JPH10303286A - 静電チャック及び半導体製造装置 - Google Patents
静電チャック及び半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10303286A JPH10303286A JP9096125A JP9612597A JPH10303286A JP H10303286 A JPH10303286 A JP H10303286A JP 9096125 A JP9096125 A JP 9096125A JP 9612597 A JP9612597 A JP 9612597A JP H10303286 A JPH10303286 A JP H10303286A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- surface layer
- base
- semiconductor manufacturing
- bonding agent
- Prior art date
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面の腐食に対する措置を容易に行うことの
できる静電チャックを提供すること。 【解決手段】 静電チャック（２６）は、エッチング装
置（１）等の処理チャンバ（１２）内のペディスタル
（２２）上に固定される。本発明の静電チャック（２
６）は、誘電体セラミックからなるベース（２８）と、
このベース（２８）上に所定のパターンで配置された電
極（３８）と、電極（３８）を覆うようにしてベース
（２８）上に配置された誘電体セラミックからなる表面
層（４０）とを備え、ベース（２８）と表面層（４０）
とが接合剤により剥離可能に接合されていることを特徴
としている。かかる構成により、静電チャック（２６）
の表面層（４０）のみを迅速に交換することが可能とな
る。
できる静電チャックを提供すること。 【解決手段】 静電チャック（２６）は、エッチング装
置（１）等の処理チャンバ（１２）内のペディスタル
（２２）上に固定される。本発明の静電チャック（２
６）は、誘電体セラミックからなるベース（２８）と、
このベース（２８）上に所定のパターンで配置された電
極（３８）と、電極（３８）を覆うようにしてベース
（２８）上に配置された誘電体セラミックからなる表面
層（４０）とを備え、ベース（２８）と表面層（４０）
とが接合剤により剥離可能に接合されていることを特徴
としている。かかる構成により、静電チャック（２６）
の表面層（４０）のみを迅速に交換することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
被処理体を保持するための静電チャック、及び、そのよ
うな静電チャックを有する半導体製造装置に関するもの
である。
被処理体を保持するための静電チャック、及び、そのよ
うな静電チャックを有する半導体製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置においては、半導体ウェ
ハを支持するためのペディスタルないしは支持台が処理
チャンバ内に設けられている。かかるペディスタル上に
半導体ウェハを固定する場合、従来一般には、いわゆる
メカニカルクランプが用いられている。また、プロセス
時の半導体ウェハの温度制御を行うために、ペディスタ
ルにはヒータが内蔵されると共に、半導体ウェハの下面
に冷却ガスが供給されるよう構成されている。
ハを支持するためのペディスタルないしは支持台が処理
チャンバ内に設けられている。かかるペディスタル上に
半導体ウェハを固定する場合、従来一般には、いわゆる
メカニカルクランプが用いられている。また、プロセス
時の半導体ウェハの温度制御を行うために、ペディスタ
ルにはヒータが内蔵されると共に、半導体ウェハの下面
に冷却ガスが供給されるよう構成されている。
【０００３】半導体ウェハの温度制御及び温度分布の均
一性は、近年の半導体デバイスの高集積化、微細化に伴
い、素子性能、生産性と歩留りを決定する重要な技術と
なってきている。例えばエッチングプロセスでの半導体
ウェハの温度制御と温度分布の均一性は、デバイスの性
能を決定するだけでなく、製造時の生産性、歩留りを高
めるためにも重要である。
一性は、近年の半導体デバイスの高集積化、微細化に伴
い、素子性能、生産性と歩留りを決定する重要な技術と
なってきている。例えばエッチングプロセスでの半導体
ウェハの温度制御と温度分布の均一性は、デバイスの性
能を決定するだけでなく、製造時の生産性、歩留りを高
めるためにも重要である。
【０００４】しかしながら、メカニカルクランプを用い
る場合、ペディスタル表面に対する半導体ウェハの密着
性が不均一であり、温度制御が困難であるという問題点
がある。殊に、昨今では、生産性の改善のために半導体
ウェハの口径を８インチから１２インチに大きくする傾
向にあり、大口径ウェハの温度制御は一段と困難となっ
ている。一方、デバイス製造時のパーティクルの発生も
歩留り低下の原因であるが、メカニカルクランプはパー
ティクル発生源となる可能性がある。
る場合、ペディスタル表面に対する半導体ウェハの密着
性が不均一であり、温度制御が困難であるという問題点
がある。殊に、昨今では、生産性の改善のために半導体
ウェハの口径を８インチから１２インチに大きくする傾
向にあり、大口径ウェハの温度制御は一段と困難となっ
ている。一方、デバイス製造時のパーティクルの発生も
歩留り低下の原因であるが、メカニカルクランプはパー
ティクル発生源となる可能性がある。
【０００５】このため、近年においては、クーロン力を
利用して半導体ウェハを吸着する静電チャックをペディ
スタルに組み込んだものが開発され、広く採用されつつ
ある。
利用して半導体ウェハを吸着する静電チャックをペディ
スタルに組み込んだものが開発され、広く採用されつつ
ある。
【０００６】従来の静電チャックとしては、ポリイミド
からなるベース上に、電極を挟むようにしてポリイミド
からなる表面層を接着したものや、アルミニウムからな
るベースの表面にプラズマスプレー法によりアルミナを
付着したもの等が代表的である。
からなるベース上に、電極を挟むようにしてポリイミド
からなる表面層を接着したものや、アルミニウムからな
るベースの表面にプラズマスプレー法によりアルミナを
付着したもの等が代表的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウェ
ハを高密度プラズマを用いてエッチングする場合、プラ
ズマにより静電チャックの表面層が腐食を受ける。静電
チャックの表面層の腐食が進むと、半導体ウェハの温度
分布が不均一となり、素子性能に影響を与えることとな
る。
ハを高密度プラズマを用いてエッチングする場合、プラ
ズマにより静電チャックの表面層が腐食を受ける。静電
チャックの表面層の腐食が進むと、半導体ウェハの温度
分布が不均一となり、素子性能に影響を与えることとな
る。
【０００８】この場合、静電チャックの表面層のみを交
換できることが望ましいが、ポリイミドのような有機材
からなるベースと表面層とを接着した場合、両者は一体
化するため、静電チャック全体の交換が必要となる。同
様に、プラズマスプレー法によりアルミナの表面層が形
成された静電チャックも表面層のみの交換は不可能であ
るので、静電チャック全体の交換が必要となる。勿論、
静電チャックがペディスタルに一体的に組み込まれてい
る場合には、ペディスタル全体を交換しなければならな
い。かかる静電チャック全体又はペディスタル全体の交
換は半導体デバイスのコストを高くする原因となるもの
である。
換できることが望ましいが、ポリイミドのような有機材
からなるベースと表面層とを接着した場合、両者は一体
化するため、静電チャック全体の交換が必要となる。同
様に、プラズマスプレー法によりアルミナの表面層が形
成された静電チャックも表面層のみの交換は不可能であ
るので、静電チャック全体の交換が必要となる。勿論、
静電チャックがペディスタルに一体的に組み込まれてい
る場合には、ペディスタル全体を交換しなければならな
い。かかる静電チャック全体又はペディスタル全体の交
換は半導体デバイスのコストを高くする原因となるもの
である。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、表面の腐食時に静電チャック全体
又はペディスタル全体の交換を不要とする静電チャック
を提供することにある。
であり、その目的は、表面の腐食時に静電チャック全体
又はペディスタル全体の交換を不要とする静電チャック
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による静電チャックは、誘電体セラミックか
らなるベースと、所定のパターンで配置された電極と、
誘電体セラミックからなる表面層とを備え、ベースと表
面層とが電極を介在させた状態で剥離可能に接合されて
いることを特徴としている。特に、ベースと表面層との
剥離可能な接合は、熱可塑性樹脂接着剤、熱硬化性樹脂
接着剤又は低融点金属等の接合剤により行うのが有効で
ある。かかる構成により、静電チャックの表面層をベー
スから容易に剥離し迅速に交換することが可能となる。
に、本発明による静電チャックは、誘電体セラミックか
らなるベースと、所定のパターンで配置された電極と、
誘電体セラミックからなる表面層とを備え、ベースと表
面層とが電極を介在させた状態で剥離可能に接合されて
いることを特徴としている。特に、ベースと表面層との
剥離可能な接合は、熱可塑性樹脂接着剤、熱硬化性樹脂
接着剤又は低融点金属等の接合剤により行うのが有効で
ある。かかる構成により、静電チャックの表面層をベー
スから容易に剥離し迅速に交換することが可能となる。
【００１１】また、ベース及び表面層の誘電体セラミッ
クはアルミナであることが、プラズマ等に対する耐久性
の面からも好ましい。
クはアルミナであることが、プラズマ等に対する耐久性
の面からも好ましい。
【００１２】更に本発明は、上記静電チャックを備える
プラズマエッチング装置等の半導体製造装置を特徴とし
ている。
プラズマエッチング装置等の半導体製造装置を特徴とし
ている。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明が適用された平行
平板型プラズマエッチング装置の断面図を概略的に示し
たものである。図示のエッチング装置１０は、エッチン
グ処理チャンバたる真空チャンバ１２を備えており、こ
の真空チャンバ１２は、側壁１４と、この側壁１４の上
部開口に配置された上板１６とから構成されている。上
板１６には、アノード電極１８が絶縁体２０を介して取
り付けられており、また、側壁１４の底部には、カソー
ド電極としての略円筒形のペディスタル２２がアノード
電極１８に対して平行な状態で対向配置されている。ペ
ディスタル２２の上部には、被処理体である半導体ウェ
ハ２４を保持するための静電チャック２６が配置され固
定されている。
平板型プラズマエッチング装置の断面図を概略的に示し
たものである。図示のエッチング装置１０は、エッチン
グ処理チャンバたる真空チャンバ１２を備えており、こ
の真空チャンバ１２は、側壁１４と、この側壁１４の上
部開口に配置された上板１６とから構成されている。上
板１６には、アノード電極１８が絶縁体２０を介して取
り付けられており、また、側壁１４の底部には、カソー
ド電極としての略円筒形のペディスタル２２がアノード
電極１８に対して平行な状態で対向配置されている。ペ
ディスタル２２の上部には、被処理体である半導体ウェ
ハ２４を保持するための静電チャック２６が配置され固
定されている。
【００１４】静電チャック２６は、図２に明示するよう
に、誘電体セラミック、好ましくはアルミナからなるベ
ース２８を備えている。図示実施形態のベース２８は、
例えば厚さが約２ｍｍの円板形状をなし、その外周部に
は、ペディスタル２２の上部の縮径部３０に嵌合できる
よう下向きの円筒部３２が一体形成されている。ベース
２８の円筒部３２の外周面には段差部３４が形成されて
おり、この段差部３４に係合するシリコン製の環状保持
部材３６をペディスタル２２にボルト止めすることで、
ベース２８はペディスタル２２に固定される。
に、誘電体セラミック、好ましくはアルミナからなるベ
ース２８を備えている。図示実施形態のベース２８は、
例えば厚さが約２ｍｍの円板形状をなし、その外周部に
は、ペディスタル２２の上部の縮径部３０に嵌合できる
よう下向きの円筒部３２が一体形成されている。ベース
２８の円筒部３２の外周面には段差部３４が形成されて
おり、この段差部３４に係合するシリコン製の環状保持
部材３６をペディスタル２２にボルト止めすることで、
ベース２８はペディスタル２２に固定される。
【００１５】静電チャック２６は、更に、ベース２８の
上面に所定のパターンで形成された銅等からなる電極３
８と、この電極３８を覆い隠すようベース２８上に設け
られた表面層４０とを備えている。表面層４０は、誘電
体セラミック、好ましくはアルミナ製の極めて薄い（例
えば約０．３ｍｍ）円形フィルムからなり、当該フィル
ムをベース２８上に接合剤により接合して構成されてい
る。セラミック同士の接合は、有機材料同士の接合の場
合と異なり接合度が低く、比較的容易に剥離することが
可能である。かかる接合剤としては、プロセス時には表
面層４０とベース２８とを堅固に接合するが、所定の引
張り力を加えた場合或は所定の温度に加熱した場合、ま
たそれらを組み合わせることにより、比較的容易に表面
層４０をベース２８から剥離することができるようなも
のならば適用可能であり、例えば熱硬化性又は熱可塑性
の樹脂接着剤であるエポキシ系接着剤、ポリイミド系接
着剤、ポリウレタン系接着剤、ポリエステル系接着剤、
ポリカーボネート系接着剤、ゴム系接着剤を用いること
ができる。この他にも、インジウム合金等の比較的融点
の低い金属（ろう材）も使用可能である。ポリイミド系
接着剤等の樹脂接着剤やインジウム合金については、エ
ッチングプロセス時の熱により生じるベース２８及び表
面層４０の熱膨張差を吸収する上でも好適である。
上面に所定のパターンで形成された銅等からなる電極３
８と、この電極３８を覆い隠すようベース２８上に設け
られた表面層４０とを備えている。表面層４０は、誘電
体セラミック、好ましくはアルミナ製の極めて薄い（例
えば約０．３ｍｍ）円形フィルムからなり、当該フィル
ムをベース２８上に接合剤により接合して構成されてい
る。セラミック同士の接合は、有機材料同士の接合の場
合と異なり接合度が低く、比較的容易に剥離することが
可能である。かかる接合剤としては、プロセス時には表
面層４０とベース２８とを堅固に接合するが、所定の引
張り力を加えた場合或は所定の温度に加熱した場合、ま
たそれらを組み合わせることにより、比較的容易に表面
層４０をベース２８から剥離することができるようなも
のならば適用可能であり、例えば熱硬化性又は熱可塑性
の樹脂接着剤であるエポキシ系接着剤、ポリイミド系接
着剤、ポリウレタン系接着剤、ポリエステル系接着剤、
ポリカーボネート系接着剤、ゴム系接着剤を用いること
ができる。この他にも、インジウム合金等の比較的融点
の低い金属（ろう材）も使用可能である。ポリイミド系
接着剤等の樹脂接着剤やインジウム合金については、エ
ッチングプロセス時の熱により生じるベース２８及び表
面層４０の熱膨張差を吸収する上でも好適である。
【００１６】ペディスタル２２からは電気リード４２が
延び、高周波バイアス電源４４と、真空チャンバ１２の
インピーダンスが所定の値になるように制御する整合回
路４６とを介して接地されている。一方、アノード電極
１８からは電気リード４８が延び接地されている。ま
た、静電チャック２６の電極３８は電気リード５０を介
して高電圧直流電源５２の正端子に接続されており、直
流電源５２の負端子は接地されている。
延び、高周波バイアス電源４４と、真空チャンバ１２の
インピーダンスが所定の値になるように制御する整合回
路４６とを介して接地されている。一方、アノード電極
１８からは電気リード４８が延び接地されている。ま
た、静電チャック２６の電極３８は電気リード５０を介
して高電圧直流電源５２の正端子に接続されており、直
流電源５２の負端子は接地されている。
【００１７】上述した構成において、エッチングプロセ
スを行う場合には、半導体ウェハ２４を真空チャンバ１
２内に導入して静電チャック２６上の所定位置に載置し
た後、電極３８に通電して当該半導体ウェハ２４を静電
チャック２６上に固定する。
スを行う場合には、半導体ウェハ２４を真空チャンバ１
２内に導入して静電チャック２６上の所定位置に載置し
た後、電極３８に通電して当該半導体ウェハ２４を静電
チャック２６上に固定する。
【００１８】次いで、真空チャンバ１２内と連通する真
空系を作動させ、真空チャンバ１２内の圧力を所定レベ
ルまで減じる。この後、エッチャントガス供給源（図示
せず）からエッチャントガス（一般的にはアルゴンガ
ス）を真空チャンバ１２内に導入する。そして、高周波
バイアス電源４４を投入して電極１８，２２間に高周波
電力を印加すると、エッチャントガスに放電が起こり、
プラズマが発生する。プラズマ中の正イオンは負にバイ
アスがかけられたペディスタル２２に向って加速され、
これにより静電チャック２６上の半導体ウェハ２４がエ
ッチングされる。
空系を作動させ、真空チャンバ１２内の圧力を所定レベ
ルまで減じる。この後、エッチャントガス供給源（図示
せず）からエッチャントガス（一般的にはアルゴンガ
ス）を真空チャンバ１２内に導入する。そして、高周波
バイアス電源４４を投入して電極１８，２２間に高周波
電力を印加すると、エッチャントガスに放電が起こり、
プラズマが発生する。プラズマ中の正イオンは負にバイ
アスがかけられたペディスタル２２に向って加速され、
これにより静電チャック２６上の半導体ウェハ２４がエ
ッチングされる。
【００１９】前述したように、静電チャック２６の表面
層４０はエッチングプロセス時に発生するプラズマによ
り腐食する。特に半導体ウェハ２４上の酸化膜をエッチ
ングする際に生じるＯ2プラズマの腐食性は強く、静電
チャック２６の表面層４０が耐腐食性のあるアルミナか
ら形成されていても、その外周縁部から内側に向って徐
々に腐食していく。腐食が或る程度進むと、半導体ウェ
ハ２４と静電チャック２６との密着性が低下し、温度制
御ないしは温度分布の均一化が困難となる。この場合、
従来であれば少なくとも静電チャック全体の交換が必要
であったが、本発明による静電チャック２６において
は、表面層４０をベース２８から剥離することができる
ので、表面層４０のみを新規なものに交換することが可
能となる。
層４０はエッチングプロセス時に発生するプラズマによ
り腐食する。特に半導体ウェハ２４上の酸化膜をエッチ
ングする際に生じるＯ2プラズマの腐食性は強く、静電
チャック２６の表面層４０が耐腐食性のあるアルミナか
ら形成されていても、その外周縁部から内側に向って徐
々に腐食していく。腐食が或る程度進むと、半導体ウェ
ハ２４と静電チャック２６との密着性が低下し、温度制
御ないしは温度分布の均一化が困難となる。この場合、
従来であれば少なくとも静電チャック全体の交換が必要
であったが、本発明による静電チャック２６において
は、表面層４０をベース２８から剥離することができる
ので、表面層４０のみを新規なものに交換することが可
能となる。
【００２０】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限られないこ
とはいうまでもない。例えば、上記実施形態では、電極
をベースの上面にパターン形成したものについて説明し
たが、同電極を表面層の下面に形成したものについても
本発明の実施形態に含まれることは勿論である。また、
上記実施形態はエッチング装置に関するものであるが、
本発明は、プラズマを発生し利用する他の型式のプラズ
マ装置にも適用可能である。
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限られないこ
とはいうまでもない。例えば、上記実施形態では、電極
をベースの上面にパターン形成したものについて説明し
たが、同電極を表面層の下面に形成したものについても
本発明の実施形態に含まれることは勿論である。また、
上記実施形態はエッチング装置に関するものであるが、
本発明は、プラズマを発生し利用する他の型式のプラズ
マ装置にも適用可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、静
電チャックの表面層が腐食しても、表面層のみ、或は電
極がその下面にパターン形成された表面層の交換を行え
ばよく、静電チャック全体又はペディスタル全体を交換
する場合に比して手間や費用がかからない。また、表面
層の交換作業も、剥離及び接合という比較的に簡単な作
業であるため、装置の運転停止時間を短縮することがで
き、腐食による弊害に迅速に対応することが可能にな
る。よって、温度分布が均一で信頼性の高い温度制御を
実現でき、ひいてはデバイス性能、生産性、歩留りの向
上に寄与する。
電チャックの表面層が腐食しても、表面層のみ、或は電
極がその下面にパターン形成された表面層の交換を行え
ばよく、静電チャック全体又はペディスタル全体を交換
する場合に比して手間や費用がかからない。また、表面
層の交換作業も、剥離及び接合という比較的に簡単な作
業であるため、装置の運転停止時間を短縮することがで
き、腐食による弊害に迅速に対応することが可能にな
る。よって、温度分布が均一で信頼性の高い温度制御を
実現でき、ひいてはデバイス性能、生産性、歩留りの向
上に寄与する。
【図１】本発明が適用されたエッチング装置を概略的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明による静電チャックを示す拡大断面図で
ある。
ある。
１０…エッチング装置（半導体製造装置）、１２…真空
チャンバ（処理チャンバ）、２２…ペディスタル、２４
…半導体ウェハ、２６…静電チャック、２８…ベース、
３８…電極、４０…表面層。
チャンバ（処理チャンバ）、２２…ペディスタル、２４
…半導体ウェハ、２６…静電チャック、２８…ベース、
３８…電極、４０…表面層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596091392 神鋼コベルコツール株式会社 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179−１ (72)発明者 熊谷 浩洋 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 新井 泉 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 池田 貢基 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所 神戸総合技術研究所 内 (72)発明者 杉山 成正 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179−１ 神鋼コベルコツール株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 誘電体セラミックからなるベースと、所
定のパターンで配置された電極と、誘電体セラミックか
らなる表面層とを備え、前記ベースと前記表面層とが前
記電極を介在させた状態で剥離可能に接合されているこ
とを特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 前記ベースと前記表面層とが前記電極を
介在させた状態で接合剤を用いて剥離可能に接合されて
いることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。 - 【請求項３】 前記接合剤が熱可塑性樹脂接着剤である
ことを特徴とする請求項２に記載の静電チャック。 - 【請求項４】 前記接合剤が熱硬化性樹脂接着剤である
ことを特徴とする請求項２に記載の静電チャック。 - 【請求項５】 前記接合剤が低融点金属であることを特
徴とする請求項２に記載の静電チャック。 - 【請求項６】 前記誘電体セラミックがアルミナである
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の
静電チャック。 - 【請求項７】 半導体ウェハを保持するための静電チャ
ックが処理チャンバ内に設けられている半導体製造装置
において、前記静電チャックが、誘電体セラミックから
なるベースと、所定のパターンで配置された電極と、誘
電体セラミックからなる表面層とを備え、前記ベースと
前記表面層とが前記電極を介在させた状態で剥離可能に
接合されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項８】 前記ベースと前記表面層とが前記電極を
介在させた状態で接合剤を用いて剥離可能に接合されて
いることを特徴とする請求項７に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項９】 前記接合剤が熱可塑性樹脂接着剤である
ことを特徴とする請求項８に半導体製造装置。 - 【請求項１０】 前記接合剤が熱硬化性樹脂接着剤であ
ることを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１１】 前記接合剤が低融点金属であることを
特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置。 - 【請求項１２】 前記誘電体セラミックがアルミナであ
ることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記
載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9096125A JPH10303286A (ja) | 1997-02-25 | 1997-04-14 | 静電チャック及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4083697 | 1997-02-25 | ||
| JP9-40836 | 1997-02-25 | ||
| JP9096125A JPH10303286A (ja) | 1997-02-25 | 1997-04-14 | 静電チャック及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303286A true JPH10303286A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=26380353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9096125A Pending JPH10303286A (ja) | 1997-02-25 | 1997-04-14 | 静電チャック及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303286A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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