及び電極層２８が除去される。このようなリ
フトオフ処理により、図７に示すように、硬磁性膜３０
及び電極３２と、磁気抵抗効果素子２０との境界面が、
精度よく形成される。そして最後に、図７の基板の表面
全体に絶縁膜，上シールド膜，保護膜（いずれも図示せ
ず）を順次積層して、磁気抵抗効果型ヘッドを得る。
面全体に、硬磁性層２６及び電極層２８を順次スパッタ
リングにより連続的に積層形成する。そして、第１のマ
スクパターン１８と第２のマスクパターン２４をリフト
オフ法により剥離除去することによって、この第１のマ
スクパターン１８と第２のマスクパターン２４の上の硬
磁性層２６及び電極層２８が除去される。このようなリ
フトオフ処理により、図７に示すように、硬磁性膜３０
及び電極３２と、磁気抵抗効果素子２０との境界面が、
精度よく形成される。そして最後に、図７の基板の表面
全体に絶縁膜，上シールド膜，保護膜（いずれも図示せ
ず）を順次積層して、磁気抵抗効果型ヘッドを得る。
【００２１】なお、この発明には数多くの実施の形態が
あり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能
である。例えば、各部の材料や製造手法は、前記説明中
で示したものに限定されるものではない。
あり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能
である。例えば、各部の材料や製造手法は、前記説明中
で示したものに限定されるものではない。
【００２２】また、前記実施例では、第１のマスクパタ
ーン１８をポジ型レジストで構成し、第２のマスクパタ
ーン２４をネガ型レジストで構成したが、逆に、第１の
マスクパターン１８をネガ型レジストで構成し、第２の
マスクパターン２４をポジ型レジストで構成してもよ
い。一般的には、互いに現像条件が異なるレジストで両
パターンを構成し、第２のマスクパターン形成のための
現像条件で第１のマスクパターンが剥離されないような
組み合わせであれば、どのような構成としてもよい。
ーン１８をポジ型レジストで構成し、第２のマスクパタ
ーン２４をネガ型レジストで構成したが、逆に、第１の
マスクパターン１８をネガ型レジストで構成し、第２の
マスクパターン２４をポジ型レジストで構成してもよ
い。一般的には、互いに現像条件が異なるレジストで両
パターンを構成し、第２のマスクパターン形成のための
現像条件で第１のマスクパターンが剥離されないような
組み合わせであれば、どのような構成としてもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
タイプの異なるレジストを利用したマスクパターンを用
いて硬磁性膜及び電極を形成することとしたので、硬磁
性膜や電極膜を所望の形状で精度よく形成することがで
き、良好にバイアス磁界を最適化することができる効果
がある。
タイプの異なるレジストを利用したマスクパターンを用
いて硬磁性膜及び電極を形成することとしたので、硬磁
性膜や電極膜を所望の形状で精度よく形成することがで
き、良好にバイアス磁界を最適化することができる効果
がある。
【図１】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図２】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図３】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図４】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図５】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図６】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図７】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図８】前記実施形態で使用するフォトマスクの例を示
す図である。
す図である。
【図９】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの例を示す主要断
面図である。
面図である。
【図１０】図９（B）の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
【図１１】図９（B）の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
【図１２】図９（B）の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
【図１３】図９（B）の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
造工程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図
である。
１０…絶縁膜 １２…軟磁性膜 １４…磁気的分離膜 １６…磁気抵抗効果膜 １８…第１のマスクパターン ２０…磁気抵抗効果素子 ２２…フォトレジスト ２４…第２のマスクパターン ２６…硬磁性層 ２８…電極層 ３０…硬磁性膜 ３２…電極
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に磁気抵抗効果素子の積層体を形
成する工程；この積層体に、第１のレジストによって第
１のマスクパターンを形成する工程；この第１のマスク
パターンを利用して前記積層体をパターニングし、磁気
抵抗効果素子を形成する工程；基板上に、前記第１のマ
スクパターンが残るように、第１のレジストとは異なる
タイプの第２のレジストによって第２のマスクパターン
を形成する工程；前記第１及び第２のマスクパターンを
利用して、硬磁性膜及び電極を形成する工程；を含むこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記硬磁性膜及び電極を形成する工程
が、 前記第１及び第２のマスクパターンが形成された基板の
表面上に硬磁性層及び電極層を形成する工程；前記第１
及び第２のマスクパターンを剥離除去して、硬磁性膜及
び電極を形成する工程；を含むことを特徴とする請求項
１記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果素子が、軟磁性膜，磁
気的分離膜，磁気抵抗効果膜を含むことを特徴とする請
求項１又は２記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果膜を含み、第１のレジスト
による第１のマスクパターンによって形成された磁気抵
抗効果素子；前記第１のレジストとは異なるタイプの第
２のレジストによる第２のマスクパターン及び前記第１
のマスクパターンの双方を利用して形成された硬磁性膜
及び電極；を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果素子が、軟磁性膜，磁
気的分離膜を含む積層体であることを特徴とする請求項
４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120329A JPH10302231A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120329A JPH10302231A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302231A true JPH10302231A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14783571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120329A Pending JPH10302231A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10302231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100694960B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9120329A patent/JPH10302231A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100694960B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치 |
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