JPH10303194A - ノイズ防止層を有する半導体装置 - Google Patents
ノイズ防止層を有する半導体装置Info
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- JPH10303194A JPH10303194A JP10471897A JP10471897A JPH10303194A JP H10303194 A JPH10303194 A JP H10303194A JP 10471897 A JP10471897 A JP 10471897A JP 10471897 A JP10471897 A JP 10471897A JP H10303194 A JPH10303194 A JP H10303194A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板上の電子回路に対して、ノイズ防
止層（導電層）で覆う構造とし、そのノイズ防止層（導
電層）により、雑音の通過を遮蔽することができるノイ
ズ防止層を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上の電子回路１１は層間絶
縁膜２に覆われている。層間絶縁膜２と保護膜または別
の層間絶縁膜２との間にノイズ防止層（導電層）４が設
けられている。ノイズ防止層（導電層）４は、基準とな
る電位を持つ導電層３と接続した構成となっている。
止層（導電層）で覆う構造とし、そのノイズ防止層（導
電層）により、雑音の通過を遮蔽することができるノイ
ズ防止層を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板１上の電子回路１１は層間絶
縁膜２に覆われている。層間絶縁膜２と保護膜または別
の層間絶縁膜２との間にノイズ防止層（導電層）４が設
けられている。ノイズ防止層（導電層）４は、基準とな
る電位を持つ導電層３と接続した構成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体上に形成さ
れる電子回路上に設けられ、電子回路を雑音より遮蔽す
るノイズ防止層（導電層）を有する半導体装置に関する
ものである。
れる電子回路上に設けられ、電子回路を雑音より遮蔽す
るノイズ防止層（導電層）を有する半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体上に形成される各種電子回
路は、導電層を他の電子回路からの電位や電流を供給、
伝達するための配線層および素子を構成する要素として
使用している。電子回路間相互の絶縁、分離は上下方向
は層間絶縁膜で行い、平面方向の分離は、各電子回路を
ガードリング等で周囲を囲うことにより行うようにして
いる。
路は、導電層を他の電子回路からの電位や電流を供給、
伝達するための配線層および素子を構成する要素として
使用している。電子回路間相互の絶縁、分離は上下方向
は層間絶縁膜で行い、平面方向の分離は、各電子回路を
ガードリング等で周囲を囲うことにより行うようにして
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体上に形成される電子回路では、次のような問題が
あった。半導体上の電子回路において、他の配線や電子
回路、半導体基板との絶縁や電気的分離が上下方向にお
いては、層間絶縁膜や保護膜のみである。そのため、容
易に電子回路へ他の電子回路の雑音が層間絶縁膜や保護
膜を通して侵入する。
半導体上に形成される電子回路では、次のような問題が
あった。半導体上の電子回路において、他の配線や電子
回路、半導体基板との絶縁や電気的分離が上下方向にお
いては、層間絶縁膜や保護膜のみである。そのため、容
易に電子回路へ他の電子回路の雑音が層間絶縁膜や保護
膜を通して侵入する。
【０００４】反対に、電子回路で発生した雑音が、他の
電子回路に伝達され易い。このため、相互に悪影響を与
え、雑音のために、電子回路及び他の電子回路が正常に
動作しなくなり、半導体電子回路全体が使用できなくな
る恐れがある。そこで、本発明は上記問題点を除去し、
半導体基板上の電子回路に対して、ノイズ防止層（導電
層）で覆う構造とし、そのノイズ防止層（導電層）によ
り、雑音の通過を遮蔽することができるノイズ防止層を
有する半導体装置を提供することを目的とする。
電子回路に伝達され易い。このため、相互に悪影響を与
え、雑音のために、電子回路及び他の電子回路が正常に
動作しなくなり、半導体電子回路全体が使用できなくな
る恐れがある。そこで、本発明は上記問題点を除去し、
半導体基板上の電子回路に対して、ノイズ防止層（導電
層）で覆う構造とし、そのノイズ防止層（導電層）によ
り、雑音の通過を遮蔽することができるノイズ防止層を
有する半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕半導体基板上の電子回路と保護膜の間に設けら
れ、前記電子回路を、層間絶縁膜を挟んで覆うノイズ防
止層を有する半導体装置において、電子回路の全面或い
は一部を覆う導電層からなるノイズ防止層と、このノイ
ズ防止層がスルーホールを介して接続される所定電位を
有し伝達される雑音を逃す導電層とを具備し、前記電子
回路を他の電子回路より伝達される雑音から遮蔽すると
ともに、前記電子回路より発生する雑音の他の電子回路
への伝達を阻止するようにしたものである。
成するために、 〔１〕半導体基板上の電子回路と保護膜の間に設けら
れ、前記電子回路を、層間絶縁膜を挟んで覆うノイズ防
止層を有する半導体装置において、電子回路の全面或い
は一部を覆う導電層からなるノイズ防止層と、このノイ
ズ防止層がスルーホールを介して接続される所定電位を
有し伝達される雑音を逃す導電層とを具備し、前記電子
回路を他の電子回路より伝達される雑音から遮蔽すると
ともに、前記電子回路より発生する雑音の他の電子回路
への伝達を阻止するようにしたものである。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載のノイズ防止層を有
する半導体装置において、前記電子回路はＭＯＳトラン
ジスタであることを特徴とするノイズ防止層を設けるよ
うにしたものである。 〔３〕半導体基板とウェル層と絶縁膜を介して電子回路
が形成されるノイズ防止層を有する半導体装置におい
て、電子回路の下方の全面或いは一部を覆う導電性のウ
ェル層を形成するノイズ防止層を具備し、前記半導体基
板を伝達する雑音を前記電子回路へ伝達するのを阻止
し、前記電子回路側の雑音も他の電子回路へ伝達するの
を阻止するようにしたものである。
する半導体装置において、前記電子回路はＭＯＳトラン
ジスタであることを特徴とするノイズ防止層を設けるよ
うにしたものである。 〔３〕半導体基板とウェル層と絶縁膜を介して電子回路
が形成されるノイズ防止層を有する半導体装置におい
て、電子回路の下方の全面或いは一部を覆う導電性のウ
ェル層を形成するノイズ防止層を具備し、前記半導体基
板を伝達する雑音を前記電子回路へ伝達するのを阻止
し、前記電子回路側の雑音も他の電子回路へ伝達するの
を阻止するようにしたものである。
【０００７】〔４〕上記〔３〕記載のノイズ防止層を有
する半導体装置において、前記電子回路はコンデンサ回
路である。 〔５〕電子回路が形成され、ノイズ防止層を有する半導
体装置において、前記電子回路の全面或いは一部を覆う
導電層からなる第１のノイズ防止層と、この第１のノイ
ズ防止層がスルーホールを介して接続される前記電子回
路の基準となる電位を有する導電層と、前記電子回路の
下方の全面或いは一部を覆う導電性のウェル層を形成す
る第２のノイズ防止層を具備し、前記第１のノイズ防止
層により、前記電子回路を他の電子回路より伝達さる雑
音から遮蔽するとともに、前記電子回路より発生する雑
音の他の電子回路への伝達を阻止するとともに、前記第
２のノイズ防止層により、前記半導体基板を伝達する雑
音を前記電子回路へ伝達するのを阻止し、かつ前記電子
回路側の雑音も前記半導体基板へ伝達するのを阻止する
ようにしたものである。
する半導体装置において、前記電子回路はコンデンサ回
路である。 〔５〕電子回路が形成され、ノイズ防止層を有する半導
体装置において、前記電子回路の全面或いは一部を覆う
導電層からなる第１のノイズ防止層と、この第１のノイ
ズ防止層がスルーホールを介して接続される前記電子回
路の基準となる電位を有する導電層と、前記電子回路の
下方の全面或いは一部を覆う導電性のウェル層を形成す
る第２のノイズ防止層を具備し、前記第１のノイズ防止
層により、前記電子回路を他の電子回路より伝達さる雑
音から遮蔽するとともに、前記電子回路より発生する雑
音の他の電子回路への伝達を阻止するとともに、前記第
２のノイズ防止層により、前記半導体基板を伝達する雑
音を前記電子回路へ伝達するのを阻止し、かつ前記電子
回路側の雑音も前記半導体基板へ伝達するのを阻止する
ようにしたものである。
【０００８】〔６〕上記〔５〕記載のノイズ防止層を有
する半導体装置において、前記電子回路はコンデンサ回
路である。
する半導体装置において、前記電子回路はコンデンサ回
路である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
原理を説明するブロック図である。本発明では、半導体
基板１上の電子回路１１は層間絶縁膜２で覆われてい
る。層間絶縁膜２と保護膜または別の層間絶縁膜５との
間にノイズ防止層（導電層）４が設けられている。ノイ
ズ防止層（導電層）４は、基準となる電位を持つ導電層
３と接続した構成となっている。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
原理を説明するブロック図である。本発明では、半導体
基板１上の電子回路１１は層間絶縁膜２で覆われてい
る。層間絶縁膜２と保護膜または別の層間絶縁膜５との
間にノイズ防止層（導電層）４が設けられている。ノイ
ズ防止層（導電層）４は、基準となる電位を持つ導電層
３と接続した構成となっている。
【００１０】そこで、保護膜または別の層間絶縁膜５よ
りも上部から伝達される雑音は、ノイズ防止層（導電
層）４で遮蔽されて、基準となる電位を持つ導電層３に
伝えられ、電子回路１１には伝達しない。逆に、電子回
路１１で発生する雑音はノイズ防止層（導電層）４に吸
収され、保護膜または別の層間絶縁膜５を越えて上部に
伝達されることはない。すなわち、ノイズ防止層（導電
層）４を設けることにより、上下間の雑音の伝達を防ぐ
ことができる。
りも上部から伝達される雑音は、ノイズ防止層（導電
層）４で遮蔽されて、基準となる電位を持つ導電層３に
伝えられ、電子回路１１には伝達しない。逆に、電子回
路１１で発生する雑音はノイズ防止層（導電層）４に吸
収され、保護膜または別の層間絶縁膜５を越えて上部に
伝達されることはない。すなわち、ノイズ防止層（導電
層）４を設けることにより、上下間の雑音の伝達を防ぐ
ことができる。
【００１１】次に、本発明の第１実施例について説明す
る。図２は本発明の第１実施例を示すノイズ防止層（第
２層金属層）を含むＭＯＳ型トランジスタ（以下、ＭＯ
ＳＴｒという）の断面図である。このＭＯＳＴｒはゲー
ト２１、ドレイン２２、ソース２３から構成され、ドレ
イン２２、ソース２３はコンタクトホール２４を通し
て、それぞれ第１金属層２５と接続されている。このＭ
ＯＳＴｒは層間絶縁膜２６で覆われており、その更に上
のノイズ防止層（第２層金属層）２８で覆う構成となっ
ている。このノイズ防止層（第２層金属層）２８は、Ｍ
ＯＳＴｒを全面に渡って覆い、接地線２７と接続してい
る。ノイズ防止層（第２層金属層）２８はその上を保護
膜２９で覆われている。なお、２０は半導体基板であ
る。
る。図２は本発明の第１実施例を示すノイズ防止層（第
２層金属層）を含むＭＯＳ型トランジスタ（以下、ＭＯ
ＳＴｒという）の断面図である。このＭＯＳＴｒはゲー
ト２１、ドレイン２２、ソース２３から構成され、ドレ
イン２２、ソース２３はコンタクトホール２４を通し
て、それぞれ第１金属層２５と接続されている。このＭ
ＯＳＴｒは層間絶縁膜２６で覆われており、その更に上
のノイズ防止層（第２層金属層）２８で覆う構成となっ
ている。このノイズ防止層（第２層金属層）２８は、Ｍ
ＯＳＴｒを全面に渡って覆い、接地線２７と接続してい
る。ノイズ防止層（第２層金属層）２８はその上を保護
膜２９で覆われている。なお、２０は半導体基板であ
る。
【００１２】次に、このノイズ防止層（第２層金属層）
２８の動作を説明する。まず、他の電子回路によって誘
導される雑音が、保護膜２９上に誘導された分極として
存在し、その分極によって電界Ｅ１が生じる。しかし、
ノイズ防止層（第２層金属層）２８が存在するため、ノ
イズ防止層（第２層金属層）２８よりもＭＯＳＴｒ側に
は伝わらない。
２８の動作を説明する。まず、他の電子回路によって誘
導される雑音が、保護膜２９上に誘導された分極として
存在し、その分極によって電界Ｅ１が生じる。しかし、
ノイズ防止層（第２層金属層）２８が存在するため、ノ
イズ防止層（第２層金属層）２８よりもＭＯＳＴｒ側に
は伝わらない。
【００１３】反対に、ＭＯＳＴｒ側の高速スイッチング
動作により生じる電界Ｅ２の変化もノイズ防止層（第２
層金属層）２８のために、ノイズ防止層（第２層金属
層）２８よりも上側には伝達されない。このようにノイ
ズ防止層（第２層金属層）２８でＭＯＳＴｒを覆うこと
により、ノイズ防止層（第２層金属層）２８より上部に
も下部にも、ノイズ防止層（第２層金属層）２８を挟ん
で、反対側の雑音が伝達することを防止することができ
る。
動作により生じる電界Ｅ２の変化もノイズ防止層（第２
層金属層）２８のために、ノイズ防止層（第２層金属
層）２８よりも上側には伝達されない。このようにノイ
ズ防止層（第２層金属層）２８でＭＯＳＴｒを覆うこと
により、ノイズ防止層（第２層金属層）２８より上部に
も下部にも、ノイズ防止層（第２層金属層）２８を挟ん
で、反対側の雑音が伝達することを防止することができ
る。
【００１４】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図３は本発明の第２実施例を示すノイズ防止層（ウ
ェル層）を含むコンデンサ回路の断面図である。この図
に示すように、半導体基板３０上にＣ１多結晶シリコン
（以下、Ｃ１層という）層３４とＣ２多結晶シリコン
（以下、Ｃ２層）層３３が、層間絶縁膜３２を挟んでコ
ンデンサを構成している。コンデンサの下に層間絶縁膜
３２があり、この層間絶縁膜３２と半導体基板３０との
間にノイズ防止層（ウェル層）３１が形成されている。
る。図３は本発明の第２実施例を示すノイズ防止層（ウ
ェル層）を含むコンデンサ回路の断面図である。この図
に示すように、半導体基板３０上にＣ１多結晶シリコン
（以下、Ｃ１層という）層３４とＣ２多結晶シリコン
（以下、Ｃ２層）層３３が、層間絶縁膜３２を挟んでコ
ンデンサを構成している。コンデンサの下に層間絶縁膜
３２があり、この層間絶縁膜３２と半導体基板３０との
間にノイズ防止層（ウェル層）３１が形成されている。
【００１５】次に、図３のノイズ防止層３１（ウェル
層）を含むコンデンサ回路の動作を説明する。半導体基
板３０を伝達する雑音は、ノイズ防止層（ウェル層）３
１に伝達しても、導電層であるため、電界Ｅ３が入り込
めず、半導体基板３０との境界上を移動し、コンデンサ
側に伝達されない。反対に、コンデンサ側の雑音もノイ
ズ防止層（ウェル層）３１上の上部を伝達し、半導体基
板３０に伝達されない。
層）を含むコンデンサ回路の動作を説明する。半導体基
板３０を伝達する雑音は、ノイズ防止層（ウェル層）３
１に伝達しても、導電層であるため、電界Ｅ３が入り込
めず、半導体基板３０との境界上を移動し、コンデンサ
側に伝達されない。反対に、コンデンサ側の雑音もノイ
ズ防止層（ウェル層）３１上の上部を伝達し、半導体基
板３０に伝達されない。
【００１６】このように、第２実施例によれば、半導体
基板３０とコンデンサ回路の間にノイズ防止層（ウェル
層）３１を設けるようにしているため、雑音が伝達する
ことを防止することができる。なお、３５は第１金属層
（信号線）、３６は保護膜である。次に、本発明の第３
実施例について説明する。
基板３０とコンデンサ回路の間にノイズ防止層（ウェル
層）３１を設けるようにしているため、雑音が伝達する
ことを防止することができる。なお、３５は第１金属層
（信号線）、３６は保護膜である。次に、本発明の第３
実施例について説明する。
【００１７】図４は本発明の第３実施例を示すノイズ防
止層（ウェル層と第２層金属層）を含むコンデンサ回路
の断面図である。この図に示すように、第２実施例と同
様にＣ１層４４とＣ２層４３から構成されるコンデンサ
回路では、層間絶縁膜４２と共に２つの導電層（ウェル
層４１と第２層金属層４７）に、上下から挟まれる構成
となっている。第１のノイズ防止層（第２層金属層）４
７はＳＧバイアス電位４６とスルホールを介して接続す
るようにしている。
止層（ウェル層と第２層金属層）を含むコンデンサ回路
の断面図である。この図に示すように、第２実施例と同
様にＣ１層４４とＣ２層４３から構成されるコンデンサ
回路では、層間絶縁膜４２と共に２つの導電層（ウェル
層４１と第２層金属層４７）に、上下から挟まれる構成
となっている。第１のノイズ防止層（第２層金属層）４
７はＳＧバイアス電位４６とスルホールを介して接続す
るようにしている。
【００１８】次に、図４のノイズ防止層（ウェル層４１
と第２層金属層４７）を含むコンデンサ回路の動作を説
明する。このＣ１層４４とＣ２層４３から構成されるコ
ンデンサ回路は、第１実施例と同様に第１のノイズ防止
層（第２層金属層）４７によって、コンデンサ回路上部
との雑音が遮蔽される。また、第２のノイズ防止層（ウ
ェル層）４１によって第２実施例と同様に半導体基板４
０との雑音が遮蔽される。このため、直接接続されてい
ない回路からの雑音を遮蔽して、伝達されないと同時
に、直接接続されていない他の電子回路への雑音を伝達
することもない。なお、４５は第１金属層（信号線）、
４８は保護膜である。
と第２層金属層４７）を含むコンデンサ回路の動作を説
明する。このＣ１層４４とＣ２層４３から構成されるコ
ンデンサ回路は、第１実施例と同様に第１のノイズ防止
層（第２層金属層）４７によって、コンデンサ回路上部
との雑音が遮蔽される。また、第２のノイズ防止層（ウ
ェル層）４１によって第２実施例と同様に半導体基板４
０との雑音が遮蔽される。このため、直接接続されてい
ない回路からの雑音を遮蔽して、伝達されないと同時
に、直接接続されていない他の電子回路への雑音を伝達
することもない。なお、４５は第１金属層（信号線）、
４８は保護膜である。
【００１９】このように、第１のノイズ防止層４７によ
り、電子回路（コンデンサ回路）を他の電子回路より伝
達さる雑音から遮蔽するとともに、電子回路（コンデン
サ回路）より発生する雑音の他の電子回路への伝達を阻
止するとともに、第２のノイズ防止層４１により、半導
体基板４０を伝達する雑音を電子回路（コンデンサ回
路）へ伝達するのを阻止し、かつ電子回路（コンデンサ
回路）側の雑音も半導体基板４０へ伝達するのを阻止す
ることができる。
り、電子回路（コンデンサ回路）を他の電子回路より伝
達さる雑音から遮蔽するとともに、電子回路（コンデン
サ回路）より発生する雑音の他の電子回路への伝達を阻
止するとともに、第２のノイズ防止層４１により、半導
体基板４０を伝達する雑音を電子回路（コンデンサ回
路）へ伝達するのを阻止し、かつ電子回路（コンデンサ
回路）側の雑音も半導体基板４０へ伝達するのを阻止す
ることができる。
【００２０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、電子回路を他の電
子回路より伝達される雑音から遮蔽するとともに、前記
電子回路より発生する雑音の他の電子回路への伝達を阻
止することができる。つまり、保護膜または別の層間絶
縁膜よりも上部から伝達される雑音は、ノイズ防止層
（導電層）に遮蔽されて、導電層に伝えられ、電子回路
には伝達しない。逆に、電子回路で発生する雑音はノイ
ズ防止層（導電層）に吸収され、保護膜または別の層間
絶縁膜を越えて上部に伝達されることはない。したがっ
て、雑音発生の可能性の高い回路を遮蔽することや、雑
音に敏感な回路を分離することが可能となる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、電子回路を他の電
子回路より伝達される雑音から遮蔽するとともに、前記
電子回路より発生する雑音の他の電子回路への伝達を阻
止することができる。つまり、保護膜または別の層間絶
縁膜よりも上部から伝達される雑音は、ノイズ防止層
（導電層）に遮蔽されて、導電層に伝えられ、電子回路
には伝達しない。逆に、電子回路で発生する雑音はノイ
ズ防止層（導電層）に吸収され、保護膜または別の層間
絶縁膜を越えて上部に伝達されることはない。したがっ
て、雑音発生の可能性の高い回路を遮蔽することや、雑
音に敏感な回路を分離することが可能となる。
【００２２】（２）請求項２記載の発明によれば、ノイ
ズ防止層がＭＯＳＴｒを覆うことにより、そのノイズ防
止層より上部にも下部にも、ノイズ防止層を挟んで反対
側の雑音が伝達することを防止することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、前記半導体基板を
伝達する雑音が前記電子回路へ伝達するのを阻止し、前
記電子回路側の雑音も他の電子回路へ伝達するのを阻止
することができる。つまり、半導体基板と電子回路の間
にノイズ防止層（ウェル層）を設けるようにしているた
め、雑音が伝達することを防止することができる。
ズ防止層がＭＯＳＴｒを覆うことにより、そのノイズ防
止層より上部にも下部にも、ノイズ防止層を挟んで反対
側の雑音が伝達することを防止することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、前記半導体基板を
伝達する雑音が前記電子回路へ伝達するのを阻止し、前
記電子回路側の雑音も他の電子回路へ伝達するのを阻止
することができる。つまり、半導体基板と電子回路の間
にノイズ防止層（ウェル層）を設けるようにしているた
め、雑音が伝達することを防止することができる。
【００２３】（４）請求項４記載の発明によれば、半導
体基板とコンデンサ回路の間にノイズ防止層（ウェル
層）を設けるようにしているため、雑音が伝達すること
を防止することができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、第１のノイズ防止
層により、電子回路を他の電子回路より伝達さる雑音か
ら遮蔽するとともに、電子回路より発生する雑音の他の
電子回路への伝達を阻止するとともに、第２のノイズ防
止層により、半導体基板を伝達する雑音を前記電子回路
へ伝達するのを阻止し、かつ電子回路側の雑音も半導体
基板へ伝達するのを阻止することができる。
体基板とコンデンサ回路の間にノイズ防止層（ウェル
層）を設けるようにしているため、雑音が伝達すること
を防止することができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、第１のノイズ防止
層により、電子回路を他の電子回路より伝達さる雑音か
ら遮蔽するとともに、電子回路より発生する雑音の他の
電子回路への伝達を阻止するとともに、第２のノイズ防
止層により、半導体基板を伝達する雑音を前記電子回路
へ伝達するのを阻止し、かつ電子回路側の雑音も半導体
基板へ伝達するのを阻止することができる。
【００２４】（６）第１のノイズ防止層により、コンデ
ンサ回路を他の電子回路より伝達さる雑音から遮蔽する
とともに、コンデンサ回路より発生する雑音の他の電子
回路への伝達を阻止するとともに、第２のノイズ防止層
により、半導体基板を伝達する雑音をコンデンサ回路へ
伝達するのを阻止し、かつコンデンサ回路側の雑音も半
導体基板へ伝達するのを阻止することができる。
ンサ回路を他の電子回路より伝達さる雑音から遮蔽する
とともに、コンデンサ回路より発生する雑音の他の電子
回路への伝達を阻止するとともに、第２のノイズ防止層
により、半導体基板を伝達する雑音をコンデンサ回路へ
伝達するのを阻止し、かつコンデンサ回路側の雑音も半
導体基板へ伝達するのを阻止することができる。
【図１】本発明の原理を説明するブロック図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すノイズ防止層（第２
層金属層）を含むＭＯＳ型トランジスタの断面図であ
る。
層金属層）を含むＭＯＳ型トランジスタの断面図であ
る。
【図３】本発明の第２実施例を示すノイズ防止層（ウェ
ル層）を含むコンデンサ回路の断面図である。
ル層）を含むコンデンサ回路の断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示すノイズ防止層（ウェ
ル層と第２層金属層）を含むコンデンサ回路の断面図で
ある。
ル層と第２層金属層）を含むコンデンサ回路の断面図で
ある。
１，２０，３０，４０ 半導体基板 ２，２６，３２，４２ 層間絶縁膜 ３ 基準となる電位を持つ導電層 ４ ノイズ防止層（導電層） ５ 保護膜または別の層間絶縁膜 １１ 電子回路 ２１ ゲート ２２ ドレイン ２３ ソース ２４ コンタクトホール ２５ 第１金属層 ２７ 接地線 ２８，４７ ノイズ防止層（第２層金属層） ２９，３６，４８ 保護膜 ３１，４１ ノイズ防止層（ウェル層） ３３，４３ Ｃ２多結晶シリコン層（Ｃ２層） ３４，４４ Ｃ１多結晶シリコン層（Ｃ１層） ３５，４５ 第１金属層（信号線） ４６ ＳＧバイアス電位
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上の電子回路と保護膜の間に
設けられ、前記電子回路を、層間絶縁膜を挟んで覆うノ
イズ防止層を有する半導体装置において、（ａ）電子回
路の全面或いは一部を覆う導電層からなるノイズ防止層
と、（ｂ）該ノイズ防止層がスルーホールを介して接続
される所定電位を有し伝達される雑音を逃す導電層とを
具備し、（ｃ）前記電子回路を他の電子回路より伝達さ
れる雑音から遮蔽するとともに、前記電子回路より発生
する雑音の他の電子回路への伝達を阻止することを特徴
とするノイズ防止層を有する半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のノイズ防止層を有する半
導体装置において、前記電子回路はＭＯＳトランジスタ
であることを特徴とするノイズ防止層を有する半導体装
置。 - 【請求項３】 半導体基板とウェル層と絶縁膜を介して
電子回路が形成されるノイズ防止層を有する半導体装置
において、（ａ）電子回路の下方の全面或いは一部を覆
う導電性のウェル層を形成するノイズ防止層を具備し、
（ｂ）前記半導体基板を伝達する雑音が前記電子回路へ
伝達するのを阻止し、前記電子回路側の雑音も他の電子
回路へ伝達するのを阻止することを特徴とするノイズ防
止層を有する半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のノイズ防止層を有する半
導体装置において、前記電子回路はコンデンサ回路であ
ることを特徴とするノイズ防止層を有する半導体装置。 - 【請求項５】 電子回路が形成され、ノイズ防止層を有
する半導体装置において、（ａ）前記電子回路の全面或
いは一部を覆う導電層からなる第１のノイズ防止層と、
（ｂ）該第１のノイズ防止層がスルーホールを介して接
続される前記電子回路の基準となる電位を有する導電層
と、（ｃ）前記電子回路の下方の全面或いは一部を覆う
導電性のウェル層を形成する第２のノイズ防止層を具備
し、（ｄ）前記第１のノイズ防止層により、前記電子回
路を他の電子回路より伝達さる雑音から遮蔽するととも
に、前記電子回路より発生する雑音の他の電子回路への
伝達を阻止するとともに、前記第２のノイズ防止層によ
り、前記半導体基板を伝達する雑音を前記電子回路へ伝
達するのを阻止し、かつ前記電子回路側の雑音も前記半
導体基板へ伝達するのを阻止することを特徴とするノイ
ズ防止層を有する半導体装置。 - 【請求項６】 請求項５記載のノイズ防止層を有する半
導体装置において、前記電子回路はコンデンサ回路であ
ることを特徴とするノイズ防止層を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10471897A JPH10303194A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | ノイズ防止層を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10471897A JPH10303194A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | ノイズ防止層を有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303194A true JPH10303194A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14388275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10471897A Withdrawn JPH10303194A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | ノイズ防止層を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303194A (ja) |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP10471897A patent/JPH10303194A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |