JPH10303004A - サーミスタ素子及びその製造方法 - Google Patents
サーミスタ素子及びその製造方法Info
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- JPH10303004A JPH10303004A JP9105979A JP10597997A JPH10303004A JP H10303004 A JPH10303004 A JP H10303004A JP 9105979 A JP9105979 A JP 9105979A JP 10597997 A JP10597997 A JP 10597997A JP H10303004 A JPH10303004 A JP H10303004A
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- Japan
- Prior art keywords
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- thermistor
- inorganic material
- external electrode
- electrode
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- Pending
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- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱応答性に優れ、しかも生産性が良く製造コ
ストが低いサーミスタ素子と、その製造方法を提供す
る。 【解決手段】 セラミックス基板１の上に全面に亘り薄
膜サーミスタ２を形成する。この薄膜サーミスタ２の上
に１対の内部電極３を形成した後、この内部電極３及び
露出した薄膜サーミスタ２を覆うように絶縁性無機物質
層４を形成する。各内部電極３の上側の絶縁性無機物質
層４の上に、金属粉末と無機結合材を含む導電性ペース
トをスクリーン印刷等により、内部電極３よりも小面積
となるように塗着し焼成することにより外部電極５を形
成する。この外部電極５の焼成（焼き付け）により、外
部電極５と内部電極４との間に介在していた絶縁性無機
物質層４は外部電極５に吸収され、外部電極５と内部電
極３とが導通する。その後、基板をチップ状に切断し、
複数個のサーミスタ素子を得る。
ストが低いサーミスタ素子と、その製造方法を提供す
る。 【解決手段】 セラミックス基板１の上に全面に亘り薄
膜サーミスタ２を形成する。この薄膜サーミスタ２の上
に１対の内部電極３を形成した後、この内部電極３及び
露出した薄膜サーミスタ２を覆うように絶縁性無機物質
層４を形成する。各内部電極３の上側の絶縁性無機物質
層４の上に、金属粉末と無機結合材を含む導電性ペース
トをスクリーン印刷等により、内部電極３よりも小面積
となるように塗着し焼成することにより外部電極５を形
成する。この外部電極５の焼成（焼き付け）により、外
部電極５と内部電極４との間に介在していた絶縁性無機
物質層４は外部電極５に吸収され、外部電極５と内部電
極３とが導通する。その後、基板をチップ状に切断し、
複数個のサーミスタ素子を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被計測対象の温度
を計測するためのサーミスタ素子と、その製造方法に関
する。
を計測するためのサーミスタ素子と、その製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】チップ状のサーミスタとしては、従来、
次の（１）、（２）のものが用いられている。
次の（１）、（２）のものが用いられている。
【０００３】（１） 遷移金属酸化物サーミスタ焼結体 Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等の遷移金属のうち２種
以上を混合、成形、焼成、切断により６面体からなるチ
ップ状のサーミスタ焼結体を形成し、そのサーミスタ焼
結体の相対向する端面にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極を形
成したサーミスタ。なお、必要に応じて、サーミスタ焼
結体の側面の２面ないし４面にガラス保護膜を形成す
る。
以上を混合、成形、焼成、切断により６面体からなるチ
ップ状のサーミスタ焼結体を形成し、そのサーミスタ焼
結体の相対向する端面にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極を形
成したサーミスタ。なお、必要に応じて、サーミスタ焼
結体の側面の２面ないし４面にガラス保護膜を形成す
る。
【０００４】（２） 遷移金属酸化物薄膜サーミスタ及
びＳｉＣ薄膜サーミスタ アルミナ等のセラミックス基板上にＡｇ−Ｐｄ、Ａｕ−
Ｐｔ等の対向櫛形電極膜をスクリーン印刷法等により形
成後、対向櫛形電極膜の一部を覆うように、ＳｉＣある
いはＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅなどの複合酸化物薄膜をス
パッタリング蒸着によってサーミスタ薄膜を形成し、さ
らに、リード線を接続し、サーミスタ膜上に保護膜を形
成したサーミスタ。
びＳｉＣ薄膜サーミスタ アルミナ等のセラミックス基板上にＡｇ−Ｐｄ、Ａｕ−
Ｐｔ等の対向櫛形電極膜をスクリーン印刷法等により形
成後、対向櫛形電極膜の一部を覆うように、ＳｉＣある
いはＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅなどの複合酸化物薄膜をス
パッタリング蒸着によってサーミスタ薄膜を形成し、さ
らに、リード線を接続し、サーミスタ膜上に保護膜を形
成したサーミスタ。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記（１）の遷移金属
酸化物サーミスタ焼結体は、強度的に薄板化が難しく、
そのため熱応答性に劣るという問題がある。
酸化物サーミスタ焼結体は、強度的に薄板化が難しく、
そのため熱応答性に劣るという問題がある。
【０００６】上記（２）の遷移金属酸化物薄膜サーミス
タ及びＳｉＣ薄膜サーミスタにおいては、結晶性のよい
熱的に安定な薄膜サーミスタを得るためには、スパッタ
リング蒸着法において基板温度を高温度（４００℃以
上）にする必要があり、生産性が低く、製造コストがか
かるという問題がある。
タ及びＳｉＣ薄膜サーミスタにおいては、結晶性のよい
熱的に安定な薄膜サーミスタを得るためには、スパッタ
リング蒸着法において基板温度を高温度（４００℃以
上）にする必要があり、生産性が低く、製造コストがか
かるという問題がある。
【０００７】本発明は、これらの問題点を解決し、熱応
答性に優れ、しかも生産性が良く製造コストが低いサー
ミスタ素子と、その製造方法を提供することを目的とす
る。
答性に優れ、しかも生産性が良く製造コストが低いサー
ミスタ素子と、その製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタ素子
は、セラミックス基板の一主表面に全面に亘って設けら
れた薄膜状のサーミスタと、該薄膜サーミスタの上に設
けられた一対の内部電極と、該内部電極を覆う絶縁性無
機物質層と、各内部電極上に該内部電極よりも小さい面
積にて形成されておりそれぞれ下層の該内部電極に対し
導通している外部電極とを備えたサーミスタ素子であっ
て、該絶縁性無機物質層を該内部電極の全面を覆うよう
に形成した後、その上に金属粉末と無機結合材を含む導
電性ペーストを焼き付けることにより前記外部電極を形
成すると共に、この焼き付けにより該絶縁性無機物質層
の一部を該外部電極に吸収させて外部電極と内部電極と
を導通させてなるものである。
は、セラミックス基板の一主表面に全面に亘って設けら
れた薄膜状のサーミスタと、該薄膜サーミスタの上に設
けられた一対の内部電極と、該内部電極を覆う絶縁性無
機物質層と、各内部電極上に該内部電極よりも小さい面
積にて形成されておりそれぞれ下層の該内部電極に対し
導通している外部電極とを備えたサーミスタ素子であっ
て、該絶縁性無機物質層を該内部電極の全面を覆うよう
に形成した後、その上に金属粉末と無機結合材を含む導
電性ペーストを焼き付けることにより前記外部電極を形
成すると共に、この焼き付けにより該絶縁性無機物質層
の一部を該外部電極に吸収させて外部電極と内部電極と
を導通させてなるものである。
【０００９】かかる本発明のサーミスタ素子は、薄膜よ
りなるサーミスタ層を有するものであり、熱応答性に優
れる。
りなるサーミスタ層を有するものであり、熱応答性に優
れる。
【００１０】本発明のサーミスタ素子の製造方法は、金
属含有有機溶液をセラミックス基板の一主表面にスピン
コート、仮焼を繰り返すことによりセラミックス基板の
全面に亘り成膜し、次いで焼成して薄膜状のサーミスタ
とする工程と、該薄膜状のサーミスタの上面に一対の内
部電極を形成する工程と、該内部電極の上面に全面に亘
り絶縁性無機物質層を形成する工程と、該無機物質層の
上面のうち内部電極の上側の部分に、金属粉末と無機結
合材とを含む導電性ペーストを該内部電極よりも小さな
面積となるように付着させた後焼成し、外部電極を形成
すると共に該絶縁性無機物質層の一部を外部電極に吸収
させて外部電極と内部電極とを導通させる工程と、該外
部電極を形成したウエハ状薄膜サーミスタをチップ状に
切断する工程と、を含むものである。
属含有有機溶液をセラミックス基板の一主表面にスピン
コート、仮焼を繰り返すことによりセラミックス基板の
全面に亘り成膜し、次いで焼成して薄膜状のサーミスタ
とする工程と、該薄膜状のサーミスタの上面に一対の内
部電極を形成する工程と、該内部電極の上面に全面に亘
り絶縁性無機物質層を形成する工程と、該無機物質層の
上面のうち内部電極の上側の部分に、金属粉末と無機結
合材とを含む導電性ペーストを該内部電極よりも小さな
面積となるように付着させた後焼成し、外部電極を形成
すると共に該絶縁性無機物質層の一部を外部電極に吸収
させて外部電極と内部電極とを導通させる工程と、該外
部電極を形成したウエハ状薄膜サーミスタをチップ状に
切断する工程と、を含むものである。
【００１１】このサーミスタ素子の製造方法において
は、外部電極の焼き付けにより外部電極と内部電極との
間の絶縁性無機物質層を該外部電極に吸収させて外部電
極を内部電極に導通させるようにしており、製造プロセ
スが簡略化され、量産化に適し、製造コストを低減でき
る。
は、外部電極の焼き付けにより外部電極と内部電極との
間の絶縁性無機物質層を該外部電極に吸収させて外部電
極を内部電極に導通させるようにしており、製造プロセ
スが簡略化され、量産化に適し、製造コストを低減でき
る。
【００１２】なお、外部電極部にリード線等の引き出し
線を接続する加熱処理を施しても、その下地に内部電極
膜があるので、外部電極部の剥離が発生しにくくなる。
線を接続する加熱処理を施しても、その下地に内部電極
膜があるので、外部電極部の剥離が発生しにくくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は実施の形態に係るサ
ーミスタ素子の製造方法を示す断面図、図１（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿
う断面図である。
ーミスタ素子の製造方法を示す断面図、図１（ｂ），
（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿
う断面図である。
【００１４】このサーミスタ素子を製造するには、まず
アルミナ等のセラミックス基板１の上に全面に亘り薄膜
サーミスタ２を形成する（図１（ａ）の〜）。この
薄膜サーミスタ２の上に１対の内部電極３を形成（同
）した後、この内部電極３及び露出した薄膜サーミス
タ２を覆うように絶縁性無機物質層４を形成する（同
）。
アルミナ等のセラミックス基板１の上に全面に亘り薄膜
サーミスタ２を形成する（図１（ａ）の〜）。この
薄膜サーミスタ２の上に１対の内部電極３を形成（同
）した後、この内部電極３及び露出した薄膜サーミス
タ２を覆うように絶縁性無機物質層４を形成する（同
）。
【００１５】次に、各内部電極３の上側の絶縁性無機物
質層４の上に、金属粉末と無機結合材を含む導電性ペー
ストをスクリーン印刷等により、内部電極３よりも小面
積となるように塗着し（同）、次いで乾燥及び焼成す
ることにより外部電極５を形成する。この外部電極５の
焼成（焼き付け）により、外部電極５と内部電極４との
間に介在していた絶縁性無機物質層４は外部電極５に吸
収され、外部電極５と内部電極３とが導通する（同
）。
質層４の上に、金属粉末と無機結合材を含む導電性ペー
ストをスクリーン印刷等により、内部電極３よりも小面
積となるように塗着し（同）、次いで乾燥及び焼成す
ることにより外部電極５を形成する。この外部電極５の
焼成（焼き付け）により、外部電極５と内部電極４との
間に介在していた絶縁性無機物質層４は外部電極５に吸
収され、外部電極５と内部電極３とが導通する（同
）。
【００１６】なお、図１（ａ）では、セラミックス基板
１は紙面と垂直方向及び左右方向に拡がっており、上記
〜の工程を経た後、この基板をチップ状に切断し、
複数個のサーミスタ素子を得る。図１（ｂ），（ｃ）は
このようにして得られたチップ状薄膜サーミスタの断面
図である。
１は紙面と垂直方向及び左右方向に拡がっており、上記
〜の工程を経た後、この基板をチップ状に切断し、
複数個のサーミスタ素子を得る。図１（ｂ），（ｃ）は
このようにして得られたチップ状薄膜サーミスタの断面
図である。
【００１７】上記〜の工程の好適な形態を詳しく説
明する。
明する。
【００１８】工程，：セラミックス基板としてはア
ルミナ基板が好ましく、その厚さは例えば０．１〜１．
０μｍ程度とされる。
ルミナ基板が好ましく、その厚さは例えば０．１〜１．
０μｍ程度とされる。
【００１９】この基板上に薄膜サーミスタを成膜するに
は、金属含有有機溶液をスピンコートし、乾燥し、これ
を複数回繰り返して所定厚みのコート層を得た後、仮焼
及び焼成するのが好ましい。
は、金属含有有機溶液をスピンコートし、乾燥し、これ
を複数回繰り返して所定厚みのコート層を得た後、仮焼
及び焼成するのが好ましい。
【００２０】金属含有有機溶液としては有機金属化合物
を有機溶媒に混合したものであっても良く、有機溶媒に
溶解する無機化合物を該有機溶媒に溶解させたものであ
っても良く、要するに塗付、乾燥及び焼成によりサーミ
スタ組成の酸化物薄膜が基板上に形成されるものであれ
ば良い。サーミスタ組成は特に限定されるものではな
く、例えばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ等の金
属の酸化物よりなる各種組成のものを採用できる。
を有機溶媒に混合したものであっても良く、有機溶媒に
溶解する無機化合物を該有機溶媒に溶解させたものであ
っても良く、要するに塗付、乾燥及び焼成によりサーミ
スタ組成の酸化物薄膜が基板上に形成されるものであれ
ば良い。サーミスタ組成は特に限定されるものではな
く、例えばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ等の金
属の酸化物よりなる各種組成のものを採用できる。
【００２１】焼成温度、時間はサーミスタ組成に応じ適
宜選定すれば良い。
宜選定すれば良い。
【００２２】薄膜サーミスタ２の膜厚は、特に限定され
るものではないが、通常は０．１〜２μｍ程度とされ
る。
るものではないが、通常は０．１〜２μｍ程度とされ
る。
【００２３】工程：内部電極３を形成するには、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属レジネート（貴金属の樹脂酸
（例えばアビエチン酸）化合物を有機溶剤に溶解させた
もの）をスクリーン印刷し、焼き付けるのが好ましい。
内部電極３の厚さは０．１〜１μｍ程度が好ましい。
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属レジネート（貴金属の樹脂酸
（例えばアビエチン酸）化合物を有機溶剤に溶解させた
もの）をスクリーン印刷し、焼き付けるのが好ましい。
内部電極３の厚さは０．１〜１μｍ程度が好ましい。
【００２４】工程：絶縁性無機物質層４は、５０ｗｔ
％以上のＳｉＯ2 と、残部がＡｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ2 及びＴｉＯ2 よりなる群から選ばれる１種または２
種以上の酸化物を主成分とするガラスより構成されるの
が好ましい。この絶縁性無機物質層４はスパッタリング
により厚さ０．１〜２μｍとなるように形成されるのが
好ましい。
％以上のＳｉＯ2 と、残部がＡｌ2Ｏ3 、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ2 及びＴｉＯ2 よりなる群から選ばれる１種または２
種以上の酸化物を主成分とするガラスより構成されるの
が好ましい。この絶縁性無機物質層４はスパッタリング
により厚さ０．１〜２μｍとなるように形成されるのが
好ましい。
【００２５】なお、絶縁性無機物質層４の厚さが０．１
μｍよりも小さいと、絶縁物性が低い。２μｍよりも大
きいときには、外部電極５と内部電極３との間に絶縁性
無機物質層が残留し、外部電極５と内部電極３との導通
が不十分になり、また、サーミスタの熱応答性も低下す
る。
μｍよりも小さいと、絶縁物性が低い。２μｍよりも大
きいときには、外部電極５と内部電極３との間に絶縁性
無機物質層が残留し、外部電極５と内部電極３との導通
が不十分になり、また、サーミスタの熱応答性も低下す
る。
【００２６】工程，：外部電極５はＡｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ等の貴金属の粉末と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏ、ＰｂＯ、ＺｎＯ及びＢａＯの１又は２種以上の酸
化物を主成分とするガラス粉末とを含むペーストをスク
リーン印刷し、乾燥後、焼成されることにより形成され
るのが好ましい。前述の通り、この焼成過程において内
部電極３と外部電極用ペースト付着層との間の絶縁性無
機物質層４がこのペースト中のガラスと共に溶融し、外
部電極５中に吸収されて消滅し、形成された外部電極５
が内部電極３と直に導通するようになる。
ｔ等の貴金属の粉末と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏ、ＰｂＯ、ＺｎＯ及びＢａＯの１又は２種以上の酸
化物を主成分とするガラス粉末とを含むペーストをスク
リーン印刷し、乾燥後、焼成されることにより形成され
るのが好ましい。前述の通り、この焼成過程において内
部電極３と外部電極用ペースト付着層との間の絶縁性無
機物質層４がこのペースト中のガラスと共に溶融し、外
部電極５中に吸収されて消滅し、形成された外部電極５
が内部電極３と直に導通するようになる。
【００２７】なお、上記の絶縁性無機物質層４のガラス
及び外部電極形成用ペーストの無機結合剤の組成として
は、例えば次の範囲のものが好適である。
及び外部電極形成用ペーストの無機結合剤の組成として
は、例えば次の範囲のものが好適である。
【００２８】ＳｉＯ2 ４０ｗｔ％以上 ＰｂＯ2 ３０ｗｔ％以下 ＺｎＯ2 ３０ｗｔ％以下 ＢａＯ2 ３０ｗｔ％以下
【００２９】
＜実施例１＞ （１） 炭酸マンガンと炭酸コバルトを３５モル：６５
モルの割合でエチレングリコールに溶解して酢酸を添加
混合して調製した有機金属塗布溶液を、アルミナ基板
（厚さ０．５μｍ）の表面にスピンコートし、１２０℃
で１０分間乾燥後、６００℃で１０分間仮焼した。この
工程を１５回繰り返した後、９００℃で１時間焼成を行
い１．５μｍの薄膜サーミスタを得た。 （２） 次に、薄膜サーミスタの一部にＡｕレジネート
ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃で
１０分間乾燥後、８５０℃で１０分間焼成を行い、０．
５μｍの薄膜状の内部電極を得た。 （３） 次に、ＳｉＯ2 ４２ｗｔ％、ＰｂＯ2 １９ｗｔ
％、ＺｎＯ2 １ｗｔ％、ＢａＯ2 ２４ｗｔ％を主成分と
する絶縁性無機焼結体をターゲットとし、圧力：０．４
Ｐａ、基板温度：室温の条件でスパッタリングを行って
該内部電極及び薄膜サーミスタの上面の全面に厚さ１μ
ｍの絶縁性無機物質層を形成した。 （４） 次に、Ａｕペーストをスクリーン印刷法によ
り、内部電極の面積よりも小さい面積で各内部電極の上
に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８２０℃で１０
分間焼成を行い、厚さ１０μｍの外部電極を形成した。 （５） 次に、この基板をパターンに沿ってチップ状に
切断し、１．６×０．８×０．５ｍｍの大きさの薄膜サ
ーミスタを得た。 （６） 作製した薄膜サーミスタ素子１０個の２５℃、
５０℃の抵抗値を測定し、その平均値と標準偏差から抵
抗値及びＢ定数のばらつきを計算した結果、抵抗値ばら
つきは２．４％、Ｂ定数ばらつきは０．０７％であっ
た。
モルの割合でエチレングリコールに溶解して酢酸を添加
混合して調製した有機金属塗布溶液を、アルミナ基板
（厚さ０．５μｍ）の表面にスピンコートし、１２０℃
で１０分間乾燥後、６００℃で１０分間仮焼した。この
工程を１５回繰り返した後、９００℃で１時間焼成を行
い１．５μｍの薄膜サーミスタを得た。 （２） 次に、薄膜サーミスタの一部にＡｕレジネート
ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、１２０℃で
１０分間乾燥後、８５０℃で１０分間焼成を行い、０．
５μｍの薄膜状の内部電極を得た。 （３） 次に、ＳｉＯ2 ４２ｗｔ％、ＰｂＯ2 １９ｗｔ
％、ＺｎＯ2 １ｗｔ％、ＢａＯ2 ２４ｗｔ％を主成分と
する絶縁性無機焼結体をターゲットとし、圧力：０．４
Ｐａ、基板温度：室温の条件でスパッタリングを行って
該内部電極及び薄膜サーミスタの上面の全面に厚さ１μ
ｍの絶縁性無機物質層を形成した。 （４） 次に、Ａｕペーストをスクリーン印刷法によ
り、内部電極の面積よりも小さい面積で各内部電極の上
に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥後、８２０℃で１０
分間焼成を行い、厚さ１０μｍの外部電極を形成した。 （５） 次に、この基板をパターンに沿ってチップ状に
切断し、１．６×０．８×０．５ｍｍの大きさの薄膜サ
ーミスタを得た。 （６） 作製した薄膜サーミスタ素子１０個の２５℃、
５０℃の抵抗値を測定し、その平均値と標準偏差から抵
抗値及びＢ定数のばらつきを計算した結果、抵抗値ばら
つきは２．４％、Ｂ定数ばらつきは０．０７％であっ
た。
【００３０】
【発明の効果】以上の通り、本発明によると熱応答性が
良好な薄膜サーミスタが提供される。この薄膜サーミス
タは、その製造プロセスが簡略化され、量産化に適し、
製造コストが低い。この薄膜サーミスタは、外部電極が
内部電極に付着するように形成されているため、外部電
極にリード線等の引出線を接続する際に加熱処理を施し
ても、外部電極が剥離しにくい。
良好な薄膜サーミスタが提供される。この薄膜サーミス
タは、その製造プロセスが簡略化され、量産化に適し、
製造コストが低い。この薄膜サーミスタは、外部電極が
内部電極に付着するように形成されているため、外部電
極にリード線等の引出線を接続する際に加熱処理を施し
ても、外部電極が剥離しにくい。
【図１】実施の形態に係る薄膜サーミスタの製造工程図
と断面図である。
と断面図である。
１ セラミックス基板 ２ 薄膜サーミスタ ３ 内部電極 ４ 絶縁性無機物質層 ５ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックス基板の一主表面に全面に亘
って設けられた薄膜状のサーミスタと、 該薄膜サーミスタの上に設けられた一対の内部電極と、
該内部電極を覆う絶縁性無機物質層と、 各内部電極上に該内部電極よりも小さい面積にて形成さ
れておりそれぞれ下層の該内部電極に対し導通している
外部電極とを備えたサーミスタ素子であって、 該絶縁性無機物質層を該内部電極の全面を覆うように形
成した後、その上に金属粉末と無機結合材を含む導電性
ペーストを焼き付けることにより前記外部電極を形成す
ると共に、この焼き付けにより該絶縁性無機物質層の一
部を該外部電極に吸収させて外部電極と内部電極とを導
通させてなるサーミスタ素子。 - 【請求項２】 請求項１において、前記絶縁性無機物質
層の厚さが０．１〜２μｍであることを特徴とするサー
ミスタ素子。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該絶縁性無機
物質層が５０ｗｔ％以上のＳｉＯ2 と、残部がＡｌ2 Ｏ
3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 及びＴｉＯ2 よりなる群から選ば
れる１種または２種以上の酸化物を主成分とするガラス
より構成され、無機結合材がＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏ、ＰｂＯ、ＺｎＯ及びＢａＯの１種または２種以上
の酸化物を主成分とするガラス微粒子より構成されてい
ることを特徴とするサーミスタ素子。 - 【請求項４】 金属含有有機溶液をセラミックス基板の
一主表面にスピンコート、仮焼を繰り返すことによりセ
ラミックス基板の全面に亘り成膜し、次いで焼成して薄
膜状のサーミスタとする工程と、 該薄膜状のサーミスタの上面に一対の内部電極を形成す
る工程と、 該内部電極の上面に全面に亘り絶縁性無機物質層を形成
する工程と、 該無機物質層の上面のうち内部電極の上側の部分に、金
属粉末と無機結合材とを含む導電性ペーストを該内部電
極よりも小さな面積となるように付着させた後焼成し、
外部電極を形成すると共に該絶縁性無機物質層の一部を
外部電極に吸収させて外部電極と内部電極とを導通させ
る工程と、 該外部電極を形成したウエハ状薄膜サーミスタをチップ
状に切断する工程と、を含む薄膜サーミスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105979A JPH10303004A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105979A JPH10303004A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303004A true JPH10303004A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14421880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9105979A Pending JPH10303004A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216947B1 (ja) * | 2012-10-19 | 2013-06-19 | 株式会社岡崎製作所 | 極低温用測温抵抗体素子 |
| JP2022551043A (ja) * | 2020-09-02 | 2022-12-07 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | センサ素子及びセンサ素子を製造する方法 |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP9105979A patent/JPH10303004A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5216947B1 (ja) * | 2012-10-19 | 2013-06-19 | 株式会社岡崎製作所 | 極低温用測温抵抗体素子 |
| JP2022551043A (ja) * | 2020-09-02 | 2022-12-07 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | センサ素子及びセンサ素子を製造する方法 |
| JP2024012570A (ja) * | 2020-09-02 | 2024-01-30 | テーデーカー エレクトロニクス アーゲー | センサ素子及びセンサ素子を製造する方法 |
| US12320716B2 (en) | 2020-09-02 | 2025-06-03 | Tdk Electronics Ag | Sensor element and method for producing a sensor element |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020903 |