JPH10303110A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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- JPH10303110A JPH10303110A JP9112792A JP11279297A JPH10303110A JP H10303110 A JPH10303110 A JP H10303110A JP 9112792 A JP9112792 A JP 9112792A JP 11279297 A JP11279297 A JP 11279297A JP H10303110 A JPH10303110 A JP H10303110A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に処理液を面内均一に供給することがで
きる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 【解決手段】 現像液を盛る際には三方弁192を大気
解放して吸着チャック130による基板Wの吸着を解除
した後、昇降基部145が上昇することによりリフタピ
ン140が上昇しつつ基板把持爪151が閉じられる。
これによって基板Wをリフタピン140上に支持し、か
つ基板把持爪151で外周を保持し、吸着チャック13
0と離隔した状態となり、この状態で現像液ノズル21
0が基板W上に現像液の液盛りを行う。このような状態
であるため基板Wの撓みおよび傾斜が少なくなり、均一
な現像液の液盛り行うことができる。
きる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 【解決手段】 現像液を盛る際には三方弁192を大気
解放して吸着チャック130による基板Wの吸着を解除
した後、昇降基部145が上昇することによりリフタピ
ン140が上昇しつつ基板把持爪151が閉じられる。
これによって基板Wをリフタピン140上に支持し、か
つ基板把持爪151で外周を保持し、吸着チャック13
0と離隔した状態となり、この状態で現像液ノズル21
0が基板W上に現像液の液盛りを行う。このような状態
であるため基板Wの撓みおよび傾斜が少なくなり、均一
な現像液の液盛り行うことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板等の基板(以下、単に「基板」とい
う。)をほぼ水平に保持しつつ処理液供給を含む各種処
理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板等の基板(以下、単に「基板」とい
う。)をほぼ水平に保持しつつ処理液供給を含む各種処
理を行う基板処理方法および基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から基板現像装置等の基板処理装置
では基板をほぼ水平に保持しつつ、基板上に処理液を均
一に供給する工程が存在する。
では基板をほぼ水平に保持しつつ、基板上に処理液を均
一に供給する工程が存在する。
【0003】とりわけ、基板処理装置のうち吸着チャッ
クにより基板をほぼ水平に保持する基板現像装置では表
面に塗布されたレジスト膜にチップパターンが露光され
た基板を吸着チャックの上面に載置した状態で、吸着チ
ャック上面に設けられた吸着口からエアを吸引すること
によって基板を吸着保持して現像液を表面張力を利用し
て、その基板の上面に薄い膜状に盛り(以下、「液盛
り」という。)、その後に所定の現像時間の待機を行う
ことで現像処理を行っている。そして、その後に基板を
吸着保持した状態で吸着チャック下方に連結された基板
回転モータの回転駆動により基板を回転しながら純水等
の洗浄液を供給してリンス処理を行ったり、洗浄液の供
給を停止して回転を継続することで基板を乾燥させるス
ピンドライ処理等を行っている。
クにより基板をほぼ水平に保持する基板現像装置では表
面に塗布されたレジスト膜にチップパターンが露光され
た基板を吸着チャックの上面に載置した状態で、吸着チ
ャック上面に設けられた吸着口からエアを吸引すること
によって基板を吸着保持して現像液を表面張力を利用し
て、その基板の上面に薄い膜状に盛り(以下、「液盛
り」という。)、その後に所定の現像時間の待機を行う
ことで現像処理を行っている。そして、その後に基板を
吸着保持した状態で吸着チャック下方に連結された基板
回転モータの回転駆動により基板を回転しながら純水等
の洗浄液を供給してリンス処理を行ったり、洗浄液の供
給を停止して回転を継続することで基板を乾燥させるス
ピンドライ処理等を行っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な装置では吸着チャックによる基板の吸着によりその吸
着されている部分が下方に牽引されることにより基板の
撓みが発生し易く、特に基板の大径化に伴い基板の撓み
が生じやすくなっていた。
な装置では吸着チャックによる基板の吸着によりその吸
着されている部分が下方に牽引されることにより基板の
撓みが発生し易く、特に基板の大径化に伴い基板の撓み
が生じやすくなっていた。
【0005】また、吸着チャックが連結される基板回転
モータは、その振動を抑えるため装置本体に頑強に固定
されており水平に対する微少な傾斜の微調整は困難とな
っているため、吸着チャック上に保持された基板を高い
水平度に保つことができなかった。
モータは、その振動を抑えるため装置本体に頑強に固定
されており水平に対する微少な傾斜の微調整は困難とな
っているため、吸着チャック上に保持された基板を高い
水平度に保つことができなかった。
【0006】以上のような理由から現像液の液盛りの厚
さに基板面内に不均一が生じていた。
さに基板面内に不均一が生じていた。
【0007】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、基板に処理液を面内均一に供給
することができる基板処理方法および基板処理装置を提
供することを目的とする。
の克服を意図しており、基板に処理液を面内均一に供給
することができる基板処理方法および基板処理装置を提
供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項1の方法は、基板をほぼ水平に保
持しつつ処理液供給を含む各種処理を行う基板処理方法
であって、各種処理のうち処理液供給以外の処理が基板
吸着保持手段によって基板を吸着しつつ行う処理を含む
とともに、処理液供給の際には吸着保持手段による基板
の吸着を解除することを特徴とする。
め、この発明の請求項1の方法は、基板をほぼ水平に保
持しつつ処理液供給を含む各種処理を行う基板処理方法
であって、各種処理のうち処理液供給以外の処理が基板
吸着保持手段によって基板を吸着しつつ行う処理を含む
とともに、処理液供給の際には吸着保持手段による基板
の吸着を解除することを特徴とする。
【0009】また、この発明の請求項2の方法は、請求
項1の基板処理方法であって、処理液供給に際しては基
板と吸着保持手段とを離隔手段により相対的に離隔させ
た状態で処理液供給を行うことを特徴とする。
項1の基板処理方法であって、処理液供給に際しては基
板と吸着保持手段とを離隔手段により相対的に離隔させ
た状態で処理液供給を行うことを特徴とする。
【0010】また、この発明の請求項3の装置は、基板
をほぼ水平に保持しつつ各種処理を行う基板処理装置で
あって、基板を水平に吸着保持する吸着保持手段と、基
板に処理液供給を行う処理液供給手段と、吸着保持手段
および処理液供給手段の動作を制御する制御手段と、を
備え、制御手段が処理液供給の際には吸着保持手段によ
る基板の吸着を解除させることを特徴とする。
をほぼ水平に保持しつつ各種処理を行う基板処理装置で
あって、基板を水平に吸着保持する吸着保持手段と、基
板に処理液供給を行う処理液供給手段と、吸着保持手段
および処理液供給手段の動作を制御する制御手段と、を
備え、制御手段が処理液供給の際には吸着保持手段によ
る基板の吸着を解除させることを特徴とする。
【0011】また、この発明の請求項4の装置は、請求
項3の基板処理装置であって、さらに、基板と吸着保持
手段とを相対的に離隔させる離隔手段と、離隔手段を駆
動する離隔駆動手段とを備え、制御手段が処理液供給に
際しては離隔手段により基板と吸着保持手段とを離隔さ
せた状態で処理液供給を行わせることを特徴とする。
項3の基板処理装置であって、さらに、基板と吸着保持
手段とを相対的に離隔させる離隔手段と、離隔手段を駆
動する離隔駆動手段とを備え、制御手段が処理液供給に
際しては離隔手段により基板と吸着保持手段とを離隔さ
せた状態で処理液供給を行わせることを特徴とする。
【0012】また、この発明の請求項5の装置は、請求
項4の基板処理装置であって、さらに、離隔手段が基板
を支持しつつ昇降させる基板支持昇降ピンを含むことを
特徴とする。
項4の基板処理装置であって、さらに、離隔手段が基板
を支持しつつ昇降させる基板支持昇降ピンを含むことを
特徴とする。
【0013】さらに、この発明の請求項6の装置は、請
求項4の基板処理装置であって、さらに、上昇時の基板
をその外周によって把持する基板把持手段を備える。
求項4の基板処理装置であって、さらに、上昇時の基板
をその外周によって把持する基板把持手段を備える。
【0014】
【0015】
【1.第1の実施の形態】 <1−1.第1の実施の形態の機構的構成>図1はこの
第1の実施の形態における基板処理装置1の全体構成図
であり、図2は基板処理装置1における基板処理部10
の断面図である。なお、図2〜図4においては、水平面
をX−Y面とし、鉛直方向をZ軸方向とする3次元座標
系X−Y−Zが定義されている。以下、図1を用いてこ
の基板処理装置1の概略構成について説明していく。
第1の実施の形態における基板処理装置1の全体構成図
であり、図2は基板処理装置1における基板処理部10
の断面図である。なお、図2〜図4においては、水平面
をX−Y面とし、鉛直方向をZ軸方向とする3次元座標
系X−Y−Zが定義されている。以下、図1を用いてこ
の基板処理装置1の概略構成について説明していく。
【0016】図1に示すように、この基板処理装置1は
主に基板処理部10、現像液供給部20、洗浄液供給部
30、制御手段である制御部40を備え、制御部40の
タイミング制御により後に詳述するように順次供給され
る基板Wに対して現像処理、リンス処理、スピンドライ
処理を行う装置である。
主に基板処理部10、現像液供給部20、洗浄液供給部
30、制御手段である制御部40を備え、制御部40の
タイミング制御により後に詳述するように順次供給され
る基板Wに対して現像処理、リンス処理、スピンドライ
処理を行う装置である。
【0017】基板処理部10は昇降可能なカップ110
内に、基板回転モータ120に連結され基板Wを吸着保
持して回転する吸着チャック130と、基板Wを支持昇
降させるリフタピン140(「離隔手段」および「基板
支持昇降ピン」に相当)と、現像液の液盛り時に基板W
を把持する「基板把持手段」である基板把持部150
と、リフタピン140および基板把持部150を駆動さ
せる昇降駆動モータ160(「離隔駆動手段」に相当)
と、カップ110を昇降させるカップ昇降部170とを
備えており、基板現像処理、リンス処理、スピンドライ
処理を順次行う。なお、この基板処理部10の詳細は後
述する。
内に、基板回転モータ120に連結され基板Wを吸着保
持して回転する吸着チャック130と、基板Wを支持昇
降させるリフタピン140(「離隔手段」および「基板
支持昇降ピン」に相当)と、現像液の液盛り時に基板W
を把持する「基板把持手段」である基板把持部150
と、リフタピン140および基板把持部150を駆動さ
せる昇降駆動モータ160(「離隔駆動手段」に相当)
と、カップ110を昇降させるカップ昇降部170とを
備えており、基板現像処理、リンス処理、スピンドライ
処理を順次行う。なお、この基板処理部10の詳細は後
述する。
【0018】現像液供給部20は「処理液供給手段」で
ある現像液ノズル210をノズル水平駆動部220の駆
動により基板Wに沿って移動させつつ、現像液供給源2
40から供給される現像液を吐出することによって基板
W上面に現像液の液盛りを行う。また、ノズル昇降駆動
部230は現像液ノズル210およびノズル水平駆動部
220を昇降させることが可能で、現像液の液盛り時以
外はそれらを上方に退避させる。
ある現像液ノズル210をノズル水平駆動部220の駆
動により基板Wに沿って移動させつつ、現像液供給源2
40から供給される現像液を吐出することによって基板
W上面に現像液の液盛りを行う。また、ノズル昇降駆動
部230は現像液ノズル210およびノズル水平駆動部
220を昇降させることが可能で、現像液の液盛り時以
外はそれらを上方に退避させる。
【0019】洗浄液供給部30はリンスノズル310を
ノズル回動モータ320の回転駆動により回転中の基板
Wの中央位置に回動させて(後述の図3および図4参
照)洗浄液供給源340から供給される洗浄液をリンス
ノズル310先端から基板W上面に供給して基板Wのリ
ンス処理を行う。また、ノズル昇降駆動部330はリン
スノズル310およびノズル回動モータ320を昇降さ
せることが可能で、リンス処理時以外はそれらを上方に
退避させる。
ノズル回動モータ320の回転駆動により回転中の基板
Wの中央位置に回動させて(後述の図3および図4参
照)洗浄液供給源340から供給される洗浄液をリンス
ノズル310先端から基板W上面に供給して基板Wのリ
ンス処理を行う。また、ノズル昇降駆動部330はリン
スノズル310およびノズル回動モータ320を昇降さ
せることが可能で、リンス処理時以外はそれらを上方に
退避させる。
【0020】つぎに、主要部についてさらに詳細に説明
していく。
していく。
【0021】図3は基板処理部10の主要部の横断面図
である。
である。
【0022】基板処理部10の昇降基部145は水平に
設けられた長方形の板状の部材であり、中央に貫通孔1
45aが設けられている。また、基台181の上面には
カム部材182が設けられており、昇降基部145の貫
通孔145aを貫通している。また、カム部材182の
外周面に設けられたガイドレール183には昇降基部1
45の貫通孔145aの内周面に設けられた摺動部材1
46が遊嵌しており、昇降基部145は下方に設けられ
た昇降駆動モータ160により昇降自在となっている。
設けられた長方形の板状の部材であり、中央に貫通孔1
45aが設けられている。また、基台181の上面には
カム部材182が設けられており、昇降基部145の貫
通孔145aを貫通している。また、カム部材182の
外周面に設けられたガイドレール183には昇降基部1
45の貫通孔145aの内周面に設けられた摺動部材1
46が遊嵌しており、昇降基部145は下方に設けられ
た昇降駆動モータ160により昇降自在となっている。
【0023】4本のリフタピン140は昇降基部145
の4隅に鉛直に設けられており、それぞれの先端におい
て基板Wに当接して基板Wを支持するとともに、昇降基
部145とともに昇降することにより基板Wを昇降させ
る。
の4隅に鉛直に設けられており、それぞれの先端におい
て基板Wに当接して基板Wを支持するとともに、昇降基
部145とともに昇降することにより基板Wを昇降させ
る。
【0024】また、4つの基板把持部150の各基板把
持爪151は昇降基部145上方に放射状に設けられた
4本のアーム152のそれぞれの外側端部に設けられて
いる。そして、各アーム152は、その下部に設けられ
た摺動部材153が昇降基部145の上面に固設された
ガイドレール147に遊嵌しており、摺動自在となって
いる。さらに、各アーム152の内側端部にはローラ1
54が設けられており、各ローラ154はカム部材18
2の外周面に当接している。カム部材182は上部の直
径が小さくなった円柱状部材であり、昇降基部145の
昇降に伴い、カム部材182の外周形状に沿って各ロー
ラ154が当接したまま各アーム152が昇降すること
により各アーム152は水平方向にも移動して、昇降基
部145の上昇時には各基板把持爪151が閉じて基板
Wを把持し、下降時には基板把持爪151が開いて基板
Wを解放する。
持爪151は昇降基部145上方に放射状に設けられた
4本のアーム152のそれぞれの外側端部に設けられて
いる。そして、各アーム152は、その下部に設けられ
た摺動部材153が昇降基部145の上面に固設された
ガイドレール147に遊嵌しており、摺動自在となって
いる。さらに、各アーム152の内側端部にはローラ1
54が設けられており、各ローラ154はカム部材18
2の外周面に当接している。カム部材182は上部の直
径が小さくなった円柱状部材であり、昇降基部145の
昇降に伴い、カム部材182の外周形状に沿って各ロー
ラ154が当接したまま各アーム152が昇降すること
により各アーム152は水平方向にも移動して、昇降基
部145の上昇時には各基板把持爪151が閉じて基板
Wを把持し、下降時には基板把持爪151が開いて基板
Wを解放する。
【0025】このようにリフタピン140は先端のみに
おいて基板Wを支持し、基板把持部150は基板把持爪
151の先端部のみによって基板Wを把持するため、基
板Wとの接触面積が小さく、したがって摩擦によるパー
ティクル等の発生を抑えることができるのである。
おいて基板Wを支持し、基板把持部150は基板把持爪
151の先端部のみによって基板Wを把持するため、基
板Wとの接触面積が小さく、したがって摩擦によるパー
ティクル等の発生を抑えることができるのである。
【0026】吸着チャック130はカム部材182を貫
通する回転軸112を通じて基台181内部の基板回転
モータ120に連結されており、基板回転モータ120
の駆動により回転する。また、回転軸112は上下動し
ないため吸着チャック130は昇降しない。
通する回転軸112を通じて基台181内部の基板回転
モータ120に連結されており、基板回転モータ120
の駆動により回転する。また、回転軸112は上下動し
ないため吸着チャック130は昇降しない。
【0027】また、回転軸112中には基板の吸着する
為の真空配管112aが設けられており、その真空配管
112aは通気経路を内部に備えた軸受け184を介し
て外部配管191に連結されている。また、外部配管1
91は三方弁192を介して工場の真空ラインに連結さ
れており、また三方弁192の残りのポートは大気解放
されている。そして、三方弁192は制御部に接続され
ており、その制御により、所定のタイミングで真空ライ
ンと大気解放ラインが切り替えられるようになってい
る。
為の真空配管112aが設けられており、その真空配管
112aは通気経路を内部に備えた軸受け184を介し
て外部配管191に連結されている。また、外部配管1
91は三方弁192を介して工場の真空ラインに連結さ
れており、また三方弁192の残りのポートは大気解放
されている。そして、三方弁192は制御部に接続され
ており、その制御により、所定のタイミングで真空ライ
ンと大気解放ラインが切り替えられるようになってい
る。
【0028】また、現像液ノズル210はその下部に設
けられた基板Wの直径より長い現像液吐出口としてのス
リット210a(図3参照)によって現像液供給源24
0から供給される現像液を基板W上面にカーテン状に吐
出するスリットノズルとなっている。
けられた基板Wの直径より長い現像液吐出口としてのス
リット210a(図3参照)によって現像液供給源24
0から供給される現像液を基板W上面にカーテン状に吐
出するスリットノズルとなっている。
【0029】またノズル水平駆動部220はノズル駆動
モータ221、プーリ222a,222b、タイミング
ベルト223を備えており、ノズル駆動モータの回転に
よりタイミングベルト223に連結された現像液ノズル
210を水平移動可能となっている。
モータ221、プーリ222a,222b、タイミング
ベルト223を備えており、ノズル駆動モータの回転に
よりタイミングベルト223に連結された現像液ノズル
210を水平移動可能となっている。
【0030】そして、現像液を吐出させつつ現像液ノズ
ル210をその長手方向に対して垂直に矢符A1(図3
参照)のように移動させることによって基板W上面の全
面に現像液の液盛りを行う。
ル210をその長手方向に対して垂直に矢符A1(図3
参照)のように移動させることによって基板W上面の全
面に現像液の液盛りを行う。
【0031】このように、この現像液ノズル210は一
定の高さを維持しつつ水平に移動することができる。
定の高さを維持しつつ水平に移動することができる。
【0032】さらに、以上のような構成の基板処理部は
各処理において以下のように動作する。
各処理において以下のように動作する。
【0033】現像液を盛る際には図2の状態となる。す
なわち、三方弁192を大気解放して吸着チャック13
0による基板Wの吸着を解除した後、昇降駆動モータ1
60の駆動により昇降基部145が上昇することにより
リフタピン140が上昇しつつ基板把持爪151が閉じ
られる。これによって基板Wをリフタピン140上に支
持し、かつ基板把持爪151で外周を把持し、吸着チャ
ック130と離隔した状態となる。そして、この状態で
現像液ノズル210が上記のように現像液の液盛りを行
うのである。なお、この際にはカップ110は下降して
いる。
なわち、三方弁192を大気解放して吸着チャック13
0による基板Wの吸着を解除した後、昇降駆動モータ1
60の駆動により昇降基部145が上昇することにより
リフタピン140が上昇しつつ基板把持爪151が閉じ
られる。これによって基板Wをリフタピン140上に支
持し、かつ基板把持爪151で外周を把持し、吸着チャ
ック130と離隔した状態となる。そして、この状態で
現像液ノズル210が上記のように現像液の液盛りを行
うのである。なお、この際にはカップ110は下降して
いる。
【0034】ところで、この状態では基板Wが吸着チャ
ック130と離隔している。これは前述のように吸着チ
ャック130が連結される基板回転モータは装置本体に
頑強に固定されており、吸着チャック130上面の水平
度の調整を行うことが困難であるが、4つのリフタピン
140はそれぞれの取り付け高さの微調整が容易に行え
るため基板Wを高い精度で水平に支持できる。そのため
基板Wの傾斜をなくし、さらに基板Wをリフタピン14
0で中央付近において支持するとともに、周縁部を基板
把持爪151で把持しているため基板Wの自重による撓
みも少なくなり、したがって、基板Wを高い精度で水平
に保持することができる。
ック130と離隔している。これは前述のように吸着チ
ャック130が連結される基板回転モータは装置本体に
頑強に固定されており、吸着チャック130上面の水平
度の調整を行うことが困難であるが、4つのリフタピン
140はそれぞれの取り付け高さの微調整が容易に行え
るため基板Wを高い精度で水平に支持できる。そのため
基板Wの傾斜をなくし、さらに基板Wをリフタピン14
0で中央付近において支持するとともに、周縁部を基板
把持爪151で把持しているため基板Wの自重による撓
みも少なくなり、したがって、基板Wを高い精度で水平
に保持することができる。
【0035】また、前述のように現像液ノズル210が
一定高さによる水平移動が可能であるため、基板W上面
と現像液ノズル210先端との距離が基板Wの面内全体
にわたって一定に保たれ、それにより、現像液ノズル2
10による現像液の供給量も一定に保つことができ、し
たがって、基板W上面において面内均一な現像液の供給
が行える。
一定高さによる水平移動が可能であるため、基板W上面
と現像液ノズル210先端との距離が基板Wの面内全体
にわたって一定に保たれ、それにより、現像液ノズル2
10による現像液の供給量も一定に保つことができ、し
たがって、基板W上面において面内均一な現像液の供給
が行える。
【0036】以上により基板W上面において面内均一に
現像液の液盛り行うことができ、したがって現像処理が
均一に行えるため現像ムラの発生を抑えることができ
る。
現像液の液盛り行うことができ、したがって現像処理が
均一に行えるため現像ムラの発生を抑えることができ
る。
【0037】また、リンス処理、スピンドライ時には、
昇降駆動モータ160の駆動により図4のように昇降基
部145を降下させてリフタピン140を降下させ、基
板把持爪151を開くことにより、吸着チャック130
上面に基板Wを載置し、それに伴って、三方弁192を
工場の真空ラインに連結した状態に切り替えることによ
って基板Wを吸着保持した状態とする。また、この際に
はカップ110も上昇する。
昇降駆動モータ160の駆動により図4のように昇降基
部145を降下させてリフタピン140を降下させ、基
板把持爪151を開くことにより、吸着チャック130
上面に基板Wを載置し、それに伴って、三方弁192を
工場の真空ラインに連結した状態に切り替えることによ
って基板Wを吸着保持した状態とする。また、この際に
はカップ110も上昇する。
【0038】そして、この状態で基板回転モータ120
を駆動させて吸着チャック130を回転させることによ
り基板Wを回転させつつリンスノズル310を図3の矢
符A2のように基板W中央の上方に移動させて洗浄液を
供給することによって基板Wのリンス処理を行い、その
後、基板Wの回転を維持しつつリンス処理を行う。
を駆動させて吸着チャック130を回転させることによ
り基板Wを回転させつつリンスノズル310を図3の矢
符A2のように基板W中央の上方に移動させて洗浄液を
供給することによって基板Wのリンス処理を行い、その
後、基板Wの回転を維持しつつリンス処理を行う。
【0039】また、基板搬出入時はリンス処理、スピン
ドライ時とほぼ同様の状態であるが、カップ110のみ
降下した状態となっている。
ドライ時とほぼ同様の状態であるが、カップ110のみ
降下した状態となっている。
【0040】このように昇降駆動モータ160による上
下方向の駆動のみでリフタピン140の昇降と基板把持
部150の開閉の両方の駆動を兼ね備えて装置構成を簡
単にしている。
下方向の駆動のみでリフタピン140の昇降と基板把持
部150の開閉の両方の駆動を兼ね備えて装置構成を簡
単にしている。
【0041】<1−2.第1の実施の形態の処理手順>
図5はこの第1の実施の形態の基板処理装置1における
現像処理、リンス処理、スピンドライ処理に渡る一連の
基板処理のタイミングチャートである。以下、図5を用
いてこの装置における処理手順を説明していく。なお、
初期状態として、吸着チャック130上には基板Wは保
持されておらず、カップ110は下降しており、現像液
ノズル210およびリンスノズル310は待機状態にあ
り、リフタピン140は下降しており、吸着チャック1
30は三方弁192を大気解放にした状態(以下、「吸
着解除状態」という。)であり、基板Wは回転停止状態
にある。
図5はこの第1の実施の形態の基板処理装置1における
現像処理、リンス処理、スピンドライ処理に渡る一連の
基板処理のタイミングチャートである。以下、図5を用
いてこの装置における処理手順を説明していく。なお、
初期状態として、吸着チャック130上には基板Wは保
持されておらず、カップ110は下降しており、現像液
ノズル210およびリンスノズル310は待機状態にあ
り、リフタピン140は下降しており、吸着チャック1
30は三方弁192を大気解放にした状態(以下、「吸
着解除状態」という。)であり、基板Wは回転停止状態
にある。
【0042】まず、三方弁192を工場の真空ラインに
連結した状態(以下、「吸着状態」という。)に切り替
え排気を開始した直後に図示しない外部装置の搬送アー
ムにより吸着チャック130上に基板Wを載置し、吸着
する。
連結した状態(以下、「吸着状態」という。)に切り替
え排気を開始した直後に図示しない外部装置の搬送アー
ムにより吸着チャック130上に基板Wを載置し、吸着
する。
【0043】つぎに、吸着チャック130を吸着解除状
態に切り替え、リフタピン140を上昇させるとともに
基板把持爪151を閉じつつ基板Wを上昇させる。そし
て現像液ノズル210を現像液を吐出しつつ基板W上を
移動させて基板全面に現像液の液盛りを行う。
態に切り替え、リフタピン140を上昇させるとともに
基板把持爪151を閉じつつ基板Wを上昇させる。そし
て現像液ノズル210を現像液を吐出しつつ基板W上を
移動させて基板全面に現像液の液盛りを行う。
【0044】つぎに、現像液の液盛りが終了すると、現
像のために所定時間だけ待機する。
像のために所定時間だけ待機する。
【0045】つぎに、現像が終了すると吸着チャック1
30を吸着状態に切り替えた直後にリフタピン140を
降下させて吸着チャック130上に再び基板Wを吸着保
持する。なお、それと同時にカップ110を上昇させ、
吸着チャック130および基板Wを一体とした回転を開
始する。
30を吸着状態に切り替えた直後にリフタピン140を
降下させて吸着チャック130上に再び基板Wを吸着保
持する。なお、それと同時にカップ110を上昇させ、
吸着チャック130および基板Wを一体とした回転を開
始する。
【0046】つぎに、リンスノズル310を基板W中央
の上方位置に移動させ、洗浄液の供給を開始してリンス
処理を開始する。
の上方位置に移動させ、洗浄液の供給を開始してリンス
処理を開始する。
【0047】つぎに、リンス処理終了後も基板Wの回転
を維持してそのまま基板Wを回転させて洗浄液を振り切
るスピンドライ処理工程に移る。
を維持してそのまま基板Wを回転させて洗浄液を振り切
るスピンドライ処理工程に移る。
【0048】つぎに、スピンドライ処理が終了すると基
板Wの回転を停止し、吸着解除状態にする。なお、それ
と同時にカップ110を降下させる。
板Wの回転を停止し、吸着解除状態にする。なお、それ
と同時にカップ110を降下させる。
【0049】最後に、外部の搬送アームにより処理の終
了した基板Wを搬出し、次の基板Wが投入されるか、基
板処理を終了する。
了した基板Wを搬出し、次の基板Wが投入されるか、基
板処理を終了する。
【0050】以上がこの第1の実施の形態の基板処理装
置1における基板処理の手順である。
置1における基板処理の手順である。
【0051】以上説明したように、第1の実施の形態の
基板処理装置1によれば、現像液の液盛りの際には吸着
チャック130による基板Wの吸着を解除するため、吸
着による基板Wの撓みが発生しないので現像液の基板W
上面への面内均一な供給を行うことができる。
基板処理装置1によれば、現像液の液盛りの際には吸着
チャック130による基板Wの吸着を解除するため、吸
着による基板Wの撓みが発生しないので現像液の基板W
上面への面内均一な供給を行うことができる。
【0052】さらに、現像液の液盛りに際しては基板W
をリフタピン140により吸着チャック130から離隔
させた状態で液盛りを行うため、吸着チャック130の
傾斜等による基板Wの傾きも発生しないので現像液の基
板W上面へのより面内均一な供給を行うことができる。
をリフタピン140により吸着チャック130から離隔
させた状態で液盛りを行うため、吸着チャック130の
傾斜等による基板Wの傾きも発生しないので現像液の基
板W上面へのより面内均一な供給を行うことができる。
【0053】
【2.第2の実施の形態】第2の実施の形態では第1の
実施の形態の基板処理装置1の装置構成とほぼ同様の装
置構成であるがリフタピン140、基板把持部150お
よびそれらの駆動機構(昇降駆動モータ160等)のみ
を省いたものである。そして、この装置で行う基板処理
は第1の実施の形態の基板処理装置1と同様の現像処
理、リンス処理、スピンドライ処理を行う装置である。
実施の形態の基板処理装置1の装置構成とほぼ同様の装
置構成であるがリフタピン140、基板把持部150お
よびそれらの駆動機構(昇降駆動モータ160等)のみ
を省いたものである。そして、この装置で行う基板処理
は第1の実施の形態の基板処理装置1と同様の現像処
理、リンス処理、スピンドライ処理を行う装置である。
【0054】図6はこの第1の実施の形態の基板処理装
置1における現像処理、リンス処理、スピンドライ処理
に渡る一連の第2の基板処理のタイミングチャートであ
る。以下、図6を用いて第2の実施の形態における基板
処理の処理手順を説明していく。
置1における現像処理、リンス処理、スピンドライ処理
に渡る一連の第2の基板処理のタイミングチャートであ
る。以下、図6を用いて第2の実施の形態における基板
処理の処理手順を説明していく。
【0055】第2の実施の形態における基板処理では現
像処理においてリフタピン140によって基板Wを支持
せず、また、基板把持部150による基板Wの把持を行
わないことのみが異なっている。したがって、現像処理
時にも基板Wは吸着チャック130上に載置された状態
であるが、現像処理時には吸着解除状態をとること、お
よびその他の各部は基板処理の全工程に渡り第1の実施
の形態における基板処理と同様の動作を行うものであ
る。
像処理においてリフタピン140によって基板Wを支持
せず、また、基板把持部150による基板Wの把持を行
わないことのみが異なっている。したがって、現像処理
時にも基板Wは吸着チャック130上に載置された状態
であるが、現像処理時には吸着解除状態をとること、お
よびその他の各部は基板処理の全工程に渡り第1の実施
の形態における基板処理と同様の動作を行うものであ
る。
【0056】この様な第2の実施の形態においても現像
液の液盛り時には吸着解除状態であるため、吸着による
基板Wの撓みが防止でき、基板Wへの面内均一な現像液
の液盛りを行うことができる。
液の液盛り時には吸着解除状態であるため、吸着による
基板Wの撓みが防止でき、基板Wへの面内均一な現像液
の液盛りを行うことができる。
【0057】
【3.変形例】以上、第1の実施の形態の基板処理装置
1では、リフタピン140と基板把持部150とを昇降
駆動モータ160の駆動のみによって動作させるものと
したが、この発明はこれに限られず、リフタピン140
と基板把持部150を別々の駆動機構により独立して駆
動できるものにして、リフタピン140による基板Wの
昇降のタイミングと基板把持部150による基板把持の
タイミングとを異なるものとしてもよい。
1では、リフタピン140と基板把持部150とを昇降
駆動モータ160の駆動のみによって動作させるものと
したが、この発明はこれに限られず、リフタピン140
と基板把持部150を別々の駆動機構により独立して駆
動できるものにして、リフタピン140による基板Wの
昇降のタイミングと基板把持部150による基板把持の
タイミングとを異なるものとしてもよい。
【0058】また、第1の実施の形態の基板処理装置1
ではリフタピン140と基板把持部150とを備え、リ
フタピン140による基板Wの上昇と基板把持部150
による基板Wの把持の両方を行うものとしたが、この発
明はこれに限られず、吸着解除中に基板把持爪151の
みにより基板Wを保持するものとし、その場合にリフタ
ピン140を設けないものとしてもよく、逆にリフタピ
ン140のみによって基板Wを保持してもよく、その場
合に基板把持部150を設けない構成としてもよい。
ではリフタピン140と基板把持部150とを備え、リ
フタピン140による基板Wの上昇と基板把持部150
による基板Wの把持の両方を行うものとしたが、この発
明はこれに限られず、吸着解除中に基板把持爪151の
みにより基板Wを保持するものとし、その場合にリフタ
ピン140を設けないものとしてもよく、逆にリフタピ
ン140のみによって基板Wを保持してもよく、その場
合に基板把持部150を設けない構成としてもよい。
【0059】また、第1の実施の形態の基板処理装置1
では昇降基部145の昇降駆動機構として昇降駆動モー
タ160を用いるものとしたが、この発明はこれに限ら
れず、エアシリンダ等他のリニアアクチュエータにより
昇降基部145を昇降させるものとしてもよい。
では昇降基部145の昇降駆動機構として昇降駆動モー
タ160を用いるものとしたが、この発明はこれに限ら
れず、エアシリンダ等他のリニアアクチュエータにより
昇降基部145を昇降させるものとしてもよい。
【0060】また、第1の実施の形態の基板処理装置1
ではリフタピン140により基板Wを上昇させることに
より吸着チャック140と基板Wとを離隔しているが、
この発明はこれに限られず、基板を固定されたピンで支
持した状態で吸着チャックを降下させることにより基板
と吸着チャックを離隔させるものとしてもよい。
ではリフタピン140により基板Wを上昇させることに
より吸着チャック140と基板Wとを離隔しているが、
この発明はこれに限られず、基板を固定されたピンで支
持した状態で吸着チャックを降下させることにより基板
と吸着チャックを離隔させるものとしてもよい。
【0061】また、第1および第2の実施の形態の基板
処理装置1では主に処理液として現像液を扱う装置とし
たが、この発明はこれに限られず、レジスト等のその他
の処理液を供給する装置としてもよい。
処理装置1では主に処理液として現像液を扱う装置とし
たが、この発明はこれに限られず、レジスト等のその他
の処理液を供給する装置としてもよい。
【0062】さらに、第1の実施の形態の基板処理装置
1ではカップ110を昇降可能なものとしたが、この発
明はこれに限られず、基板Wの上昇位置をより高くして
カップ110を昇降しない固定のものとしてもよい。
1ではカップ110を昇降可能なものとしたが、この発
明はこれに限られず、基板Wの上昇位置をより高くして
カップ110を昇降しない固定のものとしてもよい。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1および請
求項3の発明によれば、処理液供給の際には吸着保持手
段による基板の吸着を解除するため、吸着による基板の
撓みが発生しないので処理液の基板への面内均一な供給
を行うことができる。
求項3の発明によれば、処理液供給の際には吸着保持手
段による基板の吸着を解除するため、吸着による基板の
撓みが発生しないので処理液の基板への面内均一な供給
を行うことができる。
【0064】さらに、請求項2および請求項4の発明に
よれば、処理液供給に際しては基板と吸着保持手段とを
離隔手段により相対的に離隔させた状態で処理液供給を
行うため、吸着保持手段の傾斜等による基板の傾きも発
生しないので処理液の基板へのより面内均一な供給を行
うことができる。
よれば、処理液供給に際しては基板と吸着保持手段とを
離隔手段により相対的に離隔させた状態で処理液供給を
行うため、吸着保持手段の傾斜等による基板の傾きも発
生しないので処理液の基板へのより面内均一な供給を行
うことができる。
【図1】この発明の第1の実施の形態における基板処理
装置の全体構成図である。
装置の全体構成図である。
【図2】第1の実施の形態の基板処理部の縦断面図であ
る。
る。
【図3】第1の実施の形態の基板処理部の主要部の横断
面図である。
面図である。
【図4】第1の実施の形態の基板処理部の縦断面図であ
る。
る。
【図5】第1の実施の形態における第1の基板処理のタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
【図6】第2の実施の形態における第1の基板処理のタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
1 基板処理装置 10 基板処理部 40 制御部 130 吸着チャック 140 リフタピン(離隔手段) 150 基板把持部 151 基板把持爪 160 昇降駆動モータ(離隔駆動手段) 210 現像液ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 雅夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 讓一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内
Claims (6)
- 【請求項1】 基板をほぼ水平に保持しつつ処理液供給
を含む各種処理を行う基板処理方法であって、 前記各種処理のうち前記処理液供給以外の処理が基板吸
着保持手段によって基板を吸着しつつ行う処理を含むと
ともに、 前記処理液供給の際には前記吸着保持手段による基板の
吸着を解除することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項2】 請求項1の基板処理方法であって、 前記処理液供給に際しては基板と前記吸着保持手段とを
離隔手段により相対的に離隔させた状態で前記処理液供
給を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項3】 基板をほぼ水平に保持しつつ各種処理を
行う基板処理装置であって、 基板を水平に吸着保持する吸着保持手段と、 基板に処理液供給を行う処理液供給手段と、 前記吸着保持手段および前記処理液供給手段の動作を制
御する制御手段と、を備え、 前記制御手段が前記処理液供給の際には前記吸着保持手
段による基板の吸着を解除させることを特徴とする基板
処理装置。 - 【請求項4】 請求項3の基板処理装置であって、さら
に、 基板と前記吸着保持手段とを相対的に離隔させる離隔手
段と、 前記離隔手段を駆動する離隔駆動手段とを備え、 前記制御手段が前記処理液供給に際しては前記離隔手段
により基板と前記吸着保持手段とを離隔させた状態で前
記処理液供給を行わせることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項5】 請求項4の基板処理装置であって、さら
に、 前記離隔手段が基板を支持しつつ昇降させる基板支持昇
降ピンを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項6】 請求項4の基板処理装置であって、さら
に、 前記上昇時の基板をその外周によって把持する基板把持
手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9112792A JPH10303110A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9112792A JPH10303110A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303110A true JPH10303110A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14595637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9112792A Pending JPH10303110A (ja) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303110A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001310162A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法及び基板洗浄装置及び基板洗浄方法及び現像装置及び現像方法 |
| KR100469360B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 장비용 진공 합착 장치 및 구동 방법 |
| JP2010012591A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Semes Co Ltd | 基板支持ユニット、前記ユニットを利用する枚葉式基板研磨装置及び前記装置を利用する基板研磨方法 |
| US20130233361A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| JP2021086894A (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| CN116130400A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-05-16 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种精密运动台 |
-
1997
- 1997-04-30 JP JP9112792A patent/JPH10303110A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001310162A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法及び基板洗浄装置及び基板洗浄方法及び現像装置及び現像方法 |
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| JP2010012591A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Semes Co Ltd | 基板支持ユニット、前記ユニットを利用する枚葉式基板研磨装置及び前記装置を利用する基板研磨方法 |
| KR101036605B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2011-05-24 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치 |
| US8113918B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-02-14 | Semes Co., Ltd. | Substrate supporting unit and single type substrate polishing apparatus using the same |
| CN101618520B (zh) | 2008-06-30 | 2012-06-27 | 细美事有限公司 | 基片支撑单元、单一类型基片抛光装置和基片抛光方法 |
| JP2013187490A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置 |
| CN103311156A (zh) * | 2012-03-09 | 2013-09-18 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置 |
| US20130233361A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| KR20130103378A (ko) * | 2012-03-09 | 2013-09-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
| US9272310B2 (en) | 2012-03-09 | 2016-03-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus |
| TWI562260B (en) * | 2012-03-09 | 2016-12-11 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing device |
| CN103311156B (zh) * | 2012-03-09 | 2017-03-01 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置 |
| JP2021086894A (ja) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
| US12293935B2 (en) | 2019-11-27 | 2025-05-06 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| CN116130400A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-05-16 | 上海御微半导体技术有限公司 | 一种精密运动台 |
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